JPH08124868A - 熱処理炉 - Google Patents
熱処理炉Info
- Publication number
- JPH08124868A JPH08124868A JP26559694A JP26559694A JPH08124868A JP H08124868 A JPH08124868 A JP H08124868A JP 26559694 A JP26559694 A JP 26559694A JP 26559694 A JP26559694 A JP 26559694A JP H08124868 A JPH08124868 A JP H08124868A
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- Japan
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- temp
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- tube
- pipe
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Abstract
(57)【要約】
【目的】熱処理炉において、昇温および降温時間をより
短縮し処理能力の向上を図ることができかつ昇温時間が
再現性を良くする。 【構成】ヒータ５を外周囲に配設する均熱管４とこの均
熱管４に包まれる反応内管６との間の空間部６ａに反応
内管６の維持温度に等しい温度の伝熱ガス媒体を循環し
ながらヒータ５自身の温度を検知し出力制御を行ない、
待ち時間の長短にかかわらず反応内管の維持温度を常に
一定にする。また、処理温度から維持温度まで反応内管
６を冷却するのに空間部６ａに常温以下の伝熱ガス媒体
を供給し循環させることにより降温時間を短縮しそれ以
降は高温の伝熱ガス媒体を循環し一定の維持温度に保つ
ている。
短縮し処理能力の向上を図ることができかつ昇温時間が
再現性を良くする。 【構成】ヒータ５を外周囲に配設する均熱管４とこの均
熱管４に包まれる反応内管６との間の空間部６ａに反応
内管６の維持温度に等しい温度の伝熱ガス媒体を循環し
ながらヒータ５自身の温度を検知し出力制御を行ない、
待ち時間の長短にかかわらず反応内管の維持温度を常に
一定にする。また、処理温度から維持温度まで反応内管
６を冷却するのに空間部６ａに常温以下の伝熱ガス媒体
を供給し循環させることにより降温時間を短縮しそれ以
降は高温の伝熱ガス媒体を循環し一定の維持温度に保つ
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板であるウェ
ーハを熱処理し不純物の拡散や薄膜形成など行なう熱処
理炉に関する。
ーハを熱処理し不純物の拡散や薄膜形成など行なう熱処
理炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の熱処理炉は複数枚のウェーハを
収納し高温で熱処理する一種の電気炉である。特にウェ
ーハに不純物を拡散させる熱拡散を行なう場合は、炉内
の温度を１０００°Ｃ以上昇温しなければならなかっ
た。しかしながら、大容量の炉内温度を１０００°Ｃ以
上の温度に昇温したりあるいは低い温度に降温したりす
ることは、昇温時間がかかるばかりか降温時間は自然空
冷のため冷却時間が非常に長くかかっていた。従来、こ
の改善策として昇温速度をより早く立上げするために常
時炉内温度を、例えば、ウェーハを収納する前は常時８
００°Ｃ程度にしウェーハの処理時には１２００°Ｃに
昇温させ温度立上げ時間の短縮を図っていた。また、時
間のかかる降温時間を短縮するために冷却方法の提案が
種々なされてきた。
収納し高温で熱処理する一種の電気炉である。特にウェ
ーハに不純物を拡散させる熱拡散を行なう場合は、炉内
の温度を１０００°Ｃ以上昇温しなければならなかっ
た。しかしながら、大容量の炉内温度を１０００°Ｃ以
上の温度に昇温したりあるいは低い温度に降温したりす
ることは、昇温時間がかかるばかりか降温時間は自然空
冷のため冷却時間が非常に長くかかっていた。従来、こ
の改善策として昇温速度をより早く立上げするために常
時炉内温度を、例えば、ウェーハを収納する前は常時８
００°Ｃ程度にしウェーハの処理時には１２００°Ｃに
昇温させ温度立上げ時間の短縮を図っていた。また、時
間のかかる降温時間を短縮するために冷却方法の提案が
種々なされてきた。
【０００３】図２は従来の熱処理炉の一例を示す図であ
る。上述した降温時間を短縮した熱処理炉の一例は特開
昭５７一１３７３６号公報に開示されている。この熱処
理炉は、図２に示すように、ウェーハ１７を収納する石
英反応管１５の外側に配設されアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）
を材料とする均熱管１３と、この均熱管１３を爪１８を
介して支える石英外管１４と、均熱管１３と石英外管１
４との間隙内を矢印に示す方向に空気を送風する送風手
段１９を備えている。
る。上述した降温時間を短縮した熱処理炉の一例は特開
昭５７一１３７３６号公報に開示されている。この熱処
理炉は、図２に示すように、ウェーハ１７を収納する石
英反応管１５の外側に配設されアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）
を材料とする均熱管１３と、この均熱管１３を爪１８を
介して支える石英外管１４と、均熱管１３と石英外管１
４との間隙内を矢印に示す方向に空気を送風する送風手
段１９を備えている。
【０００４】この熱処理炉の処理動作は、まず、８００
℃に維持されている熱処理炉の石英反応管１５中に大気
巻き込みによる酸化膜成長防止およびウェーハ１７の急
激な可熱によるソリ防止のためゆっくりしたスピード、
例えば、２〜３ｃｍ／ｍｉｎでボートローダにより複数
のウェーハ１７が石英反応管１５内に収納される。次
に、ウェーハ１７は約４０分時間をかけてヒータ１６に
より１２００℃に昇温され（４〜５℃／ｍｉｎ）不純物
拡散処理が行われる。次に、所定時間経過後、ヒータ１
６の流れる電流を遮断し、送風手段１９により石英外管
１５と均熱管１３との間の間隙を空冷することによりウ
ェ一ハ１７は均熱管１３の存在によって均一に保たれな
がら８００℃なる温度にまで低下する。そしてボートロ
ーダで炉内よりウェーハ１７を取り出す。
℃に維持されている熱処理炉の石英反応管１５中に大気
巻き込みによる酸化膜成長防止およびウェーハ１７の急
激な可熱によるソリ防止のためゆっくりしたスピード、
例えば、２〜３ｃｍ／ｍｉｎでボートローダにより複数
のウェーハ１７が石英反応管１５内に収納される。次
に、ウェーハ１７は約４０分時間をかけてヒータ１６に
より１２００℃に昇温され（４〜５℃／ｍｉｎ）不純物
拡散処理が行われる。次に、所定時間経過後、ヒータ１
６の流れる電流を遮断し、送風手段１９により石英外管
１５と均熱管１３との間の間隙を空冷することによりウ
ェ一ハ１７は均熱管１３の存在によって均一に保たれな
がら８００℃なる温度にまで低下する。そしてボートロ
ーダで炉内よりウェーハ１７を取り出す。
【０００５】この結果、この熱処理炉では、１２００℃
から８００℃までの降温時間は４０分程度になり、通常
の冷却しないときの降温時間１３０分に対して１／３に
短縮したことを特徴としていた。
から８００℃までの降温時間は４０分程度になり、通常
の冷却しないときの降温時間１３０分に対して１／３に
短縮したことを特徴としていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の熱処理
炉では、８００℃に降温する降温時間を短縮させるもの
の次のウェーハ処理時の１２００℃まで上げるには約４
０分かかるという欠点がある。また、ヒータの出力制御
をどのような方法で行なっているか不明瞭であるが、通
常、降温開始時にヒータ電流を単に遮断するだけだと、
時間の経過に伴なって温度が下降し８００°Ｃ以下とな
り、再昇温して１２００°Ｃにし安定させるまでには更
に時間がかかる。また、待ち時間によって下降する温度
が変り、再度昇温する毎に昇温時間がばらつき再現性が
ないという欠点がある。この温度立ち上り時間のばらつ
きはひいては処理時間のばらつきを引起し品質に重大な
欠陥をもたらすことになる。
炉では、８００℃に降温する降温時間を短縮させるもの
の次のウェーハ処理時の１２００℃まで上げるには約４
０分かかるという欠点がある。また、ヒータの出力制御
をどのような方法で行なっているか不明瞭であるが、通
常、降温開始時にヒータ電流を単に遮断するだけだと、
時間の経過に伴なって温度が下降し８００°Ｃ以下とな
り、再昇温して１２００°Ｃにし安定させるまでには更
に時間がかかる。また、待ち時間によって下降する温度
が変り、再度昇温する毎に昇温時間がばらつき再現性が
ないという欠点がある。この温度立ち上り時間のばらつ
きはひいては処理時間のばらつきを引起し品質に重大な
欠陥をもたらすことになる。
【０００７】従って、本発明の目的は、昇温および降温
時間をより短縮し処理能力の向上を図ることができかつ
昇温時間が再現性のある熱処理炉を提供することであ
る。
時間をより短縮し処理能力の向上を図ることができかつ
昇温時間が再現性のある熱処理炉を提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、複数の
半導体ウェーハを収納する反応管と、この反応管を包み
外周囲にヒータが配設される均熱管と、この均熱管と前
記反応管との間に介在する空間部に伝熱ガス媒体を供給
し該伝熱ガス媒体を循環させる送風機と、この送風機に
切換えバルブを介して接続されるとともに前記伝熱媒体
を高温に維持し蓄くわえる高温用ガス蓄積槽および前記
伝熱ガス媒体を低温に維持し蓄くわえる低温用蓄積槽
と、前記ヒータの出力制御する温度制御部とを備える熱
処理炉である。
半導体ウェーハを収納する反応管と、この反応管を包み
外周囲にヒータが配設される均熱管と、この均熱管と前
記反応管との間に介在する空間部に伝熱ガス媒体を供給
し該伝熱ガス媒体を循環させる送風機と、この送風機に
切換えバルブを介して接続されるとともに前記伝熱媒体
を高温に維持し蓄くわえる高温用ガス蓄積槽および前記
伝熱ガス媒体を低温に維持し蓄くわえる低温用蓄積槽
と、前記ヒータの出力制御する温度制御部とを備える熱
処理炉である。
【０００９】また、前記温度制御部は、前記均熱管の温
度を検出し前記ヒータの出力制御する系統と前記ヒータ
自身の温度を検出し前記ヒータの出力制御する系統と含
んでいることが望ましい。
度を検出し前記ヒータの出力制御する系統と前記ヒータ
自身の温度を検出し前記ヒータの出力制御する系統と含
んでいることが望ましい。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１（ａ）および（ｂ）はこの熱処理炉
は、図１（ａ）に示すように、ヒータ５で囲まれた均熱
管４とボート７に載置されたウェーハ１７を収納する反
応内管６との間の空間部６ａに伝熱ガス媒体を導入管９
ａ，９ｂから送り込み排気管８ａ，８ｂから排出し伝熱
ガス媒体を循環させる送風機２と、この送風機の背面側
に接続されるとともに伝熱ガス媒体を高温に維持し蓄積
するリザーバ１ｂと伝熱ガス媒体を低温に維持し蓄積す
るレザーバ１ａと、レザーバ１ａ，１ｂの供給配管のい
ずれかと導入管９ａ，９ｂと排気管８ａ，８ｂに切換え
るバルブ１１ａ，１２ａおよびバルブ１１ｂ，１２ｂ
と、熱電対１０ａ，１０ｂにより温度を検出しヒータ５
への電流を制御しヒータ５の加熱出力を調節する温度制
御部１０とを備えている。
は、図１（ａ）に示すように、ヒータ５で囲まれた均熱
管４とボート７に載置されたウェーハ１７を収納する反
応内管６との間の空間部６ａに伝熱ガス媒体を導入管９
ａ，９ｂから送り込み排気管８ａ，８ｂから排出し伝熱
ガス媒体を循環させる送風機２と、この送風機の背面側
に接続されるとともに伝熱ガス媒体を高温に維持し蓄積
するリザーバ１ｂと伝熱ガス媒体を低温に維持し蓄積す
るレザーバ１ａと、レザーバ１ａ，１ｂの供給配管のい
ずれかと導入管９ａ，９ｂと排気管８ａ，８ｂに切換え
るバルブ１１ａ，１２ａおよびバルブ１１ｂ，１２ｂ
と、熱電対１０ａ，１０ｂにより温度を検出しヒータ５
への電流を制御しヒータ５の加熱出力を調節する温度制
御部１０とを備えている。
【００１２】また、ヒータ５の出力を制御する温度制御
部１０は、図面には示さないが、均熱管４の温度を熱電
対１０ａで検出しヒータ５の電流制御する温度制御系と
ヒータ５自身の温度を熱電対１０ｂで検出しヒータ５の
電流制御する温度制御系との２系統に分れている。そし
て、熱電対１０ａを含む温度制御系統は、均熱管４の温
度を検出しヒータ５の出力を制御し高い温度、例えば、
１２００°Ｃを設定温度とし一般に知られたＰＩＤ制御
を行なうものである。一方、熱電対１０ｂを含む温度制
御系統は、ヒータ５自身の温度を検出し前記温度より低
い温度、例えば、８００°Ｃに設定しＰＩＤ制御する。
部１０は、図面には示さないが、均熱管４の温度を熱電
対１０ａで検出しヒータ５の電流制御する温度制御系と
ヒータ５自身の温度を熱電対１０ｂで検出しヒータ５の
電流制御する温度制御系との２系統に分れている。そし
て、熱電対１０ａを含む温度制御系統は、均熱管４の温
度を検出しヒータ５の出力を制御し高い温度、例えば、
１２００°Ｃを設定温度とし一般に知られたＰＩＤ制御
を行なうものである。一方、熱電対１０ｂを含む温度制
御系統は、ヒータ５自身の温度を検出し前記温度より低
い温度、例えば、８００°Ｃに設定しＰＩＤ制御する。
【００１３】ここで、伝熱ガス媒体として、例えば、安
価な窒素ガスを用いそれぞれのレザーバ１ａ，１ｂに充
填する。レザーバ１ａは恒温槽の一種であってチラーユ
ニットを備え常に常温以下（例えば、２０°Ｃ）の温度
に維持している。そして、バルブ１１ａと１２ａを開く
ことにより送風機２で配管を介して空間部６ａを循環す
る。一方、リザーバ１ｂは一種の蓄熱槽であって、容器
の周囲にヒータが巻付けられており、例えば、８００°
Ｃ程度の温度の窒素ガスが蓄くわえられている。そし
て、バルブ１１ｂと１２ｂを開くことによって空間部６
ａに高温窒素ガスを供給し循環する。なお、バルブ１１
ｂとレザーバ１ｂとの配管は、図面では短かく示してい
るが、実際の配管は長くなるので、配管にヒータ３を巻
き付けることが望ましい。
価な窒素ガスを用いそれぞれのレザーバ１ａ，１ｂに充
填する。レザーバ１ａは恒温槽の一種であってチラーユ
ニットを備え常に常温以下（例えば、２０°Ｃ）の温度
に維持している。そして、バルブ１１ａと１２ａを開く
ことにより送風機２で配管を介して空間部６ａを循環す
る。一方、リザーバ１ｂは一種の蓄熱槽であって、容器
の周囲にヒータが巻付けられており、例えば、８００°
Ｃ程度の温度の窒素ガスが蓄くわえられている。そし
て、バルブ１１ｂと１２ｂを開くことによって空間部６
ａに高温窒素ガスを供給し循環する。なお、バルブ１１
ｂとレザーバ１ｂとの配管は、図面では短かく示してい
るが、実際の配管は長くなるので、配管にヒータ３を巻
き付けることが望ましい。
【００１４】次に、図１（ｂ）を参照してこの熱処理炉
の動作を説明する。まず、レザーバ１ｂからバルブ１１
ｂ，１２ｂを介して送られる高温窒素ガスと低温側に切
換えらた温度制御系により、例えば、８００°Ｃの一定
の高い温度に維持された反応内管６内にボート７ととも
にウェーハ１７を収納する。勿論、前述したように、大
気巻き込みによる酸化膜防止や反り防止のためボートロ
ーダにより２〜３ｃｍ／ｍｉｎのゆっくりしたスピード
でウェーハ１７を炉内へ搬送する。
の動作を説明する。まず、レザーバ１ｂからバルブ１１
ｂ，１２ｂを介して送られる高温窒素ガスと低温側に切
換えらた温度制御系により、例えば、８００°Ｃの一定
の高い温度に維持された反応内管６内にボート７ととも
にウェーハ１７を収納する。勿論、前述したように、大
気巻き込みによる酸化膜防止や反り防止のためボートロ
ーダにより２〜３ｃｍ／ｍｉｎのゆっくりしたスピード
でウェーハ１７を炉内へ搬送する。
【００１５】次に、ウェーハ１７の挿入に１０分経過し
てｔ１のとき、温度制御系が熱電対１０ａを含む高温側
に切換えられヒータ５に前の温度制御系に比べ大電流が
流れる。そして、熱電対１０ａは常に温度を検出し反応
内管６内の温度を１２００°Ｃになるようにヒータ５に
電流を供給する。このことにより、８００°Ｃで送られ
た窒素ガスは１２００°Ｃ以上加熱され反応内管６に熱
伝達し反応内管６の内部温度が１２００°Ｃとなる。ち
なみに昇温時間ｔ１〜ｔ２を計測したところ２０分であ
った。
てｔ１のとき、温度制御系が熱電対１０ａを含む高温側
に切換えられヒータ５に前の温度制御系に比べ大電流が
流れる。そして、熱電対１０ａは常に温度を検出し反応
内管６内の温度を１２００°Ｃになるようにヒータ５に
電流を供給する。このことにより、８００°Ｃで送られ
た窒素ガスは１２００°Ｃ以上加熱され反応内管６に熱
伝達し反応内管６の内部温度が１２００°Ｃとなる。ち
なみに昇温時間ｔ１〜ｔ２を計測したところ２０分であ
った。
【００１６】次に、ｔ２からｔ３までの処理時間は高温
側の温度制御系で１２００°Ｃに一定温度に維持しウェ
ーハ１７の不純物拡散を行なう。なお、１２００°Ｃ以
上に加熱された窒素ガスは排気管８ａ，８ｂから排出さ
れ長い配管経路を通してレザーバ１ｂに戻る。このとき
の窒素ガスは長い配管経路を通過している中に８００°
Ｃ以下に冷却されている。
側の温度制御系で１２００°Ｃに一定温度に維持しウェ
ーハ１７の不純物拡散を行なう。なお、１２００°Ｃ以
上に加熱された窒素ガスは排気管８ａ，８ｂから排出さ
れ長い配管経路を通してレザーバ１ｂに戻る。このとき
の窒素ガスは長い配管経路を通過している中に８００°
Ｃ以下に冷却されている。
【００１７】次に、処理時間が経過しｔ３になると、バ
ルブ１１ｂとバルブ１２ｂが閉じ代りにバルブ１１ａと
１２ａが開きリザーバ１ａから常温以下の低温の窒素ガ
スが循環する。この動作と同時にヒータ５への電流を遮
断する。このことにより反応内管６は冷却されｔ４時間
でほぼ８００°Ｃになる。ｔ４以降は、温度制御系が低
温側に切替えられるとともにバルブ１１ｂ，１２ｂが開
き高温の窒素ガスが空間部６ａに供給され循環する。こ
のことによりヒータ５は８００°Ｃ以上上らず一定の温
度を維持し、一方、空間部６ａ内も８００°Ｃの高温窒
素ガス雰囲気となり反応内管６内の温度は８００°Ｃの
温度で保たれる。
ルブ１１ｂとバルブ１２ｂが閉じ代りにバルブ１１ａと
１２ａが開きリザーバ１ａから常温以下の低温の窒素ガ
スが循環する。この動作と同時にヒータ５への電流を遮
断する。このことにより反応内管６は冷却されｔ４時間
でほぼ８００°Ｃになる。ｔ４以降は、温度制御系が低
温側に切替えられるとともにバルブ１１ｂ，１２ｂが開
き高温の窒素ガスが空間部６ａに供給され循環する。こ
のことによりヒータ５は８００°Ｃ以上上らず一定の温
度を維持し、一方、空間部６ａ内も８００°Ｃの高温窒
素ガス雰囲気となり反応内管６内の温度は８００°Ｃの
温度で保たれる。
【００１８】そして、ウェーハ１７を反応内管６より取
出し、未処理のウェーハを再び収納し前述したと同様に
ウェーハの拡散処理を行なう。なお、降温時間を測定し
てみたところ、略３０分であり１０分程度短縮できた。
また、降温後も温度は下降することなく温度を一定に維
持し、温度の立ち上げ時間および立ち下げ時間が変動な
く常に一定の時間であった。
出し、未処理のウェーハを再び収納し前述したと同様に
ウェーハの拡散処理を行なう。なお、降温時間を測定し
てみたところ、略３０分であり１０分程度短縮できた。
また、降温後も温度は下降することなく温度を一定に維
持し、温度の立ち上げ時間および立ち下げ時間が変動な
く常に一定の時間であった。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ヒータを
外周囲に配設する均熱管とこの均熱管に包まれる反応内
管との間の空間部に反応内管の維持温度に等しい温度の
伝熱ガス媒体を循環しながらヒータ自身の温度を検知し
出力制御を行なうことによって、ウェーハの待ち時間の
長短にかかわらず反応内管の維持温度を常に一定にし、
昇温時には均熱管の温度を検出しヒータの出力を制御し
て一定の維持温度から処理温度まで上げるので、昇温時
間をより早くできしかも昇温時間の再現性が良くなると
いう効果がある。また、処理温度から維持温度まで反応
内管を冷却するのに空間部に常温以下の伝熱ガス媒体を
供給し循環させることにより降温時間を短縮でき処理能
力の向上が図れるという効果もある。
外周囲に配設する均熱管とこの均熱管に包まれる反応内
管との間の空間部に反応内管の維持温度に等しい温度の
伝熱ガス媒体を循環しながらヒータ自身の温度を検知し
出力制御を行なうことによって、ウェーハの待ち時間の
長短にかかわらず反応内管の維持温度を常に一定にし、
昇温時には均熱管の温度を検出しヒータの出力を制御し
て一定の維持温度から処理温度まで上げるので、昇温時
間をより早くできしかも昇温時間の再現性が良くなると
いう効果がある。また、処理温度から維持温度まで反応
内管を冷却するのに空間部に常温以下の伝熱ガス媒体を
供給し循環させることにより降温時間を短縮でき処理能
力の向上が図れるという効果もある。
【図１】本発明の熱処理炉一実施例を示す図および動作
を説明するための温度線図である。
を説明するための温度線図である。
【図２】従来の熱処理炉の一例を示す図である。
【符号の説明】 １ａ，１ｂ レザーバ ２ 送風機 ３，５，１６ ヒータ ４，１３ 均熱管 ６ 反応内管 ６ａ 空間部 ７ ボート ８ａ，８ｂ 排気管 ９ａ，９ｂ 導入管 １０ 温度制御部 １０ａ，１０ｂ 熱電対 １１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ バルブ １４ 石英外管 １５ 石英反応管 １７ ウェーハ １８ 爪 １９ 送風手段
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の半導体ウェーハを収納する反応管
と、この反応管を包み外周囲にヒータが配設される均熱
管と、この均熱管と前記反応管との間に介在する空間部
に伝熱ガス媒体を供給し該伝熱ガス媒体を循環させる送
風機と、この送風機に切換えバルブを介して接続される
とともに前記伝熱媒体を高温に維持し蓄くわえる高温用
ガス蓄積槽および前記伝熱ガス媒体を低温に維持し蓄く
わえる低温用蓄積槽と、前記ヒータの出力制御する温度
制御部とを備えることを特徴とする熱処理炉。 - 【請求項２】 前記温度制御部は、前記均熱管の温度を
検出し前記ヒータの出力制御する系統と前記ヒータ自身
の温度を検出し前記ヒータの出力制御する系統と含んで
いることを特徴とする請求項１記載の熱処理炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6265596A JP2570201B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6265596A JP2570201B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 熱処理炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124868A true JPH08124868A (ja) | 1996-05-17 |
| JP2570201B2 JP2570201B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=17419325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6265596A Expired - Lifetime JP2570201B2 (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 熱処理炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570201B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222804A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置 |
| WO2003009358A1 (fr) * | 2001-07-19 | 2003-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Appareil et procede de traitement thermique |
-
1994
- 1994-10-28 JP JP6265596A patent/JP2570201B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222804A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置 |
| WO2003009358A1 (fr) * | 2001-07-19 | 2003-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Appareil et procede de traitement thermique |
| US7278587B2 (en) | 2001-07-19 | 2007-10-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thermal treatment apparatus and thermal treatment method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2570201B2 (ja) | 1997-01-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960820 |