JPH08133885A - 連続チャージ法による半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
連続チャージ法による半導体単結晶の製造方法Info
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- JPH08133885A JPH08133885A JP30171594A JP30171594A JPH08133885A JP H08133885 A JPH08133885 A JP H08133885A JP 30171594 A JP30171594 A JP 30171594A JP 30171594 A JP30171594 A JP 30171594A JP H08133885 A JPH08133885 A JP H08133885A
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Landscapes
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 連続チャージ法による半導体単結晶の製造に
おいて、前記単結晶に添加する不純物の種類や濃度を容
易に制御できるようにする。 【構成】 原料多結晶棒１１を溶解する原料供給部１０
に、マスフローコントローラ１７を介して所定の濃度の
不純物元素を含むドーパントガスと不活性ガスとを導入
する。原料多結晶棒１１は原料溶解ヒータ１２により溶
解し、液滴となって融液５に落下する。このとき、前記
不純物元素は原料多結晶棒１１の溶解時に液滴に含有さ
れる。従って、融液５には所定濃度の不純物元素が添加
され、この融液５から引き上げられる半導体単結晶６は
所定の濃度の不純物を有する。ドーパントガスは原料溶
解ヒータ１２を包囲する保護筒１３に接続されたメルト
カバー１５内を通って炉外に排出されるが、ガス分析器
１９で検出された不純物元素の濃度は制御装置２０に入
力され、ドーパントガスの濃度、流量を制御する。
おいて、前記単結晶に添加する不純物の種類や濃度を容
易に制御できるようにする。 【構成】 原料多結晶棒１１を溶解する原料供給部１０
に、マスフローコントローラ１７を介して所定の濃度の
不純物元素を含むドーパントガスと不活性ガスとを導入
する。原料多結晶棒１１は原料溶解ヒータ１２により溶
解し、液滴となって融液５に落下する。このとき、前記
不純物元素は原料多結晶棒１１の溶解時に液滴に含有さ
れる。従って、融液５には所定濃度の不純物元素が添加
され、この融液５から引き上げられる半導体単結晶６は
所定の濃度の不純物を有する。ドーパントガスは原料溶
解ヒータ１２を包囲する保護筒１３に接続されたメルト
カバー１５内を通って炉外に排出されるが、ガス分析器
１９で検出された不純物元素の濃度は制御装置２０に入
力され、ドーパントガスの濃度、流量を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、連続チャージ法による
半導体単結晶の製造方法に関する。
半導体単結晶の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の基板には主として単結晶シ
リコンが用いられているが、前記単結晶シリコンの製造
方法の一つとして、るつぼ内の原料融液から円柱状の単
結晶シリコンを引き上げるチョクラルスキー法（以下Ｃ
Ｚ法という）が知られている。ＣＺ法においては、単結
晶製造装置のチャンバ内に設置したるつぼに原料である
多結晶シリコンを充填し、前記るつぼの周囲に設けたメ
インヒータによって原料を加熱溶解した上、シードチャ
ックに取り付けた種結晶を融液に浸漬し、シードチャッ
クおよびるつぼを互いに同方向または逆方向に回転しつ
つシードチャックを引き上げて単結晶シリコンを成長さ
せる。
リコンが用いられているが、前記単結晶シリコンの製造
方法の一つとして、るつぼ内の原料融液から円柱状の単
結晶シリコンを引き上げるチョクラルスキー法（以下Ｃ
Ｚ法という）が知られている。ＣＺ法においては、単結
晶製造装置のチャンバ内に設置したるつぼに原料である
多結晶シリコンを充填し、前記るつぼの周囲に設けたメ
インヒータによって原料を加熱溶解した上、シードチャ
ックに取り付けた種結晶を融液に浸漬し、シードチャッ
クおよびるつぼを互いに同方向または逆方向に回転しつ
つシードチャックを引き上げて単結晶シリコンを成長さ
せる。
【０００３】育成する単結晶シリコンを目的に応じてｐ
型あるいはｎ型の半導体とするため、融液に微量のホウ
素、リン、ヒ素などを添加する。ＣＺ法を用いて所定の
濃度の不純物元素を含む単結晶シリコンを製造する場合
は、一般に粒状のドーパントを融液に添加している。ま
た連続チャージ法を用いる場合は、一般に粒状の多結晶
シリコンとドーパントとを融液に供給している。
型あるいはｎ型の半導体とするため、融液に微量のホウ
素、リン、ヒ素などを添加する。ＣＺ法を用いて所定の
濃度の不純物元素を含む単結晶シリコンを製造する場合
は、一般に粒状のドーパントを融液に添加している。ま
た連続チャージ法を用いる場合は、一般に粒状の多結晶
シリコンとドーパントとを融液に供給している。
【０００４】連続チャージ法は、大口径の単結晶シリコ
ンをＣＺ法によって効率よく生産する手段の一つとし
て、育成した単結晶シリコンの量に応じて原料をるつぼ
内に補給し、連続的に単結晶シリコンを引き上げる方法
である。補給する原料として棒状の多結晶シリコンを用
いる場合は、るつぼの周縁部上方に円筒状の原料溶解ヒ
ータを設け、この中に原料多結晶棒を吊り降ろして溶解
する。溶解した原料多結晶棒は液滴となって融液に落下
する。るつぼの中央から引き上げられる単結晶シリコン
を挟むように２個の原料溶解ヒータを設けた場合は、片
側の原料多結晶棒の溶解が完了すると他側の原料多結晶
棒を溶解し、連続的に原料の供給が行われる。あるい
は、２個の原料溶解ヒータに吊り降ろした原料多結晶棒
を同時に溶解してもよい。
ンをＣＺ法によって効率よく生産する手段の一つとし
て、育成した単結晶シリコンの量に応じて原料をるつぼ
内に補給し、連続的に単結晶シリコンを引き上げる方法
である。補給する原料として棒状の多結晶シリコンを用
いる場合は、るつぼの周縁部上方に円筒状の原料溶解ヒ
ータを設け、この中に原料多結晶棒を吊り降ろして溶解
する。溶解した原料多結晶棒は液滴となって融液に落下
する。るつぼの中央から引き上げられる単結晶シリコン
を挟むように２個の原料溶解ヒータを設けた場合は、片
側の原料多結晶棒の溶解が完了すると他側の原料多結晶
棒を溶解し、連続的に原料の供給が行われる。あるい
は、２個の原料溶解ヒータに吊り降ろした原料多結晶棒
を同時に溶解してもよい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】連続チャージ法を用い
てｐ型あるいはｎ型の単結晶シリコンを育成する場合、
融液に直接粒状のドーパントや多結晶シリコンを投入す
ると、これらの投入物が融液面に浮遊して溶解しにくい
という欠点がある。この問題の解決策として、所定の不
純物元素を含む多結晶シリコンを溶解し、液滴として融
液に連続的に供給することが考えられる。すなわち、原
料多結晶棒を溶解して供給する連続チャージ法を用いる
場合、単結晶シリコンに要求されている不純物濃度に相
当する濃度の不純物元素を含む原料多結晶棒を用意し、
これを溶解して融液とすることにより、要求された不純
物濃度をもち、軸方向不純物濃度分布の均一な単結晶シ
リコンを得ることができる。
てｐ型あるいはｎ型の単結晶シリコンを育成する場合、
融液に直接粒状のドーパントや多結晶シリコンを投入す
ると、これらの投入物が融液面に浮遊して溶解しにくい
という欠点がある。この問題の解決策として、所定の不
純物元素を含む多結晶シリコンを溶解し、液滴として融
液に連続的に供給することが考えられる。すなわち、原
料多結晶棒を溶解して供給する連続チャージ法を用いる
場合、単結晶シリコンに要求されている不純物濃度に相
当する濃度の不純物元素を含む原料多結晶棒を用意し、
これを溶解して融液とすることにより、要求された不純
物濃度をもち、軸方向不純物濃度分布の均一な単結晶シ
リコンを得ることができる。
【０００６】しかしながら上記の方法では、単結晶シリ
コンに含まれる不純物元素の種類や濃度を任意に変えた
いとき、そのつど原料多結晶棒を製作しなければなら
ず、そのための時間とコストが単結晶シリコンの製造日
程やコストに上乗せされることになるので、好ましくな
い。本発明は上記従来の問題点に着目してなされたもの
で、連続チャージ法による半導体単結晶の製造におい
て、前記単結晶に添加する不純物の種類や濃度を容易に
変更することができるような半導体単結晶の製造方法を
提供することを目的としている。
コンに含まれる不純物元素の種類や濃度を任意に変えた
いとき、そのつど原料多結晶棒を製作しなければなら
ず、そのための時間とコストが単結晶シリコンの製造日
程やコストに上乗せされることになるので、好ましくな
い。本発明は上記従来の問題点に着目してなされたもの
で、連続チャージ法による半導体単結晶の製造におい
て、前記単結晶に添加する不純物の種類や濃度を容易に
変更することができるような半導体単結晶の製造方法を
提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明に係る連続チャージ法による半導体単結晶の製造
方法は、半導体単結晶の原料融液を貯留するるつぼの上
方に原料溶解ヒータを設け、前記原料溶解ヒータにより
原料多結晶棒を溶解して滴下させ、前記融液に連続的に
原料多結晶を供給しつつ半導体単結晶を引き上げる連続
チャージ法において、原料多結晶棒の溶解領域に不純物
元素を含むドーパントガスを導入し、前記不純物元素を
含浸させた液滴を融液に落下させることによって融液に
不純物元素を添加する構成とし、このような構成におい
て、原料多結晶棒の溶解領域に導入するドーパントガス
に含まれる不純物元素量およびドーパントガスの流量を
制御することにより、融液の不純物濃度を所定の値に制
御することを特徴としている。
本発明に係る連続チャージ法による半導体単結晶の製造
方法は、半導体単結晶の原料融液を貯留するるつぼの上
方に原料溶解ヒータを設け、前記原料溶解ヒータにより
原料多結晶棒を溶解して滴下させ、前記融液に連続的に
原料多結晶を供給しつつ半導体単結晶を引き上げる連続
チャージ法において、原料多結晶棒の溶解領域に不純物
元素を含むドーパントガスを導入し、前記不純物元素を
含浸させた液滴を融液に落下させることによって融液に
不純物元素を添加する構成とし、このような構成におい
て、原料多結晶棒の溶解領域に導入するドーパントガス
に含まれる不純物元素量およびドーパントガスの流量を
制御することにより、融液の不純物濃度を所定の値に制
御することを特徴としている。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、原料多結晶棒を溶解して融
液に供給する連続チャージ法において、前記原料多結晶
棒の溶解領域に不純物元素を含むドーパントガスを導入
することとし、ドーパントガス中の不純物元素量とドー
パントガスの流量とを制御することにしたので、融液に
落下する原料多結晶の液滴に所定の濃度の不純物元素を
強制的に含浸させることができる。従って、融液中の不
純物元素量は所定の値に制御され、所定の濃度の不純物
元素を含む半導体単結晶を引き上げることが可能とな
る。また、ドーパントガスの種類を変更したり濃度、流
量を調節することにより、不純物元素の種類や濃度の異
なる半導体単結晶を製造することができる。
液に供給する連続チャージ法において、前記原料多結晶
棒の溶解領域に不純物元素を含むドーパントガスを導入
することとし、ドーパントガス中の不純物元素量とドー
パントガスの流量とを制御することにしたので、融液に
落下する原料多結晶の液滴に所定の濃度の不純物元素を
強制的に含浸させることができる。従って、融液中の不
純物元素量は所定の値に制御され、所定の濃度の不純物
元素を含む半導体単結晶を引き上げることが可能とな
る。また、ドーパントガスの種類を変更したり濃度、流
量を調節することにより、不純物元素の種類や濃度の異
なる半導体単結晶を製造することができる。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明に係る連続チャージ法による
半導体単結晶の製造方法の実施例について、図面を参照
して説明する。図１は、連続チャージ法による半導体単
結晶製造装置の概略構成を示す部分断面図で、メインチ
ャンバ１の中心にるつぼ２が昇降および回転自在に設置
され、前記るつぼ２を取り巻くようにメインヒータ３、
保温筒４が配設されている。るつぼ２に充填した原料多
結晶は前記メインヒータ３により溶解して融液５とな
り、るつぼ２の中心部から半導体単結晶６が引き上げら
れる。
半導体単結晶の製造方法の実施例について、図面を参照
して説明する。図１は、連続チャージ法による半導体単
結晶製造装置の概略構成を示す部分断面図で、メインチ
ャンバ１の中心にるつぼ２が昇降および回転自在に設置
され、前記るつぼ２を取り巻くようにメインヒータ３、
保温筒４が配設されている。るつぼ２に充填した原料多
結晶は前記メインヒータ３により溶解して融液５とな
り、るつぼ２の中心部から半導体単結晶６が引き上げら
れる。
【００１０】るつぼ２の周縁近傍上方には、２組の原料
供給部１０が対向して設置されている。この原料供給部
１０は、プルチャンバ７の上部から釣支された原料多結
晶棒１１を溶解して融液５に滴下させるもので、原料溶
解ヒータ１２と、前記原料溶解ヒータ１２を包囲する保
護筒１３と、前記プルチャンバ７の上端と原料溶解ヒー
タ１２の上端との間に取着されたシールドカバー１４と
によって構成されている。前記原料多結晶棒１１はシー
ルドカバー１４によって包囲され、原料溶解ヒータ１２
と保護筒１３の上部との隙間は断熱シール部材で封止さ
れている。また、前記保護筒１３の下端は融液５内に浸
漬され、溶解した原料多結晶棒１１の下端から落下する
液滴による融液５の振動がるつぼ中心部（単結晶育成領
域）に伝播することを防止するとともに、単結晶育成領
域と原料供給部１０との気相分離を行っている。
供給部１０が対向して設置されている。この原料供給部
１０は、プルチャンバ７の上部から釣支された原料多結
晶棒１１を溶解して融液５に滴下させるもので、原料溶
解ヒータ１２と、前記原料溶解ヒータ１２を包囲する保
護筒１３と、前記プルチャンバ７の上端と原料溶解ヒー
タ１２の上端との間に取着されたシールドカバー１４と
によって構成されている。前記原料多結晶棒１１はシー
ルドカバー１４によって包囲され、原料溶解ヒータ１２
と保護筒１３の上部との隙間は断熱シール部材で封止さ
れている。また、前記保護筒１３の下端は融液５内に浸
漬され、溶解した原料多結晶棒１１の下端から落下する
液滴による融液５の振動がるつぼ中心部（単結晶育成領
域）に伝播することを防止するとともに、単結晶育成領
域と原料供給部１０との気相分離を行っている。
【００１１】前記シールドカバー１４の上部には単結晶
育成部に導入される不活性ガスの管路とは別の管路が接
続されていて、前記２組の原料供給部１０に不活性ガス
が導入される。プルチャンバ７には、ドーパントガスを
含む不活性ガスをシールドカバー１４の内部に導入する
ための導入口７ａが設けられている。また、保護筒１３
には原料供給部１０に導入した前記混合ガスをチャンバ
１外に排出する通路となる環状のメルトカバー１５が取
着され、前記メルトカバー１５の外縁部には排気管１６
が接続されている。排気管１６の端部はメインチャンバ
１に開口する排気口に接続している。
育成部に導入される不活性ガスの管路とは別の管路が接
続されていて、前記２組の原料供給部１０に不活性ガス
が導入される。プルチャンバ７には、ドーパントガスを
含む不活性ガスをシールドカバー１４の内部に導入する
ための導入口７ａが設けられている。また、保護筒１３
には原料供給部１０に導入した前記混合ガスをチャンバ
１外に排出する通路となる環状のメルトカバー１５が取
着され、前記メルトカバー１５の外縁部には排気管１６
が接続されている。排気管１６の端部はメインチャンバ
１に開口する排気口に接続している。
【００１２】不純物元素を含む半導体単結晶を連続チャ
ージ法によって製造する場合、所定の濃度のドーパント
ガスとＡｒなどの不活性ガスとをマスフローコントロー
ラ１７を介して導入口７ａからシールドカバー１４内に
供給する。ドーパントガスの例を挙げると、下記の通り
である。 （１）ｎ型の単結晶シリコンを育成する場合 ＰＣｌ3 ，ＰＨ3 ，ＡｓＣｌ3 ，ＡｓＨ3 など。 （２）ｐ型の単結晶シリコンを育成する場合 ＢＢｒ3 ，ＢＣｌ3 ，Ｂ2 Ｈ6 など。 （３）その他の場合 ＣＯ，ＣＯ2 ，ＧｅＨ4 など。
ージ法によって製造する場合、所定の濃度のドーパント
ガスとＡｒなどの不活性ガスとをマスフローコントロー
ラ１７を介して導入口７ａからシールドカバー１４内に
供給する。ドーパントガスの例を挙げると、下記の通り
である。 （１）ｎ型の単結晶シリコンを育成する場合 ＰＣｌ3 ，ＰＨ3 ，ＡｓＣｌ3 ，ＡｓＨ3 など。 （２）ｐ型の単結晶シリコンを育成する場合 ＢＢｒ3 ，ＢＣｌ3 ，Ｂ2 Ｈ6 など。 （３）その他の場合 ＣＯ，ＣＯ2 ，ＧｅＨ4 など。
【００１３】前記混合ガスは原料多結晶棒１１の周囲を
流下し、ドーパントガス中の不純物元素を原料多結晶棒
１１の下端から落下する液滴に含浸させる。その後、前
記混合ガスは保護筒１３の側面に設けた開口部からメル
トカバー１５内に入り、前記排気管１６を経てメインチ
ャンバ１外に排出される。メインチャンバ１外に設けた
排気管１８を通った混合ガスは真空ポンプにより吸引さ
れるが、その一部はガス分析器１９に導かれ、検出され
たドーパント濃度は制御装置２０に入力される。制御装
置２０は前記ドーパント濃度に基づいてマスフローコン
トローラ１７に流量制御信号を出力する。また、ドーパ
ントガスの濃度は手動で調節するかまたは制御装置２０
の指令信号により自動的に調節される。
流下し、ドーパントガス中の不純物元素を原料多結晶棒
１１の下端から落下する液滴に含浸させる。その後、前
記混合ガスは保護筒１３の側面に設けた開口部からメル
トカバー１５内に入り、前記排気管１６を経てメインチ
ャンバ１外に排出される。メインチャンバ１外に設けた
排気管１８を通った混合ガスは真空ポンプにより吸引さ
れるが、その一部はガス分析器１９に導かれ、検出され
たドーパント濃度は制御装置２０に入力される。制御装
置２０は前記ドーパント濃度に基づいてマスフローコン
トローラ１７に流量制御信号を出力する。また、ドーパ
ントガスの濃度は手動で調節するかまたは制御装置２０
の指令信号により自動的に調節される。
【００１４】一方、プルチャンバ７の上部から単結晶育
成領域に導入された不活性ガスは、図１に点線で示す通
り、育成中の半導体単結晶６の周囲を流下し、前記メル
トカバー１５と融液５との間を流れ、るつぼ２とメイン
ヒータ３との隙間およびメインヒータ３と保温筒４との
隙間を流下して、メインチャンバ１の底部に設けた排気
口から前記単結晶育成部で発生した不純物とともに外部
に排出される。また、不活性ガスの一部はメインチャン
バ１と保温筒４との隙間を流下して、前記排気口から外
部に排出される。
成領域に導入された不活性ガスは、図１に点線で示す通
り、育成中の半導体単結晶６の周囲を流下し、前記メル
トカバー１５と融液５との間を流れ、るつぼ２とメイン
ヒータ３との隙間およびメインヒータ３と保温筒４との
隙間を流下して、メインチャンバ１の底部に設けた排気
口から前記単結晶育成部で発生した不純物とともに外部
に排出される。また、不活性ガスの一部はメインチャン
バ１と保温筒４との隙間を流下して、前記排気口から外
部に排出される。
【００１５】本実施例では、軸方向の全長にわたって不
純物濃度分布の均一な半導体単結晶を育成する場合につ
いて説明したが、必要に応じて半導体単結晶の引き上げ
行程途中でドーパントガスの濃度を任意の値に変更する
ことにより、不純物濃度の異なる１本の半導体単結晶を
容易に製造することができる。
純物濃度分布の均一な半導体単結晶を育成する場合につ
いて説明したが、必要に応じて半導体単結晶の引き上げ
行程途中でドーパントガスの濃度を任意の値に変更する
ことにより、不純物濃度の異なる１本の半導体単結晶を
容易に製造することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、原
料多結晶棒を溶解して融液に供給する連続チャージ法に
おいて、前記原料多結晶棒が溶解して融液に落下する液
滴にドーパントガスを流し、前記液滴に所定の濃度の不
純物元素を含浸させることにしたので、融液中の不純物
元素量は所定の値に制御され、所定の濃度の不純物元素
を含む半導体単結晶を得ることができる。添加すべき不
純物元素が気体であるため、不純物の種類、濃度の変更
が容易であり、半導体単結晶の生産効率向上に寄与す
る。
料多結晶棒を溶解して融液に供給する連続チャージ法に
おいて、前記原料多結晶棒が溶解して融液に落下する液
滴にドーパントガスを流し、前記液滴に所定の濃度の不
純物元素を含浸させることにしたので、融液中の不純物
元素量は所定の値に制御され、所定の濃度の不純物元素
を含む半導体単結晶を得ることができる。添加すべき不
純物元素が気体であるため、不純物の種類、濃度の変更
が容易であり、半導体単結晶の生産効率向上に寄与す
る。
【図１】連続チャージ法による半導体単結晶製造装置の
概略構成を示す部分断面図である。
概略構成を示す部分断面図である。
２ るつぼ ５ 融液 ６ 半導体単結晶 １０ 原料供給部 １１ 原料多結晶棒 １２ 原料溶解ヒータ ２０ 制御装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明に係る連続チャージ法による半導体単結晶の製造
方法は、半導体単結晶の原料融液を貯留するるつぼの上
方に原料溶解ヒータを設け、前記原料溶解ヒータにより
原料多結晶棒を溶解して滴下させ、前記融液に連続的に
原料多結晶を供給しつつ半導体単結晶を引き上げる連続
チャージ法において、原料多結晶棒の溶解領域に不純物
元素を含むドーパントガスを導入し、前記不純物元素を
含有させた液滴を融液に落下させることによって融液に
不純物元素を添加する構成とし、このような構成におい
て、原料多結晶棒の溶解領域に導入するドーパントガス
に含まれる不純物元素量およびドーパントガスの流量を
制御することにより、融液の不純物濃度を所定の値に制
御することを特徴としている。
本発明に係る連続チャージ法による半導体単結晶の製造
方法は、半導体単結晶の原料融液を貯留するるつぼの上
方に原料溶解ヒータを設け、前記原料溶解ヒータにより
原料多結晶棒を溶解して滴下させ、前記融液に連続的に
原料多結晶を供給しつつ半導体単結晶を引き上げる連続
チャージ法において、原料多結晶棒の溶解領域に不純物
元素を含むドーパントガスを導入し、前記不純物元素を
含有させた液滴を融液に落下させることによって融液に
不純物元素を添加する構成とし、このような構成におい
て、原料多結晶棒の溶解領域に導入するドーパントガス
に含まれる不純物元素量およびドーパントガスの流量を
制御することにより、融液の不純物濃度を所定の値に制
御することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【作用】上記構成によれば、原料多結晶棒を溶解して融
液に供給する連続チャージ法において、前記原料多結晶
棒の溶解領域に不純物元素を含むドーパントガスを導入
することとし、ドーパントガス中の不純物元素量とドー
パントガスの流量とを制御することにしたので、融液に
落下する原料多結晶の液滴に所定の濃度の不純物元素を
強制的に含有させることができる。従って、融液中の不
純物元素量は所定の値に制御され、所定の濃度の不純物
元素を含む半導体単結晶を引き上げることが可能とな
る。また、ドーパントガスの種類を変更したり濃度、流
量を調節することにより、不純物元素の種類や濃度の異
なる半導体単結晶を製造することができる。
液に供給する連続チャージ法において、前記原料多結晶
棒の溶解領域に不純物元素を含むドーパントガスを導入
することとし、ドーパントガス中の不純物元素量とドー
パントガスの流量とを制御することにしたので、融液に
落下する原料多結晶の液滴に所定の濃度の不純物元素を
強制的に含有させることができる。従って、融液中の不
純物元素量は所定の値に制御され、所定の濃度の不純物
元素を含む半導体単結晶を引き上げることが可能とな
る。また、ドーパントガスの種類を変更したり濃度、流
量を調節することにより、不純物元素の種類や濃度の異
なる半導体単結晶を製造することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体単結晶の原料融液を貯留するるつ
ぼの上方に原料溶解ヒータを設け、前記原料溶解ヒータ
により原料多結晶棒を溶解して滴下させ、前記融液に連
続的に原料多結晶を供給しつつ半導体単結晶を引き上げ
る連続チャージ法において、原料多結晶棒の溶解領域に
不純物元素を含むドーパントガスを導入し、前記不純物
元素を含浸させた液滴を融液に落下させることによって
融液に不純物元素を添加することを特徴とする連続チャ
ージ法による半導体単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 ドーパントガスに含まれる不純物元素量
およびドーパントガスの流量を制御することにより、融
液の不純物濃度を所定の値に制御することを特徴とする
請求項１の連続チャージ法による半導体単結晶の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30171594A JPH08133885A (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 連続チャージ法による半導体単結晶の製造方法 |
| TW84112403A TW301765B (ja) | 1994-11-11 | 1995-11-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30171594A JPH08133885A (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 連続チャージ法による半導体単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08133885A true JPH08133885A (ja) | 1996-05-28 |
Family
ID=17900290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30171594A Pending JPH08133885A (ja) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | 連続チャージ法による半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08133885A (ja) |
| TW (1) | TW301765B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2997096A1 (fr) * | 2012-10-23 | 2014-04-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de formation d'un lingot en silicium de resistivite uniforme |
-
1994
- 1994-11-11 JP JP30171594A patent/JPH08133885A/ja active Pending
-
1995
- 1995-11-22 TW TW84112403A patent/TW301765B/zh active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2997096A1 (fr) * | 2012-10-23 | 2014-04-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de formation d'un lingot en silicium de resistivite uniforme |
| WO2014064347A1 (fr) * | 2012-10-23 | 2014-05-01 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de formation d'un lingot en silicium dopé de resistivite uniforme. |
| US9938639B2 (en) | 2012-10-23 | 2018-04-10 | Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives | Method for forming a doped silicon ingot of uniform resistivity |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW301765B (ja) | 1997-04-01 |
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