JPH08133732A - Pzt粉末の製造方法 - Google Patents
Pzt粉末の製造方法Info
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- JPH08133732A JPH08133732A JP29554594A JP29554594A JPH08133732A JP H08133732 A JPH08133732 A JP H08133732A JP 29554594 A JP29554594 A JP 29554594A JP 29554594 A JP29554594 A JP 29554594A JP H08133732 A JPH08133732 A JP H08133732A
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- Japan
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- pzt
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液相反応として行うことができ、組成制御も
容易なPZT粉末の製造方法を提供する。 【構成】 水酸化ジルコニウムと水酸化チタンをしゅう
酸水溶液に溶解させ、そこに形成されたジルコニウム・
チタンオクサラト錯体の水溶液に水溶性鉛塩の水溶液を
添加し、沈殿として得られたPZT構成金属含有しゅう
酸塩を約450℃以上の温度で仮焼してPZT粉末を製造
する。
容易なPZT粉末の製造方法を提供する。 【構成】 水酸化ジルコニウムと水酸化チタンをしゅう
酸水溶液に溶解させ、そこに形成されたジルコニウム・
チタンオクサラト錯体の水溶液に水溶性鉛塩の水溶液を
添加し、沈殿として得られたPZT構成金属含有しゅう
酸塩を約450℃以上の温度で仮焼してPZT粉末を製造
する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、PZT粉末の製造方法
に関する。更に詳しくは、組成制御が容易であり、従っ
て均質なPZT粉末を得ることを可能とするそれの製造
方法に関する。
に関する。更に詳しくは、組成制御が容易であり、従っ
て均質なPZT粉末を得ることを可能とするそれの製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】点火素子などとして知られているPZT
[チタン・ジルコン酸鉛Pb(Zr・Ti)O3]焼結体は、力を加
えることによって電圧を発生する圧電性材料としての代
表的な物質であり、これを透明化し、圧電性を利用する
ことによって、光の透過光量の制御乃至は光記憶素子と
して応用できる。また、強誘電性をも有するので、電歪
材料としても用いられている。
[チタン・ジルコン酸鉛Pb(Zr・Ti)O3]焼結体は、力を加
えることによって電圧を発生する圧電性材料としての代
表的な物質であり、これを透明化し、圧電性を利用する
ことによって、光の透過光量の制御乃至は光記憶素子と
して応用できる。また、強誘電性をも有するので、電歪
材料としても用いられている。
【0003】かかる用途を有するPZT粉末は、従来酸
化鉛、酸化ジルコニウムおよび酸化チタンの各粉末を固
相反応させることにより製造しているが、固相反応であ
るため焼結温度が約1200℃以上と高く、また組成制御が
困難であるなどの問題点を有している。
化鉛、酸化ジルコニウムおよび酸化チタンの各粉末を固
相反応させることにより製造しているが、固相反応であ
るため焼結温度が約1200℃以上と高く、また組成制御が
困難であるなどの問題点を有している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、液相
反応として行うことができ、組成制御も容易なPZT粉
末の製造方法を提供することにある。
反応として行うことができ、組成制御も容易なPZT粉
末の製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
水酸化ジルコニウムと水酸化チタンをしゅう酸水溶液に
溶解させ、そこに形成されたジルコニウム・チタンオク
サラト錯体の水溶液に水溶性鉛塩の水溶液を添加し、沈
殿として得られたPZT構成金属含有しゅう酸塩を約45
0℃以上の温度で仮焼してPZT粉末を製造することに
より達成される。
水酸化ジルコニウムと水酸化チタンをしゅう酸水溶液に
溶解させ、そこに形成されたジルコニウム・チタンオク
サラト錯体の水溶液に水溶性鉛塩の水溶液を添加し、沈
殿として得られたPZT構成金属含有しゅう酸塩を約45
0℃以上の温度で仮焼してPZT粉末を製造することに
より達成される。
【0006】水酸化ジルコニウムと水酸化チタンとは、
一般に等モル量で用いられるが、生成するPbZrO3とPbTi
O3とが約40〜60:約60〜40のモル比(百分率)となるよう
な割合で用いることもできる。これらの水酸化物は、こ
れらの合計モル量の約1〜2倍モル、好ましくは約1.4〜
1.6倍モルのしゅう酸を溶解させたしゅう酸水溶液中に
溶解させると、そこにジルコニウム・チタンオクサラト
錯体が水溶液として形成される。
一般に等モル量で用いられるが、生成するPbZrO3とPbTi
O3とが約40〜60:約60〜40のモル比(百分率)となるよう
な割合で用いることもできる。これらの水酸化物は、こ
れらの合計モル量の約1〜2倍モル、好ましくは約1.4〜
1.6倍モルのしゅう酸を溶解させたしゅう酸水溶液中に
溶解させると、そこにジルコニウム・チタンオクサラト
錯体が水溶液として形成される。
【0007】このジルコニウム・チタンオクサラト錯体
の水溶液に、水溶性鉛塩、例えば硝酸鉛、酢酸鉛等が水
溶液として添加される。この際に添加される水溶性鉛塩
の量は、一般にPbとしてZrとTiの合計モル数に対して等
モル量であるが、約0.95〜1.05の範囲内のモル比でも用
いられる。
の水溶液に、水溶性鉛塩、例えば硝酸鉛、酢酸鉛等が水
溶液として添加される。この際に添加される水溶性鉛塩
の量は、一般にPbとしてZrとTiの合計モル数に対して等
モル量であるが、約0.95〜1.05の範囲内のモル比でも用
いられる。
【0008】このようにしてジルコニウム・チタンオク
サラト錯体水溶液に水溶性鉛塩水溶液を添加すると、P
ZT構成金属含有しゅう酸塩がそこに沈殿として生成す
るので、それをロ過、エタノール洗浄、室温乾燥した
後、約450℃以上の温度、好ましくは約500〜600℃とい
う比較的低い仮焼温度で約1〜3時間程度仮焼した後、粉
砕することにより、PZT粉末を得ることができる。
サラト錯体水溶液に水溶性鉛塩水溶液を添加すると、P
ZT構成金属含有しゅう酸塩がそこに沈殿として生成す
るので、それをロ過、エタノール洗浄、室温乾燥した
後、約450℃以上の温度、好ましくは約500〜600℃とい
う比較的低い仮焼温度で約1〜3時間程度仮焼した後、粉
砕することにより、PZT粉末を得ることができる。
【0009】
【発明の効果】本発明方法により、組成の均一性が向上
し、またサブミクロンの粒径を有するPZT粉末が得ら
れるので、焼結性をも向上させることができる。
し、またサブミクロンの粒径を有するPZT粉末が得ら
れるので、焼結性をも向上させることができる。
【0010】
【実施例】次に、実施例について本発明を説明する。
【0011】実施例1 PbZrO3とPbTiO3とが52:48のモル比になるように予め秤
量した水酸化ジルコニウムと水酸化チタンとを、これら
の合計モル量の約1.5倍モルの0.43重量%しゅう酸水溶液
中に溶解させた。
量した水酸化ジルコニウムと水酸化チタンとを、これら
の合計モル量の約1.5倍モルの0.43重量%しゅう酸水溶液
中に溶解させた。
【0012】得られたジルコニウム・チタンオクサラト
錯体水溶液に、ZrとTiの合計モル数に対して等モルとな
る量のPbを含有する硝酸鉛の水溶液を添加し、PZT構
成金属含有しゅう酸塩の沈殿を形成させ、この沈殿をエ
タノールで洗浄して、しゅう酸塩微粒子を得た。
錯体水溶液に、ZrとTiの合計モル数に対して等モルとな
る量のPbを含有する硝酸鉛の水溶液を添加し、PZT構
成金属含有しゅう酸塩の沈殿を形成させ、この沈殿をエ
タノールで洗浄して、しゅう酸塩微粒子を得た。
【0013】このしゅう酸塩微粒子を、室温条件下で乾
燥させた後、500℃で1時間仮焼し、ボールミルで粉砕
して、PZT粉末を得た。
燥させた後、500℃で1時間仮焼し、ボールミルで粉砕
して、PZT粉末を得た。
【0014】実施例2 実施例1において、硝酸鉛の水溶液の代わりに、同モル
量の酢酸鉛の水溶液が用いられた。
量の酢酸鉛の水溶液が用いられた。
【0015】以上の各実施例の過程で得られたPZT構
成金属含有しゅう酸塩について、ICP(誘導結合型プ
ラズマ発光分析)による組成分析を行った結果、いずれ
も 仕込みモル比 Pb 100:Zr 52:Ti 48 に対し、 Pb 101:Zr 52:Ti 48 という測定値が得られた。
成金属含有しゅう酸塩について、ICP(誘導結合型プ
ラズマ発光分析)による組成分析を行った結果、いずれ
も 仕込みモル比 Pb 100:Zr 52:Ti 48 に対し、 Pb 101:Zr 52:Ti 48 という測定値が得られた。
【0016】また、得られたPZT粉末のX線回析パタ
ーンは図1に、その粒径分布(占有率)およびその累積率
は図2にそれぞれ示される。
ーンは図1に、その粒径分布(占有率)およびその累積率
は図2にそれぞれ示される。
【0017】これらの結果から、PZT粉末はPbZrO3:
PbTiO3=52:48のモル比を有しており、平均2次粒径が
0.52μmのペロブスカイト型構造を有していることが分
かる。
PbTiO3=52:48のモル比を有しており、平均2次粒径が
0.52μmのペロブスカイト型構造を有していることが分
かる。
【図1】PZT粉末のX線回析パターンである。
【図2】PZT粉末の粒度分布およびその累積率のグラ
フである。
フである。
Claims (1)
- 【請求項1】 水酸化ジルコニウムと水酸化チタンをし
ゅう酸水溶液に溶解させ、そこに形成されたジルコニウ
ム・チタンオクサラト錯体の水溶液に水溶性鉛塩の水溶
液を添加し、沈殿として得られたPZT構成金属含有し
ゅう酸塩を約450℃以上の温度で仮焼することを特徴と
するPZT粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29554594A JP3446351B2 (ja) | 1994-11-04 | 1994-11-04 | Pzt粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29554594A JP3446351B2 (ja) | 1994-11-04 | 1994-11-04 | Pzt粉末の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08133732A true JPH08133732A (ja) | 1996-05-28 |
JP3446351B2 JP3446351B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=17822040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29554594A Expired - Fee Related JP3446351B2 (ja) | 1994-11-04 | 1994-11-04 | Pzt粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3446351B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004102589A1 (ja) * | 2003-05-19 | 2004-11-25 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 絶縁材料、フィルム、回路基板及びこれらの製造方法 |
JP2012096962A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Ngk Insulators Ltd | 鉛系圧電材料及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-11-04 JP JP29554594A patent/JP3446351B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004102589A1 (ja) * | 2003-05-19 | 2004-11-25 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 絶縁材料、フィルム、回路基板及びこれらの製造方法 |
US7700185B2 (en) | 2003-05-19 | 2010-04-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Insulation material, film, circuit board and method of producing them |
JP2012096962A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Ngk Insulators Ltd | 鉛系圧電材料及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3446351B2 (ja) | 2003-09-16 |
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Legal Events
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