JPH08110353A - Semiconductor acceleration sensor device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体加速度センサ
ー装置、特に、自動車のエアバック等に使用される半導
体加速度センサー装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor acceleration sensor device, and more particularly to a semiconductor acceleration sensor device used for an automobile airbag or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図７は、従来の半導体加速度センサー装
置を示す側断面図であり、図８は図７に示した半導体加
速度センサー装置のキャップを破断して示した平面図で
ある。これらの図において、ダイヤフラム部１ａが形成
された加速度検出梁であるセンサーチップ１は、台座１
３により厚膜基板１２に固着されている。センサーチッ
プ１のダイヤフラム部１ａの裏面には、４本のゲージ抵
抗１ｂがブリッジ回路を構成するように設けられてお
り、ボンディング電極４ａと厚膜基板１２とはワイヤ１
１により電気的に接続されている。厚膜基板１２はベー
ス板１４に接着されており、ガラス絶縁材１６によりベ
ース板１４に固定されたリード線１８にワイヤ１１によ
り電気的に接続されている。センサーチップ１や厚膜基
板１２等は、キャップ１５により覆われて、半導体加速
度センサー装置１０が構成されている。7 is a side sectional view showing a conventional semiconductor acceleration sensor device, and FIG. 8 is a plan view showing a broken semiconductor cap of the semiconductor acceleration sensor device shown in FIG. In these figures, the sensor chip 1 which is an acceleration detection beam on which the diaphragm portion 1a is formed is
It is fixed to the thick film substrate 12 by 3. On the back surface of the diaphragm portion 1a of the sensor chip 1, four gauge resistors 1b are provided so as to form a bridge circuit, and the bonding electrode 4a and the thick film substrate 12 are connected to the wire 1
It is electrically connected by 1. The thick film substrate 12 is adhered to the base plate 14, and is electrically connected to the lead wire 18 fixed to the base plate 14 by the glass insulating material 16 by the wire 11. The sensor chip 1, the thick film substrate 12, and the like are covered with the cap 15 to form the semiconductor acceleration sensor device 10.
【０００３】従来の半導体加速度センサー装置は上述し
たように構成され、加速度検出用のセンサーチップ１
は、ダイヤフラム部１ａを有しており、センサーチップ
１のチッピングや取り扱いによってはダメージを受ける
ことがあり、ダメージを受けるとセンサーチップ１の耐
衝撃性を低下させてしまう。このため、半導体加速度セ
ンサー装置の耐衝撃性を保証するため、従来は３０００
Ｇ程度の衝撃を与え衝撃試験を行っていた。図９は、従
来の衝撃試験装置を示す概略図であり、半導体加速度セ
ンサー装置１０は、ネジ１４ａにより衝撃試験装置１７
に取り付けられている。The conventional semiconductor acceleration sensor device is constructed as described above, and the sensor chip 1 for detecting acceleration is used.
Has a diaphragm portion 1a and may be damaged by chipping or handling of the sensor chip 1, and if damaged, the shock resistance of the sensor chip 1 will be reduced. For this reason, in order to guarantee the shock resistance of the semiconductor acceleration sensor device, in the past, 3000
An impact test of G level was performed. FIG. 9 is a schematic diagram showing a conventional impact test device, and the semiconductor acceleration sensor device 10 includes an impact test device 17 with a screw 14a.
Attached to.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述したような半導体
加速度センサー装置では、衝撃検査を行う際に、３００
０Ｇの衝撃を発生させるため、検査治具を持ち上げて自
然落下させている。このため、衝撃試験装置が大掛かり
となり、衝撃試験装置の機械疲労による故障が多いとい
う問題点があった。また、半導体加速度センサー装置の
製品を１つづつ衝撃試験装置にネジ止めしなければなら
ず、衝撃試験装置の信頼性と試験能力の点で十分でない
という問題点もあった。In the semiconductor acceleration sensor device as described above, when the impact inspection is performed, 300
In order to generate a 0 G impact, the inspection jig is lifted and naturally dropped. For this reason, the impact test apparatus becomes large-scaled, and there is a problem in that the impact test apparatus often fails due to mechanical fatigue. In addition, the semiconductor acceleration sensor device products must be screwed to the impact test device one by one, which is not sufficient in terms of reliability and test capability of the impact test device.
【０００５】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、直接センサーチップに機械的変
位量を与える耐衝撃性試験を簡単に行うことができる半
導体加速度センサー装置を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and provides a semiconductor acceleration sensor device which can easily perform an impact resistance test in which a mechanical displacement amount is directly applied to a sensor chip. With the goal.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る発明は、表面にゲージ抵抗がブリッジ回路を構成
するように形成され、このゲージ抵抗の裏面にダイヤフ
ラム部が設けられたセンサーチップを台座により片持ち
梁となるように固定された半導体加速度センサー装置で
あって、上記センサーチップ表面の自由端先端の長手方
向中心軸上にアルミニウム電極を設けたものである。The invention according to claim 1 of the present invention is a sensor in which a gauge resistor is formed on the front surface so as to form a bridge circuit, and a diaphragm portion is provided on the back surface of the gauge resistor. A semiconductor acceleration sensor device in which a chip is fixed as a cantilever by a pedestal, and an aluminum electrode is provided on the central axis in the longitudinal direction of the tip of the free end on the surface of the sensor chip.
【０００７】この発明の請求項第２項に係る発明は、セ
ンサーチップ表面に形成されたボンディング電極と、ダ
イヤフラム部を横切り上記センサーチップ表面の自由端
外周に形成され上記ボンディング電極とアルミニウム電
極とを電気的に接続するアルミニウム配線パターンとを
設けたものである。According to a second aspect of the present invention, the bonding electrode formed on the surface of the sensor chip and the bonding electrode and the aluminum electrode formed on the outer periphery of the free end of the surface of the sensor chip across the diaphragm portion are provided. An aluminum wiring pattern for electrical connection is provided.
【０００８】この発明の請求項第３項に係る発明は、ア
ルミニウム配線パターンの少なくともダイヤフラム部近
傍を拡散導体とするものである。According to a third aspect of the present invention, the diffusion conductor is provided at least in the vicinity of the diaphragm portion of the aluminum wiring pattern.
【０００９】この発明の請求項第４項に係る発明は、ア
ルミニウム電極は一定の電位に保持されているものであ
る。In the invention according to claim 4 of the present invention, the aluminum electrode is held at a constant potential.
【００１０】[0010]
【作用】この発明の請求項第１項においては、センサー
チップ表面の自由端先端の長手方向中心軸上にアルミニ
ウム電極を設けたので、センサーチップを傷付けずにか
つ滑らずにプローブピンを正確に位置決めして衝撃試験
が行える。According to the first aspect of the present invention, since the aluminum electrode is provided on the central axis in the longitudinal direction of the tip of the free end on the surface of the sensor chip, the probe pin can be accurately attached without damaging the sensor chip and slipping. Positioning and impact test can be performed.
【００１１】この発明の請求項第２項においては、ダイ
ヤフラム部を横切り上記センサーチップ表面の自由端外
周に形成され上記ボンディング電極とアルミニウム電極
とをアルミニウム配線パターンで電気的に接続するの
で、センサーチップのダイヤフラム部に生じた割れや断
線を容易に検出する。According to the second aspect of the present invention, since the bonding electrode and the aluminum electrode which are formed on the outer periphery of the free end of the sensor chip surface across the diaphragm portion are electrically connected by the aluminum wiring pattern, the sensor chip is formed. It is easy to detect cracks and breaks in the diaphragm part of.
【００１２】この発明の請求項第３項においては、アル
ミニウム配線パターンの少なくともダイヤフラム部近傍
を拡散導体とするので、センサーチップに微小なクラッ
クが発生しても、拡散導体の導通が断たれてより精度良
くクラックを検出する。According to the third aspect of the present invention, since the diffusion conductor is formed at least in the vicinity of the diaphragm portion of the aluminum wiring pattern, even if a minute crack is generated in the sensor chip, the conduction of the diffusion conductor is interrupted. Detect cracks with high accuracy.
【００１３】この発明の請求項第４項においては、アル
ミニウム電極は一定の電位に保持されているので、この
電位の変化によりプローブピンがアルミニウム電極に接
触した時点及びセンサーチップの折れを検出できる。According to the fourth aspect of the present invention, since the aluminum electrode is held at a constant electric potential, it is possible to detect the time when the probe pin comes into contact with the aluminum electrode and the breakage of the sensor chip due to the change in the electric potential.
【００１４】[0014]
実施例１．図１は、この発明の実施例１による半導体加
速度センサー装置のセンサーチップを示す概略平面図で
ある。なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示
している。図において、センサーチップ１表面の自由端
先端の長手方向中心軸上にアルミニウム電極２が設けら
れている。このアルミニウム電極２は、センサーチップ
１の後述するアルミニウム配線パターンと同時に形成さ
れるため、精度良く形成することができる。Example 1. 1 is a schematic plan view showing a sensor chip of a semiconductor acceleration sensor device according to a first embodiment of the present invention. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. In the figure, an aluminum electrode 2 is provided on the central axis in the longitudinal direction of the tip of the free end on the surface of the sensor chip 1. Since the aluminum electrode 2 is formed simultaneously with the later-described aluminum wiring pattern of the sensor chip 1, it can be formed accurately.
【００１５】上述したように構成された半導体加速度セ
ンサー装置においては、センサーチップ１の先端に設け
られたアルミニウム電極２に、直接機械的な変位を与え
ることが可能である。例えば、センサーチップ１のダイ
ヤフラム部１ａから自由端先端部分に３０００Ｇの加速
度が均一に加わった場合、シリコンの縦弾性率Ｅは１７
０００ Kg/mm2、シリコンの比重ｗは２．３×１０-6 Kg
/mm3、ダイヤフラム部１ａからセンサーチップ１の先端
までの距離ｌは４ｍｍ、センサーチップ１の厚さｈは
０．２５ｍｍ、センサーチップ１の幅ｂは２ｍｍである
とき、センサーチップ１の先端の変位量δは、δ＝６ｗ
ｌ4×３０００／Ｅｂｈ3となる。このとき、センサーチ
ップ１の変位量δは、約２０μｍとなる。従って、精度
の良いモーターを使用すれば、５〜１０μｍステップで
ストロークを調整できるため、センサーチップ１の先端
に直接機械的な変位を与えることが可能である。In the semiconductor acceleration sensor device constructed as described above, mechanical displacement can be directly applied to the aluminum electrode 2 provided at the tip of the sensor chip 1. For example, when the acceleration of 3000 G is uniformly applied from the diaphragm portion 1a of the sensor chip 1 to the free end tip portion, the longitudinal elastic modulus E of silicon is 17
000 Kg / mm 2 , specific gravity w of silicon is 2.3 × 10 -6 Kg
/ mm 3 , the distance 1 from the diaphragm portion 1a to the tip of the sensor chip 1 is 4 mm, the thickness h of the sensor chip 1 is 0.25 mm, and the width b of the sensor chip 1 is 2 mm. The displacement amount δ is δ = 6w
It becomes l 4 × 3000 / Ebh 3 . At this time, the displacement amount δ of the sensor chip 1 is about 20 μm. Therefore, if a highly accurate motor is used, the stroke can be adjusted in steps of 5 to 10 μm, and thus it is possible to directly give a mechanical displacement to the tip of the sensor chip 1.
【００１６】図５は、センサーチップ１に設けられたア
ルミニウム電極２にプローブピン３を押し当てた状態を
示す側面図である。また、プローブピン３を用いて衝撃
検査を行う手順のフローチャートを図６に示す。これら
の図において、プローブピン３をセンサーチップ１に向
けて下降させ（Ｓ１）、プローブピン３をアルミニウム
電極２に接触させる（Ｓ２）。この時、接触スイッチを
オンとし（Ｓ３）、この状態を基準として所定の目標値
だけプローブピン３を下降させる（Ｓ４）。プローブピ
ン３の下降によりセンサーチップ１の折れが検出された
場合（Ｓ５）、衝撃検査を止め、プローブピン３を上昇
させて検査を終了する（Ｓ６）。FIG. 5 is a side view showing a state in which the probe pin 3 is pressed against the aluminum electrode 2 provided on the sensor chip 1. FIG. 6 shows a flowchart of a procedure for performing an impact inspection using the probe pin 3. In these figures, the probe pin 3 is lowered toward the sensor chip 1 (S1), and the probe pin 3 is brought into contact with the aluminum electrode 2 (S2). At this time, the contact switch is turned on (S3), and the probe pin 3 is lowered by a predetermined target value based on this state (S4). When breakage of the sensor chip 1 is detected due to the lowering of the probe pin 3 (S5), the impact inspection is stopped, the probe pin 3 is raised, and the inspection is finished (S6).
【００１７】センサーチップ１に直接プローブピン３を
押し当てると、センサーチップ１が傷付いたりプローブ
ピン３が滑ることがあるが、アルミニウム電極２を設け
ることによりこれらを防止できる。また、ワイヤボンダ
ーなどに広く使用されている光学系の２値化認識装置を
使用すれば、たとえセンサーチップ１のダイボンド位置
精度が数１００μｍずれていても、確実にアルミニウム
電極２上にプローブピン３を押し当てることができる。
従って、画像処理によりプローブピン３の位置を確認す
るためにもアルミニウム電極２を設けることが必要であ
る。When the probe pin 3 is directly pressed against the sensor chip 1, the sensor chip 1 may be damaged or the probe pin 3 may slip, but this can be prevented by providing the aluminum electrode 2. Further, if a binary recognition device of an optical system widely used for a wire bonder or the like is used, the probe pin 3 can be surely placed on the aluminum electrode 2 even if the die bond position accuracy of the sensor chip 1 is deviated by several hundred μm. Can be pressed.
Therefore, it is necessary to provide the aluminum electrode 2 in order to confirm the position of the probe pin 3 by image processing.
【００１８】実施例２．実施例１では、予めセンサーチ
ップ１のアルミニウム電極２にプローブピン３が接触す
る位置にプローブピン３を調整しなければならず手数が
かかるという問題があり、実施例２はこれを解消するも
のである。図２は、この発明の実施例２による半導体加
速度センサー装置のセンサーチップを示す概略平面図で
あり、図３はそのＡ−Ａ線に沿った断面図である。これ
らの図において、センサーチップ１の表面にはボンディ
ング電極４ａが設けられており、外部回路とワイヤボン
ドされている。このボンディング電極４ａとプローブピ
ン３を押し当てるアルミニウム電極２とは、アルミニウ
ム配線パターン４ｂによって電気的に接続されている。
アルミニウム配線パターン４ｂは、センサーチップ１の
ダイヤフラム部１ａの上面を横断し、センサーチップ１
の可動部の外周に沿って配線されている。なお、センサ
ーチップ１の表面は、保護膜１ｃで覆われている。Example 2. In the first embodiment, there is a problem that the probe pin 3 has to be adjusted in advance to a position where the probe pin 3 comes into contact with the aluminum electrode 2 of the sensor chip 1, which is troublesome, and the second embodiment solves this problem. is there. 2 is a schematic plan view showing a sensor chip of a semiconductor acceleration sensor device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a sectional view taken along the line AA. In these figures, a bonding electrode 4a is provided on the surface of the sensor chip 1 and is wire-bonded to an external circuit. The bonding electrode 4a and the aluminum electrode 2 against which the probe pin 3 is pressed are electrically connected by the aluminum wiring pattern 4b.
The aluminum wiring pattern 4b crosses the upper surface of the diaphragm portion 1a of the sensor chip 1 and
Are wired along the outer circumference of the movable part. The surface of the sensor chip 1 is covered with the protective film 1c.
【００１９】アルミニウム配線パターン４ｂは、センサ
ーチップ１のダイヤフラム部１ａに割れや折れが生じた
場合、断線することによって割れ等を検出することがで
きる。また、アルミニウム配線パターン４ｂはプローブ
ピン３がアルミニウム電極２に接触したことを検知する
ことができる。すなわち、アルミニウム電極２を一定の
電位に保持してプローブピン３とボンディング電極４ａ
との間に電位差を持たせておけば、図６に示したよう
に、プローブピン３が下降してアルミニウム電極２に接
触した時点で電流又は電圧が変化する（Ｓ１〜Ｓ３）。
次いで、その位置から目標変化量例えば３０００Ｇの場
合、プローブピン３が２０μｍ変位し（Ｓ４）、変位量
到達時に電流又は電圧の変化の有無でセンサーチップ１
の折れを検知し（Ｓ５）、プローブピン３は上昇する
（Ｓ６）。これらの動作を繰り返すことによって、任意
の加速度を実際に印加した場合と同様な衝撃試験及び半
導体加速度センサー装置の検査を行うことができる。When the diaphragm portion 1a of the sensor chip 1 is cracked or broken, the aluminum wiring pattern 4b can detect cracks or the like by breaking the wire. Further, the aluminum wiring pattern 4b can detect that the probe pin 3 is in contact with the aluminum electrode 2. That is, the aluminum electrode 2 is held at a constant potential and the probe pin 3 and the bonding electrode 4a are held.
If a potential difference is provided between the probe pin 3 and the aluminum electrode 2, the current or voltage changes as shown in FIG. 6 (S1 to S3).
Then, when the target change amount from that position is 3000 G, for example, the probe pin 3 is displaced by 20 μm (S4), and when the displacement amount is reached, the sensor chip 1 is detected depending on whether the current or voltage changes.
The breakage is detected (S5), and the probe pin 3 rises (S6). By repeating these operations, it is possible to perform the same impact test and inspection of the semiconductor acceleration sensor device as in the case where an arbitrary acceleration is actually applied.
【００２０】実施例３．実施例２はセンサーチップ１の
ダイヤフラム部１ａ上を横断するように形成したアルミ
ニウム配線パターン４ｂを使用したが、ダイヤフラム部
１ａのシリコン内部にクラックが発生してもこのクラッ
クを検出しにくいという問題がある。実施例３はこうし
た問題を解消するものであって、センサーチップ１のダ
イヤフラム部１ａを横断する部分に、拡散導体４ｃを形
成するものである。図４は、この発明の実施例３による
半導体加速度センサー装置におけるセンサーチップの断
面図である。センサーチップ１の少なくともダイヤフラ
ム部１ａの近傍に拡散導体４ｃを形成する。この拡散導
体４ｃは、センサーチップ１をｎ基材とした場合、拡散
導体４ｃ部分にＰ+をドープすることによって形成する
ことができる。Example 3. In the second embodiment, the aluminum wiring pattern 4b formed so as to cross over the diaphragm portion 1a of the sensor chip 1 is used, but even if a crack occurs inside the silicon of the diaphragm portion 1a, it is difficult to detect this crack. is there. The third embodiment solves such a problem, and forms a diffusion conductor 4c at a portion of the sensor chip 1 that crosses the diaphragm portion 1a. FIG. 4 is a sectional view of a sensor chip in a semiconductor acceleration sensor device according to a third embodiment of the present invention. The diffusion conductor 4c is formed at least in the vicinity of the diaphragm portion 1a of the sensor chip 1. This diffusion conductor 4c can be formed by doping the diffusion conductor 4c portion with P + when the sensor chip 1 is an n-base material.
【００２１】プローブピン３がアルミニウム電極２に所
定の変化量を与えた時点でセンサーチップ１の折れを検
出、判定する場合、シリコンに微小なクラックが発生し
ても、拡散導体４ｃの導通が断たれて精度の良い判定が
可能となる。When the breakage of the sensor chip 1 is detected and judged when the probe pin 3 gives a predetermined change amount to the aluminum electrode 2, even if a minute crack is generated in the silicon, the conduction of the diffusion conductor 4c is cut off. Accurate determination is possible with leaning.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第１項は、表面にゲージ抵抗がブリッジ回路を構成する
ように形成され、このゲージ抵抗の裏面にダイヤフラム
部が設けられたセンサーチップを台座により片持ち梁と
なるように固定された半導体加速度センサー装置であっ
て、上記センサーチップ表面の自由端先端の長手方向中
心軸上にアルミニウム電極を設けたので、直接センサー
チップに機械的変位量を与えて耐衝撃性検査を簡単に行
うことができ、検査装置を安価なものとすることができ
るという効果を奏する。また、センサーチップを傷付け
ずにかつ滑らずにプローブピンを正確に位置決めして衝
撃試験を行うことができるという効果も奏する。As described above, according to the first aspect of the present invention, the sensor chip having the gauge resistor formed on the front surface so as to form a bridge circuit and the diaphragm portion being provided on the back surface of the gauge resistor is provided. A semiconductor acceleration sensor device fixed as a cantilever by a pedestal, and since an aluminum electrode is provided on the central axis in the longitudinal direction of the free end tip of the sensor chip surface, the mechanical displacement amount is directly applied to the sensor chip. Therefore, the impact resistance test can be easily performed, and the inspection device can be made inexpensive. In addition, the impact test can be performed by accurately positioning the probe pin without damaging the sensor chip and without slipping.
【００２３】この発明の請求項第２項は、センサーチッ
プ表面に形成されたボンディング電極と、ダイヤフラム
部を横切り上記センサーチップ表面の自由端外周に形成
され上記ボンディング電極とアルミニウム電極とを電気
的に接続するアルミニウム配線パターンとを設けたの
で、センサーチップのダイヤフラム部に生じた割れや断
線を容易に検出することができるという効果を奏する。According to the second aspect of the present invention, the bonding electrode formed on the surface of the sensor chip and the bonding electrode and the aluminum electrode formed on the outer periphery of the free end of the surface of the sensor chip across the diaphragm are electrically connected. Since the aluminum wiring pattern to be connected is provided, it is possible to easily detect a crack or a break in the diaphragm portion of the sensor chip.
【００２４】この発明の請求項第３項は、アルミニウム
配線パターンの少なくともダイヤフラム部近傍を拡散導
体とするので、センサーチップに微小なクラックが発生
しても、拡散導体の導通が断たれてより精度良くクラッ
クを検出することができるという効果を奏する。According to the third aspect of the present invention, since the diffusion conductor is formed at least in the vicinity of the diaphragm portion of the aluminum wiring pattern, even if a minute crack is generated in the sensor chip, the conduction of the diffusion conductor is cut off and the accuracy is improved. This has the effect of being able to detect cracks well.
【００２５】この発明の請求項第４項は、アルミニウム
電極を一定の電位に保持しているので、この電位の変化
によりプローブピンがアルミニウム電極に接触した時点
及びセンサーチップの折れを容易に検出できるという効
果を奏する。According to the fourth aspect of the present invention, since the aluminum electrode is held at a constant electric potential, it is possible to easily detect the time when the probe pin contacts the aluminum electrode and the breakage of the sensor chip due to the change in the electric potential. Has the effect.
【図１】 この発明の実施例１による半導体加速度セン
サー装置のセンサーチップを示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a sensor chip of a semiconductor acceleration sensor device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 この発明の実施例２による半導体加速度セン
サー装置のセンサーチップを示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a sensor chip of a semiconductor acceleration sensor device according to a second embodiment of the present invention.
【図３】 図２のＡ−Ａ線に沿った断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 2;
【図４】 この発明の実施例３による半導体加速度セン
サー装置におけるセンサーチップの断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a sensor chip in a semiconductor acceleration sensor device according to a third embodiment of the present invention.
【図５】 センサーチップに設けられたアルミニウム電
極にプローブピンを押し当てた状態を示す側面図であ
る。FIG. 5 is a side view showing a state in which a probe pin is pressed against an aluminum electrode provided on a sensor chip.
【図６】 プローブピンを用いて衝撃検査を行う手順を
示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing a procedure for performing an impact inspection using a probe pin.
【図７】 従来の半導体加速度センサー装置を示す側断
面図である。FIG. 7 is a side sectional view showing a conventional semiconductor acceleration sensor device.
【図８】 図７に示した半導体加速度センサー装置のキ
ャップを破断して示した平面図である。8 is a plan view showing the cap of the semiconductor acceleration sensor device shown in FIG. 7 in a cutaway manner.
【図９】 従来の衝撃試験装置を示す概略図である。FIG. 9 is a schematic view showing a conventional impact test device.
１ センサーチップ、１ａ ダイヤフラム部、１ｂ ゲ
ージ抵抗、１ｃ 保護膜、２ アルミニウム電極、３
プローブピン、４ａ ボンディング電極、４ｂアルミニ
ウム配線パターン、４ｃ 拡散導体、１２ 厚膜基板、
１３ 台座。1 sensor chip, 1a diaphragm part, 1b gauge resistance, 1c protective film, 2 aluminum electrode, 3
Probe pin, 4a bonding electrode, 4b aluminum wiring pattern, 4c diffusion conductor, 12 thick film substrate,
13 pedestals.
Claims (4)
するように形成され、このゲージ抵抗の裏面にダイヤフ
ラム部が設けられたセンサーチップを台座により片持ち
梁となるように固定された半導体加速度センサー装置で
あって、上記センサーチップ表面の自由端先端の長手方
向中心軸上にアルミニウム電極を設けたことを特徴とす
る半導体加速度センサー装置。1. A semiconductor acceleration sensor in which a gauge resistor is formed on a front surface so as to form a bridge circuit, and a sensor chip having a diaphragm portion provided on the back surface of the gauge resistor is fixed to a cantilever by a pedestal. A semiconductor acceleration sensor device, wherein an aluminum electrode is provided on a central axis in a longitudinal direction of a tip of a free end of the surface of the sensor chip.
ィング電極と、ダイヤフラム部を横切り上記センサーチ
ップ表面の自由端外周に形成され上記ボンディング電極
とアルミニウム電極とを電気的に接続するアルミニウム
配線パターンとを設けたことを特徴とする請求項第１項
記載の半導体加速度センサー装置。2. A bonding electrode formed on the surface of the sensor chip, and an aluminum wiring pattern which is formed on the outer periphery of a free end of the surface of the sensor chip across the diaphragm portion and electrically connects the bonding electrode and the aluminum electrode. The semiconductor acceleration sensor device according to claim 1, wherein
ダイヤフラム部近傍を拡散導体とすることを特徴とする
請求項第２項記載の半導体加速度センサー装置。3. The semiconductor acceleration sensor device according to claim 2, wherein at least the vicinity of the diaphragm portion of the aluminum wiring pattern is a diffusion conductor.
れていることを特徴とする請求項第２項又は第３項記載
の半導体加速度センサー装置。4. The semiconductor acceleration sensor device according to claim 2, wherein the aluminum electrode is held at a constant potential.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6246174A JPH08110353A (en) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | Semiconductor acceleration sensor device |
| DE19523171A DE19523171C2 (en) | 1994-10-12 | 1995-06-26 | Semiconductor acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6246174A JPH08110353A (en) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | Semiconductor acceleration sensor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08110353A true JPH08110353A (en) | 1996-04-30 |
Family
ID=17144622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6246174A Pending JPH08110353A (en) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | Semiconductor acceleration sensor device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08110353A (en) |
| DE (1) | DE19523171C2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4246197B2 (en) | 2005-12-08 | 2009-04-02 | 三菱電機株式会社 | Sensor chip breaking strength inspection method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6459161A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-06 | Fujikura Ltd | Semiconductor acceleration sensor and manufacture thereof |
| JPH04166770A (en) * | 1990-10-30 | 1992-06-12 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing semiconductor acceleration sensor |
| JPH04174365A (en) * | 1990-11-06 | 1992-06-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor g sensor |
-
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- 1994-10-12 JP JP6246174A patent/JPH08110353A/en active Pending
-
1995
- 1995-06-26 DE DE19523171A patent/DE19523171C2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19523171C2 (en) | 2000-03-02 |
| DE19523171A1 (en) | 1996-04-18 |
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