JPH0799187A - 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法 - Google Patents

半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法

Info

Publication number
JPH0799187A
JPH0799187A JP5333968A JP33396893A JPH0799187A JP H0799187 A JPH0799187 A JP H0799187A JP 5333968 A JP5333968 A JP 5333968A JP 33396893 A JP33396893 A JP 33396893A JP H0799187 A JPH0799187 A JP H0799187A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
cleaning
fluorine
chamber
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5333968A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2618817B2 (ja
Inventor
Chitoshi Nogami
千俊 野上
Hideki Odajima
秀樹 小田島
Masanori Suzuki
正則 鈴木
Manabu Saeda
学 佐枝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Central Glass Co Ltd
Iwatani International Corp
Original Assignee
Central Glass Co Ltd
Iwatani International Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Central Glass Co Ltd, Iwatani International Corp filed Critical Central Glass Co Ltd
Priority to JP5333968A priority Critical patent/JP2618817B2/ja
Priority to US08/235,895 priority patent/US5421902A/en
Publication of JPH0799187A publication Critical patent/JPH0799187A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2618817B2 publication Critical patent/JP2618817B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 治具等にダメージを与えることなく、低温
で、かつ短時間にクリーニングできるクリーニング方法
を提供する。 【構成】 半導体製造装置の薄膜形成操作系内に存在す
る膜状堆積物に、三フッ化窒素にフッ素系ガスを混合さ
せたクリーニングガスをノンプラズマの状態で接触させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置での薄
膜形成操作系内に堆積しているポリシリコンやアモルフ
アスシリコン等の膜状堆積物を除去するためのクリーニ
ング方法に関し、特に、ノンプラズマの状態で薄膜形成
系内をクリーニングするクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、半導体製造装置の形成操作系内に堆
積している薄い膜状堆積物をクリーニングする場合、ク
リーニングガスとして三フッ化窒素を使用してプラズマ
状態、もしくはヘリウムガスやアルゴンガス等の不活性
ガスに５％程度のフッ素ガスを混合したガスを使用し
て、ノンプラズマ状態でクリーニングしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のクリー
ニング方法では、膜状体積物がポリシリコンの場合には
２０００〜３０００Å／min 程度のエッチングレートで
あり、アモルファスシリコンの場合には９００〜１２０
０Å／min 程度のエッチングレートであった。また、プ
ラズマエッチング方式を採用した場合、治具等にダメー
ジを与えるという問題があった。本発明は、治具等にダ
メージを与えることなく、低温で、短時間に堆積物を除
去できるクリーニング方法を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、薄膜形成操作系内に存在する膜状堆積
物に、三フッ化窒素ガスにその他のフッ素系ガスを混合
させたクリーニングガスをノンプラズマの状態で接触さ
せることを特徴とし、より好ましくは、薄膜形成操作系
中を２７０℃以上の温度雰囲気で０.２〜３０Torr(２
６.７〜４０００Ｐａ)の減圧雰囲気に保持し、フッ化窒
素にフッ素ガスを０.１〜５vol ％混合したガスをクリ
ーニングガスとしてしようすることを特徴とするもので
ある。
【０００５】
【作用】本発明では、三フッ化窒素にその他のフッ素系
ガスを混入させてクリーニングガスとしているので、フ
ッ素系ガスが膜状堆積物に作用して反応を開始し、この
フッ素系ガスの反応時での反応熱で分解した三フッ化窒
素のフッ素成分がクリーニングを促進することになる。
【０００６】
【実施例】図に示すような実験装置の石英チャンバー
(１)の内面に６０００〜９０００Åの厚さでポリシリコ
ン層及びアモルファスシリコン層を形成した試料を配置
し、石英チャンバー(１)をハロゲンランプ(２)で加熱
し、三フッ化窒素を９５vol ％、フッ素系ガスとして例
えばフッ素を５vol ％の割合で混合した混合ガスを使用
してプラズマを発生させることなくクリーニングした。
【０００７】図中符号(３)はチャンバー(１)内の温度を
検出するための熱伝対、(４)はチャンバー(１)内の圧力
を表示する圧力計、(５)は系内を真空引きするためのブ
ースターポンプ、(６)は排出ガスを系外のハロゲン除害
筒(図示略)に送出するロータリーポンプ、(７)はチャン
バー出口に配置した出口弁である。
【０００８】実験方法は、クリーニングガスを貯蔵した
ガスボンベを実験装置に接続したのち、実験系を窒素ガ
スで十分にパージしたのち、ブースターポンプ(５)を作
動させて系内を真空にする。次いで、チャンバー(１)内
に窒素ガスを導入して大気圧としたのち、チャンバー
(１)を開放して試料を設置する。次に、チャンバー(１)
をチャンバー(１)内を窒素ガスでパージしたのち、到達
真空度０.０１Torr(１.３３Ｐａ)まで減圧する。そし
て、ハロゲンランプ(２)で加熱し、チャンバー(１)内を
目的温度にする。この状態で窒素ガスを１リットル／mi
nでチャンバー(１)内に導入し、チャンバー(１)内の圧
力が目的圧となるように出口弁(７)で調整したのち、窒
素ガスとクリーニングガスとを切換えて、チャンバー
(１)内に設置した試料にクリーニングガスを接触させ
る。実験終了後試料の膜厚を測定し、テスト前の膜厚と
比較した。
【０００９】そして、比較例として、９５vol％のヘリ
ウムガスに５vol％のフッ素ガスを混合したガス及び１
００％三フッ化窒素ガスを使用してクリーニングを行っ
た場合のクリーニング速度を表１に示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】上述の結果、本発明にかかる三フッ化窒素
ガスにフッ素ガスを混入したクリーニングガスの場合、
３５０℃を越える温度下でのノンプラズマ状態で従来の
クリーニングガスを使用した場合の１.５〜４倍程度の
クリーニング速度を得ることができる。
【００１２】なお、チャンバー(１)内の雰囲気温度の影
響を調べるために、雰囲気温度を変化させた場合のクリ
ーニング速度の変化を表２に示す。この場合、ガス流量
を５００ＳＣＣＭ、チャンバー内圧力を１０Torr(１３
３３.２Ｐａ)に設定した。
【００１３】
【表２】
【００１４】また、フッ素ガスの濃度による影響を調べ
るために、フッ濃度を変化させた場合のクリーニング速
度の変化を表３に示す。この場合、チャンバー内温度を
３３０℃、ガス流量を５００ＳＣＣＭ、チャンバー内圧
力を１０Torr(１３３３.２Ｐａ)に設定した。
【００１５】
【表３】
【００１６】さらに、チャンバー内圧力の影響を調べる
ために、チャンバー内圧力を変化させた場合のクリーニ
ング速度の変化を表４に示す。この場合、チャンバー内
温度を３３０℃、ガス流量を５００ＳＣＣＭに設定し
た。
【００１７】
【表４】
【００１８】以上の結果、温度雰囲気は２７０℃以上、
フッ素濃度は、０.１vol ％以上、チャンバー内圧力は
０.２Torr(２６.７Ｐａ)以上で、クリーニング速度が向
上することが分かった。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、三フッ化窒素ガスにフッ素系
ガスを混合させたクリーニングガスを使用してノンプラ
ズマの状態で薄膜形成操作系内をクリーニングするよう
にしているので、従来のクリーニング方法よりも、低温
状態でありながらクリーニング時間を短縮でき、装置の
稼働効率を高めることができるうえ、ガスの使用量を節
約することができる。また、ノンプラズマでクリーニン
グを行うことができるので、治具等にダメージを与える
こともない。
【図面の簡単な説明】
【図１】実験装置のフローチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 正則 滋賀県守山市勝部町1095番地 岩谷産業株 式会社滋賀技術センター内 (72)発明者 佐枝 学 滋賀県守山市勝部町1095番地 株式会社岩 谷ガス開発研究所内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体製造装置での薄膜形成操作系内に
    存在する膜状堆積物を除去するにあたり、当該形成操作
    系内に存在する膜状堆積物に、三フッ化窒素にその他の
    フッ素系ガスを混合させたクリーニングガスをノンプラ
    ズマの状態で接触させることを特徴とする半導体製造装
    置でのノンプラズマクリーニングング方法。
  2. 【請求項２】 薄膜形成操作系中を２７０℃以上の温度
    雰囲気で２６.７〜４０００Ｐａの減圧雰囲気に保持
    し、フッ化窒素にフッ素ガスを０.１〜５vol ％混合し
    たガスで処理するようにした請求項１に記載の半導体製
    造装置でのノンプラズマクリーニングング方法。
JP5333968A 1993-07-09 1993-12-28 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法 Expired - Lifetime JP2618817B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5333968A JP2618817B2 (ja) 1993-07-09 1993-12-28 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法
US08/235,895 US5421902A (en) 1993-07-09 1994-05-02 Non-plasma cleaning method for semiconductor manufacturing apparatus

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5-194333 1993-07-09
JP19433393 1993-07-09
JP5333968A JP2618817B2 (ja) 1993-07-09 1993-12-28 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0799187A true JPH0799187A (ja) 1995-04-11
JP2618817B2 JP2618817B2 (ja) 1997-06-11

Family

ID=26508442

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5333968A Expired - Lifetime JP2618817B2 (ja) 1993-07-09 1993-12-28 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5421902A (ja)
JP (1) JP2618817B2 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5714011A (en) * 1995-02-17 1998-02-03 Air Products And Chemicals Inc. Diluted nitrogen trifluoride thermal cleaning process
US6135128A (en) * 1998-03-27 2000-10-24 Eaton Corporation Method for in-process cleaning of an ion source
US6067999A (en) * 1998-04-23 2000-05-30 International Business Machines Corporation Method for deposition tool cleaning
US20030010354A1 (en) * 2000-03-27 2003-01-16 Applied Materials, Inc. Fluorine process for cleaning semiconductor process chamber
US20030216041A1 (en) * 2002-05-08 2003-11-20 Herring Robert B. In-situ thermal chamber cleaning
US6703317B1 (en) * 2003-01-30 2004-03-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method to neutralize charge imbalance following a wafer cleaning process
US20080236483A1 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Jun Sonobe Method for low temperature thermal cleaning
US20080236482A1 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Jun Sonobe Method for low temperature thermal cleaning
US8308871B2 (en) * 2008-11-26 2012-11-13 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Thermal cleaning gas production and supply system
KR20120104215A (ko) * 2009-10-30 2012-09-20 솔베이(소시에떼아노님) Ｆ₂ 및 ｃｏｆ₂를 사용한 플라즈마 식각 및 플라즈마 챔버 세정 방법
US20110108058A1 (en) * 2009-11-11 2011-05-12 Axcelis Technologies, Inc. Method and apparatus for cleaning residue from an ion source component

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03183693A (ja) * 1989-12-08 1991-08-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 気相成長装置のクリーニング方法及び装置
JPH04187771A (ja) * 1990-11-21 1992-07-06 Tokyo Electron Ltd クリーニング方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6077429A (ja) * 1983-10-04 1985-05-02 Asahi Glass Co Ltd ドライエツチング方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03183693A (ja) * 1989-12-08 1991-08-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 気相成長装置のクリーニング方法及び装置
JPH04187771A (ja) * 1990-11-21 1992-07-06 Tokyo Electron Ltd クリーニング方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5421902A (en) 1995-06-06
JP2618817B2 (ja) 1997-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100253089B1 (ko) 반도체소자 제조용 화학기상증착장치 및 이의 구동방법, 그 공정챔버 세정공정 레시피 최적화방법
US6500356B2 (en) Selectively etching silicon using fluorine without plasma
KR100256453B1 (ko) 반도체 웨이퍼상에 텅스텐을 선택적으로 증착시키는 방법
JPH0799187A (ja) 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法
CN1119385C (zh) 去除沉积物的气体和使用该气体的去除方法
EP0418592B1 (en) Cleaning process for removal of deposits from the susceptor of a chemical vapor deposition apparatus
JPS6225757B2 (ja)
JP3649650B2 (ja) 基板エッチング方法、半導体装置製造方法
JPH0663097B2 (ja) 膜形成操作系におけるフツ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法
CN113614891A (zh) 干蚀刻方法及半导体装置的制造方法
WO2011001394A2 (en) Method of removing residual fluorine from deposition chamber
GB2183204A (en) Nitrogen trifluoride as an in-situ cleaning agent
JP2726414B2 (ja) ケイ素系薄膜の製造方法
JP2001035801A (ja) 半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法
JPH0529285A (ja) クリーニング方法及び半導体製造装置
JP2003017416A (ja) 処理システム及び処理方法
JPH09148255A (ja) 反応容器内のクリーニング方法
JP2894304B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3963295B2 (ja) ケミカルドライエッチング方法
CN113261081B (zh) 附着物除去方法和成膜方法
JP2002100618A (ja) 半導体製造装置のクリーニングガス及びクリーニング方法
JPH0885887A (ja) エッチング後処理方法
WO2021100466A1 (ja) 付着物除去方法及び成膜方法
JPH11111698A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2002198357A (ja) 半導体製造装置のクリーニングガス及びクリーニング方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090311

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090311

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100311

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100311

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110311

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110311

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120311

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120311

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130311

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130311

Year of fee payment: 16

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311

Year of fee payment: 17

EXPY Cancellation because of completion of term