JPH08126902A - 硬質層被覆切削工具 - Google Patents
硬質層被覆切削工具Info
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- JPH08126902A JPH08126902A JP28760194A JP28760194A JPH08126902A JP H08126902 A JPH08126902 A JP H08126902A JP 28760194 A JP28760194 A JP 28760194A JP 28760194 A JP28760194 A JP 28760194A JP H08126902 A JPH08126902 A JP H08126902A
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- Japan
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- cutting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 湿式フライス切削、エンドミル切削などの転
削加工に対して優れた切削性能を示す硬質層被覆切削工
具を提供する。 【構成】 ＷＣ基超硬合金基体またはＴｉＣＮ基サーメ
ット基体の表面に、（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）
z ［ただし、0.55≦ｘ≦0.99、0.01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦
ｚ≦1.34］からなる組成のＴｉとＳｉの複合炭窒化物単
一硬質層あるいは複合窒化物単一硬質層を被覆した硬質
層被覆切削工具。
削加工に対して優れた切削性能を示す硬質層被覆切削工
具を提供する。 【構成】 ＷＣ基超硬合金基体またはＴｉＣＮ基サーメ
ット基体の表面に、（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）
z ［ただし、0.55≦ｘ≦0.99、0.01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦
ｚ≦1.34］からなる組成のＴｉとＳｉの複合炭窒化物単
一硬質層あるいは複合窒化物単一硬質層を被覆した硬質
層被覆切削工具。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、特に湿式フライス切
削、エンドミル切削などの転削加工に対して優れた切削
性能を示す硬質層被覆切削工具に関するものである。
削、エンドミル切削などの転削加工に対して優れた切削
性能を示す硬質層被覆切削工具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＷＣを主成分とするＷＣ基超硬
合金からなる基体（以下、ＷＣ基超硬合金基体という）
またはＴｉＣＮを主成分とするサーメットからなる基体
（以下、ＴｉＣＮ基サーメット基体という）の表面に、
（Ｔｉ0.5 Ｓｉ0.5 ）Ｃの単一硬質層を被覆してなる硬
質層被覆切削工具は知られている（特開平１−３０６５
５０号公報参照）。
合金からなる基体（以下、ＷＣ基超硬合金基体という）
またはＴｉＣＮを主成分とするサーメットからなる基体
（以下、ＴｉＣＮ基サーメット基体という）の表面に、
（Ｔｉ0.5 Ｓｉ0.5 ）Ｃの単一硬質層を被覆してなる硬
質層被覆切削工具は知られている（特開平１−３０６５
５０号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の
（Ｔｉ0.5 Ｓｉ0.5 ）Ｃ硬質層を被覆した硬質層被覆切
削工具は、湿式フライス切削、エンドミル切削などの転
削加工に用いた場合に耐熱衝撃性および耐欠損性が十分
でなく、したがって、満足のいく工具寿命が得られてい
ない。
（Ｔｉ0.5 Ｓｉ0.5 ）Ｃ硬質層を被覆した硬質層被覆切
削工具は、湿式フライス切削、エンドミル切削などの転
削加工に用いた場合に耐熱衝撃性および耐欠損性が十分
でなく、したがって、満足のいく工具寿命が得られてい
ない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は、上
述のような課題を解決し、湿式フライス切削、エンドミ
ル切削などの転削加工に用いた場合にも一層の長寿命を
示す硬質層被覆切削工具を得るべく研究を行った結果、
ＷＣ基超硬合金基体またはＴｉＣＮ基サーメット基体の
表面に、（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z ［ただ
し、0.55≦ｘ≦0.99、0.01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦ｚ≦1.3
4］からなる組成のＴｉとＳｉの複合炭窒化物単一硬質
層あるいは複合窒化物単一硬質層を被覆してなる硬質層
被覆切削工具は、湿式フライス切削、エンドミル切削な
どの転削加工に用いた場合に従来よりも一層耐熱衝撃性
および耐欠損性に優れ、したがって工具寿命が長くな
る、という知見を得たのである。
述のような課題を解決し、湿式フライス切削、エンドミ
ル切削などの転削加工に用いた場合にも一層の長寿命を
示す硬質層被覆切削工具を得るべく研究を行った結果、
ＷＣ基超硬合金基体またはＴｉＣＮ基サーメット基体の
表面に、（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z ［ただ
し、0.55≦ｘ≦0.99、0.01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦ｚ≦1.3
4］からなる組成のＴｉとＳｉの複合炭窒化物単一硬質
層あるいは複合窒化物単一硬質層を被覆してなる硬質層
被覆切削工具は、湿式フライス切削、エンドミル切削な
どの転削加工に用いた場合に従来よりも一層耐熱衝撃性
および耐欠損性に優れ、したがって工具寿命が長くな
る、という知見を得たのである。
【０００５】この発明は、かかる知見にもとづいてなさ
れたものであって、ＷＣ基超硬合金基体またはＴｉＣＮ
基サーメット基体の表面に、（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ
1-y Ｎy ）z ［ただし、0.55≦ｘ≦0.99、0.01≦ｙ≦1.
0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる組成のＴｉとＳｉの複合
炭窒化物単一硬質層あるいは複合窒化物単一硬質層を被
覆した硬質層被覆切削工具に特徴を有するものである。
前記ＴｉとＳｉの複合炭窒化物単一硬質層あるいは複合
窒化物単一硬質層の内でもＴｉとＳｉの複合炭窒化物単
一硬質層の方が好ましく、（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y
Ｎy ）z に於けるｘ、ｙ、ｚの一層好ましい範囲は、0.
6 ≦ｘ≦0.8 、0.3 ≦ｙ≦0.7 、0.9 ≦ｚ≦1.1 であ
る。
れたものであって、ＷＣ基超硬合金基体またはＴｉＣＮ
基サーメット基体の表面に、（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ
1-y Ｎy ）z ［ただし、0.55≦ｘ≦0.99、0.01≦ｙ≦1.
0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる組成のＴｉとＳｉの複合
炭窒化物単一硬質層あるいは複合窒化物単一硬質層を被
覆した硬質層被覆切削工具に特徴を有するものである。
前記ＴｉとＳｉの複合炭窒化物単一硬質層あるいは複合
窒化物単一硬質層の内でもＴｉとＳｉの複合炭窒化物単
一硬質層の方が好ましく、（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y
Ｎy ）z に於けるｘ、ｙ、ｚの一層好ましい範囲は、0.
6 ≦ｘ≦0.8 、0.3 ≦ｙ≦0.7 、0.9 ≦ｚ≦1.1 であ
る。
【０００６】ｘ、ｙおよびｚの値を前記のごとく限定し
たのは、ｘ＜０．５５、ｘ＞０．９９であると所望の耐
熱衝撃性が得られないからであり、ｙ＜０．０１、ｙ＞
１．０であると所望の耐欠損性が得られないからであ
り、さらにｚ＜０．５であると所望の耐欠損性が得られ
ず、ｚ＞１．３４であると所望の耐欠損性が低下すると
ともに剥離が起こりやすくなるからである。また、この
発明の硬質層被覆切削工具の硬質層の膜厚は０．５〜１
０μｍの範囲内にあることが好ましい。
たのは、ｘ＜０．５５、ｘ＞０．９９であると所望の耐
熱衝撃性が得られないからであり、ｙ＜０．０１、ｙ＞
１．０であると所望の耐欠損性が得られないからであ
り、さらにｚ＜０．５であると所望の耐欠損性が得られ
ず、ｚ＞１．３４であると所望の耐欠損性が低下すると
ともに剥離が起こりやすくなるからである。また、この
発明の硬質層被覆切削工具の硬質層の膜厚は０．５〜１
０μｍの範囲内にあることが好ましい。
【０００７】この発明の硬質層被覆切削工具における硬
質層を形成するには、アーク放電式イオンプレーティン
グ法、マグネトロンスパッタリング法などにより成形す
ることができる。アーク放電式イオンプレーティング法
により硬質層を形成するには、まず真空装置内のＴｉと
Ｓｉの混合物のターゲット上にアーク放電を発生させ、
ＴｉとＳｉを蒸発イオン化させる。同時に非金属ガス
（窒素ガスおよび炭化水素ガス）を装置内に導入し、負
の基板電圧をかけた切削工具基板上に（Ｔｉ1-xＳ
ｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z ［ただし、0.55≦ｘ≦0.99、0.
01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる単一硬質層あ
るいはを形成する。ＴｉとＳｉの比率はターゲットのＴ
ｉ／Ｓｉ比率を、またメタル／ガス成分の比率はメタル
蒸発量／ガス導入量を調節したり、基板電圧を変化させ
ることにより制御する。
質層を形成するには、アーク放電式イオンプレーティン
グ法、マグネトロンスパッタリング法などにより成形す
ることができる。アーク放電式イオンプレーティング法
により硬質層を形成するには、まず真空装置内のＴｉと
Ｓｉの混合物のターゲット上にアーク放電を発生させ、
ＴｉとＳｉを蒸発イオン化させる。同時に非金属ガス
（窒素ガスおよび炭化水素ガス）を装置内に導入し、負
の基板電圧をかけた切削工具基板上に（Ｔｉ1-xＳ
ｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z ［ただし、0.55≦ｘ≦0.99、0.
01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる単一硬質層あ
るいはを形成する。ＴｉとＳｉの比率はターゲットのＴ
ｉ／Ｓｉ比率を、またメタル／ガス成分の比率はメタル
蒸発量／ガス導入量を調節したり、基板電圧を変化させ
ることにより制御する。
【０００８】マグネトロンスパッタリング法により硬質
層を形成するには、まず真空装置内のＴｉとＳｉの混合
物のターゲットを試料を挾んで対抗させる。つぎに非金
属ガス（窒素ガスおよび炭化水素ガス）を装置内に導入
し、対向ターゲット間にグロー放電をさせる。ＴｉとＳ
ｉをスパッタリングイオン化させることにより負の基板
電圧をかけた切削工具基板上に（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ
1-y Ｎy ）z ［ただし、0.55≦ｘ≦0.99、0.01≦ｙ≦1.
0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる単一硬質層あるいはを形
成する。ＴｉとＳｉの比率はターゲットのＴｉ／Ｓｉ比
率を、またメタル／ガス成分の比率はメタル蒸発量／ガ
ス導入量を調節したり、基板電圧を変化させることによ
り制御する。
層を形成するには、まず真空装置内のＴｉとＳｉの混合
物のターゲットを試料を挾んで対抗させる。つぎに非金
属ガス（窒素ガスおよび炭化水素ガス）を装置内に導入
し、対向ターゲット間にグロー放電をさせる。ＴｉとＳ
ｉをスパッタリングイオン化させることにより負の基板
電圧をかけた切削工具基板上に（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ
1-y Ｎy ）z ［ただし、0.55≦ｘ≦0.99、0.01≦ｙ≦1.
0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる単一硬質層あるいはを形
成する。ＴｉとＳｉの比率はターゲットのＴｉ／Ｓｉ比
率を、またメタル／ガス成分の比率はメタル蒸発量／ガ
ス導入量を調節したり、基板電圧を変化させることによ
り制御する。
【０００９】
【実施例】つぎに、この発明の硬質層被覆切削工具を実
施例に基づいて具体的に説明する。 実施例１ ＩＳＯ規格Ｐ３０相当、ＳＮＧＡ１２０４０８の形状を
有するＷＣ基超硬合金製チップおよび表１に示される比
率のＴｉとＳｉの混合物ターゲットを用意した。
施例に基づいて具体的に説明する。 実施例１ ＩＳＯ規格Ｐ３０相当、ＳＮＧＡ１２０４０８の形状を
有するＷＣ基超硬合金製チップおよび表１に示される比
率のＴｉとＳｉの混合物ターゲットを用意した。
【００１０】このＷＣ基超硬合金製チップを通常のマグ
ネトロンスパッタリング装置内に装着し、さらに、表１
に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲットを対向
させて配置し、かかる状態で前記マグネトロンスパッタ
リング装置内を排気して１×１０-5Ｔｏｒｒの真空に保
持し、昇温速度：６℃／ｍｉｎ．で７００℃に昇温さ
せ、つづいて、この温度に保持しながら、１．５×１０
-4ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気に保持してイオンクリーニ
ングした。
ネトロンスパッタリング装置内に装着し、さらに、表１
に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲットを対向
させて配置し、かかる状態で前記マグネトロンスパッタ
リング装置内を排気して１×１０-5Ｔｏｒｒの真空に保
持し、昇温速度：６℃／ｍｉｎ．で７００℃に昇温さ
せ、つづいて、この温度に保持しながら、１．５×１０
-4ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気に保持してイオンクリーニ
ングした。
【００１１】その後、表１に示される比率の窒素ガスお
よびアセチレンガスを導入すると共に、表１に示される
比率の対向したＴｉとＳｉの混合物ターゲット上にグロ
ー放電を発生させてＴｉとＳｉをスパッタリングイオン
化させた。同時に、表１に示される負の基板電圧をかけ
ることにより、前記ＷＣ基超硬合金製チップを基体表面
に表２に示される膜厚を有しさらに表２に示されるｘ、
ｙおよびｚの値を有する（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎ
y ）z 単一硬質層を被覆した本発明硬質層被覆ＷＣ基超
硬合金製チップ（以下、本発明被覆チップという）１〜
１０、比較硬質層被覆ＷＣ基超硬合金製チップ（以下、
比較被覆チップという）１〜７および従来硬質層被覆Ｗ
Ｃ基超硬合金製チップ（以下、従来被覆チップという）
１を作製した。前記（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）
z 単一硬質層におけるｘ、ｙおよびｚの値はＥＰＭＡに
て分析して求めた。
よびアセチレンガスを導入すると共に、表１に示される
比率の対向したＴｉとＳｉの混合物ターゲット上にグロ
ー放電を発生させてＴｉとＳｉをスパッタリングイオン
化させた。同時に、表１に示される負の基板電圧をかけ
ることにより、前記ＷＣ基超硬合金製チップを基体表面
に表２に示される膜厚を有しさらに表２に示されるｘ、
ｙおよびｚの値を有する（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎ
y ）z 単一硬質層を被覆した本発明硬質層被覆ＷＣ基超
硬合金製チップ（以下、本発明被覆チップという）１〜
１０、比較硬質層被覆ＷＣ基超硬合金製チップ（以下、
比較被覆チップという）１〜７および従来硬質層被覆Ｗ
Ｃ基超硬合金製チップ（以下、従来被覆チップという）
１を作製した。前記（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）
z 単一硬質層におけるｘ、ｙおよびｚの値はＥＰＭＡに
て分析して求めた。
【００１２】これら本発明被覆チップ１〜１０比較被覆
チップ１〜７および従来被覆チップ１を用いて、下記の
条件の湿式転削加工試験を実施した。 湿式転削加工試験条件 被削材：ＪＩＳ規格ＳＣＭ４４０の角材、 切削速度：２５０ｍ／ｍｉｎ、 送り：０．２ｍｍ／ｒｅｖ．、 切込み：２．０ｍｍ、 の条件で湿式転削加工し、切刃の逃げ面の最大摩耗幅が
０．３ｍｍになったところを寿命とし、寿命に至る時間
（分）および摩耗形態を測定し、それらの測定結果を表
２に示した。
チップ１〜７および従来被覆チップ１を用いて、下記の
条件の湿式転削加工試験を実施した。 湿式転削加工試験条件 被削材：ＪＩＳ規格ＳＣＭ４４０の角材、 切削速度：２５０ｍ／ｍｉｎ、 送り：０．２ｍｍ／ｒｅｖ．、 切込み：２．０ｍｍ、 の条件で湿式転削加工し、切刃の逃げ面の最大摩耗幅が
０．３ｍｍになったところを寿命とし、寿命に至る時間
（分）および摩耗形態を測定し、それらの測定結果を表
２に示した。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】表２に示される結果から、本発明被覆チッ
プ１〜１０は比較被覆チップ１〜７および従来被覆チッ
プ１に比べて切削特性が優れていることが分かる。
プ１〜１０は比較被覆チップ１〜７および従来被覆チッ
プ１に比べて切削特性が優れていることが分かる。
【００１６】実施例２ ＴｉＣＮ−１２％ＷＣ−８％Ｃｏ−８％ＭｏＣ−７％Ｎ
ｉ−５％ＴａＣの組成を有し、ＩＳＯ規格ＳＰＧＮ１２
０３０８の形状を有するＴｉＣＮ基サーメット製チップ
および表３に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲ
ットを用意した。
ｉ−５％ＴａＣの組成を有し、ＩＳＯ規格ＳＰＧＮ１２
０３０８の形状を有するＴｉＣＮ基サーメット製チップ
および表３に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲ
ットを用意した。
【００１７】このＴｉＣＮ基サーメット製チップを通常
のマグネトロンスパッタリング装置内に装着し、さら
に、表３に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲッ
トを対向させて配置し、かかる状態で前記マグネトロン
スパッタリング装置内を排気して１×１０-5Ｔｏｒｒの
真空に保持し、昇温速度：６℃／ｍｉｎ．で７００℃に
昇温させ、つづいて、この温度に保持しながら、１．５
×１０-4ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気に保持してイオンク
リーニングした。
のマグネトロンスパッタリング装置内に装着し、さら
に、表３に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲッ
トを対向させて配置し、かかる状態で前記マグネトロン
スパッタリング装置内を排気して１×１０-5Ｔｏｒｒの
真空に保持し、昇温速度：６℃／ｍｉｎ．で７００℃に
昇温させ、つづいて、この温度に保持しながら、１．５
×１０-4ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気に保持してイオンク
リーニングした。
【００１８】その後、表３に示される比率の窒素ガスお
よびアセチレンガスを導入すると共に、表３に示される
比率の対向したＴｉとＳｉの混合物ターゲット上にグロ
ー放電を発生させてＴｉとＳｉをスパッタリングイオン
化させた。同時に、表３に示される負の基板電圧をかけ
ることにより、前記ＴｉＣＮ基サーメット製チップ基体
表面に表４に示される膜厚を有しさらに表４に示される
ｘ、ｙおよびｚの値を有する（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ
1-y Ｎy ）z 単一硬質層を被覆した本発明硬質層被覆Ｔ
ｉＣＮ基サーメット製チップ（以下、本発明被覆チップ
という）１１〜２０、比較硬質層被覆ＴｉＣＮ基サーメ
ット製チップ（以下、比較被覆チップという）８〜１４
および従来硬質層被覆ＴｉＣＮ基サーメット製チップ
（以下、従来被覆チップという）従来被覆チップ２を作
製した。前記（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z 単一
硬質層におけるｘ、ｙおよびｚの値はＥＰＭＡにて分析
して求めた。
よびアセチレンガスを導入すると共に、表３に示される
比率の対向したＴｉとＳｉの混合物ターゲット上にグロ
ー放電を発生させてＴｉとＳｉをスパッタリングイオン
化させた。同時に、表３に示される負の基板電圧をかけ
ることにより、前記ＴｉＣＮ基サーメット製チップ基体
表面に表４に示される膜厚を有しさらに表４に示される
ｘ、ｙおよびｚの値を有する（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ
1-y Ｎy ）z 単一硬質層を被覆した本発明硬質層被覆Ｔ
ｉＣＮ基サーメット製チップ（以下、本発明被覆チップ
という）１１〜２０、比較硬質層被覆ＴｉＣＮ基サーメ
ット製チップ（以下、比較被覆チップという）８〜１４
および従来硬質層被覆ＴｉＣＮ基サーメット製チップ
（以下、従来被覆チップという）従来被覆チップ２を作
製した。前記（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z 単一
硬質層におけるｘ、ｙおよびｚの値はＥＰＭＡにて分析
して求めた。
【００１９】これら本発明被覆チップ１１〜２０、比較
被覆チップ８〜１４および従来被覆チップ２を用いて、
下記の条件の湿式転削加工試験を実施した。
被覆チップ８〜１４および従来被覆チップ２を用いて、
下記の条件の湿式転削加工試験を実施した。
【００２０】湿式転削加工試験条件 被削材：ＪＩＳ規格ＳＣＭ４４０の角材、 切削速度：３００ｍ／ｍｉｎ、 送り：０．１５ｍｍ／ｒｅｖ．、 切込み：１．５ｍｍ、 の条件で湿式転削加工し、切刃の逃げ面の最大摩耗幅が
０．３ｍｍになったところを寿命とし、寿命に至る時間
（分）および摩耗形態を測定し、それらの測定結果を表
４に示した。
０．３ｍｍになったところを寿命とし、寿命に至る時間
（分）および摩耗形態を測定し、それらの測定結果を表
４に示した。
【００２１】
【表３】
【００２２】
【表４】
【００２３】表４に示される結果から、本発明被覆チッ
プ１１〜２０は、比較被覆チップ８〜１４および従来被
覆チップ２に比べて切削性能が優れていることが分か
る。
プ１１〜２０は、比較被覆チップ８〜１４および従来被
覆チップ２に比べて切削性能が優れていることが分か
る。
【００２４】実施例３ ＷＣ−９％Ｃｏの組成を有し、直径：１０ｍｍで３０度
の捩じれ角を持つＷＣ基微粒超硬合金製４枚刃エンドミ
ル（以下、ＷＣ基微粒超硬合金製エンドミルという）お
よび表５に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲッ
トを用意した。
の捩じれ角を持つＷＣ基微粒超硬合金製４枚刃エンドミ
ル（以下、ＷＣ基微粒超硬合金製エンドミルという）お
よび表５に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲッ
トを用意した。
【００２５】このＷＣ基微粒超硬合金製エンドミルを通
常のマグネトロンスパッタリング装置内に装着し、さら
に、表５に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲッ
トを対向させて配置し、かかる状態で前記マグネトロン
スパッタリング装置内を排気して１×１０-5Ｔｏｒｒの
真空に保持し、昇温速度：６℃／ｍｉｎ．で７００℃に
昇温させ、続いて、この温度に保持しながら、１．５×
１０-4ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気に保持してイオンクリ
ーニングした。
常のマグネトロンスパッタリング装置内に装着し、さら
に、表５に示される比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲッ
トを対向させて配置し、かかる状態で前記マグネトロン
スパッタリング装置内を排気して１×１０-5Ｔｏｒｒの
真空に保持し、昇温速度：６℃／ｍｉｎ．で７００℃に
昇温させ、続いて、この温度に保持しながら、１．５×
１０-4ＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気に保持してイオンクリ
ーニングした。
【００２６】その後、表５に示される比率の窒素ガスお
よびアセチレンガスを導入すると共に、表５に示される
比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲット上にグロー放電を
発生させてＴｉとＳｉをスパッタリングイオン化させ
た。同時に、表５に示される負の基板電圧をかけること
により、前記ＷＣ基微粒超硬合金製エンドミル基体表面
に表６に示される膜厚を有しさらに表６に示されるｘ、
ｙおよびｚの値を有する（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎ
y ）z 単一硬質層を被覆した本発明ＷＣ基微粒超硬合金
製エンドミル（以下、本発明被覆エンドミルという）１
〜１０、比較ＷＣ基微粒超硬合金製エンドミル（以下、
比較被覆エンドミルという）１〜７および従来ＷＣ基微
粒超硬合金製エンドミル（以下、従来被覆エンドミルと
いう）１を作製した。前記（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y
Ｎy ）z 単一硬質層におけるｘ、ｙおよびｚの値はＥＰ
ＭＡにて分析して求めた。
よびアセチレンガスを導入すると共に、表５に示される
比率のＴｉとＳｉの混合物ターゲット上にグロー放電を
発生させてＴｉとＳｉをスパッタリングイオン化させ
た。同時に、表５に示される負の基板電圧をかけること
により、前記ＷＣ基微粒超硬合金製エンドミル基体表面
に表６に示される膜厚を有しさらに表６に示されるｘ、
ｙおよびｚの値を有する（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎ
y ）z 単一硬質層を被覆した本発明ＷＣ基微粒超硬合金
製エンドミル（以下、本発明被覆エンドミルという）１
〜１０、比較ＷＣ基微粒超硬合金製エンドミル（以下、
比較被覆エンドミルという）１〜７および従来ＷＣ基微
粒超硬合金製エンドミル（以下、従来被覆エンドミルと
いう）１を作製した。前記（Ｔｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y
Ｎy ）z 単一硬質層におけるｘ、ｙおよびｚの値はＥＰ
ＭＡにて分析して求めた。
【００２７】これら本発明被覆エンドミル１〜１０、比
較被覆エンドミル１〜７および従来被覆エンドミル１を
用いて、下記の条件の湿式転削加工試験を実施した。
較被覆エンドミル１〜７および従来被覆エンドミル１を
用いて、下記の条件の湿式転削加工試験を実施した。
【００２８】湿式転削加工試験条件 被削材：ＪＩＳ規格ＳＣＭ４４０の角材、 回転数：１２００ｒ．ｐ．ｍ．、 送り：２８０ｍｍ／ｍｉｎ．、 深さ方向の切込み：１５ｍｍ、 横方向の切込み：１ｍｍ、 の条件で湿式肩削りを行った。外周刃の最大摩耗幅が
０．２ｍｍになったところを寿命とし、寿命に至る時間
（分）および摩耗形態を測定し、それらの測定結果を表
６に示した。
０．２ｍｍになったところを寿命とし、寿命に至る時間
（分）および摩耗形態を測定し、それらの測定結果を表
６に示した。
【００２９】
【表５】
【００３０】
【表６】
【００３１】表６に示される結果から、本発明被覆エン
ドミル１〜１０は、比較被覆エンドミル１〜７および従
来被覆エンドミル１に比べて切削性能が優れていること
が分かる。
ドミル１〜１０は、比較被覆エンドミル１〜７および従
来被覆エンドミル１に比べて切削性能が優れていること
が分かる。
【００３２】
【発明の効果】前記実施例１〜３に示される結果から、
この発明の硬質層被覆切削工具は、従来の硬質層被覆切
削工具に比べて一層優れた性能を有し、工業上優れた効
果をもたらすものである。
この発明の硬質層被覆切削工具は、従来の硬質層被覆切
削工具に比べて一層優れた性能を有し、工業上優れた効
果をもたらすものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＷＣ基超硬合金基体表面に、（Ｔｉ1-x
Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z ［ただし、0.55≦ｘ≦0.99、
0.01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる組成のＴｉ
とＳｉの複合炭窒化物単一硬質層あるいは複合窒化物単
一硬質層を被覆してなることを特徴とする硬質層被覆切
削工具。 - 【請求項２】 ＴｉＣＮ基サーメット基体表面に、（Ｔ
ｉ1-x Ｓｉx ）（Ｃ1-y Ｎy ）z ［ただし、0.55≦ｘ≦
0.99、0.01≦ｙ≦1.0 、0.5 ≦ｚ≦1.34］からなる組成
のＴｉとＳｉの複合炭窒化物単一硬質層あるいは複合窒
化物単一硬質層を被覆してなることを特徴とする硬質層
被覆切削工具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28760194A JP3489224B2 (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 硬質層被覆切削工具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28760194A JP3489224B2 (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 硬質層被覆切削工具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08126902A true JPH08126902A (ja) | 1996-05-21 |
| JP3489224B2 JP3489224B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=17719398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28760194A Expired - Fee Related JP3489224B2 (ja) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 硬質層被覆切削工具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3489224B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015220325A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-07 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
-
1994
- 1994-10-27 JP JP28760194A patent/JP3489224B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015220325A (ja) * | 2014-05-16 | 2015-12-07 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3489224B2 (ja) | 2004-01-19 |
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