JPH08130402A - 誘電体共振器及びこの共振器より成るろ波器 - Google Patents

誘電体共振器及びこの共振器より成るろ波器

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JPH08130402A
JPH08130402A JP29233894A JP29233894A JPH08130402A JP H08130402 A JPH08130402 A JP H08130402A JP 29233894 A JP29233894 A JP 29233894A JP 29233894 A JP29233894 A JP 29233894A JP H08130402 A JPH08130402 A JP H08130402A
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JP
Japan
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shield case
columnar body
body made
solid dielectric
end surface
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JP29233894A
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Inventor
Hiroshi Hatanaka
博 畠中
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NIPPON DENGIYOU KOSAKU KK
Nihon Dengyo Kosaku Co Ltd
Original Assignee
NIPPON DENGIYOU KOSAKU KK
Nihon Dengyo Kosaku Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】構成が簡潔で、共振周波数の設定範囲が広い共
振器及びこの共振器より成るろ波器を実現する。 【構成】下端部が、シ−ルドケ−ス１の下壁に固定さ
れ、上端面が適宜間隔を隔ててシ−ルドケ−ス１の上壁
と対向する固体誘電体より成る柱状体２を設けてある。
下端面が、固体誘電体より成る柱状体２の上端面と対向
する可動電極３を設けてある。可動電極の下端面と固体
誘電体より成る柱状体２の上端面との対向間隙長を変え
ることができるように、可動電極３の外周面に設けた螺
子をシ−ルドケ−ス１の上壁に設けた螺子孔と噛み合わ
せてある。シ−ルドケ−ス１に分布するインダクタンス
と、可動電極３の下端面と固体誘電体より成る柱状体２
の上端面との対向間隙間の可変容量と、固体誘電体より
成る柱状体２の上端面と下端面との間の固定容量によっ
て並列共振回路が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、無線通信装置又は放送
装置等における雑音の除去或は信号の分波又は合成等に
好適な新規の誘電体共振器及びこの共振器より成るろ波
器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２３は、従来の誘電体共振器のうち、
TM01δモ−ド誘電体共振器の要部を示す断面図（図２４
のＢ−Ｂ断面図）、図２４は、図２３のＡ−Ａ断面図
で、１はシ−ルドケ−ス、24はTM01δモ−ド誘電体共振
素子である。図２３及び図２４には、入出力端子、入出
力結合素子及び共振周波数の微調整素子等を図示するの
を省略してある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図２３及び図２４に示
した従来のTM01δモ−ド誘電体共振器は、共振周波数が
所要の周波数に正確に一致するように製作調整すること
が困難なばかりでなく、共振周波数の調整素子によって
調整を行っても共振周波数を広範囲に亙って設定するこ
とができず、設定範囲が狭いという欠点がある。このよ
うな従来のTM01δモ−ド誘電体共振器を用いてろ波器を
構成するときは、従来の誘電体共振器の有する上記各種
欠点がそのままろ波器の欠点として現われることとな
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、シ−ルドケ−
スの下壁に下端部が固定され、上端面が適宜間隔を隔て
て前記シ−ルドケ−スの上壁と対向する固体誘電体より
成る柱状体と、下端面が前記固体誘電体より成る柱状体
の上端面と対向すると共に、この対向間隙長を変えるこ
とが可能なように前記シ−ルドケ−スの上壁に取り付け
られた可動電極とによって形成される可変共振容量素子
を備えた誘電体共振器及びこの共振器より成るろ波器を
実現することによって、従来の共振器及びろ波器の欠点
を除こうとするものである。
【０００５】
【実施例】図１（ａ）は、本発明の一実施例を示す断面
図［図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面図］、図１（ｂ）は、図１
（ａ）のＡ−Ａ断面図で、１はシ−ルドケ−スで、図に
は角型の立方体より成る場合を例示してあるが、有底円
筒体で形成してもよい。２は固体誘電体より成る柱状体
で、例えば下端面に金属化（メタライズ）処理を施し、
半田付けによって下端面をシ−ルドケ−ス１の下壁に固
定し、上端面は適当な間隔を隔ててシ−ルドケ−ス１の
上壁と対向させてある。３は可動電極で、円柱状導体又
は上下に端壁を有する円筒状導体或は下端にのみ端壁を
有する円筒状導体等の外周面に螺子を設け、シ−ルドケ
−ス１の上壁に設けた螺子孔に螺合させ、正方向又は逆
方向に回転させて前進又は後退させることによって、そ
の下端面と固体誘電体より成る柱状体２の上端面との対
向間隙長を変えることができるように形成してある。４
はロックナットで、固体誘電体より成る柱状体２、可動
電極３及びロックナット４によって可変共振容量素子を
形成してある。５は入力（又は出力）端子、６は出力
（又は入力）端子で、それぞれ例えば同軸接栓より成
り、各同軸接栓を形成する外部導体を、共振器を形成す
るシ−ルドケ−ス１に接続してある。7Lは入力（又は出
力）結合ル−プで、一端を同軸接栓５の内部導体に接続
し、他端をシ−ルドケ−ス１に接続してある。8Lは出力
（又は入力）結合ル−プで、一端を同軸接栓６の内部導
体に接続し、他端をシ−ルドケ−ス１に接続してある。
９は共振周波数の微調整素子で、例えばシ−ルドケ−ス
１の壁面に螺合させた金属螺子より成る。10はロックナ
ットである。
【０００６】このように構成した本発明誘電体共振器に
おいては、シ−ルドケ−ス１における分布インダクタン
ス分LS、固体誘電体より成る柱状体２の上端面とシ−ル
ドケ−ス１の下壁との間の固定容量分CD、固体誘電体よ
り成る柱状体２の上端面と可動電極３の下端面との対向
間隙間における可変容量分CAとによって、図２に等価回
路図を示すように、並列共振回路が形成される。図２に
おいて、Ｒは、分布インダクタンス分LS、可変容量分
CA、固定容量分CDより成る共振回路、T5は入力（又は出
力）端子、T6は出力（又は入力）端子、M5 R は入力（又
は出力）磁界結合係数、MR6 は出力（又は入力）磁界結
合係数である。図３は、図２に示した等価回路図の変換
等価回路図で、CAD は図２における可変容量CAと固定容
量CDとの合成容量で、他の符号は図２と同様である。
【０００７】本発明誘電体共振器におけるシ−ルドケ−
ス１の高さをHS、シ−ルドケ−ス１の側壁の幅を2a、自
由空間波長をλとし、これらの間に次式の関係を持たせ
ると、
【数１】 ａは必ずλ/4以下となり、シ−ルドケ−ス１の上壁の中
心点（図２及び図３のP1点）と下壁の中心点（図２及び
図３のP2点）とを連ねる線からシ−ルドケ−ス１の側壁
側を見たインピ−ダンスのリアクタンス分（図２及び図
３の点P1とP2とを連ねる線から左側又は右側を見たイン
ピ−ダンスのリアクタンス分）は誘導性となり、このリ
アクタンス分の大きさは、共振器の共振長（シ−ルドケ
−ス１の高さHS）とシ−ルドケ−ス１の側壁の幅2aに応
じて定まる。一般的に、共振長HSが長くなるとインピ−
ダンスが高くなり、2aが長くなるとリアクタンス分が大
となる。シ−ルドケ−ス１の高さHSをλ/2に等しくなる
ように形成すると、シ−ルドケ−ス１の上壁の中心点と
下壁の中心点との間の電気的位相差が 180°となり、シ
−ルドケ−ス１の上壁及び下壁の各中心点間を流れる電
流が最大となるから、共振器の無負荷Ｑが最大となる。
柱状体２及び可動電極３の各直径をそれぞれＤとする
と、柱状体２の上端面及び可動電極３の下端面の各面積
ADは、
【数２】 柱状体２の軸長をHD、柱状体２の比誘電率をε、空気の
比誘電率をεo とすると、柱状体２の上端面とシ−ルド
ケ−ス１の下壁間の容量CDは、
【数３】 柱状体２の上端面と可動電極３の下端面との間の間隙の
長さをHAとすると、この間隙部分における可変容量C
Aは、
【数４】 図３に示した合成容量CAD は、
【数５】 柱状体２の上端面と可動電極３の下端面との対向間隙に
介在する空気の無負荷Ｑは極めて高いから、柱状体２の
材質として無負荷Ｑの高い固体誘電体を用いると、柱状
体２及び可動電極３より成る可変共振容量素子における
損失を無視できる程度に極めて小とすることができるか
ら、本発明誘電体共振器の無負荷Ｑは、専ら、シ−ルド
ケ−ス１（インダクタンス形成部分）における無負荷Ｑ
によって定まる。即ち、式（３）及び式（５）から明ら
かなように、柱状体２の軸長をHSとした場合（柱状体２
の下端面がシ−ルドケ−ス１の下壁に接し、柱状体２の
上端面がシ−ルドケ−ス１の上壁に接するように形成し
て可動電極３を省いた場合）に、柱状体２の上端面が接
するシ−ルドケ−ス１の上壁部分を一方の電極とし、柱
状体２の下端面が接するシ−ルドケ−ス１の下壁部分を
他方の電極とした場合における両電極間の容量に比し、
本発明のように、可変共振容量素子を柱状体２と、柱状
体２の上端面との間に空気間隙を有する可動電極３とに
よって形成した場合における可変共振容量素子の容量を
小さくすることができるから、シ−ルドケ−ス１の体積
が同じであれば、本発明共振器においては共振周波数が
高くなる。本発明共振器におけるシ−ルドケ−ス１、可
動電極３を銅で形成した場合における無負荷Ｑ(Qu)の大
きさは、次の実験式によって求めることができる。
【数６】 上式において、周波数ｆの単位はMHz 、シ−ルドケ−ス
１の側壁の幅の1/2 に当たるａ、シ−ルドケ−ス１の高
さHS、自由空間波長λの各単位はcmである。例えば同軸
接栓５に高周波電力を加えると、本発明誘電体共振器に
おける電磁界分布は図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すよ
うになる。図１（ａ）における矢印を付した実線Ｅは電
界ベクトルを、矢印を付した実線Ｉは電流を、図１
（ｂ）における破線Ｈは磁界を、それぞれ表わす。
【０００８】図１には、入出力結合素子としてル−プ7L
及び8Lを用いた場合を例示したが、図４に示すように、
入出力結合手段としてプロ−ブ7P及び8Pより成る容量結
合素子を用いても本発明を実施することができる。図１
（ｂ）には、共振周波数微調整素子９及びロックナット
10を設けた場合を例示してあるが、これらを省いても本
発明を実施することができる。尚、図４は、図１（ｂ）
におけるシ−ルドケ−ス１の側壁のうち、下方（図面に
向かって）の側壁を除いて上方を見た断面図に相当する
断面図である。図４において、他の符号及び構成は、図
１と同様である。
【０００９】図５は、本発明の他の実施例を示す断面図
［図１（ａ）と同様の断面図で、これは図６ないし図８
も同様である］で、11は導体板で、固体誘電体より成る
柱状体２の上端面に取り付けられ、柱状体２の上端面の
面積に比し適宜大なる面積を有する導体板より成る。本
実施例においては、柱状体２の上端面に、柱状体２の上
端面の面積に比し適宜大なる面積を有する導体板11を設
けると共に、可動電極３の横断面の面積を導体板11の面
積とほぼ等しく形成した他は、図１（ａ）と符号及び構
成が同じである。導体板11を固体誘電体より成る柱状体
２の上端面に取り付けるに当たっては、例えば柱状体２
の上端面に金属化（メタライズ）処理を施し、半田付け
によって導体板11と柱状体２の上端面間を固着する。上
記のように形成した本実施例においては、可動電極３と
導体板11の対向面積が、前実施例に比し大となった分だ
け可動電極３と導体板11間の容量が大となるから、他の
条件が図１に示した共振器と同様であれば、図１に示し
た共振器に比し共振周波数が低い領域で広範囲に亙って
連続的に共振周波数の設定が可能となり、可動電極３と
導体板11との間隔を大にしても前実施例と同様の容量を
形成させることができるから耐電圧特性を良好にするこ
とができる。
【００１０】図６もまた、本発明の他の実施例を示す断
面図で、本実施例においては、前実施例における可動電
極３の代わりに、導体板11とほぼ等しい面積を有する導
体板12をシ−ルドケ−ス１の上壁に半田付け等の手段に
よって取り付け、必要に応じて同様の導体板13を導体板
12の下面に取り付け、更に必要に応じて導体板12及び13
と同様の導体板を重ねて取り付けることによって、不連
続的ではあるが、共振周波数を広範囲に亙って設定可能
で、耐電圧特性が良好となるようにしたものである。
【００１１】図７もまた、本発明の他の実施例を示す断
面図で、本実施例においては、前実施例における導体板
12及び13と同様の導体板の中心部に螺子孔を設けて成る
導体板14を１枚又は14及び15のように２枚或は必要に応
じて３枚以上適宜複数枚を螺子止め等の手段によってシ
−ルドケ−ス１の上壁に着脱可能に取り付け、可動電極
３をシ−ルドケ−ス１の上壁、導体板14及び15に螺合さ
せて取り付けてある。本実施例においては、導体板14及
び15と同様の導体板の装着枚数に応じて共振周波数を広
範囲に亙って不連続的に設定可能であると共に、可動電
極３の正方向又は逆方向回転操作によって共振周波数を
微細に調整することができる。他の効果は前実施例と同
様である。
【００１２】図８もまた、本発明の他の実施例を示す断
面図で、本実施例においては、可動電極３の下端面に導
体板11とほぼ等しい面積を有する導体板16を取り付ける
ことによって、共振周波数を広範囲に亙って連続的に設
定可能であると共に、耐電圧特性も良好にすることがで
きるものであるが、外径の小なる可動電極３の部分にお
いて抵抗分が高くなるため、無負荷Ｑの低下を避けるこ
とができない。図５ないし図８には、入出力結合素子と
してル−プ7L及び8Lを用いた場合を例示してあるが、プ
ロ−ブを用いても本発明を実施することができる。図６
ないし図８の説明において、言及することのなかった符
号及び構成は、図５と同様である。
【００１３】図９は、図１に示した本発明共振器を用い
て構成したろ波器を示す断面図（図１０のＢ−Ｂ断面
図）、図１０は、図９のＡ−Ａ断面図で、両図におい
て、1Cは共通のシ−ルドケ−ス、21ないし24は、図１に
示したものと同様の固体誘電体より成る柱状体、31ない
し34は可動電極、41ないし44はロックナット、５は入力
（又は出力）端子、６は出力（又は入力）端子、7Lは入
力（又は出力）結合ル−プ、8Lは出力（又は入力）結合
ル−プ、91ないし94は共振周波数の微調整素子、101 な
いし104 はロックナットで、これらもまた図１に示した
可動電極３、ロックナット４、入力（又は出力）端子
５、出力（又は入力）端子６、結合ル−プ7L及び8L、共
振周波数の微調整素子９、ロックナット10と同様のもの
である。図１１は、図９及び図１０に示した本発明ろ波
器の等価回路図で、R1ないしR4は共振回路、T5は入力
（又は出力）端子、T6は出力（又は入力）端子、M51 は
入力（又は出力）磁界結合係数、M46 は出力（又は入
力）磁界結合係数、M12 ないしM34 は段間磁界結合係数
である。図１２は、図１１に示した等価回路図の変換等
価回路図で、符号は図１１と同様である。図９ないし図
１２には、入出力結合素子をル−プ7L及び8Lで形成した
場合を例示してあるが、図４に示したプロ−ブ7P及び8P
を用いても本発明を実施することができる。
【００１４】図９ないし図１２に示した本発明帯域通過
ろ波器の設計に当たっても、基準化低域通過ろ波器の素
子値を求め、この値から回路定数を定めて所要の伝送特
性を得ること従来の設計手法と同様で、以下、図１３に
回路図を、図１４（横軸は基準化周波数、縦軸は減衰
量、fCは基準化遮断周波数）に伝送特性の曲線図を、そ
れぞれ示すようなチエビシエフ形基準化低域通過ろ波器
の素子値g1ないしgnを基にして、通過域がチエビシエフ
形特性で、減衰域がワグナ形特性を呈する帯域通過ろ波
器を設計する場合について説明する。帯域通過ろ波器の
設計上許容される通過域内における電圧定在波比(VSWR)
をＳとすると、通過域内における許容リップルLrは、次
式で表わされる。
【数７】 上式から許容リップルLrを求めると共に、回路次数ｎを
定めて式（８）から素子値g1を求め、式（９）から素子
値g2ないしgnを求める。
【数８】 ｋ＝２、３、−−−−、ｎ 式（８）及び式（９）において、
【数９】 尚、図１３において、RLは負荷抵抗で、回路次数ｎが奇
数の場合、 RL＝１ ・・・・（14） 回路次数ｎが偶数の場合、
【数１０】 式（８）及び式（９）から求めた素子値g1ないしgn、帯
域通過ろ波器の所要中心周波数fO及び通過帯域幅Bwr か
ら、入出力磁界結合係数及び段間磁界結合係数を式（1
6）及び式（17）で求めることができる。入出力磁界結
合係数をＭ01及びＭn,n+1 で表すと、
【数１１】 段間磁界結合係数をＭ12＝Ｍn-1,n 、Ｍ23＝Ｍ
n-2,n-1 、−−−−−で表し、これらをまとめてＭ
k,k+1 （ｋ＝１、２、−−−−−、ｎ−１）で表すと、
【数１２】 式（17）で求めた段間磁界結合係数Ｍk,k+1 と、図１５
とを用いて隣接する可変共振容量素子の中心間隔を求め
ることができる。図１５は、本発明者が試作品について
実験を重ねた結果得られた、段間磁界結合係数と隣接す
る共振容量素子の中心間隔との関係の一例を示すもの
で、横軸は、(d−0.3C)/W但し、 ｄ：隣接する可変共振容量素子の中心間隔（図９） Ｃ：可変共振容量素子を形成する柱状体２及び可動電極
３の各外径（図９） Ｗ：共通のシ−ルドケ−ス1Cの幅（図１０） 又、縦軸は、段間磁界結合係数Ｍk,k+1 である。
【００１５】図９ないし図１２に示した本発明帯域通過
ろ波器の伝送特性Ｌは、次式で示される。
【数１３】 上式において、 Ｌ：伝送損失 Ｔn(ｘ) はチェビシェフの多項式で、ｘ＜１ の場合、 Ｔn(ｘ) ＝cos(n cos-1 ｘ） ｘ＞１ の場合、 Ｔn(ｘ) ＝cosh(n cosh-1 ｘ） ｘ：基準化周波数で、
【数１４】 f0 ：BPF の通過域における中心周波数 f：任意の伝送周波数 Bwr：許容通過周波数帯域幅 Ｓ：通過帯域内における許容電圧定在波比（VSWR) 図１６は、図９ないし図１２に示した本発明ろ波器の伝
送特性の一例を示す図で、横軸は周波数、縦軸は減衰量
である。
【００１６】図９ないし図１２に示したろ波器において
は、所要の段間磁界結合係数に応じて可変共振容量素子
の中心間隔を定めることにより、所要の電気的特性を持
たせるように構成したが、可変共振容量素子を適宜一定
間隔で配設し、隣り合う可変共振容量素子の間に従来公
知の段間磁界結合調整素子を介在させて、所要の電気的
特性を得るようにすることもできる。図１７は、その一
例を示す断面図（図１８のＢ−Ｂ断面図）、図１８は、
図１７のＡ−Ａ断面図で、両図において、1711ないし17
32は従来公知の段間磁界結合調整素子で、丸棒状、角棒
状又は帯状の導体より成り、隣り合う柱状体21と22の
間、22と23の間、23と24の間において、各段間磁界結合
調整素子1711ないし1732の各軸方向が柱状体21ないし24
の各軸方向と平行となり、かつ、各段間磁界結合調整素
子1711ないし1732の各両端を共通のシ−ルドケ−ス1Cの
上壁及び下壁に電気的機械的に接続固定してある。各段
間磁界結合調整素子1711ないし1732の各太さを適当に形
成するか、隣り合う可変共振容量素子の間に介在する段
間磁界結合調整素子の数を適宜増減することによって、
段間磁界結合係数を所要の値に調整することができる。
【００１７】図１９もまた段間磁界結合調整素子によっ
て段間磁界結合係数を調整するように構成した一例を示
す断面図（図２０のＢ−Ｂ断面図）、図２０は、図１９
のＡ−Ａ断面図で、両図において、181 ないし183 は従
来公知の段間磁界結合調整素子で、それぞれ、隣り合う
柱状体21と22の間、22と23の間、23と24の間において、
各板面が共通のシ−ルドケ−ス1Cの長手方向と直交し、
各周縁が共通のシ−ルドケ−ス1Cの上壁、下壁及び両側
壁に電気的に接続され、各板面に磁界結合孔隙を穿って
ある。各段間磁界結合調整素子181 ないし183 に穿たれ
た磁界結合孔隙の面積に応じて段間磁界結合係数を適宜
調整することができる。図１７ないし図２０において他
の符号及び構成は、図９及び図１０と同様である。
【００１８】図２１は、図１に示した本発明共振器を用
いて構成したろ波器の他の例を示す断面図（図９と同様
の断面図）で、7pは入力（又は出力）結合用プロ−ブ、
8Pは出力（又は入力）結合用プロ−ブ、191 ないし193
は導体板より成る隔壁、2011ないし2032は容量形成電
極、211 ないし213 は接続導体で、隔壁191 ないし193
との間を絶縁を保って隔壁191 ないし193 に挿通され、
接続導体211 は電極2011と2012とを接続して、柱状体21
を含む共振器と柱状体22を含む共振器とを容量結合す
る。他の共振器間の結合も同様である。図２２もまた、
容量結合によって段間を結合するろ波器を示す断面図
で、221ないし223 は断面コの字形の容量形成電極、231
ないし233 は回転支軸で、共通のシ−ルドケ−ス1Cの
上壁との間を絶縁を保って上壁に回転可能に取り付けて
ある。支軸231 を回転させると、この支軸に支持されて
いる電極221 もまた回転して段間結合容量係数が変化す
る。他の段間結合も同様である。他の符号は、図２１と
同様である。
【００１９】上記各実施例におけるろ波器は、回路次数
が４の場合を例示してあるが、適宜増減して本発明を実
施することができる。上記各実施例は、コムライン形ろ
波器の場合を示してあるが、インタディジタル形ろ波器
にも実施可能である。各ろ波器を構成する共振器は、図
１に示した共振器の代わりに、図５ないし図８に示した
共振器を用いて構成することもできる。図９ないし図２
０に示したろ波器においては入出力結合素子としてル−
プを用いた場合を例示したが、プロ−ブを用いてもよ
く、図２１及び図２２に示したろ波器においても入出力
結合素子としてプロ−ブの代わりにル−プを用いてもよ
い・
【００２０】
【発明の効果】本発明共振器は、構成が簡潔で、固体誘
電体より成る柱状体２と可動電極３によって形成される
共振容量素子を容量可変形に形成してあるので、共振周
波数を広範囲に亙って設定可能であるから、同一形状寸
法の部品を用いて広範囲に亙る各種共振周波数の共振器
の形成が可能で、したがって、コストを下げることがで
きる。図５ないし図７に示した実施例においては、上記
の特長の他、耐電圧特性を良好にすることができる等の
特長を有し、本発明共振器より成るろ波器もまた上記と
同様の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】本発明共振器の等価回路図である。
【図３】本発明共振器の等価回路図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図８】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図９】本発明共振器より成るろ波器を示す断面図であ
る。
【図１０】本発明共振器より成るろ波器を示す断面図で
ある。
【図１１】本発明ろ波器の等価回路図である。
【図１２】本発明ろ波器の等価回路図である。
【図１３】本発明ろ波器の設計手法を説明するための図
である。
【図１４】本発明ろ波器の設計手法を説明するための図
である。
【図１５】本発明ろ波器の設計手法を説明するための図
である。
【図１６】本発明ろ波器の伝送特性を示す曲線図であ
る。
【図１７】本発明共振器より成るろ波器を示す断面図で
ある。
【図１８】本発明共振器より成るろ波器を示す断面図で
ある。
【図１９】本発明共振器より成るろ波器を示す断面図で
ある。
【図２０】本発明共振器より成るろ波器を示す断面図で
ある。
【図２１】本発明共振器より成るろ波器を示す断面図で
ある。
【図２２】本発明共振器より成るろ波器を示す断面図で
ある。
【図２３】従来の共振器の要部を示す断面図である。
【図２４】従来の共振器の要部を示す断面図である。
【符号の説明】
１ シ−ルドケ−ス ２ 固体誘電体より成る柱状体 21〜24 固体誘電体より成る柱状体 ３ 可動電極 31〜34 可動電極 ４ ロックナット 41〜44 ロックナット ５、６ 入出力端子 7L、8L 入出力結合素子 ９ 共振周波数微調整素子 91〜94 共振周波数微調整素子 10 ロックナット 101 〜104 ロックナット 7P、8P 入出力結合素子 11〜16 導体板 1711〜1732 段間結合調整素子 181 〜183 段間結合調整素子 191 〜193 隔壁 2011〜2032 容量形成電極 211 〜213 接続導体 221 〜223 容量形成電極 231 〜233 回転支軸 24 TM01δモ−ド誘電体共振素子

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】シ−ルドケ−スの下壁に下端部が固定さ
    れ、上端面が適宜間隔を隔てて前記シ−ルドケ−スの上
    壁と対向する固体誘電体より成る柱状体と、 下端面が前記固体誘電体より成る柱状体の上端面と対向
    すると共に、この対向間隙長を変えることが可能なよう
    に前記シ−ルドケ−スの上壁に取り付けられた可動電極
    とによって形成される可変共振容量素子を備えたことを
    特徴とする誘電体共振器。
  2. 【請求項２】シ−ルドケ−スの下壁に下端部が固定さ
    れ、上端面が適宜間隔を隔てて前記シ−ルドケ−スの上
    壁と対向する固体誘電体より成る柱状体と、下端面が前
    記固体誘電体より成る柱状体の上端面と対向すると共
    に、この対向間隙長を変えることが可能なように前記シ
    −ルドケ−スの上壁に取り付けられた可動電極とによっ
    て形成される可変共振容量素子と、 入力端子と前記可変共振容量素子とを高周波的に結合す
    る手段と、 出力端子と前記可変共振容量素子とを高周波的に結合す
    る手段とを備えたことを特徴とする誘電体共振器。
  3. 【請求項３】シ−ルドケ−スの下壁に下端部が固定さ
    れ、上端面が適宜間隔を隔てて前記シ−ルドケ−スの上
    壁と対向する固体誘電体より成る柱状体と、 前記固体誘電体より成る柱状体の上端面に取り付けら
    れ、前記固体誘電体より成る柱状体の横断面の面積に比
    し大なる面積を有し、前記シ−ルドケ−スの上壁と適宜
    間隔を隔てて対向する導体板と、 下端面が前記固体誘電体より成る柱状体の上端面に取り
    付けられた導体板と対向し、この対向間隙長を変えるこ
    とが可能なように前記シ−ルドケ−スの上壁に取り付け
    られ、横断面の面積が、前記固体誘電体より成る柱状体
    の上端面に取り付けられた導体板の面積とほぼ等しい可
    動電極とによって形成される可変共振容量素子を備えた
    ことを特徴とする誘電体共振器。
  4. 【請求項４】シ−ルドケ−スの下壁に下端部が固定さ
    れ、上端面が適宜間隔を隔てて前記シ−ルドケ−スの上
    壁と対向する固体誘電体より成る柱状体と、前記固体誘
    電体より成る柱状体の上端面に取り付けられ、前記固体
    誘電体より成る柱状体の横断面の面積に比し大なる面積
    を有し、前記シ−ルドケ−スの上壁と適宜間隔を隔てて
    対向する導体板と、下端面が前記固体誘電体より成る柱
    状体の上端面に取り付けられた導体板と対向し、この対
    向間隙長を変えることが可能なように前記シ−ルドケ−
    スの上壁に取り付けられ、横断面の面積が、前記固体誘
    電体より成る柱状体の上端面に取り付けられた導体板の
    面積とほぼ等しい可動電極とによって形成される可変共
    振容量素子と、 入力端子と前記可変共振容量素子とを高周波的に結合す
    る手段と、 出力端子と前記可変共振容量素子とを高周波的に結合す
    る手段とを備えたことを特徴とする誘電体共振器。
  5. 【請求項５】シ−ルドケ−スの下壁に下端部が固定さ
    れ、上端面が適宜間隔を隔てて前記シ−ルドケ−スの上
    壁と対向する固体誘電体より成る柱状体と、前記固体誘
    電体より成る柱状体の上端面に取り付けられ、前記固体
    誘電体より成る柱状体の横断面の面積に比し大なる面積
    を有し、前記シ−ルドケ−スの上壁と適宜間隔を隔てて
    対向する導体板と、前記シ−ルドケ−スの上壁に取り付
    けられ、板面が前記固体誘電体より成る柱状体の上端面
    に取り付けられた導体板と適宜間隔を隔てて対向し、面
    積が、前記固体誘電体より成る柱状体の上端面に取り付
    けられた導体板の面積とほぼ等しい導体板とによって形
    成される共振容量素子と、 入力端子と前記共振容量素子とを高周波的に結合する手
    段と、 出力端子と前記共振容量素子とを高周波的に結合する手
    段とを備えたことを特徴とする誘電体共振器。
  6. 【請求項６】シ−ルドケ−スの下壁に下端部が固定さ
    れ、上端面が適宜間隔を隔てて前記シ−ルドケ−スの上
    壁と対向する固体誘電体より成る柱状体と、前記固体誘
    電体より成る柱状体の上端面に取り付けられ、前記固体
    誘電体より成る柱状体の横断面の面積に比し大なる面積
    を有し、前記シ−ルドケ−スの上壁と適宜間隔を隔てて
    対向する導体板と、前記シ−ルドケ−スの上壁に着脱可
    能に取り付けられ、板面が前記固体誘電体より成る柱状
    体の上端面に取り付けられた導体板と適宜間隔を隔てて
    対向し、面積が、前記固体誘電体より成る柱状体の上端
    面に取り付けられた導体板とほぼ等しい導体板と、前記
    シ−ルドケ−スの上壁に着脱可能に取り付けられた導体
    板と螺合して設けられ、下端面が前記固体誘電体より成
    る柱状体の上端面に取り付けられた導体板と対向し、こ
    の対向間隙長を変えることが可能なように前記シ−ルド
    ケ−スの上壁に取り付けられた可動電極とによって形成
    される可変共振容量素子と、 入力端子と前記可変共振容量素子とを高周波的に結合す
    る手段と、 出力端子と前記可変共振容量素子とを高周波的に結合す
    る手段とを備えたことを特徴とする誘電体共振器。
  7. 【請求項７】共通のシ−ルドケ−スの下壁に下端部が固
    定され、上端面が適宜間隔を隔てて前記共通のシ−ルド
    ケ−スの上壁と対向する固体誘電体より成る柱状体と、
    下端面が前記固体誘電体より成る柱状体の上端面と対向
    すると共に、この対向間隙長を変えることが可能なよう
    に前記共通のシ−ルドケ−スの上壁に取り付けられた可
    動電極とによって形成され、互いに適宜間隔を隔てて配
    設されると共に、高周波的に縱続接続された複数個の可
    変共振容量素子と、 前記複数個の可変共振容量素子のうち、初段の可変共振
    容量素子を入力端子に高周波的に結合する手段と、 前記複数個の可変共振容量素子のうち、終段の可変共振
    容量素子を出力端子に高周波的に結合する手段とを備え
    たことを特徴とするろ波器。
  8. 【請求項８】複数個の可変共振容量素子の縱続接続態様
    が、磁界結合である請求項７に記載のろ波器。
  9. 【請求項９】複数個の可変共振容量素子の縱続接続態様
    が、電界結合である請求項７に記載のろ波器。
  10. 【請求項１０】可変共振容量素子が、 共通のシ−ルドケ−スの下壁に下端部が固定され、上端
    面が適宜間隔を隔てて前記共通のシ−ルドケ−スの上壁
    と対向する固体誘電体より成る柱状体と、 前記固体誘電体より成る柱状体の上端面に取り付けら
    れ、前記固体誘電体より成る柱状体の横断面の面積に比
    し大なる面積を有し、前記共通のシ−ルドケ−スの上壁
    と適宜間隔を隔てて対向する導体板と、 下端面が、前記固体誘電体より成る柱状体の上端面に取
    り付けられた導体板と対向すると共に、この対向間隙長
    を変えることが可能なように前記共通のシ−ルドケ−ス
    の上壁に取り付けられ、横断面の面積が、前記固体誘電
    体より成る柱状体の上端面に取り付けられた導体板の面
    積とほぼ等しい可動電極とによって形成された請求項７
    に記載のろ波器。
JP29233894A 1994-11-01 1994-11-01 誘電体共振器及びこの共振器より成るろ波器 Pending JPH08130402A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011517253A (ja) * 2008-04-14 2011-05-26 レディオ フリークエンシー システムズ インコーポレーテッド 懸架誘導体くし形キャビティフィルタ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011517253A (ja) * 2008-04-14 2011-05-26 レディオ フリークエンシー システムズ インコーポレーテッド 懸架誘導体くし形キャビティフィルタ

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