JPH08139071A - 半導体製造方法および装置 - Google Patents
半導体製造方法および装置Info
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- JPH08139071A JPH08139071A JP27218194A JP27218194A JPH08139071A JP H08139071 A JPH08139071 A JP H08139071A JP 27218194 A JP27218194 A JP 27218194A JP 27218194 A JP27218194 A JP 27218194A JP H08139071 A JPH08139071 A JP H08139071A
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- semiconductor manufacturing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｕ形アイソレーションプロセスの工程数を低
減し、さらにウェハへの異物付着を低減する半導体製造
方法および装置を提供する。 【構成】 ウェハ７のエッチングを行うエッチング機構
２と、エッチング後のＣＶＤ処理を行うＣＶＤ処理機構
３と、処理室であるチャンバ１にハロゲン系の反応ガス
を供給するガス供給機構４と、チャンバ１から真空を排
気する真空排気機構５と、ウェハ７をエッチング機構２
からＣＶＤ処理機構３へ搬送するウェハ搬送機構６とか
ら構成され、エッチング機構２とＣＶＤ処理機構３とが
同一のチャンバ１内に設置されているものであり、前記
チャンバ１内において、ウェハ７のエッチングを行い、
その後直ぐにＣＶＤ処理を行う。
減し、さらにウェハへの異物付着を低減する半導体製造
方法および装置を提供する。 【構成】 ウェハ７のエッチングを行うエッチング機構
２と、エッチング後のＣＶＤ処理を行うＣＶＤ処理機構
３と、処理室であるチャンバ１にハロゲン系の反応ガス
を供給するガス供給機構４と、チャンバ１から真空を排
気する真空排気機構５と、ウェハ７をエッチング機構２
からＣＶＤ処理機構３へ搬送するウェハ搬送機構６とか
ら構成され、エッチング機構２とＣＶＤ処理機構３とが
同一のチャンバ１内に設置されているものであり、前記
チャンバ１内において、ウェハ７のエッチングを行い、
その後直ぐにＣＶＤ処理を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造技術におい
て、半導体ウェハ（以降、単にウェハという）のエッチ
ングとＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)処理とを行
うアイソレーション技術に関し、特に同一の処理室内で
エッチングとＣＶＤ処理とを行う半導体製造方法および
装置に関するものである。
て、半導体ウェハ（以降、単にウェハという）のエッチ
ングとＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)処理とを行
うアイソレーション技術に関し、特に同一の処理室内で
エッチングとＣＶＤ処理とを行う半導体製造方法および
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】半導体デバイスを形成するプロセスの１つ
として、Ｕ形アイソレーション技術が使われている。こ
のＵ形アイソレーション技術は、まず、ドライエッチン
グ法を用いて、シリコン基板（ウェハ）に幅0.５μｍ、
深さ３〜５μｍの溝を形成し、さらに前記溝の内部を洗
浄した後、酸化させ、低圧ＣＶＤ法を用いて、前記溝を
絶縁膜によって埋め込むものである。
として、Ｕ形アイソレーション技術が使われている。こ
のＵ形アイソレーション技術は、まず、ドライエッチン
グ法を用いて、シリコン基板（ウェハ）に幅0.５μｍ、
深さ３〜５μｍの溝を形成し、さらに前記溝の内部を洗
浄した後、酸化させ、低圧ＣＶＤ法を用いて、前記溝を
絶縁膜によって埋め込むものである。
【０００４】ここで、ウェハのエッチングには、平行平
板型エッチング装置、マグネトロンエッチング装置また
はμ波エッチング装置などが使われ、さらに、その反応
ガスとして、溝加工が可能な塩素ガスや臭素ガスを主に
使う。
板型エッチング装置、マグネトロンエッチング装置また
はμ波エッチング装置などが使われ、さらに、その反応
ガスとして、溝加工が可能な塩素ガスや臭素ガスを主に
使う。
【０００５】また、エッチングの後処理として、酸素ガ
スまたはフレオンガスを用いたプラズマアッシャを行
い、さらに、オゾン硫酸洗浄、あるいはアンモニアと過
酸化水素などの混合液洗浄を行った後、溝の内部を酸化
させる。その後、低圧ＣＶＤ法により、酸化膜を溝の内
部に堆積し、溝内を埋め込む。
スまたはフレオンガスを用いたプラズマアッシャを行
い、さらに、オゾン硫酸洗浄、あるいはアンモニアと過
酸化水素などの混合液洗浄を行った後、溝の内部を酸化
させる。その後、低圧ＣＶＤ法により、酸化膜を溝の内
部に堆積し、溝内を埋め込む。
【０００６】なお、エッチング技術については、産業図
書株式会社発行「半導体ドライエッチング技術」平成４
年１０月６日発行、徳山巍（編著）、１０３頁〜１０６
頁に紹介されている。
書株式会社発行「半導体ドライエッチング技術」平成４
年１０月６日発行、徳山巍（編著）、１０３頁〜１０６
頁に紹介されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術においては、Ｕ溝形成から絶縁膜堆積までの工程数が
多いため、複数の半導体製造装置を使用しなければなら
ない。その結果、ウェハへの付着異物が増加し、ウェハ
の歩留りが低下する。さらに、プロセスの処理時間も増
加するという問題が発生する。
術においては、Ｕ溝形成から絶縁膜堆積までの工程数が
多いため、複数の半導体製造装置を使用しなければなら
ない。その結果、ウェハへの付着異物が増加し、ウェハ
の歩留りが低下する。さらに、プロセスの処理時間も増
加するという問題が発生する。
【０００８】そこで、本発明の目的は、Ｕ形アイソレー
ションプロセスの工程数を低減し、さらにウェハへの異
物付着を低減する半導体製造方法および装置を提供する
ことである。
ションプロセスの工程数を低減し、さらにウェハへの異
物付着を低減する半導体製造方法および装置を提供する
ことである。
【０００９】また、本発明の他の目的は、Ｕ形アイソレ
ーションプロセスにおけるウェハの処理時間を低減する
ことである。
ーションプロセスにおけるウェハの処理時間を低減する
ことである。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】すなわち、本発明による半導体製造方法
は、エッチングとＣＶＤ処理とを同一の処理室内で行う
ものであり、前記同一の処理室内において、プラズマを
用いたエッチングと、プラズマ中で発生する反応生成物
をウェハ上に堆積するＣＶＤ処理とを行うものである。
は、エッチングとＣＶＤ処理とを同一の処理室内で行う
ものであり、前記同一の処理室内において、プラズマを
用いたエッチングと、プラズマ中で発生する反応生成物
をウェハ上に堆積するＣＶＤ処理とを行うものである。
【００１３】また、本発明による半導体製造装置は、ウ
ェハのエッチングを行うエッチング機構と、エッチング
後のＣＶＤ処理を行うＣＶＤ処理機構と、処理室にハロ
ゲン系の反応ガスを供給するガス供給機構と、前記処理
室から真空を排気する真空排気機構とから構成され、前
記エッチング機構と前記ＣＶＤ処理機構との両者が同一
の処理室内に設置されているものである。
ェハのエッチングを行うエッチング機構と、エッチング
後のＣＶＤ処理を行うＣＶＤ処理機構と、処理室にハロ
ゲン系の反応ガスを供給するガス供給機構と、前記処理
室から真空を排気する真空排気機構とから構成され、前
記エッチング機構と前記ＣＶＤ処理機構との両者が同一
の処理室内に設置されているものである。
【００１４】さらに、前記半導体製造装置は、マイクロ
波を発生するマグネトロンと、前記マイクロ波を処理室
内に導入する導波管とが設置されているものである。
波を発生するマグネトロンと、前記マイクロ波を処理室
内に導入する導波管とが設置されているものである。
【００１５】また、前記半導体製造装置は、前記エッチ
ング機構がウェハを載置するエッチング電極と、プラズ
マを発生させる高周波電源とからなり、また前記ＣＶＤ
処理機構がウェハを載置するＣＶＤ電極と、該ＣＶＤ電
極を加熱する加熱手段とからなり、前記ＣＶＤ電極を該
ＣＶＤ電極に設けられたウェハ載置面に対してほぼ水平
に移動する水平位置調整機構、もしくは、前記ＣＶＤ電
極を前記ウェハ載置面に対してほぼ垂直に移動する高さ
調整機構が設置されているものである。
ング機構がウェハを載置するエッチング電極と、プラズ
マを発生させる高周波電源とからなり、また前記ＣＶＤ
処理機構がウェハを載置するＣＶＤ電極と、該ＣＶＤ電
極を加熱する加熱手段とからなり、前記ＣＶＤ電極を該
ＣＶＤ電極に設けられたウェハ載置面に対してほぼ水平
に移動する水平位置調整機構、もしくは、前記ＣＶＤ電
極を前記ウェハ載置面に対してほぼ垂直に移動する高さ
調整機構が設置されているものである。
【００１６】なお、前記半導体製造装置は、前記真空排
気機構が真空を吸引する真空ポンプと、前記反応ガスの
通り路である排気口と、該排気口内に取り付けられかつ
反応ガスの流量を調節する圧力調整バルブとからなり、
前記排気口がＣＶＤ処理機構の周辺に複数個設置されて
いるものである。
気機構が真空を吸引する真空ポンプと、前記反応ガスの
通り路である排気口と、該排気口内に取り付けられかつ
反応ガスの流量を調節する圧力調整バルブとからなり、
前記排気口がＣＶＤ処理機構の周辺に複数個設置されて
いるものである。
【００１７】さらに、前記半導体製造装置は、前記ＣＶ
Ｄ電極の下部において、前記加熱手段が該ＣＶＤ電極に
設けられたウェハ載置面にほぼ平行な平面上に少なくと
も２つ設けられているものである。
Ｄ電極の下部において、前記加熱手段が該ＣＶＤ電極に
設けられたウェハ載置面にほぼ平行な平面上に少なくと
も２つ設けられているものである。
【００１８】
【作用】上記した手段によれば、半導体製造装置のエッ
チング機構とＣＶＤ処理機構との両者が同一の処理室内
に設置されているため、真空排気機構、ガス供給機構、
および高周波電源などが一式で済む。
チング機構とＣＶＤ処理機構との両者が同一の処理室内
に設置されているため、真空排気機構、ガス供給機構、
および高周波電源などが一式で済む。
【００１９】したがって、同一の処理室でエッチング直
後にＣＶＤ処理を行うことができ、その結果、Ｕ形アイ
ソレーションプロセスの工程数を１つにすることができ
る。また、ウェハの動作（雰囲気）の数（大気＋真空＋
処理＋処理＋搬送＋大気）を減らすことができる。
後にＣＶＤ処理を行うことができ、その結果、Ｕ形アイ
ソレーションプロセスの工程数を１つにすることができ
る。また、ウェハの動作（雰囲気）の数（大気＋真空＋
処理＋処理＋搬送＋大気）を減らすことができる。
【００２０】さらに、ウェハの動作（雰囲気）の数を減
らすことができるため、ウェハ１枚あたりの処理に要す
る時間を短縮することができる。その結果、Ｕ形アイソ
レーションプロセスにおけるウェハの処理時間を低減す
ることができる。
らすことができるため、ウェハ１枚あたりの処理に要す
る時間を短縮することができる。その結果、Ｕ形アイソ
レーションプロセスにおけるウェハの処理時間を低減す
ることができる。
【００２１】また、マイクロ波を発生するマグネトロン
と、該マイクロ波を処理室内に導入する導波管とが設置
されているため、前記処理室内にマイクロ波を導入する
ことができ、高濃度のイオンやラジカルを形成すること
ができる。
と、該マイクロ波を処理室内に導入する導波管とが設置
されているため、前記処理室内にマイクロ波を導入する
ことができ、高濃度のイオンやラジカルを形成すること
ができる。
【００２２】なお、ＣＶＤ電極を該ＣＶＤ電極に設けら
れたウェハ載置面に対してほぼ水平に移動する水平位置
調整機構、もしくは、ＣＶＤ電極を前記ウェハ載置面に
対してほぼ垂直に移動する高さ調整機構が設置されてい
ることにより、処理室内において、ＣＶＤ電極を前記ウ
ェハ載置面に対してほぼ水平もしくはほぼ垂直に移動さ
せることができる。
れたウェハ載置面に対してほぼ水平に移動する水平位置
調整機構、もしくは、ＣＶＤ電極を前記ウェハ載置面に
対してほぼ垂直に移動する高さ調整機構が設置されてい
ることにより、処理室内において、ＣＶＤ電極を前記ウ
ェハ載置面に対してほぼ水平もしくはほぼ垂直に移動さ
せることができる。
【００２３】これによって、処理室内の反応ガスの流れ
を均一にすることができるため、その結果、酸化膜の堆
積を均一化することができる。
を均一にすることができるため、その結果、酸化膜の堆
積を均一化することができる。
【００２４】さらに、反応ガスの通り路である排気口内
に圧力調整バルブが取り付けられ、かつ、該排気口がＣ
ＶＤ処理機構の周辺に複数個設置されていることによ
り、処理室内の反応ガスがエッチング電極上からＣＶＤ
電極上へ均一に流れる。
に圧力調整バルブが取り付けられ、かつ、該排気口がＣ
ＶＤ処理機構の周辺に複数個設置されていることによ
り、処理室内の反応ガスがエッチング電極上からＣＶＤ
電極上へ均一に流れる。
【００２５】これによって、ＣＶＤ処理時に、プラズマ
中で発生した反応生成物も反応ガスと一緒に流れ、ＣＶ
Ｄ電極上に載置されたウェハ上に均一に入射させ、付着
させることができる。その結果、酸化膜の堆積を均一化
することができる。
中で発生した反応生成物も反応ガスと一緒に流れ、ＣＶ
Ｄ電極上に載置されたウェハ上に均一に入射させ、付着
させることができる。その結果、酸化膜の堆積を均一化
することができる。
【００２６】また、ＣＶＤ電極の下部において、ウェハ
を加熱する加熱手段がＣＶＤ電極のウェハ載置面にほぼ
平行な平面上に少なくとも２つ設けられているため、Ｃ
ＶＤ処理時に、該ウェハを常時均一に加熱することがで
きる。これにより、酸化膜の堆積を均一化することがで
きる。
を加熱する加熱手段がＣＶＤ電極のウェハ載置面にほぼ
平行な平面上に少なくとも２つ設けられているため、Ｃ
ＶＤ処理時に、該ウェハを常時均一に加熱することがで
きる。これにより、酸化膜の堆積を均一化することがで
きる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００２８】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
る半導体製造装置の構造の一例を示す部分断面図、図２
は本発明の一実施例による半導体製造装置のＣＶＤ処理
機構によって処理されるウェハへの絶縁膜の堆積状態の
一例を示す部分断面図である。
る半導体製造装置の構造の一例を示す部分断面図、図２
は本発明の一実施例による半導体製造装置のＣＶＤ処理
機構によって処理されるウェハへの絶縁膜の堆積状態の
一例を示す部分断面図である。
【００２９】まず、本実施例１の半導体製造装置の構成
について説明すると、ウェハ７のエッチングを行うエッ
チング機構２と、エッチング後のＣＶＤ処理を行うＣＶ
Ｄ処理機構３と、処理室であるチャンバ１にハロゲン系
の反応ガスを供給するガス供給機構４と、チャンバ１か
ら真空を排気する真空排気機構５とから構成され、前記
エッチング機構２と前記ＣＶＤ処理機構３との両者が同
一のチャンバ１内に設置されている。
について説明すると、ウェハ７のエッチングを行うエッ
チング機構２と、エッチング後のＣＶＤ処理を行うＣＶ
Ｄ処理機構３と、処理室であるチャンバ１にハロゲン系
の反応ガスを供給するガス供給機構４と、チャンバ１か
ら真空を排気する真空排気機構５とから構成され、前記
エッチング機構２と前記ＣＶＤ処理機構３との両者が同
一のチャンバ１内に設置されている。
【００３０】つまり、本実施例１による半導体製造装置
は、同一のチャンバ１内において、ウェハ７のエッチン
グとＣＶＤ処理とを行うものである。
は、同一のチャンバ１内において、ウェハ７のエッチン
グとＣＶＤ処理とを行うものである。
【００３１】ここで、エッチング機構２は、平行平板形
ドライエッチング装置などに設けられるエッチング機構
部と同様のものであり、ウェハ７を載置しかつステージ
形状を有する電極であるエッチング電極２ａと、その対
向電極であるアノード電極２ｂと、エッチング電極２ａ
を絶縁させる絶縁板２ｅと、プラズマ１２を発生させる
高周波電源２ｃなどから構成されている。
ドライエッチング装置などに設けられるエッチング機構
部と同様のものであり、ウェハ７を載置しかつステージ
形状を有する電極であるエッチング電極２ａと、その対
向電極であるアノード電極２ｂと、エッチング電極２ａ
を絶縁させる絶縁板２ｅと、プラズマ１２を発生させる
高周波電源２ｃなどから構成されている。
【００３２】また、ＣＶＤ処理機構３はウェハ７を載置
しかつステージ形状を有する電極であるＣＶＤ電極３ａ
と、高周波電源３ｅによりＣＶＤ電極３ａを加熱する加
熱手段である加熱ヒータ３ｂと、ＣＶＤ電極３ａの温度
を計測する温度計３ｃとから構成されている。
しかつステージ形状を有する電極であるＣＶＤ電極３ａ
と、高周波電源３ｅによりＣＶＤ電極３ａを加熱する加
熱手段である加熱ヒータ３ｂと、ＣＶＤ電極３ａの温度
を計測する温度計３ｃとから構成されている。
【００３３】さらに、真空排気機構５は真空を吸引する
真空ポンプ５ａと、前記反応ガスの通り路である排気口
５ｄと、該排気口５ｄ内に取り付けられかつ前記反応ガ
スの流量を調節する圧力調整バルブ５ｂとからなり、排
気口５ｄがＣＶＤ処理機構３の周辺に複数個設置されて
いる。
真空ポンプ５ａと、前記反応ガスの通り路である排気口
５ｄと、該排気口５ｄ内に取り付けられかつ前記反応ガ
スの流量を調節する圧力調整バルブ５ｂとからなり、排
気口５ｄがＣＶＤ処理機構３の周辺に複数個設置されて
いる。
【００３４】なお、真空ポンプ５ａは処理室であるチャ
ンバ１の外部で、ＣＶＤ処理機構３の近傍に設置されて
いる。
ンバ１の外部で、ＣＶＤ処理機構３の近傍に設置されて
いる。
【００３５】また、本実施例１による半導体製造装置に
は、ＣＶＤ電極３ａを該ＣＶＤ電極３ａに設けられたウ
ェハ載置面３ｄに対してほぼ水平に移動する水平位置調
整機構３ｆと、ＣＶＤ電極３ａをウェハ載置面３ｄに対
してほぼ垂直に移動する高さ調整機構３ｇとが設置され
ている。
は、ＣＶＤ電極３ａを該ＣＶＤ電極３ａに設けられたウ
ェハ載置面３ｄに対してほぼ水平に移動する水平位置調
整機構３ｆと、ＣＶＤ電極３ａをウェハ載置面３ｄに対
してほぼ垂直に移動する高さ調整機構３ｇとが設置され
ている。
【００３６】さらに、ＣＶＤ電極３ａの下部において
は、加熱ヒータ３ｂが前記ウェハ載置面３ｄにほぼ平行
な平面上に３個設けられている。
は、加熱ヒータ３ｂが前記ウェハ載置面３ｄにほぼ平行
な平面上に３個設けられている。
【００３７】次に、本実施例１による半導体製造装置を
用いてウェハ７のエッチングとＣＶＤ処理とを行う半導
体製造方法について説明する。
用いてウェハ７のエッチングとＣＶＤ処理とを行う半導
体製造方法について説明する。
【００３８】まず、ウェハ７を図示しない搬送装置によ
ってゲートバルブ１ａを介して、処理室であるチャンバ
１内に搬送する。さらに、エッチング電極２ａ上に搬送
し、固定した後、ステージでもあるエッチング電極２ａ
上で、ウェハ７のエッチングを行う。
ってゲートバルブ１ａを介して、処理室であるチャンバ
１内に搬送する。さらに、エッチング電極２ａ上に搬送
し、固定した後、ステージでもあるエッチング電極２ａ
上で、ウェハ７のエッチングを行う。
【００３９】この時、チャンバ１内にはガス供給管４ａ
を介して、ガス供給調整バルブ４ｂによって、その流量
が調整された反応ガスを導入する。ここで、前記反応ガ
スとしては、Cl2 、SiCl4 、SiF4、HBr 、NF3 、Cl2+
O2、SiCl4+O2、HBr+O2、SiF4+O2 などのハロゲン系のガ
スを使用し、チャンバ１内に導入した前記反応ガスを真
空ポンプ５ａによって吸引し、排気口５ｄを介して該チ
ャンバ１の外部に排出する。
を介して、ガス供給調整バルブ４ｂによって、その流量
が調整された反応ガスを導入する。ここで、前記反応ガ
スとしては、Cl2 、SiCl4 、SiF4、HBr 、NF3 、Cl2+
O2、SiCl4+O2、HBr+O2、SiF4+O2 などのハロゲン系のガ
スを使用し、チャンバ１内に導入した前記反応ガスを真
空ポンプ５ａによって吸引し、排気口５ｄを介して該チ
ャンバ１の外部に排出する。
【００４０】また、プラズマ１２を発生させるための高
周波電力は、高周波電源２ｃからブロッキングコンデン
サ２ｄを通じて、エッチング電極２ａへ伝搬し、これに
よって、チャンバ１内にプラズマ１２が発生する。この
プラズマ１２中には、エッチングに寄与するＣｌ+ など
のイオン８やＣｌ* などの化学的に活性なラジカル９お
よび電子（ｅ）１０などが存在し、これらがエッチング
電極２ａ上のウェハ７をエッチングする。さらに、プラ
ズマ１２中には堆積物となるSiO2も含まれている。
周波電力は、高周波電源２ｃからブロッキングコンデン
サ２ｄを通じて、エッチング電極２ａへ伝搬し、これに
よって、チャンバ１内にプラズマ１２が発生する。この
プラズマ１２中には、エッチングに寄与するＣｌ+ など
のイオン８やＣｌ* などの化学的に活性なラジカル９お
よび電子（ｅ）１０などが存在し、これらがエッチング
電極２ａ上のウェハ７をエッチングする。さらに、プラ
ズマ１２中には堆積物となるSiO2も含まれている。
【００４１】これにより、ウェハ７上にＵ溝１３（図２
参照）を形成する。
参照）を形成する。
【００４２】なお、エッチング時、ウェハ７を冷却する
ためのヘリウムガスなどの冷却媒体を、ヘリウム供給管
２ｆを介して、ウェハ７の裏面あるいはエッチング電極
２ａの表面などに供給し、ウェハ７の温度が上がり過ぎ
ないように、温度計２ｇによってエッチング電極２ａの
温度を計測する。
ためのヘリウムガスなどの冷却媒体を、ヘリウム供給管
２ｆを介して、ウェハ７の裏面あるいはエッチング電極
２ａの表面などに供給し、ウェハ７の温度が上がり過ぎ
ないように、温度計２ｇによってエッチング電極２ａの
温度を計測する。
【００４３】続いて、エッチングが終了したウェハ７
を、ウェハ搬送機構６によってＣＶＤ処理時の電極であ
るＣＶＤ電極３ａ上に搬送し、そこでＣＶＤ処理を行
う。
を、ウェハ搬送機構６によってＣＶＤ処理時の電極であ
るＣＶＤ電極３ａ上に搬送し、そこでＣＶＤ処理を行
う。
【００４４】ここで、ＣＶＤ処理では、前記反応ガスに
ハロゲン系のものを使用するため、エッチングによって
生じた反応生成物に含まれるSiO2やSiN などの絶縁膜１
４（図２参照）がウェハ７上に形成されたＵ溝１３に堆
積する。
ハロゲン系のものを使用するため、エッチングによって
生じた反応生成物に含まれるSiO2やSiN などの絶縁膜１
４（図２参照）がウェハ７上に形成されたＵ溝１３に堆
積する。
【００４５】この時、ＣＶＤ電極３ａの下部に設置され
た３個の加熱ヒータ３ｂと、３個の温度計３ｃとがＣＶ
Ｄ電極３ａの温度を調節し、前記絶縁膜１４の堆積状態
を制御する。
た３個の加熱ヒータ３ｂと、３個の温度計３ｃとがＣＶ
Ｄ電極３ａの温度を調節し、前記絶縁膜１４の堆積状態
を制御する。
【００４６】なお、エッチングおよびＣＶＤ処理を終了
したウェハ７を、図示しない搬送装置によってゲートバ
ルブ１ａを介してチャンバ１の外部へ搬送する。
したウェハ７を、図示しない搬送装置によってゲートバ
ルブ１ａを介してチャンバ１の外部へ搬送する。
【００４７】また、エッチング後の前記反応ガスを真空
ポンプ５ａおよび真空排気管５ｃを介して、チャンバ１
の外部へ排気する。
ポンプ５ａおよび真空排気管５ｃを介して、チャンバ１
の外部へ排気する。
【００４８】本実施例１の半導体製造方法および装置に
よれば、以下のような効果が得られる。
よれば、以下のような効果が得られる。
【００４９】すなわち、同一の処理室であるチャンバ１
内にエッチング機構２と、ＣＶＤ処理機構３との両者が
設置されているため、ガス供給機構４、真空排気機構５
および高周波電源３ｅなどが一式で済む。
内にエッチング機構２と、ＣＶＤ処理機構３との両者が
設置されているため、ガス供給機構４、真空排気機構５
および高周波電源３ｅなどが一式で済む。
【００５０】したがって、同一のチャンバ１内でエッチ
ング直後にＣＶＤ処理を行うことができ、その結果、Ｕ
形アイソレーションプロセスの工程数を１つにすること
ができる。また、ウェハ７の動作（雰囲気）の数（大気
＋真空＋処理＋処理＋搬送＋大気）を減らすことができ
る。
ング直後にＣＶＤ処理を行うことができ、その結果、Ｕ
形アイソレーションプロセスの工程数を１つにすること
ができる。また、ウェハ７の動作（雰囲気）の数（大気
＋真空＋処理＋処理＋搬送＋大気）を減らすことができ
る。
【００５１】さらに、ウェハ７の動作（雰囲気）の数を
減らすことができるため、ウェハ７への異物付着を低減
することができる。これにより、ウェハ７の歩留りを向
上することが可能になる。
減らすことができるため、ウェハ７への異物付着を低減
することができる。これにより、ウェハ７の歩留りを向
上することが可能になる。
【００５２】また、前記同様、ウェハ７の動作（雰囲
気）の数を減らすことができるため、ウェハ７の１枚あ
たりの処理に要する時間を短縮することができる。その
結果、Ｕ形アイソレーションプロセスにおけるウェハ７
の処理のスループットを向上することができ、ウェハ７
の処理時間を低減することができる。
気）の数を減らすことができるため、ウェハ７の１枚あ
たりの処理に要する時間を短縮することができる。その
結果、Ｕ形アイソレーションプロセスにおけるウェハ７
の処理のスループットを向上することができ、ウェハ７
の処理時間を低減することができる。
【００５３】なお、ガス供給機構４、真空排気機構５お
よび高周波電源３ｅなどが一式で済むため、本実施例１
による半導体製造装置の価格を低減することができる。
よび高周波電源３ｅなどが一式で済むため、本実施例１
による半導体製造装置の価格を低減することができる。
【００５４】また、前記半導体製造装置には、ＣＶＤ電
極３ａを該ＣＶＤ電極３ａに設けられたウェハ載置面３
ｄに対してほぼ水平に移動する水平位置調整機構３ｆ
と、ＣＶＤ電極３ａを前記ウェハ載置面３ｄに対してほ
ぼ垂直に移動する高さ調整機構３ｇが設置されているこ
とにより、チャンバ１内において、ＣＶＤ電極３ａを前
記ウェハ載置面３ｄに対してほぼ水平もしくはほぼ垂直
に移動させることができる。
極３ａを該ＣＶＤ電極３ａに設けられたウェハ載置面３
ｄに対してほぼ水平に移動する水平位置調整機構３ｆ
と、ＣＶＤ電極３ａを前記ウェハ載置面３ｄに対してほ
ぼ垂直に移動する高さ調整機構３ｇが設置されているこ
とにより、チャンバ１内において、ＣＶＤ電極３ａを前
記ウェハ載置面３ｄに対してほぼ水平もしくはほぼ垂直
に移動させることができる。
【００５５】これにより、チャンバ１内の反応ガスの流
れを均一にすることができるため、酸化膜などの絶縁膜
１４の堆積を均一化することができ、その結果、ＣＶＤ
処理特性を均一化することができる。
れを均一にすることができるため、酸化膜などの絶縁膜
１４の堆積を均一化することができ、その結果、ＣＶＤ
処理特性を均一化することができる。
【００５６】さらに、前記反応ガスの通り路である排気
口５ｄ内に圧力調整バルブ５ｂが取り付けられ、かつ、
該排気口５ｄがＣＶＤ処理機構３の周辺に複数個設置さ
れていることにより、チャンバ１内の前記反応ガスがエ
ッチング電極２ａ上からＣＶＤ電極３ａ上へ均一に流れ
る。
口５ｄ内に圧力調整バルブ５ｂが取り付けられ、かつ、
該排気口５ｄがＣＶＤ処理機構３の周辺に複数個設置さ
れていることにより、チャンバ１内の前記反応ガスがエ
ッチング電極２ａ上からＣＶＤ電極３ａ上へ均一に流れ
る。
【００５７】これによって、ＣＶＤ処理時に、プラズマ
１２中で発生した反応生成物も前記反応ガスと一緒に流
れ、ＣＶＤ電極３ａ上に載置されたウェハ７上に均一に
入射させ、付着させることができる。
１２中で発生した反応生成物も前記反応ガスと一緒に流
れ、ＣＶＤ電極３ａ上に載置されたウェハ７上に均一に
入射させ、付着させることができる。
【００５８】その結果、酸化膜などの絶縁膜１４の堆積
を均一化することができ、ＣＶＤ処理特性を均一化する
ことができる。
を均一化することができ、ＣＶＤ処理特性を均一化する
ことができる。
【００５９】また、ＣＶＤ電極３ａの下部において、ウ
ェハ７を加熱する加熱ヒータ（加熱手段）３ｂがＣＶＤ
電極３ａのウェハ載置面３ｄにほぼ平行な平面上に３個
設けられているため、ＣＶＤ処理時に、該ウェハ７を常
時均一に加熱することができる。これにより、絶縁膜１
４の堆積を均一化することができ、ＣＶＤ処理特性を均
一化することができる。
ェハ７を加熱する加熱ヒータ（加熱手段）３ｂがＣＶＤ
電極３ａのウェハ載置面３ｄにほぼ平行な平面上に３個
設けられているため、ＣＶＤ処理時に、該ウェハ７を常
時均一に加熱することができる。これにより、絶縁膜１
４の堆積を均一化することができ、ＣＶＤ処理特性を均
一化することができる。
【００６０】（実施例２）図３は本発明の他の実施例で
ある半導体製造装置の構造の一例を示す部分断面図であ
る。
ある半導体製造装置の構造の一例を示す部分断面図であ
る。
【００６１】まず、本実施例２の半導体製造装置の構成
について説明すると、ウェハ７のエッチングを行うエッ
チング機構２と、エッチング後のＣＶＤ処理を行うＣＶ
Ｄ処理機構３と、処理室であるチャンバ１にハロゲン系
の反応ガスを供給するガス供給機構４と、チャンバ１か
ら真空を排気する真空排気機構５と、チャンバ１内にマ
イクロ波を導入するマイクロ波導入機構１１とから構成
され、前記エッチング機構２と前記ＣＶＤ処理機構３と
の両者が同一のチャンバ１内に設置されている。
について説明すると、ウェハ７のエッチングを行うエッ
チング機構２と、エッチング後のＣＶＤ処理を行うＣＶ
Ｄ処理機構３と、処理室であるチャンバ１にハロゲン系
の反応ガスを供給するガス供給機構４と、チャンバ１か
ら真空を排気する真空排気機構５と、チャンバ１内にマ
イクロ波を導入するマイクロ波導入機構１１とから構成
され、前記エッチング機構２と前記ＣＶＤ処理機構３と
の両者が同一のチャンバ１内に設置されている。
【００６２】つまり、本実施例２による半導体製造装置
は、マイクロ波ドライエッチング装置などで設けられて
いる機構を応用するものであり、実施例１の半導体製造
装置同様、同一のチャンバ１内において、ウェハ７のエ
ッチングとＣＶＤ処理とを行うものである。なお、前記
チャンバ１が石英などによって形成されることにより、
金属元素による汚染を減らし、マイクロ波を透過させる
ことができる。
は、マイクロ波ドライエッチング装置などで設けられて
いる機構を応用するものであり、実施例１の半導体製造
装置同様、同一のチャンバ１内において、ウェハ７のエ
ッチングとＣＶＤ処理とを行うものである。なお、前記
チャンバ１が石英などによって形成されることにより、
金属元素による汚染を減らし、マイクロ波を透過させる
ことができる。
【００６３】さらに、マイクロ波導入機構１１によって
マイクロ波をチャンバ１内に導入することにより、プラ
ズマ１２の生成効率を高めるものであり、高濃度のイオ
ン８やラジカル９を形成することが可能である。前記マ
イクロ波導入機構１１は、マイクロ波を発生するマグネ
トロン１１ａと、前記マイクロ波をチャンバ１内に導入
する導波管１１ｂとから構成されている。
マイクロ波をチャンバ１内に導入することにより、プラ
ズマ１２の生成効率を高めるものであり、高濃度のイオ
ン８やラジカル９を形成することが可能である。前記マ
イクロ波導入機構１１は、マイクロ波を発生するマグネ
トロン１１ａと、前記マイクロ波をチャンバ１内に導入
する導波管１１ｂとから構成されている。
【００６４】ここで、エッチング機構２は、ウェハ７を
載置しかつステージ形状を有する電極であるエッチング
電極２ａと、該エッチング電極２ａを絶縁させる絶縁板
２ｅと、プラズマ１２を発生させる高周波電源２ｃなど
から構成されている。
載置しかつステージ形状を有する電極であるエッチング
電極２ａと、該エッチング電極２ａを絶縁させる絶縁板
２ｅと、プラズマ１２を発生させる高周波電源２ｃなど
から構成されている。
【００６５】また、ＣＶＤ処理機構３はウェハ７を載置
しかつステージ形状を有する電極であるＣＶＤ電極３ａ
と、高周波電源３ｅによりＣＶＤ電極３ａを加熱する加
熱手段である加熱ヒータ３ｂと、ＣＶＤ電極３ａの温度
を計測する温度計３ｃとから構成されている。なお、Ｃ
ＶＤ電極３ａの下部において、加熱ヒータ３ｂが該ＣＶ
Ｄ電極３ａに設けられたウェハ載置面３ｄにほぼ平行な
平面上に２個設けられている。
しかつステージ形状を有する電極であるＣＶＤ電極３ａ
と、高周波電源３ｅによりＣＶＤ電極３ａを加熱する加
熱手段である加熱ヒータ３ｂと、ＣＶＤ電極３ａの温度
を計測する温度計３ｃとから構成されている。なお、Ｃ
ＶＤ電極３ａの下部において、加熱ヒータ３ｂが該ＣＶ
Ｄ電極３ａに設けられたウェハ載置面３ｄにほぼ平行な
平面上に２個設けられている。
【００６６】さらに、真空排気機構５は真空を吸引する
真空ポンプ５ａと、反応ガスの通り路である排気口５ｄ
と、該排気口５ｄ内に取り付けられかつ前記反応ガスの
流量を調節する圧力調整バルブ５ｂとからなり、排気口
５ｄがＣＶＤ処理機構３の周辺に複数個設置されてい
る。
真空ポンプ５ａと、反応ガスの通り路である排気口５ｄ
と、該排気口５ｄ内に取り付けられかつ前記反応ガスの
流量を調節する圧力調整バルブ５ｂとからなり、排気口
５ｄがＣＶＤ処理機構３の周辺に複数個設置されてい
る。
【００６７】なお、真空ポンプ５ａは処理室であるチャ
ンバ１の外部で、ＣＶＤ処理機構３の近傍に設置されて
いる。
ンバ１の外部で、ＣＶＤ処理機構３の近傍に設置されて
いる。
【００６８】また、本実施例２による半導体製造装置に
は、ＣＶＤ電極３ａを該ＣＶＤ電極３ａのウェハ載置面
３ｄに対してほぼ水平に移動する水平位置調整機構３ｆ
と、ＣＶＤ電極３ａをウェハ載置面３ｄに対してほぼ垂
直に移動する高さ調整機構３ｇとが設置されている。
は、ＣＶＤ電極３ａを該ＣＶＤ電極３ａのウェハ載置面
３ｄに対してほぼ水平に移動する水平位置調整機構３ｆ
と、ＣＶＤ電極３ａをウェハ載置面３ｄに対してほぼ垂
直に移動する高さ調整機構３ｇとが設置されている。
【００６９】次に、本実施例２による半導体製造装置を
用いてウェハ７のエッチングとＣＶＤ処理とを行う半導
体製造方法について説明する。
用いてウェハ７のエッチングとＣＶＤ処理とを行う半導
体製造方法について説明する。
【００７０】まず、ウェハ７を図示しない搬送装置によ
ってゲートバルブ１ａを介して、処理室であるチャンバ
１内に搬送する。さらに、エッチング電極２ａ上に搬送
し、固定した後、ステージでもあるエッチング電極２ａ
上で、ウェハ７のエッチングを行う。
ってゲートバルブ１ａを介して、処理室であるチャンバ
１内に搬送する。さらに、エッチング電極２ａ上に搬送
し、固定した後、ステージでもあるエッチング電極２ａ
上で、ウェハ７のエッチングを行う。
【００７１】この時、マグネトロン１１ａによって発生
したマイクロ波が、導波管１１ｂおよび導入部１１ｃを
介してチャンバ１内に導入され、高密度のプラズマ１２
が発生する。
したマイクロ波が、導波管１１ｂおよび導入部１１ｃを
介してチャンバ１内に導入され、高密度のプラズマ１２
が発生する。
【００７２】また、チャンバ１内にはガス供給管４ａを
介して、流量計であるマスフローメータ４ｃによって、
その流量が調整された反応ガスを導入する。ここで、前
記反応ガスとしては、Cl2 、SiCl4 、SiF4、HBr 、N
F3 、Cl2+O2、SiCl4+O2、HBr+O2、SiF4+O2 などのハロ
ゲン系のガスを使用し、チャンバ１内に導入した前記反
応ガスを真空ポンプ５ａによって吸引し、排気口５ｄを
介してチャンバ１の外部に排出する。
介して、流量計であるマスフローメータ４ｃによって、
その流量が調整された反応ガスを導入する。ここで、前
記反応ガスとしては、Cl2 、SiCl4 、SiF4、HBr 、N
F3 、Cl2+O2、SiCl4+O2、HBr+O2、SiF4+O2 などのハロ
ゲン系のガスを使用し、チャンバ１内に導入した前記反
応ガスを真空ポンプ５ａによって吸引し、排気口５ｄを
介してチャンバ１の外部に排出する。
【００７３】さらに、プラズマ１２を発生させるための
高周波電力は、高周波電源２ｃからブロッキングコンデ
ンサ２ｄを通じて、エッチング電極２ａへ伝搬し、これ
によって、チャンバ１内にプラズマ１２が発生する。こ
のプラズマ１２中には、エッチングに寄与するＣｌ+ な
どのイオン８やＣｌ* などの化学的に活性なラジカル９
および電子（ｅ）１０などが存在し、これらがエッチン
グ電極２ａ上のウェハ７をエッチングする。なお、プラ
ズマ１２中には堆積物となるSiO2も含まれている。
高周波電力は、高周波電源２ｃからブロッキングコンデ
ンサ２ｄを通じて、エッチング電極２ａへ伝搬し、これ
によって、チャンバ１内にプラズマ１２が発生する。こ
のプラズマ１２中には、エッチングに寄与するＣｌ+ な
どのイオン８やＣｌ* などの化学的に活性なラジカル９
および電子（ｅ）１０などが存在し、これらがエッチン
グ電極２ａ上のウェハ７をエッチングする。なお、プラ
ズマ１２中には堆積物となるSiO2も含まれている。
【００７４】これにより、ウェハ７上にＵ溝１３（図２
参照）を形成する。
参照）を形成する。
【００７５】また、エッチング時、ウェハ７を冷却する
ためのヘリウムガスなどの冷却媒体を、ヘリウム供給管
２ｆを介して、ウェハ７の裏面あるいはエッチング電極
２ａの表面などに供給し、ウェハ７の温度が上がり過ぎ
ないように、温度計２ｇによってエッチング電極２ａの
温度を計測する。
ためのヘリウムガスなどの冷却媒体を、ヘリウム供給管
２ｆを介して、ウェハ７の裏面あるいはエッチング電極
２ａの表面などに供給し、ウェハ７の温度が上がり過ぎ
ないように、温度計２ｇによってエッチング電極２ａの
温度を計測する。
【００７６】続いて、エッチングが終了したウェハ７
を、ウェハ搬送機構６（図１参照）によってＣＶＤ処理
時の電極であるＣＶＤ電極３ａ上に搬送し、そこでＣＶ
Ｄ処理を行う。
を、ウェハ搬送機構６（図１参照）によってＣＶＤ処理
時の電極であるＣＶＤ電極３ａ上に搬送し、そこでＣＶ
Ｄ処理を行う。
【００７７】ここで、ＣＶＤ処理では、前記反応ガスに
ハロゲン系のものを使用するため、マイクロ波放電によ
って形成されたプラズマ１２中の反応生成物に含まれる
SiO2やSiN などの絶縁膜１４（図２参照）が、ウェハ７
上に形成された前記Ｕ溝１３に堆積する。
ハロゲン系のものを使用するため、マイクロ波放電によ
って形成されたプラズマ１２中の反応生成物に含まれる
SiO2やSiN などの絶縁膜１４（図２参照）が、ウェハ７
上に形成された前記Ｕ溝１３に堆積する。
【００７８】この時、ＣＶＤ電極３ａの下部に設置され
た２個の加熱ヒータ３ｂと、温度計３ｃとがＣＶＤ電極
３ａの温度を調節し、前記絶縁膜１４の堆積状態を制御
する。
た２個の加熱ヒータ３ｂと、温度計３ｃとがＣＶＤ電極
３ａの温度を調節し、前記絶縁膜１４の堆積状態を制御
する。
【００７９】なお、エッチングおよびＣＶＤ処理を終了
したウェハ７を、図示しない搬送装置によってゲートバ
ルブ１ａを介してチャンバ１の外部へ搬送する。
したウェハ７を、図示しない搬送装置によってゲートバ
ルブ１ａを介してチャンバ１の外部へ搬送する。
【００８０】また、エッチング後の前記反応ガスを真空
ポンプ５ａおよび真空排気管５ｃを介して、チャンバ１
の外部へ排気する。
ポンプ５ａおよび真空排気管５ｃを介して、チャンバ１
の外部へ排気する。
【００８１】本実施例２の半導体製造方法および装置に
よれば、以下のような効果が得られる。
よれば、以下のような効果が得られる。
【００８２】すなわち、本実施例２による半導体製造装
置は、マイクロ波を発生するマグネトロン１１ａと前記
マイクロ波をチャンバ１内に導入する導波管１１ｂとが
設置されていることにより、チャンバ１内に前記マイク
ロ波を導入することができ、高濃度のイオン８やラジカ
ル９を形成することができる。
置は、マイクロ波を発生するマグネトロン１１ａと前記
マイクロ波をチャンバ１内に導入する導波管１１ｂとが
設置されていることにより、チャンバ１内に前記マイク
ロ波を導入することができ、高濃度のイオン８やラジカ
ル９を形成することができる。
【００８３】これによって、プラズマ１２中から発生す
るSiO2の量を増加させることができる。
るSiO2の量を増加させることができる。
【００８４】なお、本実施例２の半導体製造方法および
装置によるその他の効果については、実施例１で説明し
たものと同様であるため、その重複説明は省略する。
装置によるその他の効果については、実施例１で説明し
たものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【００８５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００８６】例えば、実施例１および２で説明した半導
体製造装置は、図４に示す他の実施例である半導体製造
装置のように、平坦化用のエッチングチャンバ１５を有
したエッチング装置とゲートバルブ１ａを介して結合し
たものであってもよい。
体製造装置は、図４に示す他の実施例である半導体製造
装置のように、平坦化用のエッチングチャンバ１５を有
したエッチング装置とゲートバルブ１ａを介して結合し
たものであってもよい。
【００８７】つまり、図４に示す半導体製造装置は、例
えば、実施例１で説明した半導体製造装置と、平坦化用
の処理室であるエッチングチャンバ１５内において高周
波電源３ｅに接続された平坦化エッチング電極１６を有
したエッチング装置とを、ゲートバルブ１ａを介して結
合させたプロセス装置である。
えば、実施例１で説明した半導体製造装置と、平坦化用
の処理室であるエッチングチャンバ１５内において高周
波電源３ｅに接続された平坦化エッチング電極１６を有
したエッチング装置とを、ゲートバルブ１ａを介して結
合させたプロセス装置である。
【００８８】これによって、Ｕ溝への絶縁膜堆積後の平
坦化までの処理を行うことが可能になる。
坦化までの処理を行うことが可能になる。
【００８９】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００９０】（１）．本発明による半導体製造装置に設
置されるエッチング機構とＣＶＤ処理機構との両者が同
一の処理室内に設置されているため、真空排気機構、ガ
ス供給機構、および高周波電源などが一式で済む。
置されるエッチング機構とＣＶＤ処理機構との両者が同
一の処理室内に設置されているため、真空排気機構、ガ
ス供給機構、および高周波電源などが一式で済む。
【００９１】したがって、同一の処理室でエッチング直
後にＣＶＤ処理を行うことができる。その結果、Ｕ形ア
イソレーションプロセスの工程数を１つにすることが可
能になり、ウェハの動作（雰囲気）の数（大気＋真空＋
処理＋処理＋搬送＋大気）を減らすこともできる。
後にＣＶＤ処理を行うことができる。その結果、Ｕ形ア
イソレーションプロセスの工程数を１つにすることが可
能になり、ウェハの動作（雰囲気）の数（大気＋真空＋
処理＋処理＋搬送＋大気）を減らすこともできる。
【００９２】（２）．ウェハの動作（雰囲気）の数を減
らすことができるため、ウェハへの異物付着を低減する
ことができる。これにより、ウェハの歩留りを向上する
ことが可能になる。さらに、ウェハ１枚あたりの処理に
要する時間を短縮することができる。その結果、Ｕ形ア
イソレーションプロセスにおけるウェハ処理のスループ
ットを向上することができ、ウェハの処理時間を低減す
ることができる。
らすことができるため、ウェハへの異物付着を低減する
ことができる。これにより、ウェハの歩留りを向上する
ことが可能になる。さらに、ウェハ１枚あたりの処理に
要する時間を短縮することができる。その結果、Ｕ形ア
イソレーションプロセスにおけるウェハ処理のスループ
ットを向上することができ、ウェハの処理時間を低減す
ることができる。
【００９３】（３）．前記半導体製造装置を構成する真
空排気機構、ガス供給機構および高周波電源などが一式
で済むことにより、前記半導体製造装置の価格を低減す
ることができる。
空排気機構、ガス供給機構および高周波電源などが一式
で済むことにより、前記半導体製造装置の価格を低減す
ることができる。
【００９４】（４）．前記半導体製造装置に、マイクロ
波を発生するマグネトロンと、該マイクロ波を処理室内
に導入する導波管とが設置されることにより、前記処理
室内にマイクロ波を導入することができ、高濃度のイオ
ンやラジカルを形成することができる。
波を発生するマグネトロンと、該マイクロ波を処理室内
に導入する導波管とが設置されることにより、前記処理
室内にマイクロ波を導入することができ、高濃度のイオ
ンやラジカルを形成することができる。
【００９５】（５）．ＣＶＤ電極を該ＣＶＤ電極に設け
られたウェハ載置面に対してほぼ水平に移動する水平位
置調整機構、もしくは、ＣＶＤ電極を前記ウェハ載置面
に対してほぼ垂直に移動する高さ調整機構が設置されて
いることにより、処理室内において、ＣＶＤ電極を前記
ウェハ載置面に対してほぼ水平もしくはほぼ垂直に移動
させることができる。
られたウェハ載置面に対してほぼ水平に移動する水平位
置調整機構、もしくは、ＣＶＤ電極を前記ウェハ載置面
に対してほぼ垂直に移動する高さ調整機構が設置されて
いることにより、処理室内において、ＣＶＤ電極を前記
ウェハ載置面に対してほぼ水平もしくはほぼ垂直に移動
させることができる。
【００９６】これにより、処理室内の反応ガスの流れを
均一にすることができるため、酸化膜の堆積を均一化す
ることができ、その結果、ＣＶＤ処理特性を均一化する
ことができる。
均一にすることができるため、酸化膜の堆積を均一化す
ることができ、その結果、ＣＶＤ処理特性を均一化する
ことができる。
【００９７】（６）．前記反応ガスの通り路である排気
口内に圧力調整バルブが取り付けられ、さらに、該排気
口がＣＶＤ処理機構の周辺に複数個設置されていること
により、処理室内の反応ガスがエッチング電極上からＣ
ＶＤ電極上へ均一に流れる。
口内に圧力調整バルブが取り付けられ、さらに、該排気
口がＣＶＤ処理機構の周辺に複数個設置されていること
により、処理室内の反応ガスがエッチング電極上からＣ
ＶＤ電極上へ均一に流れる。
【００９８】これによって、ＣＶＤ処理時に、プラズマ
中で発生した反応生成物も反応ガスと一緒に流れ、ＣＶ
Ｄ電極上に載置されたウェハ上に均一に入射させ、付着
させることができる。その結果、酸化膜の堆積を均一化
することができ、ＣＶＤ処理特性を均一化することがで
きる。
中で発生した反応生成物も反応ガスと一緒に流れ、ＣＶ
Ｄ電極上に載置されたウェハ上に均一に入射させ、付着
させることができる。その結果、酸化膜の堆積を均一化
することができ、ＣＶＤ処理特性を均一化することがで
きる。
【００９９】（７）．前記ＣＶＤ電極の下部において、
ウェハを加熱する加熱手段がＣＶＤ電極のウェハ載置面
にほぼ平行な平面上に少なくとも２つ設けられているた
め、ＣＶＤ処理時に、ウェハを常時均一に加熱すること
ができる。これにより、酸化膜の堆積を均一化すること
ができ、ＣＶＤ処理特性を均一化することができる。
ウェハを加熱する加熱手段がＣＶＤ電極のウェハ載置面
にほぼ平行な平面上に少なくとも２つ設けられているた
め、ＣＶＤ処理時に、ウェハを常時均一に加熱すること
ができる。これにより、酸化膜の堆積を均一化すること
ができ、ＣＶＤ処理特性を均一化することができる。
【図１】本発明の一実施例である半導体製造装置の構造
の一例を示す部分断面図である。
の一例を示す部分断面図である。
【図２】本発明の一実施例による半導体製造装置のＣＶ
Ｄ処理機構によって処理されるウェハへの絶縁膜の堆積
状態の一例を示す部分断面図である。
Ｄ処理機構によって処理されるウェハへの絶縁膜の堆積
状態の一例を示す部分断面図である。
【図３】本発明の他の実施例である半導体製造装置の構
造の一例を示す部分断面図である。
造の一例を示す部分断面図である。
【図４】本発明の他の実施例である半導体製造装置の構
造の一例を示す部分断面図である。
造の一例を示す部分断面図である。
１ チャンバ（処理室） １ａ ゲートバルブ ２ エッチング機構 ２ａ エッチング電極 ２ｂ アノード電極 ２ｃ 高周波電源 ２ｄ ブロッキングコンデンサ ２ｅ 絶縁板 ２ｆ ヘリウム供給管 ２ｇ 温度計 ３ ＣＶＤ処理機構 ３ａ ＣＶＤ電極 ３ｂ 加熱ヒータ（加熱手段） ３ｃ 温度計 ３ｄ ウェハ載置面 ３ｅ 高周波電源 ３ｆ 水平位置調整機構 ３ｇ 高さ調整機構 ４ ガス供給機構 ４ａ ガス供給管 ４ｂ ガス供給調整バルブ ４ｃ マスフローメータ ５ 真空排気機構 ５ａ 真空ポンプ ５ｂ 圧力調整バルブ ５ｃ 真空排気管 ５ｄ 排気口 ６ ウェハ搬送機構 ７ ウェハ ８ イオン ９ ラジカル １０ 電子（ｅ） １１ マイクロ波導入機構 １１ａ マグネトロン １１ｂ 導波管 １１ｃ 導入部 １２ プラズマ １３ Ｕ溝 １４ 絶縁膜 １５ エッチングチャンバ １６ 平坦化エッチング電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205
Claims (8)
- 【請求項１】 プラズマを利用してウェハのエッチング
とＣＶＤ処理とを行う半導体製造方法であって、エッチ
ングとＣＶＤ処理とを同一の処理室内で行うものであ
り、前記同一の処理室内において、前記プラズマによる
エッチングと、前記プラズマ中で発生する反応生成物を
前記ウェハ上に堆積するＣＶＤ処理とを行うことを特徴
とする半導体製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造方法であっ
て、前記エッチングによって前記ウェハ上にＵ溝を形成
し、前記ＣＶＤ処理によって前記Ｕ溝に絶縁膜を堆積す
ることを特徴とする半導体製造方法。 - 【請求項３】 プラズマを利用してウェハにエッチング
とＣＶＤ処理とを行う半導体製造装置であって、前記ウ
ェハのエッチングを行うエッチング機構と、エッチング
後のＣＶＤ処理を行うＣＶＤ処理機構と、処理室にハロ
ゲン系の反応ガスを供給するガス供給機構と、前記処理
室から真空を排気する真空排気機構とから構成され、前
記エッチング機構と前記ＣＶＤ処理機構との両者が同一
の前記処理室内に設置されていることを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体製造装置であっ
て、マイクロ波を発生するマグネトロンと、前記マイク
ロ波を前記処理室内に導入する導波管とが設置されてい
ることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項５】 請求項３または４記載の半導体製造装置
であって、前記エッチング機構が前記ウェハを載置する
エッチング電極と、前記プラズマを発生させる高周波電
源とからなり、また前記ＣＶＤ処理機構が前記ウェハを
載置するＣＶＤ電極と、該ＣＶＤ電極を加熱する加熱手
段とからなり、前記ＣＶＤ電極を該ＣＶＤ電極に設けら
れたウェハ載置面に対してほぼ水平に移動する水平位置
調整機構が設置されていることを特徴とする半導体製造
装置。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体製造装置であっ
て、前記ＣＶＤ電極を前記ウェハ載置面に対してほぼ垂
直に移動する高さ調整機構が設置されていることを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項７】 請求項３，４，５または６記載の半導体
製造装置であって、前記真空排気機構が真空を吸引する
真空ポンプと、前記反応ガスの通り路である排気口と、
該排気口内に取り付けられかつ前記反応ガスの流量を調
節する圧力調整バルブとからなり、前記排気口が前記Ｃ
ＶＤ処理機構の周辺に複数個設置されていることを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項８】 請求項５，６または７記載の半導体製造
装置であって、前記ＣＶＤ電極の下部において、前記加
熱手段が前記ウェハ載置面にほぼ平行な平面上に少なく
とも２つ設けられていることを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27218194A JPH08139071A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 半導体製造方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27218194A JPH08139071A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 半導体製造方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139071A true JPH08139071A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17510217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27218194A Pending JPH08139071A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 半導体製造方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08139071A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104616956A (zh) * | 2013-11-05 | 2015-05-13 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体刻蚀设备及方法 |
| WO2017115819A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 信越化学工業株式会社 | 積層体の製造方法 |
-
1994
- 1994-11-07 JP JP27218194A patent/JPH08139071A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104616956A (zh) * | 2013-11-05 | 2015-05-13 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体刻蚀设备及方法 |
| WO2017115819A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 信越化学工業株式会社 | 積層体の製造方法 |
| CN108472685A (zh) * | 2015-12-28 | 2018-08-31 | 信越化学工业株式会社 | 层叠体的制造方法 |
| JPWO2017115819A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2018-09-13 | 信越化学工業株式会社 | 積層体の製造方法 |
| US10682669B2 (en) | 2015-12-28 | 2020-06-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for manufacturing laminate |
| CN108472685B (zh) * | 2015-12-28 | 2021-02-02 | 信越化学工业株式会社 | 层叠体的制造方法 |
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