JPH08104693A - シラシクロヘキサン化合物の製造方法 - Google Patents

シラシクロヘキサン化合物の製造方法

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JPH08104693A
JPH08104693A JP7222627A JP22262795A JPH08104693A JP H08104693 A JPH08104693 A JP H08104693A JP 7222627 A JP7222627 A JP 7222627A JP 22262795 A JP22262795 A JP 22262795A JP H08104693 A JPH08104693 A JP H08104693A
Authority
JP
Japan
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group
silacyclohexane
general formula
compound
carbon atoms
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Pending
Application number
JP7222627A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Ogiwara
勤 荻原
Takaaki Shimizu
孝明 清水
Takeshi Kano
剛 金生
Tatsushi Kaneko
達志 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 トランス体のシラシクロヘキサン化合物を優
先的に製造する。 【構成】 一般式（１）（但し、Ａｒ及びＡｒ’はそれ
ぞれ相互に独立してフェニル基又はトリル基、Ｑは を表す。）で表される化合物を、一般式（２）（但し、
Ｗはハロゲン原子を表す。）で表されるジハロシラシク
ロヘキサンに変換した後、一般式Ｒ’ＯＨ（但し、Ｒ’
は炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３〜８
の分枝鎖状アルキル基を表す。）で表されるアルコール
と反応させて、一般式（３）で表されるジアルコキシシ
ラシクロヘキサンに変換した後、還元して、一般式
（４） で表されるジヒドロシラシクロヘキサンに変換した後、
モノハロゲン化して、一般式（５）（但し、Ｗはハロゲ
ン原子を表す。）で表されるヒドロハロシラシクロヘキ
サンに変換した後、一般式Ｑ’−Ｍ（但し、Ｑ’は を表す。）で表される有機金属試薬との反応により、一
般式（６）で表されるシラシクロヘキサン化合物を得る
シラシクロヘキサン化合物の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子の液晶物
質として用いられるシラシクロヘキサン化合物を製造す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、液晶物質が持つ光学異
方性及び誘電異電性を利用したものであり、その表示様
式によってＴＮ型（ねじれネマチック型）、ＳＴＮ型
（超ねじれネマチック型）、ＳＢＥ型（超複屈折型）、
ＤＳ型（動的散乱型）、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型
（整列相の変形型）、ＰＤ型（ポリマー分散型）及びＯ
ＭＩ型（光学的モード干渉型）など各種の方式がある。
最も一般的なディスプレイデバイスはシャット−ヘルフ
リッヒ効果に基づき、ねじれネマチック構造を有するも
のである。
【０００３】これらの液晶表示に用いられる液晶物質に
要求される性質は、その表示方式によって若干異なる
が、液晶温度範囲が広いこと、水分、空気、光、熱、電
界等に対して安定であること等は、いずれの表示方式に
おいても共通して要求される。さらに、液晶材料は、低
粘度であり、かつセル中において短いアドレス時間、低
い閾値電圧及び高いコントラストを与えることが望まれ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶ディスプレ
ーの用途が拡大するにつれて、液晶材料に要求される特
性も益々高度な厳しいものになりつつある。特に、駆動
電圧の低電圧化、車載用ニーズに対応した広域温度範囲
化、低温性能の向上等、従来の液晶物質の特性を更に上
回るものが望まれるようになってきた。
【０００５】このような観点から、発明者らは、液晶物
質の向上を目的として分子中にケイ素原子を含有する新
規な液晶化合物を開発し、先に出願した。これら液晶化
合物としてはトランス体が有用であるが、製造段階では
シス体とトランス体との混合物として得られ、これらか
らトランス体を分離する必要があった。
【０００６】そこで本発明は、これらの新規液晶化合物
を製造する際、実用上必要なトランス体を優先的に製造
する方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、一般
式
【化６５】 （但し、Ａｒ及びＡｒ’はそれぞれ相互に独立してフェ
ニル基又はトリル基、Ｑは
【化６６】 （但し、
【化６７】 及び
【化６８】 は、それぞれ相互に独立して
【化６９】 又は
【化７０】 （但し、Ｙ3はＨ、Ｆ又はメチル基を表す。）を表し、
【化７１】 は
【化７２】 又は
【化７３】 （但し、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ相互に独立してＨ、Ｆ又
はＣｌを表す。）を表し、ＸはＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ
Ｆ3、ＣＦ2Ｃｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＨＦ2、ＯＣＦ2Ｃｌ、
ＯＣＨＦ Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、（Ｏ）mＣＴ＝ＣＸ1Ｘ
2（ｍは０又は１、Ｔ及びＸ1はＨ、Ｆ又はＣｌ、Ｘ2は
Ｆ又はＣｌを表す。）、Ｏ（ＣＨ2）r（ＣＦ2）sＸ
3（ｒ及びｓは０、１又は２であり、かつ（ｒ＋ｓ）が
２、３又は４、Ｘ3はＦ又はＣｌを表す。）、Ｒ又はＯ
Ｒ基（Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数
３〜８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキ
シアルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表
す。）を表し、ｉ１、ｉ２及びｉ３はそれぞれ０又は１
で且つｉ１＋ｉ２＋ｉ３が１となる数を表し、ｊ１、ｊ
２及びｊ３はそれぞれ０、１又は２で且つｊ１＋ｊ２＋
ｊ３が０、１又は２となる数を表す。）を表す。）で表
される化合物を、一般式
【化７４】 （但し、Ｗはハロゲン原子（好ましくはＣｌ又はＢｒ）
を表す。）で表されるジハロシラシクロヘキサンに変換
した後、一般式
【化７５】Ｒ'ＯＨ （但し、Ｒ’は炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基又は
炭素数３〜８の分枝鎖状アルキル基を表し、好ましくは
炭素数１〜４の直鎖状アルキル基又は炭素数３〜４の分
枝鎖状アルキル基である。）で表されるアルコールと反
応させて、一般式
【化７６】 で表されるジアルコキシシラシクロヘキサンに変換した
後、還元して、一般式
【化７７】 で表されるジヒドロシラシクロヘキサンに変換した後、
モノハロゲン化して、一般式
【化７８】 （但し、Ｗはハロゲン原子（好ましくはＣｌ又はＢｒ）
を表す。）で表されるヒドロハロシラシクロヘキサンに
変換した後、一般式
【化７９】Ｑ'−Ｍ （但し、Ｑ’は
【化８０】 （但し、
【化８１】 は
【化８２】 又は
【化８３】 （但し、Ｙ3はＨ、Ｆ又はメチル基を表す。）を表し、
【化８４】 は
【化８５】 又は
【化８６】 （但し、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ相互に独立してＨ、Ｆ又
はＣｌを表す。）を表し、Ｘ’はＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ
3、ＣＦ2Ｃｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＨＦ2、ＯＣＦ2Ｃｌ、Ｏ
ＣＨＦ Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、（Ｏ）mＣＴ＝ＣＸ1Ｘ2（ｍ
は０又は１、Ｔ及びＸ1はＨ、Ｆ又はＣｌ、Ｘ2はＦ又は
Ｃｌを表す。）、Ｏ（ＣＨ2）r（ＣＦ2）sＸ3（ｒ及び
ｓは０、１又は２であり、かつ（ｒ＋ｓ）が２、３又は
４、Ｘ3はＦ又はＣｌを表す。）、Ｒ又はＯＲ基（Ｒは
炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数３〜８の分
枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキシアルキル
基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表す。）を表し、
ｋ１及びｋ２はそれぞれ０又は１で且つｋ１＋ｋ２が１
となる数を表し、ｍ１及びｍ２はそれぞれ０、１又は２
で且つｍ１＋ｍ２が０、１又は２となる数を表す。）を
表し、ＭはＭｇＰ（Ｐはハロゲン（好ましくはＣｌ、Ｂ
ｒ又はＩ）を表す。）又はＺｎＰを表す。）で表される
有機金属試薬との反応により、一般式
【化８７】 で表されるシラシクロヘキサン化合物を得ることを特徴
とするシラシクロヘキサン化合物の製造方法である。
【０００８】また本発明は、一般式
【化８８】 （但し、Ａｒ、Ａｒ’及びＱは［化６５］におけるそれ
ぞれ対応する基と同じ基を表す。）で表される化合物
を、一般式
【化８９】 （但し、Ｗはハロゲン原子（好ましくはＣｌ又はＢｒ）
を表す。）で表されるジハロシラシクロヘキサンに変換
した後、還元して、一般式
【化９０】 で表されるジヒドロシラシクロヘキサンに変換した後、
モノハロゲン化して、一般式
【化９１】 （但し、Ｗはハロゲン原子（好ましくはＣｌ又はＢｒ）
を表す。）で表されるヒドロハロシラシクロヘキサンに
変換した後、一般式
【化９２】Ｑ'−Ｍ （但し、Ｑ’及びＭは［化７９］におけるそれぞれ対応
する基と同じ基を表す。）で表される有機金属試薬との
反応により、一般式
【化９３】 で表されるシラシクロヘキサン化合物を得ることを特徴
とするシラシクロヘキサン化合物の製造方法である。
【０００９】また本発明は、一般式
【化９４】 （但し、Ａｒ、Ａｒ’及びＱは［化６５］におけるそれ
ぞれ対応する基と同じ基を表す。）で表される化合物
を、一般式
【化９５】 （但し、Ｗはハロゲン原子（好ましくはＣｌ又はＢｒ）
を表す。）で表されるジハロシラシクロヘキサンに変換
した後、還元して、一般式
【化９６】 （但し、Ｗはハロゲン原子を表す。）で表されるヒドロ
ハロシラシクロヘキサンに変換した後、一般式
【化９７】Ｑ'−Ｍ （但し、Ｑ’及びＭは［化７９］におけるそれぞれ対応
する基と同じ基を表す。）で表される有機金属試薬との
反応により、一般式
【化９８】 で表されるシラシクロヘキサン化合物を得ることを特徴
とするシラシクロヘキサン化合物の製造方法である。
【００１０】次に、本発明をさらに詳細に説明する。一
般に知られている液晶組成物では、１０〜２０種類の数
多くの単品化合物からなる混合物である。この中には、
コア骨格が同じで、屈曲鎖の長さだけが異なる同族体も
含まれている。従来の炭化水素系の液晶組成物では、屈
曲鎖の長さが異なれば最も上流の原料から屈曲差の長さ
を固定して、何十工程もの反応を経て目的物を製造して
いた。しかし、本発明の方法でケイ素含有液晶化合物を
製造すると多段階の反応工程の最後に屈曲鎖の長さや種
類を自由に決めることが可能である。従来の炭化水素系
液晶化合物ではこのような製造の仕方は不可能であり、
ケイ素含有液晶化合物だけが可能である。特に、構造的
に類似の品種を数多く製造しなければならない液晶用途
分野では、このような製造方法は工程全体の反応の数を
減らすことが可能であり、その結果として、非常に経済
的なものとなる。
【００１１】ジハロシラシクロヘキサン化合物
【化９９】 は、先に本発明者が出願した特願平６−７８１２５に記
載の方法でジアリールシラシクロヘキサノン化合物から
ジアリールシラシクロヘキサン化合物を経由して次式の
ように求電子試薬ＥＷによる反応で得ることができる。
【化１００】
【００１２】求電子試薬として、ハロゲン、ハロゲン化
水素、ハロゲン化金属、スルホン酸誘導体、酸ハロゲン
化物、ハロゲン化アルキル等を挙げることができる。特
に、ヨウ素、臭素、塩素、一塩化ヨウ素、塩化水素、臭
化水素、ヨウ化水素、塩化水銀（II）、クロロスルホン
酸トリメチルシリル、塩化アセチル、臭化アセチル、塩
化ベンゾイル、塩化ｔ−ブチル等を好ましく例示でき
る。反応速度を高めるために、塩化アルミニウム、塩化
亜鉛、四塩化チタン、三フッ化ホウ素等のルイス酸類の
添加や光（可視光線、紫外線）の照射を行ってもよい。
この反応は、０〜８０℃で行われることが好ましく、更
には１０〜４０℃で行われるとよい。
【００１３】得られたジハロシラシクロヘキサン化合物
のケイ素原子に直結しているハロゲン原子のうちの一つ
を、還元剤を化学量論量使用して水素原子に変換するこ
とができる。
【００１４】
【化１０１】
【００１５】このとき使用される還元剤として、水素化
ナトリウム、水素化カルシウム、トリアルキルシラン
類、ボラン類、ジアルキルアルミニウム等の金属水素化
物、水素化アルミニウムリチウム、水素化ホウ素ナトリ
ウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素カリウム、
水素化ホウ素トリブチルアンモニウム等の錯水素化化合
物（Ｃｏｍｐｌｅｘ ｈｙｄｒｉｄｅ）やこれらの置換
型ヒドリド化合物、すなわちリチウムトリアルコキシア
ルミニウムヒドリド、ナトリウムジ（メトキシエトキ
シ）アルミニウムヒドリド、リチウムトリエチルボロヒ
ドリド、ナトリウムシアノボロヒドリド等を挙げること
ができる。還元反応は、０〜１００℃で行われることが
好ましく、この様な還元反応はジエチルエーテル、ＴＨ
Ｆ、ジオキサン、トルエン、キシレン、ヘキサン、イソ
オクタン等の溶液中で行われる。
【００１６】このようにして得られたヒドロハロシラシ
クロヘキサン化合物は、有機金属試薬
【化１０２】Ｑ'−Ｍ との炭素−ケイ素結合反応により、目的物であるシラシ
クロヘキサン化合物
【化１０３】 を得ることができる。
【００１７】
【化１０４】
【００１８】このとき、実際の液晶化合物として有用な
トランス異性体が高い選択率で得ることができる。この
反応は−５０〜１５０℃のもと反応が終了するまで、具
体的には０．１〜５時間行うことが好ましい。
【００１９】また、［化１００］で得られたジハロシラ
シクロヘキサン化合物を、
【化１０５】 のように、２当量の還元剤（水素化ナトリウム、水素化
カルシウム、トリアルキルシラン類、ボラン類、ジアル
キルアルミニウム等の金属水素化物、水素化アルミニウ
ムリチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リ
チウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素トリブチ
ルアンモニウム等の錯水素化化合物（Ｃｏｍｐｌｅｘ
ｈｙｄｒｉｄｅ）やこれらの置換型ヒドリド化合物、す
なわちリチウムトリアルコキシアルミニウムヒドリド、
ナトリウムジ（メトキシエトキシ）アルミニウムヒドリ
ド、リチウムトリエチルボロヒドリド、ナトリウムシア
ノボロヒドリド等）と反応させることによりジヒドロシ
ラシクロヘキサン化合物に変換した後、
【化１０６】 のようにハロゲン化剤を化学量論量使用して選択的にモ
ノハロゲン化してヒドロハロシラシクロヘキサンを得、
続いて有機金属試薬
【化１０７】Ｑ'−Ｍ との炭素−ケイ素結合反応により、目的物であるシラシ
クロヘキサン化合物
【化１０８】 を得ることができる。この際、使用される還元剤は前記
［化１０１］で示した還元剤を用いて、同様な条件で還
元反応を行う。
【００２０】このとき使用されるハロゲン化剤として、
塩素、臭素、ヨウ素、塩化ヨウ素等のハロゲン、塩化銅
＋ヨウ化銅、ハロゲン化シラン、ハロゲン化金属、スル
ホン酸誘導体酸ハロゲン化物、ハロゲン化アルキル等、
一般に知られているハロゲン化剤を使用することができ
る。
【００２１】この方法では、［化１０１］で示したよう
な還元で直接ヒドロハロシラシクロヘキサン化合物を合
成する場合より一工程多くなるが、Ｑの化学的な構造が
モノハロゲン化の選択性に対して影響を与え、ヒドロハ
ロシラシクロヘキサン化合物の収率が良くなる。従っ
て、いずれの工程を選択するかは、Ｑの化学構造に応じ
て適宜選択するとよいが、［化１０５］〜［化１０６］
で示された工程を選択することが更に好ましい。
【００２２】更に、［化１００］で得られたジハロシラ
シクロヘキサン化合物をアルコールと反応させて、ジア
ルコキシシラシクロヘキサン化合物に変換することがで
きる。
【化１０９】
【００２３】このとき使用されるアルコール（Ｒ’Ｏ
Ｈ）としては、Ｒ’は炭素数１〜１０の直鎖状アルキル
基又は炭素数３〜８の分枝鎖アルキル基であり、好まし
くは炭素数１〜４の直鎖状アルキル基又は炭素数３〜４
の分枝鎖状アルキル基であり、メタノール、エタノー
ル、ｎ−プロピルアルコール、ｉｓｏ−プロピルアルコ
ール、ｎ−ブチルアルコール等の低級アルコールが好ま
しい。このとき、発生するハロゲン化水素を中和するた
め、トリエチルアミンンや尿素等のアミン類、プロピレ
ンオキサイド等のエポキシ類を添加してもよい。この反
応は０〜８０℃で行われるとよい。
【００２４】この方法では、前述の工程より工程数が多
くなるが、ジアリールシラシクロヘキサン化合物からジ
ハロシラシクロヘキサン化合物を得る［化１００］の工
程で塩化アルミニウム等の触媒を使用したとき、ジアル
コキシシラシクロヘキサン化合物を経由すると触媒の除
去が容易にできる。この触媒は、［化１０４］の反応で
悪影響を与える場合があるので、望ましくは除去した方
がよい。
【００２５】続いて、［化１０９］で得られたジアルコ
キシシラシクロヘキサン化合物を、
【化１１０】 のように、２当量の還元剤（水素化ナトリウム、水素化
カルシウム、トリアルキルシラン類、ボラン類、ジアル
キルアルミニウム等の金属水素化物、水素化アルミニウ
ムリチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リ
チウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素トリブチ
ルアンモニウム等の錯水素化化合物（Ｃｏｍｐｌｅｘ
ｈｙｄｒｉｄｅ）やこれらの置換型ヒドリド化合物、す
なわちリチウムトリアルコキシアルミニウムヒドリド、
ナトリウムジ（メトキシエトキシ）アルミニウムヒドリ
ド、リチウムトリエチルボロヒドリド、ナトリウムシア
ノボロヒドリド等）と反応させることによりジヒドロシ
ラシクロヘキサン化合物に変換した後、
【化１１１】 のように、ハロゲン化剤（塩素、臭素、ヨウ素、塩化ヨ
ウ素等のハロゲン、塩化銅＋ヨウ化銅、ハロゲン化シラ
ン、ハロゲン化金属、スルホン酸誘導体酸ハロゲン化
物、ハロゲン化アルキル等）を化学量論量使用して選択
的にモノハロゲン化してヒドロハロシラシクロヘキサン
を得、続いて有機金属試薬
【化１１２】Ｑ'−Ｍ との炭素−ケイ素結合反応により、目的物であるシラシ
クロヘキサン化合物
【化１１３】 を得ることができる。
【００２６】このとき使用されるハロゲン化剤は、前記
と同様に一般に知られているハロゲン化剤を使用するこ
とができる。
【００２７】以上、本発明の方法で製造された化合物
は、再結晶やクロマトグラフィー等の常法によって実用
上必要な純度に精製することにより、目的のトランス体
のシラシクロヘキサン型液晶化合物を得ることができ
る。
【００２８】
【実施例】以下に具体的な実施例を挙げて本発明をさら
に詳しく説明する。
【００２９】［製造例１］ ４−（トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）
シクロヘキシル）−１，１−ジフェニル−１−シラシク
ロヘキサンの製造 ３，４−ジフルオロブロモベンゼン２０．０ｇをマグネ
シウム３．０ｇとテトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」
と略す。）５０ｍｌの混合物中に滴下し、３時間還流し
てグリニヤール試薬を得た。これに、４−（４，４−ジ
フェニル−４−シラシクロヘキシル）シクロヘキサノン
３５．０ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を加えた。２時間還流
後、反応混合物を室温に冷却し、塩化アンモニウム水溶
液にあけ、ベンゼンで抽出した。このベンゼン溶液にｐ
−トルエンスルホン酸１ｇを加え、還流しながら、発生
してくる水を分離除去した。水が留出しなくなったとこ
ろで室温まで冷却した。反応混合物を炭酸水素ナトリウ
ム水溶液にあけ、通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮を
行い、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し
て、４−（４−（３，４−ジフルオロフェニル）−３−
シクロヘキセニル）−１，１−ジフェニル−１−シラシ
クロヘキサンを得た。これを酢酸エチル２００ｍｌに溶
かし、パラジウム−炭素２００ｍｇを触媒として、０．
５ＭＰａで水素添加した。理論量の水素が消費された
後、触媒を濾別し、濾液を濃縮して４−（トランス−４
−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）−
１，１−ジフェニル−１−シラシクロヘキサン４２．０
ｇを得た。 ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９２０，２８５０，１６０
１，１５１５，１４２５，１２７５，１２０５，１１１
５，９８０，９４０ｃｍ-1
【００３０】［実施例１］ トランス−（４−（トランス−４−（３，４−ジフルオ
ロフェニル）シクロヘキシル））−１−ｎ−ペンチル−
１−シラシクロヘキサンの製造 ［製造例１］で得られた４−（トランス−４−（３，４
−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）−１，１−ジ
フェニル−１−シラシクロヘキサン４２．０ｇのジクロ
ロメタン１００ｍｌ溶液に、室温で１．０ｍｏｌ／ｌ
（リットル）一塩化ヨウ素のジクロロメタン溶液２５０
ｍｌを加え、１時間攪拌し、４−（トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）−
１，１−ジクロロ−１−シラシクロヘキサンを得た。続
いて、この溶液にイソプロピルアルコール５０．０ｇと
トリエチルアミン３００ｇの混合物を室温で加え、更に
１時間還流攪拌した。得られた溶液を濃縮した後、ヘキ
サン２００ｍｌを加えて副生した塩酸塩を析出させ、こ
れを濾別し、濾液を濃縮して４−（トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）−
１，１−ジイソプロポキシ−１−シラシクロヘキサンと
アセトフェノンの混合物を得た。これを、減圧蒸留でア
セトフェノンを除去し、残渣をＴＨＦ１００ｍｌに溶か
し、水素化アルミニウムリチウム１０．０ｇのＴＨＦ１
００ｍｌ溶液に加えた。反応混合物を１時間還流攪拌し
た後、反応混合物を５％塩酸２００ｍｌにあけ、酢酸エ
チルで抽出した。通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮の
後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製して、４−
（トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シク
ロヘキシル）−１−シラシクロヘキサン２６．２ｇを得
た。 ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９２０，２８５０，２１４
０，１６０２，１５１８，１２７８，１２１２，１１０
７，９４２，８６０，８１８ｃｍ-1
【００３１】続いて、４−（トランス−４−（３，４−
ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）−１−シラシク
ロヘキサン２５．０ｇ、塩化銅（II）２３．０ｇ及びヨ
ウ化銅（Ｉ）１．５ｇをジエチルエーテル２００ｍｌに
加え、室温で８時間攪拌して、４−（トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）−１
−クロロ−１−シラシクロヘキサンを得た。反応混合物
から銅塩を濾別した後、１ｍｏｌ／ｌ（リットル）のｎ
−ペンチルマグネシウムブロマイドのＴＨＦ溶液１００
ｍｌに室温で滴下した。反応混合物を５％塩酸２００ｍ
ｌにあけ、酢酸エチルで抽出した。通常のブラインで洗
浄、乾燥、濃縮の後、シリカゲルクロマトグラフィーで
精製して、目的物２９．２ｇ（収率９０％）を得た。こ
のものは、１４．３〜７１．６℃の間でネマチック液晶
性を示し、液晶物質として非常に有用であることが分か
った。 ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９２３，２８４５，２０９
２，１６０８，１５２０，１２９６，１２１３，１１１
３，８９１，８２５，８０８ｃｍ-1
【００３２】［実施例２］ トランス−（４−（トランス−４−（３，４−ジフルオ
ロフェニル）シクロヘキシル））−１−ｎ−プロピル−
１−シラシクロヘキサンの製造 ［実施例１］において、ｎ−ペンチルマグネシウムブロ
マイドのＴＨＦ溶液の代りに、ｎ−プロピルマグネシウ
ムブロマイドのＴＨＦ溶液を用いて標記化合物を同様の
収率で得た。このものは２０．３〜７９．３℃の間でネ
マティック液晶性を示し、液晶物質として有用であるこ
とが分った。 ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９２４，２８５４，２１０
０，１６０６，１５１８，１２７９，９８７，８８７，
８４３，８１８ｃｍ−１
【００３３】以上の様に、わずか１工程変更するだけ
で、アルキル基の長さが異なる液晶化合物の合成が可能
となった。従来のケイ素を含有しない液晶化合物では、
不可能である。
【００３４】［製造例２］ ４−（４，４−ジフェニル−４−シラシクロヘキシル）
−４’−フルオロビフェニルの製造 ４−ブロモ−４’−フルオロビフェニル２５．１ｇのＴ
ＨＦ１００ｍｌ溶液をマグネシウム３．０ｇ及びＴＨＦ
５０ｍｌの混合物中に滴下し、３時間還流してグリニヤ
ール試薬を得た。これに１，１−ジフェニル−１−シラ
シクロヘキサノン２５．０ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を加
えた。２時間還流後、反応混合物を室温に冷却し、塩化
アンモニウム水溶液にあけ、ベンゼンで抽出した。この
ベンゼン溶液にｐ−トルエンスルホン酸１ｇを加え、還
流しながら、発生してくる水を分離除去した。水が留出
しなくなったところで室温に冷却した。次に、反応混合
物を炭酸水素ナトリウム水溶液にあけ、通常のブライン
で洗浄、乾燥、濃縮の後、残渣をシリカゲルクロマトグ
ラフィーで精製して、４−（４，４−ジフェニル−４−
シラシクロヘキセニル）−４’−フルオロビフェニルを
得た。これを酢酸エチル２００ｍｌに溶かし、パラジウ
ム−炭素２００ｍｇを触媒として、０．５ＭＰａで水素
添加した。理論量の水素が消費された後、触媒を濾別
し、濾液を濃縮して４−（４，４−ジフェニル−４−シ
ラシクロヘキシル）−４’−フルオロビフェニル４１．
５ｇを得た。
【００３５】［実施例３］ トランス−４−（４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘ
キシル）−４’−フルオロビフェニルの製造 ［製造例２］で得られた４−（４，４−ジフェニル−４
−シラシクロヘキシル）−４’−フルオロビフェニル４
１．０ｇジクロロメタン１００ｍｌ溶液に、室温で１．
０ｍｏｌ／ｌ（リットル）一塩化ヨウ素のジクロロメタ
ン溶液２５０ｍｌを加え、１時間攪拌し、４−（４，４
−ジクロロ−４−シラシクロヘキシル）−４’−フルオ
ロビフェニルを得た。これを濃縮した後、残渣をＴＨＦ
１００ｍｌに溶かし、水素化アルミニウムリチウム１
０．０ｇのＴＨＦ１００ｍｌ溶液に加えた。反応混合物
を１時間還流攪拌した後、反応混合物を５％塩酸２００
ｍｌにあけ、酢酸エチルで抽出した。通常のブラインで
洗浄、乾燥、濃縮の後、シリカゲルクロマトグラフィー
で精製して、４−（４−シラシクロヘキシル）−４’−
フルオロビフェニル２３．６ｇを得た。
【００３６】続いて、４−（４−シラシクロヘキシル）
−４’−フルオロビフェニル２３．０ｇ、塩化銅（II）
２３．０ｇ及びヨウ化銅（Ｉ）１．５ｇをジエチルエー
テル２００ｍｌに加え、室温で８時間攪拌して、４−
（４−クロロ−４−シラシクロヘキシル）−４’−フル
オロビフェニルを得た。反応混合物から銅塩を濾別した
後、１ｍｏｌ／ｌ（リットル）のｎ−プロピルマグネシ
ウムブロマイドのＴＨＦ溶液１００ｍｌに室温で滴下し
た。反応混合物を５％塩酸２００ｍｌにあけ、酢酸エチ
ルで抽出した。通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮の
後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製して、目的物
２５．５ｇ（収率９６％）を得た。このものは、８０．
２〜１１９．３℃の間でネマチック液晶性を示し、液晶
物質として非常に有用であることが分かった。 ＩＲ（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） νｍａｘ：２８５４，２１
９８，２０８７，１６０４，１４９７，１２３８，９８
７，８８９，８１６ｃｍ-1
【００３７】［実施例４］ トランス−４−（４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘ
キシル）−４’−フルオロビフェニルの製造 ［実施例３］のｎ−プロピルマグネシウムブロマイドの
ＴＨＦ溶液の代りに、ｎ−ペンチルマグネシウムブロマ
イドのＴＨＦ溶液を用いて標記化合物を得た。このもの
は７１〜１１８℃の間でネマティック液晶性を示した。 ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９１６，２８５２，２０９
６，１４９５，１２３８，９８２，８８３，８３５，８
１０ｃｍ−１
【００３８】以上の様に、わずか１工程変更するだけ
で、アルキル基の長さが異なる液晶化合物の合成が可能
となった。従来のケイ素原子を含有しない液晶化合物で
は、１工程でアルキル基の長さの異なる液晶化合物を製
造することは不可能である。従って、ケイ素含有液晶化
合物では、製造工程の大幅な削減が可能となり、経済的
である。
【００３９】［製造例３］ ４−ｎ−ペンチル−１，１−ジフェニル−１−シラシク
ロヘキサンの製造 ｎ−ペンチルトリフェニルホスホニウムブロミド４１．
０ｇとＴＨＦ２００ｍｌの混合物中にカリウムｔ−ブト
キシド１２．０ｇを加え、燈色のイリド溶液を調製し、
この溶液に４，４−ジフェニル−４−シラシクロヘキシ
ルカルバルデヒド２８．０ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を加
えた。室温で２時間攪拌した後、氷水にあけ、酢酸エチ
ルで抽出した。通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮で得
られた残渣にｎ−ヘキサンを加え、生じたトリフェニル
ホスフィンオキシドの結晶を濾別し、濾液を濃縮した。
残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製して、４−
（ｎ−ペンチリデン）−１，１−ジフェニル−１−シラ
シクロヘキサンを得た。これを酢酸エチル２００ｍｌに
溶かし、酸化白金２００ｍｇを触媒として、０．１ＭＰ
ａで水素添加した。理論量の水素が消費された後、触媒
を濾別し、濾液を濃縮して４−ｎ−ペンチル−１，１−
ジフェニル−１−シラシクロヘキサン３１．５ｇを得
た。
【００４０】［実施例５］ トランス−１−（トランス−２−（（３，４−ジフルオ
ロフェニル）シクロヘキシル）エチル）−４−ｎ−ペン
チル−１−シラシクロヘキサンの製造 ［製造例３］で得られた４−ｎ−ペンチル−１，１−ジ
フェニル−１−シラシクロヘキサン３０．０ｇ及び塩化
アルミニウム２４．８ｇのジクロロメタン２００ｍｌ溶
液に、室温で塩化アセチル１４．６ｇを加え、１時間攪
拌し、４−ｎ−ペンチル−１，１−ジクロロ−１−シラ
シクロヘキサンとアセトフェノンンの混合物を得た。得
られた反応混合物を濃縮した後、減圧蒸留でアセトフェ
ノンを留去した。これをＴＨＦ１００ｍｌに溶かし、水
素化アルミニウムリチウム１０．０ｇとＴＨＦ１００ｍ
ｌ溶液に加えた。反応混合物を１時間還流攪拌した後、
反応混合物を５％塩酸２００ｍｌにあけ、酢酸エチルで
抽出した。通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮の後、シ
リカゲルクロマトグラフィーで精製して、４−ｎ−ペン
チル−１−シラシクロヘキサン１５．０ｇを得た。続い
て、４−ｎ−ペンチル−１−シラシクロヘキサン１５．
０ｇ、塩化銅（II）２４．２ｇ及びヨウ化銅（Ｉ）１．
６ｇをジエチルエーテル２００ｍｌに加え、室温で８時
間攪拌して、４−ｎ−ペンチル−１−クロロ−１−シラ
シクロヘキサンを得た。反応混合物から銅塩を濾別した
後、１ｍｏｌ／ｌ（リットル）のトランス−２−
（（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）エ
チルマグネシウムブロマイドのＴＨＦ溶液１００ｍｌに
室温で滴下した。反応混合物を５％塩酸２００ｍｌにあ
け、酢酸エチルで抽出した。通常のブラインで洗浄、乾
燥、濃縮の後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製し
て、目的物３２．１ｇを得た。このものは、１４．７〜
２８．９℃の間でネマチック液晶性を示した。 ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９２０，２８５０，２０９
８，１６０８，１５１８，１２８６，８８７，８６２，
８１６ｃｍ-1
【００４１】［実施例６］ トランス−１−（トランス−２−（（４−フルオロフェ
ニル）シクロヘキシル）エチル）−４−ｎ−プロピル−
１−シラシクロヘキサンの製造 ［実施例５］のトランス−２−（（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル）エチルマグネシウムブロマ
イドのＴＨＦ溶液の代りに、トランス−２−（（４−フ
ルオロフェニル）シクロヘキシル）エチルマグネシウム
ブロマイドのＴＨＦ溶液を用いて標記化合物を得た。
【００４２】以上の様に、わずか１工程変更するだけ
で、極性基の異なる液晶化合物の合成が可能となった。
従来のケイ素を含有しない液晶化合物では、１工程で極
性基の種類の異なる液晶化合物を製造することは不可能
である。従って、ケイ素含有液晶化合物では、製造工程
の大幅な削減が可能となり、経済的である。
【００４３】［製造例４］ ４−（２−（ｐ−フルオロフェニル）エチル）−１，１
−ジフェニル−１−シラシクロヘキサンの製造 ｐ−フルオロベンジルトリフェニルホスホニウムブロミ
ド４５．０ｇとＴＨＦ２００ｍｌの混合物中にカリウム
ｔ−ブトキシド１２．０ｇを加え、燈色のイリド溶液を
調製し、この溶液に４，４−ジフェニル−４−シラシク
ロヘキシルカルバルデヒド２８．０ｇのＴＨＦ５０ｍｌ
溶液を加えた。室温で２時間攪拌した後、氷水にあけ、
酢酸エチルで抽出した。通常のブラインで洗浄、乾燥、
濃縮で得られた残渣にｎ−ヘキサンを加え、生じたトリ
フェニルホスフィンオキシドの結晶を濾別し、濾液を濃
縮した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し
て、４−（２−（ｐ−フルオロフェニル）エテニル）−
１，１−ジフェニル−１−シラシクロヘキサンを得た。
これを酢酸エチル２００ｍｌに溶かし、酸化白金２００
ｍｇを触媒として、０．１ＭＰａで水素添加した。理論
量の水素が消費された後、触媒を濾別し、濾液を濃縮し
て４−（２−（ｐ−フルオロフェニル）エチル）−１，
１−ジフェニル−１−シラシクロヘキサン３６．５ｇを
得た。
【００４４】［実施例７］ トランス−４−（トランス−４−（２−（４−フルオロ
フェニル）エチル）−１−シラシクロヘキシル）−１−
ｎ−プロピルシクロヘキサンの製造 ［製造例４］で得られた４−（２−（ｐ−フルオロフェ
ニル）エチル）−１，１−ジフェニル−１−シラシクロ
ヘキサン３６．０ｇ及び塩化アルミニウム２５．６ｇの
ジクロロメタン２００ｍｌ溶液に、室温で塩化アセチル
１５．１ｇを加え、１時間攪拌し、４−（２−（ｐ−フ
ルオロフェニル）エチル）−１，１−ジクロル−１−シ
ラシクロヘキサンとアセトフェノンンの混合物を得た。
続いて、この溶液にエタノール４０ｇとトリエチルアミ
ン６０ｇの混合物を室温で加えた。得られた反応混合物
を濃縮した後、ヘキサン２００ｍｌを加えて副生したト
リエチルアミンン塩酸塩を析出させ、これを濾別し、濾
液を濃縮した後、減圧蒸留でアセトフェノンを留去して
４−（２−（ｐ−フルオロフェニル）エチル）−１，１
−ジエトキシ−１−シラシクロヘキサン２８．５ｇを得
た。これをＴＨＦ１００ｍｌに溶かし、水素化アルミニ
ウムリチウム１０．０ｇのＴＨＦ１００ｍｌ溶液に加え
た。反応混合物を１時間還流攪拌した後、５％塩酸２０
０ｍｌにあけ、酢酸エチルで抽出した。通常のブライン
で洗浄、乾燥、濃縮の後、シリカゲルクロマトグラフィ
ーで精製して、４−（２−（ｐ−フルオロフェニル）エ
チル）−１−シラシクロヘキサン２０．１ｇを得た。続
いて、４−（２−（ｐ−フルオロフェニル）エチル）−
１−シラシクロヘキサン２０．０ｇ、塩化銅（II）２
４．２ｇ及びヨウ化銅（Ｉ）１．６ｇをジエチルエーテ
ル２００ｍｌに加え、室温で８時間攪拌して、４−（２
−（ｐ−フルオロフェニル）エチル）−１−クロル−１
−シラシクロヘキサンを得た。反応混合物から銅塩を濾
別した後、１ｍｏｌ／ｌ（リットル）の４−ｎ−プロピ
ルシクロヘキシルマグネシウムブロマイドのＴＨＦ溶液
１００ｍｌに室温で滴下した。反応混合物を５％塩酸２
００ｍｌにあけ、酢酸エチルで抽出した。通常のブライ
ンで洗浄、乾燥、濃縮の後、シリカゲルクロマトグラフ
ィーで精製して、目的物２１．２ｇ（収率６８％）を得
た。このものは、４０〜５６．７℃の間でネマチック液
晶性を示し、液晶物質として非常に有用であることが分
かった。 ＩＲ（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） νｍａｘ：２９１６，２８
４１，２０８９，１５１０，１２２３，８９１，８２０
ｃｍ-1
【００４５】［実施例８］ トランス−４−（トランス−４−（２−（４−フルオロ
フェニル）エチル）−１−シラシクロヘキシル）−１−
ｎ−ペンチルシクロヘキサンの製造 ［実施例７］の４−ｎ−プロピルシクロヘキシルマグネ
シウムブロマイドのＴＨＦ溶液の代りに、４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシルマグネシウムブロマイドのＴＨＦ溶
液を用いて標記化合物を得た。 液晶温度範囲：ＴCN＝２１℃、ＴNI＝６７℃ ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９１６，２８４５，２０９
４，１５１０，１２２３，８８７，８２３ｃｍ−１
【００４６】［製造例５］ ４−（ｐ−フルオロフェニル）−１，１−ジフェニル−
１−シラシクロヘキサンの製造 ｐ−フルオロブロモベンゼン１６．５ｇをマグネシウム
２．６ｇとＴＨＦ５０ｍｌの混合物中に滴下し、３時間
還流してグリニヤール試薬を得た。これに４，４−ジフ
ェニル−４−シラシクロヘキサノン２６．０ｇのＴＨＦ
５０ｍｌ溶液を加えた。２時間還流後、反応混合物を室
温に冷却し、塩化アンモニウム水溶液にあけ、ベンゼン
で抽出した。このベンゼン溶液にｐ−トルエンスルホン
酸１ｇを加え、還流しながら、発生してくる水を分離除
去した。水が留出しなくなったところで室温に冷却し
た。次に、反応混合物を炭酸水素ナトリウム水溶液にあ
け、通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮の後、残渣をシ
リカゲルクロマトグラフィーで精製して、４−（ｐ−フ
ルオロフェニル）−１，１−ジフェニル−１−シラ−３
−シクロヘキセン３３．０ｇを得た。これをエタノール
２００ｍｌに溶かし、パラジウム−炭素２００ｍｇを触
媒として、０．５ＭＰａで水素添加した。理論量の水素
が消費された後、触媒を濾別し、濾液を濃縮して４−
（ｐ−フルオロフェニル）−１，１−ジフェニル−１−
シラシクロヘキサン３３．１ｇを得た。 ＩＲ（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） νｍａｘ：２９１５，２８
５０，１６０１，１４２２，１２１５，１１０８，９７
５，８７５，８２５ｃｍ-1
【００４７】［実施例９］ トランス−４−（ｐ−フルオロフェニル）−１−ｎ−ヘ
プチル−１−シラシクロヘキサンの製造 ［製造例５］で得られた４−（ｐ−フルオロフェニル）
−１，１−ジフェニル−１−シラシクロヘキサン３０．
０ｇ及び塩化アルミニウム２５．４ｇのジクロロメタン
２００ｍｌ溶液に、室温で塩化アセチル１５．３ｇを加
え、１時間攪拌した。この反応混合物から、減圧蒸留で
４−（ｐ−フルオロフェニル）−１，１−ジクロル−１
−シラシクロヘキサン２１．０ｇを得た。これをＴＨＦ
１００ｍｌに溶かし、水素化アルミニウムリチウム１
０．０ｇとＴＨＦ１００ｍｌ溶液に加えた。反応混合物
を３０分間還流攪拌した後、５％塩酸２００ｍｌにあ
け、酢酸エチルで抽出した。通常のブラインで洗浄、乾
燥、濃縮の後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製し
て、４−（ｐ−フルオロフェニル）−１−シラシクロヘ
キサン１４．８ｇを得た。 ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９２０，２８５０，２１４
０，１６００，１５０８，１２２２，１１５７，９４
１，８８１，８６２，８２９ｃｍ-1
【００４８】続いて、４−（ｐ−フルオロフェニル）−
１−シラシクロヘキサン１４．０ｇのジクロロメタン１
００ｍｌ溶液に臭素１１．８ｇを加え、４−（ｐ−フル
オロフェニル）−１−ブロモ−１−シラシクロヘキサン
を得た。これを濃縮し、ジエチルエーテル５０ｍｌに溶
解し、１ｍｏｌ／ｌ（リットル）のｎ−ヘプチルマグネ
シウムブロマイドのＴＨＦ溶液１００ｍｌに室温で滴下
した。反応混合物を５％塩酸２００ｍｌにあけ、酢酸エ
チルで抽出した。通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮の
後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製して、目的物
１９．０ｇ（収率９０％）を得た。 ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９２０，２１００，１５１
０，１４５８，１４０８，１２２８，９８５，８８７，
８２０ｃｍ-1 13 Ｃ−ＮＭＲ（６７．５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：１０．
５６（ｓ），１２．１３（ｓ），１４．１１（ｓ），２
２．７４（ｓ），２４．４４（ｓ），２９．０８
（ｓ），３１．８５（ｓ），３３．１９（ｓ），３３．
４５（ｓ），４６．９２（ｓ），１１４．９０（ｄ），
１２７．８９（ｄ），１４４．３１（ｄ），１６１．０
９（ｄ）ｐｐｍ
【００４９】［実施例１０］ トランス−４−（ｐ−フルオロフェニル）−１−ｎ−ペ
ンチル−１−シラシクロヘキサンの製造 ［実施例９］のｎ−ヘプチルマグネシウムブロマイドの
ＴＨＦ溶液の代りに、４−ｎ−ペンチルマグネシウムブ
ロマイドのＴＨＦ溶液を用いて標記化合物を得た。
【００５０】［実施例１１］ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピルシ
クロヘキシル）−４−シラシクロヘキシル）−１−フル
オロベンゼンの製造 ［製造例５］で得られた４−（ｐ−フルオロフェニル）
−１，１−ジフェニル−１−シラシクロヘキサンから実
施例５と同様の方法で、４−（ｐ−フルオロフェニル）
−１，１−ジクロル−１−シラシクロヘキサン２１．０
ｇを得た。これをＴＨＦ１００ｍｌに溶かし、水素化ア
ルミニウムリチウム０．８ｇのＴＨＦ１００ｍｌ溶液に
０℃で加えた。反応混合物をそのまま３０分間攪拌した
後、還元剤を濾別し、濾液を濃縮して４−（ｐ−フルオ
ロフェニル）−１−クロロ−１−シラシクロヘキサンを
得た。これをＴＨＦ５０ｍｌに溶解し、室温で１ｍｏｌ
／ｌ（リットル）の４−ｎ−プロピルシクロヘキシルマ
グネシウムブロマイドのＴＨＦ溶液１００ｍｌに滴下し
た。反応混合物を５％塩酸２００ｍｌにあけ、酢酸エチ
ルで抽出した。通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮の
後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製して、目的物
２０．０ｇを得た。このものは、５６．２℃から１１
０．９℃の間でネマチック液晶性を示し、液晶物質とし
て非常に有用であることが分かった。 ＩＲ（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） νｍａｘ：２９１４，２８
４３，２１０２，１６０５，１５０８，１２２５，９８
５，８８７，８７９，８１２ｃｍ-1
【００５１】［実施例１２］ ４−（トランス−４−（トランス−４−ｎ−ブチルシク
ロヘキシル）−４−シラシクロヘキシル）−１−フルオ
ロベンゼンの製造 ［実施例１１］の４−ｎ−プロピルシクロヘキシルマグ
ネシウムブロマイドのＴＨＦ溶液の代りに、４−ｎ−ブ
チルシクロヘキシルマグネシウムブロマイドのＴＨＦ溶
液を用いて標記化合物を得た。このものは４０．１〜１
０６．７℃の間でネマチック液晶性を示し、液晶物質と
して非常に有用であることがわかった。 ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９２４，２９１９，２８４
６，２１０２，１６０４，１５０８，１２２５，９８
５，８１２ｃｍ−１
【００５２】［実施例１３］ ４−（トランス−（２−（４−（トランス−４−ｎ−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル）−４−シラシクロヘキ
シル）−１−フルオロベンゼンの製造 ［製造例５］で得られた４−（ｐ−フルオロフェニル）
−１，１−ジフェニル−１−シラシクロヘキサンから実
施例５と同様の方法で、４−（ｐ−フルオロフェニル）
−１，１−ジクロル−１−シラシクロヘキサン２１．０
ｇを得た。続いてこの溶液に、室温でメタノール５０．
０ｇとトリエチルアミン３０ｇの混合物を加え、更に１
時間還流攪拌した。得られた溶液を濃縮した後、ヘキサ
ン２００ｍｌを加えて副生した塩酸塩を析出させ、これ
を濾別し、濾液を濃縮して４−（ｐ−フルオロフェニ
ル）−１，１−ジメトキシ−１−シラシクロヘキサンと
アセトフェノンの混合物を得た。これを、減圧蒸留でア
セトフェノンを除去した後、残渣をＴＨＦ１００ｍｌに
溶かし、水素化アルミニウムリチウム１０．０ｇのＴＨ
Ｆ１００ｍｌ溶液に加えた。反応混合物を１時間還流攪
拌した後、５％塩酸２００ｍｌにあけ、酢酸エチルで抽
出した。通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮の後、シリ
カゲルクロマトグラフィーで精製して、４−（ｐ−フル
オロフェニル）−１−シラシクロヘキサン１４．７ｇを
得た。続いて、４−（ｐ−フルオロフェニル）−１−シ
ラシクロヘキサン１４．０ｇをトルエン１００ｍｌに加
え、塩素ガスを室温で吹き込んで、４−（ｐ−フルオロ
フェニル）−１−クロル−１−シラシクロヘキサンを得
た。これに、１ｍｏｌ／ｌ（リットル）のトランス−２
−（４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）エチルマグネシ
ウムブロマイドのＴＨＦ溶液１００ｍｌに室温で滴下し
た。反応混合物を５％塩酸２００ｍｌにあけ、酢酸エチ
ルで抽出した。通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮の
後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製して、目的物
２０．８ｇを得た。このものは、４９．１〜６２．９℃
の間でネマチック液晶性を示し、液晶物質として非常に
有用であることが分かった。 ＩＲ（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） νｍａｘ：２９０８，２８
４８，２０９６，１６０３，１５１０，１２２３，９８
５，８８７，８３１，８１４ｃｍ-1
【００５３】［実施例１４］ トランス−４−（２−（ｐ−フルオロフェニル）エチ
ル）−１−ｎ−ペンチル−１−シラシクロヘキサンの製
造 ［製造例４］で得られた４−（２−（ｐ−フルオロフェ
ニル）エチル−１，１−ジフェニル−１−シラシクロヘ
キサン３６．０ｇ及び塩化アルミニウム５．０ｇのベン
ゼン２００ｍｌ溶液に、室温で塩化水素ガスを加え、４
−（２−（ｐ−フルオロフェニル）エチル−１，１−ジ
クロル−１−シラシクロヘキサン３０．０ｇを得た。こ
れをＴＨＦ１００ｍｌに溶かし、０℃で水素化アルミニ
ウムリチウム１．０ｇのＴＨＦ１００ｍｌ溶液に加え
た。反応混合物をそのまま３０分間攪拌した後、還元剤
を濾別し、濾液を濃縮して４−（２−（ｐ−フルオロフ
ェニル）エチル）−１−クロル−１−シラシクロヘキサ
ンを得た。これをＴＨＦ５０ｍｌに溶解し、１ｍｏｌ／
ｌ（リットル）のｎ−ペンチルマグネシウムブロマイド
のＴＨＦ溶液１００ｍｌに室温で滴下した。反応混合物
を５％塩酸２００ｍｌにあけ、酢酸エチルで抽出した。
通常のブラインで洗浄、乾燥、濃縮の後、シリカゲルク
ロマトグラフィーで精製して、目的物２６．８ｇを得
た。 ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９１８，２８５２，２０９
８，１６０１，１５１０，１２２３，８８７，８２３ｃ
ｍ-1
【００５４】実施例１と同様の方法で以下の化合物を合
成した。
【００５５】［実施例１５］ トランス，トランス−２−フルオロ−４−（４−ｎ−ペ
ンチル−４−シラシクロヘキシル）−４’−（４−ｎ−
プロピルシクロヘキシル）ビフェニルの製造 ２−フルオロ−４−（４，４−ジフェニル−４−シラシ
クロヘキシル）−４’−（トランス−４−ｎ−プロピル
シクロヘキシル）ビフェニル及びｎ−ペンチルマグネシ
ウムブロマイドのＴＨＦ溶液を用いて合成した。 液晶温度範囲：ＴCS＝７９．０℃、ＴSN＝９５．０℃、
ＴNI＝２４７．０℃ ＩＲ（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） νｍａｘ：２９２０，２８
４８，２０９８，１４９３，１４０４，１１９４，９８
７，８８７，８１２ｃｍ-1
【００５６】［実施例１６］ トランス，トランス−４−（４−メトキシシクロヘキシ
ル）−１−ｎ−プロピル−１−シラシクロヘキサンの製
造 ４−（トランス−４−メトキシシクロヘキシル）−１，
１−ジフェニル−１−シラシクロヘキサン及びｎ−プロ
ピルマグネシウムブロマイドのＴＨＦ溶液を用いて合成
した。 液晶温度範囲：ＴCN＜−６０℃、ＴNI＝−４０．０℃ ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９２８，２８５６，２８２
０，２０９８，１４５２，１１０３，９８９，８８７，
８４３，８２０ｃｍ-1
【００５７】［実施例１７］ ４−（２−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシ
クロヘキシル）エチル）−３’，４’−ジフルオロビフ
ェニルの製造 ４−（２−（４，４−ジフェニル−４−シラシクロヘキ
シル）エチル）−３’，４’−ジフルオロビフェニル及
びｎ−ペンチルマグネシウムブロマイドのＴＨＦ溶液を
用いて合成した。 液晶温度範囲：ＴCN＝３８．６℃、ＴNI＝５８．２℃ ＩＲ（液膜） νｍａｘ：２９２０，２８５０，２１０
０，１６０５，１５０４，１３１１，１２６７，８１４
ｃｍ-1
【００５８】［実施例１８］ トランス，トランス−４−（４−（４−ｎ−プロピル−
４−シラシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３’，
４’−ジフルオロビフェニルの製造 ４−（トランス−４−（４，４−ジフェニル−４−シラ
シクロヘキシル）シクロヘキシル）−３’，４’−ジフ
ルオロビフェニル及びｎ−プロピルマグネシウムブロマ
イドのＴＨＦ溶液を用いて合成した。 液晶温度範囲：ＴCS＝８２．７℃、ＴSN＝１０７．５
℃、ＴNI＝２２９．１℃ ＩＲ（ＫＢｒ ｄｉｓｃ）νｍａｘ：２９１６，２８４
８，２１０４，１５３３，１５０６，１２７９，９８
５，８８９，８４５，８１４ｃｍ-1
【００５９】［実施例１９］ ４−（トランス−４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘ
キシル）−２，４”−ジフルオロターフェニルの製造 ４−（４，４−ジフェニル−４−シラシクロヘキシル）
−２，４”−ジフルオロターフェニル及びｎ−ペンチル
マグネシウムブロマイドのＴＨＦ溶液を用いて合成し
た。 液晶温度範囲：ＴCS＝８７．８℃、ＴSN＝１３５．０
℃、ＴNI＝２５０．３℃ ＩＲ（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） νｍａｘ：２９１８，２８
４６，２１０６，１４８７，１２２３，８８７，８１６
ｃｍ-1
【００６０】［実施例２０］ トランス−４−（４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘ
キシル）−２−フルオロ−４’−（２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル）ビフェニルの製造 ４−（４，４−ジフェニル−４−シラシクロヘキシル）
−２−フルオロ−４’−（２−（３，４−ジフルオロフ
ェニル）エチル）ビフェニル及びｎ−ペンチルマグネシ
ウムブロマイドのＴＨＦ溶液を用いて合成した。 液晶温度範囲：ＴC(SA)＝４９．５℃、Ｔ(SA)N＝５０．
６℃、ＴNI＝１５０．５℃ ＩＲ（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） νｍａｘ：２９２０，２１
０２，１５１８，１４９１，１４０４，１２９０，１２
８６，１１２０，８８９，８１８ｃｍ-1
【００６１】［実施例２１］ トランス，トランス−４−（２−（４−（４−ｎ−プロ
ピル−４−シラシクロヘキシル）シクロヘキシル）エチ
ル）−４’−クロロ−３’−フルオロビフェニルの製造 ４−（２−（トランス−４−（４，４−ジフェニル−４
−シラシクロヘキシル）シクロヘキシル）エチル）−
４’−クロロ−３’−フルオロビフェニル及びｎ−プロ
ピルマグネシウムブロマイドのＴＨＦ溶液を用いて合成
した。 液晶温度範囲：ＴCN＝６３．３℃、ＴNI＝２０８．０℃ ＩＲ（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） νｍａｘ：２９２０，２８
５０，２０９６，１５６０，１４８１，１２００，１０
７０，９８２，８８９，８４５，８０５ｃｍ-1
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、分
子内にケイ素原子を持つシラシクロヘキサン化合物のう
ち、液晶性を示すトランス体を優先的に製造することが
可能になった。このようにして得られたシラシクロヘキ
サン液晶化合物は、液晶表示素子等の材料として非常に
利用価値の高いものである。。
【００６３】一般に知られている液晶組成物は、１０〜
２０種類という数多くの単品から成る混合物である。こ
の中には、コア骨格が同じで屈曲鎖の長さだけが異なる
同族体も含まれている。従来のＳｉを含まない液晶化合
物では、屈曲鎖の長さが異なれば最も上流の原料から屈
曲鎖の長さを固定して何工程もの反応を経て目的物を製
造していた。しかし、本発明の方法でＳｉ含有液晶化合
物を製造すれば、多段階工程の最後に屈曲鎖の長さや種
類を自由に決めることが可能である。従って、数多くの
品種を製造しなければならない液晶用途の分野では、Ｓ
ｉを含まない化合物では対応することが不可能であり、
本発明のようなＳｉ含有化合物だけが効率良く経済的に
多品種の化合物を製造することが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金生 剛 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 金子 達志 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一般式 【化１】 （但し、Ａｒ及びＡｒ’はそれぞれ相互に独立してフェ
    ニル基又はトリル基、Ｑは 【化２】 （但し、 【化３】 及び 【化４】 は、それぞれ相互に独立して 【化５】 又は 【化６】 （但し、Ｙ3はＨ、Ｆ又はメチル基を表す。）を表し、 【化７】 は 【化８】 又は 【化９】 （但し、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ相互に独立してＨ、Ｆ又
    はＣｌを表す。）を表し、ＸはＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ
    Ｆ3、ＣＦ2Ｃｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＨＦ2、ＯＣＦ2Ｃｌ、
    ＯＣＨＦ Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、（Ｏ）mＣＴ＝ＣＸ1Ｘ
    2（ｍは０又は１、Ｔ及びＸ1はＨ、Ｆ又はＣｌ、Ｘ2は
    Ｆ又はＣｌを表す。）、Ｏ（ＣＨ2）r（ＣＦ2）sＸ
    3（ｒ及びｓは０、１又は２であり、かつ（ｒ＋ｓ）が
    ２、３又は４、Ｘ3はＦ又はＣｌを表す。）、Ｒ又はＯ
    Ｒ基（Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数
    ３〜８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキ
    シアルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表
    す。）を表し、ｉ１、ｉ２及びｉ３はそれぞれ０又は１
    で且つｉ１＋ｉ２＋ｉ３が１となる数を表し、ｊ１、ｊ
    ２及びｊ３はそれぞれ０、１又は２で且つｊ１＋ｊ２＋
    ｊ３が０、１又は２となる数を表す。）を表す。）で表
    される化合物を、一般式 【化１０】 （但し、Ｗはハロゲン原子を表す。）で表されるジハロ
    シラシクロヘキサンに変換した後、一般式 【化１１】Ｒ'ＯＨ （但し、Ｒ’は炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基又は
    炭素数３〜８の分枝鎖状アルキル基を表す。）で表され
    るアルコールと反応させて、一般式 【化１２】 で表されるジアルコキシシラシクロヘキサンに変換した
    後、還元して、一般式 【化１３】 で表されるジヒドロシラシクロヘキサンに変換した後、
    モノハロゲン化して、一般式 【化１４】 （但し、Ｗはハロゲン原子を表す。）で表されるヒドロ
    ハロシラシクロヘキサンに変換した後、一般式 【化１５】Ｑ'−Ｍ （但し、Ｑ’は 【化１６】 （但し、 【化１７】 は 【化１８】 又は 【化１９】 （但し、Ｙ3はＨ、Ｆ又はメチル基を表す。）を表し、 【化２０】 は 【化２１】 又は 【化２２】 （但し、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ相互に独立してＨ、Ｆ又
    はＣｌを表す。）を表し、ＸはＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ
    Ｆ3、ＣＦ2Ｃｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＨＦ2、ＯＣＦ2Ｃｌ、
    ＯＣＨＦ Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、（Ｏ）mＣＴ＝ＣＸ1Ｘ
    2（ｍは０又は１、Ｔ及びＸ1はＨ、Ｆ又はＣｌ、Ｘ2は
    Ｆ又はＣｌを表す。）、Ｏ（ＣＨ2）r（ＣＦ2）sＸ
    3（ｒ及びｓは０、１又は２であり、かつ（ｒ＋ｓ）が
    ２、３又は４、Ｘ3はＦ又はＣｌを表す。）、Ｒ又はＯ
    Ｒ基（Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数
    ３〜８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキ
    シアルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表
    す。）を表し、ｋ１及びｋ２はそれぞれ０又は１で且つ
    ｋ１＋ｋ２が１となる数を表し、ｍ１及びｍ２はそれぞ
    れ０、１又は２で且つｍ１＋ｍ２が０、１又は２となる
    数を表す。）を表し、ＭはＭｇＰ（Ｐはハロゲンを表
    す。）又はＺｎＰを表す。）で表される有機金属試薬と
    の反応により、一般式 【化２３】 で表されるシラシクロヘキサン化合物を得ることを特徴
    とするシラシクロヘキサン化合物の製造方法。
  2. 【請求項２】 一般式 【化２４】 （但し、Ａｒ及びＡｒ’はそれぞれ相互に独立してフェ
    ニル基又はトリル基、Ｑは 【化２５】 （但し、 【化２６】 及び 【化２７】 は、それぞれ相互に独立して 【化２８】 又は 【化２９】 （但し、Ｙ3はＨ、Ｆ又はメチル基を表す。）を表し、 【化３０】 は 【化３１】 又は 【化３２】 （但し、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ相互に独立してＨ、Ｆ又
    はＣｌを表す。）を表し、ＸはＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ
    Ｆ3、ＣＦ2Ｃｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＨＦ2、ＯＣＦ2Ｃｌ、
    ＯＣＨＦ Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、（Ｏ）mＣＴ＝ＣＸ1Ｘ
    2（ｍは０又は１、Ｔ及びＸ1はＨ、Ｆ又はＣｌ、Ｘ2は
    Ｆ又はＣｌを表す。）、Ｏ（ＣＨ2）r（ＣＦ2）sＸ
    3（ｒ及びｓは０、１又は２であり、かつ（ｒ＋ｓ）が
    ２、３又は４、Ｘ3はＦ又はＣｌを表す。）、Ｒ又はＯ
    Ｒ基（Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数
    ３〜８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキ
    シアルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表
    す。）を表し、ｉ１、ｉ２及びｉ３はそれぞれ０又は１
    で且つｉ１＋ｉ２＋ｉ３が１となる数を表し、ｊ１、ｊ
    ２及びｊ３はそれぞれ０、１又は２で且つｊ１＋ｊ２＋
    ｊ３が０、１又は２となる数を表す。）を表す。）で表
    される化合物を、一般式 【化３３】 （但し、Ｗはハロゲン原子を表す。）で表されるジハロ
    シラシクロヘキサンに変換した後、還元して、一般式 【化３４】 で表されるジヒドロシラシクロヘキサンに変換した後、
    モノハロゲン化して、一般式 【化３５】 （但し、Ｗはハロゲン原子を表す。）で表されるヒドロ
    ハロシラシクロヘキサンに変換した後、一般式 【化３６】Ｑ'−Ｍ （但し、Ｑ’は 【化３７】 （但し、 【化３８】 は 【化３９】 又は 【化４０】 （但し、Ｙ3はＨ、Ｆ又はメチル基を表す。）を表し、 【化４１】 は 【化４２】 又は 【化４３】 （但し、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ相互に独立してＨ、Ｆ又
    はＣｌを表す。）を表し、ＸはＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ
    Ｆ3、ＣＦ2Ｃｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＨＦ2、ＯＣＦ2Ｃｌ、
    ＯＣＨＦ Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、（Ｏ）mＣＴ＝ＣＸ1Ｘ
    2（ｍは０又は１、Ｔ及びＸ1はＨ、Ｆ又はＣｌ、Ｘ2は
    Ｆ又はＣｌを表す。）、Ｏ（ＣＨ2）r（ＣＦ2）sＸ
    3（ｒ及びｓは０、１又は２であり、かつ（ｒ＋ｓ）が
    ２、３又は４、Ｘ3はＦ又はＣｌを表す。）、Ｒ又はＯ
    Ｒ基（Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数
    ３〜８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキ
    シアルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表
    す。）を表し、ｋ１及びｋ２はそれぞれ０又は１で且つ
    ｋ１＋ｋ２が１となる数を表し、ｍ１及びｍ２はそれぞ
    れ０、１又は２で且つｍ１＋ｍ２が０、１又は２となる
    数を表す。）を表し、ＭはＭｇＰ（Ｐはハロゲンを表
    す。）又はＺｎＰを表す。）で表される有機金属試薬と
    の反応により、一般式 【化４４】 で表されるシラシクロヘキサン化合物を得ることを特徴
    とするシラシクロヘキサン化合物の製造方法。
  3. 【請求項３】 一般式 【化４５】 （但し、Ａｒ及びＡｒ’はそれぞれ相互に独立してフェ
    ニル基又はトリル基、Ｑは 【化４６】 （但し、 【化４７】 及び 【化４８】 は、それぞれ相互に独立して 【化４９】 又は 【化５０】 （但し、Ｙ3はＨ、Ｆ又はメチル基を表す。）を表し、 【化５１】 は 【化５２】 又は 【化５３】 （但し、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ相互に独立してＨ、Ｆ又
    はＣｌを表す。）を表し、ＸはＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ
    Ｆ3、ＣＦ2Ｃｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＨＦ2、ＯＣＦ2Ｃｌ、
    ＯＣＨＦ Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、（Ｏ）mＣＴ＝ＣＸ1Ｘ
    2（ｍは０又は１、Ｔ及びＸ1はＨ、Ｆ又はＣｌ、Ｘ2は
    Ｆ又はＣｌを表す。）、Ｏ（ＣＨ2）r（ＣＦ2）sＸ
    3（ｒ及びｓは０、１又は２であり、かつ（ｒ＋ｓ）が
    ２、３又は４、Ｘ3はＦ又はＣｌを表す。）、Ｒ又はＯ
    Ｒ基（Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数
    ３〜８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキ
    シアルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表
    す。）を表し、ｉ１、ｉ２及びｉ３はそれぞれ０又は１
    で且つｉ１＋ｉ２＋ｉ３が１となる数を表し、ｊ１、ｊ
    ２及びｊ３はそれぞれ０、１又は２で且つｊ１＋ｊ２＋
    ｊ３が０、１又は２となる数を表す。）を表す。）で表
    される化合物を、一般式 【化５４】 （但し、Ｗはハロゲン原子を表す。）で表されるジハロ
    シラシクロヘキサンに変換した後、還元して、一般式 【化５５】 （但し、Ｗはハロゲン原子を表す。）で表されるヒドロ
    ハロシラシクロヘキサンに変換した後、一般式 【化５６】Ｑ'−Ｍ （但し、Ｑ’は 【化５７】 （但し、 【化５８】 は 【化５９】 又は 【化６０】 （但し、Ｙ3はＨ、Ｆ又はメチル基を表す。）を表し、 【化６１】 は 【化６２】 又は 【化６３】 （但し、Ｙ1及びＹ2はそれぞれ相互に独立してＨ、Ｆ又
    はＣｌを表す。）を表し、ＸはＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ
    Ｆ3、ＣＦ2Ｃｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＨＦ2、ＯＣＦ2Ｃｌ、
    ＯＣＨＦ Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、（Ｏ）mＣＴ＝ＣＸ1Ｘ
    2（ｍは０又は１、Ｔ及びＸ1はＨ、Ｆ又はＣｌ、Ｘ2は
    Ｆ又はＣｌを表す。）、Ｏ（ＣＨ2）r（ＣＦ2）sＸ
    3（ｒ及びｓは０、１又は２であり、かつ（ｒ＋ｓ）が
    ２、３又は４、Ｘ3はＦ又はＣｌを表す。）、Ｒ又はＯ
    Ｒ基（Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数
    ３〜８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキ
    シアルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表
    す。）を表し、ｋ１及びｋ２はそれぞれ０又は１で且つ
    ｋ１＋ｋ２が１となる数を表し、ｍ１及びｍ２はそれぞ
    れ０、１又は２で且つｍ１＋ｍ２が０、１又は２となる
    数を表す。）を表し、ＭはＭｇＰ（Ｐはハロゲンを表
    す。）又はＺｎＰを表す。）で表される有機金属試薬と
    の反応により、一般式 【化６４】 で表されるシラシクロヘキサン化合物を得ることを特徴
    とするシラシクロヘキサン化合物の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100942823B1 (ko) * 2007-12-28 2010-02-18 제일모직주식회사 유기 광전 소자용 재료 및 이를 이용한 유기 광전 소자

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