JPH08130284A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH08130284A JPH08130284A JP26712694A JP26712694A JPH08130284A JP H08130284 A JPH08130284 A JP H08130284A JP 26712694 A JP26712694 A JP 26712694A JP 26712694 A JP26712694 A JP 26712694A JP H08130284 A JPH08130284 A JP H08130284A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
- integrated circuit
- circuit board
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3405—Edge mounted components, e.g. terminals
Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路基板の配線とリード端子を接続して
樹脂モールドで封止して成る半導体装置において、樹脂
成形工程での樹脂の流れ性を阻害しない形状のリードフ
レームを実現し、樹脂の未充填箇所の発生を無くし、歩
留まり向上を図る。 【構成】 隣接したリード同士が同電位である部位にお
いては、リード端子２３は隣接する２本のリード部（柄
部）２３ｂ，２３ｂを持ち、先端部に相互に連結した共
用固着片２３ａを有している。パッドダウン形の吊り上
げ屈曲部２３ｄ，２３ｄ間にもリード間スリット２３ｅ
が切込み形成されている。トランスファーモールドによ
る樹脂成形工程においては、吊り上げ屈曲部２３ｄ，２
３ｄが連結されておらず、樹脂の流れの障壁とはならな
いので、リード間スリット２３ｅを通して円滑に流れ
る。このため、樹脂の行き渡りが充分となり、樹脂の未
充填部分の発生が無くなり、外観不良の発生率を減少さ
せることができる。
樹脂モールドで封止して成る半導体装置において、樹脂
成形工程での樹脂の流れ性を阻害しない形状のリードフ
レームを実現し、樹脂の未充填箇所の発生を無くし、歩
留まり向上を図る。 【構成】 隣接したリード同士が同電位である部位にお
いては、リード端子２３は隣接する２本のリード部（柄
部）２３ｂ，２３ｂを持ち、先端部に相互に連結した共
用固着片２３ａを有している。パッドダウン形の吊り上
げ屈曲部２３ｄ，２３ｄ間にもリード間スリット２３ｅ
が切込み形成されている。トランスファーモールドによ
る樹脂成形工程においては、吊り上げ屈曲部２３ｄ，２
３ｄが連結されておらず、樹脂の流れの障壁とはならな
いので、リード間スリット２３ｅを通して円滑に流れ
る。このため、樹脂の行き渡りが充分となり、樹脂の未
充填部分の発生が無くなり、外観不良の発生率を減少さ
せることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、混成集積回路（ハイブ
リッドＩＣ）等の表面実装形の半導体装置に関し、特
に、集積回路基板を樹脂パッケージで封止して成る半導
体装置に関する。
リッドＩＣ）等の表面実装形の半導体装置に関し、特
に、集積回路基板を樹脂パッケージで封止して成る半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、混成集積回路（ハイブリッドＩ
Ｃ）のＱＦＰ（Quad Flat Package)パッケージ等による
表面実装構造は、図１３に示す如く、半導体チップ１や
コンデンサ２等の各種電子部品を搭載した混成集積回路
の部品搭載基板（厚膜セラミック基板）３を基板保持用
の吊りリード４のアイランド（ダイパッド部）に載せて
位置決めした後、リードフレームのインナーリード（リ
ード端子）５の先端部と基板上に形成された膜配線のラ
ンド部とを金線６でボンディングを行い、トランスファ
ーモールドにより樹脂パッケージ（外囲器）７で封止し
た構造を有している。半導体チップ１と基板３の膜配線
のランド部との間も金線６でボンディングされている。
このような混成集積回路基板の樹脂パッケージの表面実
装構造にあっては、インナーリード５と基板３との電気
的接続は金線６で達成されるようになっているため、そ
のワイヤーボンディング工程前に基板３を基板保持用の
吊りリード４のアイランド上で機械的接続を行う必要が
ある。このため、吊りリード４が別部品として必須とな
ることから、樹脂パッケージの外形寸法が吊りリード４
の外形寸法に依存する場合があり、半導体装置のサイズ
小型化の障害になっていた。また、電気的接続工程（ワ
イヤーボンディング工程）以前に機械的接続工程（基板
３の吊りリード４への搭載）を別工程で行う必要がある
ため、工程数の削減が難しく、製造コスト高を招いてい
た。
Ｃ）のＱＦＰ（Quad Flat Package)パッケージ等による
表面実装構造は、図１３に示す如く、半導体チップ１や
コンデンサ２等の各種電子部品を搭載した混成集積回路
の部品搭載基板（厚膜セラミック基板）３を基板保持用
の吊りリード４のアイランド（ダイパッド部）に載せて
位置決めした後、リードフレームのインナーリード（リ
ード端子）５の先端部と基板上に形成された膜配線のラ
ンド部とを金線６でボンディングを行い、トランスファ
ーモールドにより樹脂パッケージ（外囲器）７で封止し
た構造を有している。半導体チップ１と基板３の膜配線
のランド部との間も金線６でボンディングされている。
このような混成集積回路基板の樹脂パッケージの表面実
装構造にあっては、インナーリード５と基板３との電気
的接続は金線６で達成されるようになっているため、そ
のワイヤーボンディング工程前に基板３を基板保持用の
吊りリード４のアイランド上で機械的接続を行う必要が
ある。このため、吊りリード４が別部品として必須とな
ることから、樹脂パッケージの外形寸法が吊りリード４
の外形寸法に依存する場合があり、半導体装置のサイズ
小型化の障害になっていた。また、電気的接続工程（ワ
イヤーボンディング工程）以前に機械的接続工程（基板
３の吊りリード４への搭載）を別工程で行う必要がある
ため、工程数の削減が難しく、製造コスト高を招いてい
た。
【０００３】上述の表面実装構造に対して、吊りリード
４を用いずに、図１４に示す如く、混成集積回路の基板
３を樹脂パッケージ７で封止した表面実装構造を採用す
ることができる。各インナーリード５の先端部５ａは基
板３の縁部に形成されたランド部３ａに合わせて半田等
で固着接続されている。
４を用いずに、図１４に示す如く、混成集積回路の基板
３を樹脂パッケージ７で封止した表面実装構造を採用す
ることができる。各インナーリード５の先端部５ａは基
板３の縁部に形成されたランド部３ａに合わせて半田等
で固着接続されている。
【０００４】しかしながら、インナーリード５の先端部
５ａを基板３のランド部３ａに半田接続した後、トラン
スファーモールドにより樹脂パッケージ７で基板３及び
リード５を封止した表面実装構造では、次のような問題
点がある。
５ａを基板３のランド部３ａに半田接続した後、トラン
スファーモールドにより樹脂パッケージ７で基板３及び
リード５を封止した表面実装構造では、次のような問題
点がある。
【０００５】 樹脂パッケージの外形寸法を縮小化す
る下では、リード端子５の幅寸法やリード間ピッチが縮
小化するため、半田の固着代が狭くなり、リード端子５
の固着強度（半田付け強度）が弱くなる。また、リード
間ピッチが狭いため、半田ブリッジが多発し、歩留まり
の低下を招いている。
る下では、リード端子５の幅寸法やリード間ピッチが縮
小化するため、半田の固着代が狭くなり、リード端子５
の固着強度（半田付け強度）が弱くなる。また、リード
間ピッチが狭いため、半田ブリッジが多発し、歩留まり
の低下を招いている。
【０００６】 樹脂モールドの意義は基板の封止性と
リードの抜け止め保持にあるが、昨今では後者のリード
の抜け止め保持に力点が移りつつあり、トランスファー
モールド後は、リード端子５の先端部５ａでの半田等の
固着力よりリード端子５の樹脂材の着き回りによる抜け
止め耐力の方が強くなくてはならない。しかし、リード
端子５の幅寸法が縮小化していくと、樹脂材との着き回
り部分が減少するので、リード端子の抜け止め耐力が減
少するという問題点があった。
リードの抜け止め保持にあるが、昨今では後者のリード
の抜け止め保持に力点が移りつつあり、トランスファー
モールド後は、リード端子５の先端部５ａでの半田等の
固着力よりリード端子５の樹脂材の着き回りによる抜け
止め耐力の方が強くなくてはならない。しかし、リード
端子５の幅寸法が縮小化していくと、樹脂材との着き回
り部分が減少するので、リード端子の抜け止め耐力が減
少するという問題点があった。
【０００７】このような問題点を解決するため、本発明
者は、隣接したリード同士が同電位である部位において
は、図１５に示すような特殊形状のリードフレーム（リ
ード端子）８を提案する。このリード端子８は隣接する
２本のリード部（柄部）８ｂ，８ｂを持ち、両者先端部
に相互に連結した共用固着片８ａを有している。先端部
の共用固着片８ａは集積回路基板３の縁部裏面を受けて
支持する基板吊り部となっており、リード端子８は連結
した吊り上げ屈曲部８ｃで屈曲したパッドダイン形のリ
ードフレームである。これに対し、回路基板３の縁部裏
面には共用固着片８ａの合わせ代より幅広い幅広ランド
部９が形成されている。通常のリード端子は先端部まで
一様幅の１本のリード部を有しているが、上記リード端
子８は先端部にリード部８ｂの幅の和以上の幅寸法を持
つ共用固着片８ａを有しているため、隣接のリード端子
の先端部を個別的に半田付けする場合に比し、共用固着
片８ａで半田付けする方が固着代が広くなっているの
で、固着強度を高めることができる。この結果、リード
端子の接続強度が向上する。また、リード間ピッチを広
くすることができるので、半田ブリッジの発生率を減少
させることができる。
者は、隣接したリード同士が同電位である部位において
は、図１５に示すような特殊形状のリードフレーム（リ
ード端子）８を提案する。このリード端子８は隣接する
２本のリード部（柄部）８ｂ，８ｂを持ち、両者先端部
に相互に連結した共用固着片８ａを有している。先端部
の共用固着片８ａは集積回路基板３の縁部裏面を受けて
支持する基板吊り部となっており、リード端子８は連結
した吊り上げ屈曲部８ｃで屈曲したパッドダイン形のリ
ードフレームである。これに対し、回路基板３の縁部裏
面には共用固着片８ａの合わせ代より幅広い幅広ランド
部９が形成されている。通常のリード端子は先端部まで
一様幅の１本のリード部を有しているが、上記リード端
子８は先端部にリード部８ｂの幅の和以上の幅寸法を持
つ共用固着片８ａを有しているため、隣接のリード端子
の先端部を個別的に半田付けする場合に比し、共用固着
片８ａで半田付けする方が固着代が広くなっているの
で、固着強度を高めることができる。この結果、リード
端子の接続強度が向上する。また、リード間ピッチを広
くすることができるので、半田ブリッジの発生率を減少
させることができる。
【０００８】ここでまた、リード端子８の２本のリード
部（柄部）８ｂ，８ｂの間にはリード間スリット８ｄが
切込み形成されており、リード方向に対して直交する方
向に連結部としての吊り上げ屈曲部８ｃが位置してい
る。この吊り上げ屈曲部８ｃは樹脂パッケージ７内に樹
脂封止されているため、投錨効果が発揮し、リード端子
の抜け止め耐力を増強しており、リード端子の接続強度
を高めている。
部（柄部）８ｂ，８ｂの間にはリード間スリット８ｄが
切込み形成されており、リード方向に対して直交する方
向に連結部としての吊り上げ屈曲部８ｃが位置してい
る。この吊り上げ屈曲部８ｃは樹脂パッケージ７内に樹
脂封止されているため、投錨効果が発揮し、リード端子
の抜け止め耐力を増強しており、リード端子の接続強度
を高めている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１５
に示す形状のリードフレームを有する半導体装置にあっ
ては、次のような問題点があった。
に示す形状のリードフレームを有する半導体装置にあっ
ては、次のような問題点があった。
【００１０】 このようなパッドダウン形のリードフ
レームで隣接リードの先端部が連結したものを用いる
と、トランスファーモールドによる樹脂成形工程におい
て、連結した吊り上げ屈曲部８ｃが障壁となり、樹脂の
流れ性が悪く、樹脂の未充填箇所が発生し易く、外観不
良となるものがあり、歩留まりの低下を招く。
レームで隣接リードの先端部が連結したものを用いる
と、トランスファーモールドによる樹脂成形工程におい
て、連結した吊り上げ屈曲部８ｃが障壁となり、樹脂の
流れ性が悪く、樹脂の未充填箇所が発生し易く、外観不
良となるものがあり、歩留まりの低下を招く。
【００１１】 また、従来の集積回路基板の隅部が角
ばって突き出ているため、この部分でも樹脂の流れ性は
悪い。更に、樹脂パッケージの隅部では応力集中があ
り、クラックが発生し易く、信頼性が低下することがあ
る。
ばって突き出ているため、この部分でも樹脂の流れ性は
悪い。更に、樹脂パッケージの隅部では応力集中があ
り、クラックが発生し易く、信頼性が低下することがあ
る。
【００１２】そこで上記問題点に鑑み、集積回路基板の
配線とリード端子を接続して樹脂モールドで封止して成
る半導体装置において、本発明の第１の課題は、トラン
スファーモールドによる樹脂成形工程において、樹脂の
流れ性を阻害しない形状のリードフレームを実現するこ
とにより、樹脂の未充填箇所の発生を無くし、歩留まり
の向上を図ることにあり、本発明の第２の課題は、集積
回路基板の隅歩形状を工夫することにより、樹脂の未充
填箇所の発生を無くし、歩留まりの向上を図ることにあ
る。
配線とリード端子を接続して樹脂モールドで封止して成
る半導体装置において、本発明の第１の課題は、トラン
スファーモールドによる樹脂成形工程において、樹脂の
流れ性を阻害しない形状のリードフレームを実現するこ
とにより、樹脂の未充填箇所の発生を無くし、歩留まり
の向上を図ることにあり、本発明の第２の課題は、集積
回路基板の隅歩形状を工夫することにより、樹脂の未充
填箇所の発生を無くし、歩留まりの向上を図ることにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の課題を解
決するための第１の手段は、集積回路基板の配線とその
リード端子の先端部とを半田等で固着して導電接続し、
樹脂モールドで封止して成る半導体装置において、上記
リード端子の先端部が上記集積回路基板の縁部裏面を受
けて支持する基板吊り部となるパッドダウン形のリード
フレームを有し、隣接する２以上の上記リード端子の上
記基板吊り部は相互に連結した共用固着片を有してお
り、上記共用固着片を有する隣接のリード端子同士の吊
り上げ屈曲部にまでリード間スリットが切込み形成され
て成ることを特徴とする。
決するための第１の手段は、集積回路基板の配線とその
リード端子の先端部とを半田等で固着して導電接続し、
樹脂モールドで封止して成る半導体装置において、上記
リード端子の先端部が上記集積回路基板の縁部裏面を受
けて支持する基板吊り部となるパッドダウン形のリード
フレームを有し、隣接する２以上の上記リード端子の上
記基板吊り部は相互に連結した共用固着片を有してお
り、上記共用固着片を有する隣接のリード端子同士の吊
り上げ屈曲部にまでリード間スリットが切込み形成され
て成ることを特徴とする。
【００１４】また本発明の第１の課題を解決するための
第２の手段は、集積回路基板の配線とそのリード端子と
を接続して樹脂モールドで封止して成る半導体装置にお
いて、上記集積回路基板に接続するリード端子とは別体
であって、上記集積回路基板の縁部裏面に固着された幅
広部及び上記幅広部から櫛歯状に延出する複数のリード
端子を備えたパッドダウン形のリードフレームを有し、
上記リードフレームの隣接する上記リード端子同士の吊
り上げ屈曲部にまでリード間スリットが切込み形成され
て成ることを特徴とする。
第２の手段は、集積回路基板の配線とそのリード端子と
を接続して樹脂モールドで封止して成る半導体装置にお
いて、上記集積回路基板に接続するリード端子とは別体
であって、上記集積回路基板の縁部裏面に固着された幅
広部及び上記幅広部から櫛歯状に延出する複数のリード
端子を備えたパッドダウン形のリードフレームを有し、
上記リードフレームの隣接する上記リード端子同士の吊
り上げ屈曲部にまでリード間スリットが切込み形成され
て成ることを特徴とする。
【００１５】他方、本発明の第２の課題を解決するため
の第３の手段は、集積回路基板の配線とそのリード端子
を接続して樹脂モールドパッケージで封止して成る半導
体装置において、上記集積回路基板の隅部輪郭は角落と
し形状であることを特徴とする。ここで、角落とし形状
としてはアール（Ｒ）であっても良いし、また面取りで
あっても良い。そして、集積回路基板の隅部輪郭に臨む
上記樹脂モールドパッケージの隅部輪郭も角落とし形状
であることが望ましい。
の第３の手段は、集積回路基板の配線とそのリード端子
を接続して樹脂モールドパッケージで封止して成る半導
体装置において、上記集積回路基板の隅部輪郭は角落と
し形状であることを特徴とする。ここで、角落とし形状
としてはアール（Ｒ）であっても良いし、また面取りで
あっても良い。そして、集積回路基板の隅部輪郭に臨む
上記樹脂モールドパッケージの隅部輪郭も角落とし形状
であることが望ましい。
【００１６】
【作用】本発明は、共用固着片又は幅広部から櫛歯状に
延出する複数のリード端子を有するパッドダウン形のリ
ードフレームを用いてあるものの、リードフレームの隣
接するリード端子同士の吊り上げ屈曲部にまでリード間
スリットが切込み形成されている。このため、トランス
ファーモールドによる樹脂成形工程においては、吊り上
げ屈曲部が樹脂の流れの障壁とはならず、それに形成さ
れたリード間スリットを通して円滑に流れるようになっ
ているので、パッドダウン形のリードフレームの周りや
中央部分へも樹脂の行き渡りが充分となり、樹脂の未充
填部分の発生が無くなり、外観不良の発生率を減少させ
ることができる。
延出する複数のリード端子を有するパッドダウン形のリ
ードフレームを用いてあるものの、リードフレームの隣
接するリード端子同士の吊り上げ屈曲部にまでリード間
スリットが切込み形成されている。このため、トランス
ファーモールドによる樹脂成形工程においては、吊り上
げ屈曲部が樹脂の流れの障壁とはならず、それに形成さ
れたリード間スリットを通して円滑に流れるようになっ
ているので、パッドダウン形のリードフレームの周りや
中央部分へも樹脂の行き渡りが充分となり、樹脂の未充
填部分の発生が無くなり、外観不良の発生率を減少させ
ることができる。
【００１７】他方、本発明は、集積回路基板の隅部輪郭
が角落とし形状となっている。このため、トランスファ
ーモールドによる樹脂成形工程においては、隅部輪郭で
の樹脂の流れ性が向上し、この部分でも樹脂の未充填部
分の発生を無くすることができる。また同時に、樹脂モ
ールドパッケージの隅部輪郭も角落とし形状となってい
る場合は、応力集中を低減できるので、隅部でのクラッ
クの発生を無くすことができ、パッケージ信頼性が向上
する。
が角落とし形状となっている。このため、トランスファ
ーモールドによる樹脂成形工程においては、隅部輪郭で
の樹脂の流れ性が向上し、この部分でも樹脂の未充填部
分の発生を無くすることができる。また同時に、樹脂モ
ールドパッケージの隅部輪郭も角落とし形状となってい
る場合は、応力集中を低減できるので、隅部でのクラッ
クの発生を無くすことができ、パッケージ信頼性が向上
する。
【００１８】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１９】図１は本発明の実施例に係る半導体装置を
示す平面図、図２は同半導体装置の底面図、図３は図１
のＡ−Ａ′線に沿って切断した状態を示す矢視図、図４
（ａ）は図１のＢ−Ｂ′線に沿って切断した状態を示す
切断図、図４（ｂ）は図１のＣ−Ｃ′線に沿って切断し
た状態を示す切断図である。
示す平面図、図２は同半導体装置の底面図、図３は図１
のＡ−Ａ′線に沿って切断した状態を示す矢視図、図４
（ａ）は図１のＢ−Ｂ′線に沿って切断した状態を示す
切断図、図４（ｂ）は図１のＣ−Ｃ′線に沿って切断し
た状態を示す切断図である。
【００２０】本例の半導体装置の基本的な構成は、矩形
の混成集積回路基板１０と、これに接続するアルミニウ
ム製のリードフレーム（タイバーを図示せず）２０と、
パワー電子部品を専用的に搭載する４枚独立のリードフ
レーム３１〜３４と、これらを封止するためのトランス
ファーモールドにより成形した表面実装形の樹脂パッケ
ージ（ＱＦＰ）４０とから成る。混成集積回路基板１０
はセラミック集積回路基板で、表面側に抵抗器Ｒ１，Ｒ
３〜Ｒ５，Ｒ７，Ｒ８，コンデンサＣ１〜Ｃ９、ダイオ
ードＤ２，Ｄ３を搭載すると共に、裏面側に抵抗器Ｒ
２，Ｒ６，Ｒ９，制御用半導体集積回路（ＩＣ１）チッ
プ（フリップ・チップ）１５を搭載しており、厚膜配線
（図示せず）が表裏面に形成されている。Ｗ１はダイオ
ードＤ２のアノード（Ａ）とボンディングパッドＰ５と
を接続するアルミニウム製のボンディングワイア、Ｗ２
はダイオードＤ３のアノード（Ａ）とボンディングパッ
ドＰ７とを接続するアルミニウム製のボンディングワイ
アである。なお、混成集積回路基板１０上に半導体ＩＣ
チップを搭載し、これと基板上の配線（ランド部）とを
ワイアボンディングしても良い。
の混成集積回路基板１０と、これに接続するアルミニウ
ム製のリードフレーム（タイバーを図示せず）２０と、
パワー電子部品を専用的に搭載する４枚独立のリードフ
レーム３１〜３４と、これらを封止するためのトランス
ファーモールドにより成形した表面実装形の樹脂パッケ
ージ（ＱＦＰ）４０とから成る。混成集積回路基板１０
はセラミック集積回路基板で、表面側に抵抗器Ｒ１，Ｒ
３〜Ｒ５，Ｒ７，Ｒ８，コンデンサＣ１〜Ｃ９、ダイオ
ードＤ２，Ｄ３を搭載すると共に、裏面側に抵抗器Ｒ
２，Ｒ６，Ｒ９，制御用半導体集積回路（ＩＣ１）チッ
プ（フリップ・チップ）１５を搭載しており、厚膜配線
（図示せず）が表裏面に形成されている。Ｗ１はダイオ
ードＤ２のアノード（Ａ）とボンディングパッドＰ５と
を接続するアルミニウム製のボンディングワイア、Ｗ２
はダイオードＤ３のアノード（Ａ）とボンディングパッ
ドＰ７とを接続するアルミニウム製のボンディングワイ
アである。なお、混成集積回路基板１０上に半導体ＩＣ
チップを搭載し、これと基板上の配線（ランド部）とを
ワイアボンディングしても良い。
【００２１】この矩形の混成集積回路基板１０に対して
はその三辺にＱＦＰ用リードフレーム２０の多数のイン
ナーリード（リード端子）２２，２２′，２３，２
３′，２４，２５の先端部が臨んでいる。数種類のリー
ド端子２２，２２′，２３，２３′，２５は図３に示す
如く先端部側を下方に屈曲してから上方に戻して屈曲さ
せたスプーン状の屈曲部（パッドダウン形）となってい
る。そのうちリード端子２２，２２′，２３，２３′の
先端部は回路基板１０の縁部裏面のランド部ａ，ｂ，ｃ
を受けて基板１０を支持する基板吊り部２２ａ，２２′
ａ，２３ａ，２３′ａとなっている。基板吊り部２２
ａ，２２′ａ，２３ａ，２３′ａを半田又は導電性接着
剤で固着し、基板１０に対し電気的接続と同時に機械的
接続が達成されている。このため、基板保持用の吊りリ
ードが不要となっている。従って、半導体装置の外形寸
法を制限する吊りリードが無くなっているので、小型パ
ッケージの半導体装置を実現できる。
はその三辺にＱＦＰ用リードフレーム２０の多数のイン
ナーリード（リード端子）２２，２２′，２３，２
３′，２４，２５の先端部が臨んでいる。数種類のリー
ド端子２２，２２′，２３，２３′，２５は図３に示す
如く先端部側を下方に屈曲してから上方に戻して屈曲さ
せたスプーン状の屈曲部（パッドダウン形）となってい
る。そのうちリード端子２２，２２′，２３，２３′の
先端部は回路基板１０の縁部裏面のランド部ａ，ｂ，ｃ
を受けて基板１０を支持する基板吊り部２２ａ，２２′
ａ，２３ａ，２３′ａとなっている。基板吊り部２２
ａ，２２′ａ，２３ａ，２３′ａを半田又は導電性接着
剤で固着し、基板１０に対し電気的接続と同時に機械的
接続が達成されている。このため、基板保持用の吊りリ
ードが不要となっている。従って、半導体装置の外形寸
法を制限する吊りリードが無くなっているので、小型パ
ッケージの半導体装置を実現できる。
【００２２】ここで、回路基板１０の縁部裏面のうち隣
接したリード同士が同電位である部位においては、図６
に示す如く、特殊形状のリード端子２３が用いられてい
る。
接したリード同士が同電位である部位においては、図６
に示す如く、特殊形状のリード端子２３が用いられてい
る。
【００２３】このリード端子２３は隣接する２本のリー
ド部（柄部）２３ｂ，２３ｂを持ち、両者先端部に相互
に連結した共用固着片２３ａを有している。パッドダウ
ン形の吊り上げ屈曲部２３ｄ，２３ｄ間にもリード間ス
リット２３ｅが切込み形成されている。これに対し、回
路基板１０の縁部裏面には共用固着片２３ａの合わせ代
より幅広い幅広ランド部ｂが形成されている。通常のリ
ード端子２２は先端部まで一様幅の１本のリード部を有
しているが、上記リード端子２３は先端部にリード部２
３ｂの幅の和以上の幅寸法を持つ共用固着片２３ａを有
しているため、隣接のリード端子２２の先端部を個別的
に半田付けする場合に比し、共用固着片２３ａで半田付
けする方が固着代が広くなっているので、固着強度を高
めることができる。この結果、リード端子の接続強度が
向上する。また、リード間ピッチを広くすることができ
るので、半田ブリッジの発生率を減少させることができ
る。
ド部（柄部）２３ｂ，２３ｂを持ち、両者先端部に相互
に連結した共用固着片２３ａを有している。パッドダウ
ン形の吊り上げ屈曲部２３ｄ，２３ｄ間にもリード間ス
リット２３ｅが切込み形成されている。これに対し、回
路基板１０の縁部裏面には共用固着片２３ａの合わせ代
より幅広い幅広ランド部ｂが形成されている。通常のリ
ード端子２２は先端部まで一様幅の１本のリード部を有
しているが、上記リード端子２３は先端部にリード部２
３ｂの幅の和以上の幅寸法を持つ共用固着片２３ａを有
しているため、隣接のリード端子２２の先端部を個別的
に半田付けする場合に比し、共用固着片２３ａで半田付
けする方が固着代が広くなっているので、固着強度を高
めることができる。この結果、リード端子の接続強度が
向上する。また、リード間ピッチを広くすることができ
るので、半田ブリッジの発生率を減少させることができ
る。
【００２４】そして、リード端子２３においては吊り上
げ屈曲部２３ｄ，２３ｄまでリード間スリット２３ｅが
食い込んで形成されている。従って、トランスファーモ
ールドによる樹脂成形工程においては、吊り上げ屈曲部
２３ｄ，２３ｄが相互連結しておらず、樹脂の流れの障
壁とはならないので、図６（ａ）の矢印の如く、それに
形成されたリード間スリット２３ｅを通して円滑に流れ
るようになる。このため、パッドダウン形で先端部を連
結したリードフレームでありながら、リードフレームの
周りや中央部分へも樹脂の行き渡りが充分となり、樹脂
の未充填部分の発生が無くなり、外観不良の発生率を減
少させることができる。
げ屈曲部２３ｄ，２３ｄまでリード間スリット２３ｅが
食い込んで形成されている。従って、トランスファーモ
ールドによる樹脂成形工程においては、吊り上げ屈曲部
２３ｄ，２３ｄが相互連結しておらず、樹脂の流れの障
壁とはならないので、図６（ａ）の矢印の如く、それに
形成されたリード間スリット２３ｅを通して円滑に流れ
るようになる。このため、パッドダウン形で先端部を連
結したリードフレームでありながら、リードフレームの
周りや中央部分へも樹脂の行き渡りが充分となり、樹脂
の未充填部分の発生が無くなり、外観不良の発生率を減
少させることができる。
【００２５】ここで、リード端子２３の２本のリード部
（柄部）２３ｂ，２３ｂの屈曲部内側には鉤形部２３ｃ
が形成されている。この鉤形部２３ｃも図１及び図２に
示すように樹脂パッケージ４０内に樹脂封止されている
ため、投錨効果が発揮し、リード端子の接続強度が増し
ている。
（柄部）２３ｂ，２３ｂの屈曲部内側には鉤形部２３ｃ
が形成されている。この鉤形部２３ｃも図１及び図２に
示すように樹脂パッケージ４０内に樹脂封止されている
ため、投錨効果が発揮し、リード端子の接続強度が増し
ている。
【００２６】本例における１本リードの典型的なリード
端子２２は一様幅となっているが、図７（ａ）に示す如
く、吊り上げ屈曲部において両側又は片側に鉤状部２２
ｃを持つリード端子２６でも良い。この鉤状部２２ｃが
あり、先端部２６ａが幅広状（根太状）になっている
と、投錨効果が発揮でき、リード端子の樹脂モールド材
に対する抜け止め耐力が向上し、リード端子の接続強度
が増している。また、図７（ｂ）に示すリード端子２７
は先端部２７ａ側に鉤状部２７ｃが形成されており、先
端部２７ａは矩形状片となっている。更に、図８（ａ）
に示すリード端子２８の先端部２８ａは錨状片となって
おり、図８（ａ）に示すリード端子２９の先端部２９ａ
は円板状片となっている。
端子２２は一様幅となっているが、図７（ａ）に示す如
く、吊り上げ屈曲部において両側又は片側に鉤状部２２
ｃを持つリード端子２６でも良い。この鉤状部２２ｃが
あり、先端部２６ａが幅広状（根太状）になっている
と、投錨効果が発揮でき、リード端子の樹脂モールド材
に対する抜け止め耐力が向上し、リード端子の接続強度
が増している。また、図７（ｂ）に示すリード端子２７
は先端部２７ａ側に鉤状部２７ｃが形成されており、先
端部２７ａは矩形状片となっている。更に、図８（ａ）
に示すリード端子２８の先端部２８ａは錨状片となって
おり、図８（ａ）に示すリード端子２９の先端部２９ａ
は円板状片となっている。
【００２７】本例においては、リード端子２２とは形状
を異にした１本のリード部を持つリード端子２２′が存
在する。リード端子２２′の基板吊り部としての先端部
２２′ａはＬ形状で、リード部の幅の以上の幅寸法にな
っている。これに対し、回路基板１０の縁部裏面には先
端部２２′ａの合わせ代より幅広い幅広ランド部ｂが形
成されている。
を異にした１本のリード部を持つリード端子２２′が存
在する。リード端子２２′の基板吊り部としての先端部
２２′ａはＬ形状で、リード部の幅の以上の幅寸法にな
っている。これに対し、回路基板１０の縁部裏面には先
端部２２′ａの合わせ代より幅広い幅広ランド部ｂが形
成されている。
【００２８】また、リード端子２３′はリード端子２３
と同様に２本のリード部を有するものの、その先端部に
は共用固着片２３ａよりも幅広いＬ形状の共用固着片２
３′ａを有している。これに対し、回路基板１０の縁部
裏面には共用固着片２３′ａの合わせ代より広い幅広ラ
ンド部ｃが形成されている。
と同様に２本のリード部を有するものの、その先端部に
は共用固着片２３ａよりも幅広いＬ形状の共用固着片２
３′ａを有している。これに対し、回路基板１０の縁部
裏面には共用固着片２３′ａの合わせ代より広い幅広ラ
ンド部ｃが形成されている。
【００２９】リードフレーム２０の複数の非連結リード
（ＮＣピン）のうちリード端子２４は位置決め用非連結
リード端子で、図９，図１０（ａ）に示す如く、回路基
板１０の側面に当接する突き当て部２４ａを有してい
る。本例における位置決め用非連結リード２４の突き当
て部２４ａはリード端面となっている。この突き当て部
２４ａは図９に示すように樹脂パッケージ４０との投錨
効果を持たせるために平面的にＴ字形となっている。な
お、図１０（ｂ）に示す如く、リード先端部を下方に折
り曲げた先端折曲部２４ｂとしても良い。先端折曲部２
４ｂでは基板側面との突き当たりの合わせ代を広げるこ
とができる。ただ、折り曲げ加工等ではスプリングバッ
ク等により位置決めの精度が出し難い場合があるので、
突き当て部２４ａのようにリード端面のままの方がむし
ろ位置決め精度を高くすることができる。
（ＮＣピン）のうちリード端子２４は位置決め用非連結
リード端子で、図９，図１０（ａ）に示す如く、回路基
板１０の側面に当接する突き当て部２４ａを有してい
る。本例における位置決め用非連結リード２４の突き当
て部２４ａはリード端面となっている。この突き当て部
２４ａは図９に示すように樹脂パッケージ４０との投錨
効果を持たせるために平面的にＴ字形となっている。な
お、図１０（ｂ）に示す如く、リード先端部を下方に折
り曲げた先端折曲部２４ｂとしても良い。先端折曲部２
４ｂでは基板側面との突き当たりの合わせ代を広げるこ
とができる。ただ、折り曲げ加工等ではスプリングバッ
ク等により位置決めの精度が出し難い場合があるので、
突き当て部２４ａのようにリード端面のままの方がむし
ろ位置決め精度を高くすることができる。
【００３０】なお、非連結リード（ＮＣピン）のうちリ
ード端子２５の先端部は平面的にＴ字形となっている。
これは投錨効果を持たせ抜け止め耐力を確保するためで
ある。
ード端子２５の先端部は平面的にＴ字形となっている。
これは投錨効果を持たせ抜け止め耐力を確保するためで
ある。
【００３１】次に、パワー電子部品を搭載する４枚のリ
ードフレーム３１〜３４について説明する。アルミニウ
ム製の４枚のリードフレーム３１〜３４は、集積回路基
板１０の隣接領域で樹脂シールパッケージ４０の一方の
短辺側に位置している。リードフレーム３１〜３４は、
それぞれ電子部品等を搭載するための平坦状の幅広部
（部品搭載部）３１ｂ〜３４ｂと、これより分岐して連
結した多数のパッドダウン形のリード端子３１ｃ〜３４
ｃとから成る。リードフレーム３１の幅広部３１ｂは矩
形状で、集積回路基板１０のコーナ縁部において片側傾
斜辺の部分が半田又は導電性接着剤（固着部位）３１ａ
を以て固着されており、幅広部３１ｂからはパッケージ
長辺側に４本のリード端子３１ｃが櫛歯状に分岐して延
出している。パッケージ長辺側近傍の幅広部３１ｂ上に
はシャント抵抗Ｒ１のチップ抵抗器の一方の端子面が半
田又は導電性接着剤で固着されている。
ードフレーム３１〜３４について説明する。アルミニウ
ム製の４枚のリードフレーム３１〜３４は、集積回路基
板１０の隣接領域で樹脂シールパッケージ４０の一方の
短辺側に位置している。リードフレーム３１〜３４は、
それぞれ電子部品等を搭載するための平坦状の幅広部
（部品搭載部）３１ｂ〜３４ｂと、これより分岐して連
結した多数のパッドダウン形のリード端子３１ｃ〜３４
ｃとから成る。リードフレーム３１の幅広部３１ｂは矩
形状で、集積回路基板１０のコーナ縁部において片側傾
斜辺の部分が半田又は導電性接着剤（固着部位）３１ａ
を以て固着されており、幅広部３１ｂからはパッケージ
長辺側に４本のリード端子３１ｃが櫛歯状に分岐して延
出している。パッケージ長辺側近傍の幅広部３１ｂ上に
はシャント抵抗Ｒ１のチップ抵抗器の一方の端子面が半
田又は導電性接着剤で固着されている。
【００３２】リードフレーム３２の幅広部３２ｂは平面
凸形状で、集積回路基板１０の辺縁部において先端辺の
部分が半田又は導電性接着剤（固着部位）３２ａを以て
固着されており、図１１に示す如く、幅広部３２ｂの基
部からはパッケージ短辺側に４本のリード端子３２ｃが
櫛歯状に分岐して延出している。これら４本のリード端
子３２ｃの右側リード端子からその最外右側にリード端
子３２ｃ′が分岐している。このリードフレーム３２の
パッドダウン形の吊り上げ屈曲部３２ｄ，３２ｄ間にも
リード間スリット３２ｅが切込み形成されている。従っ
て、トランスファーモールドによる樹脂成形工程におい
ては、吊り上げ屈曲部３２ｄ，３２ｄの間が連結されて
おらず、樹脂の流れの障壁とはならないので、図１１
（ａ）の矢印の如く、それに形成されたリード間スリッ
ト３２ｅを通じて円滑に流れるようになる。このため、
パッドダウン形で先端部を連結したリードフレームであ
りながら、リードフレームの周りや中央部分への樹脂の
行き渡りが充分となり、樹脂の未充填部分の発生が無く
なり、外観不良の発生率を減少させることができる。
凸形状で、集積回路基板１０の辺縁部において先端辺の
部分が半田又は導電性接着剤（固着部位）３２ａを以て
固着されており、図１１に示す如く、幅広部３２ｂの基
部からはパッケージ短辺側に４本のリード端子３２ｃが
櫛歯状に分岐して延出している。これら４本のリード端
子３２ｃの右側リード端子からその最外右側にリード端
子３２ｃ′が分岐している。このリードフレーム３２の
パッドダウン形の吊り上げ屈曲部３２ｄ，３２ｄ間にも
リード間スリット３２ｅが切込み形成されている。従っ
て、トランスファーモールドによる樹脂成形工程におい
ては、吊り上げ屈曲部３２ｄ，３２ｄの間が連結されて
おらず、樹脂の流れの障壁とはならないので、図１１
（ａ）の矢印の如く、それに形成されたリード間スリッ
ト３２ｅを通じて円滑に流れるようになる。このため、
パッドダウン形で先端部を連結したリードフレームであ
りながら、リードフレームの周りや中央部分への樹脂の
行き渡りが充分となり、樹脂の未充填部分の発生が無く
なり、外観不良の発生率を減少させることができる。
【００３３】なお、他のリードフレーム３１，３３，３
４の吊り上げ屈曲部間にもリード間スリットは切込み形
成されており、上記と同様の効果を奏する。
４の吊り上げ屈曲部間にもリード間スリットは切込み形
成されており、上記と同様の効果を奏する。
【００３４】ところで、幅広部３２ｂ上にはパワーＭＯ
Ｓトランジスタ・チップＱ１が搭載され、そのドレイン
端子面が半田又は導電性接着剤で固着されている。パワ
ーＭＯＳトランジスタ・チップＱ１の上面にはゲート端
子面Ｇ及びソース端子面Ｓが形成されており、ゲート端
子面Ｇと集積回路基板１０上に形成されたボンディング
パッドＰ４とがアルミニウム製のボンディングワイアＷ
３で接続されている。
Ｓトランジスタ・チップＱ１が搭載され、そのドレイン
端子面が半田又は導電性接着剤で固着されている。パワ
ーＭＯＳトランジスタ・チップＱ１の上面にはゲート端
子面Ｇ及びソース端子面Ｓが形成されており、ゲート端
子面Ｇと集積回路基板１０上に形成されたボンディング
パッドＰ４とがアルミニウム製のボンディングワイアＷ
３で接続されている。
【００３５】また、そのソース端子面Ｓと後述するリー
ドフレーム３３の幅広部３３ｂ上に形成されたボンディ
ングパッドＰ６とがアルミニウム製のボンディングワイ
アＷ４で接続されている。
ドフレーム３３の幅広部３３ｂ上に形成されたボンディ
ングパッドＰ６とがアルミニウム製のボンディングワイ
アＷ４で接続されている。
【００３６】リードフレーム３３の幅広部３３ｂは平面
略Ｌ字形状で、集積回路基板１０の辺縁部において先端
辺の部分が半田又は導電性接着剤（固着部位）３３ａを
以て固着されており、幅広部３３ｂの基部からはパッケ
ージ短辺側に６本のリード端子３３ｃが分岐して延出し
ている。幅広部３３ｂ上の先端部側には前述のボンディ
ングパッドＰ６が形成されていると共に、比較的小規模
のＭＯＳトランジスタ・チップＱ３が搭載され、そのド
レイン端子面が半田又は導電性接着剤で固着されてい
る。ＭＯＳトランジスタ・チップＱ３の上面にはゲート
端子面Ｇ及びソース端子面Ｓが形成されており、ゲート
端子面Ｇと集積回路基板１０上に形成されたボンディン
グパッドＰ２とがアルミニウム製のボンディングワイア
Ｗ５で接続されている。また、そのソース端子面Ｓと集
積回路基板１０上に形成されたボンディングパッドＰ１
とがアルミニウム製のボンディングワイアＷ６で接続さ
れている。幅広部３３ｂの基部上には、パワーＭＯＳト
ランジスタ・チップＱ２が搭載され、そのドレイン端子
面が半田又は導電性接着剤で固着されている。パワーＭ
ＯＳトランジスタ・チップＱ２の上面にはゲート端子面
Ｇ及びソース端子面Ｓが形成されており、ゲート端子面
Ｇと集積回路基板１０上に形成されたボンディングパッ
ドＰ３とがアルミニウム製のボンディングワイアＷ７で
接続されている。また、そのソース端子面Ｓと後述する
リードフレーム３４の幅広部３４ｂ上に形成されたボン
ディングパッドＰ８とがアルミニウム製のボンディング
ワイアＷ８で接続されている。リードフレーム３３の幅
広部３３ｂの基部にはダイオード・チップＤ１が搭載さ
れ、そのカソード端子面が半田又は導電性接着剤で固着
されている。ダイオード・チップＤ１の上面に形成され
たアノード端子面Ａと後述するリードフレーム３４の幅
広部３４ｂ上に形成されたボンディングパッドＰ８とが
アルミニウム製のボンディングワイアＷ９で接続されて
いる。リードフレーム３４の幅広部３４ｂは矩形状で、
集積回路基板１０の他方のコーナ縁部において曲線辺の
部分が半田又は導電性接着剤（固着部位）３４ａを以て
固着されており、幅広部３４ｂからは他方のパッケージ
長辺側に５本のリード端子３４ｃが櫛歯状に分岐して延
出している。幅広部３４ｂ上にはボンディングパッドＰ
８のみが形成され、前述したように、このボンディング
パッドＰ８にはボンディングワイアＷ８，Ｗ９が接続さ
れている。なお、リードフレーム３１〜３４の裏面側に
はセラミック板（メタライズ板）５０が裏打ちされてい
る。
略Ｌ字形状で、集積回路基板１０の辺縁部において先端
辺の部分が半田又は導電性接着剤（固着部位）３３ａを
以て固着されており、幅広部３３ｂの基部からはパッケ
ージ短辺側に６本のリード端子３３ｃが分岐して延出し
ている。幅広部３３ｂ上の先端部側には前述のボンディ
ングパッドＰ６が形成されていると共に、比較的小規模
のＭＯＳトランジスタ・チップＱ３が搭載され、そのド
レイン端子面が半田又は導電性接着剤で固着されてい
る。ＭＯＳトランジスタ・チップＱ３の上面にはゲート
端子面Ｇ及びソース端子面Ｓが形成されており、ゲート
端子面Ｇと集積回路基板１０上に形成されたボンディン
グパッドＰ２とがアルミニウム製のボンディングワイア
Ｗ５で接続されている。また、そのソース端子面Ｓと集
積回路基板１０上に形成されたボンディングパッドＰ１
とがアルミニウム製のボンディングワイアＷ６で接続さ
れている。幅広部３３ｂの基部上には、パワーＭＯＳト
ランジスタ・チップＱ２が搭載され、そのドレイン端子
面が半田又は導電性接着剤で固着されている。パワーＭ
ＯＳトランジスタ・チップＱ２の上面にはゲート端子面
Ｇ及びソース端子面Ｓが形成されており、ゲート端子面
Ｇと集積回路基板１０上に形成されたボンディングパッ
ドＰ３とがアルミニウム製のボンディングワイアＷ７で
接続されている。また、そのソース端子面Ｓと後述する
リードフレーム３４の幅広部３４ｂ上に形成されたボン
ディングパッドＰ８とがアルミニウム製のボンディング
ワイアＷ８で接続されている。リードフレーム３３の幅
広部３３ｂの基部にはダイオード・チップＤ１が搭載さ
れ、そのカソード端子面が半田又は導電性接着剤で固着
されている。ダイオード・チップＤ１の上面に形成され
たアノード端子面Ａと後述するリードフレーム３４の幅
広部３４ｂ上に形成されたボンディングパッドＰ８とが
アルミニウム製のボンディングワイアＷ９で接続されて
いる。リードフレーム３４の幅広部３４ｂは矩形状で、
集積回路基板１０の他方のコーナ縁部において曲線辺の
部分が半田又は導電性接着剤（固着部位）３４ａを以て
固着されており、幅広部３４ｂからは他方のパッケージ
長辺側に５本のリード端子３４ｃが櫛歯状に分岐して延
出している。幅広部３４ｂ上にはボンディングパッドＰ
８のみが形成され、前述したように、このボンディング
パッドＰ８にはボンディングワイアＷ８，Ｗ９が接続さ
れている。なお、リードフレーム３１〜３４の裏面側に
はセラミック板（メタライズ板）５０が裏打ちされてい
る。
【００３７】図５はパワー電子部品を搭載する４枚のリ
ードフレーム３１〜３４の領域における回路構成を説明
する模式的回路図である。図５中の矢印は電子部品から
の発熱の熱伝導の方向を示す。シャント抵抗Ｒ１は大き
な電流が流れることで電圧降下を検出するためのチップ
抵抗器となっており、一方の端子面がリードフレーム３
１の幅広部３１ｂ上に導電固着されていると共に他方の
端子面がリードフレーム３２の幅広部３１ｂの先端部側
に導電固着されている。シャント抵抗Ｒ１の発熱量が大
きくても、２枚のリードフレーム３１，３２に熱伝導
し、幅広部３１ｂ，３２ｂを介して放熱フィンとしての
多数のリード端子３１ｃ，３２ｃから樹脂シールパッケ
ージ４０の外に放熱されるようになっている。特に、リ
ードフレーム３１の幅広部３１ｂは樹脂パッケージの輪
郭の近傍にあるため、リードフレーム３２による放熱よ
りもリードフレーム３１による放熱の方が優性である。
リードフレーム３２上ではパワーＭＯＳトランジスタ・
チップＱ１による発熱量はシャント抵抗Ｒ１のそれに比
し相当なものである。このためパワーＭＯＳトランジス
タ・チップＱ１は幅広部３２ｂの基部すなわちリード端
子３２ｃ側に搭載して、熱を外部へ低い熱伝導抵抗で速
やかに放熱するようにしており、逆に平面凸形状の先端
部は先細状にして熱伝導抵抗を高め、チップＱ１からの
熱が先端部側に波及し難くしている。チップＱ１とシャ
ント抵抗Ｒ１との間は積極的に括れ状にしても良いが、
レイアウト等が許せば、それぞれ別のリードフレームに
搭載する方が良い。ここで、パワーＭＯＳトランジスタ
・チップＱ１の発熱は、制御端子としてのゲート端子面
Ｇでは問題にならず、ドレイン端子面とソース端子面Ｓ
で問題となるため、ドレイン端子面にリードフレーム３
２を導電固着すると共に、ソース端子面Ｓでは熱伝導性
の良いアルミニウム製のボンディングワイアＷ４をボン
ディングし、その他端をリードフレーム３３のボンディ
ングパッドＰ６にボンディングしてある。ソース端子面
Ｓでの発熱はボンディングワイアＷ４を介してリードフ
レーム３３に伝導する。リードフレーム３３の幅広部３
３ｃ上ではパワーＭＯＳトランジスタ・チップＱ２のド
レイン端子面とソース端子面Ｓ及びダイオード・チップ
Ｄ１のカソード端子面とアノード端子面Ａでの発熱が問
題である。トランジスタ・チップＱ２及びダイオード・
チップＤ１はリード端子３３ｃ寄りに位置しているの
で、ドレイン端子面及びカソード端子面の熱は外部へ低
い熱伝導抵抗で速やかに放熱する。トランジスタ・チッ
プＱ２のソース端子面Ｓでの発熱はボンディングワイア
Ｗ８を介してリードフレーム３４に伝導し、ダイオード
・チップＤ１のアノード端子面Ａでの発熱はボンディン
グワイアＷ９を介してリードフレーム３４に伝導する。
リードフレーム３４は電子部品を搭載せず、単にボンデ
ィングパッドＰ８が形成され、その上に２本のボンディ
ングワイアＷ８，９がボンディングされているだけであ
る。同電位の給電作用と放熱作用を果たしている。事情
が許せば、ボンディングパッドＰ８とアノード端子面Ａ
又はソース端子面Ｓとの間で２本以上のボンディングワ
イアをボンディングしても良い。
ードフレーム３１〜３４の領域における回路構成を説明
する模式的回路図である。図５中の矢印は電子部品から
の発熱の熱伝導の方向を示す。シャント抵抗Ｒ１は大き
な電流が流れることで電圧降下を検出するためのチップ
抵抗器となっており、一方の端子面がリードフレーム３
１の幅広部３１ｂ上に導電固着されていると共に他方の
端子面がリードフレーム３２の幅広部３１ｂの先端部側
に導電固着されている。シャント抵抗Ｒ１の発熱量が大
きくても、２枚のリードフレーム３１，３２に熱伝導
し、幅広部３１ｂ，３２ｂを介して放熱フィンとしての
多数のリード端子３１ｃ，３２ｃから樹脂シールパッケ
ージ４０の外に放熱されるようになっている。特に、リ
ードフレーム３１の幅広部３１ｂは樹脂パッケージの輪
郭の近傍にあるため、リードフレーム３２による放熱よ
りもリードフレーム３１による放熱の方が優性である。
リードフレーム３２上ではパワーＭＯＳトランジスタ・
チップＱ１による発熱量はシャント抵抗Ｒ１のそれに比
し相当なものである。このためパワーＭＯＳトランジス
タ・チップＱ１は幅広部３２ｂの基部すなわちリード端
子３２ｃ側に搭載して、熱を外部へ低い熱伝導抵抗で速
やかに放熱するようにしており、逆に平面凸形状の先端
部は先細状にして熱伝導抵抗を高め、チップＱ１からの
熱が先端部側に波及し難くしている。チップＱ１とシャ
ント抵抗Ｒ１との間は積極的に括れ状にしても良いが、
レイアウト等が許せば、それぞれ別のリードフレームに
搭載する方が良い。ここで、パワーＭＯＳトランジスタ
・チップＱ１の発熱は、制御端子としてのゲート端子面
Ｇでは問題にならず、ドレイン端子面とソース端子面Ｓ
で問題となるため、ドレイン端子面にリードフレーム３
２を導電固着すると共に、ソース端子面Ｓでは熱伝導性
の良いアルミニウム製のボンディングワイアＷ４をボン
ディングし、その他端をリードフレーム３３のボンディ
ングパッドＰ６にボンディングしてある。ソース端子面
Ｓでの発熱はボンディングワイアＷ４を介してリードフ
レーム３３に伝導する。リードフレーム３３の幅広部３
３ｃ上ではパワーＭＯＳトランジスタ・チップＱ２のド
レイン端子面とソース端子面Ｓ及びダイオード・チップ
Ｄ１のカソード端子面とアノード端子面Ａでの発熱が問
題である。トランジスタ・チップＱ２及びダイオード・
チップＤ１はリード端子３３ｃ寄りに位置しているの
で、ドレイン端子面及びカソード端子面の熱は外部へ低
い熱伝導抵抗で速やかに放熱する。トランジスタ・チッ
プＱ２のソース端子面Ｓでの発熱はボンディングワイア
Ｗ８を介してリードフレーム３４に伝導し、ダイオード
・チップＤ１のアノード端子面Ａでの発熱はボンディン
グワイアＷ９を介してリードフレーム３４に伝導する。
リードフレーム３４は電子部品を搭載せず、単にボンデ
ィングパッドＰ８が形成され、その上に２本のボンディ
ングワイアＷ８，９がボンディングされているだけであ
る。同電位の給電作用と放熱作用を果たしている。事情
が許せば、ボンディングパッドＰ８とアノード端子面Ａ
又はソース端子面Ｓとの間で２本以上のボンディングワ
イアをボンディングしても良い。
【００３８】このように、リードフレーム３１〜３４の
幅広部３１ｂ〜３４ｂにシャント抵抗Ｒ１，パワーＭＯ
Ｓトランジスタ・チップＱ１，Ｑ２，ダイオード・チッ
プＤ１が導電固着されており、且つ、その固着端子面に
対する反対極性の端子面（ソース端子面Ｓ，アノード端
子面Ａ）も熱伝導性に富むアルミニウムのボンディング
ワイアＷ４，Ｗ８，Ｗ９で他のリードフレームに接続し
ている。パワー電子部品の熱発生部はすべてリードフレ
ームやボンディングワイアを介して集積回路基板１０を
経由せずに放熱フィンとしての多数のリード端子３１ｃ
〜３４ｃへ伝導し、そこから樹脂パッケージ外へ放熱さ
れるようになっている。表面実装形の樹脂シールパッケ
ージ４０で封止された状態でも、パワー電子部品から発
生する熱は幅広部３１ｂ〜３４ｂから外部に露出するリ
ード端子３１〜３４ｃへ良く熱伝導するので、放熱特性
が良好となる。
幅広部３１ｂ〜３４ｂにシャント抵抗Ｒ１，パワーＭＯ
Ｓトランジスタ・チップＱ１，Ｑ２，ダイオード・チッ
プＤ１が導電固着されており、且つ、その固着端子面に
対する反対極性の端子面（ソース端子面Ｓ，アノード端
子面Ａ）も熱伝導性に富むアルミニウムのボンディング
ワイアＷ４，Ｗ８，Ｗ９で他のリードフレームに接続し
ている。パワー電子部品の熱発生部はすべてリードフレ
ームやボンディングワイアを介して集積回路基板１０を
経由せずに放熱フィンとしての多数のリード端子３１ｃ
〜３４ｃへ伝導し、そこから樹脂パッケージ外へ放熱さ
れるようになっている。表面実装形の樹脂シールパッケ
ージ４０で封止された状態でも、パワー電子部品から発
生する熱は幅広部３１ｂ〜３４ｂから外部に露出するリ
ード端子３１〜３４ｃへ良く熱伝導するので、放熱特性
が良好となる。
【００３９】リードフレーム３１〜３４の幅広部３１ｂ
〜３４ｂは集積回路基板１０の縁部裏面３１ａ〜３４ａ
で固着されているが、この固着部位は一部の重なりであ
るから、幅広部３１ｂ〜３４ｂから集積回路基板１０へ
の熱の伝導は問題とならない。集積回路基板１０に直接
パワー電子部品を搭載する場合に比して、集積回路基板
１０の電子部品への熱的影響を頗る軽減できる。
〜３４ｂは集積回路基板１０の縁部裏面３１ａ〜３４ａ
で固着されているが、この固着部位は一部の重なりであ
るから、幅広部３１ｂ〜３４ｂから集積回路基板１０へ
の熱の伝導は問題とならない。集積回路基板１０に直接
パワー電子部品を搭載する場合に比して、集積回路基板
１０の電子部品への熱的影響を頗る軽減できる。
【００４０】リードフレーム３１〜３４にチップ抵抗
器，トランジスタ・チップＱ１，Ｑ２，ダイオード・チ
ップＤ１が導電固着されているので、集積回路基板の印
刷配線等に比して配線インピーダンスが遙に低い。特
に、シャント抵抗Ｒ１に関する配線部の電圧ドロップを
低減できる。
器，トランジスタ・チップＱ１，Ｑ２，ダイオード・チ
ップＤ１が導電固着されているので、集積回路基板の印
刷配線等に比して配線インピーダンスが遙に低い。特
に、シャント抵抗Ｒ１に関する配線部の電圧ドロップを
低減できる。
【００４１】リードフレーム３１〜３４と集積回路基板
１０とは固着部位３１ａ〜３４ａにおいて固着され、一
体化されている。このため、パッド部分のブレ等を抑え
ることができるので、ワイアボンディング工程では超音
波ボンディングを用いることができる。また、樹脂成形
時での位置決めが容易である。本例ではリードフレーム
３１〜３４の板厚は0.25mm、ボンディングワイヤの太さ
は0.25mmであるため、超音波ボンディング工程ではボン
ディング性が安定しないことを考慮して裏打ち部材とし
てセラミック板５０を固着してある。
１０とは固着部位３１ａ〜３４ａにおいて固着され、一
体化されている。このため、パッド部分のブレ等を抑え
ることができるので、ワイアボンディング工程では超音
波ボンディングを用いることができる。また、樹脂成形
時での位置決めが容易である。本例ではリードフレーム
３１〜３４の板厚は0.25mm、ボンディングワイヤの太さ
は0.25mmであるため、超音波ボンディング工程ではボン
ディング性が安定しないことを考慮して裏打ち部材とし
てセラミック板５０を固着してある。
【００４２】シャント抵抗Ｒ１が跨がって搭載されるリ
ードフレーム３１，３２はリード端子配列辺同士が直交
関係になっている。また、チップＱ２が搭載されるリー
ドフレーム３３と、そのソース端子面Ｓがボンディング
ワイアＷ８を介して接続されたリードフレーム３４はリ
ード端子配列辺同士が直交関係になっている。このよう
に隣接するリードフレーム同士を直交方向に配向した場
合、平坦性が高くなり、歩留まりの向上に資する。
ードフレーム３１，３２はリード端子配列辺同士が直交
関係になっている。また、チップＱ２が搭載されるリー
ドフレーム３３と、そのソース端子面Ｓがボンディング
ワイアＷ８を介して接続されたリードフレーム３４はリ
ード端子配列辺同士が直交関係になっている。このよう
に隣接するリードフレーム同士を直交方向に配向した場
合、平坦性が高くなり、歩留まりの向上に資する。
【００４３】本例においては、幅広部３１ｂ〜３４ｂか
ら多数のリード端子３１ｃ〜３４ｃが分岐させてある。
集積回路基板１０側のリード端子２２を半田付けで基板
に接続するような場合、半田溶融の際、瞬間的に微小な
リードの浮き上がりが生じるが、これとバランスさせて
同様な浮き上がりをもたせるため、リード端子２２と同
等なリード端子３１ｃ〜３４ｃにしてあり、半田接続の
信頼性を高めるようにしている。勿論、櫛歯状に多数の
リード端子３１ｃ〜３４ｃが半田接続されると、リード
の厚みの側面も電気的且つ機械的に接続されるので、放
熱特性や配線インピーダンスの低減が一層顕著になる。
ここで、本例においては多数のリード端子３１ｃ〜３４
ｃの分岐位置が樹脂シールパッケージ４０の輪郭の内側
にある。
ら多数のリード端子３１ｃ〜３４ｃが分岐させてある。
集積回路基板１０側のリード端子２２を半田付けで基板
に接続するような場合、半田溶融の際、瞬間的に微小な
リードの浮き上がりが生じるが、これとバランスさせて
同様な浮き上がりをもたせるため、リード端子２２と同
等なリード端子３１ｃ〜３４ｃにしてあり、半田接続の
信頼性を高めるようにしている。勿論、櫛歯状に多数の
リード端子３１ｃ〜３４ｃが半田接続されると、リード
の厚みの側面も電気的且つ機械的に接続されるので、放
熱特性や配線インピーダンスの低減が一層顕著になる。
ここで、本例においては多数のリード端子３１ｃ〜３４
ｃの分岐位置が樹脂シールパッケージ４０の輪郭の内側
にある。
【００４４】リード端子３２ｃ′に見られるように、パ
ッケージ４０の輪郭の内側で隣接のリード端子３２ｃか
ら分岐している。リード端子間にも樹脂材が付き回るの
で、投錨効果が発揮されており、相互固定が安定且つ確
実になる。
ッケージ４０の輪郭の内側で隣接のリード端子３２ｃか
ら分岐している。リード端子間にも樹脂材が付き回るの
で、投錨効果が発揮されており、相互固定が安定且つ確
実になる。
【００４５】リードフレーム３１〜３４の幅広部３１ｂ
〜３４ｂは集積回路基板１０の縁部上面ではなく縁部裏
面にて固着されている。このため、集積回路基板１０の
板厚の分だけ厚い電子部品を幅広部３１ｂ〜３４ｂ上に
搭載可能となっており、厚みのあるパワーデバイスの搭
載の余裕を生じている。また、幅広部裏面側の樹脂厚は
薄いので、放熱性を確保するに好都合となっている。
〜３４ｂは集積回路基板１０の縁部上面ではなく縁部裏
面にて固着されている。このため、集積回路基板１０の
板厚の分だけ厚い電子部品を幅広部３１ｂ〜３４ｂ上に
搭載可能となっており、厚みのあるパワーデバイスの搭
載の余裕を生じている。また、幅広部裏面側の樹脂厚は
薄いので、放熱性を確保するに好都合となっている。
【００４６】図１２は本例の混成集積回路基板１０と樹
脂パッケージ４０との関係を示す概略的平面図である。
本例においては、集積回路基板１０の隅部輪郭１０ａ，
１０ｂは丸み状のいわゆるアール（Ｒ）となっている。
このように、隅部輪郭１０ａ，１０ｂを角取り形状にす
ると、トランスファーモールドによる樹脂成形工程にお
いては、隅部輪郭での樹脂の流れ性が向上し、この部分
でも樹脂の未充填分の発生を無くすことができる。従っ
て、歩留まりが向上する。なお、隅部輪郭１０ａ，１０
ｂの角落とし形状としてはラウンド状（Ｒ）に限らず、
面取りでも良い。
脂パッケージ４０との関係を示す概略的平面図である。
本例においては、集積回路基板１０の隅部輪郭１０ａ，
１０ｂは丸み状のいわゆるアール（Ｒ）となっている。
このように、隅部輪郭１０ａ，１０ｂを角取り形状にす
ると、トランスファーモールドによる樹脂成形工程にお
いては、隅部輪郭での樹脂の流れ性が向上し、この部分
でも樹脂の未充填分の発生を無くすことができる。従っ
て、歩留まりが向上する。なお、隅部輪郭１０ａ，１０
ｂの角落とし形状としてはラウンド状（Ｒ）に限らず、
面取りでも良い。
【００４７】そしてまた本例においては、樹脂パッケー
ジ４０の隅部輪郭４０ｂも角落とし形状としてある。こ
の角落とし形状はアールに限らず、面取りでも良い。外
囲器としての樹脂パッケージ４０の隅部は衝撃が加わり
易く、応力の集中するポイントであるため、角落とし形
状にすることにより応力集中を低減でき、隅部でのクラ
ックの発生を無くすことができる。従って、パッケージ
信頼性が向上する。
ジ４０の隅部輪郭４０ｂも角落とし形状としてある。こ
の角落とし形状はアールに限らず、面取りでも良い。外
囲器としての樹脂パッケージ４０の隅部は衝撃が加わり
易く、応力の集中するポイントであるため、角落とし形
状にすることにより応力集中を低減でき、隅部でのクラ
ックの発生を無くすことができる。従って、パッケージ
信頼性が向上する。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は次のよう
な効果を奏する。
な効果を奏する。
【００４９】 本発明では、共用固着片又は幅広部か
ら櫛歯状に延出する複数のリード端子を有するパッドダ
ウン形のリードフレームを用いてあるものの、リードフ
レームの隣接するリード端子同士の吊り上げ屈曲部にま
でリード間スリットが切込み形成されている。このた
め、トランスファーモールドによる樹脂成形工程におい
ては、吊り上げ屈曲部が樹脂の流れの障壁とはならず、
それに形成されたリード間スリットを通して円滑に流れ
るようになっている。樹脂の未充填部分の発生が無くな
り、外観不良の発生率を減少させることができ、歩留ま
りの向上に資する。
ら櫛歯状に延出する複数のリード端子を有するパッドダ
ウン形のリードフレームを用いてあるものの、リードフ
レームの隣接するリード端子同士の吊り上げ屈曲部にま
でリード間スリットが切込み形成されている。このた
め、トランスファーモールドによる樹脂成形工程におい
ては、吊り上げ屈曲部が樹脂の流れの障壁とはならず、
それに形成されたリード間スリットを通して円滑に流れ
るようになっている。樹脂の未充填部分の発生が無くな
り、外観不良の発生率を減少させることができ、歩留ま
りの向上に資する。
【００５０】 他方、本発明では、集積回路基板の隅
部輪郭が角落とし形状となっている。
部輪郭が角落とし形状となっている。
【００５１】このため、トランスファーモールドによる
樹脂成形工程においては、隅部輪郭での樹脂の流れ性が
向上し、この部分でも樹脂の未充填部分の発生を無くす
ることができ、歩留まりの向上に資する。
樹脂成形工程においては、隅部輪郭での樹脂の流れ性が
向上し、この部分でも樹脂の未充填部分の発生を無くす
ることができ、歩留まりの向上に資する。
【００５２】 また同時に、樹脂モールドパッケージ
の隅部輪郭も角落とし形状となっている場合は、応力集
中を低減できるので、隅部でのクラックの発生を無くす
ことができ、パッケージ信頼性が向上する。
の隅部輪郭も角落とし形状となっている場合は、応力集
中を低減できるので、隅部でのクラックの発生を無くす
ことができ、パッケージ信頼性が向上する。
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置を示す平面図
である。
である。
【図２】同半導体装置の底面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ′線に沿って切断した状態を示す
矢視図である。
矢視図である。
【図４】（ａ）は図１のＢ−Ｂ′線に沿って切断した状
態を示す切断図、（ｂ）は図１のＣ−Ｃ′線に沿って切
断した状態を示す切断図である。
態を示す切断図、（ｂ）は図１のＣ−Ｃ′線に沿って切
断した状態を示す切断図である。
【図５】同半導体装置においてパワー電子部品を搭載す
る４枚のリードフレームの領域の回路構成を説明する模
式的回路図である。
る４枚のリードフレームの領域の回路構成を説明する模
式的回路図である。
【図６】（ａ）は同半導体装置において２本のリード部
を有するリード端子を示す斜視図で、（ｂ）は同リード
端子と基板側のランド部との接続状態を示す平面図であ
る。
を有するリード端子を示す斜視図で、（ｂ）は同リード
端子と基板側のランド部との接続状態を示す平面図であ
る。
【図７】（ａ），（ｂ）は同半導体装置において１本の
リード部を有するリード端子をそれぞれ示す斜視図であ
る。
リード部を有するリード端子をそれぞれ示す斜視図であ
る。
【図８】（ａ），（ｂ）は同半導体装置においてまた別
の１本のリード部を有するリード端子をそれぞれ示す斜
視図である。
の１本のリード部を有するリード端子をそれぞれ示す斜
視図である。
【図９】同半導体装置において突き当て部を有する位置
決め用の非連結リード端子を示す斜視図である。
決め用の非連結リード端子を示す斜視図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）は同半導体装置において突き
当て部を有する位置決め用の非連結リード端子をそれぞ
れ示す断面図である。
当て部を有する位置決め用の非連結リード端子をそれぞ
れ示す断面図である。
【図１１】同半導体装置においてパワー電子部品を搭載
する１枚のリードフレームの形状を説明する斜視図であ
る。
する１枚のリードフレームの形状を説明する斜視図であ
る。
【図１２】同半導体装置において混成集積回路基板と樹
脂パッケージとの関係を示す概略的平面図である。
脂パッケージとの関係を示す概略的平面図である。
【図１３】（ａ）は従来の半導体装置の一例を示す部分
平面図、（ｂ）は同装置の部分断面図である。
平面図、（ｂ）は同装置の部分断面図である。
【図１４】吊りリードを用いずに混成集積回路基板を樹
脂パッケージで封止した表面実装構造を示す平面図であ
る。
脂パッケージで封止した表面実装構造を示す平面図であ
る。
【図１５】（ａ）は２本のリード端子を先端に連結した
パッドダウン形のリードフレームを示す斜視図、（ｂ）
は同リード端子と基板側のランド部との接続状態を示す
平面図である。
パッドダウン形のリードフレームを示す斜視図、（ｂ）
は同リード端子と基板側のランド部との接続状態を示す
平面図である。
１０…集積回路基板（混成集積回路基板） １０ａ，１０ｂ…隅部 １５…フリップ・チップ ２０…集積回路基板のリードフレーム ２２，２２′，２３，２３′，２６〜２９…インナーリ
ード（リード端子） ２２ａ，２２′ａ，２３ａ，２３′ａ，２４ａ，２６ａ
〜２９ａ…基板吊り部 ２３ｂ…柄部 ２３ｃ…鉤形部 ２３ｄ，３２ｄ…吊り上げ屈曲部 ２３ｅ，３２ｅ…リード間スリット ２４…位置決め用非連結リード端子 ２５…非連結リード端子（ＮＣピン） ２４ａ，２４ｂ…突き当て部 ３１〜３４…パワー電子部品のリードフレーム ３１ａ〜３４ａ…固着部位 ３１ｂ〜３４ｂ…幅広部 ３１ｃ〜３４ｃ，３２ｃ′…リード端子 Ｒ１…シャント抵抗のチップ Ｑ１，Ｑ２…パワーＭＯＳトランジスタ・チップ Ｄ１…ダイオード・チップ ４０…表面実装形の樹脂シールパッケージ（ＱＦＰ）。 ４０ａ，４０ｂ…隅部 ５０…セラミック板 ａ，ｂ，ｃ…ランド部。
ード（リード端子） ２２ａ，２２′ａ，２３ａ，２３′ａ，２４ａ，２６ａ
〜２９ａ…基板吊り部 ２３ｂ…柄部 ２３ｃ…鉤形部 ２３ｄ，３２ｄ…吊り上げ屈曲部 ２３ｅ，３２ｅ…リード間スリット ２４…位置決め用非連結リード端子 ２５…非連結リード端子（ＮＣピン） ２４ａ，２４ｂ…突き当て部 ３１〜３４…パワー電子部品のリードフレーム ３１ａ〜３４ａ…固着部位 ３１ｂ〜３４ｂ…幅広部 ３１ｃ〜３４ｃ，３２ｃ′…リード端子 Ｒ１…シャント抵抗のチップ Ｑ１，Ｑ２…パワーＭＯＳトランジスタ・チップ Ｄ１…ダイオード・チップ ４０…表面実装形の樹脂シールパッケージ（ＱＦＰ）。 ４０ａ，４０ｂ…隅部 ５０…セラミック板 ａ，ｂ，ｃ…ランド部。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 25/18 (72)発明者 古田 政美 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 集積回路基板の配線とそのリード端子の
先端部とを半田等で固着して導電接続し、樹脂モールド
で封止して成る半導体装置において、前記リード端子の
先端部が前記集積回路基板の縁部裏面を受けて支持する
基板吊り部となるパッドダウン形のリードフレームを有
し、隣接する２以上の前記リード端子の前記基板吊り部
は相互に連結した共用固着片を有しており、前記共用固
着片を有する隣接のリード端子同士の吊り上げ屈曲部に
までリード間スリットが切込み形成されて成ることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 集積回路基板の配線とそのリード端子と
を接続して樹脂モールドで封止して成る半導体装置にお
いて、前記集積回路基板に接続するリード端子とは別体
であって、前記集積回路基板の縁部裏面に固着された幅
広部及び前記幅広部から櫛歯状に延出する複数のリード
端子を備えたパッドダウン形のリードフレームを有し、
前記リードフレームの隣接する前記リード端子同士の吊
り上げ屈曲部にまでリード間スリットが切込み形成され
て成ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の半導体装
置において、前記集積回路基板の隅部輪郭は角落とし形
状であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 集積回路基板の配線とそのリード端子を
接続して樹脂モールドパッケージで封止して成る半導体
装置において、前記集積回路基板の隅部輪郭は角落とし
形状であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体装置において、
前記角落とし形状はアール（Ｒ）であることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項６】 請求項４に記載の半導体装置において、
前記角落とし形状は面取りであることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項７】 請求項３乃至請求項６のいずれか一項に
記載の半導体装置において、前記集積回路基板の隅部輪
郭に臨む前記モールドパッケージの隅部輪郭も角落とし
形状であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26712694A JPH08130284A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26712694A JPH08130284A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08130284A true JPH08130284A (ja) | 1996-05-21 |
Family
ID=17440436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26712694A Pending JPH08130284A (ja) | 1994-10-31 | 1994-10-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08130284A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515844B1 (en) * | 1998-05-28 | 2003-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic part |
| JP2013141035A (ja) * | 2013-04-19 | 2013-07-18 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
| CN104465592A (zh) * | 2013-09-25 | 2015-03-25 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件 |
| CN111725151A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置及其制造方法 |
-
1994
- 1994-10-31 JP JP26712694A patent/JPH08130284A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515844B1 (en) * | 1998-05-28 | 2003-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic part |
| JP2013141035A (ja) * | 2013-04-19 | 2013-07-18 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
| CN104465592A (zh) * | 2013-09-25 | 2015-03-25 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体器件 |
| JP2015065296A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| CN111725151A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 三菱电机株式会社 | 功率半导体装置及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5521429A (en) | Surface-mount flat package semiconductor device | |
| US6627981B2 (en) | Resin-packaged semiconductor device | |
| JP2671922B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH0550134B2 (ja) | ||
| EP0498446A2 (en) | Multichip packaged semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US5121300A (en) | Lead frame and electronic device employing the same | |
| JPH11135706A (ja) | 半導体装置 | |
| US6501160B1 (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mount structure | |
| JPH0455341B2 (ja) | ||
| EP0623954B1 (en) | Molded plastic packaging of electronic devices | |
| JPS60167454A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3183063B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002334964A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10284873A (ja) | 半導体集積回路装置およびｉｃカードならびにその製造に用いるリードフレーム | |
| JP3183064B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08139218A (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH08130284A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3209977B2 (ja) | 半導体モジュ−ル | |
| JPH09186288A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10247701A (ja) | 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム | |
| JP3670371B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3670636B2 (ja) | 電子部品を実装した電子装置 | |
| JP2690248B2 (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
| JP3127948B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその実装方法 | |
| JPH09107047A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置 |