JP2944056B2 - Electrical measuring apparatus using a contact sensing device and the contact sensing device of an electrical circuit measuring probe - Google Patents

Electrical measuring apparatus using a contact sensing device and the contact sensing device of an electrical circuit measuring probe

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JP2944056B2
JP2944056B2 JP21446491A JP21446491A JP2944056B2 JP 2944056 B2 JP2944056 B2 JP 2944056B2 JP 21446491 A JP21446491 A JP 21446491A JP 21446491 A JP21446491 A JP 21446491A JP 2944056 B2 JP2944056 B2 JP 2944056B2
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【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】この発明は、集積回路などの電気回路を検査するために使用される検査装置に用いられ、 BACKGROUND OF THE INVENTION This invention is used in the inspection device used for inspecting an electrical circuit such as an integrated circuit,
電気回路測定用探針が電気回路の端子に接触したか否かを検出する接触検知装置及びこの接触検知装置を備えた電気回路測定装置に関する。 Electrical measuring probe is for electrical circuit measuring apparatus equipped with a contact sensor unit and the contact detection device for detecting whether or not contact with the terminal of the electrical circuit.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体素子、特にICの製造時には、半導体ウェーハ上に500〜600個の半導体チップが同時に形成され、これらチップが分割された後、各チップが所定のパッケージに収納されてIC素子が完成される。 BACKGROUND OF THE INVENTION Semiconductor devices, particularly at the time of manufacture of the IC, 500 to 600 pieces of semiconductor chips on a semiconductor wafer is formed at the same time, after these chips are divided, each chip is accommodated in a predetermined package IC device There is completed. この場合、ウエハのチップが分割される前に、半導体ウェーハの各チップの電気的特性が測定される。 In this case, before the wafer chips are divided, the electrical characteristics of each chip of the semiconductor wafer is measured.

【0003】この測定は、半導体チップの複数の電極パッドに複数の測定用探針すなわちプローブ針をそれぞれ接触させ、これらプローブ針を通じて半導体チップを測定装置(テスタ)に接続することにより行われる。 [0003] This measurement is contacted plurality of measuring probe i.e. probe needles into a plurality of electrode pads of the semiconductor chip is performed by connecting the measuring device to the semiconductor chip through these probe needles (tester). この場合、多数のプローブ針が設けられたプローブカードが用いられ、このプローブカードがウェーハの上方位置に設置される。 In this case, the probe card in which a large number of probes are provided is used, the probe card is placed in the upper position of the wafer. 半導体ウェーハはXYZ方向に移動可能な載置台上に載置されており、この載置台が移動されることによりプローブ針と電極パッドとの位置合わせが行われる。 The semiconductor wafer is mounted on a mounting table movable in the XYZ directions, alignment of the probe needle and the electrode pads is performed by the mounting table is moved. プローブ針と電極パッドとの位置が合うと、載置台がZ方向(垂直方向)に上昇され、プローブ針が電極パッドに接触される。 When the position of the probe and the electrode pad is aligned, the mounting table is raised in the Z direction (vertical direction), the probe needles are brought into contact with the electrode pad.

【0004】このとき、プローブ針が電極パッドに電気的に完全に接触するようにプローブ針に所定の針圧が掛かるようにプローブ針と電極パッドとが接触する高さ位置(以下単に接触位置と称する)よりも更に互いに接近例えば所定距離だけ載置台が上昇される。 [0004] and this time, the height position where the probe needle contact between the probe needle and the electrode pad so that a predetermined needle pressure to the probe needle to completely electrically contact with the electrode pad is applied (hereinafter simply contact position referred) further only the mounting table approach for example, a predetermined distance is increased each other than. 接触位置からのこの移動がオーバードライブと称され、その移動量がオーバードライブ量と称される。 This movement from the contact position is referred to as overdrive, the movement amount is referred to as the overdrive amount.

【0005】従来では、接触検出は、オペレータが目視により行う方法のほか、接触をスイッチにより機械的に検出するエッジセンサや例えば半導体チップのストリートに接触するプローブ針に直流を流し、プローブ針が電極パッドに接触したときに直流ループが閉成されることを検出するニードルセンサを用いて行われている。 [0005] Conventionally, the contact detection, the operator in addition to the method of performing visually, contact the flowing direct current probe which mechanically contacts the street edge sensor and for example, a semiconductor chip is detected by the switch, the probe needle electrode DC loop when in contact with the pad is performed using a needle sensor for detecting that the closed.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、接触検出をオペレータの目視で行う場合には、検出位置はオペレータによってバラツキが生じ、同じオーバードライブ量でも針圧が異なってしまう。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, when performing touch detection visually the operator position detection variations occur by the operator, resulting in different probe pressure even with the same overdrive amount. このため、針圧をかけ過ぎた状態になると、電極パッドである例えばアルミニウムを突き破りICを不良にしてしまう。 Therefore, when a state in which too much stylus pressure, break through is for example aluminum electrode pads results in a failure of IC. 特に、集積度が4M、16M、64Mと高くなると、大きさが数十μm In particular, the degree of integration 4M, 16M, becomes high as 64M, number size tens μm
と小さくなり、さらに、厚さも薄くなるため、この不良数が著しく増加する。 And it decreases further, since the thinner the thickness, the number of defects increases considerably. また、針圧が少なすぎるとアルミニウム電極の上にできた自然酸化膜を突き破れず、正しい測定検査ができない。 Further, when the probe pressure too low without Tsukiyabure the natural oxide film made on the aluminum electrode can not correct measurement test.

【0007】そこで、エッジセンサやニードルセンサを用いて接触状態を検出する方法が考えられるが、ニードルセンサを用いる方法では、半導体チップのストリートに回路が形成されていると、回路の絶縁膜のために接触検知ができない。 [0007] Therefore, a method of detecting a contact state with an edge sensor or a needle sensor is contemplated, the method using a needle sensor, the circuit street of the semiconductor chip is formed, for the insulating film of the circuit I can not contact detected.

【0008】また、エッジセンサを用いる方法の場合、 Further, in the method of using an edge sensor,
エッジセンサが比較的高価格であると共に、機械的に接触を検知するためにセンサに圧力をかけなければならず、接触検知位置にバラツキが大きく、オペレータの目視による方法と同様の問題がある。 With edge sensor is relatively expensive, must apply pressure to the sensor to detect mechanical contact, large variations in the contact detection position, there is a similar problem to the method visual operator. しかも、エッジセンサが機械的に作動するには、かなりの針圧をプローブ針に掛ける必要があるので、高集積化に伴ってますます薄くなるアルミニウムの電極パッド、即ちアルミニウム電極がプローブ針により突き破られる恐れがあり、エッジセンサを用いる方法は実用的でない。 Thrust Moreover, the edge sensor operates mechanically, it is necessary to apply a considerable needle pressure to the probe needles, increasingly thinner aluminum electrode pads with the high integration, i.e., the aluminum electrodes by the probe needles There is a possibility to be broken, a method of using an edge sensor is not practical.

【0009】特に、最近では、32Mビット及び64M [0009] In particular, in recent years, 32M-bit and 64M
ビットと、高集積化が進んでおり、このような高集積I Bit, which is highly integrated proceeds, such high integration I
Cチップでは、電極パッドが30〜60μmとかなり小さく、目視による接触検知または上述した機械的な接触検知が出来なくなってきている。 The C chip, electrode pads considerably small as 30 to 60 m, it has become impossible mechanical contact sensing in contact sensing or above visual.

【0010】接触検知が不確実な状態でウェーハのチップの電気的特性のテストが行われると、正常なチップも不良と判断され、歩留まりを悪くする。 [0010] contact detection is the test of the electrical characteristics of the wafer chip uncertain state is performed, a normal chip is determined also defective, deteriorating the yield. 従って、半導体業界では、確実に接触検知が行えるウェーハプローバの出現が望まれている。 Thus, in the semiconductor industry, and the appearance of the wafer prober can be carried out reliably contact detection is desired.

【0011】この発明の目的は、被測定体または測定用プローブ針に交流信号を供給して被測定体と測定用プローブ針との接触を電気的に検知する接触検知装置及びこの接触検知装置を備えた電気回路測定装置を提供することにある。 [0011] The object is the contact detection device and the contact sensing device for electrically detecting the contact between the measuring probe and the object to be measured by supplying an alternating signal to the probe needle body to be measured or measurement of the present invention to provide an electrical circuit measuring apparatus equipped.

【0012】 [0012]

【課題を解決するための手段】この発明においては、 Means for Solving the Problems] In the present invention, the
検体を載置する導電性材料で構成された載置台と、 前記 A mounting table made of a conductive material for mounting the specimen, the
載置台に交流信号を供給するものであって、一端側が接 A to supply an AC signal to the stage, one end against
地された交流信号発生手段と、 前記載置台に載置された An AC signal generating means earth, placed on the mounting table
前記被検体との接触を検知するためのものであって、一 Wherein A used for detecting contact with the specimen, one
端側が接地された電気的良導体と、 前記電気的良導体と Electrically good conductor end side is grounded, and the electrical conductor
前記被検体とが相対的に近接移動して両者が接触したと Wherein with both with and subject to relatively approach movement is in contact
きに、前記交流信号発生手段の交流信号が、前記載置 To come, the AC signal of the AC signal generating means, the placement
台、前記被検体、前記電気的良導体を順次通じて流れる Platform, the subject, flows sequentially through the electrical conductor
交流信号ループが形成されたことを検知する接触検知手 Contact detection hand for detecting that the AC signal loop is formed
段と を備え、 前記接触検知手段は、 前記交流信号ループ And a stage, the contact detection unit, the AC signal loop
中に設けられ、前記交流信号ループに流れる交流信号を Provided in the AC signal flowing through the AC signal loop
検出する一次巻線と二次巻線とを有するトランスと、 A transformer having a primary winding and a secondary winding for detecting, before
記トランスの二次巻線に発生する交流信号を検出する検 Test for detecting an AC signal generated in the secondary winding of the serial transformer
出器とにより構成される ことを特徴とする接触検知装置を提供する。 By the output device to provide a contact detecting device, characterized in that constructed.

【0013】また、この発明は、複数の測定用プローブ針として必要に応じてモニタ用プローブ針を有するプローブ手段と、前記プローブ手段に対向して設けられ、被測定体を載置する載置手段と、前記プローブ手段と前記載置手段とを接近及び離間する方向に相対的に移動する移動手段と、前記被測定体及び前記測定用プローブ針の少なくとも1つ又はモニタ用プローブ針に交流信号を供給する交流信号発生手段と、前記交流信号の供給されるプローブ針と前記被測定体とが相対的に近接移動して両者が接触したときに交流信号ループが形成されることを検知する接触検知手段と、前記接触検知手段による接触検知に応答して、前記被測定体と前記測定用プローブ針との電気的接触を確実にするために前記被測定体及び前記測定用プローブ Further, the invention includes a probe means having a monitor probe needles as required as a plurality of measuring probes, arranged in opposition to the probe means, mounting means for mounting the object to be measured When the moving means for relatively moving in a direction approaching and separating the said probe means and the placement means, the alternating current signal the at least one or monitoring probe needles of the probe needle body to be measured and the measurement and AC signal generation means for supplying, contact detection to detect that a probe needle to be supplied in the AC signal and the object to be measured is an AC signal loop when both are in contact with relatively close movement is formed means and, in response to the contact detection by the contact detection means, said probe said measured object and the measurement in order to ensure electrical contact between the probe needles for the measurement and the measured sample の少なくとも一方を近接方向に所定距離だけ移動させるオーバードライブ手段と、前記交流信号発生手段を遮断して、被測定体の電気的特性を前記測定用プローブを介して測定するテスタ手段とにより構成される電気回路測定装置を提供する。 Overdrive means for moving a predetermined distance at least one proximally of, by blocking the AC signal generating means is constituted by a tester means for measuring the electrical characteristics of the object to be measured through the measuring probe providing an electrical circuit measuring apparatus that.

【0014】 [0014]

【作用】この発明による接触検知装置によれば、被検体と電気的良導体との接触が交流信号ループの形成として検知される。 SUMMARY OF According to the contact detecting apparatus according to the present invention, contact between the subject and the electrical conductor is detected as a form of an AC signal loop. 交流信号ループであるので、基板がP又はNチャンネルのいずれであっても検知可能である。 Since an AC signal loop, the substrate can be detected be either P or N-channel. また、被検体が半導体ウェーハのような場合、接触部分となる電極パッドの上に絶縁体の自然酸化膜が形成されていても、これは容量として検知され、被検体に対してほぼ0の針圧の状態で、定量的にバラツキなく、検出できる。 Also, if the subject, such as a semiconductor wafer, be natural oxide film of the insulator formed on the electrode pads in the contact portion, this will be detected as a capacitance, approximately 0 of the needle to the subject in pressure state, quantitatively without variation can be detected.

【0015】また、この発明による電気回路測定装置においては、上記の接触検知装置により検知した接触位置から、さらに被測定体と測定用プローブ針との少なくとも一方を、近接方向に所定距離だけ移動させてオーバードライブさせる。 Further, in the electric circuit measuring apparatus according to the present invention, from the contact position detected by the contact detection device, further at least one of the measuring probe and the object to be measured, is moved in a proximal direction by a predetermined distance to over-drives have been. 接触検知位置は、針圧0の状態であるので、このオーバードライブにより、電気回路測定に適切な所定の接触針圧を得ることができる。 Contact detection position, because it is state of the needle pressure 0, this overdrive, it is possible to obtain an appropriate predetermined contact needle pressure to the electric circuit measurement.

【0016】 [0016]

【実施例】図1に示す電気回路測定装置、即ち半導体ウェーハをテストするウェーハテスト装置は、ウェーハプローバ11と、インサートリングアッセンブリ12と、 EXAMPLES electrical circuit measuring apparatus shown in FIG. 1, namely a wafer testing apparatus for testing a semiconductor wafer, the wafer prober 11, the insert ring assembly 12,
テスタ13とで構成されている。 It is composed of a tester 13.

【0017】ウェーハプローバ11は、図示しないがウェーハカセットを収納するカセットテーブルと、ウェーハカセットを後述するメインチャックに搬送する搬送部と、ウェーハをメインチャックに載置し、メインチャック上のウェーハをウェーハ搬送部に移すローダ/アンローダ部と、メインチャックに載置されたウェーハの位置合わせ及びウェーハのチップのパターンを光学的に検出するオートアライメント機構と、メインチャックをXY [0017] Wafer prober 11 includes a cassette table not shown for containing the wafer cassette, a transport unit that transports the main chuck to be described later of the wafer cassette, and places the wafer on the main chuck, the wafer on the main chuck the wafer XY and the loader / unloader section to transfer to the transport unit, the automatic alignment mechanism for optically detecting the alignment and the pattern of the wafer chip of a wafer placed on the main chuck, a main chuck
Z方向に移動させるXYZ機構部とで構成される。 Composed of the XYZ mechanism for moving in the Z direction. 更に、このウェーハプローバ11はテスタ13に電気的に結合され、テストプログラム及びテスト制御データを送受信するCPUを有し、このCPUはマイクロコンピュータ14によって制御される。 In addition, the wafer prober 11 is electrically coupled to a tester 13 includes a CPU for transmitting and receiving a test program and test control data, the CPU is controlled by the microcomputer 14.

【0018】インサートリングアッセンブリ12は、図2に示されるようにヘッドプレート15の開口に着脱可能に装着されたリング状の取付台、即ちインサートリング16と、このインサートリング16に装着されるカードソケット17と、このカードソケット17に装着されるプローブカード18とで構成される。 The insert ring assembly 12, mount the opening of the head plate 15 can be mounted a ring-shaped removable as shown in Figure 2, i.e. the card socket and insert ring 16 is attached to the insert ring 16 17, and a probe card 18 to be mounted on the card socket 17. プローブカード18はプリント配線が成されたプリント基板19と、この基板19に図3に示すように取り付けられ、プリント配線に接続される複数のプローブ針20とで構成される。 Composed of the probe card 18 printed circuit board 19 which printed wiring is performed, it mounted as shown on the substrate 19 in FIG. 3, a plurality of probe needles 20 connected to the printed circuit. このプローブカード18はカードソケット17にネジにより取り付けられてもよい。 The probe card 18 may be attached by screws to the card socket 17.

【0019】上記のような構成のインサートリングアッセンブリ12は、測定すべきウェーハの種類に応じて交換される。 The insert ring assembly 12 having the above configuration is exchanged in accordance with the type to be measured wafer.

【0020】インサートリングアッセンブリ12の上には、テストヘッド21が回動可能に設けられる。 [0020] On the insert ring assembly 12, the test head 21 is provided rotatably. このテストヘッド21の下面にはパフォーマンスボード22が取り付けられている。 Performance board 22 is attached to the lower surface of the test head 21. パフォーマンスボード22は、カードソケット17に設けられたコンタクトピン17aを介してプローブカードに接続される。 Performance board 22 is connected to the probe card through the contact pins 17a provided in the card socket 17. このパフォーマンスボード22には、テストヘッド21に設けられたリレーをテストプログラムに従って選択する回路が実装されている。 This performance board 22, the circuit for selecting a relay provided in the test head 21 in accordance with the test program is installed. テストヘッド21はケーブルを介してテスタ1 Tester 1 test head 21 via a cable
3に接続される。 It is connected to the 3. このテスタ13には、プリンタ23及びディスプレイ24が接続されている。 The tester 13, a printer 23 and a display 24 are connected.

【0021】さらに、テストヘッド21には、電気的良導体、例えばプローブ針20列中の少なくとも1本のプローブ針又は、接触検知用モニタプローブ針が、ウェーハプローバ11に設けられたウェーハチャック26に載置されたウェーハ27の電極パッドに接触したことを検知するタッチセンサユニット25が設けられている。 Furthermore, the test head 21, an electrical conductor, such as at least one probe needles of the probe needles 20 rows in or contact detection monitor probe needle, placing the wafer chuck 26 provided on the wafer prober 11 touch sensor unit 25 is provided for detecting that contact with the electrode pads of the wafer 27 that is location. このタッチセンサユニット25は、ウェーハプローバ11 The touch sensor unit 25, the wafer prober 11
に設置してももちろんよい。 Of course, it may be installed in. この場合、交流信号をウェーハ27を支持するチャック26に印加することになる。 In this case, applying an alternating signal to a chuck 26 for supporting the wafer 27.

【0022】このタッチセンサユニット25は、原理的には図4に示すような回路構成を有している。 [0022] The touch sensor unit 25 is in principle has a circuit configuration as shown in FIG. すなわち、チャック26に設けられているサブストレート端子28が、周波数が例えば100Hz〜10kHz程度、 That is, the substrate terminal 28 provided on the chuck 26, the frequency is e.g. 100Hz~10kHz about,
この好ましくは1kHzの交流信号を発生する交流信号発生器29の一端に接続される。 This preferably is connected to one end of the AC signal generator 29 for generating a 1kHz AC signal. 尚、交流信号の周波数はクロストークが生じないようにテストすべきウェーハの種類及びプローブ針の間隔に応じて決められる。 The frequency of the AC signal is determined in accordance with the spacing of the type and the probe needles of the wafer to be tested so as not to cause crosstalk.

【0023】交流信号発生器29の他端は、検出用抵抗30の一端に接続される。 The other end of the AC signal generator 29 is connected to one end of the detection resistor 30. この抵抗30の他端はスイッチ31の端子31aを介してプローブカード18の一本のプローブ針20に接続される。 The other end of the resistor 30 is connected to one of the probe needles 20 of the probe card 18 via the terminal 31a of the switch 31. このプローブ針20 The probe needle 20
は、半導体ウェーハ27上の半導体チップの電極パッド、例えばGND(接地)の電極パッド27aに接触される。 A semiconductor chip electrode pads on the semiconductor wafer 27, is in contact with the electrode pads 27a, for example, GND (ground). スイッチ31の端子31bはテスタ13に接続される。 Terminal 31b of the switch 31 is connected to the tester 13.

【0024】抵抗30の両端は増幅器32の入力端子にそれぞれ接続される。 The both ends of the resistor 30 are connected to the input terminal of the amplifier 32. この増幅器32は抵抗30に現れる電圧を増幅する。 The amplifier 32 amplifies the voltage appearing at the resistor 30. 増幅器32の出力端子は比較器33 The output terminal of the amplifier 32 is the comparator 33
の一方の入力端子に接続される。 It is connected to one input terminal of the. 比較器33は増幅器3 Comparator 33 amplifier 3
2の出力を基準電位と比較し、その比較結果に応じた信号を出力する。 The second output is compared with a reference potential, and outputs a signal corresponding to the comparison result. 比較器33の出力信号はウェーハプローバ11に設けられたZ軸方向制御回路34に供給される。 The output signal of the comparator 33 is supplied to the Z-axis direction control circuit 34 provided in the wafer prober 11.

【0025】上記のタッチセンサユニット25の動作を説明すると、プローブ針と電極パッドとを接触させる操作、例えばチャック26の上昇動作の初期時、このチャック26上のウェーハ27とプローブカード18とは、 [0025] In operation of the touch sensor unit 25, an operation of contacting the probe and the electrode pad, for example, the initial time of the upward movement of the chuck 26, the wafer 27 and probe card 18 on the chuck 26,
例えば500μm離れている。 For example, apart 500μm. この状態において、X、 In this state, X,
Y軸上でウェーハを移動させて、予め定められたチップに位置決めし、ウェーハプローバ11に設けられたZ軸方向制御回路34は、このときのチャック26の位置を初期位置Zoとして、モータ駆動パルスをパルスモータ35に供給する。 Moving the wafer on the Y-axis, and positioned at a predetermined chip, Z-axis control circuit 34 provided in the wafer prober 11, the position of the chuck 26 at this time as the initial position Zo, the motor drive pulse and supplies to the pulse motor 35. このとき、Z軸方向制御回路34は、 In this case, Z-axis control circuit 34,
出力するパルスの数を「0」から順次計数する。 Sequentially counts the number of output pulses from "0".

【0026】パルスモータ35はパルスを受ける毎に回転する。 [0026] The pulse motor 35 is rotated to each receive a pulse. これにより、チャック26は徐々に上昇し、ウェーハ27がプローブ針20に近接する。 Thus, the chuck 26 is gradually increased, the wafer 27 comes close to the probe needle 20. ウェーハ27 Wafer 27
内の予め定められた半導体チップの電極パッド27aがプローブ針20に接触した接触時、図5のタッチセンサユニット25の等価回路図に示すように、交流信号ループが形成される。 Upon contact of the electrode pads 27a of a predetermined semiconductor chip of the inner comes into contact with the probe needle 20, as shown in an equivalent circuit diagram of the touch sensor unit 25 in FIG. 5, an AC signal loops. すなわち、図5において、抵抗41はプローブ針20と電極パッド27aとの接触抵抗、容量42はアルミの電極パッド27aの表面に形成された自然酸化膜により形成される容量、そしてダイオード43 That is, in FIG. 5, the resistor 41 is the contact resistance between the probe needle 20 and the electrode pads 27a, capacitor 42 capacitance is formed by natural oxidation film formed on the surface of the aluminum electrode pad 27a and the diode 43,
は半導体チップの基板(ウェーハ)がNチャンネルかP Or the substrate (wafer) is an N-channel of the semiconductor chip P
チャンネルかにより方向が定まるダイオードである。 A diode in which the direction is determined by whether the channel.

【0027】図5に示すような交流信号ループが形成されると、抵抗30に交流信号が流れ、この信号が増幅器32により増幅される。 [0027] AC signal loop as shown in FIG. 5 is formed, the AC signal flows through the resistor 30, the signal is amplified by the amplifier 32. 増幅された交流信号のレベルは比較器33により基準電位と比較される。 Level of the amplified AC signal is compared with a reference potential by comparator 33. したがって、 Therefore,
比較器33は比較結果の信号、即ち接触検知信号を出力する。 Comparator 33 outputs a signal of the comparison result, i.e. the contact detection signal.

【0028】この場合、プローブ針20と電極パッド2 [0028] In this case, the probe needle 20 and the electrode pad 2
7aとの接触により形成される回路ループが交流信号ループであるので、ダイオードの向きに関係なくタッチセンサユニット25は接触を検知することが可能であるとともに自然酸化膜が存在した状態でも、接触を検知することが可能である。 Since the circuit loop formed by contact with 7a is an AC signal loop, the touch sensor unit 25 irrespective of the orientation of the diode even when the natural oxide film with it is possible to detect the contact exists, the contact it is possible to detect. すなわち、自然酸化膜を突き破らなくとも接触を検知できる。 That is, it detects contact without pierced the natural oxide film.

【0029】比較器33から出力する接触検知信号は、 The contact detection signal output from the comparator 33,
Z軸方向制御回路34に供給される。 It is supplied to the Z-axis direction control circuit 34. Z軸方向制御回路34は、この信号を受けると、パルスモータ35への駆動パルスの供給を停止すると共に、そのときのパルス数Pnを接触位置Zcの情報として記憶する。 Z-axis control circuit 34 receives this signal, stops the supply of driving pulses to the pulse motor 35, and stores the number of pulses Pn at that time as the information of the contact position Zc. この後、Z After this, Z
軸方向制御回路34は、プローブ針20と電極パッド2 Axial control circuit 34, the probe needle 20 and the electrode pad 2
7aとの接触を高めるため、即ち両者間の接触抵抗を減少させるために、チャック26を、検知された接触位置Zcから、さらに、予め定められたオーバードライブ量、例えば20μ〜150μ、通常60μの距離だけ上昇した位置Zmまで上昇させ、この位置Zで停止させる。 To increase contact with the 7a, in order to reduce the contact resistance therebetween that is, the chuck 26, from the sensed touch position Zc, further overdrive predetermined amount of, for example 20Myu~150myu, normal 60μ distance raised to raised position Zm, is stopped at the position Z.

【0030】このオーバードライブ距離はウェーハステージの平行度のバラツキ、ウェーハ表面のバラツキ及びプローブ針のバラツキ等を考慮して決められ、基本的には、このオーバードライブ距離は、プローブ針の針先が電極パッドの表面に形成される酸化膜を突き破るが、電極パッドを突き破らないように、しかも電極パッドに電気的に十分接触するような値に決められる。 [0030] The overdrive distance determined in consideration of variations in the parallelism of the wafer stage, the wafer surface variations and the probe needles of variation or the like, basically, the overdrive distance, needle tip of the probe needle breaking through an oxide film formed on the surface of the electrode pad, but not to break through the electrode pad, yet determined to such a value as to electrically enough contact with the electrode pads.

【0031】上記のように接触が検知されると、スイッチ31が接点31bに切り換えられ、プローブ針20がテスタ13に接続される。 [0031] When the contact as described above is detected, the switch 31 is switched to the contact 31b, the probe needle 20 is connected to the tester 13. これにより、テスタ13がウェーハプローバ11から送られるテストスタート信号に従ってウェーハ27内当該チップの電気的特性のテストを開始する。 Thus, the tester 13 to begin testing the electrical characteristics of the wafer 27 the chip according to the test start signal sent from the wafer prober 11. テスタからのテストの結果データは、ウェーハプローブ11を介してマイクロプロセッサ14に送られ、処理される。 Result data of the test from the tester is sent to the microprocessor 14 via the wafer probe 11, it is processed. この処理結果データは、プリント及び表示するためプリンタ33及びディスプレイ24に送る。 The process result data, sent to the printer 33 and a display 24 for printing and display.

【0032】図6には、タッチセンサユニット25の具体的なブロック回路が示されており、このブロック回路を参照してこの発明を更に詳しく説明する。 [0032] FIG 6 is a specific block circuit of the touch sensor unit 25 has been shown, with reference to the block circuit illustrating the invention in more detail.

【0033】同図によると、交流信号源としての交流信号発生器29の一端はチャック26に接続され、他端はリレースイッチ36を介してタッチセンサ45の一端に接続される。 [0033] According to the figure, one end of the AC signal generator 29 as an AC signal source is connected to the chuck 26, the other end connected to one end of the touch sensor 45 through the relay switch 36. タッチセンサ45の他端はリレースイッチ31の接点31aに接続される。 The other end of the touch sensor 45 is connected to the contact 31a of the relay switch 31.

【0034】タッチセンサ45は図4の接触検知用抵抗30に対応しているが、この例ではトランスが用いられている。 The touch sensor 45 is corresponds to the contact detection resistor 30 in FIG. 4, the transformer is used in this example. そこで、この例では、交流信号発生器29の他端はリレースイッチ36及びタッチセンサ45のトランスの一次巻線を介して接点31aに接続される。 Therefore, in this example, the other end of the AC signal generator 29 is connected to the contact 31a via the transformer primary winding of the relay switch 36 and the touch sensor 45. タッチセンサ45のトランスの二次巻線は増幅器46の入力端子に接続される。 The secondary winding of the transformer of the touch sensor 45 is connected to the input terminal of the amplifier 46. この増幅器46の出力端子は絶対値増幅器47の入力端子に接続される。 The output terminal of the amplifier 46 is connected to the input terminal of the absolute value amplifier 47. 絶対値増幅器47は入力信号が半波信号のであっても入力信号を増幅するために設けられている。 Absolute value amplifier 47 is an input signal is provided to amplify the input signal even the half-wave signals.

【0035】絶対値増幅器47の出力端子は比較器48 The output terminal of the absolute value amplifier 47 comparator 48
の入力端子に接続される。 It is connected to the input terminal. この比較器48は絶対値増幅器47から出力される接触検知信号の信号レベルを基準レベルと比較し、検知出力信号を出力する。 The comparator 48 is a signal level of the contact detection signal output from the absolute value amplifier 47 is compared with the reference level, and outputs a detection output signal. 比較器48 Comparator 48
から出力される検知出力信号はウェーハプローバ11に含まれるZ軸方向制御回路のオーバードライブ回路50 Overdrive circuit in the Z-axis direction control circuit detecting an output signal output is contained in the wafer prober 11 from 50
に入力される。 It is input to. オーバードライブ回路50はプローブ針20にオーバードライブを掛けるように、即ち接触位置からプローブ針20に更に針圧を掛けるようにパルスモータ35を駆動する。 Overdrive circuit 50 to multiply the overdrive probe needles 20 to further drive the pulse motor 35 so as to apply a stylus pressure i.e. from the contact position to the probe needles 20.

【0036】前記比較器48の出力端子はリレー49に接続されている。 The output terminal of the comparator 48 is connected to the relay 49. このリレー49は検知出力信号により付勢されて、スイッチ31を接点31bに切り換え、プローブ針20をテスタ13に接続する。 The relay 49 is energized by the detection output signal, it switches the switch 31 to the contact 31b, to connect the probe needle 20 to the tester 13. また、リレー4 In addition, the relay 4
9はスイッチ36を開放し、タッチセンスユニットの回路を開路とする。 9 opens the switch 36, the circuit of the touch sensing unit and open. これにより、交流信号発生器29はタッチセンサ45から切り離されるので、テスタ13によるテスト中に交流信号の漏洩成分がタッチセンサ45により検出されることが防止できる。 Thus, the AC signal generator 29 so disconnected from the touch sensor 45, it is possible to prevent leakage component of the alternating current signal during the test by the tester 13 is detected by the touch sensor 45.

【0037】図7には、接触検知の具体的な一実施例が示されている。 [0037] Figure 7 is one specific example of a contact detection is shown. これによると、交流信号発生器9がチャック26と接地端子との間に接続され、テストヘッド2 According to this, the AC signal generator 9 is connected between the chuck 26 ground terminal, the test head 2
1が接地される。 1 is grounded. この実施例においては、プローブ針2 In this embodiment, the probe needles 2
0がウェーハ27の電極パッドに接触すると、交流信号発生器29から発生する交流信号がタッチセンサ45の一次巻線、チャック26、ウェーハ27、プローブ針2 When 0 is in contact with the electrode pads of the wafer 27, the primary winding of the alternating current signal generated from the AC signal generator 29 is a touch sensor 45, the chuck 26, the wafer 27, the probe needle 2
0及びテストヘッド21を介して接地極へ流れるので、 Since 0 and via the test head 21 flows to the ground electrode,
この交流信号がタッチセンサ45によって検知される。 This AC signal is detected by the touch sensor 45.

【0038】このような構成によると、タッチセンサユニット25の接続ピンをウェーハプローバ11に差し込むだけで、接触検知が行えるので、タッチセンサユニット25をどのようなタイプのウェーハテスト装置にも適用できる。 [0038] With this configuration, by simply inserting the connection pins of the touch sensor unit 25 to the wafer prober 11, so enabling the contact detection can be applied to any type of wafer testing apparatus a touch sensor unit 25. 特に、タッチセンサユニット25としてトランスが用いられているので、微小な交流信号でも検出でき、接触検知の精度は高い。 In particular, since the transformer is used as the touch sensor unit 25, can also be detected in small AC signal, the accuracy of touch sensing is higher.

【0039】次に、上記の他の実施例に従った、チャック26をZ方向に移動するZ軸方向移動系について図8 Next, in accordance with another embodiment of the, the Z-axis direction moving system for moving the chuck 26 in the Z direction 8
のフローチャート及び図9のZ軸方向制御回路34の回路を参照して説明する。 Flow and with reference to the circuit of the Z-axis direction control circuit 34 of FIG. 9 will be described in.

【0040】チャック26は、パルスモータ35がZ軸方向制御回路34により制御されることにより、その上昇及び降下が制御されると共に、その移動速度が制御される。 The chuck 26, by the pulse motor 35 is controlled by a Z-axis direction control circuit 34, along with the rise and fall is controlled, the moving speed is controlled. Z軸方向制御回路34は、マイクロコンピュータ14に設定されたプログラムに従って作動し、チャック26の上昇時の移動を次のように制御する。 Z-axis control circuit 34 operates in accordance with program set in the microcomputer 14, controls the movement of the ascent of the chuck 26, as follows.

【0041】先ず、Z軸方向制御回路34は、上昇移動の制御に先立って、前述のようにして検知された接触位置Zcより低い高さ位置Zdを設定し、チャック26の初期位置Zoから前記位置Zdまでチャック26を移動するためにパルスモータ35に供給すべきパルスの数P [0041] First, Z-axis control circuit 34, prior to controlling the upward movement, set to to detected contact position height Zd less than Zc as described above, from said initial position Zo chuck 26 position Zd number of pulses to be supplied to the pulse motor 35 to move the chuck 26 to P
d及び初期位置Zoから測定位置Zmまでチャック26 Chuck from d and the initial position Zo to the measuring position Zm 26
を移動するために必要とするパルス数Pmをメモリ51 The number of pulses Pm that required to move the memory 51
に記憶する。 And stores it in. このパルス数Pmはチャック26が初期位置Zoから移動し、プローブ針20がウェーハ27の電極パッドに接触する接触検知位置Zcに達するまでに必要なパルス数とオーバードライブに必要なパルス数との和によって決まる。 The sum of the number of pulses Pm chuck 26 is moved from the initial position Zo, the contact detection pulse count required to reach the position Zc and the number of pulses required to overdrive the probe needle 20 into contact with electrode pads of the wafer 27 determined by.

【0042】上記状態においてチャック26の移動が図8のフローチャートに示すように制御される。 The movement of the chuck 26 in the state is controlled as shown in the flowchart of FIG.

【0043】先ず、Z軸方向制御回路34がイニシャライズされ、Z軸方向制御回路34のパルスカウンタ52 [0043] First, the Z-axis direction control circuit 34 is initialized, the pulse counter 52 in the Z-axis direction control circuit 34
が「0」にリセットされる(ステップ101)。 There is reset to "0" (step 101).

【0044】次に、チャック26の初期位置Zoにおいて、Z軸方向制御回路34のCPU53は、スタート信号に応答して上昇高速送り信号をパルスモータドライバ回路54に供給する。 Next, in the starting position Zo of the chuck 26, CPU 53 of the Z-axis direction control circuit 34 supplies a rising high feed signal to the pulse motor driver circuit 54 in response to the start signal. パルスモータドライブ回路54は上昇高速送り信号に応答してパルスモータ35を高速で上昇させるための上昇高速パルスをパルスモータ35に供給する(ステップ102)。 The pulse motor driving circuit 54 supplies a rising fast pulse to increase the pulse motor 35 in response to the rising high feed signal at a high speed to the pulse motor 35 (step 102). このとき、パルスモータ35へ供給されるパルス数はカウンタ52により計数される。 At this time, the number of pulses supplied to the pulse motor 35 is counted by the counter 52.

【0045】高速送りの状態で、カウンタ52の計数値がPdになり、チャック26を設定位置Zdまで移動させるために必要な数のパルスモータ35に供給されたことをCPU53が判断すると(ステップ103)、CP [0045] In high-speed feed state, the count value of the counter 52 becomes Pd, the CPU53 that supplied to the number of the pulse motor 35 required to move the chuck 26 to the set position Zd is determined (step 103 ), CP
U53は上昇高速送り信号を上昇低速送り信号に変更する(ステップ104)。 U53 changes the rising high feed signals to increase the low-speed feed signal (step 104). パルスモータドライブ回路54 The pulse motor drive circuit 54
は上昇低速送り信号に応答して上昇低速パルスをパルスモータ35に供給する。 Supplies rise slower pulse to the pulse motor 35 in response to the rise slow feed signal. したがって、チャック26は低速で上昇する。 Thus, the chuck 26 is increased at a low speed.

【0046】低速送りの状態で、カウンタ52の計数値がPmになり、位置Zdから測定位置Zmまでチャック26を移動させるために必要な数のパルスがパルスモータ35に供給されたことをCPU53が判断すると(ステップ105)、パルスモータ35への駆動パルスの供給が停止され、チャック26の上昇移動が停止される(ステップ106)。 [0046] In the state of low-speed feed, the count value of the counter 52 becomes Pm, that the number of pulses required to move the chuck 26 from the position Zd to the measuring position Zm is supplied to the pulse motor 35 CPU 53 is If (step 105), the supply of the drive pulses to the pulse motor 35 is stopped, the upward movement of the chuck 26 is stopped (step 106). このとき、測定位置Zmの近傍では、上昇速度は低速であり、1μ〜10μmの微細なステップで上昇するので、測定位置Zmで上昇移動を停止したときのオーバーシュートは小さく、プローブ針が電極パッドを突き破ったりすることを防止することができる。 At this time, in the vicinity of the measuring position Zm, the rising speed is slow, because increasing a fine step 1Myu~10myuemu, overshoot is small, the probe needle electrode pads when the stopped rising movement in the measurement position Zm it is possible to prevent or break through.

【0047】次に、CPU53は、ウェーハの電気的特性の測定の完了を認識すると(ステップ107)、パルスモータドライブ回路54に降下信号を供給する。 Next, CPU 53 recognizes the completion of the measurement of the electrical characteristics of the wafer (step 107), and supplies the down signal to the pulse motor drive circuit 54. パルスモータドライブ回路54は降下信号に応答してパルスモータ35に降下駆動パルスを供給し、チャック26を降下させる(ステップ108)。 The pulse motor driving circuit 54 supplies the descent drive pulses to the pulse motor 35 in response to the down signal, lowering the chuck 26 (step 108). この降下は高速で行うことができる。 This drop can be performed at high speed.

【0048】CPU53が、チャック26を測定位置Z The CPU53 is, the chuck 26 measurement position Z
mから初期位置Zoまで移動させるために必要な数のパルスをパルスモータ35に供給したことを判別すると(ステップ109)、パルスモータ35への駆動パルスの供給を停止させる停止信号をパルスモータドライブ回路54に送り、チャック10の降下移動を停止させる(ステップ110)。 When determining that it has supplied a number of pulses required for the pulse motor 35 to move from m to an initial position Zo (step 109), the pulse motor drive circuit a stop signal for stopping the supply of the driving pulses to the pulse motor 35 feed 54, to stop the lowering movement of the chuck 10 (step 110).

【0049】以上で、1個のウェーハに対するZ軸方向の移動制御が終了し、図示しないX−Yステージにより、チャック26は水平移動され、アライメント位置で次にウェーハの受け渡しが行われ、さらに次のウェーハの載置位置合わせが行われる。 [0049] In the above, the movement control in the Z axis direction with respect to one wafer is completed, the X-Y stage (not shown), the chuck 26 is moved horizontally, then transfer of the wafer is performed in the alignment position, the following additional placed alignment is carried out of the wafer. アライメントが終了したら、チャック26が測定位置の下方位置に水平移動され、新たなウェーハについて前述したステップ101〜 When the alignment is finished, the chuck 26 is horizontally moved to a position below the measurement position, the step 101 to that described above for a new wafer
ステップ110が実行され、新たなウェーハのテストが行われる。 Step 110 is executed, the test of the new wafer is performed. 以下、この動作が繰り返される。 Hereinafter, this operation is repeated.

【0050】以上の例ではチャック26をZ方向に移動するためのZ軸方向移動機構36にボールスクリューが用いられているが、このZ軸方向移動機構36はこれに限らず偏心カム機構その他の機構を使用してもよい。 [0050] While above the examples are Z-axis direction the ball screw to the moving mechanism 36 is used for moving the chuck 26 in the Z direction, the Z-axis direction moving mechanism 36 is eccentric cam mechanism other is not limited to this mechanism may also be used.

【0051】また、接触位置を検知する場合に、交流信号はチャック26を介してウェーハ27に供給されているが、この交流信号はウェーハ27に直接供給するようにしても良い。 [0051] Also, in the case of detecting a contact position, but AC signal is supplied to the wafer 27 through the chuck 26, the AC signal may be supplied directly to the wafer 27. また、交流信号はプローブ針に供給するようにしても良い。 Also, the AC signal may be supplied to the probe needle.

【0052】さらに、2本の針の間に交流信号発生器を接続し、この2本の針が電極パッドに接続したとき、交流信号ループが形成されるのを検出することにより、接触を検知するようにすることもできる。 [0052] Further, between the two needles connected to an AC signal generator, when the needle of the two is connected to the electrode pads, by detecting that the AC signal loop is formed, detects contact It can also be adapted to. この場合には、 In this case,
2本のプローブ針の位置を四辺形の半導体チップの対角位置とすることにより、パッドあるいはプローブ針の高さ方向の位置のバラツキにも対応して接触を検知することが可能になる。 By the position of the probe needles of the two diagonal positions of the quadrilateral of the semiconductor chip, it becomes possible to detect the contact in response to variations in the position in the height direction of the pads or probe needles.

【0053】また、チャックの上昇移動制御方法において、上昇速度を変える設定位置(接触位置Zcよりも低い高さ位置)Zdを決める基準となる接触位置Zcの検知方法としては、図2の例に限られるものではなく、目視による方法又はエッジセンサやニードルセンサによる方法であってもよい。 [0053] Further, in the upward movement controlling method of the chuck, as a method for detecting the contact position Zc set position as a reference for determining the Zd (height position lower than the contact position Zc) varying the rate of rise, in the example of FIG. 2 it is not limited, it may be a method in accordance with the method or edge sensor or a needle sensor visual.

【0054】また、接触位置まで高速でチャックを上昇させ、オーバドライブ分だけ低速上昇させるようにしても良い。 [0054] Further, to raise the chuck at a higher speed until the contact position, it may be made to slow raised by overdrive amount.

【0055】また、チャックを昇降させる代わりに、プローブ針を含むアッセンブリを昇降移動させるようにすることも可能である。 [0055] Also, instead of raising and lowering the chuck, it is also possible to vertically moving the assembly including a probe needle.

【0056】さらに、この発明は、ウェーハに形成した半導体チップの測定に限られるものではなく、パッケージした半導体チップやLCD(液晶ディスプレイ)基板の測定、プリント基板の測定、その他の被測定体の測定に適用可能である。 [0056] Further, the present invention is not limited to the measurement of semiconductor chips formed on the wafer, packaged semiconductor chips or LCD (liquid crystal display) Measurement of substrate, measurement of the printed circuit board, the measurement of the other object to be measured It can be applied to.

【0057】 [0057]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば、測定用探針と被測定体との接触を交流信号ループの形成を検出することにより検知するようにしたので、接触位置を電極パッドの表面に形成された自然酸化膜をも含めて、検知することができ、電極にほとんど傷をつけること無く、接触を検知することができる。 As described in the foregoing, according to the present invention, since the to detect by detecting the formation of an AC signal loop contact with the measuring probe and the object to be measured, the contact position electrode , including a natural oxide film formed on the surface of the pad, it is possible to detect, without giving almost scratch the electrode, it is possible to detect the contact. 接触検知が交流信号ループの検出により行われているので、半導体基板がNチャンネルであっても、Pチャンネルであっても接触検知が可能である。 The contact detection is performed by detecting an AC signal loop, even the semiconductor substrate is an N-channel, it is possible to contact detection even P-channel.

【0058】また、この発明によると、オペレータの目視による接触検知のような個人差や、エッジセンサ等のようなバラツキがほとんどないので、この接触位置を基準にオーバードライブ量を定めれば、同じ種類の被測定体に対して、常に所定の針圧をかけた状態で被測定体の電気的特性を測定することができ、正確な測定が可能になる。 [0058] According to the present invention, individual differences and such as contact detection visual operator, since there is little variation such as an edge sensor, be determined overdrive amount relative to this contact position, the same for the type of object to be measured, it is possible to always measure the electrical characteristics of the object to be measured while applying a predetermined probe pressure allows accurate measurement.

【0059】また、被測定体を載置する載置台を測定用探針に対して近接移動させるときに、被測定体と測定用探針が接触する位置よりも手前の所定の近接位置までは載置台を高速で移動させ、その後は低速で移動させるようにしたので、測定位置で載置台を停止したときのオーバーシュートは小さく、電極パッドを突き破ったりする欠点を防止できる。 [0059] Also, when brought close movement relative to the measuring probe mounting table mounting the object to be measured, to a predetermined position near the front of the position the probe for measuring the object to be measured come into contact moving the mounting table at a high speed, then since the move at a low speed, overshoot when shutting down mounting table at the measurement position is small, it is possible to prevent disadvantages or breaking through the electrode pads.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】この発明による電気回路測定装置の一例の概略構成図である。 1 is a schematic diagram of an example of an electrical circuit measuring apparatus according to the present invention.

【図2】図1のインサートリングアッセンブリの部分の概略構造を示す図である。 2 is a diagram showing the schematic structure of a portion of the insert ring assembly FIG.

【図3】図2に示されるプローブカードの概略平面図である。 3 is a schematic plan view of the probe card shown in FIG.

【図4】図1のタッチセンサユニットの一例の原理的回路図である。 FIG. 4 is an example principle circuit diagram of the touch sensor unit of FIG.

【図5】図4のタッチセンサユニットの等価回路図である。 Figure 5 is an equivalent circuit diagram of the touch sensor unit of FIG.

【図6】タッチセンサユニットの一例の回路ブロック図である。 6 is a circuit block diagram of an example of a touch sensor unit.

【図7】タッチセンサユニットの他の例の概略構成図である。 7 is a schematic block diagram of another embodiment of a touch sensor unit.

【図8】この発明によるZ軸方向移動の動作を説明するフローチャートである。 8 is a flowchart for explaining the operation of the Z-axis direction movement according to the present invention.

【図9】Z軸方向移動回路の一例の回路ブロック図である。 9 is a circuit block diagram of an example of a Z-axis direction moving circuit.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11 ウェーハプローバ 12 インサートリングアッセンブリ 13 テスタ 14 マイクロコンピュータ 18 プローブカード 20 プローブ針 21 テストヘッド 25 タッチセンサユニット 26 ウェーハチャック 27 ウェーハ 27a 電極パッド 29 交流信号発生器 30 交流信号検出用抵抗 34 Z軸方向制御回路 35 パルスモータ 45 タッチセンサの例としてのトランス 47 絶対値増幅器 50 オーバードライブ回路 11 wafer prober 12 insert ring assembly 13 tester 14 microcomputer 18 probe card 20 probe needle 21 test head 25 touch sensor unit 26 wafer chuck 27 wafers 27a electrode pads 29 AC signal generator 30 AC signal detecting resistor 34 Z-axis direction control circuit 35 pulse motor 45 transformer 47 absolute value amplifier 50 overdrive circuit as an example of the touch sensor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 6識別記号 FI G01R 31/26 G01R 31/26 J (56)参考文献 特開 昭49−115480(JP,A) 特開 昭50−98283(JP,A) 特開 平2−196440(JP,A) 特開 昭60−249342(JP,A) 特開 昭63−291430(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 6 ,DB名) H01L 21/66 G01B 5/00 G01B 7/00 G01R 1/06 G01R 1/073 G01R 31/26 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page continued (51) Int.Cl. 6 identifications FI G01R 31/26 G01R 31/26 J (56 ) references Patent Sho 49-115480 (JP, a) JP Akira 50-98283 ( JP, a) JP flat 2-196440 (JP, a) JP Akira 60-249342 (JP, a) JP Akira 63-291430 (JP, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 6, DB name) H01L 21/66 G01B 5/00 G01B 7/00 G01R 1/06 G01R 1/073 G01R 31/26

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 被検体を載置する導電性材料で構成された 1. A composed of a conductive material supporting the patient
    載置台と、 前記載置台に交流信号を供給するものであって、一端側 The mounting table, there is supplied an AC signal to the mounting table, one end
    が接地された交流信号発生手段と、 前記載置台に載置された前記被検体との接触を検知する Detecting There the AC signal generating means which is grounded, the contact between the placed the subject on the mounting table
    ためのものであって、一端側が接地された電気的良導体 It is for electrical conductor whose one end is grounded
    と、前記電気的良導体と前記被検体とが相対的に近接移動して両者が接触したときに、前記交流信号発生手段の交流信号が前記載置台、前記被検体、前記電気的良導体を順 If, when both the electrical conductor and said subject relatively close movement is in contact, the AC signal is the mounting table of the AC signal generating means, the subject, the electrical conductor order
    次通じて流れる交流信号ループが形成されたことを検知する接触検知手段とを備え、前記接触検知手段は、 記交流信号ループ中に設けられ、前記交流信号ループに流れる交流信号を検出する一次巻線と二次巻線とを有するトランスと、 前記トランスの二次巻線に発生する交流信号を検出する検出器とにより構成されることを特徴とする接触検知装置。 And a contact detecting means for detecting that the AC signal loop flowing through the following has been formed, the contact detection unit is provided in front Symbol AC signal loop one detects the alternating current signal flowing in the alternating-current signal loop primary contact detection device comprising a transformer, to be constituted by a detector for detecting an AC signal generated in the secondary winding of the transformer having a winding and a secondary winding.
  2. 【請求項2】 複数の測定用プローブ針として必要に応 2. A response needs as a plurality of measuring probes
    じてモニタ用プローブ針を有するプローブ手段と、 前記プローブ手段に対向して設けられ、被測定体を載置 Placing a probe means, provided opposite to said probe means, the object to be measured with a probe needle monitor Flip
    する載置手段と、 前記プローブ手段と前記載置手段とを接近及び離間する And mounting means for, approaching and separating the said probe means and the placement means
    方向に相対的に移動する移動手段と、 前記被測定体及び前記測定用プローブ針の少なくとも1 And moving means for relatively moving in a direction, the probe needle body to be measured and the measured at least
    つ又はモニタ用プローブ針に交流信号を供給する交流信 One or AC signal supplies an AC signal to the monitor probe
    号発生手段と、 前記交流信号の供給されるプローブ針と前記被測定体と And No. generating means, the probes supplied of the AC signal and the object to be measured
    が相対的に近接移動して両者が接触したときに交流信号 AC signal when but where both relatively close movement is in contact
    ループが形成されることを検知する接触検知手段と、 前記接触検知手段による接触検知に応答して、前記被測 A contact detection means for detecting that the loop is formed, in response to the contact detection by the contact detecting means, measuring the object
    定体と前記測定用プローブ針との電気的接触を確実にす To ensure electrical contact of the the measuring probe and Teikarada
    るために前記被測定体及び前記測定用プローブ針の少な It said probe needle body to be measured and the measurement small in order
    くとも一方を近接方向に所定距離だけ移動させるオーバ Over which is moved by a predetermined distance while the Kutomo proximally
    ードライブ手段と、 前記交流信号発生手段を遮断して、前記被測定体の電気 And over the drive means, to block the AC signal generating means, electrical of the object to be measured
    的特性を前記測定用プローブ針を介して測定するテスタ Tester The properties measured via the measuring probe
    手段とにより構成され、 前記接触検知手段は、 前記被検体と前記電気的良導体と前記交流信号発生手段 It is constituted by a unit, the contact detection unit, the subject and the electrical conductor and the AC signal generating means
    とによって形成される前記交流信号ループに設けられ、 Provided in the AC signal loop formed by the,
    前記交流信号ループに流れる交流信号を検出する一次巻 Primary winding for detecting an AC signal flowing in the alternating current signal loop
    線と二次巻線とを有するトランスと、このトランスの二 A transformer having a line and a secondary winding, the trans double
    次巻線に発生する交流信号を検出する検出器とにより構 Structure by a detector for detecting an AC signal generated in the next winding
    成される ことを特徴とする電気回路測定装置。 Electrical measuring apparatus characterized by being made.
  3. 【請求項3】 前記移動手段は、前記載置手段の初期位 Wherein said moving means, the initial position of the placement means
    置から前記載置手段を高速で移動し、前記測定用プロー The laid et said placing means moves fast, probe for the measurement
    ブ針と前記被測定体とが接触する位置に近接する位置か Or a position where the the blanking needle and the object to be measured in proximity to a position in contact
    ら前記載置手段を低速で移動するようにした請求項2に To claim 2, Luo said placing means and to move at a low speed
    記載の電気回路測定装置。 Electrical measuring apparatus according.
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