JPH08116006A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPH08116006A
JPH08116006A JP27833794A JP27833794A JPH08116006A JP H08116006 A JPH08116006 A JP H08116006A JP 27833794 A JP27833794 A JP 27833794A JP 27833794 A JP27833794 A JP 27833794A JP H08116006 A JPH08116006 A JP H08116006A
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resin
sealing body
resin sealed
semiconductor device
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Akio Mikami
昭夫 三上
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ヘッダを樹脂封止体に確実に食い付かせる。 【構成】 ヘッダ付き樹脂封止パッケージ25を備えて
いるパワートランジスタ26において、下面だけが露出
された状態で樹脂封止体24に埋め込まれたヘッダ10
の両側面に投錨部15が三次元形状に突設されている。
投錨部15は横方向突出部16と横方向突出部の先端に
形成された縦方向突出部17とから構成されており、ヘ
ッダ10の側壁部をプレス加工されて膨出成形されてい
る。 【効果】 三次元形状の投錨部15は樹脂封止体24と
の接触面積が大きく、樹脂封止体に対する投錨効果が高
いため、樹脂封止体に強固に結合した状態になる。した
がって、ヘッダと樹脂封止体との間の剥離や、それによ
る樹脂封止体のクラックの発生および耐湿性能の低下を
未然に防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、特に、半
導体ペレット(以下、ペレットという。)をボンディン
グされたヘッダがその一主面を露出された状態で、ペレ
ットを樹脂封止した樹脂封止体によって樹脂封止されて
いる半導体装置の製造技術に関し、例えば、例えば、ヘ
ッダ付き樹脂封止パッケージを備えているパワートラン
ジスタ(以下、パワートランジスタに利用して有効なも
のに関する。
【0002】
【従来の技術】一般的なパワートランジスタとして、ヘ
ッダ付きの樹脂封止パッケージを備えているものがあ
る。このヘッダ付きの樹脂封止パッケージは樹脂封止体
と、樹脂封止体に埋め込まれて樹脂封止体の一主面から
一主面が露出されているヘッダと、樹脂封止体の一側面
から外部に突設されている3本のアウタリードとから構
成されている。樹脂封止体はヘッダにボンディングされ
ているペレットと、ヘッダと1本のアウタリードとの間
に一体的に連設されているヘッダ吊りリードと、他の2
本のインナリードにそれぞれ連結されている2本のイン
ナリードと、ペレットと2本のインナリードとの間にそ
れぞれ橋絡されて両者間を電気的に接続するボンディン
グワイヤと、ヘッダの一部とを樹脂封止している。そし
て、従来のヘッダ付き樹脂封止パッケージを備えている
パワートランジスタ(以下、パワートランジスタとい
う。)として、ヘッダの樹脂封止体に埋め込まれた周面
に突起が二次元方向に突出されているもの、がある。な
お、ヘッダはヒートシンク、ヒートスプレッタ、放熱
板、放熱フィン等と指称されることもある。
【0003】なお、このようなパワートランジスタを述
べてある例としては、特開昭58−101443剛公
報、がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記したパワ
ートランジスタにおいては、ヘッダの周面に樹脂封止体
に投錨する突起が二次元方向に突出されているに過ぎな
いため、樹脂封止体に対する食い付き効果が小さく、熱
衝撃試験や温度サイクル試験等の環境検査において、ヘ
ッダと樹脂封止体との間で剥離が発生したり、それによ
り樹脂封止体にクラックが発生したり、耐湿性能が低下
したりするという問題点があることが本発明者によって
明らかにされた。
【0005】本発明の目的は、ヘッダを樹脂封止体に確
実に食い付かせることできる半導体装置の製造技術を提
供することにある。
【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。すなわち、その一主面を露出された状態で樹脂
封止体によって樹脂封止されているヘッダの樹脂封止体
に埋め込まれた周面の少なくとも一部には、投錨部が三
次元形状に突設されている。
【0008】また、三次元形状の投錨部はヘッダの一部
を三次元形状に塑性加工されて成形されることを特徴と
する。
【0009】
【作用】前記した第1の手段によれば、投錨部が三次元
方向に突出されているため、樹脂封止体との接触面積が
大きいばかりでなく、樹脂封止体に対する投錨効果ない
しは形状結合効果が良好になり、樹脂封止体に強固に結
合した状態になる。したがって、ヘッダと樹脂封止体と
の間の剥離や、それによる樹脂封止体のクラックの発生
および耐湿性能の低下を未然に防止することができる。
【0010】また、前記した第2の手段によれば、投錨
部が塑性加工によって成形されるため、三次元方向への
成形を切削加工を使用せずに実現することができる。
【0011】
【実施例】図1は本発明の一実施例であるパワートラン
ジスタを示しており、(a)は正面断面図、(b)は平
面断面図、(c)は側面断面図、(d)は(b)のd−
d線に沿う拡大部分断面図である。図2はその製造方法
に使用されるリードフレームおよびペレット等の組立体
を示しており、(a)は平面図、(b)は正面図、
(c)は(a)のc−c矢視図である。図3は投錨部の
製造工程を示しており、(a)は一部省略平面図、
(b)は一部省略一部切断正面図である。図4(a)、
(b)はその作用を説明するための各拡大部分正面断面
図である。
【0012】本実施例において、本発明に係る半導体装
置は、ヘッダ付き樹脂封止パッケージを備えているパワ
ートランジスタとして図1に示されているように構成さ
れている。そして、本発明に係る半導体装置の製造方法
の一実施例であるパワートランジスタの製造方法には、
図2に示されているリードフレーム1が使用されてい
る。まず、パワートランジスタの製造方法の一工程であ
るリードフレームの準備工程を、図2について説明す
る。
【0013】リードフレーム1は42アロイ等の鉄系材
料や、無酸素銅等の銅系材料(銅または銅合金)のよう
な導電性の良好な材料が使用されてプレス加工によって
一体成形されている。実際にはリードフレーム1は単位
リードフレームが一列に連結された多連リードフレーム
構造に形成される。但し、以下の説明および図示におい
ては、一単位のみが示されている。リードフレーム1は
矩形の板形状に形成された外枠2を備えており、外枠2
には位置決め孔2aが開設されている。外枠2の片脇に
はダム部材3が平行に配されており、外枠2とダム部材
3との間には第1アウタリード4、第2アウタリード5
および第3アウタリード6が長手方向に等間隔に配され
て、直角方向にそれぞれ架設されている。ダム部材3に
は第1インナリード7および第2インナリード8が、左
右の両端に位置する第1アウタリード4および第2アウ
タリード5と反対側位置で一体的に連続するように形成
されており、両インナリード7、8はその一部がダム部
材3と平行に延設されている。また、ダム部材3にはヘ
ッダ吊りリード9が、中央に位置する第3アウタリード
6と反対側の位置で一体的に連続するように形成されて
おり、このヘッダ吊りリード9にはヘッダ10が一体的
に形成されている。ちなみに、ダム部材3の各アウタリ
ード4、5、6の間の部分は樹脂封止体の成形に際して
樹脂のキャビティー外部への流出を堰止めるダム3aを
構成している。
【0014】リードフレーム1はヘッダ10の厚さがそ
の他の部分に対して厚く(例えば、2倍以上)になるよ
うに、異なる厚さの板材(所謂異形材)が使用されプレ
ス加工によって一体的に成形されている。すなわち、ヘ
ッダ10はリードフレーム1の他の部分よりも厚い大略
正方形の板形状に一体成形されている。また、ヘッダ吊
りリード9にはクランク形状の屈曲部11が形成されて
おり、この屈曲部11によって、ヘッダ10の高さは後
記するペレットの略厚さ分だけインナリード7、8の高
さよりも低く下げられている。なお、屈曲部11は後記
する投錨部の成形工程前に形成してもよいし、成形後に
形成してもよく、さらに、ワイヤボンディング工程後に
形成してもよい。
【0015】ヘッダ10のヘッダ吊りリード9と反対側
の端辺部(以下、前辺とする。)には長方形の透孔12
が一対、左右対称形状に開設されている。また、ヘッダ
10の前側左右のコーナー部には三角形切欠部13、1
3が、前方に行くにしたがって幅が狭く成るように左右
対称形状にそれぞれ開設されており、両三角形切欠部1
3、13の後ろ側には四角形切欠部14、14が左右対
称形状にそれぞれ開設されている。さらに、ヘッダ10
の左右の側面には三次元形状に膨出成形された投錨部1
5、15がそれぞれ一体的に突設されている。この三次
元形状の投錨部15は水平方向に突出した横方向突出部
16と、横方向突出部16の先端において垂直方向に突
出した縦方向突出部17とから構成されており、図3お
よび図4に示されているプレス加工によって成形されて
いる。
【0016】次に、投錨部の成形方法の一実施例を図3
および図4について説明する。三次元形状の投錨部15
を膨出成形するのに使用されるプレス加工装置40は、
上側取付板41および下側取付板42を備えている。上
側取付板41および下側取付板42は、上側シリンダ装
置43および下側シリンダ装置44(いずれも一部のみ
が図示されている。)によって昇降駆動されるようにそ
れぞれ構成されている。上側取付板41および下側取付
板42には上側押さえ45および下側押さえ46がそれ
ぞれ水平に吊持および支持されて、上側スプリング47
および下側スプリング48によってそれぞれ独立懸架さ
れている。さらに、上側取付板41および下側取付板4
2には三次元形状の投錨部15を膨出成形するための上
型49および下型50が一対ずつ、左右対称に配されて
それぞれ固定されている。上型49の形状は投錨部15
の横方向突出部16における上側部分の形状を規定する
とともに、縦方向突出部17を下向きに突出させるよう
に形成されている。また、下型50の形状は投錨部15
の横方向突出部16および縦方向突出部17を膨出させ
るとともに、その下側形状を規定するように形成されて
いる。
【0017】続いて、前記構成に係るプレス加工装置4
0による三次元形状の投錨部15の成形工程を説明す
る。ヘッダ10に三次元形状の投錨部15を成形すべき
リードフレーム1がワーク1Aとして、プレス加工装置
40に送り装置(図示せず)によって送られて来ると、
上側取付板41および下側取付板42が上側シリンダ装
置43および下側シリンダ装置44によって下降および
上昇される。この下降および上昇に伴って、図4(a)
に示されているように、ワーク1Aが上側押さえ45お
よび下側押さえ46によって挟まれ、上側スプリング4
7および下側スプリング48の弾発力によって押さえら
れる。
【0018】上側取付板41および下側取付板42が上
側シリンダ装置43および下側シリンダ装置44によっ
てさらに下降および上昇されると、図4(a)および
(b)に示されているように、下型50がワーク1Aに
押し込まれることによりワーク1Aの側壁部分が外側に
膨出されるとともに、図4(b)に示されているよう
に、膨出された部分が上型49によって膨出されつつ垂
直方向下向きに屈曲される。
【0019】その後、上側取付板41および下側取付板
42が上側シリンダ装置43および下側シリンダ装置4
4によって元の方向にそれぞれ移動されると、上型49
および下型50がワーク1Aから抜き出され、続いて、
上側押さえ45および下側押さえ46がワーク1Aから
離間される。次いで、ワーク1Aが1ピッチ送られ次の
ヘッダがプレス加工装置40に送られて来る。
【0020】以上のようにして投錨部15がヘッダ10
に成形されたリードフレーム1には、ペレットボンディ
ング工程において図2に示されているようにヘッダ10
にペレット22がボンディング部21を介してボンディ
ングされる。ペレット22は半導体装置の製造工程にお
ける所謂前工程においてパワートランジスタ素子を作り
込まれている。ボンディング部21ははんだ材料や銀
(Ag)ペースト等から形成されている。
【0021】このようにしてヘッダ10にペレット22
をボンディングされたリードフレーム1には、ワイヤボ
ンディング工程において図2に示されているようにペレ
ット22のボンディングパッドと第1インナリード7お
よび第2インナリード8との間にボンディングワイヤ2
3がそれぞれボンディングされる。そして、ペレット2
2に作り込まれたパワートランジスタ素子は、ペレット
22のボンディングパッド、ワイヤ23、インナリード
7、8を通じて外部に電気的に引き出された状態にな
る。
【0022】その後、リードフレーム1には樹脂封止体
成形工程において、図1に示されている樹脂封止体24
が樹脂成形される。樹脂封止体24はヘッダ10の上面
および外周面、ペレット22、ボンディング部21、両
方のインナリード7、8、ヘッダ吊りリード6の屈曲部
11、両ボンディングワイヤ23、23を樹脂封止して
いる。この状態において、ヘッダ10の両側面に突設さ
れた三次元形状の投錨部15は樹脂封止体24に強固に
食い付いた状態になっている。すなわち、投錨部15は
三次元形状に形成されているため、樹脂封止体24の樹
脂実体部との接着面積が大きくなっているばかりでな
く、横方向および縦方向に延在することによって縦方向
の引っ張り力および横方向の引っ張り力に機械的に抵抗
するように形状結合した状態になっている。
【0023】樹脂封止体24が成形された後に、リード
フレーム1はリード切断成形工程において外枠2および
ダム3aを切り落とされ、各アウタリード4、5、6を
図1に示されているようにガル・ウイング形状に屈曲成
形される。
【0024】以上のようにして、図1に示されているヘ
ッダ付き樹脂封止パッケージ25を備えているパワート
ランジスタ26が製造されたことになる。この樹脂封止
パッケージ25はヘッダ10の下面を露出させた状態で
ペレット22等を全体的に樹脂封止した樹脂封止体24
と、樹脂封止体24の後ろ側の側面から突出されてガル
・ウイング形状に屈曲成形された3本のアウタリード
4、5、6とから構成されている。そして、このパワー
トランジスタ26のヘッダ10における左右の側面に一
体的に突設された投錨部15が樹脂封止体24の内部に
おいて三次元に形状結合した状態になっているため、ヘ
ッダ10は樹脂封止体24に強固に結合したした状態に
なっている。
【0025】ところで、ヘッダ付き樹脂封止パッケージ
を備えているパワートランジスタに対する熱衝撃試験や
温度サイクル試験等の環境検査、そのパワートランジス
タのプリント配線基板への実装作業および実装後の作動
において、熱変化に伴う機械的応力が樹脂封止体とヘッ
ダとの間に作用すると、ヘッダと樹脂封止体との食い付
き効果が小さい場合には、ヘッダと樹脂封止体との間で
剥離が発生したり、それにより樹脂封止体にクラックが
発生したり、耐湿性能が低下したりすることがある。
【0026】しかし、本実施例においては、ヘッダ10
に突設された投錨部15が樹脂封止体24の樹脂実体部
に三次元形状に結合しているため、樹脂封止体に対する
食い付き効果がきわめて高く、熱変化に伴う機械的応力
が樹脂封止体24とヘッダ10との間に作用した場合で
あっても、ヘッダ10と樹脂封止体24との間で剥離が
発生したり、それにより樹脂封止体24にクラックが発
生したり、耐湿性能が低下したりすることは未然に回避
されることになる。
【0027】前記実施例によれば次の効果が得られる。 (1) ヘッダ付き樹脂封止パッケージ25を備えてい
るパワートランジスタ26のヘッダ10の一対の側面に
三次元形状の投錨部15を突設することにより、投錨部
15の樹脂封止体24との接触面積を増加させることが
できるばかりでなく、樹脂封止体24に対する投錨効果
ないしは形状結合効果を高めることができるため、ヘッ
ダ10を樹脂封止体24に強固に食い付かせることがで
きる。
【0028】(2) 前記(1)により、熱変化に伴う
機械的応力が樹脂封止体24とヘッダ10との間に作用
した場合であっても、ヘッダ10と樹脂封止体24との
間で剥離が発生したり、それにより樹脂封止体24にク
ラックが発生したり、耐湿性能が低下したりすることを
未然に防止することができる。
【0029】(3) ヘッダ10に三次元形状の投錨部
15をプレス加工によって成形することにより、投錨部
15の三次元方向への成形を切削加工を使用せずに実現
することができるため、加工費用の増加を抑制しつつ、
前記(1)および(2)の効果を確保することができ
る。
【0030】図5は本発明の実施例2を示しており、
(a)はそのパワートランジスタの正面断面図、(b)
はその製造方法における図4(b)に相当する拡大部分
正面断面図である。本実施例2が前記実施例1と異なる
点は、ヘッダ10の側面に三次元形状の投錨部15の縦
方向突出部17が下向きだけでなく上向きにもプレス加
工によって成形されている点にある。なお、図5(b)
中、51は中型である。本実施例2においては、投錨部
15の縦方向突出部17が上方に対しても樹脂封止体2
4に結合することにより、食い付き効果がきわめて高く
なるため、前記実施例1の作用効果をより一層高めるこ
とができる。
【0031】図6は本発明の実施例3を示しており、
(a)はそのパワートランジスタの正面断面図、(b)
はその製造方法における図4(b)に相当する拡大部分
正面断面図である。本実施例3が前記実施例1と異なる
点は、ヘッダ10の側面に三次元形状の投錨部15Aが
斜め下方向に削ぎ出されるようにして成形されている点
にある。斜め方向の投錨部15Aは樹脂封止体24に対
して三次元に形状結合することにより、樹脂封止体24
に対する食い付き効果がきわめて高くなるため、本実施
例3においても前記実施例1と同様の作用効果を得るこ
とができる。なお、斜め方向の投錨部15Aは斜め上向
きに突出してもよい。また、斜め上向きの投錨部15A
と斜め下向きの投錨部15Aとを上下対称形に形成して
もよい。
【0032】図7は本発明の実施例4を示しており、
(a)はそのパワートランジスタの正面断面図、(b)
はその投錨部の加工方法を示す拡大部分正面断面図であ
る。本実施例4が前記実施例1と異なる点は、ヘッダ1
0の側面に横方向突出部16と縦方向突出部17を有す
る三次元形状の投錨部15Bが切削加工によって形成さ
れている点にある。すなわち、ヘッダ10の側壁部の下
面がカッター52によって切削されることにより、横方
向突出部16および縦方向突出部17が同時に形成され
ている。本実施例4においても、投錨部15Bは樹脂封
止体24に対して三次元に形状結合することにより、食
い付き効果がきわめて高くなるため、前記実施例1と同
様の作用効果を得ることができる。なお、投錨部15B
は縦方向突出部17が上向きになるように上面側を切削
加工して形成してもよいし、上下対称形に形成してもよ
い。また、投錨部15Bは切削加工によって形成するに
限らず、エッチング加工によって形成してもよい。
【0033】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0034】投錨部の三次元形状は前記実施例1〜4の
形状に限らず、ヘッダの形状や構造および樹脂封止体の
形状や構造等に対応して適宜選定することが望ましい。
【0035】投錨部はリードフレームの打ち抜き成形工
程または屈曲部成形工程と別の工程で成形するに限ら
ず、同じ工程(ストローク)で成形してもよいし、リー
ドフレームの素材に予め作り込んでおいてもよい。
【0036】リードフレームはプレス加工によって成形
するに限らず、エッチング加工によって成形してもよ
い。
【0037】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるパワー
トランジスタに適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、トランジスタアレーやパワ
ー半導体集積回路装置(パワーIC)等のヘッダ付きの
樹脂封止パッケージを備えている半導体装置全般に適用
することができる。
【0038】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。樹脂封止体に埋め込まれたヘッダの少な
くとも一対の側面に三次元形状の投錨部を突設すること
により、ヘッダを樹脂封止体に強固に食い付かせること
ができるため、熱変化に伴う機械的応力が樹脂封止体と
ヘッダとの間に作用した場合であっても、ヘッダと樹脂
封止体との間で剥離が発生したり、それにより樹脂封止
体にクラックが発生したり、耐湿性能が低下したりする
ことを未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるパワートランジスタを
示しており、(a)は正面断面図、(b)は平面断面
図、(c)は側面断面図、(d)は(b)のd−d線に
沿う拡大部分断面図である。
【図2】その製造方法に使用されるリードフレームおよ
びペレット等の組立体を示しており、(a)は平面図、
(b)は正面図、(c)は(a)のc−c矢視図であ
る。
【図3】投錨部の製造工程を示しており、(a)は一部
省略平面図、(b)は一部省略一部切断正面図である。
【図4】(a)、(b)はその作用を説明するための各
拡大部分正面断面図である。
【図5】本発明の実施例2を示しており、(a)はその
パワートランジスタの正面断面図、(b)はその製造方
法における図4(b)に相当する拡大部分正面断面図で
ある。
【図6】本発明の実施例3を示しており、(a)はその
パワートランジスタの正面断面図、(b)はその製造方
法における図4(b)に相当する拡大部分正面断面図で
ある。
【図7】本発明の実施例4を示しており、(a)はその
パワートランジスタの正面断面図、(b)はその投錨部
の加工方法を示す拡大部分正面断面図である。
【符合の説明】
1…リードフレーム、1A…投錨部成形時のワーク、2
…外枠、2a…位置決め孔、3…ダム部材、3a…ダ
ム、4、5、6…アウタリード、7、8…インナリー
ド、9…ヘッダ吊りリード、10…ヘッダ、11…屈曲
部、12…透孔、13…三角形切欠部、14…四角形切
欠部、15…投錨部、15A…斜め方向の投錨部、15
B…切削加工による投錨部、16…横方向突出部、17
…縦方向突出部、21…ボンディング部、22…ペレッ
ト、23…ボンディングワイヤ、24…樹脂封止体、2
5…ヘッダ付き樹脂封止パッケージ、26…パワートラ
ンジスタ、40…プレス加工装置、41…上側取付板、
42…下側取付板、43…上側シリンダ装置、44…下
側シリンダ装置、45…上側押さえ、46…下側押さ
え、47…上側スプリング、48…下側スプリング、4
9…上型、50…下型、51…中型、52…カッター。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ペレットをボンディングされたヘ
    ッダがその一主面を露出された状態で、半導体ペレット
    を樹脂封止した樹脂封止体によって樹脂封止されている
    半導体装置において、 前記ヘッダの樹脂封止体に埋め込まれた周面の少なくと
    も一部には投錨部が、三次元形状に突設されていること
    を特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記投錨部は、水平方向に突出した横方
    向突出部と、横方向突出部の先端において垂直方向に突
    出した縦方向突出部とを備えていることを特徴とする請
    求項1に記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記投錨部は、斜め方向に突出されてい
    ることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 半導体ペレットをボンディングされたヘ
    ッダがその一主面を露出された状態で、半導体ペレット
    を樹脂封止した樹脂封止体によって樹脂封止されている
    半導体装置の製造方法において、 前記ヘッダの樹脂封止体に埋め込まれた周面の少なくと
    も一部に投錨部を、ヘッダの一部を塑性加工させて三次
    元形状に成形する工程を備えていることを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005259758A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
US7317181B2 (en) 2001-12-07 2008-01-08 Hitachi Cable, Ltd. Light-emitting unit and method for producing same as well as lead frame used for producing light-emitting unit
JP2010010696A (ja) * 2009-08-25 2010-01-14 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US7671382B2 (en) 2005-12-19 2010-03-02 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device with thermoplastic resin to reduce warpage

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7317181B2 (en) 2001-12-07 2008-01-08 Hitachi Cable, Ltd. Light-emitting unit and method for producing same as well as lead frame used for producing light-emitting unit
JP2005259758A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4628687B2 (ja) * 2004-03-09 2011-02-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7671382B2 (en) 2005-12-19 2010-03-02 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device with thermoplastic resin to reduce warpage
JP2010010696A (ja) * 2009-08-25 2010-01-14 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法

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