JPH08111600A - 高精度実装用マーカー、高精度実装装置および高精度実装方法 - Google Patents

高精度実装用マーカー、高精度実装装置および高精度実装方法

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JPH08111600A
JPH08111600A JP24387794A JP24387794A JPH08111600A JP H08111600 A JPH08111600 A JP H08111600A JP 24387794 A JP24387794 A JP 24387794A JP 24387794 A JP24387794 A JP 24387794A JP H08111600 A JPH08111600 A JP H08111600A
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marker
substrate
component
infrared light
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JP24387794A
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Kaoru Yoshino
薫 吉野
Yasubumi Yamada
泰文 山田
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 短時間に基板と部品とを固定し、また基板と
部品との固定強度を大きくするとともに、基板と部品と
の接触抵抗を減少する。 【構成】 赤外光源22の上方に基板用ステージ23を
設け、基板用ステージ23上にヒータ24を設け、ヒー
タ24上にシリコン基板25を取り付け、部品用ステー
ジ26にLDチップ28を取り付け、LDチップ28の
上方に赤外線顕微鏡30を設け、赤外線顕微鏡30に赤
外線カメラ31を接続し、赤外線カメラ31に画像処理
装置27を接続し、画像処理装置27にモニタ32を接
続し、赤外線顕微鏡30と赤外線カメラ31との間にハ
ーフミラー33を設け、ハーフミラー33の近傍にホト
ダイオード34を設け、ホトダイオード34に光強度測
定器35を接続し、基板用ステージ23、部品用ステー
ジ26、画像処理装置27を制御する制御装置29を設
ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体等の微小な部品
を高精度に位置合せして基板上に固定するための高精度
実装用マーカー、高精度実装装置および高精度実装方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在、チップ部品すなわち微小な半導体
素子を位置合せして基板上に固定するための実装装置と
しては、2台の顕微鏡で基板の上面と半導体素子の下面
とを観察し、それぞれの顕微鏡に対して位置合せした
後、あらかじめ実験的に求められる2台の顕微鏡間距離
だけ部品を移動させて固定するもの、ハーフミラーを使
って基板の上面と半導体素子の下面とを1台の顕微鏡で
同時に観察して位置合せした後、ハーフミラーを抜いて
半導体素子を下方に降ろして固定するものがある。これ
らは微小な半導体素子の実装用として開発され、現在最
高で±10μm程度の位置合せ精度を有している。
【0003】ところが、光通信・光計測用の光半導体素
子のモジュール化をしようとすると、一般に光半導体素
子は1μmあるいはそれ以下の精度で位置合せが必要と
なる。しかし、これらの装置では位置合せした後に光半
導体素子を大きく移動させる際に必ず移動機構のガタが
あるので、1μmオーダーの位置精度を得ることは困難
である。
【0004】移動時の位置ずれを本質的に回避するため
には、基板と光半導体素子とを重ね合わせた状態で、光
半導体素子の外形や光半導体素子上に形成されたマーカ
ーを検出して位置合せする方が当然望ましい。しかしな
がら、実際の装置構成では光半導体素子の保持、微動機
構や固定のための加熱機構が介在するので、顕微鏡を対
象となる光半導体素子にあまり接近させられない。その
ために、作動距離の長い低倍率の対物レンズしか使え
ず、先に述べたようなサブミクロンの高解像度を得るこ
とはできない。
【0005】これに対して、基板と光半導体素子とのそ
れぞれに形成したマーカーの像を画像解析し、マーカー
の重心位置を計算することによって、顕微鏡の分解能よ
りも高い位置検出を行なう方法とそれを応用した高精度
実装装置も発表された(「LD素子実装機の開発」およ
び「画像認識によるLD位置決め実装方式」、1994
年電子情報通信学会春季大会講演論文集p.4−288
〜289)。
【0006】図14は従来の高精度実装装置を示す図、
図15は図14に示した高精度実装装置の一部を示す
図、図16は図14に示した高精度実装装置により実装
すべきシリコン基板、LD(レーザダイオード)チップ
を示す斜視図である。図に示すように、基板用ステージ
1上にヒータ2が設けられ、ヒータ2上にシリコン基板
3が取り付けられ、部品用ステージ4にLDチップ5が
取り付けられ、LDチップ5の上方に赤外線顕微鏡6が
設けられ、赤外線顕微鏡6に赤外線カメラ7が接続さ
れ、赤外線カメラ7にCCD8が接続され、CCD8に
画像処理装置9が接続され、画像処理装置9にモニタ1
0が接続され、基板用ステージ1を制御する制御装置1
1が設けられ、ヒータ2を制御するヒータ制御装置12
が設けられ、部品用ステージ4を制御する制御装置13
が設けられ、制御装置11、ヒータ制御装置12、制御
装置13に接続された制御装置14が設けられ、制御装
置14に操作ボックス15、表示装置16、キーボード
17が接続されている。また、シリコン基板3に接合層
18が設けられ、LDチップ5に接合層19が設けら
れ、シリコン基板3に円形のマーカー20が設けられ、
LDチップ5に円形のマーカー21が設けられ、マーカ
ー20は赤外光反射材料を円形に切り欠いたものであ
り、マーカー21は円形の赤外光反射材料からなり、マ
ーカー20の径はマーカー21の径よりも大きい。
【0007】この高精度実装装置においては、マーカー
20、21の像の中心点の座標を求める。すなわち、図
17に示すように、ある点からマーカー20の像の確定
領域20a内の微小面積dSに向けたベクトルを→
1、ある点からマーカー20の像の不確定領域20b
内の微小面積dSに向けたベクトルを→r2としたと
き、ある点からマーカー20の像の中心点Oに向けたベ
クトル→rGは次式で表される。
【0008】
【数1】 →rG=(Σ→r1・dS+Σ→r2・dS)/S このようにして、マーカー20の像の中心点Oの座標お
よびマーカー21の像の中心点の座標を求める。つぎ
に、図18に示すように、マーカー20、21の中心点
の位置誤差ΔX、ΔYを求める。つぎに、シリコン基板
3に対してLDチップ5を位置誤差ΔX、ΔYだけ移動
したのち、LDチップ5をシリコン基板3に固定する。
【0009】この高精度実装装置においては、不確定領
域20b部の面積に比べて確定領域20a部の面積が十
分大きければ、ベクトル→rGの計算においては不確定
領域20b部の影響は小さくなるので、位置精度を高く
とることができる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような高
精度実装装置では、マーカー20、21の画像解析に加
え、複雑な円の重心位置計算をしなければならないの
で、位置調整に長時間を要するとともに、装置全体のコ
ストが高価となる。また、後述のように、円では微動移
動距離に対する検出感度の均一性が悪く、感度自体も低
くなるから、十分な分解能を得るためには大きなマーカ
ーが必要となるので、接合層18、19の面積を小さく
しなければならないため、シリコン基板3とLDチップ
5との固定強度が低下するとともに、シリコン基板3と
LDチップ5との接触抵抗が増加する。
【0011】この発明は短時間に基板と部品とを固定す
ることができ、また基板と部品との固定強度を大きくす
ることができるとともに、基板と部品との接触抵抗を減
少することができる高精度実装用マーカー、高精度実装
装置、高精度実装方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、赤外光透過材製の部品を赤外
光透過材製または赤外光吸収材製の基板上に位置合わせ
して固定するための高精度実装用マーカーにおいて、上
記部品の下面、上記基板の上面の一方に取り付けられた
第1のマーカー、上記部品の下面、上記基板の上面の他
方に取り付けられた第2のマーカーであって、上記第1
のマーカーは長方形の切り欠き部を有しかつ赤外光反射
材料製であり、上記第2のマーカーは長方形を除く平行
四辺形でかつ赤外光反射材料製であり、上記第2のマー
カーの平行四辺形の一方の高さが上記第1のマーカーの
上記切り欠き部の一方の辺の長さより長いことを特徴と
する。
【0013】また、赤外光透過材製の部品を赤外光透過
材製または赤外光吸収材製の基板上に位置合わせして固
定するための高精度実装用マーカーにおいて、上記部品
の下面、上記基板の上面の一方に取り付けられた第3の
マーカー、上記部品の下面、上記基板の上面の他方に取
り付けられた第4のマーカーであって、上記第3のマー
カーは菱形または六角形の切り欠き部を有しかつ赤外光
反射材料製であり、上記第4のマーカーは菱形または六
角形でかつ赤外光反射材料製でありかつ上記第3のマー
カーの上記切り欠き部に完全に含まれる大きさであるこ
とを特徴とする。
【0014】また、赤外光透過材製の部品を赤外光透過
材製または赤外光吸収材製の基板上に位置合わせして固
定するための高精度実装装置において、請求項1に記載
の第1のマーカーまたは第2のマーカーを取り付けた上
記部品を保持する部品用ステージと、請求項1に記載の
他方のマーカーを取り付けた上記基板を支持する基板用
ステージと、上記部品用ステージ、上記基板用ステージ
の少なくとも一方を微動する制御装置と、赤外光源と、
赤外線顕微鏡と、上記赤外線顕微鏡に接続された赤外線
カメラと、上記赤外線カメラに接続されたモニタと、上
記赤外線顕微鏡に接続された光強度測定器とからなるこ
とを特徴とする。
【0015】また、赤外光透過材製の部品を赤外光透過
材製または赤外光吸収材製の基板上に位置合わせして固
定するための高精度実装装置において、請求項2に記載
の第3のマーカーまたは第4のマーカーを取り付けた上
記部品を保持する部品用ステージと、請求項2に記載の
他方のマーカーを取り付けた上記基板を支持する基板用
ステージと、上記部品用ステージ、上記基板用ステージ
の少なくとも一方を微動する制御装置と、赤外光源と、
赤外線顕微鏡と、上記赤外線顕微鏡に接続された赤外線
カメラと、上記赤外線カメラに接続されたモニタおよび
画像処理装置とからなる構造であることを特徴とする。
【0016】また、赤外光透過材製の部品を赤外光透過
材製または赤外光吸収材製の基板上に位置合わせして固
定するための高精度実装方法において、上記部品には請
求項1に記載の第1のマーカーまたは第2のマーカーを
取り付け、上記基板には請求項1に記載の他方のマーカ
ーを取り付け、請求項3に記載のモニタを監視すること
により、上記第1のマーカーと上記第2のマーカーとが
重なるように上記部品と上記基板との位置を合わせ、上
記基板、上記部品の少なくとも一方を微動させながら請
求項3に記載の光強度測定器で光強度を測定し、上記光
強度が最小または最大となる位置で上記基板と上記部品
とを固定することを特徴とする。
【0017】また、赤外光透過材製の部品を赤外光透過
材製または赤外光吸収材製の基板上に位置合わせして固
定するための高精度実装方法において、上記部品には請
求項2に記載の第3のマーカーまたは第4のマーカーを
取り付け、上記基板には請求項2に記載の他方のマーカ
ーを取り付け、請求項4に記載のモニタを監視すること
により、上記第1のマーカーと上記第2のマーカーが重
なるように上記部品と上記基板の位置を合わせ、請求項
4に記載の画像処理装置を用いて、上記画像処理装置の
最小分解能を単位としたメッシュについて2値化判定す
るとともに各メッシュを上記基板または上記部品の移動
方向について重み付けを施し、上記第3、第4のマーカ
ーの領域内の重み付け値を積算して得られる数値を基準
として固定位置を決定し、上記基板と上記部品とを固定
することを特徴とする。
【0018】
【作用】この高精度実装用マーカー、高精度実装装置、
高精度実装方法においては、複雑な重心位置計算をする
必要がなく、また第1〜第4のマーカーが小さくとも基
板と部品との位置決めをすることができるから、接合層
の面積を大きくすることができる。
【0019】
【実施例】図1はこの発明に係る高精度実装装置を示す
図である。図に示すように、波長1.2μm以上の赤外
光を発生する赤外光源22の上方に基板用ステージ23
が設けられ、基板用ステージ23上にヒータ24が設け
られ、ヒータ24上にシリコン基板25が取り付けら
れ、部品用ステージ26にLDチップ28が取り付けら
れ、LDチップ28の上方に赤外線顕微鏡30が設けら
れ、赤外線顕微鏡30に赤外線カメラ31が接続され、
赤外線カメラ31に画像処理装置27が接続され、画像
処理装置27にモニタ32が接続され、赤外線顕微鏡3
0と赤外線カメラ31との間にハーフミラー33が設け
られ、ハーフミラー33の近傍にホトダイオード34が
設けられ、ホトダイオード34に光強度測定器35が接
続され、基板用ステージ23、部品用ステージ26、画
像処理装置27を制御する制御装置29が設けられてい
る。
【0020】図2は図1に示したLDチップの下面を示
す図、図3は図1に示したシリコン基板、LDチップに
取り付けられたこの発明に係る高精度実装用マーカーを
示す図である。図に示すように、LDチップ28の下面
には接合層36が設けられ、LDチップ28の上面には
角形の切り欠きエリアが形成された電極パターン43が
設けられ、接合層36の両側に第2のマーカー38が取
り付けられ、マーカー38は長方形ではない平行四辺形
でかつ赤外光反射材料製である。そして、シリコン基板
25には第1のマーカー37が設けられ、マーカー37
は長方形の切り欠き部を有しかつ赤外光反射材料製であ
り、マーカー38の平行四辺形の高さのうち高くない方
がマーカー37の切り欠き部の少なくとも一方の辺の長
さより長い。すなわち、長さl1〜l5はそれぞれ10μ
m、8μm、6μm、2μm、1μmである。また、接合
層36の両側にはマーカー38が90°向きを変えて取
り付けられており、マーカー37はマーカー38の向き
に合わせてシリコン基板25に取り付けられている。
【0021】このような高精度実装用マーカーおよび高
精度実装装置を使用した高精度実装方法すなわちこの発
明に係る高精度実装方法においては、まずヒータ24に
よりシリコン基板25をある程度加熱し、かつ赤外光源
22からシリコン基板25、LDチップ28に赤外光を
照射した(透過光型)状態で、モニタ32を監視しなが
ら、シリコン基板25に対してLDチップ28を移動
し、マーカー37とマーカー38とが重なるようにLD
チップ28とシリコン基板25との位置を合わせる。つ
ぎに、シリコン基板25に対してLDチップ28を微動
させながら、光強度測定器35で光強度を測定し、光強
度が最小となる位置でシリコン基板25、LDチップ2
8を停止し、ホットガス加熱機構(図示せず)から窒
素、アルゴン等のホットガスをLDチップ28に吹き付
けて、シリコン基板25にLDチップ28を固定する。
すると、シリコン基板25の所定位置にLDチップ28
を固定することができる。この固定には金属ハンダや熱
硬化性接着剤といったものが適用可能である。すなわ
ち、図4に示すように、マーカー37、38によって形
成される三角形の底辺の寸法をそれぞれa1、a2とし、
マーカー38の一辺の傾斜角をθとしたとき、上記三角
形の面積S1、S2は次式で表される。
【0022】
【数2】S1=a1 2・tanθ/2
【0023】
【数3】S2=a2 2・tanθ/2 ここで、(a1+a2)は一定であるから、a1+a2≡L
とすると、面積S1、S2の和は次式で表される。
【0024】
【数4】S1+S2=a1 2・tanθ−L・a1・tanθ+(L
2・tanθ)/2 そして、面積S1、S2の和を寸法a1で微分すると、次
式のようになる。
【0025】
【数5】 ∂(S1+S2)/∂a1=2a1・tanθ−L・tanθ したがって、2a1=Lのときつまりa1=a2のとき
に、面積S1、S2の和が最小となり、マーカー37、3
8部を透過する赤外光の光強度は最小となる。
【0026】なお、面積S1、S2の和が最小の位置(a
1=L/2)から距離δXだけ移動したときの面積変化率
は次式で表される。
【0027】
【数6】 δ(S1+S2)/(S1+S2)=1+(2δX/L)2 したがって、Lを小さくした方が感度は高くとれる。
【0028】このように、この高精度実装用マーカー、
高精度実装装置、高精度実装方法においては、マーカー
37、38の画像解析、複雑な重心位置計算をしなくて
よいから、短時間にシリコン基板25とLDチップ28
とを固定することができる。また、マーカー37、38
部を透過する赤外光の光強度に応じてシリコン基板25
とLDチップ28との位置決めを行なうから、マーカー
37、38が小さくともシリコン基板25とLDチップ
28との位置決めをすることができるので、接合層36
の面積を大きくすることができるため、シリコン基板2
5とLDチップ28との固定強度を大きくすることがで
きるとともに、シリコン基板25とLDチップ28との
接触抵抗を減少することができる。すなわち、マーカー
37、38の形状では、0.1μmの微動に対する光強
度の変化率は約0.04dB、0.2μmの微動に対す
る光強度の変化率は0.17dBとなるから、顕微鏡の
分解能が1〜2μmであっても、0.1〜0.2μmの
位置検出精度を出すことができる。また、±5μmの範
囲で検出可能である。また、接合層36の両側にマーカ
ー38を90°向きを変えて取り付け、マーカー37を
マーカー38の向きに合わせてシリコン基板25に取り
付けているから、角度調整を行なうことができる。ま
た、マニュアルでも容易にシリコン基板25とLDチッ
プ28との位置決めを行なうことができるから、大がか
りな自動化装置を作らなくてもよいので、実験で使うの
にも適している。
【0029】なお、この実施例では、光強度測定器35
の出力を監視しながらマニュアルで基板用ステージ2
3、部品用ステージ26を調整したが、ミニマムサーチ
装置を使用すれば自動化することができる。また、画像
処理装置27により面積S1と面積S2とを独立して検出
すれば、位置検出感度を改善することができる。この場
合、マーカー37、38部を透過する赤外光の光強度が
最小になる点と、面積S1と面積S2とが等しくなる点と
の検出を相補的に用い、検出感度が高くとれた方で位置
合せを行なえばよい。また、マーカー37、38はY軸
方向についても同様に最小位置検出が可能であるのは図
の対称性から自明である。
【0030】図5はこの発明に係る他の高精度実装装置
を示す図である。図に示すように、LDチップ28の上
方に赤外線顕微鏡44が設けられ、赤外線顕微鏡44に
赤外線カメラ31が接続され、赤外線顕微鏡44にハー
フミラー45が設けられ、ハーフミラー45に赤外光源
46が接続されている。
【0031】図6はこの発明に係る他の高精度実装用マ
ーカーを示す図である。図に示すように、シリコン基板
25の上面に取り付けられた第3のマーカー39とLD
チップ28の下面に取り付けられた第4のマーカー40
とからなり、マーカー39は菱形の切り欠き部を有しか
つ赤外光反射材料製であり、またマーカー40はマーカ
ー39の菱形と相似形の菱形でかつ赤外光反射材料製で
あり、マーカー40はマーカー39の切り欠き部に完全
に含まれる大きさである。すなわち、長さl6、l7はそ
れぞれ10μm、5μmであり、また角θ1は84°で
ある。
【0032】つぎに、図5に示した高精度実装装置およ
び図6に示した高精度実装用マーカーを使用してシリコ
ン基板25とLDチップ28との固定を行なう方法すな
わちこの発明に係る高精度実装方法について説明する。
まず、ヒータ24によりシリコン基板25をある程度加
熱し、かつ赤外光源46からハーフミラー45を介して
LDチップ28、シリコン基板25に赤外光を照射した
(同軸落射型)状態で、モニタ32を監視しながら、シ
リコン基板25に対してLDチップ28を移動し、マー
カー37とマーカー38とが重なるようにLDチップ2
8とシリコン基板25との位置を合わせる。つぎに、L
Dチップ28、シリコン基板25の少なくとも一方を微
動させながら、赤外線カメラ31でマーカー37、38
からの反射光を検出し、画像処理装置27を用いて、画
像処理装置27の最小分解能である1μmを単位とした
正方形メッシュについて2値化判定するとともに、各メ
ッシュにシリコン基板25またはLDチップ28の移動
方向について重み付けを施し、マーカー39、40の領
域内のメッシュの重み付け値を積算して得られる数値
(以下、これをメッシュ座標値と呼ぶ)を求める。つぎ
に、マーカー40についてのメッシュ座標値を4倍し、
その値とマーカー39についてのメッシュ座標値とを比
較して、マーカー39とマーカー40との位置関係を求
め、その位置関係に応じてLDチップ28をシリコン基
板25に対して移動したのち、ホットガス加熱機構(図
示せず)から窒素、アルゴン等のホットガスをLDチッ
プ28に吹き付けて、シリコン基板25とLDチップ2
8とを固定する。
【0033】この高精度実装方法においては、整数の積
和演算によってマーカー39、40の位置を求めること
ができるから、短時間にシリコン基板25とLDチップ
28とを固定することができる。また、位置合せ範囲内
にマーカー39、40があれば、シリコン基板25とL
Dチップ28とを一気に最適位置へ持ってくることがで
きるから、短時間にシリコン基板25とLDチップ28
とを固定することができる。また、図1に示した高精度
実装装置においては、赤外光を透過させるから、シリコ
ン基板25の中央部にはヒータ24をおけないため、シ
リコン基板25の周辺部のみしか加熱することができな
いのに対して、図5に示した高精度実装装置において
は、赤外光をヒータ24に透過させないから、ヒータ2
4でシリコン基板25の全体を加熱することができるか
ら、シリコン基板25を均一に加熱することができる利
点もある。
【0034】ところで、図7、図8は正方形メッシュの
中を円弧のマーカー境界線、直線のマーカー境界線が適
当な初期位置からX方向に+0.1μm、+0.2μm
移動した状態を示す図である。この図から明らかなよう
に、円弧のマーカー境界線がX方向に+0.1μm移動
したときには、全てがマーカー領域内に含まれるメッシ
ュは2個(斜線を施したメッシュ)増加し、円弧のマー
カー境界線がX方向に+0.2μm移動したときには、
全てがマーカー領域内に含まれるメッシュがさらに1個
(縦横線を施したメッシュ)増加する。また、直線のマ
ーカー境界線がX方向に+0.1μm移動したときに
は、全てがマーカー領域内に含まれるメッシュは2個
(斜線を施したメッシュ)増加し、直線のマーカー境界
線がX方向に+0.2μm移動したときには、全てがマ
ーカー領域内に含まれるメッシュがさらに2個(縦横線
を施したメッシュ)増加する。
【0035】図9〜図11はそれぞれ円弧のマーカー境
界線、Y軸に対する傾斜角θが48°、42°の直線の
マーカー境界線が動く場合に、ある位置からX方向に+
0.1μm、+0.2μmづつ移動したときに全てがマ
ーカー領域内に含まれるメッシュの増加個数すなわち検
出感度を示すグラフであり、グラフの左側に+0.1μ
mづつ移動した場合を示し、グラフの右側に+0.2μ
mづつ移動した場合を示す。このグラフから明らかなよ
うに、円弧のマーカー境界線の場合には移動距離に対す
る検出感度のムラが大きいのに対し、直線のマーカー境
界線の場合にはほぼ均一の検出感度が得られる。とく
に、傾斜角θが42°の直線のマーカー境界線の場合に
は、極めて検出感度の均一性に優れており、0.1μm
ステップでも検出感度が0になる点がない。また、図9
〜図11の場合には、マーカー境界線のY方向長さを一
定にしているので、1.0μm移動時のトータルの検出
個数は等しくなるが、マーカー面積は直線からなるマー
カーの方が小さい(傾斜角θが48°の直線からなる菱
形では円の71%、傾斜角θが42°の直線からなる菱
形では58%)ので、面積当たりの検出感度は菱形の方
が相対的に高くなり、六角形の場合にも同様である。す
なわち、円はあらゆる角度を持った短い直線が集まった
ものと考えられるが、現実の装置では水平方向微動軸は
基本的にX、Yの直交した2軸に限られるので(回転方
向は素子長が長いときに問題になるが調整は比較的容易
なのであまり問題にならない)、感度が低くなる成分も
含んでいると考えれば解りやすい。たとえば、傾斜角θ
が90°、45°の直線成分を考えれば、メッシュ間隔
と同じ1μmステップでしか検出できないことが自明で
ある。
【0036】そして、図5に示した高精度実装装置およ
び図6に示した高精度実装用マーカーを使用したときに
は、角θ1は84°であるから、マーカー39、40を
図示の向きで使用したときには、傾斜角θが42°のマ
ーカー境界線を有し、またマーカー39、40を図示の
状態から90°向きを変えて使用したときには、傾斜角
θが48°のマーカー境界線を有するので、円のマーカ
ーの場合と比較して検出感度を均一にすることができ
る。このため、マーカー39、40が小さくともシリコ
ン基板25とLDチップ28との位置決めをすることが
できるから、接合層の面積を大きくすることができるの
で、シリコン基板25とLDチップ28との固定強度を
大きくすることができるとともに、シリコン基板25と
LDチップ28との接触抵抗を減少することができる。
【0037】図12はこの発明に係る他の高精度実装用
マーカーを示す図である。図に示すように、シリコン基
板25の上面に取り付けられた第3のマーカー41とL
Dチップ28の下面に取り付けられた第4のマーカー4
2とからなり、マーカー41は六角形の切り欠き部を有
しかつ赤外光反射材料製であり、またマーカー42はマ
ーカー41の六角形の辺と平行な辺を有する六角形でか
つ赤外光反射材料製であり、マーカー42はマーカー4
1の切り欠き部に完全に含まれる大きさであり、マーカ
ー41の切り欠き部の面積はマーカー42の面積の5倍
である。すなわち、長さl8〜l11はそれぞれ11.1
μm、5.6μm、5.0μm、1.1μmであり、ま
た角θ2は20°である。
【0038】図13は傾斜角θが20°の直線のマーカ
ー境界線が動く場合の検出感度を示すグラフであり、グ
ラフの左側に+0.1μmづつ移動した場合を示し、グ
ラフの右側に+0.2μmづつ移動した場合を示す。こ
のグラフから明らかなように、円弧のマーカー境界線の
場合と比較して傾斜角θが20°の直線のマーカー境界
線の場合には検出感度が均一である。
【0039】そして、図5に示した高精度実装装置およ
び図12に示した高精度実装用マーカーを使用したとき
には、θ2は20°であるから、傾斜角θが20°のマ
ーカー境界線を有するので、円のマーカーの場合と比較
して検出感度を均一にすることができるため、精度の高
い位置決めを行なうことができる。また、傾斜角θが2
0°のマーカー境界線を有する菱形では、頂角が40°
となり、鋭角すぎてマーカーを形成する際に角が鈍りや
すいのに対して、マーカー42を六角形にしたときに
は、鋭角が存在しないから、高精度にマーカー42を形
成することができる。また、同時に右辺と左辺に1.1
μmのオフセットを付けているから、検出感度低下の点
が重なることはない。また、調整方向は1軸に限定され
るが、マーカー42の面積を小さくすることができる。
【0040】なお、上述実施例においては、図1に示し
た透過光型の高精度実装装置および図3に示した高精度
実装用マーカーを使用してシリコン基板25とLDチッ
プ28とを固定したが、光強度測定器を有する同軸落射
型の高精度実装装置および図3に示した高精度実装用マ
ーカーを使用してシリコン基板25とLDチップ28と
を固定してもよい。この場合、光強度が最大となる位置
でシリコン基板25、LDチップ28を停止する。ま
た、上述実施例においては、図5に示した同軸落射型の
高精度実装装置および図6、図12に示した高精度実装
用マーカーを使用してシリコン基板25とLDチップ2
8とを固定したが、画像処理装置を有する透過光型の高
精度実装装置および図6、図12に示した高精度実装用
マーカーを使用してシリコン基板25とLDチップ28
とを固定してもよい。また、上述実施例においては、シ
リコン基板25とLDチップ28とを固定する場合につ
いて説明したが、他の赤外光透過材製または赤外光吸収
材製の基板と他の赤外光透過材製の部品とを固定する場
合にもこの発明を適用することができる。また、赤外光
反射材料としては金、ハンダ、Ni等の金属を用いるこ
とができる。また、上述実施例においては、マーカー3
9の切り欠き部の面積をマーカー40の面積の4倍と
し、マーカー41の切り欠き部の面積をマーカー42の
面積の5倍としたが、第3のマーカーの切り欠き部の面
積を第4のマーカーの面積の整数倍としなくともよい。
また、一般に傾斜角θはX方向に対して最適化するとY
方向には感度が低下するので、X、Y各軸専用に高精度
実装用マーカーを設けておくことが望ましいが、傾斜角
θが42°、48°のようにX、Y両軸に対して適用可
能なケースもあるので、X、Y各軸専用に高精度実装用
マーカーを設けることは必ずしも必要条件ではない。ま
た、傾斜角θの最適値はメッシュサイズ、第3、第4の
マーカーのサイズ、移動ステップ等によって変わり、解
析的には求められないと予想される。しかし、今回のデ
ータも数値シミュレーションによって求めたが、計算自
体は難しいものではないので、実用的には十分である。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係るに
高精度実装用マーカー、高精度実装装置、高精度実装方
法においては、複雑な重心位置計算をする必要がないか
ら、短時間に基板と部品とを固定することができるとと
もに、装置全体のコストが安価となり、また接合層の面
積を大きくすることができるから、基板と部品との固定
強度を大きくすることができるとともに、基板と部品と
の接触抵抗を減少することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る高精度実装装置を示す図であ
る。
【図2】図1に示した高精度実装装置に取り付けられた
LDチップの下面を示す図である。
【図3】この発明に係る高精度実装用マーカーを示す図
である。
【図4】図1に示した高精度実装装置の動作説明図であ
る。
【図5】この発明に係る他の高精度実装装置を示す図で
ある。
【図6】この発明に係る他の高精度実装用マーカーを示
す図である。
【図7】正方形メッシュの中を円弧のマーカー境界線が
移動した状態を示す図である。
【図8】正方形メッシュの中を直線のマーカー境界線が
移動した状態を示す図である。
【図9】円弧のマーカー境界線の検出感度を示すグラフ
である。
【図10】傾斜角θが48°の直線のマーカー境界線の
検出感度を示すグラフである。
【図11】傾斜角θが42°の直線のマーカー境界線の
検出感度を示すグラフである。
【図12】この発明に係る他の高精度実装用マーカーを
示す図である。
【図13】傾斜角θが20°の直線のマーカー境界線の
検出感度を示すグラフである。
【図14】従来の高精度実装装置を示す図である。
【図15】図14に示した高精度実装装置の一部を示す
図である。
【図16】図14に示した高精度実装装置により実装す
べきシリコン基板、LDチップを示す斜視図である。
【図17】図14に示した高精度実装装置の動作説明図
である。
【図18】図14に示した高精度実装装置の動作説明図
である。
【符号の説明】
22…赤外光源 23…基板用ステージ 25…シリコン基板 26…部品用ステージ 27…画像処理装置 28…LDチップ 29…制御装置 30…赤外線顕微鏡 31…赤外線カメラ 32…モニタ 35…光強度測定器 37…第1のマーカー 38…第2のマーカー 39…第3のマーカー 40…第4のマーカー 41…第3のマーカー 42…第4のマーカー 44…赤外線顕微鏡 46…赤外光源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01S 3/18

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】赤外光透過材製の部品を赤外光透過材製ま
    たは赤外光吸収材製の基板上に位置合わせして固定する
    ための高精度実装用マーカーにおいて、上記部品の下
    面、上記基板の上面の一方に取り付けられた第1のマー
    カー、上記部品の下面、上記基板の上面の他方に取り付
    けられた第2のマーカーであって、上記第1のマーカー
    は長方形の切り欠き部を有しかつ赤外光反射材料製であ
    り、上記第2のマーカーは長方形を除く平行四辺形でか
    つ赤外光反射材料製であり、上記第2のマーカーの平行
    四辺形の一方の高さが上記第1のマーカーの上記切り欠
    き部の一方の辺の長さより長いことを特徴とする高精度
    実装用マーカー。
  2. 【請求項2】赤外光透過材製の部品を赤外光透過材製ま
    たは赤外光吸収材製の基板上に位置合わせして固定する
    ための高精度実装用マーカーにおいて、上記部品の下
    面、上記基板の上面の一方に取り付けられた第3のマー
    カー、上記部品の下面、上記基板の上面の他方に取り付
    けられた第4のマーカーであって、上記第3のマーカー
    は菱形または六角形の切り欠き部を有しかつ赤外光反射
    材料製であり、上記第4のマーカーは菱形または六角形
    でかつ赤外光反射材料製でありかつ上記第3のマーカー
    の上記切り欠き部に完全に含まれる大きさであることを
    特徴とする高精度実装用マーカー。
  3. 【請求項3】赤外光透過材製の部品を赤外光透過材製ま
    たは赤外光吸収材製の基板上に位置合わせして固定する
    ための高精度実装装置において、請求項1に記載の第1
    のマーカーまたは第2のマーカーを取り付けた上記部品
    を保持する部品用ステージと、請求項1に記載の他方の
    マーカーを取り付けた上記基板を支持する基板用ステー
    ジと、上記部品用ステージ、上記基板用ステージの少な
    くとも一方を微動する制御装置と、赤外光源と、赤外線
    顕微鏡と、上記赤外線顕微鏡に接続された赤外線カメラ
    と、上記赤外線カメラに接続されたモニタと、上記赤外
    線顕微鏡に接続された光強度測定器とからなることを特
    徴とする高精度実装装置。
  4. 【請求項4】赤外光透過材製の部品を赤外光透過材製ま
    たは赤外光吸収材製の基板上に位置合わせして固定する
    ための高精度実装装置において、請求項2に記載の第3
    のマーカーまたは第4のマーカーを取り付けた上記部品
    を保持する部品用ステージと、請求項2に記載の他方の
    マーカーを取り付けた上記基板を支持する基板用ステー
    ジと、上記部品用ステージ、上記基板用ステージの少な
    くとも一方を微動する制御装置と、赤外光源と、赤外線
    顕微鏡と、上記赤外線顕微鏡に接続された赤外線カメラ
    と、上記赤外線カメラに接続されたモニタおよび画像処
    理装置とからなる構造であることを特徴とする高精度実
    装装置。
  5. 【請求項5】赤外光透過材製の部品を赤外光透過材製ま
    たは赤外光吸収材製の基板上に位置合わせして固定する
    ための高精度実装方法において、上記部品には請求項1
    に記載の第1のマーカーまたは第2のマーカーを取り付
    け、上記基板には請求項1に記載の他方のマーカーを取
    り付け、請求項3に記載のモニタを監視することによ
    り、上記第1のマーカーと上記第2のマーカーとが重な
    るように上記部品と上記基板との位置を合わせ、上記基
    板、上記部品の少なくとも一方を微動させながら請求項
    3に記載の光強度測定器で光強度を測定し、上記光強度
    が最小または最大となる位置で上記基板と上記部品とを
    固定することを特徴とする高精度実装方法。
  6. 【請求項6】赤外光透過材製の部品を赤外光透過材製ま
    たは赤外光吸収材製の基板上に位置合わせして固定する
    ための高精度実装方法において、上記部品には請求項2
    に記載の第3のマーカーまたは第4のマーカーを取り付
    け、上記基板には請求項2に記載の他方のマーカーを取
    り付け、請求項4に記載のモニタを監視することによ
    り、上記第1のマーカーと上記第2のマーカーが重なる
    ように上記部品と上記基板の位置を合わせ、請求項4に
    記載の画像処理装置を用いて、上記画像処理装置の最小
    分解能を単位としたメッシュについて2値化判定すると
    ともに各メッシュを上記基板または上記部品の移動方向
    について重み付けを施し、上記第3、第4のマーカーの
    領域内の重み付け値を積算して得られる数値を基準とし
    て固定位置を決定し、上記基板と上記部品とを固定する
    ことを特徴とする高精度実装方法。
JP24387794A 1994-10-07 1994-10-07 高精度実装用マーカー、高精度実装装置および高精度実装方法 Pending JPH08111600A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1028340A1 (en) * 1999-02-10 2000-08-16 Nec Corporation Method for connecting optical waveguide and optical semiconductor device and apparatus for connecting the same
WO2003041478A1 (fr) * 2001-11-05 2003-05-15 Toray Engineering Co., Ltd. Procede et dispositif de montage
JP2008241732A (ja) * 2007-03-23 2008-10-09 Nec Corp 光導波路デバイスおよび光導波路デバイスの製造方法
JP2011129804A (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 Nec Corp 素子、実装装置および方法
JP2019057610A (ja) * 2017-09-21 2019-04-11 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品の実装装置および表示用部材の製造方法
CN110280991A (zh) * 2019-07-03 2019-09-27 武汉欧易光电科技股份有限公司 一种cwdm特殊光模块的制造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1028340A1 (en) * 1999-02-10 2000-08-16 Nec Corporation Method for connecting optical waveguide and optical semiconductor device and apparatus for connecting the same
US6385223B1 (en) 1999-02-10 2002-05-07 Nec Corporation Method for connecting optical waveguide and optical semiconductor device and apparatus for connecting the same
WO2003041478A1 (fr) * 2001-11-05 2003-05-15 Toray Engineering Co., Ltd. Procede et dispositif de montage
JP2008241732A (ja) * 2007-03-23 2008-10-09 Nec Corp 光導波路デバイスおよび光導波路デバイスの製造方法
JP2011129804A (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 Nec Corp 素子、実装装置および方法
JP2019057610A (ja) * 2017-09-21 2019-04-11 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品の実装装置および表示用部材の製造方法
CN110280991A (zh) * 2019-07-03 2019-09-27 武汉欧易光电科技股份有限公司 一种cwdm特殊光模块的制造方法

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