JPH0794784A - 青色発光素子 - Google Patents
青色発光素子Info
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- JPH0794784A JPH0794784A JP23855393A JP23855393A JPH0794784A JP H0794784 A JPH0794784 A JP H0794784A JP 23855393 A JP23855393 A JP 23855393A JP 23855393 A JP23855393 A JP 23855393A JP H0794784 A JPH0794784 A JP H0794784A
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- blue light
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- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電極位置などの構造上の制限の受けず、しか
も、高効率の発光が可能なＧａＮ系青色発光素子を提供
することである。 【構成】 ＧａＮを基板３とし該基板上に複数のＧａＮ
系化合物半導体が積層されて積層体が形成され、この積
層体の両最外層の各々に電極１，２が設けられてなる青
色発光素子Ａであって、該複数のＧａＮ系化合物半導体
が、ｐ−ｎ接合される層４，６を含むものや、１重また
は２重ヘテロ接合構造、１つまたは多重の量子井戸構造
を含むもの等が例示される。
も、高効率の発光が可能なＧａＮ系青色発光素子を提供
することである。 【構成】 ＧａＮを基板３とし該基板上に複数のＧａＮ
系化合物半導体が積層されて積層体が形成され、この積
層体の両最外層の各々に電極１，２が設けられてなる青
色発光素子Ａであって、該複数のＧａＮ系化合物半導体
が、ｐ−ｎ接合される層４，６を含むものや、１重また
は２重ヘテロ接合構造、１つまたは多重の量子井戸構造
を含むもの等が例示される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、青色から紫外線波長領
域に至る短波長（以下、「青色」という）の発光を呈す
る、半導体素子の好適な構造に関する。
域に至る短波長（以下、「青色」という）の発光を呈す
る、半導体素子の好適な構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光ディスプレイ等における多色化の要
求や、通信・記録等におけるデータ密度の向上の要求か
ら、高輝度の青色発光が可能な半導体素子の出現が求め
られている。この青色発光を行なう半導体素子に用いら
れる材料として、ＧａＮあるいはＩｎＧａＡｌＮなど、
ＧａＮ系の単結晶が着目されている。ＧａＮ系単結晶
は、直接遷移型バンド構造を有するため高効率の発光が
可能であり、かつ、室温でのバンドギャップが大きいた
め、上記のような半導体素子に対する青色発光の要求に
好適な材料である。しかし、ＧａＮ系単結晶は、結晶成
長温度が高く、また結晶成長温度付近での窒素の平衡蒸
気圧が高いため、融液からバルク単結晶を成長させるこ
とは極めて困難である。また、ＧａＮ系半導体は、厚く
高品質な単結晶が得られず、単独の基板として用いるこ
とができなかった。また、格子整合する結晶基板も利用
できるものは存在しなかった。このため、ＧａＮ系単結
晶の製造は、サファイア（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）基板上に、
又は、該サファイア基板上にＡｌＮ，ＺｎＯのようなＧ
ａＮとの格子整合性の良好な物質を成膜した層（所謂バ
ッファ層）上に、またはＳｉＣ基板上にＭＯＣＶＤ（有
機金属気相培成長法）またはＭＢＥ（分子線エピタキシ
ャル法）によって単結晶薄膜を成長させているのが現状
である。すなわち、ＧａＮ系の単結晶を用いてなる従来
の青色発光素子の多くは、その高い結晶成長温度に耐え
る必要性もあり、専らサファイア基板上に形成される構
造を余儀なくされていたのである。
求や、通信・記録等におけるデータ密度の向上の要求か
ら、高輝度の青色発光が可能な半導体素子の出現が求め
られている。この青色発光を行なう半導体素子に用いら
れる材料として、ＧａＮあるいはＩｎＧａＡｌＮなど、
ＧａＮ系の単結晶が着目されている。ＧａＮ系単結晶
は、直接遷移型バンド構造を有するため高効率の発光が
可能であり、かつ、室温でのバンドギャップが大きいた
め、上記のような半導体素子に対する青色発光の要求に
好適な材料である。しかし、ＧａＮ系単結晶は、結晶成
長温度が高く、また結晶成長温度付近での窒素の平衡蒸
気圧が高いため、融液からバルク単結晶を成長させるこ
とは極めて困難である。また、ＧａＮ系半導体は、厚く
高品質な単結晶が得られず、単独の基板として用いるこ
とができなかった。また、格子整合する結晶基板も利用
できるものは存在しなかった。このため、ＧａＮ系単結
晶の製造は、サファイア（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）基板上に、
又は、該サファイア基板上にＡｌＮ，ＺｎＯのようなＧ
ａＮとの格子整合性の良好な物質を成膜した層（所謂バ
ッファ層）上に、またはＳｉＣ基板上にＭＯＣＶＤ（有
機金属気相培成長法）またはＭＢＥ（分子線エピタキシ
ャル法）によって単結晶薄膜を成長させているのが現状
である。すなわち、ＧａＮ系の単結晶を用いてなる従来
の青色発光素子の多くは、その高い結晶成長温度に耐え
る必要性もあり、専らサファイア基板上に形成される構
造を余儀なくされていたのである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、サファイア
基板は絶縁体であるために、電極が特定の位置に限定さ
れ、発光素子の構造が制限されるという問題がある。図
４は、その例としてＧａＮ単結晶を用いた従来のＬＥＤ
の構造を模式的に示す図である。同図に示すように、従
来のＧａＮ単結晶を用いた青色ＬＥＤにおいては、サフ
ァイア基板Ｓ上にｎ型ＧａＮ結晶層４とｐ型ＧａＮ結晶
層６が形成される構造となっている。しかし、ｐ側電極
１とｎ側電極２の位置は、サファイア基板Ｓが絶縁体で
あるために、他の赤色ＬＥＤのようにｐ側電極とｎ側電
極の電極面を対向させて設けることが出来ず、両方の電
極１，２が、共にサファイア基板Ｓに向くような構造と
なり、製造面、実装面において一般の赤色ＬＥＤと同等
の設計が出来ず、また、発光面積の点で劣るという問題
がある。また、レーザーダイオード等のＧａＮ系発光素
子でも、サファイア基板上に形成される半導体素子であ
れば、電極位置等の構造において上記ＬＥＤと同様の問
題があり、また、反射面の形成においても不利である。
さらに、サファイア基板上に形成された従来のＧａＮ単
結晶は、大きな格子不整のために結晶品質が悪く、高効
率の発光が得られないという問題がある。
基板は絶縁体であるために、電極が特定の位置に限定さ
れ、発光素子の構造が制限されるという問題がある。図
４は、その例としてＧａＮ単結晶を用いた従来のＬＥＤ
の構造を模式的に示す図である。同図に示すように、従
来のＧａＮ単結晶を用いた青色ＬＥＤにおいては、サフ
ァイア基板Ｓ上にｎ型ＧａＮ結晶層４とｐ型ＧａＮ結晶
層６が形成される構造となっている。しかし、ｐ側電極
１とｎ側電極２の位置は、サファイア基板Ｓが絶縁体で
あるために、他の赤色ＬＥＤのようにｐ側電極とｎ側電
極の電極面を対向させて設けることが出来ず、両方の電
極１，２が、共にサファイア基板Ｓに向くような構造と
なり、製造面、実装面において一般の赤色ＬＥＤと同等
の設計が出来ず、また、発光面積の点で劣るという問題
がある。また、レーザーダイオード等のＧａＮ系発光素
子でも、サファイア基板上に形成される半導体素子であ
れば、電極位置等の構造において上記ＬＥＤと同様の問
題があり、また、反射面の形成においても不利である。
さらに、サファイア基板上に形成された従来のＧａＮ単
結晶は、大きな格子不整のために結晶品質が悪く、高効
率の発光が得られないという問題がある。
【０００４】本発明の目的は、上記問題を解決し、電極
の位置などに制限を受けない構造であって、しかも、信
頼性が高く、高効率の発光が可能なＧａＮ系青色発光素
子を提供することである。
の位置などに制限を受けない構造であって、しかも、信
頼性が高く、高効率の発光が可能なＧａＮ系青色発光素
子を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来得るこ
とのできなかった単結晶ＧａＮ基板の作製技術を開発
し、上記サファイア基板の代わりに、ＧａＮ単結晶を基
板として用いることによって、該ＧａＮ単結晶基板とそ
の上に形成されるＧａＮ系半導体エピタキシャル層から
なる積層体を、ｐ側及びｎ側の電極によって積層方向に
挟んで設けることができ、さらに、ＧａＮ系半導体エピ
タキシャル層等の積層体の結晶品質を向上させ得ること
を見出し本発明を完成した。即ち、本発明の青色発光素
子は、ＧａＮを基板とし該基板上に複数のＧａＮ系化合
物半導体が積層されて積層体が形成され、この積層体の
両最外層の各々に電極が設けられてなるものである。
とのできなかった単結晶ＧａＮ基板の作製技術を開発
し、上記サファイア基板の代わりに、ＧａＮ単結晶を基
板として用いることによって、該ＧａＮ単結晶基板とそ
の上に形成されるＧａＮ系半導体エピタキシャル層から
なる積層体を、ｐ側及びｎ側の電極によって積層方向に
挟んで設けることができ、さらに、ＧａＮ系半導体エピ
タキシャル層等の積層体の結晶品質を向上させ得ること
を見出し本発明を完成した。即ち、本発明の青色発光素
子は、ＧａＮを基板とし該基板上に複数のＧａＮ系化合
物半導体が積層されて積層体が形成され、この積層体の
両最外層の各々に電極が設けられてなるものである。
【０００６】本発明に基板として用いられるＧａＮは、
サファイア基板上に直接エピタキシャル成長させる方法
や、サファイア基板上にＺｎＯなどをスパッタリングに
よって成膜した上にＧａＮをエピタキシャル成長させる
など、従来の製造方法によって得られものであっても良
いが、基板として好適に用いることができるのは高品質
な単結晶である。このようなＧａＮ単結晶の製造方法と
しては、最初の基板Ｐ0 上にＧａＮ単結晶との格子整合
性が良好な物質を薄膜成長させることによってバッファ
層Ｂ1 とした上に、ＧａＮをＧａ，ＨＣｌ，ＮＨ3 など
を原料とするＣＶＤ（化学気相堆積法）によって、１０
μｍ〜３０００μｍ好ましくは５０μｍ〜５００μｍの
厚みにエピタキシャル成長させた後、バッファ層Ｂ1 を
除去し、ＧａＮ単結晶を得る様な結晶成長サイクルなど
が好ましい。
サファイア基板上に直接エピタキシャル成長させる方法
や、サファイア基板上にＺｎＯなどをスパッタリングに
よって成膜した上にＧａＮをエピタキシャル成長させる
など、従来の製造方法によって得られものであっても良
いが、基板として好適に用いることができるのは高品質
な単結晶である。このようなＧａＮ単結晶の製造方法と
しては、最初の基板Ｐ0 上にＧａＮ単結晶との格子整合
性が良好な物質を薄膜成長させることによってバッファ
層Ｂ1 とした上に、ＧａＮをＧａ，ＨＣｌ，ＮＨ3 など
を原料とするＣＶＤ（化学気相堆積法）によって、１０
μｍ〜３０００μｍ好ましくは５０μｍ〜５００μｍの
厚みにエピタキシャル成長させた後、バッファ層Ｂ1 を
除去し、ＧａＮ単結晶を得る様な結晶成長サイクルなど
が好ましい。
【０００７】上記結晶成長サイクルを繰り返す回数ｎ
は、特に限定されるものではなく、求めるＧａＮ結晶の
品質に応じてサイクル回数を決定してよいが、通常の半
導体デバイス用のＧａＮ結晶基板として用いるには、１
回〜１００回程度が好ましい。
は、特に限定されるものではなく、求めるＧａＮ結晶の
品質に応じてサイクル回数を決定してよいが、通常の半
導体デバイス用のＧａＮ結晶基板として用いるには、１
回〜１００回程度が好ましい。
【０００８】エピタキシャル成長は、結晶基板上にこれ
と同一物質あるいは同一結晶構造の物質を、その結晶軸
の向きが基板の結晶軸の向きにそろった単結晶として成
長させる方法である。本発明においては、ＧａＮやバッ
ファ層となる物質ｂをエピタキシャル成長が可能な成膜
法であればどのような方法を用いてもよく、特にＣＶＤ
法（化学気相堆積法），ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成
長法），ＶＰＥ法（気相成長法），ＬＰＥ法（液相成長
法）等が有効な方法である。
と同一物質あるいは同一結晶構造の物質を、その結晶軸
の向きが基板の結晶軸の向きにそろった単結晶として成
長させる方法である。本発明においては、ＧａＮやバッ
ファ層となる物質ｂをエピタキシャル成長が可能な成膜
法であればどのような方法を用いてもよく、特にＣＶＤ
法（化学気相堆積法），ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成
長法），ＶＰＥ法（気相成長法），ＬＰＥ法（液相成長
法）等が有効な方法である。
【０００９】上記バッファ層に用いられるＧａＮ単結晶
との格子整合性の良好な物質としては、ＡｌＮ、ＺｎＯ
等が例示されるが、特にＺｎＯ単結晶は、ＧａＮ単結晶
との格子整合性が良好であり、酸等で容易に除去される
ため好ましい。バッファ層の厚みは、０．０５μｍ〜１
０μｍ程度が好ましい。
との格子整合性の良好な物質としては、ＡｌＮ、ＺｎＯ
等が例示されるが、特にＺｎＯ単結晶は、ＧａＮ単結晶
との格子整合性が良好であり、酸等で容易に除去される
ため好ましい。バッファ層の厚みは、０．０５μｍ〜１
０μｍ程度が好ましい。
【００１０】上記最初の基板Ｐ0 となる物質は、バッフ
ァ層を介してＧａＮのエピタキシャル成長の基板となる
ものであり、ＧａＮの結晶成長温度（１０００℃〜１１
００℃）に充分な耐熱性を有していることが要求され
る。このような物質としては、サファイア結晶基板、従
来技術のようにサファイア基板上にＧａＮ系単結晶をエ
ピタキシャル成長した構造、ＳｉＣ基板などが好ましい
ものとして例示される。
ァ層を介してＧａＮのエピタキシャル成長の基板となる
ものであり、ＧａＮの結晶成長温度（１０００℃〜１１
００℃）に充分な耐熱性を有していることが要求され
る。このような物質としては、サファイア結晶基板、従
来技術のようにサファイア基板上にＧａＮ系単結晶をエ
ピタキシャル成長した構造、ＳｉＣ基板などが好ましい
ものとして例示される。
【００１１】上記に示すように、ＧａＮの結晶構造は、
結晶成長サイクルを１回行なう毎に品質が向上し、所望
の回数ｎ回目に、極めて高品質なＧａＮ単結晶Ｐn が得
られ、本発明の発光素子に好適なＧａＮ単結晶基板とな
る。
結晶成長サイクルを１回行なう毎に品質が向上し、所望
の回数ｎ回目に、極めて高品質なＧａＮ単結晶Ｐn が得
られ、本発明の発光素子に好適なＧａＮ単結晶基板とな
る。
【００１２】
【作用】ＧａＮ単結晶は半導体であるため、これを基板
として用いれば、平行に又は角度を成して対向するｐ側
及びｎ側の電極面の間に形成される空間内に、該ＧａＮ
単結晶基板の一部または全部が存在するものであっても
問題を生じない。
として用いれば、平行に又は角度を成して対向するｐ側
及びｎ側の電極面の間に形成される空間内に、該ＧａＮ
単結晶基板の一部または全部が存在するものであっても
問題を生じない。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の青色発光素子を、実施例を示
して具体的に説明する。なお、本発明がこれに限定され
るものでないことは言うまでもない。 〔実施例１〕本実施例では、青色発光素子の一例として
青色ＬＥＤの構造例を示す。図１は、この青色ＬＥＤの
構造を模式的に示す図である。同図（ａ）において、Ａ
は本発明による青色ＬＥＤであり、ｎ型ＧａＮ単結晶を
基板３とし、該基板３上にｎ型ＧａＮ系半導体４とｐ型
ＧａＮ系半導体６とがｐ−ｎ接合するように積層された
積層体ａが形成され、この積層体ａの最外層であるｐ型
ＧａＮ系半導体６とＧａＮ単結晶基板３とに、各々ｐ側
電極１とｎ側電極２とを設けてなるものである。
して具体的に説明する。なお、本発明がこれに限定され
るものでないことは言うまでもない。 〔実施例１〕本実施例では、青色発光素子の一例として
青色ＬＥＤの構造例を示す。図１は、この青色ＬＥＤの
構造を模式的に示す図である。同図（ａ）において、Ａ
は本発明による青色ＬＥＤであり、ｎ型ＧａＮ単結晶を
基板３とし、該基板３上にｎ型ＧａＮ系半導体４とｐ型
ＧａＮ系半導体６とがｐ−ｎ接合するように積層された
積層体ａが形成され、この積層体ａの最外層であるｐ型
ＧａＮ系半導体６とＧａＮ単結晶基板３とに、各々ｐ側
電極１とｎ側電極２とを設けてなるものである。
【００１４】上記ＧａＮ系半導体４，６は、ｐ−ｎ接合
し順方向に電圧を加えて発光するものであればどのよう
なものであってもよい。特に、ＧａＮ単結晶基板３上に
対して、ホモエピタキシャル成長となるＧａＮや、ヘテ
ロエピタキシャル成長となるＩｎ1-y （Ｇａ1-x Ａ
ｌx ）y Ｎ，の一般式で示される化合物半導体（ただ
し、添字ｘ，ｙは０〜１）が一般的に用いられる。ｐ−
ｎ接合は、ホモ接合型であってもシングルヘテロ構造で
あってもよく、ダブルヘテロ構造がさらに好ましく用い
られる。
し順方向に電圧を加えて発光するものであればどのよう
なものであってもよい。特に、ＧａＮ単結晶基板３上に
対して、ホモエピタキシャル成長となるＧａＮや、ヘテ
ロエピタキシャル成長となるＩｎ1-y （Ｇａ1-x Ａ
ｌx ）y Ｎ，の一般式で示される化合物半導体（ただ
し、添字ｘ，ｙは０〜１）が一般的に用いられる。ｐ−
ｎ接合は、ホモ接合型であってもシングルヘテロ構造で
あってもよく、ダブルヘテロ構造がさらに好ましく用い
られる。
【００１５】電極を設ける位置は、図１（ａ）に示すよ
うな、平行に対向する構成だけではなく、図１（ｂ）に
示すように、積層体ａの最外層であるｐ型ＧａＮ系半導
体６と基板３の所望の位置に各々電極を設けるものであ
ってもよい。ただし、電極をこれら所望の位置に設ける
ことによって、該電極が他の層にも接触して特性上の悪
影響を及ぼすのであれば、該電極と他の層とが接触しな
いよう絶縁等の対策を施せばよい。
うな、平行に対向する構成だけではなく、図１（ｂ）に
示すように、積層体ａの最外層であるｐ型ＧａＮ系半導
体６と基板３の所望の位置に各々電極を設けるものであ
ってもよい。ただし、電極をこれら所望の位置に設ける
ことによって、該電極が他の層にも接触して特性上の悪
影響を及ぼすのであれば、該電極と他の層とが接触しな
いよう絶縁等の対策を施せばよい。
【００１６】図１（ａ）における積層体ａの最外層であ
るｐ型ＧａＮ系半導体６は、その層を厚く形成すること
によって、電流をｐ−ｎ接合面に対して広範囲に拡散さ
せることができる。あるいは、図２に示すように、ｐ型
ＧａＮ系半導体６に対して条件の適合するｐ型ＧａＮ系
半導体７を積層体ａの最外層とすることによって電流を
拡散させるものであってもよい。
るｐ型ＧａＮ系半導体６は、その層を厚く形成すること
によって、電流をｐ−ｎ接合面に対して広範囲に拡散さ
せることができる。あるいは、図２に示すように、ｐ型
ＧａＮ系半導体６に対して条件の適合するｐ型ＧａＮ系
半導体７を積層体ａの最外層とすることによって電流を
拡散させるものであってもよい。
【００１７】〔実施例２〕本実施例では、青色発光素子
の一例として、レーザーダイオード（以下「ＬＤ」とい
う）または同様の接合構造であるスーパールミネッセン
スダイオードの構造例を示す。図３は、この青色ＬＤの
構造を模式的に示す図である。同図において、Ａ２は本
発明による青色ＬＤであり、ＧａＮ単結晶を基板３と
し、該基板３上に、光増幅作用を示すＧａＮ系半導体か
らなる活性層５（例えばＩｎＧａＮ）を、それよりバン
ドギャップの大きなｎ型ＧａＮ系半導体４とｐ型ＧａＮ
系半導体６とで挟むように積層されてなる（所謂、基板
上に２重ヘテロ接合される）積層体ｂを、積層方向に挟
むよう、ｐ側電極１とｎ側電極２とを設けてなるもので
ある。
の一例として、レーザーダイオード（以下「ＬＤ」とい
う）または同様の接合構造であるスーパールミネッセン
スダイオードの構造例を示す。図３は、この青色ＬＤの
構造を模式的に示す図である。同図において、Ａ２は本
発明による青色ＬＤであり、ＧａＮ単結晶を基板３と
し、該基板３上に、光増幅作用を示すＧａＮ系半導体か
らなる活性層５（例えばＩｎＧａＮ）を、それよりバン
ドギャップの大きなｎ型ＧａＮ系半導体４とｐ型ＧａＮ
系半導体６とで挟むように積層されてなる（所謂、基板
上に２重ヘテロ接合される）積層体ｂを、積層方向に挟
むよう、ｐ側電極１とｎ側電極２とを設けてなるもので
ある。
【００１８】上記光増幅作用を示すＧａＮ系半導体層５
と、これを挟むＧａＮ系半導体４，６の組み合わせとし
て好ましいものを、表１に例示する。
と、これを挟むＧａＮ系半導体４，６の組み合わせとし
て好ましいものを、表１に例示する。
【００１９】
【表１】
【００２０】上記ＧａＮ基板上に２重ヘテロ接合される
構成は、各層の膜厚を調整することによって、量子井戸
構造を形成することができる。これによって、さらに種
々の特性を有する青色発光素子を得ることができる。
構成は、各層の膜厚を調整することによって、量子井戸
構造を形成することができる。これによって、さらに種
々の特性を有する青色発光素子を得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、サファイア基板を用いた従来
のＧａＮ系青色発光素子に対して、ＧａＮ単結晶を基板
として用いるものであるから、他の赤色ＬＥＤ等と同
様、対向する電極の間に基板が存在する構造が可能とな
り、サファイア基板に特有の従来のような電極位置に対
する制約を無くすることができる。しかも、ＧａＮの高
品質な結晶構造の形成方法を示すことによって、信頼性
に富んだ高効率の発光が可能な、ＧａＮ系青色発光素子
が得られる。
のＧａＮ系青色発光素子に対して、ＧａＮ単結晶を基板
として用いるものであるから、他の赤色ＬＥＤ等と同
様、対向する電極の間に基板が存在する構造が可能とな
り、サファイア基板に特有の従来のような電極位置に対
する制約を無くすることができる。しかも、ＧａＮの高
品質な結晶構造の形成方法を示すことによって、信頼性
に富んだ高効率の発光が可能な、ＧａＮ系青色発光素子
が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による青色ＬＥＤの構造を模
式的に示す図である。
式的に示す図である。
【図２】本発明の一実施例による青色ＬＥＤ構造の応用
例を模式的に示す図である。
例を模式的に示す図である。
【図３】本発明の他の実施例による青色ＬＤの構造を模
式的に示す図である。
式的に示す図である。
【図４】従来の青色ＬＥＤ構造を模式的に示す図であ
る。
る。
Ａ 青色ＬＥＤ １ ｐ側電極 ２ ｎ側電極 ３ ＧａＮ基板 ４ ｎ型ＧａＮ系半導体 ６ ｐ型ＧａＮ系半導体
Claims (7)
- 【請求項１】 ＧａＮを基板とし該基板上に複数のＧａ
Ｎ系化合物半導体からなる積層体が形成され、この積層
体の両最外層の各々に電極が設けられてなる青色発光素
子。 - 【請求項２】 電極が、積層体を積層方向に挟んで対向
するものである請求項１記載の青色発光素子。 - 【請求項３】 複数のＧａＮ系化合物半導体が、ｐ−ｎ
接合を含むものである請求項１記載の青色発光素子。 - 【請求項４】 複数のＧａＮ系化合物半導体が、１重ま
たは２重ヘテロ接合構造を含むものである請求項１記載
の青色発光素子。 - 【請求項５】 複数のＧａＮ系化合物半導体が、１つま
たは多重の量子井戸構造を含むものである請求項１記載
の青色発光素子。 - 【請求項６】 ＧａＮが、１０μｍ〜３０００μｍの厚
みの単結晶である請求項１記載の青色発光素子。 - 【請求項７】 ＧａＮが、キャリヤー密度１×１０17〜
１×１０19ｃｍ-3の単結晶である請求項１記載の青色発
光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23855393A JPH0794784A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 青色発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23855393A JPH0794784A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 青色発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794784A true JPH0794784A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17031957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23855393A Pending JPH0794784A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | 青色発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794784A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1146038A (ja) * | 1997-05-29 | 1999-02-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2001345477A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| EP1180725A2 (en) * | 2000-08-08 | 2002-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor substrate for improving pattern formation in photolithographic process |
| US6555403B1 (en) | 1997-07-30 | 2003-04-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser, semiconductor light emitting device, and methods of manufacturing the same |
| US6613461B1 (en) | 1999-09-30 | 2003-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride-based compound semiconductor chip and method for producing the same, and gallium nitride-based compound semiconductor wafer |
| JP2003527296A (ja) * | 2000-03-13 | 2003-09-16 | アドバンスド．テクノロジー．マテリアルス．インコーポレイテッド | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物基板ボウル、並びにｉｉｉ−ｖ族窒化物基板ボウル製造法及び使用法 |
| US6686608B1 (en) | 1999-09-10 | 2004-02-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting device |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP23855393A patent/JPH0794784A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1146038A (ja) * | 1997-05-29 | 1999-02-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| US6555403B1 (en) | 1997-07-30 | 2003-04-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser, semiconductor light emitting device, and methods of manufacturing the same |
| US6686608B1 (en) | 1999-09-10 | 2004-02-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting device |
| US6613461B1 (en) | 1999-09-30 | 2003-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride-based compound semiconductor chip and method for producing the same, and gallium nitride-based compound semiconductor wafer |
| JP2003527296A (ja) * | 2000-03-13 | 2003-09-16 | アドバンスド．テクノロジー．マテリアルス．インコーポレイテッド | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物基板ボウル、並びにｉｉｉ−ｖ族窒化物基板ボウル製造法及び使用法 |
| JP2001345477A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| EP1180725A2 (en) * | 2000-08-08 | 2002-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor substrate for improving pattern formation in photolithographic process |
| EP1180725A3 (en) * | 2000-08-08 | 2006-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor substrate for improving pattern formation in photolithographic process |
| EP1850179A1 (en) * | 2000-08-08 | 2007-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor substrate for improving pattern formation in photolithographic process |
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