JP2617422B2 - Wafer prober and semiconductor wafer measuring method - Google Patents

Wafer prober and semiconductor wafer measuring method

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】開示技術は、半導体ウエハーの電
気的特性の測定の技術分野に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The disclosed technology relates to the technical field of measuring the electrical characteristics of a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハーの最終チェック工程を担
う半導体ウエハープローバーにあっては、近時該半導体
ウエハーのサイズが大型化,超集積化、及び、多ピン化
が要求されていることから、これに対処するに、オーバ
ードライブをかけて処理する技術が提案されている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor wafer prober which performs a final check step of a semiconductor wafer, recently, the size of the semiconductor wafer has been required to be large, super-integrated, and multi-pinned. In order to cope with the problem, a technique of processing by applying overdrive has been proposed.

【0003】而して、従来の一般態様の半導体ウエハー
測定技術は、図3,図4に示す様に、プローブカード7
がヘットプレート21の略中央の下部に設けられ、その
各々の針3,4(図示の都合上2つのみが示してあ
る。)の先端は着接の前後にあっては全て載置台5と同
一の高さを保つように配列されており、該ヘットプレー
ト21に対して回転する支点1、作用点2について半導
体ウエハー13の載置台5に対して作用点2側を上下す
るネジ6を有しており、支点1と該作用点2を結ぶ直線
上の中点位置にプローブカード7を設け、その下面に針
3,4の先端15,16を並設状態にするようにしてあ
る。
[0003] As shown in FIGS. 3 and 4, the conventional general semiconductor wafer measurement technique employs a probe card 7.
Are provided at a lower portion substantially at the center of the head plate 21, and the tips of the needles 3, 4 (only two are shown for convenience of illustration) are all connected to the mounting table 5 before and after the attachment. The fulcrum 1 is arranged so as to keep the same height, and the fulcrum 1 which rotates with respect to the head plate 21 and the screw 6 which raises and lowers the application point 2 side with respect to the mounting table 5 of the semiconductor wafer 13 with respect to the application point 2 are provided. The probe card 7 is provided at a midpoint position on a straight line connecting the fulcrum 1 and the action point 2, and the tips 15, 16 of the needles 3, 4 are arranged side by side on the lower surface thereof.

【0004】又、ヘットプレート21の前部の支点1を
中心にネジ6の回転により該ヘットプレート21の反対
側を載置台5に対して旋回式に降下して該載置台5上の
半導体ウエハー13に針先15,16を着接するような
態様にして測定に供している。
[0004] The rotation of the screw 6 about the front fulcrum 1 at the front of the head plate 21 causes the opposite side of the head plate 21 to pivotally descend with respect to the mounting table 5 so that the semiconductor wafer on the mounting table 5 can be rotated. The measurement is performed in such a manner that the needle tips 15 and 16 are brought into contact with 13.

【0005】而して、オーバードライブをかけると、図
5に示す様に、支点1に近い方の針4の針先16は他方
の作用点2寄りの針3の針先15より先に半導体ウエハ
ー13と接するが、次いで、作用点2に近い方の針3の
針先15が該半導体ウエハー13に着接するために、ネ
ジ6を回転させると、該作用点2に近い方の針3の針先
15も図4に示す様に、該半導体ウエハー13に着接す
るが、その間支点1に近い方の針4の針先16が半導体
ウエハー13に抑えられて図5に示す様に、tだけ上下
方向に撓み、又、両針4,3の間隔Lにpだけずれが生
じる。
When the overdrive is applied, as shown in FIG. 5, the tip 16 of the needle 4 closer to the fulcrum 1 is placed in front of the tip 15 of the needle 3 closer to the other working point 2 by the semiconductor. When the screw 6 is rotated so that the needle tip 15 of the needle 3 which is in contact with the wafer 13 but is closer to the action point 2 comes into contact with the semiconductor wafer 13, the needle 3 which is closer to the action point 2 The needle tip 15 also contacts the semiconductor wafer 13 as shown in FIG. 4, but the needle tip 16 of the needle 4 closer to the fulcrum 1 is held down by the semiconductor wafer 13 during that time, and as shown in FIG. The needle L is bent in the vertical direction, and the gap L between the needles 4 and 3 is shifted by p.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このようなことにより
かかる状態で外部よりのオーバードライブをかけること
は半導体ウエハー13に形成されている電極パッド面全
体に不均等の針圧をかけることになり、該電極パッドよ
り針3,4がはみ出る虞がある。
In such a state, applying overdrive from the outside in such a state results in applying uneven needle pressure to the entire electrode pad surface formed on the semiconductor wafer 13, The needles 3 and 4 may protrude from the electrode pads.

【0007】而して、近年半導体ウエハー13上に構築
される半導体回路の急速な高集積化に伴い、プローブカ
ード7の多ピン化が加速し、該プローブカード7全体の
針圧荷重も急速に増大しており、この針圧荷重の増大に
よりプローブカード7の固定部等の変形量も増大し、精
密な位置合わせと安定した測定が困難となってきてい
る。
[0007] In recent years, with the rapid integration of semiconductor circuits built on the semiconductor wafer 13, the number of pins of the probe card 7 has been accelerated, and the stylus load of the entire probe card 7 has also rapidly increased. Due to the increase in the needle pressure load, the amount of deformation of the fixed portion of the probe card 7 and the like also increases, and it is becoming difficult to perform precise alignment and stable measurement.

【0008】[0008]

【発明の目的】この出願の発明の目的は上述従来技術に
基づくプローブカードの針先と半導体ウエハーのオーバ
ードライブ時の着接の問題点を解決すべき技術的課題と
し、半導体ウエハーの各チップの電極パッドとプローブ
カードの針先とが良好で確実な電気的な着接状態を得ら
れるようにして半導体製造産業における計測技術利用分
野に益する優れたウエハープローバー及び半導体ウエハ
ー測定方法を提供せんとするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the invention of this application is to solve the problem of the contact between the probe tip of the probe card and the semiconductor wafer at the time of overdrive based on the prior art described above. It is necessary to provide an excellent wafer prober and a method for measuring semiconductor wafers that can provide a good and reliable electrical connection between the electrode pad and the probe tip of the probe card and that is beneficial to the application of measurement technology in the semiconductor manufacturing industry. Is what you do.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段・作用】上述目的に沿い先
述特許請求の範囲を要旨とするこの出願の発明の構成
は、前述課題を解決するために、載置台に設けられた半
導体ウエハーのパッドと、固定台に対して固定され該載
置台の上方に設けられたプローブカードとの針先とを該
載置台を上昇させ接触させて、該半導体ウエハーの電気
的特性を測定するウエハープローバーにおいて、該プロ
ーブカードに対して上記載置台を平行姿勢でスイッチを
介しネジ機構により上昇させて、該プローブカードの針
先の全てと上記半導体ウエハーの電極パッドとを平行状
態で着接させ、この着接を顕微鏡,エッジセンサー、又
はテレビカメラ等の視認手段により確認して、コンピュ
ータにより設定されたオーバードライブ量だけ上記載置
台を更にスイッチを介しネジ機構により上昇させて自動
的に前記電気的特性の測定行うウエハープローバを基幹
とし、該載置台に設けられた半導体ウエハーの電極パッ
ドと、固定台に対して固定された前記プローブカードの
全ての針先とを平行状態で着接させて、該半導体ウエハ
ーの電気的特性を測定するウエハープローバーにおい
て、前記プローブカードを固定状態にし、前記載置台を
平行姿勢でスイッチを介しネジ機構により上昇させて、
前記プローブカードの全ての針先と前記半導体ウエハー
を平行状態で着接させる第1の工程と、この平行状態の
着接状態を顕微鏡,エッジセンサー、又はテレビカメラ
等の視認手段により確認する第2の工程と、前記載置台
を上記針先と半導体ウエハーを平行状態を保持した状態
でスイッチを介しネジ機構により上昇させてコンピュー
タにより設定された量だけオーバードライブをかける第
3の工程とを具備する半導体ウエハー測定方法とした技
術的手段を講じたものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, a configuration of the invention of the present application for solving the above-mentioned problems is provided by a pad for a semiconductor wafer provided on a mounting table. In a wafer prober that raises the mounting table and contacts a probe tip with a probe card provided above the mounting table that is fixed to the mounting table and measures the electrical characteristics of the semiconductor wafer, The mounting table is raised with respect to the probe card in a parallel posture by a screw mechanism via a switch, so that all of the probe tips of the probe card are brought into contact with the electrode pads of the semiconductor wafer in a parallel state. Is checked by a visual recognition means such as a microscope, an edge sensor, or a television camera, and the mounting table is further switched by the overdrive amount set by the computer. A wafer prober for automatically measuring the electrical characteristics by being raised by a screw mechanism is used as a backbone, and all of the electrode pads of the semiconductor wafer provided on the mounting table and the probe card fixed to a fixed table. In a wafer prober for measuring the electrical characteristics of the semiconductor wafer, the probe card is fixed, and the mounting table is raised by a screw mechanism via a switch in a parallel posture. hand,
A first step of bringing all the tips of the probe card into contact with the semiconductor wafer in a parallel state, and a second step of confirming the contact state of the parallel state with a visual recognition means such as a microscope, an edge sensor, or a television camera. And a third step of raising the mounting table by a screw mechanism via a switch while maintaining the needle point and the semiconductor wafer in a parallel state and applying an overdrive by an amount set by a computer. A technical measure was taken as a semiconductor wafer measurement method.

【0010】[0010]

【実施例】次に、この出願の発明の1実施例を図1,図
2を参照して説明すれば以下の通りである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the invention of this application will be described below with reference to FIGS.

【0011】尚、図3〜図5と同一態様部分は同一符号
を用いて説明するものとする。
The same parts as those in FIGS. 3 to 5 are described using the same reference numerals.

【0012】図示態様において、プローブカード7の下
面に並設してある中途部分まで傾斜状の各々の針3,4
の全ての針先15,16は半導体ウエハー13の載置台
5の頂面12に平行な垂直状に在るように該プローブカ
ード7の下側に予め取り付けられている。
In the illustrated embodiment, each of the needles 3 and 4 which are inclined to an intermediate portion which is juxtaposed on the lower surface of the probe card 7.
All of the needle tips 15 and 16 are previously attached to the lower side of the probe card 7 so as to be in a vertical shape parallel to the top surface 12 of the mounting table 5 of the semiconductor wafer 13.

【0013】而して、半導体ウエハー13を載置した載
置台5は、該半導体ウエハー13と前記各針3,4の平
行垂直姿勢の針先15,16とが平行状態で着接するま
で、専用の図示しないスイッチにより平行姿勢で上昇さ
せる。
The mounting table 5 on which the semiconductor wafer 13 is mounted is exclusively used until the semiconductor wafer 13 and the needle tips 15 and 16 of the respective needles 3 and 4 in parallel and vertical positions are brought into contact in a parallel state. Is raised in a parallel posture by a switch (not shown).

【0014】この平行状態の上昇操作において、図示し
ない顕微鏡,エッジセンサー、又は、テレビカメラ等の
視認手段により半導体ウエハー13のパッドと各々の垂
直平行状態の針3,4の針先15,16との平行姿勢の
着接状態を確認する。
In this operation of raising the parallel state, the pad of the semiconductor wafer 13 and the tips 15, 16 of the needles 3, 4 in the vertical parallel state are connected to the pads of the semiconductor wafer 13 by visual recognition means such as a microscope, an edge sensor, or a television camera (not shown). Check the state of contact in the parallel posture.

【0015】その後、続いて予め外部より予め図示しな
いコンピュータに入力されているオーバードライブ量だ
け同じく図示しない専用のスイッチで載置台5を更に半
導体ウエハー13のパッドと各針先15,16との垂直
姿勢、即ち、平行状態を保持させて略平行姿勢で上昇さ
せてオーバードライブをかける。
Then, the mounting table 5 is further moved vertically by a dedicated switch (not shown) by the amount of overdrive previously input to the computer (not shown) from the outside in the vertical direction between the pad of the semiconductor wafer 13 and each of the tips 15 and 16. The posture, that is, the parallel state is maintained, and the body is raised in a substantially parallel posture to apply overdrive.

【0016】而して、当該オーバードライブに際し該載
置台5を各々の針3,4の針先15,16の集合して成
す包絡面に対し平行移動的に上昇させるには図示しない
ネジ機構を用い、ネジの回転によって載置台5を昇降さ
せる。
A screw mechanism (not shown) is used to raise the mounting table 5 in parallel movement with respect to the envelope formed by the collection of the needle tips 15 and 16 of the needles 3 and 4 during the overdrive. The mounting table 5 is moved up and down by rotating the screws.

【0017】該載置台5の平行姿勢での上昇移動、及
び、その際のオーバードライブの動作制御は、同じく図
示しないマイクロコンピュータを利用した適宜の制御手
段でスイッチを介しネジ機構により確実に行う。
The ascending movement of the mounting table 5 in the parallel posture and the overdrive operation control at that time are surely performed by a screw mechanism via a switch by appropriate control means using a microcomputer (not shown).

【0018】そして、この出願の発明は、半導体ウエハ
ー13の各種特性等の自動測定に広く利用出来る。
The invention of this application can be widely used for automatic measurement of various characteristics of the semiconductor wafer 13.

【0019】[0019]

【発明の効果】先述請求項1の発明のウエハープローバ
ー、及び、請求項2の発明の半導体ウエハー測定方法に
よれば、プローブカードの針先と半導体ウエハーとの平
行姿勢、即ち、平行状態の着接を顕微鏡,エッジセンサ
ー、又は、テレビカメラ等の視認手段で確認した後に当
該平行状態を保持したまま載置台を平行姿勢でコンピュ
ータにより設定された量だけオーバードライブをかける
ので、該プローブカードの針先の正確な垂直姿勢の着接
当該状態を確認することが出来るという効果が奏され
る。
According to the wafer prober of the first aspect of the present invention and the semiconductor wafer measuring method of the second aspect of the present invention, the probe tip of the probe card and the semiconductor wafer are placed in a parallel posture, that is, in a parallel state. After checking the contact with a visual recognition means such as a microscope, an edge sensor, or a television camera, the mounting table is overdriven in a parallel posture while maintaining the parallel state by an amount set by a computer. This brings about an effect that the state of the accurate vertical posture can be confirmed.

【0020】このことにより、垂直姿勢の着接状態や位
置が誤っていればオーバードライブをかけることなくプ
ローブカード、又は、半導体ウエハーの故障を予防する
ことが出来るという優れた効果が奏される。
As a result, an excellent effect can be obtained in that the probe card or the semiconductor wafer can be prevented from malfunctioning without overdriving if the contact state or the position of the vertical posture is incorrect.

【0021】更に、正確な垂直状態の着接位置姿勢状態
を知ることにより、コンピュータにより設定された適切
なオーバードライブ量を設定することが可能となる効果
もある。
Further, by knowing the accurate vertical contact position / posture state, it is possible to set an appropriate overdrive amount set by the computer.

【0022】そして、これらのことにより半導体ウエハ
ーの電気的特性の測定が正確に行われ、製品に対する信
頼度がより向上するという優れた効果が奏される。
As a result, the electrical characteristics of the semiconductor wafer can be accurately measured, and an excellent effect of further improving the reliability of the product can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この出願の発明の1実施例の載置台の平行移動
のオーバードライブをかける前の断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a mounting table according to an embodiment of the present invention before a parallel movement of a mounting table is overdriven.

【図2】同、載置台の平行移動のオーバードライブをか
けた後の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view after the mounting table is overdriven for parallel movement.

【図3】従来のオーバードライブ機構でオーバドライブ
をかける前の断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view before overdrive is performed by a conventional overdrive mechanism.

【図4】第2図は従来のオーバードライブ機構でオーバ
ードライブをかけた後の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view after overdrive has been applied by a conventional overdrive mechanism.

【図5】図3と図4を合成した基本動作の模式図であ
る。
FIG. 5 is a schematic diagram of a basic operation obtained by combining FIGS. 3 and 4;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 支点 2 作用点 3,4 針 6 ネジ 5 載置台 12 頂面 13 半導体ウエハー 7 プローブカード 15,16 針の先端(この出願の発明) 18,19 ヘットプレート固定台 21 ヘットプレート 1 fulcrum 2 action point 3, 4 needle 6 screw 5 mounting table 12 top surface 13 semiconductor wafer 7 probe card 15, 16 needle tip (invention of this application) 18, 19 head plate fixing base 21 head plate

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】載置台を上昇させることによって、該載置
台上面に設けられた半導体ウエハーのパッドと、前記載
置台上方の固定台に固定されたプローブカードの針先と
を接触させて、前記半導体ウエハーを測定するウエハー
プローバーにおいて、 上下方向の位置調整機構を持たない上記固定台と、同じ
く上下方向の位置調整機構を持たず、該固定台に固定さ
れたプローブカードと、前記載置台を上下方向に移動す
るネジ機構と、上記ネジ機構の駆動を制御するコンピュ
ータとを有し、上記載置台の上下方向の移動のみにより
ウエハーのパッドと、上記プローブカードの針先が離間
した位置から着接する位置を確認する手段を有し、更に
所定のオーバードライブをかけた位置まで、上記パッド
とプローブカードの各々の針先とが略平行状態で自動的
に位置制御出来るようにした ことを特徴とするウエハー
プローバー。
The mounting table is raised by raising the mounting table.
Semiconductor wafer pads provided on the table top
With the probe card needle fixed to the fixed table above the table
A wafer for measuring the semiconductor wafer by contacting
In the prober, the same as the above-mentioned fixed base without the vertical position adjustment mechanism
Without a vertical position adjustment mechanism.
Move the probe card and the mounting table
And a computer that controls the driving of the screw mechanism.
And only by moving the mounting table up and down
The wafer pad is separated from the probe card tip
Has a means for confirming the contact position from the position where
Pad up to the position where the specified overdrive is applied
And the needle of the probe card are almost parallel and automatically
A wafer prober characterized in that it can be controlled in position .
【請求項2】載置台に設けられた半導体ウエハーのパッ
ドと、固定台に固定されたプローブカードの針先とを接
触させて、該半導体ウエハーの電気的特性を測定する半
導体ウエハー測定方法において、 上記プローブカードを固定し、上記載置台をスイッチを
介しネジ機構により上昇させて、該プローブカードの全
ての針先を相互平行姿勢で上記載置台に対し垂直状態に
形成されている針先と上記半導体ウエハーを1たん垂直
姿勢で着接させる第1の工程と、 この垂直姿勢状態の着接を顕微鏡,エッジセンサー、又
はテレビカメラ等の視認装置により確認する第2の工程
と、 上記載置台をスイッチを介しネジ機構により上記プロー
ブカード針先に対し垂直姿勢を保持した状態で上昇させ
てマイクロコンピュータ制御を介して設定量オーバード
ライブをかける第3の工程とを具備したことを特徴とす
る半導体ウエハー測定方法。
2. A semiconductor wafer measuring method for measuring the electrical characteristics of a semiconductor wafer by bringing a pad of a semiconductor wafer provided on a mounting table into contact with a probe tip of a probe card fixed to a fixing table. Fix the probe card and switch the mounting table
A first screw-in mechanism is used to raise all the needle tips of the probe card in parallel with each other, and to attach the needle tip formed vertically to the mounting table and the semiconductor wafer once vertically. And a second step of confirming the attachment in the vertical posture state by a visual recognition device such as a microscope, an edge sensor, or a television camera. The above-mentioned mounting table is connected to the probe card needle tip by a screw mechanism via a switch. A third step of ascending while maintaining the vertical posture and applying a set amount overdrive via microcomputer control.
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