JPH08136575A - 加速度検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 外部加速度によって容量が変化する対となる
可変コンデンサ４Ａ，４Ｂの固有容量のバランスを良く
し、加速度検出性能が優れ、装置の歩留りが向上し、製
造コストの安価な加速度検出装置１を提供する。 【構成】 加速度検出装置１は、多層基板10と回路部８
とガラス基板17と加速度検知部３と検知部カバー６を順
に積層一体化した構造を持つ。加速度検知部３には、外
部加速度によって容量が変化する対となる可変コンデン
サ４Ａ，４Ｂを形成し、可変コンデンサ４Ａ，４Ｂは、
多層基板10に形成された補正用コンデンサ12Ａ，12Ｂと
接続している。補正用コンデンサ12Ａ，12Ｂは、多層基
板10の露出底面に露出形成された底面電極13Ａ，13Ｂを
有し、容量の大きい方の可変コンデンサ４Ａ，４Ｂに接
続している底面電極13Ａ，13Ｂをレーザ加工して電極面
積を減少し、可変コンデンサ４Ａ，４Ｂの固有容量のバ
ランスをとることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静電容量の変化を利用
して加速度を検出する加速度検出装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】図４には、マイクロマシニング技術で作
製された加速度を検出する従来の加速度検出装置１の一
例が示されている。加速度検出装置１は、素子基板５に
形成された加速度検知部３と、ガラス基板17と、シリコ
ン等で形成される検知部カバー６と、回路部８と、多層
基板10とを有して構成されている。同図において、多層
基板10上には回路部８を設けたガラス基板17が積層さ
れ、このガラス基板17上には加速度検知部３を形成した
素子基板５が積層され、加速度検知部３の上には検知部
カバー６が被せられて、全体が積層一体化されている。

【０００３】加速度検知部３と回路部８と多層基板10に
は、それぞれ、電気回路等が形成されており、これら電
気回路がスルーホール（図示せず）等の適宜の接続手段
を介して導通接続し、図５に示すような、加速度に応じ
た電気信号を出力する加速度検出回路２を形成する。

【０００４】加速度検知部３には、外部加速度によって
静電容量が変化する加速度検知コンデンサである可変コ
ンデンサ４Ａ，４Ｂが形成されている。可変コンデンサ
４Ａ，４Ｂは、シリコン等の素子基板５に、エッチング
処理によって、図４、図５に示すように、紙面に対して
垂直な作用方向の外部加速度が作用すると外部加速度の
大きさに応じて前記作用方向に変位する可動電極19と、
可動電極19と間隔を介して作用方向に対向配置される固
定電極20Ａ，20Ｂが形成されて、構成される。固定電極
20Ａ，20Ｂには、図５に示すように、発振回路22から出
力された交流電圧が、直流カットするコンデンサＣ₁ ，
Ｃ₂ と、ダイオードＤのブリッジ回路を介して印加され
る。可変コンデンサ４Ａと４Ｂは対となり、その静電容
量は、外部加速度が作用して可動電極19が変位すると、
一方が増加し他方は減少するという如く、互いに異なっ
た増減方向に変化する。

【０００５】回路部８には、前記可変コンデンサ４Ａ，
４Ｂの静電容量を電気信号に変換する電気回路が形成さ
れており、多層基板10には、回路部８に接続する他の電
気回路が形成されている。

【０００６】可変コンデンサ４Ａ，４Ｂの静電容量は、
図５に示す回路から明らかな如く、静電容量に対応する
電圧に変換され、可変コンデンサ４Ａの静電容量は検出
電圧信号Ｖ_A として、可変コンデンサ４Ｂの静電容量は
検出電圧信号Ｖ_B として差動アンプ23に入力される。差
動アンプ23は、前記入力された検出電圧信号Ｖ_A とＶ_B
の信号レベルの差分をとり、可変コンデンサ４Ａ，４Ｂ
の差動容量に応じた電圧（加速度検出電圧）、つまり、
外部加速度の大きさを意味する電圧を検出し、出力回路
24に出力する。

【０００７】出力回路24には、入力された加速度検出電
圧を出力回路24から出力するのに適宜なレベルに合わせ
る加速度検出電圧のレベル調整用の可変抵抗Ｒ_x が接続
されており、この可変抵抗Ｒ_x により、予め差動アンプ
23のオフセット電圧が所望の設定レベルとなるように調
整されている。出力回路24は、加速度検出電圧のレベル
を可変抵抗Ｒ_x によってレベル調整し、この加速度検出
電圧信号を、加速度の信号を処理する演算回路（図示せ
ず）等に出力する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、差動アンプ
23から出力される加速度検出電圧によって正確に加速度
を検出するためには、可変コンデンサ４Ａと４Ｂの固有
容量のバランスが良いことが望まれる。しかし、実際に
は、製造時のエッチング処理等の加工精度のばらつきに
より、可変コンデンサ４Ａと４Ｂの構造寸法を全く同じ
に作製することはできず、可変コンデンサ４Ａと４Ｂの
固有容量のバランスがとれていないものとなる。このよ
うなバランスがとれていない可変コンデンサ４Ａ，４Ｂ
に基づいた加速度検出電圧には、前記バランスの悪さか
ら生じるノイズ成分が含まれてしまい、加速度検出装置
１は、前記ノイズによって、正確に加速度を検出するこ
とができず、このことにより、加速度検出性能を悪化さ
せるという問題がある。

【０００９】また、上記の如く、可変コンデンサ４Ａと
４Ｂの固有容量のバランスが非常に悪い加速度検出装置
１は不良品となり、このことから、装置１の歩留りを下
げ、製造コストが高くなるという問題がある。

【００１０】また、上記加速度検出電圧信号のノイズの
ために、加速度検出のダイナミックレンジが限定されて
しまうという問題がある。

【００１１】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、その目的は、外部加速度を静電容量の変
化として検知する対をなす可変コンデンサの固有容量の
バランスを良くし、このことから、加速度検出性能が高
く、製造コストが安価な、かつ、加速度検出のダイナミ
ックレンジが広い加速度検出装置を提供することであ
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のように構成されている。すなわち、第
１の発明の加速度検出装置は、外部加速度を静電容量変
化によって検出する加速度検知部が形成された素子基板
と、加速度検知部の静電容量変化を電気信号に変換する
回路部と、この回路部に接続される電気回路が形成され
ている多層基板とを有し、前記加速度検知部は外部加速
度の変化によって静電容量を変化する対となる加速度検
知コンデンサを備え、この対となる加速度検知コンデン
サの差動容量に基づいて外部加速度を検出する加速度検
出装置において、前記対となる加速度検知コンデンサの
一方又は両方には互いの加速度検知コンデンサの固有容
量のバランスをとる補正用コンデンサが接続されている
ことを特徴として構成されている。

【００１３】また、第２の発明の加速度検出装置は、第
１の発明の加速度検出装置の素子基板と多層基板は回路
部を間にして積層一体化されており、多層基板には補正
用コンデンサの互いに対となる電極が積層状に形成さ
れ、その積層状に形成される複数の電極のうちの１枚の
電極は多層基板の露出底面に露出形成されていることを
特徴として構成されている。

【００１４】また、第３の発明の加速度検出装置は、第
１の発明の加速度検出装置の素子基板と多層基板は回路
部を間にして積層一体化されており、多層基板には補正
用コンデンサの互いに対となる一方側の極となる複数の
各電極と他方側の極となる１枚以上の各電極とは互い違
いにして積層状に形成され、各極側の電極はそれぞれ共
通の接続導体によって導通接続されており、複数の電極
を共通接続してなる少くとも一方側極の接続導体は多層
基板の外側面に露出形成されていることを特徴として構
成されている。

【００１５】

【作用】上記構成の本発明において、外部加速度が加速
度検知部に作用すると、対をなす加速度検知コンデンサ
の静電容量は共に変化し、このコンデンサの差動容量
は、回路部や多層基板に形成される電気回路で、差動容
量に応じた電気信号、つまり、外部加速度を意味する電
気信号に変換される。

【００１６】上記電気信号は、補正用コンデンサによっ
て対となる加速度検知コンデンサの固有容量のバランス
がとれているために、加速度検知コンデンサの固有容量
におけるバランスの悪さから生じるノイズを含まない。
したがって、この電気信号に基づいて、本発明の加速度
検出装置は、精度良く、加速度の大きさ等を検出する。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、本実施例の説明において、従来例と同一名
称部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。

【００１８】ところで、コンデンサの静電容量Ｃと、コ
ンデンサの対となる電極間の間隔ｄおよび電極面積Ｓと
の関係を次式に表すと、Ｃ＝ε₀ ・ε_r ・（Ｓ／ｄ）と
なる。ただし、ε₀ は真空の誘電率であり、ε_r は比誘
電率である。

【００１９】上式は、電極面積Ｓを小さくすれば静電容
量Ｃが減少することを表しており、Ｃの減少調整はＳを
小さくすることで行うことができることが分かる。そこ
で、本発明者は、この点に着目し、Ｓの縮小加工が可能
な補正用コンデンサを可変コンデンサ４Ａ，４Ｂに接続
し、この補正用コンデンサを用いて、可変コンデンサ４
Ａ，４Ｂの固有容量のバランスをとることができる加速
度検出装置１を発明した。

【００２０】図１には、第１の実施例の加速度検出装置
１が示されている。第１の実施例の加速度検出装置１に
は、可変コンデンサ４Ａ，４Ｂの固有容量のバランスを
とる補正用コンデンサ12Ａ，12Ｂが多層基板10に形成さ
れ、図２に示すように、補正用コンデンサ12Ａは可変コ
ンデンサ４Ａに、補正用コンデンサ12Ｂは可変コンデン
サ４Ｂに、それぞれ並列に接続されている。

【００２１】補正用コンデンサ12Ａ，12Ｂは、互いに対
となる（異なる極となる）複数の電極26，27と、接続導
体14（14ａ，14ｂ）とを有して構成される。図１に示す
ように、電極26，27は、多層基板10に、交互に積層状に
形成され、そのうちの最下層となる底面電極13Ａ，13Ｂ
が多層基板10の露出底面に露出形成されている。また、
接続導体14ａは、複数の電極（底面電極13Ａ，13Ｂを含
む）26を共通接続し、他の接続導体14ｂは、複数の電極
27を共通接続する。

【００２２】上記補正用コンデンサ12Ａ，12Ｂを用い、
下記のようにして、可変コンデンサ４Ａ，４Ｂの固有容
量のバランスをとる。ただし、図２に示す回路から明ら
かなように、可変コンデンサ４Ａと補正用コンデンサ12
Ａの静電容量の和が検出電圧信号Ｖ_A として差動アンプ
23に入力するので、可変コンデンサ４Ａと補正用コンデ
ンサ12Ａの固有容量の和を可変コンデンサ４Ａの固有容
量Ｃ_A として扱い、同様に可変コンデンサ４Ｂと補正用
コンデンサ12Ｂの固有容量の和を可変コンデンサ４Ｂの
固有容量Ｃ_B として扱う。

【００２３】まず、本実施例の加速度検出装置１を、前
記可変コンデンサ４Ａ，４Ｂの固有容量Ｃ_A ，Ｃ_B の測
定装置およびレーザビーム装置を備えた調整加工用装置
内に設置し、前記固有容量Ｃ_A ，Ｃ_B を測定する。

【００２４】次に、固有容量Ｃ_A とＣ_B のバランスが悪
いときには、例えば、Ｃ_B がＣ_A より大きいときには、
底面電極13Ｂの図１の（ｂ）に示すようなレーザカット
位置ａをレーザビームでレーザカットし、図１の（ｂ）
に示す底面電極13Ｂの斜線領域を導通遮断し、電極とし
て有効な電極面積Ｓを減少させる。このことにより、Ｃ
_B がレーザカットで導通遮断された面積Ｓ₁ 部分だけ小
さくなる。

【００２５】次に、再度、Ｃ_A ，Ｃ_B を測定し、まだ、
なお、Ｃ_B がＣ_A より大きいときには、底面電極13Ｂの
レーザカット位置ｂをレーザカットし、さらに、Ｃ_B を
小さくする。

【００２６】上記のようにして、Ｃ_B とＣ_A のバランス
が良くなるまで、Ｃ_A ，Ｃ_B の測定と底面電極13Ｂのレ
ーザ加工を交互に繰り返し行う。

【００２７】以上のように、可変コンデンサ４Ａ，４Ｂ
の固有容量Ｃ_A ，Ｃ_B のバランスが悪いときには、固有
容量の大きい方の可変コンデンサ、例えば４Ｂに接続し
ている補正用コンデンサ12Ｂの静電容量を小さくする底
面電極13Ｂのレーザ加工を行い、固有容量Ｃ_B をＣ_A に
合わせることで、対となる可変コンデンサ４Ａ，４Ｂの
固有容量Ｃ_A ，Ｃ_B のバランスを良くする。

【００２８】本実施例によれば、可変コンデンサ４Ａ，
４Ｂにそれぞれ接続される補正用コンデンサ12Ａ，12Ｂ
が多層基板10に形成され、この各補正用コンデンサ12
Ａ，12Ｂの底面電極13Ａ，13Ｂが多層基板10の露出底面
に露出形成されているので、補正用コンデンサ12Ａ，12
Ｂを用いて、可変コンデンサ４Ａの固有容量Ｃ_A と、可
変コンデンサ４Ｂの固有容量Ｃ_B とのバランスを良くす
ることができるようになり、差動アンプ23から出力され
る加速度検出信号のノイズが低減し、加速度の大きさ等
を正確に検出できるようになり、また、加速度検出のダ
イナミックレンジを広くとることが可能となり、加速度
検出性能を向上させることができる。

【００２９】さらに、上記の如く、本実施例の加速度検
出装置１は、可変コンデンサ４Ａ，４Ｂの固有容量
Ｃ_A ，Ｃ_B のバランスを良くすることができる構成であ
るので、従来のように、Ｃ_A とＣ_B の差分が大きい可変
コンデンサ４Ａ，４Ｂが不良品となることもなく、加速
度検出装置１の歩留りが向上し、製造コストを安くする
ことができる。

【００３０】第２の実施例を図３に基づいて説明する。
なお、本実施例の説明において、第１の実施例と同一名
称部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略す
る。

【００３１】第２の実施例では、補正用コンデンサ12
Ａ，12Ｂが、第１の実施例のように、多層基板10の露出
底面に底面電極13Ａ，13Ｂを露出形成するのではなく、
複数の電極26を共通接続している接続導体14ａ（側面接
続導体15Ａ，15Ｂ）を多層基板10の側面に露出形成す
る。なお、電極26は負極となるようにして形成されてい
る。図３の（ｂ）に示すように、隣り合う電極26間を導
通接続している複数の側面接続導体15Ｂは、階段状に位
置をずらして形成されている。また、図示されていない
側面接続導体15Ａについても、同様に形成されている。

【００３２】この第２の実施例では、下記のようにし
て、可変コンデンサ４Ａ，４Ｂの固有容量Ｃ_A ，Ｃ_B の
バランスをとる。

【００３３】まず、第１の実施例の加速度検出装置１と
同様に、可変コンデンサ４Ａ，４Ｂの固有容量Ｃ_A ，Ｃ
_B の測定を行い、例えば、Ｃ_B がＣ_A より大きいときに
は、補正用コンデンサ12Ｂの側面接続導体15Ｂを図３の
（ｂ）に示すレーザカット位置Ａでレーザビームによっ
てレーザカットし、電極26Ａを導通遮断し、補正用コン
デンサ12Ｂの静電容量を電極26Ａの電極面積分小さくし
て、つまり、Ｃ_B を小さくする。

【００３４】次に、上記同様に、Ｃ_A ，Ｃ_B を測定し、
まだなお、Ｃ_B がＣ_A より大きいときには、側面接続導
体15Ｂのレーザカット位置Ｂをレーザカットする。

【００３５】以上のように、Ｃ_A とＣ_B のバランスが悪
いときには、Ｃ_A ，Ｃ_B の測定と、側面接続導体15Ａ，
15Ｂのレーザ加工を交互に行い、Ｃ_B をＣ_A に、又は、
Ｃ_AをＣ_B に合わせ、Ｃ_A とＣ_B のバランスを良くす
る。

【００３６】本実施例によれば、補正用コンデンサ12
Ａ，12Ｂの複数の電極26を導通接続している側面接続導
体15Ａ，15Ｂを、多層基板10の側面に露出形成したの
で、補正用コンデンサ12Ａ，12Ｂを用いて、対となる可
変コンデンサ４Ａ，４Ｂの固有容量Ｃ_A ，Ｃ_B のバラン
スを良くすることができ、第１の実施例と同様な優れた
効果を持つことができる。

【００３７】また、本実施例のような側面接続導体15
Ａ，15Ｂが露出形成されている加速度検出装置１では、
可変コンデンサ４Ａ，４Ｂの固有容量Ｃ_A ，Ｃ_B のバラ
ンスが非常に悪いときに、Ｃ_A ，Ｃ_B の測定と、側面接
続導体15Ａ，15Ｂのレーザ加工を交互に行うだけで、Ｃ
_A とＣ_B のバランスを良くすることができ、Ｃ_A とＣ_B
のバランス調整の手間を省くことができる。

【００３８】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、上記
各実施例では回路部８をガラス基板17側に形成したが、
これを多層基板10側に形成してもよい。

【００３９】また、上記各実施例では、補正用コンデン
サ12Ａ，12Ｂは、それぞれ、可変コンデンサ４Ａ，４Ｂ
に並列に接続されたが、直列に接続してもよい。この場
合も、同様にして、固有容量の大きい方の可変コンデン
サにおける補正用コンデンサの静電容量を小さくして、
対となる可変コンデンサ４Ａ，４Ｂの固有容量Ｃ_A ，Ｃ
_B のバランスを良くすることができる。

【００４０】さらに、上記各実施例では、可変コンデン
サ４Ａ，４Ｂにそれぞれ補正用コンデンサ12Ａ，12Ｂを
接続したが、どちらか一方の可変コンデンサ、例えば４
Ｂだけに補正用コンデンサ12Ｂを接続してもよい。この
ような装置１では、可変コンデンサ４Ｂの固有容量Ｃ_B
を、他方の可変コンデンサ４Ａの固有容量Ｃ_A より大き
くなるように作製すれば、前記同様に、補正用コンデン
サ12Ｂの静電容量を小さくしてＣ_B をＣ_A に合わせて、
全ての加速度検出装置１のＣ_A とＣ_B のバランスを良く
することができる。

【００４１】また、第１の実施例で、補正用コンデンサ
12Ａ，12Ｂを構成する電極26，27は、それぞれ複数枚で
あったが、それぞれ１枚でもよく、枚数には限定されな
い。

【００４２】また、第２の実施例では、側面接続導体15
Ａ，15Ｂが、図３の（ｂ）に示すように階段状に露出形
成されたが、点線で示すように直線状に露出形成する等
の他の形状で形成してもよい。

【００４３】また、負極となる複数の電極26の接続導体
15Ａ，15Ｂだけを露出形成するのではなく、正極となる
複数の電極27の接続導体14も露出形成してもよい。ま
た、負極側の接続導体15Ａ，15Ｂではなく、正極側の接
続導体14だけを多層基板10の側面に露出形成してもよ
い。

【００４４】また、上記各実施例の特徴を両方とも持
つ、底面電極13Ａ，13Ｂを多層基板10の露出底面に露出
形成し、かつ、側面接続導体15Ａ，15Ｂを多層基板10の
側面に露出形成してもよい。この場合には、可変コンデ
ンサ４Ａ，４Ｂの固有容量Ｃ_A，Ｃ_B の差分が小さいと
きには底面電極13Ａ，13Ｂをレーザ加工し、Ｃ_A とＣ_B
の差分が大きいときには側面接続導体15Ａ，15Ｂをレー
ザ加工し、Ｃ_A とＣ_B のバランスを良くするようにす
る。このようにすることで、Ｃ_A とＣ_B の差分が大きく
ても小さくても、Ｃ_A とＣ_B のバランス調整を行うこと
ができる。

【００４５】また、上記各実施例で、可変コンデンサ４
Ａ，４Ｂの固有容量Ｃ_A ，Ｃ_B のバランスを良くする手
法として、レーザビームを用いて、底面電極13Ａ，13Ｂ
あるいは側面接続導体15Ａ，15Ｂの適宜な部分を導通遮
断していたが、砂消しゴムや、ダイヤモンド円周刃や、
超音波ビームや、電子ビーム等を用いたり、陽極酸化法
や砂噴射加工法等の他の手法で導通遮断してもよい。し
かし、レーザビームは加工精度に優れ、また、効率良く
前記加工を行うことができる。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、加速度検知コンデンサ
に、対となる加速度検知コンデンサの固有容量のバラン
スをとる補正用コンデンサを接続したので、対となる加
速度検知コンデンサの固有容量のバランスが悪いときに
は、補正用コンデンサによって、該バランスを良くする
ことができ、従来のような、固有容量のバランスの悪さ
から生じる加速度検知コンデンサの差動容量に応じた電
気信号におけるノイズが低減し、本発明の加速度検出装
置は、加速度の大きさ等を精度良く検出できる。また、
加速度検出のダイナミックレンジを広く取ることが可能
となり、加速度検出性能を向上させることができる。

【００４７】さらに、上記の如く、補正用コンデンサに
よって、対となる加速度検知コンデンサの固有容量のバ
ランスを良くすることができるために、従来のように、
該コンデンサの固有容量のバランスが悪くて、該コンデ
ンサが不良品として扱われることがなくなり、加速度検
出装置の歩留りを向上させることができ、製造コストを
下げることが可能となる。

【００４８】さらに、補正用コンデンサの複数の電極の
うちの１枚の電極を、多層基板の露出底面に露出形成し
た構成にあっては、対となる加速度検知コンデンサの固
有容量のバランスが悪いときには、露出形成された電極
の電極面積をレーザビーム等を用いて減少させること
で、固有容量が他方より大きい加速度検知コンデンサに
接続されている補正用コンデンサの容量を減少させて、
加速度検知コンデンサの固有容量のバランスをとること
ができ、上記のように優れた加速度検出装置を提供でき
る。

【００４９】さらに、補正用コンデンサを形成する接続
導体を多層基板の外側面に露出形成する構成にあって
は、対となる加速度検知コンデンサの固有容量のバラン
スが悪いときには、固有容量が他方より大きい加速度検
知コンデンサ側の補正用コンデンサの接続導体を、レー
ザビーム等により切断し、補正用コンデンサを形成する
電極を減少させて、加速度検知コンデンサの固有容量の
バランスをとることができ、上記のように優れた加速度
検出装置を提供できる。

【００５０】さらにまた、上記の如く、補正用コンデン
サの複数の電極のうちの１枚の電極を多層基板の露出底
面に露出形成したり、接続導体を多層基板の外側面に露
出形成する構成にあっては、補正用コンデンサの容量を
外部の加工によって減少させることができ、容易に、加
速度検知コンデンサの固有容量のバランスをとることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例の加速度検出装置を示す説明図で
ある。

【図２】第１および第２の実施例の加速度検出装置に形
成される加速度を電気信号に変換出力する電気回路を示
す説明図である。

【図３】第２の実施例の加速度検出装置を示す説明図で
ある。

【図４】従来の加速度検出装置を示す説明図である。

【図５】従来の加速度検出装置に形成される加速度検出
の電気回路を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 加速度検出装置 ３ 加速度検知部 ４Ａ，４Ｂ 可変コンデンサ ５ 素子基板 ８ 回路部 10 多層基板 12Ａ，12Ｂ 補正用コンデンサ 13Ａ，13Ｂ 底面電極 15Ａ，15Ｂ 側面接続導体

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部加速度を静電容量変化によって検出
   する加速度検知部が形成された素子基板と、加速度検知
   部の静電容量変化を電気信号に変換する回路部と、この
   回路部に接続される電気回路が形成されている多層基板
   とを有し、前記加速度検知部は外部加速度の変化によっ
   て静電容量を変化する対となる加速度検知コンデンサを
   備え、この対となる加速度検知コンデンサの差動容量に
   基づいて外部加速度を検出する加速度検出装置におい
   て、前記対となる加速度検知コンデンサの一方又は両方
   には互いの加速度検知コンデンサの固有容量のバランス
   をとる補正用コンデンサが接続されていることを特徴と
   する加速度検出装置。
2. 【請求項２】 素子基板と多層基板は回路部を間にして
   積層一体化されており、多層基板には補正用コンデンサ
   の互いに対となる電極が積層状に形成され、その積層状
   に形成される複数の電極のうちの１枚の電極は多層基板
   の露出底面に露出形成されている請求項１記載の加速度
   検出装置。
3. 【請求項３】 素子基板と多層基板は回路部を間にして
   積層一体化されており、多層基板には補正用コンデンサ
   の互いに対となる一方側の極となる複数の各電極と他方
   側の極となる１枚以上の各電極とは互い違いにして積層
   状に形成され、各極側の電極はそれぞれ共通の接続導体
   によって導通接続されており、複数の電極を共通接続し
   てなる少くとも一方側極の接続導体は多層基板の外側面
   に露出形成されている請求項１記載の加速度検出装置。