JPH06163651A - Semiconductor wafer inspection device - Google Patents

Semiconductor wafer inspection device

Info

Publication number
JPH06163651A
JPH06163651A JP30849792A JP30849792A JPH06163651A JP H06163651 A JPH06163651 A JP H06163651A JP 30849792 A JP30849792 A JP 30849792A JP 30849792 A JP30849792 A JP 30849792A JP H06163651 A JPH06163651 A JP H06163651A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
probe
contact
electrode
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30849792A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuji Ikeda
哲司 池田
Original Assignee
Hitachi Comput Eng Corp Ltd
Hitachi Ltd
日立コンピュータエンジニアリング株式会社
株式会社日立製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Comput Eng Corp Ltd, Hitachi Ltd, 日立コンピュータエンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所 filed Critical Hitachi Comput Eng Corp Ltd
Priority to JP30849792A priority Critical patent/JPH06163651A/en
Publication of JPH06163651A publication Critical patent/JPH06163651A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To enable the contact between the electrode of a semiconductor wafer and a probe needle to be performed with high reliability. CONSTITUTION:This is a semiconductor wafer inspection device equipped with a driving means, which brings a probe needle 3 into pressure-contact with an electrode by relatively shifting a wafer chuck 5 on which to place a semiconductor wafer 4 and a probe where a probe needle 3 capable of pressure-contact with each electrode of the semiconductor wafer 4 is attached to a probe card 2, and the wafer chuck 5 is provided with a pressure sensor 6 for detecting the contact pressure of the electrode of the probe needle 3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハの検査技
術、特に、基板から多数のプローブ針が中心部に向かっ
て放射状に延びる構成のプローブを有する検出装置に適
用して効果のある技術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for inspecting a semiconductor wafer, and more particularly to a technique effective when applied to a detecting device having a probe having a large number of probe needles extending radially from a substrate toward a central portion. Is.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、アウターリードを有しないLSI
などの半導体装置の電気的特性を測定する場合、多数本
のプローブ針を備えたプローブが用いられる。プローブ
針は、例えば鋼性を備えた金属ワイヤであり、その先端
はLSIの電極に適度の弾性力をもって圧接する。
2. Description of the Related Art Conventionally, an LSI having no outer lead
When measuring the electrical characteristics of a semiconductor device such as, a probe having a large number of probe needles is used. The probe needle is, for example, a metal wire having a steel property, and its tip is pressed against the electrode of the LSI with an appropriate elastic force.
【0003】このプローブ針はLSIの各電極に対応し
た数、及び接触位置に応じた形状に加工されており、そ
の非接触端は1枚の基板の下面に固定され、かつ各々に
は測定装置(または検査装置)からコネクタなどを介し
て引き出されているリード線(またはケーブル)が接続
されている。
This probe needle is processed into a shape corresponding to the number and contact position of each electrode of the LSI, the non-contact end thereof is fixed to the lower surface of one substrate, and each of them has a measuring device. A lead wire (or cable) drawn from (or the inspection device) via a connector or the like is connected.
【0004】このような構成のプローブは、定位置にセ
ットされた半導体ウェハの上面に配設されており、測定
時に半導体ウェハのテーブルが上昇し、LSIの各電極
が適度な圧力でプローブ針に接触した状態になった時点
でテーブルの上昇を停止し、測定を開始する。
The probe having such a configuration is arranged on the upper surface of the semiconductor wafer set at a fixed position, the table of the semiconductor wafer is raised during the measurement, and each electrode of the LSI becomes a probe needle with an appropriate pressure. When the contact is reached, the table rise is stopped and the measurement is started.
【0005】ところで、この種のプローブにおいては、
プローブ針の全てがLSIの各電極に完全に接触してい
ないと接触不良が生じ、LSIが良品である場合でも、
測定装置は不良品として判定する。
By the way, in this type of probe,
If all of the probe needles are not in full contact with each electrode of the LSI, contact failure will occur and even if the LSI is a good product,
The measuring device determines that the product is defective.
【0006】そこで、電極に接触して規定以上の圧力が
プローブ側に附勢されたか否かを判定することが行われ
ている。具体的には、プローブ針部分の2対角にエッジ
センサ(プローブ針と同様の形状を有している)を取り
付け、この出力をケーブルを通して測定装置に伝送し、
その導通/非導通の変化により接触の有無を判定してい
る。
Therefore, it is carried out to determine whether or not a pressure higher than a prescribed pressure is applied to the probe by contacting the electrode. Specifically, an edge sensor (having the same shape as the probe needle) is attached to two diagonals of the probe needle portion, and this output is transmitted to the measuring device through a cable,
The presence or absence of contact is determined by the change in conduction / non-conduction.
【0007】なお、プローブカードのピン配置が異なる
LSIを測定する場合、プローブカードを付けてカセッ
トフレーム(プローブカードを固定する治具であってネ
ジ止めされている)を交換する作業が必要になる。
When measuring an LSI having different pin arrangements of the probe card, it is necessary to attach the probe card and replace the cassette frame (a jig for fixing the probe card and screwed). .
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、エッジセンサによりプローブ針と試料側の電極との
間の接触状態を判定する従来技術は、接触の為のセンサ
が治具(プローブカード)側に有り、センサが動作しな
い場合のプローブ針及び半導体ウェハの損傷について配
慮されておらず、センサが不動作のときにプローブ針及
び半導体ウェハに損傷を与えるという問題がある。
According to the study by the present inventor, in the conventional technique for determining the contact state between the probe needle and the electrode on the sample side by the edge sensor, the sensor for contact is a jig ( There is a problem that the probe needle and the semiconductor wafer are damaged when the sensor does not operate because they are located on the probe card side, and the probe needle and the semiconductor wafer are damaged when the sensor does not operate.
【0009】特に、プローブカードのピン配置は、LS
Iの品種が異なるとプローブカードの付いたカセットフ
レームを交換する作業が必要になり、エッジセンサ用ケ
ーブルの取り付けや、ケーブル接続不良、接続忘れなど
でエッジセンサの高信頼性を維持することが困難になっ
ている。
Particularly, the pin arrangement of the probe card is LS
If the type of I is different, it will be necessary to replace the cassette frame with the probe card, and it will be difficult to maintain the high reliability of the edge sensor due to attachment of the edge sensor cable, defective cable connection, or forgetting connection. It has become.
【0010】そこで、本発明の目的は、半導体ウェハの
電極部とプローブ針との接触を高信頼に行うことのでき
る技術を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a technique capable of highly reliable contact between an electrode portion of a semiconductor wafer and a probe needle.
【0011】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.
【0013】すなわち、半導体ウェハを載置する治具
と、前記半導体ウェハの電極の各々に圧接可能なプロー
ブ針をプローブカードに取り付けたプローブ部とを相対
移動させて前記プローブ針を前記電極に圧接させる駆動
手段とを備えた半導体ウェハ検査装置であって、前記プ
ローブ針と前記電極の接触圧を検出する圧力センサを前
記治具に設けるようにしている。
That is, a jig for mounting a semiconductor wafer and a probe portion in which probe needles capable of pressure contact with electrodes of the semiconductor wafer are attached to a probe card are relatively moved to press the probe needles against the electrodes. The jig is provided with a pressure sensor that detects a contact pressure between the probe needle and the electrode.
【0014】[0014]
【作用】上記した手段によれば、プローブ針と半導体ウ
ェハの電極との接触圧を検知するセンサを治具(検査装
置)側に設けたため、交換時に邪魔になる部材は露出し
ていない。したがって、従来のようなセンサの取り付け
不良、接続不良、接続忘れなどを生じることがなく、プ
ローブ針の接触を高信頼に行うことができる。
According to the above-mentioned means, since the sensor for detecting the contact pressure between the probe needle and the electrode of the semiconductor wafer is provided on the jig (inspection device) side, the member which obstructs the replacement is not exposed. Therefore, it is possible to perform contact of the probe needle with high reliability without causing a sensor mounting failure, a connection failure, a connection forgetting, or the like unlike the related art.
【0015】[0015]
【実施例】図1は本発明による半導体ウェハ検査装置の
一実施例を示す正面図である。
1 is a front view showing an embodiment of a semiconductor wafer inspection apparatus according to the present invention.
【0016】基台となるカセットフレーム1の下部には
プローブカード2が取り付けられ、このプローブカード
2の中心部から中心に向かって放射状に多数のプローブ
針3が斜め方向に突出するようにしてプローブカード2
に取り付けられている。このプローブカード2の下方に
は、半導体ウェハ4を固定するためのウェハチャック5
が配設されている。さらに、ウェハチャック5の半導体
ウェハ4の載置面には、圧力センサ6が取り付けられて
いる。
A probe card 2 is attached to a lower portion of a cassette frame 1 which serves as a base, and a plurality of probe needles 3 are radially projected from a central portion of the probe card 2 toward the center of the probe card 2 so as to obliquely project. Card 2
Is attached to. Below the probe card 2, a wafer chuck 5 for fixing the semiconductor wafer 4 is provided.
Is provided. Further, a pressure sensor 6 is attached to the mounting surface of the semiconductor wafer 4 of the wafer chuck 5.
【0017】圧力センサ6は、100グラム以下の加圧
力を検知できる感度のものが望ましく、例えば、ストレ
イン・ゲージ(半導体圧力センサなど)を用いることが
できる。ここでは形状を円板形とし、図2に示すように
ウェハチャック5に対し同心円に配設している。
The pressure sensor 6 preferably has a sensitivity capable of detecting a pressing force of 100 grams or less. For example, a strain gauge (semiconductor pressure sensor or the like) can be used. Here, the shape is a disk shape and they are arranged concentrically with respect to the wafer chuck 5 as shown in FIG.
【0018】図1の構成においては、圧力センサ6を載
置した状態でウェハチャック5を上昇させることによ
り、半導体ウェハ4の電極にプローブ針3の先端が接触
し、同時に圧力センサ6に検知信号が発生する。圧力セ
ンサ6による検知圧力が設定値に達した時点でウェハチ
ャック5の上昇を止めると、プローブ針3は最適な接触
圧になる。
In the configuration of FIG. 1, the tip of the probe needle 3 comes into contact with the electrode of the semiconductor wafer 4 by raising the wafer chuck 5 with the pressure sensor 6 placed thereon, and at the same time, a detection signal is sent to the pressure sensor 6. Occurs. When the rise of the wafer chuck 5 is stopped when the pressure detected by the pressure sensor 6 reaches the set value, the probe needle 3 reaches the optimum contact pressure.
【0019】この場合、接触圧が過大にならないように
するためには、ウェハチャック5を徐々に上昇させるの
が望ましいが、これでは作業効率が悪い。そこで、プロ
ーブ針3が半導体ウェハ4の電極に接触する直前まで
は、ウェハチャック5を一気に上昇させ、ついで最適な
接触圧力になるまでウェハチャック5を徐々に上昇させ
るようにしている。
In this case, it is desirable to gradually raise the wafer chuck 5 in order to prevent the contact pressure from becoming excessive, but this is not efficient. Therefore, the wafer chuck 5 is raised all at once until just before the probe needle 3 contacts the electrode of the semiconductor wafer 4, and then the wafer chuck 5 is gradually raised until the optimum contact pressure is reached.
【0020】このための制御系を示したのが図3であ
る。
FIG. 3 shows a control system for this purpose.
【0021】ウェハチャック5をZ軸方向(上下方向)
へ駆動するZ軸駆動部7(駆動源としてのモータ、ギア
などから構成)には、高さ調整部8が接続されている。
高さ調整部8はZ軸駆動部7を駆動し、ウェハチャック
5を昇降させる。さらに、高さ調整部8には圧力センサ
6の出力信号に基づいて高さ調整部8の駆動を行うため
の制御部9が接続されている。
The wafer chuck 5 is moved in the Z-axis direction (vertical direction).
A height adjusting unit 8 is connected to a Z-axis driving unit 7 (comprising a motor as a driving source, a gear, etc.) that is driven to.
The height adjusting unit 8 drives the Z-axis driving unit 7 to move the wafer chuck 5 up and down. Further, the height adjusting unit 8 is connected to a control unit 9 for driving the height adjusting unit 8 based on the output signal of the pressure sensor 6.
【0022】ここで、プローブカード2の上面からプロ
ーブ針3の下面までの距離(すなわち治具厚)をt、プ
ローブ針3の下面と半導体ウェハ4の上面までの距離を
h、半導体ウェハ4の厚みをwt、(t+h+wt)を
Hとすると、接触を開始するウェハチャック5の上昇量
hは、次式で表される。
Here, the distance from the upper surface of the probe card 2 to the lower surface of the probe needle 3 (that is, the jig thickness) is t, the distance between the lower surface of the probe needle 3 and the upper surface of the semiconductor wafer 4 is h, and the semiconductor wafer 4 is When the thickness is wt and (t + h + wt) is H, the lift amount h of the wafer chuck 5 at which the contact is started is expressed by the following equation.
【0023】h=H−t−wt プローブカード2の厚さは、半導体ウェハ4の品種ごと
に異なっている。したがって、各品種データにプローブ
カード2の厚さ(基板〜プローブ針先)データtを追加
し、制御部9によって上式より接触を開始するウェハチ
ャック5の上昇量hを求め、その上昇量hからΔhをマ
イナスした上昇量をウェハチャック上昇スピード「1」
とする。そして、それ以降(リミット値まで)のウェハ
チャック上昇スピード「2」とするように制御部9の制
御を決め、Z軸駆動部7の駆動を行う。
H = Ht-wt The thickness of the probe card 2 differs depending on the type of the semiconductor wafer 4. Therefore, the thickness (substrate-probe needle tip) data t of the probe card 2 is added to each product data, and the controller 9 obtains the lift amount h of the wafer chuck 5 at which the contact is started from the above formula, and the lift amount h is calculated. Wafer chuck ascending speed "1"
And Then, the control of the controller 9 is determined so that the wafer chuck ascending speed after that (up to the limit value) is "2", and the Z-axis driver 7 is driven.
【0024】この制御方法により、針接触の安定を図る
ことができる。また、この実施例では、圧力センサ6を
具備したウェハチャック5に半導体ウェハ4がセットさ
れたとき、半導体ウェハ4の自重によって圧力をリセッ
トする機能を有している。
By this control method, it is possible to stabilize the needle contact. Further, in this embodiment, when the semiconductor wafer 4 is set on the wafer chuck 5 equipped with the pressure sensor 6, the pressure is reset by the weight of the semiconductor wafer 4.
【0025】以上のように、本発明ではセンサをウェハ
チャック側(検査装置側)に設けているので、従来問題
になっていたセンサ用ケーブルの取り付け、ケーブル接
続不良、接続忘れなどを無くすことができ、治具への依
存度を低減し、信頼性の高い接触を得ることが可能にな
る。
As described above, according to the present invention, since the sensor is provided on the wafer chuck side (inspection device side), it is possible to eliminate the problems such as the attachment of the sensor cable, the defective cable connection, and the forgetful connection. This makes it possible to reduce the dependency on the jig and obtain a highly reliable contact.
【0026】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【0027】[0027]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【0028】すなわち、半導体ウェハを載置する治具
と、前記半導体ウェハの電極の各々に圧接可能なプロー
ブ針をプローブカードに取り付けたプローブ部とを相対
移動させて前記プローブ針を前記電極に圧接させる駆動
手段とを備えた半導体ウェハ検査装置であって、前記プ
ローブ針と前記電極の接触圧を検出する圧力センサを前
記治具に設けるようにしたので、プローブ針の接触を高
信頼に行うことが可能になる。
That is, a jig for mounting a semiconductor wafer and a probe portion having probe needles capable of pressure contact with each of the electrodes of the semiconductor wafer attached to a probe card are relatively moved to bring the probe needles into pressure contact with the electrodes. A semiconductor wafer inspecting apparatus including a driving means for causing the jig to be provided with a pressure sensor for detecting a contact pressure between the probe needle and the electrode, so that the probe needle can be contacted with high reliability. Will be possible.
【0029】また、使用頻度によるプローブ針の弾性の
劣化による接触状態への影響がなく、安定状態を保ちな
がら検査を行うことができる。さらに、従来必要であっ
たエッジセンサが不要になる。
Further, there is no influence on the contact state due to the deterioration of the elasticity of the probe needle due to the frequency of use, and the inspection can be performed while maintaining a stable state. Further, the edge sensor which has been conventionally required is no longer necessary.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】本発明による半導体ウェハ検査装置の一実施例
を示す正面図である。
FIG. 1 is a front view showing an embodiment of a semiconductor wafer inspection apparatus according to the present invention.
【図2】図1に示すウェハチャックの詳細を示す平面図
である。
FIG. 2 is a plan view showing details of the wafer chuck shown in FIG.
【図3】本発明による半導体ウェハ検査装置の制御系を
示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a control system of the semiconductor wafer inspection apparatus according to the present invention.
【符号の説明】[Explanation of symbols]
1 カセットフレーム 2 プローブカード 3 プローブ針 4 半導体ウェハ 5 ウェハチャック 6 圧力センサ 7 Z軸駆動部 8 高さ調整部 9 制御部 1 Cassette Frame 2 Probe Card 3 Probe Needle 4 Semiconductor Wafer 5 Wafer Chuck 6 Pressure Sensor 7 Z-Axis Drive Section 8 Height Adjusting Section 9 Control Section

Claims (4)

    【特許請求の範囲】[Claims]
  1. 【請求項1】 半導体ウェハを載置する治具と、前記半
    導体ウェハの電極の各々に圧接可能なプローブ針をプロ
    ーブカードに取り付けたプローブ部とを相対移動させて
    前記プローブ針を前記電極に圧接させる駆動手段とを備
    えた半導体ウェハ検査装置であって、前記プローブ針と
    前記電極の接触圧を検出する圧力センサを前記治具に設
    けたことを特徴とする半導体ウェハ検査装置。
    1. A jig for mounting a semiconductor wafer and a probe unit having a probe needle attached to a probe card capable of being brought into pressure contact with each electrode of the semiconductor wafer are relatively moved to bring the probe needle into pressure contact with the electrode. A semiconductor wafer inspecting apparatus, comprising: a drive unit for driving the semiconductor wafer inspecting apparatus, wherein a pressure sensor for detecting a contact pressure between the probe needle and the electrode is provided on the jig.
  2. 【請求項2】 前記圧力センサは、検査対象の半導体ウ
    ェハ装着面に設けることを特徴とする請求項1記載の半
    導体ウェハ検査装置。
    2. The semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 1, wherein the pressure sensor is provided on a mounting surface of a semiconductor wafer to be inspected.
  3. 【請求項3】 前記治具と前記プローブの相対移動速度
    を初期には早くし、前記プローブ針と前記電極の接触時
    点からは遅い速度にすることを特徴とする請求項1記載
    の半導体ウェハ検査装置。
    3. The semiconductor wafer inspection according to claim 1, wherein the relative movement speed of the jig and the probe is increased at an initial stage, and is set to be a low speed after the point of contact between the probe needle and the electrode. apparatus.
  4. 【請求項4】 前記相対移動の量は、検査対象の半導体
    ウェハの品種または使用する治具の仕様に応じて変更す
    ることを特徴とする請求項3記載の半導体ウェハ検査装
    置。
    4. The semiconductor wafer inspection apparatus according to claim 3, wherein the amount of the relative movement is changed according to the type of the semiconductor wafer to be inspected or the specifications of the jig to be used.
JP30849792A 1992-11-18 1992-11-18 Semiconductor wafer inspection device Pending JPH06163651A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30849792A JPH06163651A (en) 1992-11-18 1992-11-18 Semiconductor wafer inspection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30849792A JPH06163651A (en) 1992-11-18 1992-11-18 Semiconductor wafer inspection device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06163651A true JPH06163651A (en) 1994-06-10

Family

ID=17981729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30849792A Pending JPH06163651A (en) 1992-11-18 1992-11-18 Semiconductor wafer inspection device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06163651A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7135883B2 (en) 2003-06-20 2006-11-14 Tokyo Electron Limited Inspection method and inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of inspection object
JP2007095753A (en) * 2005-09-27 2007-04-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd Prober, prober contact method, and program therefor
JP2009252853A (en) * 2008-04-02 2009-10-29 Tokyo Electron Ltd Alignment method, tip position detecting device and probe apparatus
JP2012004445A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Fujitsu Semiconductor Ltd Probe device and control method of probe device
CN106981436A (en) * 2016-01-19 2017-07-25 三菱电机株式会社 The check device of semiconductor device and the inspection method of semiconductor device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7135883B2 (en) 2003-06-20 2006-11-14 Tokyo Electron Limited Inspection method and inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of inspection object
US7262618B2 (en) 2003-06-20 2007-08-28 Tokyo Electron Limited Inspection method and inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of inspection object
JP2007095753A (en) * 2005-09-27 2007-04-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd Prober, prober contact method, and program therefor
JP2009252853A (en) * 2008-04-02 2009-10-29 Tokyo Electron Ltd Alignment method, tip position detecting device and probe apparatus
JP2012004445A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Fujitsu Semiconductor Ltd Probe device and control method of probe device
CN106981436A (en) * 2016-01-19 2017-07-25 三菱电机株式会社 The check device of semiconductor device and the inspection method of semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7688096B2 (en) Contact load measuring apparatus and inspecting apparatus
KR960015922B1 (en) Die bonding apparatus
US4673839A (en) Piezoelectric pressure sensing apparatus for integrated circuit testing stations
JP4261917B2 (en) Wafer probing apparatus and test head docking control method
US8607641B2 (en) Clamping mechanism for shear testing apparatus
KR100968131B1 (en) Probe device and method of regulating contact pressure between object to be inspected and probe
TWI438452B (en) Inspection device and inspection method
KR100394215B1 (en) Method for Controlling IC Handler and Control System Using the Same
JP2003168707A (en) Probe device
JPH06163651A (en) Semiconductor wafer inspection device
JP2939657B2 (en) Probe inspection device
JP4794256B2 (en) Prober, probe contact method and program therefor
JP2617422B2 (en) Wafer prober and semiconductor wafer measuring method
JP2002164394A (en) Probe for semiconductor and probe card
JPH05206233A (en) Aging equipment for semiconductor
JP2520823B2 (en) Semiconductor wafer-measurement method
JP2000111574A (en) Probe card
JP2716362B2 (en) Wire bonding apparatus and wire bonding method
JPH0719819B2 (en) Probe device
JPH06140479A (en) Device for testing semiconductor integrated circuit
JPH1038973A (en) Electronic part inspecting apparatus
JPH11176893A (en) Wafer measuring device
JP3333403B2 (en) Probe device and inspection method
JPH0732176B2 (en) Wafer prober
JPH0680711B2 (en) Wafer prober