JPH08137360A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 一定メモリ空間で像位置測定パターンの検知
エリアを広げる。 【構成】 センサＡ，Ｂが読み取った像を記憶する主，
副走査メモリＡ，Ｂに主，副サンプリング密度を設定し
た後、それぞれ比較器にＣＰＵより書込み開始位置、終
了位置を設定する。各メモリの設定値と主・副走査カウ
ンタのカウンタ値を、比較器で比較してメモリの書込み
有効範囲を設定する。主・副走査メモリサンプリング密
度設定手段により指定されたサンプリング密度でメモリ
に書込んだ後、ＣＰＵがメモリ内のデータを基に像位置
ずれを演算する。その結果から次の像の読取り範囲を設
定する。この演算は各色ごとのブロック内で行われ、最
終的に何ブロック分の像位置を演算し、それを各色ごと
に平均した結果が画像形成装置の位置ずれ制御に使われ
る。これにより一定のメモリ容量でパターン検知エリア
が広がり、大きな像位置ずれも検知できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、例えばレーザービー
ム複写機、プリンタ等の画像形成装置に関し、特に複数
の画像形成装置を有する多重画像形成装置に係り、特に
転写画像形成位置のずれを補正し、良好な画質が得られ
るようにしたレジストレーション補正装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】複数の画像形成部により形成した画像を
記録媒体上へ順次転写する際、転写画像形成位置が画像
形成部ごとに理想位置よりずれていたりすると、色味が
違ったり、色ずれのある画像となり、良好な画質が得ら
れない。そこで、例えば像位置検出用センサを用いて各
画像形成装置にて形成された転写搬送ベルト上の像位置
測定パターンを読取り、像位置検出処理回路にて各色の
ずれ量を計算した後、そのずれ量分を各画像形成装置に
て補正することで色ずれの少ない良好な画像を得るとい
う方法が提案されている。図４は像位置測定用パターン
の一例であり、像位置間隔は転写ベルトの位置変動、速
度変動、ＣＣＤ振動をなるべく排除できるように決めら
れている。図５は従来の主走査方向及び副走査方向のパ
ターン検知エリアを示す図であり、Ｘ₁，Ｘ₂は主走査方
向のパターン検知幅、Ｙ₁，Ｙ₂は副走査方向のパターン
検知幅を示す。パターン検知エリアはＸ×Ｙであり、メ
モリの制約や演算時間により制限される。主走査像位置
測定パターンを読取る場合、例えば副走査方向パターン
検知幅を１６ラインの固定とし、センサの解像度を１４
ｕｍ、３２Ｋｂｉｔのメモリ、分解能８Ｂｉｔで処理す
ると、主走査方向のパターン検知幅は２５６ｄｏｔ分の
３．６ｍｍ程度しかなく、転写画像形成位置のばらつき
に対する得容範囲は±１．８ｍｍとなる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
様な装置では像位置測定パターンを限られたエリア内で
検出しなければならず、画像形成装置の取付け誤差の相
違、転写ベルトの速度変動などにより、予測した位置で
像を検知できないことが起こり得る。それを防ぐために
はパターン検知エリアを広く取れば解決できるが、その
分多くのメモリが必要になり装置全体のコストアップと
なってしまう。又、データが多い分だけ像位置演算時間
も多くかかってしまい、次に像をメモリに取込むまでに
処理しきれないという問題が発生する。本発明の目的は
一定メモリ空間で像位置測定パターンの検知エリアを広
げることができる画像形成装置を提供することである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１の発明に係る画像形成装置は複数の画像形
成部から搬送ベルト上に転写される像位置測定パターン
を検知する像位置検知手段と、前記像位置検知手段より
出力される像位置測定パターン画像を記憶する画像メモ
リと、前記画像メモリへのサンプリング密度を主走査、
副走査とも任意に設定可能な密度設定手段と、前記画像
メモリへの書き込み開始位置と終了位置を設定する書き
込み位置設定手段と、前記画像メモリ内のデータより像
位置のずれを演算する演算手段と、前記演算手段からの
結果に基づいて前記密度設定手段と書き込み位置設定手
段を制御する制御手段とを具備した構成にある。また請
求項２の発明は、上記請求項１の発明において、密度設
定手段により設定するサンプリング密度が通常低密度と
し、パターン検出後のサンプリング密度を高密度とする
ことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。好まし
くは、次のようなサンプリングの態様が可能である。 走査像位置測定用パターン読み取り時は、少なくとも
主走査方向に低密度でサンプルリングする。 副走査像位置測定用パターン読み取り時は、少なくと
も主走査方向に低密度でサンプルリングする。 複数色の像からなるパターンに対して各々低密度でサ
ンプルリングしたあと、次からのパターンに対しては各
々に高密度でサンプルリングする。 複数色の像からなるパターンの最初の像のみ低密度で
サンプルリングしたあと、次の像からは高密度でサンプ
ルリングする。 主走査像位置測定用パターン読み取り時は、低密度で
サンプリングし、像検出後に同一像内で高密度でサンプ
リングする。 副走査像位置測定用像の読み取りに先立ち、主走査像
位置測定用像を読み取る。 主走査位置測定用像を副走査位置測定用像より先に低
密度でサンプリングして像検出後にを副走査位置測定用
像読み取る。 主走査位置測定用像は副走査位置測定用像より上部に
配置されたパターンである。

【０００５】

【作用】上記請求項１の構成によると複数の画像形成部
から搬送ベルト上に転写される像位置測定パターンを検
知し、画像メモリに記憶する。この測定パターンの像を
画像メモリに記憶する際、画像メモリへのサンプリング
密度を主走査、副走査に設定するとともに、画像メモリ
への書き込み開始位置と終了位置を設定した後、画像メ
モリ内のデータにより像位置のずれを演算する。その結
果に基づいて密度設定と書き込み位置設定を行うことに
より、一定のメモリ容量でパターン検知エリアを広くす
ることができ、大きな像位置ずれも検知することができ
る。請求項２の構成によると低密度でパターンを検知、
像位置ずれ演算した後、高密度で読み取ることにより像
位置測定パターンを見失うことなく精度の良い補正を実
現できる。

【０００６】

【実施例】以下に、本発明の実施例を図面を用いて説明
する。図１は本発明に係る画像形成装置の概略構成を示
すもので、多重転写方式のカラー画像形成装置（以下、
単に画像形成装置と記す）への適用例である。図２は多
重転写方式のカラー画像形成装置に色ずれ補正システム
の概略図である。図１において、プラテンガラス１上に
セットされた原稿２を原稿走査装置により走査し、読取
られた原稿画像をレンズ１６を通してＣＣＤセンサ３に
入力し、カラー画像信号に変換して画像処理装置４へ送
る。画像処理装置４ではカラー画像信号を編集処理し、
Ｙ，Ｍ，Ｃ，Ｋの各装置へ画像信号を送る。

【０００７】Ｙ，Ｍ，Ｃ，Ｋの各装置は書込み装置５、
感光体６、現像器７からなっている。なお、前記各装置
は感光体とレーザービームＲＯＳやＬＥＤ ＲＯＳを組
み合せたものであれば何でも良い。ここで、Ｙはイエロ
ーの画像を形成する装置、Ｍはマゼンダの画像を形成す
る装置、Ｃはサイアンの画像を形成する装置、およびＫ
は黒の画像を形成する装置であり、これらのＹＭＣＫ装
置は各々ほぼ等間隔に配置されている。

【０００８】転写部材８はＹ，Ｍ，Ｃ，Ｋの各装置で形
成された画像を転写する透明なベルト構造になってお
り、対向する駆動ローラ９と従動ローラ１０によって支
持されている。駆動ローラ９は、図示を省略した定速性
に優れた専用の駆動モータによって駆動され、従動ロー
ラ１０はその駆動力が転写ベルト８によって伝搬される
ことで回転する。また、転写ベルト８は転写用紙１１を
運搬する働きを持っている。転写用紙１１は用紙トレイ
１２から給送され、レジストレーションロール１３で一
旦停止され、画像形成プロセスのタイミングに合わせて
転写ベルト８上に送られ、ベルト回転方向と同様に図１
の右から左方向に運搬される。その際、用紙１１をベル
ト部材に吸着する為に、図示しない吸着用コロトロンを
有している。

【０００９】転写ベルト８を介して各装置の感光体６に
対峙して転写コロトロン（図示せず）が配置されてお
り、それぞれの転写コロトロンを各カラーの画像形成プ
ロセスに合わせて制御し、各感光体上に形成されたカラ
ーのトナー像を順次転写用紙に転写する。転写後の用紙
は定着装置１４にて定着され、排出トレイ１５に排出さ
れる。本実施例では、図２に示すように、Ｋ装置の下流
側にはＹ，Ｍ，Ｃ，Ｋの各装置によって形成された、転
写ベルト８上に記録された画像を読取る画像検出手段と
してＣＣＤ等の撮像素子１０１が、画像領域の両端に各
々１個、合計２個配置されている。

【００１０】アッセイ体１０３に実装された、ＣＣＤ１
０１とその駆動回路や光学系、例えばセルフォックレン
ズ等の取付け位置関係は高精度の位置決めが容易に実現
できるよう設計されている。光源１０２はＣＣＤ１０１
が転写ベルト８上の像を検出する為に必要な、背景光を
作り出すもので、ＬＥＤやハロゲンランプ等が用いられ
る。ＣＣＤ１０１の光源としては充分な光量を確保でき
るものであれば何でも良い。また光源１０２は光源自身
の光量劣化、転写ベルト８の透過率劣化、ＣＣＤ１０１
の感度劣化、光学系の汚れによる透過率劣化、及び温度
に代表される環境変化に対し、最適な受像状態を確保す
る為に、自由に光量が変えられるようになっている。

【００１１】次に、通常の画像形成モードに就いて説明
する。転写ベルト８よって搬送された用紙の先端がＹ装
置の真下の転写ポイントに達した時、Ｙ装置で形成され
た画像の先端がＹ装置の真下の転写ポイントに達してい
る状態、つまり画像と用紙間の副走査方向（用紙搬送方
向）のずれが無いように、紙送りタイミングや画像書込
みタイミングが決められている。転写ポイントに達した
用紙は、図示を省略した転写コロトロン等により、Ｙ装
置で形成された画像が転写され、更にＭ装置の真下の転
写ポイントに達する。Ｍ装置の真下の転写ポイントに達
した用紙は、Ｋ装置で転写されたのと同様にして転写さ
れ、Ｙ装置で転写された画像の上に重ねて転写される。
以下Ｃ，Ｋ装置でも同様の重ね書きをする。

【００１２】全ての転写を終えた用紙は更に転写ベルト
によって搬送され、駆動ロール１０付近まで達すると、
図示を省略した、用紙を転写ベルトから剥離する為のコ
ロトロンやストリッパー等により、転写ベルトから剥離
される。その後定着装置１４などにより定着され、機外
に排出される。

【００１３】図２において、インターフェース基板１０
４はＹ用インターフェース基板，Ｍ用インターフェース
基板，Ｃ用インターフェース基板およびＫ用インターフ
ェース基板からなり、各装置のＲＯＳ１０５に対して画
像信号を送る。レジずれ補正基板１０６はインターフェ
ース基板１０４に対し、サイド・レジ補正及びリード・
レジ補正を指示するなどのレジずれ補正系を、またメモ
リ／画像処理基板１０９はメモリー並びに画像処理関係
を、それぞれ一括して管理するものである。コントロー
ル基板１０７は基板１０６，１０９と、装置全体の動作
を制御する。

【００１４】次にレジずれ補正系の作用を説明する。レ
ジずれ補正は装置に予め設定されている専用の補正サイ
クルに入ることにより実行される。補正サイクルに入る
と、コントロール基板１０７より各基板に指令が出さ
れ、インターフェース基板１０４はレジずれ測定用のパ
ターンを出力するパターンジェネレーターの役割を果た
す。またレジずれ補正基板１０６はインタフェース基板
１０４からの信号を受け、各装置から出力されたレジず
れ測定用のパターンをサンプリングする準備をする。

【００１５】補正サイクルが始まると、まずインターフ
ェース基板ＹからＹ装置で出力するレジずれ測定用のパ
ターンが、転写ベルト８上に記録１０８Ｙの如く転写さ
れる。インターフェース基板ＹからＹ装置へレジずれ測
定用のパターンが送信された後、Ｙ装置とＭ装置の転写
ポイントの距離に応じた時間差をもって、続いてインタ
ーフェース基板ＭからＭ装置へレジずれ測定用のパター
ンが送信される。Ｍ装置で形成されたレジずれ測定用の
パターンが、転写ベルト８上に記録１０８Ｍの如く転写
される。この時記録１０８Ｍのパターンは、既に転写さ
れている記録１０８Ｙの上に更にレジずれ測定用のパタ
ーンが重ね書きされたパターンとなっている。同様にし
て、Ｃ装置とＫ装置により記録１０８Ｃ，１０８Ｋが、
レジずれ測定用のパターンとして重ね書きされる。完成
されたレジずれの測定用のパターン記録は、転写ベルト
８によってＣＣＤ１０１の真下に達するように予め装置
が作られている。

【００１６】レジずれ補正基板１０６はＣＣＤ１０１か
らの画像データをサンプルすることにより、インターフ
ェース基板１０４のレジずれ測定用のパターン出力タイ
ミングのうち少なくとも一つをモニタしている。少なく
とも一つのインターフェース基板の出力タイミングか
ら、レジずれ測定用のパターンがＣＣＤ１０１の真下に
達する時間を割り出す。即ち、上記インターフェース基
板から出力されたレジずれ測定用のパターンを形成する
装置とＣＣＤ間のピッチ及び駆動周波数から、レジずれ
測定用のパターンをサンプルするのに必要かつ充分なサ
ンプル開始タイミング及びサンプル終了タイミングを割
り出すことができる。

【００１７】サンプル開始タイミングになると、レジず
れ補正基板１０６はＣＣＤ１０１からの画像信号を高速
メモリに取込み始め、サンプル終了タイミングになると
取込みを終わる。取込みを終わると同時に、次に来るレ
ジずれ測定用のパターンのサンプルを終了する前迄に、
それらの取込んだデータから、例えば重心法等によって
像位置を確定し、それを例えば像位置アドレスとしてメ
インメモリに格納する。この操作を何度か繰り返すこと
によって、各装置毎に幾つかの確定した像位置アドレス
が得られる。ここでは確定した像位置アドレス精度を上
げる為に、それら幾つかの確定した像位置アドレスを、
各装置毎に平均をとっても良い。

【００１８】次に、各装置毎に確定した像位置アドレス
から予め決められたアルゴリズムによって、各装置間の
レジずれを補正する補正値を、幾つかのレジずれ補正パ
ラメータ毎に、かつ各装置毎に算出する。算出されたそ
れらの補正値をレジずれ補正基板から各装置や各インタ
ーフェース基板等に設定することにより、レジずれの無
い画質を提供することができる。レジずれにはプロセス
方向、ラテラル方向、倍率及びスキューによる各種のず
れパターンがあり、通常はこれらの組み合わせにより生
じている。各種のずれを測定用パターンで読取り、どの
パターンになっているかを測定する。そして測定された
パターンに応じて補正をする。

【００１９】この発明の一実施例を示すレジストレーシ
ョン補正装置の制御ブロックを図３に示す。ＣＣＤ１０
１で構成されるセンサＡおよびＢで読取られた像のアナ
ログ信号は図示を省略したフィルタ回路により高周波成
分が除去され、増幅器で増幅、オフセット調整された後
に、Ａ／Ｄ変換器で例えば８Ｂｉｔに量子化される。ま
ず、主走査メモリＡ，Ｂ、副走査メモリＡ，ＢにＣＰＵ
より主，副サンプリング密度を設定した後、それぞれ比
較器にＣＰＵより書込み開始位置、終了位置が設定さ
れ、主走査メモリＡ，Ｂと副走査メモリＡ，Ｂの書き込
み開始、終了設定値と主走査カウンタ及び副走査カウン
タのカウンタ値を、それぞれ主比較器と副比較器で比較
してメモリの書込み有効範囲が設定される。それぞれが
設定されると、主走査メモリサンプリング密度設定手段
及び副走査メモリサンプリング密度設定手段により指定
されたサンプリング密度でメモリに書込まれる。

【００２０】前記メモリへの書込みが終了するとメモリ
内のデータはＣＰＵに転送され、ＣＰＵで像位置演算さ
れた後、その結果をもとに次の像の読取り範囲が設定さ
れる。パターン間が狭く像位置ずれ演算処理と次の像の
読取り範囲の設定を行う時間がない場合、メモリ内のデ
ータはＣＰＵに転送された後に次の像の読取り範囲が設
定され、メモリに書込む準備をした後にＣＰＵで像位置
ずれ演算がなされる。このようにして各色ごとのブロッ
ク内での演算が行われ、最終的には何ブロック分かの像
位置演算結果を各色ごとに平均した結果が画像形成装置
の位置ずれ制御に使われる。図３ではセンサＡ，Ｂに対
してそれぞれ主，副の比較器があるが、主走査、副走査
はそれぞれ１つにしても良い。

【００２１】（第１の実施例）図６は主走査方向の補正
の場合の説明図を示す。像位置測定パターンが書込まれ
た後、まずＣＰＵより主走査方向のサンプリング密度が
設定され、主走査像位置測定パターン検知開始アドレス
と、サンプリング密度に応じた終了アドレスが設定され
る。副走査方向の設定は、この場合主走査方向の像位置
のずれ量を測定するのが目的であるので、特にサンプリ
ング密度を粗くする必要はなく、また、検知エリアの幅
も主走査方向の像位置データを副走査方向に平均化する
のに十分な数だけあればよい。例えば、８ラインや１６
ラインの用に２ⁿ（ｎ＝１，２，３，４，・・・）にな
っていると、平均化の為の除算をビットシフトで行うこ
とができるため、ハードウエアで実現する場合は簡単な
構成で安価に、ソフトウエアで実現する場合は短期間で
実行できる。

【００２２】図６において、（ａ）はサンプリング密度
を変えていないパターン検知エリアを示す。本実施例は
（ｂ）（ｃ）に示す。即ち、（ｂ）は主走査サンプリン
グ密度を１／２にし、副走査は固定のままのパターン検
知エリアを示す。（ｃ）は主走査、副走査ともサンプリ
ング密度１／２にした場合のパターン検知エリアを示す
図である。サンプリング密度の設定は任意である。第１
の実施例によれば、サンプリング密度を可変とすること
により一定のメモリ容量でパターン検知エリアを広げる
ことができる。サンプリング密度を低くすると解像度の
劣化を生じるが重心法などで像位置を算出する場合は殆
ど誤差は生じない。

【００２３】図１３に例を挙げて示す。図１３（ａ）の
様に左右対称な分布を持つ像位置データの場合は、通常
のサンプリング密度と１／２の低サンプリング密度の結
果は全く同じとなり、重心法にて像位置の重心のアドレ
スを求めると、重心はアドレス５の位置となる。図１３
（ｂ）の様に左右非対象な分布を持つ像位置データの場
合は、重心法にて像位置の重心のアドレスを少数点以下
３桁まで求めると、通常のサンプリング密度のときの重
心アドレスは５．２７３となり、１／２の低サンプリン
グ密度での重心アドレスは５．２１４である。その差は
０．０５９となり、１４ｕｍ画素サイズのセンサを用い
ていた場合は、０．８２６１ｕｍと１ｕｍ以下の誤差で
ある。

【００２４】（第２の実施例）図７は副走査方向の補正
の場合の説明図を示す。主走査の方向の補正の場合と同
様に考えられる。（ａ）はサンプリング密度を変えてい
ないパターン検知エリアを示す。（ｂ）は副走査サンプ
リング密度を１／２にし、主走査は固定のままのパター
ン検知エリアを示す。（ｃ）は主走査、副走査とサンプ
リング密度を１／２にした場合のパターン検知エリアを
示す図である。サンプリング密度の設定は任意である。
本実施例によれば、副走査方向でばらつくメカ的精度の
改善に有効である。

【００２５】（第３の実施例）図８は連続したブロック
中の最初の２ブロックのパターンと検知エリアを示した
ものである。１ブロック目の主走査位置測定用像の検知
は、各色とも主走査方向は低密度、副走査方向は高密度
のままでサンプリングし、副走査位置測定の場合は、副
走査方向は低密度、主走査方向は高密度のままでメモリ
に取込み、検知エリアを必要な方向に広くとり像位置ず
れを算出しておく。図は後者を示している。次のブロッ
クの像検知時は１ブロック目の算出した各色毎の像位置
情報をもとにパターン検知開始アドレスと終了アドレス
を各色毎に最適な位置に設定し高密度でサンプリングす
る。第３の実施例によれば、パターンを見失うことなく
精度の良い補正を行うことができるとともに、粗調整、
微調整と二回に分けて補正サイクルを実施する必要はな
いので、補正時間が大幅に短縮できる。図１４に概略フ
ローチャートを示す。

【００２６】像位置測定パターンを書込み（Ｓ１）、主
走査方向のサンプリング密度を低密度に設定するととも
に（Ｓ２）、メモリ書き込み開始と終了アドレスを設定
する（Ｓ３）。メモリへの像の取り込みが終了すると
（Ｓ４）、メモリの内容をＣＰＵに転送し（Ｓ５）、Ｃ
ＰＵで像位置演算される（Ｓ６）。その結果を各色のレ
ジスタに格納する（Ｓ７）。上記の処理を４色全て行っ
た後に（Ｓ８）、高密度サンプリングに設定し（Ｓ
９）、メモリ書き込み開始、終了アドレスを設定する
（Ｓ１０）。次いでメモリへの像の取り込みを行い（Ｓ
１１）、それが終了した時点でメモリの内容をＣＰＵに
転送する（Ｓ１２）。ＣＰＵは像位置ずれ量を演算し、
その結果を前回の同色の結果と平均化しレジスタに格納
する（Ｓ１４）。その操作を４色行った後（Ｓ１５）、
これを数ブロックの結果に基づいて平均するための規定
回数を行って（Ｓ１６）、終了する。

【００２７】（第４の実施例）図９は最初のパターン検
出時にサンプリング密度を粗くしておき、その結果を同
一ブロック内の各色の検知エリアに反映して一括して処
理する方法を示すものである。本実施例によれば、パタ
ーン間隔が広い時に有効である。

【００２８】（第５の実施例）図１０は主走査像位置測
定パターンの検知の際、主走査、副走査方向ともサンプ
リング密度を粗くしておき、パターン検出後、即座にパ
ターン検知エリアを狭くして同一パターン内で精度の良
い補正を行う方法を示すものである。

【００２９】（第６の実施例）図１１は主走査位置測定
の像を副走査位置測定のより先に検知できる様なパター
ンにしておき、最初は主走査、副走査方向とも低密度で
サンプリングしておき、主走査位置測定像検出後、即座
に副走査位置測定検知エリアを設定する方法を示すもの
である。本実施例によれば、メモリを使っているが、主
走査方向はメモリを使用しなくとも逐次データ処理する
ことが可能なため主走査方向にセンサの読取りエリアの
幅だけ検知エリアを広げることができる。

【００３０】（第７の実施例）図１２は第６の実施例と
同様に、主走査位置測定像を副走査位置測定像より先に
検出できる様にするパターンである。本実施例によれ
ば、副走査の像の上部に主走査像をおくことにより、照
明の有効幅を短くすることができる。

【００３１】

【発明の効果】上述のとおり、請求項１の発明によれ
ば、像位置測定パターンを読み取りメモリに書き込む際
のサンプリング密度を可変とすることにより一定のメモ
リ容量でパターン検知エリアを広くすることができ、大
きな像位置ずれも検知することができるとともに、ベル
ト駆動系の誤差、画像形成部の取付け精度、ばらつきに
対する許容範囲を広げることができる。更に低密度でパ
ターンを検知、像位置ずれ演算した後、高密度で読取る
ことにより像位置測定パターンを見失うことなく精度の
良い補正を実現できる。又、画像形成装置の取付け精
度、転写ベルトの速度誤差などによりパターンを検知す
ることが難しい副走査位置測定像を、検出が容易な主走
査位置像を検出した後にその結果に基づき副走査位置測
定像用のパターン検知エリアを設定することにより容易
に検出することができ安価で高精度な画像形成装置を実
現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る画像形成装置の概略構成図であ
る。

【図２】 多重転写方式のカラー画像形成装置に色ずれ
補正システムの概略図である。

【図３】 レジストレーション補正装置の制御ブロック
図である。

【図４】 像位置測定用パターンの一例を示す説明図で
ある。

【図５】 従来の主走査方向及び副走査方向のパターン
検知エリアの説明図である。

【図６】 第１の実施例の説明図である。

【図７】 第２の実施例の説明図である。

【図８】 第３の実施例の説明図である。

【図９】 第４の実施例の説明図である。

【図１０】 第５の実施例の説明図である。

【図１１】 第６の実施例の説明図である。

【図１２】 第７の実施例の説明図である。

【図１３】 サンプリング密度を変えたときの重心法に
よる像位置の計算例を示す図である。

【図１４】 像位置ずれを検出する概略フローチャート
を示す図である。

【符号の説明】

１…プラテンガラス、２…原稿、３…ＣＣＤセンサ、４
…画像処理装置、５…ＹＭＣＫ装置、６…感光体、７…
現像器、８…転写ベルト、１２…用紙トレイ、１４…定
着装置、１０１…ＣＣＤセンサ、１０２…光源、１０４
…インターフェース基板、１０６…レジ補正基板、１０
７…コントロール基板、１０８…測定用パターン、１０
９…メモリ／画像処理基板

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の画像形成部から搬送ベルト上に転
   写される像位置測定パターンを検知する像位置検知手段
   と、 前記像位置検知手段より出力される像位置測定パターン
   画像を記憶する画像メモリと、 前記画像メモリへのサンプリング密度を主走査、副走査
   とも任意に設定可能な密度設定手段と、 前記画像メモリへの書き込み開始位置と終了位置を設定
   する書き込み位置設定手段と、 前記画像メモリ内のデータより像位置のずれを演算する
   演算手段と、 前記演算手段からの結果に基づいて前記密度設定手段と
   書き込み位置設定手段を制御する制御手段とを具備した
   画像形成装置。
2. 【請求項２】 密度設定手段により設定するサンプリン
   グ密度が通常低密度とし、パターン検出後を高密度とす
   ることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。