JPH0812674A - ピロリジルチオカルバペネム誘導体の乾燥方法 - Google Patents

ピロリジルチオカルバペネム誘導体の乾燥方法

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JPH0812674A
JPH0812674A JP6146689A JP14668994A JPH0812674A JP H0812674 A JPH0812674 A JP H0812674A JP 6146689 A JP6146689 A JP 6146689A JP 14668994 A JP14668994 A JP 14668994A JP H0812674 A JPH0812674 A JP H0812674A
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隆博 片岡
Hiroshi Yonezawa
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 残留溶媒を減少させるためのピロリジルチオ
カルバペネム誘導体の乾燥方法、ならびに溶解性および
安定性に優れた、該ピロリジルチオカルバペネム誘導体
の結晶およびその製造方法を提供する。 【構成】 加湿ガスを用いて(1R,5S,6S)−6
−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−2−[(3
S,5S)−5−スルファモイルアミノメチル−1−ピ
ロリジン−3−イル]チオ−1−メチル−1−カルバ−
2−ペネム−3−カルボン酸を処理する工程を包含す
る、該(1R,5S,6S)−6−[(1R)−1−ヒ
ドロキシエチル]−2−[(3S,5S)−5−スルフ
ァモイルアミノメチル−1−ピロリジン−3−イル]チ
オ−1−メチル−1−カルバ−2−ペネム−3−カルボ
ン酸の乾燥方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、残留溶媒を減少させる
ためのピロリジルチオカルバペネム誘導体の乾燥方法、
ならびに溶解性に優れた、該ピロリジルチオカルバペネ
ム誘導体の結晶およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】次式で示される構造を有する、(1R,
5S,6S)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチ
ル]−2−[(3S,5S)−5−スルファモイルアミ
ノメチル−1−ピロリジン−3−イル]チオ−1−メチ
ル−1−カルバ−2−ペネム−3−カルボン酸(または
(4R,5S,6S)−3−[[(3S,5S)−5−
(スルファモイルアミノメチル)ピロリジン−3−イ
ル]チオ]−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]
−4−メチル−7−オキソ−1−アザビシクロ[3.
2.0.]ヘプト−2−エン−2−カルボン酸)(以
下、本明細書中では、S−4661という)は、ピロリ
ジルチオカルバペネム誘導体であり、抗菌剤として有用
な化合物である。
【0003】
【化1】
【0004】上記S−4661は特開平5−29497
0号公報に記載されている。S−4661は結晶または
非晶質の状態で精製される。このS−4661の精製工
程には、有機溶媒、水またはその混合溶媒が用いられ
る。例えば、有機溶媒、水またはその混合溶媒で粗製の
S−4661を洗浄したり、あるいはこれらの溶媒を用
いて、再結晶などの手段でS−4661を精製したりす
る工程が行われる。しかし、このような工程を経て得ら
れたS−4661を乾燥して、残留有機溶媒を所望の基
準値以下まで減少させることは困難であった。すなわ
ち、通常の減圧乾燥法を用いて乾燥した場合、残留有機
溶媒含量は0.4%が限界であった。また超臨界抽出法
を用いても、残留有機溶媒含量を減少させる顕著な効果
はなかった。従って、S−4661の精製の際に、残留
有機溶媒を効果的に除去する方法はいまだ見いだされて
いない。
【0005】上記S−4661の原薬または製品は、結
晶の方が非晶質に比べて保存安定性、溶解性、操作性な
どに優れるため好ましく、さらに安定性、溶解性を高め
るための添加剤を多量に使用する必要がないため好まし
い。しかし、S−4661の安定性および溶解性の高い
結晶を効率的に得るのに適した方法はいまだ見いだされ
ていない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
課題を解決するものであり、その目的は、残留有機溶媒
を減少させるためのピロリジルチオカルバペネム誘導体
の乾燥方法、ならびに溶解性や安定性などに優れた、該
ピロリジルチオカルバペネム誘導体の結晶およびその製
造方法に関する。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のS−4661の
乾燥方法は、加湿ガスを用いてS−4661を処理する
工程を包含する。この工程を本明細書中では一次乾燥工
程という。一次乾燥工程は、処理されるS−4661を
加湿ガスと接触させることにより行い得る。このS−4
661と加湿ガスとの接触は任意の常法によって行わ
れ、例えば流動乾燥法により行われる。
【0008】上記一次乾燥工程において加湿ガスとして
用いられるガスは、空気またはS−4661に悪影響を
及ぼさない任意の不活性ガスであり、このような不活性
ガスとしては窒素、アルゴンなどが挙げられる。好まし
くは、加湿ガスは加湿窒素または加湿空気であり、より
好ましくは加湿窒素である。この加湿ガスは、相対湿度
が50%以上であることが好ましい。より好ましくは、
相対湿度が70%以上、さらに好ましくは85%以上で
ある。
【0009】一次乾燥工程における上記加湿ガスの温度
は特に重要ではないが、S−4661の安定性の面から
は、約10〜40℃が好ましく、より好ましくは20〜
30℃である。
【0010】一次乾燥工程における上記加湿ガスの圧力
は、約10〜75cmHgであり得る。好ましくは、一
次乾燥工程において、上記加湿ガスの圧力の幅は10〜
40cmHg、好ましくは10〜15cmHgの範囲内
で変動し得る。実際に一次乾燥工程を行う圧力は、用い
る溶媒の種類、残留量などの種々の条件により異なる
が、例えば、10〜20、20〜30、30〜40、ま
たは60〜75cmHgの減圧下で一次乾燥工程を行い
得る。
【0011】上記一次乾燥工程で処理されるS−466
1は、粗結晶、結晶または非晶質のいずれであってもよ
いが、好ましくは結晶である。上記一次乾燥工程で処理
されるS−4661の溶媒および水分の初期含有量は特
に重要ではないが、水分の含有量が多く、そして溶媒の
含有量が少ない方が、比較的、脱溶媒しやすい傾向にあ
る。
【0012】上記一次乾燥工程によって、水分含量は一
旦増大するが、残留有機溶媒の含有量を100ppm以
下にまで減少させることができる。一次乾燥により除去
され得る溶媒としては、低級アルコール、ジクロルメタ
ン、酢酸エチル、アセトンなどが例示される。
【0013】本発明のS−4661の乾燥方法は、上記
一次乾燥工程に加えて、さらにS−4661を乾燥する
工程を包含し得る。この工程を本明細書中では二次乾燥
工程という。上記一次乾燥工程の目的が主として残留有
機溶媒の除去であるのに対して、この二次乾燥工程の目
的は主として脱水である。
【0014】上記二次乾燥工程としては、例えば、減圧
乾燥、乾燥ガスによる乾燥などの任意の公知の乾燥方法
が用いられ得る。好ましくは乾燥ガスによる乾燥が用い
られる。あるいは上記のような公知の乾燥方法を組み合
わせて用いてもよく、好ましくは、乾燥ガスを用いた減
圧乾燥法である。
【0015】上記二次乾燥工程に用いられる乾燥ガスは
空気またはS−4661に悪影響を及ぼさない任意の不
活性ガスであり得、このような不活性ガスとしては窒
素、アルゴンなどが挙げられる。好ましくは、乾燥ガス
は乾燥窒素または乾燥空気であり、より好ましくは乾燥
窒素である。この乾燥ガスは、相対湿度が1%以下であ
ることが好ましい。
【0016】S−4661の結晶としては少なくとも2
種類の異なる結晶形が存在することが判明している。こ
の2種類の結晶形を以下、各々I型およびII型という。
I型結晶およびII型結晶は、粉末X線回折で得られる特
徴的なピークにより識別される。以下に各結晶形の特徴
的な主ピークの回折角度(2θ)を示す。
【0017】I型:7.32、14.72、18.6
2、20.42、21.1、22.18、23.88、
および29.76(度) II型:6.06、12.2、14.56、17.0、1
8.38、20.68、24.38、24.60、2
5.88、および30.12(度) (X線回折測定条件:CuKα線、1.54オングスト
ローム(モノクロメーター)、管電圧40kV、管電流
40mA)。
【0018】本発明の乾燥方法を用いてS−4661を
乾燥すると、I型結晶、II型結晶、あるいはそれらの混
合物のいずれを用いた場合であっても、得られる結晶は
大部分が上記II型結晶であることが見いだされた。この
ように、本発明の製造方法はS−4661のII型結晶を
選択的に製造する方法であるといえる。従って、本発明
の、S−4661のII型結晶の製造方法は、加湿ガスを
用いてS−4661を処理する工程を包含する。この工
程は上記一次乾燥工程と同様である。以下、この工程も
一次乾燥工程という。
【0019】本発明の製造方法は、上記一次乾燥工程に
加えて、さらにS−4661を乾燥する工程を包含し得
る。この工程は上記本発明の乾燥方法における二次乾燥
工程と同様である。以下この工程も二次乾燥工程とい
う。
【0020】上記のように、本発明の乾燥方法を用いて
S−4661を処理するとII型結晶が選択的に得られる
ことから、本発明の乾燥工程中にS−4661の結晶構
造の変換が起こることが判明した。すなわち、S−46
61のI型結晶がII型結晶に変換される。従って、本発
明の製造方法は、S−4661のI型結晶をII型結晶に
変換する工程を包含する。
【0021】I型結晶のII型結晶への変換は、一次乾燥
により、水分含量を増大させつつ脱有機溶媒させること
により起こる。一次乾燥工程において、残留有機溶媒の
含有量が約500ppm付近まで下がるとI型結晶から
II型結晶への変換が起こり始めると推定されている。残
留有機溶媒の含有量が約200ppm以下になれば、ほ
ぼ100%、II型結晶へと変換する。
【0022】なお、I型およびII型の結晶のX線回折パ
ターンにおける特徴的なピークについては、回折角度
(2θ)は、水分および/または有機溶媒の含有量にか
かわらずそれぞれ変化しないが、その強度は必ずしも一
定ではない。従って、各結晶を、単に、水分および/ま
たは有機溶媒の含有率で区別するのは困難である。
【0023】本発明に従って一次および二次乾燥工程を
行えば、例えば、水分含量が約6%前後のII型結晶を得
ることができる。しかしII型結晶でも付着水の増加によ
り室温下で約10%前後の含水率で安定することもあ
る。また、I型結晶は、室温下、約0〜5.0%の含水
率で安定する傾向にある。よって、単に溶媒含量を調節
するだけでは、II型結晶を選択的に得ることは不可能で
あり、本発明の製造法の有用性が裏付けられる。
【0024】本発明のS−4661のII型結晶はI型結
晶と比較して、水への溶解速度が大きい。例えば、10
0mgのS−4661に水1mLを加えて1分間静置
し、1分経過後振り混ぜると、I型結晶はアメ状になっ
て水と分離するが、II型は約10秒で澄明に溶解する。
従って、S−4661の結晶を例えば凍結乾燥させるか
注射剤などに使用する場合には、II型結晶の方がI型結
晶に比べて好ましい。
【0025】
【実施例】以下、本発明を参考例および実施例に基づき
説明する。
【0026】(参考例1)S−4661をメタノール/
水混合溶媒より晶析させ、グラスフィルターで濾過し
た。得られた結晶は、粉末X線回折測定の結果および水
溶解性から、大部分がI型である結晶多形と判明した。
ガスクロマトグラフィーによる残留溶媒量測定およびカ
ール・フィッシャー法による水分量測定を行ったとこ
ろ、メタノール30.5%および水8.2%を含有して
いた。
【0027】(実施例1) 一次乾燥工程:水中を通して加湿した後、温度を27〜
30℃に調節した加湿窒素(相対湿度:85〜95%)
を、20〜30cmHgの減圧下、約0.88L/分の
速度で、参考例1で得られた、有機溶媒約30%と水分
約8%を含んでいるグラスフィルター中のS−4661
結晶層(7.87g)に、2時間通した。処理後、結晶
を一部取り出し、ガスクロマトグラフィーで残留溶媒量
を測定したところ、メタノール含量は0.01%以下で
あった。粉末X線回折測定の結果、この結晶はII型に変
換されていることが判明した。
【0028】二次乾燥工程:上記一次乾燥工程で用いた
結晶層に、27〜30℃に調節した乾燥窒素(相対湿度
0%)を、20〜30cmHgの減圧下、約0.88L
/分の速度で、さらに2時間通した。乾燥後、5.24
gの結晶が得られた。この結晶をガスクロマトグラフィ
ーおよびカール・フィッシャー法で測定したところ、メ
タノール含量は0.01%以下(すなわち100ppm
以下)、水分含量は8.48%であった。この結晶もII
型であった。
【0029】(参考例2)S−4661をメタノール/
水混合溶媒より晶析させ、グラスフィルターで濾過し
た。粉末X線回折測定の結果および水溶解性から、大部
分がI型である結晶多形と判明した。ガスクロマトグラ
フィーによる残留溶媒量測定およびカール・フィッシャ
ー法による水分量測定を行ったところ、メタノール1
7.3%および水9.8%を含有していた。
【0030】(実施例2) 一次乾燥工程:水中を通して加湿した後、温度を27〜
30℃に調節した加湿窒素(相対湿度:85〜95%)
を、20〜30cmHgの減圧下、約0.88L/分の
速度で、参考例2で得られた、有機溶媒約17%と水分
約10%を含んでいるグラスフィルター中のS−466
1結晶層(5.95g)に、2時間通した。処理後、結
晶を一部取り出し、ガスクロマトグラフィーで残留溶媒
量を測定したところ、メタノール含量は0.01%以下
であった。粉末X線回折測定の結果、この結晶はII型に
変換されていることが判明した。
【0031】二次乾燥工程:上記一次乾燥工程で用いた
結晶層に、27〜30℃に調節した乾燥窒素(相対湿度
0%)を、20〜30cmHgの減圧下、約0.88L
/分の速度で、さらに3時間通した。乾燥後、4.67
gの結晶が得られた。この結晶をガスクロマトグラフィ
ーおよびカール・フィッシャー法で測定したところ、メ
タノール含量は0.01%以下(すなわち100ppm
以下)、水分含量は7.97%であった。この結晶もII
型であった。
【0032】(参考例3)S−4661をエタノール/
水混合溶媒より晶析させ、グラスフィルターで濾過し
た。粉末X線回折測定の結果および水溶解性から、大部
分がI型である結晶多形と判明した。ガスクロマトグラ
フィーによる残留溶媒量測定およびカール・フィッシャ
ー法による水分量測定を行ったところ、エタノール4.
98%および水19.3%を含有していた。
【0033】(実施例3) 一次乾燥工程:水中を通して加湿した後、温度を27〜
30℃に調節した加湿窒素(相対湿度:85〜95%)
を、15〜17cmHgの減圧下、約0.88L/分の
速度で、参考例3で得られた、有機溶媒約5%と水分約
19%を含んでいるグラスフィルター中のS−4661
結晶層(4.75g)に、3時間通した。処理後、結晶
を一部取り出し、ガスクロマトグラフィーで残留溶媒量
を測定したところ、エタノール含量は0.01%以下で
あった。粉末X線回折測定の結果、この結晶はII型に変
換されていることが判明した。
【0034】二次乾燥工程:上記一次乾燥工程で用いた
結晶層に、27〜30℃に調節した乾燥窒素(相対湿度
0%)を、15〜17cmHgの減圧下、約0.88L
/分の速度で、さらに3時間通した。乾燥後、3.61
gの結晶が得られた。この結晶をガスクロマトグラフィ
ーおよびカール・フィッシャー法で測定したところ、エ
タノール含量は0.01%以下(すなわち100ppm
以下)、水分含量は2.50%であった。この結晶もII
型であった。
【0035】(参考例4)S−4661をエタノール/
水混合溶媒より晶析させ、グラスフィルターで濾過し
た。粉末X線回折測定の結果および水溶解性から、大部
分がI型である結晶多形と判明した。ガスクロマトグラ
フィーによる残留溶媒量測定およびカール・フィッシャ
ー法による水分量測定を行ったところ、エタノール2
3.1%および水13.3%を含有していた。
【0036】(実施例4) 一次乾燥工程:水中を通して加湿した後、温度を27〜
30℃に調節した加湿窒素(相対湿度:85〜95%)
を、15〜17cmHgの減圧下、約0.88L/分の
速度で、参考例4で得られた、有機溶媒約23%と水分
約13%を含んでいるグラスフィルター中のS−466
1結晶層(5.54g)に、2時間通した。処理後、結
晶を一部取り出し、ガスクロマトグラフィーで残留溶媒
量を測定したところ、エタノール含量は0.01%以下
であった。粉末X線回折測定の結果、この結晶はII型に
変換されていることが判明した。
【0037】二次乾燥工程:上記一次乾燥工程で用いた
結晶層に、27〜30℃に調節した乾燥窒素(相対湿度
0%)を、15〜17cmHgの減圧下、約0.88L
/分の速度で、さらに4時間通した。乾燥後、3.61
gの結晶が得られた。この結晶をガスクロマトグラフィ
ーおよびカール・フィッシャー法で測定したところ、エ
タノール含量は0.01%以下(すなわち100ppm
以下)、水分含量は3.80%であった。この結晶もII
型であった。
【0038】(参考例5)S−4661をメタノール/
水混合溶媒より晶析させ、グラスフィルターで濾過し
た。粉末X線回折測定の結果および水溶解性から、大部
分がI型である結晶多形と判明した。ガスクロマトグラ
フィーによる残留溶媒量測定およびカール・フィッシャ
ー法による水分量測定を行ったところ、メタノール0.
20%および水4.7%を含有していた。
【0039】(実施例5) 一次乾燥工程:水中を通して加湿した後、温度を27〜
30℃に調節した加湿窒素(相対湿度:85〜93%)
を、70〜75cmHgの減圧下、約4L/分の速度
で、参考例5で得られた、有機溶媒約0.2%と水分約
5%を含んでいるグラスフィルター中のS−4661結
晶層(3.20g)に、2時間通した。処理後、結晶を
一部取り出し、ガスクロマトグラフィーで残留溶媒量を
測定したところ、メタノール含量は0.01%以下であ
った。粉末X線回折測定の結果、この結晶はII型に変換
されていることが判明した。
【0040】二次乾燥工程:上記一次乾燥工程で用いた
結晶層に、27〜30℃に調節した乾燥窒素(相対湿度
0%)を、30〜35cmHgの減圧下、約4L/分の
速度で、さらに3時間通した。乾燥後、3.14gの結
晶が得られた。この結晶をガスクロマトグラフィーおよ
びカール・フィッシャー法で測定したところ、メタノー
ル含量は0.01%以下(すなわち100ppm以
下)、水分含量は4.49%であった。この結晶もII型
であった。
【0041】(参考例6)S−4661をメタノール/
水混合溶媒より晶析させ、グラスフィルターで濾過し
た。粉末X線回折測定の結果および水溶解性から、大部
分がI型である結晶多形と判明した。ガスクロマトグラ
フィーによる残留溶媒量測定およびカール・フィッシャ
ー法による水分量測定を行ったところ、メタノール2
2.0%および水10.5%を含有していた。
【0042】(実施例6) 一次乾燥工程:水中を通して加湿した後、温度を27〜
30℃に調節した加湿窒素(相対湿度:84〜88%)
を、30〜35cmHgの減圧下、約4L/分の速度
で、参考例6で得られた、有機溶媒約22%と水分約1
0%を含んでいるグラスフィルター中のS−4661結
晶層(4.03g)に、3時間通した。処理後、結晶を
一部取り出し、ガスクロマトグラフィーで残留溶媒量を
測定したところ、メタノール含量は0.01%以下であ
った。粉末X線回折測定の結果、この結晶はII型に変換
されていることが判明した。
【0043】二次乾燥工程:上記一次乾燥工程で用いた
結晶層に、27〜30℃に調節した乾燥窒素(相対湿度
0%)を、30〜35cmHgの減圧下、約4L/分の
速度で、さらに3時間通した。乾燥後、2.85gの結
晶が得られた。この結晶をガスクロマトグラフィーおよ
びカール・フィッシャー法で測定したところ、メタノー
ル含量は0.01%以下(すなわち100ppm以
下)、水分含量は4.47%であった。この結晶もII型
であった。
【0044】(参考例7)S−4661をエタノール/
水混合溶媒より晶析させ、グラスフィルターで濾過し
た。粉末X線回折測定の結果および水溶解性から、大部
分がI型である結晶多形と判明した。ガスクロマトグラ
フィーによる残留溶媒量測定およびカール・フィッシャ
ー法による水分量測定を行ったところ、エタノール1
3.6%および水21.1%を含有していた。
【0045】(実施例7) 一次乾燥工程:水中を通して加湿した後、温度を27〜
30℃に調節した加湿窒素(相対湿度:85〜90%)
を、14〜19cmHgの減圧下、約2L/分の速度
で、参考例7で得られた、有機溶媒約14%と水分約2
1%を含んでいるグラスフィルター中のS−4661結
晶層(4.47g)に、3時間通した。処理後、結晶を
一部取り出し、ガスクロマトグラフィーで残留溶媒量を
測定したところ、エタノール含量は0.01%以下であ
った。粉末X線回折測定の結果、この結晶はII型に変換
されていることが判明した。
【0046】二次乾燥工程:上記一次乾燥工程で用いた
結晶層に、27〜30℃に調節した乾燥窒素(相対湿度
0%)を、14〜19cmHgの減圧下、約2L/分の
速度で、さらに3時間通した。乾燥後、3.03gの結
晶が得られた。この結晶をガスクロマトグラフィーおよ
びカール・フィッシャー法で測定したところ、エタノー
ル含量は0.01%以下(すなわち100ppm以
下)、水分含量は3.71%であった。この結晶もII型
であった。
【0047】(参考例8)S−4661をエタノール/
水混合溶媒より晶析させ、グラスフィルターで濾過し
た。粉末X線回折測定の結果および水溶解性から、大部
分がI型である結晶多形と判明した。ガスクロマトグラ
フィーによる残留溶媒量測定およびカール・フィッシャ
ー法による水分量測定を行ったところ、エタノール2.
9%および水17.3%を含有していた。
【0048】(実施例8) 一次乾燥工程:水中を通して加湿した後、温度を27〜
30℃に調節した加湿窒素(相対湿度:80〜90%)
を、36〜38cmHgの減圧下、約8L/分の速度
で、参考例8で得られた、有機溶媒約3%と水分約17
%を含んでいるグラスフィルター中のS−4661結晶
層(3.12g)に、1時間通した。処理後、結晶を一
部取り出し、ガスクロマトグラフィーで残留溶媒量を測
定したところ、エタノール含量は0.01%以下であっ
た。粉末X線回折測定の結果、この結晶はII型に変換さ
れていることが判明した。
【0049】二次乾燥工程:上記一次乾燥工程で用いた
結晶層に、27〜30℃に調節した乾燥窒素(相対湿度
0%)を、36〜38cmHgの減圧下、約8L/分の
速度で、さらに1時間通した。乾燥後、2.58gの結
晶が得られた。この結晶をガスクロマトグラフィーおよ
びカール・フィッシャー法で測定したところ、エタノー
ル含量は0.01%以下(すなわち100ppm以
下)、水分含量は3.40%であった。この結晶もII型
であった。
【0050】(参考例9)S−4661をイソプロパノ
ール/水混合溶媒より晶析させ、グラスフィルターで濾
過する。粉末X線回折測定によればI型とII型の結晶多
形が得られることがわかる。この結晶は、イソプロパノ
ール約5%および水約20%を含有する。(実施例9) 一次乾燥工程:水中を通して加湿した後、温度を27〜
30℃に調節した加湿空気(相対湿度:75〜85%)
を、20〜30cmHgの減圧下、約0.95L/分の
速度で、参考例9で得られる、グラスフィルター中のS
−4661結晶層(5.00g)に、2時間通す。処理
後、結晶を一部取り出し、ガスクロマトグラフィーで残
留溶媒量を測定すると、メタノール含量は0.01%以
下である。粉末X線回折測定の結果、この結晶はII型に
変換されていることがわかる。
【0051】二次乾燥工程:上記一次乾燥工程で用いた
結晶層に、27〜30℃に調節した乾燥空気(相対湿度
3%)を、30〜40cmHgの減圧下、約0.90L
/分の速度で、さらに3時間通す。乾燥後、約4.0g
の結晶を得る。この結晶をガスクロマトグラフィーおよ
びカール・フィッシャー法で測定すると、メタノール含
量は0.01%以下(すなわち100ppm以下)、水
分含量は約10%である。この結晶もII型である。
【0052】(比較例)エタノール約16%と水約9%
を含有するS−4661結晶の約300gを通常の減圧
乾燥法で乾燥した。乾燥条件は、温度25〜27℃、圧
力0.5〜1cmHgとした。95分の減圧乾燥の後、
ガスクロマトグラフィーおよびカール・フィッシャー法
で測定したところ、エタノール含量は約0.4%、水分
含量は約0.2%であった。
【0053】
【発明の効果】本発明によれば、残留有機溶媒を効率的
に減少し得る、ピロリジルチオカルバペネム誘導体の乾
燥方法が提供される。さらに本発明によれば、溶解性お
よび安定性に優れた、該ピロリジルチオカルバペネム誘
導体の結晶およびその製造方法が提供される。この製造
方法により、該ピロリジルチオカルバペネム誘導体の結
晶のうち、より溶解性および安定性に優れた結晶形であ
るII型が選択的に得られ得る。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加湿ガスを用いて(1R,5S,6S)
    −6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−2−
    [(3S,5S)−5−スルファモイルアミノメチル−
    1−ピロリジン−3−イル]チオ−1−メチル−1−カ
    ルバ−2−ペネム−3−カルボン酸を処理する工程を包
    含する、 該(1R,5S,6S)−6−[(1R)−1−ヒドロ
    キシエチル]−2−[(3S,5S)−5−スルファモ
    イルアミノメチル−1−ピロリジン−3−イル]チオ−
    1−メチル−1−カルバ−2−ペネム−3−カルボン酸
    の乾燥方法。
  2. 【請求項2】 さらに乾燥ガスを用いて前記処理後の
    (1R,5S,6S)−6−[(1R)−1−ヒドロキ
    シエチル]−2−[(3S,5S)−5−スルファモイ
    ルアミノメチル−1−ピロリジン−3−イル]チオ−1
    −メチル−1−カルバ−2−ペネム−3−カルボン酸を
    乾燥する工程を包含する、請求項1に記載の乾燥方法。
  3. 【請求項3】 前記加湿ガスが加湿窒素または加湿空気
    である、請求項1または2に記載の乾燥方法。
  4. 【請求項4】 前記乾燥ガスが乾燥窒素または乾燥空気
    である、請求項2に記載の方法。
  5. 【請求項5】 粉末X線回折による回折パターンが回折
    角度(2θ)=6.06、12.2、14.56、1
    7.0、18.38、20.68、24.38、24.
    60、25.88、および30.12(度)に主ピーク
    を有する、(1R,5S,6S)−6−[(1R)−1
    −ヒドロキシエチル]−2−[(3S,5S)−5−ス
    ルファモイルアミノメチル−1−ピロリジン−3−イ
    ル]チオ−1−メチル−1−カルバ−2−ペネム−3−
    カルボン酸のII型結晶の製造方法であって、 加湿ガスを用いて(1R,5S,6S)−6−[(1
    R)−1−ヒドロキシエチル]−2−[(3S,5S)
    −5−スルファモイルアミノメチル−1−ピロリジン−
    3−イル]チオ−1−メチル−1−カルバ−2−ペネム
    −3−カルボン酸を処理する工程を包含する、 製造方法。
  6. 【請求項6】 さらに乾燥ガスを用いて前記処理後の
    (1R,5S,6S)−6−[(1R)−1−ヒドロキ
    シエチル]−2−[(3S,5S)−5−スルファモイ
    ルアミノメチル−1−ピロリジン−3−イル]チオ−1
    −メチル−1−カルバ−2−ペネム−3−カルボン酸を
    乾燥する工程を包含する、請求項5に記載の製造方法。
  7. 【請求項7】 粉末X線回折による回折パターンが回折
    角度(2θ)=7.32、14.72、18.62、2
    0.42、21.1、22.18、23.88および2
    9.76(度)に主ピークを有する、(1R,5S,6
    S)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]−2−
    [(3S,5S)−5−スルファモイルアミノメチル−
    1−ピロリジン−3−イル]チオ−1−メチル−1−カ
    ルバ−2−ペネム−3−カルボン酸のI型結晶を前記II
    型結晶に変換する工程を包含する、請求項5または6に
    記載の製造方法。
  8. 【請求項8】 I型結晶をII型結晶に変換する前記工程
    が、加湿ガスでI型結晶を処理することにより行われ
    る、請求項7に記載の製造方法。
  9. 【請求項9】 請求項5の方法によって得られる、粉末
    X線回折による回折パターンが回折角度(2θ)=6.
    06、12.2、14.56、17.0、18.38、
    20.68、24.38、24.60、25.88、お
    よび30.12(度)に主ピークを有する、(1R,5
    S,6S)−6−[(1R)−1−ヒドロキシエチル]
    −2−[(3S,5S)−5−スルファモイルアミノメ
    チル−1−ピロリジン−3−イル]チオ−1−メチル−
    1−カルバ−2−ペネム−3−カルボン酸のII型結晶。
  10. 【請求項10】 粉末X線回折による回折パターンが、
    回折角度(2θ)=6.06、12.2、14.56、
    17.0、18.38、20.68、24.38、2
    4.60、25.88、および30.12(度)に主ピ
    ークを有する、(1R,5S,6S)−6−[(1R)
    −1−ヒドロキシエチル]−2−[(3S,5S)−5
    −スルファモイルアミノメチル−1−ピロリジン−3−
    イル]チオ−1−メチル−1−カルバ−2−ペネム−3
    −カルボン酸の結晶。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001072750A1 (fr) * 2000-03-31 2001-10-04 Shionogi & Co., Ltd. Nouvelle forme cristalline d'un derive de pyrrolidylthiocarbapenem
JP2007516952A (ja) * 2003-12-26 2007-06-28 日産化学工業株式会社 キノリン化合物の結晶形及びその製造法
JP2008184466A (ja) * 2001-05-10 2008-08-14 Shionogi & Co Ltd アセチルチオピロリジン誘導体の製法
US8557993B2 (en) 2003-02-12 2013-10-15 Nissan Chemical Industries Ltd. Crystalline forms of pitavastatin calcium
WO2019142941A1 (ja) * 2018-01-22 2019-07-25 株式会社トクヤマ クエン酸第二鉄の製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001072750A1 (fr) * 2000-03-31 2001-10-04 Shionogi & Co., Ltd. Nouvelle forme cristalline d'un derive de pyrrolidylthiocarbapenem
US8247402B2 (en) 2000-03-31 2012-08-21 Shiongi & Co., Ltd. Crystal form of pyrrolidylthiocarbapenem derivative
US9221823B2 (en) 2000-03-31 2015-12-29 Shionogi & Co., Ltd. Crystal form of pyrrolidylthiocarbapenem derivative
JP2008184466A (ja) * 2001-05-10 2008-08-14 Shionogi & Co Ltd アセチルチオピロリジン誘導体の製法
US8557993B2 (en) 2003-02-12 2013-10-15 Nissan Chemical Industries Ltd. Crystalline forms of pitavastatin calcium
US8853405B2 (en) 2003-02-12 2014-10-07 Nissan Chemical Industries Ltd. Crystalline forms of pitavastatin calcium
JP2007516952A (ja) * 2003-12-26 2007-06-28 日産化学工業株式会社 キノリン化合物の結晶形及びその製造法
WO2019142941A1 (ja) * 2018-01-22 2019-07-25 株式会社トクヤマ クエン酸第二鉄の製造方法

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