JPH0794488A - Cleaning method of vacuum treatment device assembly - Google Patents
Cleaning method of vacuum treatment device assemblyInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、複数の真空処理装置を
集合した真空処理装置集合体、いわゆるクラスタ装置の
クリーニング方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus assembly in which a plurality of vacuum processing apparatuses are assembled, that is, a so-called cluster apparatus cleaning method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するため
にはウエハに対して成膜、エッチング処理等の各種の処
理が施される。例えば１枚毎のウエハ表面に成膜するＣ
ＶＤ装置においては、ウエハ載置台（サセプタ）上に半
導体ウエハを載置し、これを所定の温度に加熱しながら
ウエハ表面に成膜用の処理ガスを供給し、このガスの分
解生成物或いは反応生成物をウエハ上に堆積させるよう
になっている。2. Description of the Related Art Generally, in order to manufacture a semiconductor integrated circuit, a wafer is subjected to various processes such as film formation and etching. For example, C formed on the surface of each wafer
In a VD apparatus, a semiconductor wafer is placed on a wafer placing table (susceptor), a processing gas for film formation is supplied to the wafer surface while heating the semiconductor wafer to a predetermined temperature, and a decomposition product or reaction of this gas is supplied. The product is to be deposited on the wafer.
【０００３】このようにしてウエハ表面に成膜を行った
場合、成膜が必要とされるウエハ表面の他に、ウエハ載
置台、処理容器の内側表面、処理ガスの供給ヘッダ等の
不要な部分にまでも膜が付着してしまう。このような不
要な部分における成膜は、パーティクルとなって浮遊
し、半導体集積回路の欠陥の原因となることから、この
成膜を除去するために真空処理装置は定期的に或いは不
定期的にクリーニング処理が施される。When the film is formed on the wafer surface in this way, unnecessary parts such as the wafer mounting table, the inner surface of the processing container, and the processing gas supply header are formed in addition to the wafer surface where the film formation is required. The film adheres even to. The film formation in such an unnecessary portion becomes particles and floats, causing defects in the semiconductor integrated circuit. Therefore, in order to remove this film formation, the vacuum processing apparatus is regularly or irregularly A cleaning process is performed.
【０００４】従来のクリーニング方法としては、クリー
ニングガスとしてＮＦ3 を含むガスを処理容器内へ導入
し、このクリーニングガスで載置台や処理容器内面等に
付着した成膜を除去する方法が知られている。このクリ
ーニング方法では、使用するＮＦ3 自体の分解性があま
り良好でないので、プラズマを利用している。すなわ
ち、処理容器内に載置台と対向する位置に電極板を配置
し、この載置台と電極間に高周波電圧を印加してプラズ
マを発生させ、これによってＮＦ3 を励起させて活性化
し、クリーニングを促進させるようになっている。As a conventional cleaning method, a method is known in which a gas containing NF 3 is introduced as a cleaning gas into the processing container, and the film deposited on the mounting table or the inner surface of the processing container is removed by this cleaning gas. There is. In this cleaning method, plasma is used because the decomposability of NF 3 itself used is not so good. That is, an electrode plate is arranged in a position facing the mounting table in the processing container, and a high frequency voltage is applied between the mounting table and the electrodes to generate plasma, which excites and activates NF 3 for cleaning. It is designed to be promoted.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したＮ
Ｆ3 プラズマ方式のクリーニング方法にあってはプラズ
マが分布する載置台表面やウエハの周辺部の成膜は効果
的に除去することはできるが、プラズマの及ばない部
分、例えば処理容器の内面や特に処理ガスの供給ヘッド
内面に付着した成膜、ウエハ搬送時に剥がれ落ちて容器
底部に付着した膜片等を効果的に除去することができな
かった。By the way, the above N
In the F 3 plasma type cleaning method, the film formation on the surface of the mounting table on which the plasma is distributed or on the peripheral portion of the wafer can be effectively removed, but the portion which the plasma does not reach, for example, the inner surface of the processing container or particularly It was not possible to effectively remove the film formed on the inner surface of the supply head of the processing gas, and the film pieces and the like that came off during wafer transfer and adhered to the bottom of the container.
【０００６】そこで、より効果的に成膜等をクリーニン
グ除去するために、特開昭６４−１７８５７号公報や特
開平２−７７５７９号公報等に開示されているようにク
リーニングガスとしてＣｌＦ系のガスを用いることが提
案されている。このＣｌＦ系のガスを用いたクリーニン
グ方式によればプラズマを用いることなく載置台表面は
勿論のこと処理ガス供給ヘッダの内面等の隅々までかな
り効率的に成膜を除去することができる。Therefore, in order to remove the film or the like by cleaning more effectively, a ClF-based gas is used as a cleaning gas as disclosed in JP-A-64-17857 and JP-A-2-77579. Is proposed to be used. According to the cleaning method using the ClF-based gas, it is possible to remove the film considerably efficiently not only on the surface of the mounting table but also on the inner surface of the processing gas supply header without using plasma.
【０００７】しかしながら、ＣｌＦ系ガスによれば不所
望な部分に付着した成膜をかなり効率的に除去できると
いえども、過度に付着した成膜を除去する時には不十分
な場合もあった。また、このＣｌＦ系ガス例えばＣｌＦ
3 ガスは沸点が＋１７℃程度のために常温で液化しやす
いことから、容器内壁や処理ガス供給ヘッダの壁面等に
付着しやすい。However, although the ClF-based gas can remove the film deposited on the undesired portion fairly efficiently, it may not be sufficient to remove the film deposited excessively. Also, this ClF-based gas such as ClF
Since 3 gas has a boiling point of around + 17 ° C, it is likely to liquefy at room temperature, so it tends to adhere to the inner wall of the container and the wall of the processing gas supply header.
【０００８】例えばクリーニング終了後に処理容器内か
らＣｌＦ系ガスを排出するためには、ＣｌＦ系ガスを真
空排気した後に、Ｎ2 ガスなどの不活性ガスを容器内に
充満させて一定期間放置し、これにより容器内壁等に吸
着していたＣｌＦ系ガスを離脱させ、再度容器内を真空
引きすることによりＣｌＦ系ガスを排出するようにして
いた。しかしながら、このような排気操作ではＣｌＦ系
ガスを完全に離脱させることができない。このため、ク
リーニング操作後に行われる成膜処理において壁面に付
着していた残留ＣｌＦ系ガスが分離して成膜中にこのＣ
ｌＦ系ガスが取り込まれて、素子の欠陥の原因となって
しまう問題があった。For example, in order to discharge the ClF-based gas from the inside of the processing container after completion of the cleaning, the ClF-based gas is evacuated, and then the container is filled with an inert gas such as N 2 gas and left for a certain period of time. As a result, the ClF-based gas adsorbed on the inner wall of the container is released, and the inside of the container is evacuated again to discharge the ClF-based gas. However, such an exhaust operation cannot completely remove the ClF-based gas. For this reason, the residual ClF-based gas adhering to the wall surface in the film forming process performed after the cleaning operation is separated and this C
There is a problem that the IF gas is taken in and causes a defect in the device.
【０００９】また、成膜中に真空処理容器内を真空引き
する真空排気系の系内においてもある程度の成膜が付着
することは避けられないが、従来のクリーニング方法で
は真空排気系内に付着した成膜を十分に除去することが
できないという問題があった。Further, it is inevitable that a certain amount of film is attached even in the system of the vacuum evacuation system which evacuates the inside of the vacuum processing container during the film formation, but in the conventional cleaning method, the film is attached in the vacuum evacuation system. There is a problem that the formed film cannot be removed sufficiently.
【００１０】ところで、半導体集積回路の微細化及び高
集積化によってスループット及び歩留まりを更に向上さ
せるために、同一真空処理装置或いは異なる処理装置を
複数個結合してウエハを大気に晒すことなく各種工程の
連続処理を可能としたクラスタ装置がすでに提案されて
いる。このクラスタ装置化により、再現性の高い被成膜
表面の維持、コンタミネーションの防止、処理時間の短
縮化等を図ることができるが、上述のように集積回路の
更なる高微細化、高集積化により６４Ｍから２５６ＭＤ
ＲＡＭに移行する場合に不良原因の８０％以上が主とし
て成膜装置内におけるパーティクルや金属汚染に依って
生じることが判明しており、このクラスタ装置も上記し
たＣｌＦ系ガスを用いてクリーニングを行うことが考え
られるが、スループット等を低下させることなく効率的
にクリーニングする方法が未だ提案されていないのが実
情である。By the way, in order to further improve the throughput and the yield by miniaturization and high integration of the semiconductor integrated circuit, the same vacuum processing apparatus or a plurality of different processing apparatuses are combined and various processes are performed without exposing the wafer to the atmosphere. A cluster device capable of continuous processing has already been proposed. By using this cluster device, it is possible to maintain a highly reproducible deposition surface, prevent contamination, and shorten the processing time. However, as described above, further miniaturization and high integration of integrated circuits are possible. From 64M to 256MD
It has been found that 80% or more of the causes of defects when transferring to RAM are mainly caused by particles and metal contamination in the film forming apparatus, and this cluster apparatus should also be cleaned using the ClF-based gas described above. However, the actual situation is that a method for efficiently cleaning without lowering the throughput has not been proposed yet.
【００１１】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、不必要な成膜等を効率的に除去することがで
き、しかも容器内壁に付着したクリーニングガスを効果
的に排除することができる真空処理装置集合体のクリー
ニング方法を提供することにある。The present invention focuses on the above problems,
It was created to solve this effectively. An object of the present invention is to provide a method for cleaning a vacuum processing apparatus assembly which can efficiently remove unnecessary film formation and the like, and can effectively remove the cleaning gas attached to the inner wall of the container. Especially.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】第１の発明は、上記問題
点を解決するために、被処理体を処理するための複数の
真空処理室と、前記各真空処理室に設けられた真空排気
系と、前記真空処理室に対して前記被処理体を搬入・搬
出するために必要とされる移載室と、複数枚の前記被処
理体を収容可能なカセットを収容するカセット室とを少
なくとも有し、前記各室間が開閉可能になされた真空処
理装置集合体のクリーニング方法において、前記真空処
理室、前記移載室及び前記カセット室内の一部または全
部をＣｌＦ系ガスを含むクリーニングガスでクリーニン
グすると同時に光エネルギにより前記クリーニングガス
を活性化させるように構成したものである。In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the invention is to provide a plurality of vacuum processing chambers for processing an object to be processed, and a vacuum exhaust provided in each of the vacuum processing chambers. At least a system, a transfer chamber required for loading and unloading the object to be processed with respect to the vacuum processing chamber, and a cassette chamber containing a cassette capable of accommodating a plurality of the objects to be processed. In the method for cleaning a vacuum processing apparatus assembly which is capable of opening and closing between the chambers, a part of or all of the vacuum processing chamber, the transfer chamber and the cassette chamber is cleaned with a cleaning gas containing a ClF-based gas. At the same time as cleaning, the cleaning gas is activated by light energy.
【００１３】第２の発明は、上記問題点を解決するため
に、被処理体を処理するための複数の真空処理室と、前
記各真空処理室に設けられた真空排気系と、前記真空処
理室に対して前記被処理体を搬入・搬出するために必要
とされる移載室と、複数枚の前記被処理体を収容可能な
カセットを収容するカセット室とを少なくとも有し、前
記各室間が開閉可能になされた真空処理装置集合体のク
リーニング方法において、前記真空処理室、前記移載室
及び前記カセット室内をＣｌＦ系ガスを含むクリーニン
グガスでクリーニングし、その後、前記クリーニングガ
スの供給を停止した後、前記各室内を真空引きしつつ不
活性ガスの供給と停止を複数回繰り返すことにより前記
各室内の残存クリーニングガスを排気するように構成し
たものである。In order to solve the above-mentioned problems, a second aspect of the invention is to provide a plurality of vacuum processing chambers for processing an object, a vacuum exhaust system provided in each vacuum processing chamber, and the vacuum processing. Each of the chambers has at least a transfer chamber required for loading and unloading the object to be processed into and from the chamber, and a cassette chamber for accommodating a cassette capable of accommodating a plurality of the objects to be processed. In a method of cleaning a vacuum processing apparatus assembly capable of opening and closing a space, the vacuum processing chamber, the transfer chamber and the cassette chamber are cleaned with a cleaning gas containing ClF-based gas, and then the cleaning gas is supplied. After stopping, the residual cleaning gas in each chamber is exhausted by repeatedly supplying and stopping the inert gas a plurality of times while evacuating each chamber.
【００１４】第３の発明は、上記問題点を解決するため
に、被処理体を処理するための複数の真空処理室と、前
記各真空処理室に設けられた真空排気系と、前記真空処
理室に対して前記被処理体を搬入・搬出するために必要
とされる移載室と、複数枚の前記被処理体を収容可能な
カセットを収容するカセット室とを少なくとも有し、前
記各室間が開閉可能になされた真空処理装置集合体のク
リーニング方法において、前記真空処理室、前記移載室
及び前記カセット室内の一部或いは全てにＣｌＦ系ガス
を含むクリーニングガスを供給しつつ前記真空排気系に
より真空引きすることにより、前記各室内をクリーニン
グすると同時に前記真空排気系もクリーニングするよう
にクリーニングするように構成したものである。In order to solve the above-mentioned problems, a third aspect of the invention is to provide a plurality of vacuum processing chambers for processing an object, a vacuum exhaust system provided in each vacuum processing chamber, and the vacuum processing. Each of the chambers has at least a transfer chamber required for loading and unloading the object to be processed into and from the chamber, and a cassette chamber for accommodating a cassette capable of accommodating a plurality of the objects to be processed. A method of cleaning a vacuum processing apparatus assembly in which a space between the vacuum processing chamber, the transfer chamber and the cassette chamber is supplied while supplying a cleaning gas containing ClF gas to the vacuum chamber. By vacuuming the system, the chambers are cleaned, and at the same time, the vacuum exhaust system is cleaned.
【００１５】[0015]
【作用】第１の発明によれば、真空処理室、移載室、カ
セット室内の一部または全部をクリーニングする際に、
クリーニングガスに対して例えば紫外線等の光エネルギ
を照射するようにしたので、クリーニングガスが活性化
され、このエッチングレートが向上して一層効率的にク
リーニングを行うことが可能となる。According to the first invention, when cleaning a part or all of the vacuum processing chamber, the transfer chamber and the cassette chamber,
Since the cleaning gas is irradiated with light energy such as ultraviolet rays, the cleaning gas is activated, the etching rate is improved, and more efficient cleaning can be performed.
【００１６】第２の発明によれば、クリーニングガスを
排出する際に、各室内を真空引きしつつＮ2 等の不活性
ガスの供給と停止を繰り返し行うようにしたので、不活
性ガスの供給時の衝撃により真空処理室、移載室、カセ
ット室等の内壁に付着しているＣｌＦ系ガスの離脱を促
進させることが可能となり、その後、引き続いて行われ
る成膜時に成膜中にＣｌＦ系ガスが取り込まれるのを防
止することができる。According to the second aspect of the present invention, when the cleaning gas is discharged, the supply and stop of the inert gas such as N 2 are repeatedly performed while vacuuming each chamber. It is possible to accelerate the desorption of the ClF-based gas adhering to the inner walls of the vacuum processing chamber, transfer chamber, cassette chamber, etc. by the impact of the time, and then during subsequent film formation, the ClF-based gas is deposited during film formation. It is possible to prevent gas from being taken in.
【００１７】第３の発明によれば、真空処理室、移載
室、カセット室内の一部或いは全てをクリーニングする
際に、真空処理室に接続した真空排気系により真空引き
するので、各室内に付着した成膜或いは浮遊している膜
片を除去してクリーニングできると共に成膜時に真空排
気系内に付着した成膜も同時に除去してこれをクリーニ
ングすることができる。According to the third aspect of the present invention, when a part or all of the vacuum processing chamber, the transfer chamber, and the cassette chamber is cleaned, the vacuum exhaust system connected to the vacuum processing chamber evacuates the chamber. The deposited film or the floating film pieces can be removed and cleaned, and at the same time, the film deposited in the vacuum exhaust system can be removed and cleaned at the same time.
【００１８】[0018]
【実施例】以下に、本発明に係る真空処理装置集合体の
クリーニング方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述
する。図１は本発明に係るクリーニング方法を実施する
ための真空処理装置を示す概略平面図、図２は図１に示
す処理装置集合体を示す概略斜視図、図３は図１に示す
集合体中の一つの真空処理装置の一例を示す断面図、図
４は図３に示す装置に用いるヘッダ加熱手段を示す構成
図、図５は真空処理装置において光エネルギを照射して
いる状態を示す部分断面図、図６は真空処理装置内に不
活性ガスの供給と停止を繰り返して行う状態を説明する
ための説明図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a method for cleaning a vacuum processing apparatus assembly according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. 1 is a schematic plan view showing a vacuum processing apparatus for carrying out a cleaning method according to the present invention, FIG. 2 is a schematic perspective view showing a processing apparatus assembly shown in FIG. 1, and FIG. 3 is an assembly shown in FIG. 4 is a sectional view showing an example of one vacuum processing apparatus, FIG. 4 is a block diagram showing a header heating means used in the apparatus shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a partial sectional view showing a state in which light energy is irradiated in the vacuum processing apparatus. 6 and 6 are explanatory views for explaining a state in which the supply and stop of the inert gas are repeatedly performed in the vacuum processing apparatus.
【００１９】まず、本発明方法を実施するための真空処
理装置集合体の一例について説明する。本実施例におい
ては第１〜第３の３つの第１〜第３の真空処理装置２
Ａ、２Ｂ、２Ｃを共通の移載室４に接続し、この移載室
４に対して共通に連設された第１及び第２の予備真空室
６Ａ、６Ｂを介して他の移載室８を設け、更にこの移載
室８に対して第１及び第２のカセット室１０Ａ、１０Ｂ
を連設して、いわゆるクラスタ装置化して真空処理装置
集合体を形成した場合を例にとって説明する。First, an example of a vacuum processing apparatus assembly for carrying out the method of the present invention will be described. In the present embodiment, the first to third three vacuum processing devices 2 are
A, 2B, and 2C are connected to a common transfer chamber 4, and other transfer chambers are connected via first and second preliminary vacuum chambers 6A and 6B that are connected to the transfer chamber 4 in common. 8 is provided, and the first and second cassette chambers 10A and 10B are provided for the transfer chamber 8.
An example will be described in which the vacuum processing apparatus assembly is formed by connecting the above to form a so-called cluster apparatus.
【００２０】上記各真空処理装置２Ａ、２Ｂ、２Ｃは、
被処理体である半導体ウエハ表面に連続的に処理する時
に必要とされる装置の集合体であり、第１の真空処理装
置２Ａは例えば微細パターンにタングステン層をＣＶＤ
により形成するものであり、第２の真空処理装置２Ｂは
例えば微細パターンが形成されたウエハ上に４００〜５
００℃の温度下でチタン膜をスパッタリングにより成膜
するものであり、また、第３の真空処理装置２Ｃはタン
グステン層をエッチバックするためのものである。これ
ら各種処理装置は、この数量及び種類には限定されな
い。The respective vacuum processing devices 2A, 2B and 2C are
The first vacuum processing apparatus 2A is, for example, a CVD apparatus in which a tungsten layer is formed into a fine pattern by CVD, which is an assembly of apparatuses required for continuously processing the surface of a semiconductor wafer that is an object to be processed.
The second vacuum processing apparatus 2B is, for example, 400 to 5 on a wafer on which a fine pattern is formed.
A titanium film is formed by sputtering at a temperature of 00 ° C., and the third vacuum processing apparatus 2C is for etching back the tungsten layer. These various processing devices are not limited to this quantity and type.
【００２１】まず、この処理装置集合体について説明す
ると、第１の移載室８の両側にはそれぞれゲートバルブ
Ｇ１、Ｇ２を介して第１のカセット室１０Ａ及び第２の
カセット室１０Ｂがそれぞれ接続されている。これらカ
セット室１０Ａ、１０Ｂは処理装置集合体のウエハ搬出
入ポートを構成するものであり、それぞれ昇降自在なカ
セットステージ１２（図２参照）を備えている。First, the processing apparatus assembly will be described. The first cassette chamber 10A and the second cassette chamber 10B are connected to both sides of the first transfer chamber 8 via gate valves G1 and G2, respectively. Has been done. These cassette chambers 10A and 10B constitute a wafer loading / unloading port of the processing apparatus assembly, and each of them is provided with a cassette stage 12 (see FIG. 2) which can be raised and lowered.
【００２２】第１の移載室８及び両カセット室１０Ａ、
１０Ｂはそれぞれ気密構造に構成され、両カセット室１
０Ａ、１０Ｂには、外部の作業室雰囲気との間を開閉し
て大気開放可能にそれぞれゲートドアＧ３、Ｇ４が設け
られると共に、コ字形の保持部材を有する搬出入ロボッ
ト１５が設けられる（図２参照）。この搬出入ロボット
１５は、図２に示すように外部で前向きにセットされた
ウエハカセット１４を両カセット室１０Ａ、１０Ｂ内に
搬入して横向きにセットするように構成されており、ウ
エハカセット１４はカセット室１０Ａ、１０Ｂ内に搬入
された後、カセットステージ１２により突き上げられて
所定の位置まで上昇する。The first transfer chamber 8 and both cassette chambers 10A,
10B each have an airtight structure, and both cassette chambers 1
Gate doors G3 and G4 are provided in 0A and 10B so as to open and close to the atmosphere of an external work chamber, respectively, and a loading / unloading robot 15 having a U-shaped holding member is provided (see FIG. 2). ). As shown in FIG. 2, the loading / unloading robot 15 is configured so as to load the wafer cassette 14 which is set to face forward outside into both cassette chambers 10A and 10B and to set the wafer cassette 14 horizontally. After being carried into the cassette chambers 10A and 10B, it is pushed up by the cassette stage 12 and raised to a predetermined position.
【００２３】第１の移載室８内には、例えば多関節アー
ムよりなる搬送アームとしての第１の移載手段１６と、
被処理体としての半導体ウエハＷの中心及びオリフラ
（オリエンテーションフラット）を位置合わせするため
の回転ステージ１８とが配設されており、この回転ステ
ージ１８は図示しない発光部と受光部とにより位置合わ
せ手段を構成する。In the first transfer chamber 8, a first transfer means 16 as a transfer arm composed of, for example, an articulated arm,
A rotation stage 18 for aligning the center of the semiconductor wafer W as the object to be processed and the orientation flat (orientation flat) is provided. The rotation stage 18 includes a light emitting unit and a light receiving unit (not shown) for aligning means. Make up.
【００２４】この第１の移載手段１６は、上記両カセッ
ト室１０Ａ、１０Ｂ内のカセット１４と予備真空室６
Ａ、６Ｂとの間でウエハを移載するためのものであり、
ウエハ保持部であるアームの先端部の両側には、ウエハ
Ｗを真空吸着するための吸引孔１６Ａが形成されてい
る。この吸引孔１６Ａは図示しない通路を介して真空ポ
ンプに接続されている。The first transfer means 16 is composed of the cassette 14 in both the cassette chambers 10A and 10B and the preliminary vacuum chamber 6
It is for transferring the wafer between A and 6B,
Suction holes 16A for vacuum-sucking the wafer W are formed on both sides of the tip of the arm that is the wafer holder. The suction hole 16A is connected to a vacuum pump via a passage (not shown).
【００２５】上記第１の移載室８の後方側には、それぞ
れゲートバルブＧ５、Ｇ６を介して第１の予備真空室６
Ａ及び第２の予備真空室６Ｂが接続されており、これら
第１及び第２の予備真空室６Ａ、６Ｂは同一構造に構成
されている。これらの予備真空室６Ａ、６Ｂは内部に、
ウエハ載置具と、これに保持したウエハを加熱する加熱
手段とウエハを冷却する冷却手段とを備えており、必要
に応じてウエハを加熱或いは冷却するようになってい
る。そして上記第１及び第２の予備真空室６Ａ、６Ｂの
後方側には、ゲートバルブＧ７、Ｇ８を介して第２の移
載室４が接続されている。On the rear side of the first transfer chamber 8, the first preliminary vacuum chamber 6 is provided via gate valves G5 and G6, respectively.
The A and second preliminary vacuum chambers 6B are connected to each other, and the first and second preliminary vacuum chambers 6A and 6B have the same structure. These preliminary vacuum chambers 6A and 6B are internally
A wafer mounting tool, a heating means for heating the wafer held on the wafer mounting tool, and a cooling means for cooling the wafer are provided, and the wafer is heated or cooled as required. A second transfer chamber 4 is connected to the rear side of the first and second preliminary vacuum chambers 6A and 6B via gate valves G7 and G8.
【００２６】前記第２の移載室４内には、第１及び第２
の予備真空室６Ａ、６Ｂと３つの真空処理装置２Ａ〜２
Ｃとの間でウエハＷを移載するための例えば多関節アー
ムよりなる搬送アームとしての第２の移載手段２０が配
置されている。この第２の移載室４には、それぞれゲー
トバルブＧ９〜Ｇ１１を介して左右及び後方の三方に上
記３つの真空処理装置２Ａ〜２Ｃが接続されている。In the second transfer chamber 4, the first and second transfer chambers are provided.
Spare vacuum chambers 6A, 6B and three vacuum processing devices 2A-2
A second transfer unit 20 is arranged as a transfer arm for transferring the wafer W to and from C, which is, for example, an articulated arm. The three vacuum processing devices 2A to 2C are connected to the second transfer chamber 4 on the left, right, and rear sides, respectively, via gate valves G9 to G11.
【００２７】次に、真空処理装置として第１の真空処理
装置２Ａを例にとって説明する。前述のようにこの第１
の真空処理装置２Ａは、金属膜として例えばタングステ
ン膜をＣＶＤにより成膜するものであり、図３に示すよ
うに真空処理容器２２は、例えはアルミニウムにより略
円筒状に成形されて内部に真空処理室２４が形成され、
処理容器２２の一側壁にはゲートバルブＧ９を介して第
２の移載室４が接続される。Next, the first vacuum processing apparatus 2A will be described as an example of the vacuum processing apparatus. This first as mentioned above
The vacuum processing apparatus 2A described above forms a tungsten film, for example, as a metal film by CVD. As shown in FIG. 3, the vacuum processing container 22 is made of, for example, aluminum and is formed into a substantially cylindrical shape. A chamber 24 is formed,
The second transfer chamber 4 is connected to one sidewall of the processing container 22 via a gate valve G9.
【００２８】この処理容器２２内にはウエハＷをその上
に載置するための例えばアルミニウム等よりなるウエハ
載置台２６が容器底部より起立した例えば石英よりなる
透明な支持筒２８により支持されて設置されている。ウ
エハ載置台２６の上面には、図示しない直流電圧源に接
続された静電チャック３０が設けられており、この上に
ウエハＷを静電力により吸着保持するようになってい
る。A wafer mounting table 26 made of, for example, aluminum or the like for mounting the wafer W thereon is supported in this processing container 22 by being supported by a transparent support cylinder 28 made of, for example, quartz, which stands upright from the bottom of the container. Has been done. An electrostatic chuck 30 connected to a DC voltage source (not shown) is provided on the upper surface of the wafer mounting table 26, and the wafer W is attracted to and held on the electrostatic chuck 30 by electrostatic force.
【００２９】上記ウエハ載置台２６の下方の容器底部は
開口され、この開口部にはクオーツウィンドウ３２が気
密に取り付けられ、この下方には加熱用のハロゲンラン
プ３４が配設されている。そして、成膜工程時にはこの
ハロゲンランプ３４からの光はクオーツウィンドウ３２
を通って載置台２６の裏面を照射し、この光エネルギで
ウエハＷを所定の処理温度まで間接加熱するようになっ
ている。The bottom of the container below the wafer mounting table 26 is opened, a quartz window 32 is hermetically attached to this opening, and a halogen lamp 34 for heating is arranged below this. The light from the halogen lamp 34 is emitted from the quartz window 32 during the film forming process.
The back surface of the mounting table 26 is irradiated therethrough, and the light energy indirectly heats the wafer W to a predetermined processing temperature.
【００３０】また、このハロゲンランプ３４は作動台３
５を介して光エネルギとして例えば紫外線を発する紫外
線ランプ３７に連結され、この作動台３５はエアシリン
ダの如きランプアクチュエータ３９の伸縮アームに接続
されて、このアクチュエータ３９を駆動することにより
必要に応じて上記２つのランプを上記クオーツウィンド
ウ３２の下方に選択的に位置させるようになっている。
すなわち、成膜処理時には、ウィンドウ３２の下方にハ
ロゲンランプ３４を位置させてウエハＷを加熱し、ま
た、クリーニング処理時にはウィンドウ３２の下方に上
記紫外線ランプ３７を位置させて紫外線によりクリーニ
ングガスを活性化させるようになっている。The halogen lamp 34 is mounted on the operating table 3
An ultraviolet lamp 37 that emits, for example, ultraviolet rays as light energy via 5 is connected to the telescopic arm of a lamp actuator 39, such as an air cylinder, and the operating table 35 is driven by the actuator 39 to drive the actuator 39 as needed. The two lamps are selectively positioned below the quartz window 32.
That is, during the film forming process, the halogen lamp 34 is positioned below the window 32 to heat the wafer W, and during the cleaning process, the ultraviolet lamp 37 is positioned below the window 32 to activate the cleaning gas by ultraviolet rays. It is designed to let you.
【００３１】上記処理容器２２の底部には、真空ポンプ
３６に接続された排気通路３８が接続されており、必要
に応じて処理容器２２内を真空引きするようになってい
る。この真空ポンプ３６と排気通路３８により真空排気
系４３が構成される。また、この排気通路３８には例え
ばヒーティングテープをその通路全体に渡って巻回する
ことにより形成された排気通路加熱手段４５が設けられ
ており、クリーニング時にこの通路を加熱し得るように
構成されている。An exhaust passage 38 connected to a vacuum pump 36 is connected to the bottom of the processing container 22 so that the inside of the processing container 22 can be evacuated if necessary. The vacuum pump 36 and the exhaust passage 38 constitute a vacuum exhaust system 43. Further, the exhaust passage 38 is provided with an exhaust passage heating means 45 formed by, for example, winding a heating tape all over the passage, so that the passage can be heated during cleaning. ing.
【００３２】一方、処理容器２２の天井部には、処理ガ
ス供給ヘッダ４０を装着するための例えば円形の装着孔
４１が設けられており、この装着孔４１には例えばアル
ミニウムにより円筒状に成形された処理ガス供給ヘッダ
４０が挿入され、その周辺部に形成したフランジ部４２
を、Ｏリング４４を介して天井部の円周縁に支持させて
気密に取り付け固定している。On the other hand, the ceiling of the processing container 22 is provided with, for example, a circular mounting hole 41 for mounting the processing gas supply header 40, and the mounting hole 41 is formed of aluminum into a cylindrical shape. The processing gas supply header 40 is inserted and the flange portion 42 formed in the peripheral portion thereof is formed.
Is supported on the circumferential edge of the ceiling through an O-ring 44 and is airtightly attached and fixed.
【００３３】この供給ヘッダ４０の上部には処理ガスを
供給するための処理ガス供給系５４と、ＣｌＦ、ＣｌＦ
3 、ＣｌＦ5 等のＣｌＦ系のガスをクリーニングガスと
して供給するためのクリーニングガス供給系５６がそれ
ぞれ別個独立させて接続されている。この供給ヘッダ４
０内には、図示例にあっては水平に配置させてその上方
より仕切板４６、拡散板４８及び整流板５０が順次設け
られて３つの部屋５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃに区画されて
いる。A processing gas supply system 54 for supplying a processing gas, ClF, and ClF are provided on the upper portion of the supply header 40.
A cleaning gas supply system 56 for supplying a ClF-based gas such as 3 , ClF 5 or the like as a cleaning gas is separately and independently connected. This supply header 4
In the example shown in FIG. 0, a partition plate 46, a diffusion plate 48, and a rectifying plate 50 are arranged horizontally from above and are divided into three chambers 52A, 52B, and 52C.
【００３４】仕切板４６の中央部には１つの連通孔４６
Ａが形成され、拡散板４８には、多数の拡散孔４８Ａが
その全面に渡って分散させて形成され、更に整流板５０
には多数の整流孔５０Ａがその全面に渡って分散させて
形成されている。この場合、拡散孔４８Ａの直径は０．
２〜１．５ｍｍ程度の範囲に設定されて少ない密度で分
散されているに対して整流孔５０Ａの直径は拡散孔４８
Ａよりも大きい０．５〜２．０ｍｍ程度の範囲に設定さ
れて大きな密度で分散されている。また、連通孔４６Ａ
の直径は０．５〜３．０ｍｍ程度の範囲に設定されてい
る。従って、孔径と孔の分布を変化させることによって
上下の各部屋に渡って差圧を持たせ、局所的に導入した
複数の処理ガスを均等に混合し、且つウエハ表面上に均
等に供給するようになっている。そのために、ウエハＷ
の直径が約２００ｍｍである場合には、整流板５０の直
径はこれよりも少し大きい値、例えば２２０〜２３０ｍ
ｍ程度に設定される。尚、これら拡散板４８或いは整流
板５０は、更に数を増やして多段に設けるようにしても
よい。上記供給ヘッダ４０の内外面、仕切板４６、拡散
板４８、整流板５０及び処理容器２２の内面は、クリー
ニング時にＣｌＦ系ガスが吸着することを防止するため
の表面研磨処理が施されている。One communication hole 46 is provided at the center of the partition plate 46.
A is formed, and a large number of diffusion holes 48A are dispersed and formed on the entire surface of the diffusion plate 48.
A large number of straightening holes 50A are formed over the entire surface in a distributed manner. In this case, the diameter of the diffusion hole 48A is 0.
The diameter of the straightening hole 50A is set to a range of about 2 to 1.5 mm and dispersed at a low density, while the diameter of the straightening hole 50A is the diffusion hole 48A.
It is set in the range of 0.5 to 2.0 mm, which is larger than A, and dispersed with a large density. Also, the communication hole 46A
Has a diameter of 0.5 to 3.0 mm. Therefore, by changing the hole diameter and the distribution of the holes, a differential pressure is provided across the upper and lower chambers so that a plurality of locally introduced process gases are uniformly mixed and are evenly supplied onto the wafer surface. It has become. Therefore, the wafer W
Is about 200 mm, the diameter of the rectifying plate 50 is slightly larger than this, for example, 220 to 230 m.
It is set to about m. The diffusing plates 48 or the straightening plates 50 may be provided in multiple stages by further increasing the number. The inner and outer surfaces of the supply header 40, the partition plate 46, the diffusion plate 48, the rectifying plate 50, and the inner surface of the processing container 22 are surface-polished to prevent ClF-based gas from being adsorbed during cleaning.
【００３５】上記処理ガス供給系５４は、本実施例にお
いてはタングステン膜を形成することから２種類の処理
ガスを導入するために供給ヘッダ４０に接続された第１
及び第２の処理ガス導入ポート５８、６０を有してお
り、これら各ポートにはそれぞれ第１及び第２のポート
開閉弁５８Ａ、６０Ａが介設されている。第１及び第２
の処理ガス導入ポート５８、６０にそれぞれ接続される
第１及び第２の処理ガス導入通路６２、６４は、途中に
それぞれ流量調整弁としての第１及び第２のマスフロー
コントローラ６６Ａ、６６Ｂ及び第１及び第２の開閉弁
６８Ａ、６８Ｂを介して第１及び第２の処理ガス源７０
Ａ、７０Ｂにそれぞれ接続されている。本実施例におい
ては、第１の処理ガスとしてＷＦ6 が、第２の処理ガス
としてＨ2、Ｓｉ2 Ｈ4 及びＳｉ2 Ｈ6 のいずれかが使
用される。図示例にあってはＳｉＨ4 が示される。Since the processing gas supply system 54 forms a tungsten film in this embodiment, the first processing gas supply system 54 is connected to the supply header 40 to introduce two kinds of processing gases.
And second processing gas introduction ports 58 and 60, and first and second port opening / closing valves 58A and 60A are provided in these ports, respectively. First and second
The first and second processing gas introducing passages 62 and 64 connected to the processing gas introducing ports 58 and 60 of the first and second mass flow controllers 66A and 66B and the first and second mass flow controllers 66A and 66B, respectively, which serve as flow rate adjusting valves, are provided on the way. And the first and second processing gas sources 70 via the second on-off valves 68A and 68B.
A and 70B, respectively. In this embodiment, WF 6 is used as the first processing gas, and any one of H 2 , Si 2 H 4, and Si 2 H 6 is used as the second processing gas. SiH 4 is shown in the illustrated example.
【００３６】また、上記第１及び第２の処理ガス導入通
路６２、６４にはそれぞれ途中で分岐路７２Ａ、７２Ｂ
が形成されており、各分岐路７２Ａ、７２Ｂにはそれぞ
れ第３及び第４のマスフローコントローラ６６Ｃ、６６
Ｄ及び第３及び第４の開閉弁６８Ｃ、６８Ｄが介設され
て、それぞれ不活性ガス源として第１の窒素源７４Ａに
共通に接続され、後述するようにクリーニング時に不活
性ガスを流すようになっている。Further, branch paths 72A and 72B are provided in the first and second process gas introduction paths 62 and 64, respectively, on the way.
Is formed, and the third and fourth mass flow controllers 66C and 66 are respectively provided in the branch paths 72A and 72B.
D and third and fourth opening / closing valves 68C, 68D are interposed and commonly connected to the first nitrogen source 74A as an inert gas source, respectively, so that an inert gas may flow during cleaning as described later. Has become.
【００３７】一方、上記クリーニンガス供給系５６は、
供給ヘッダ４０に接続されたクリーニングガス導入ポー
ト７６を有しており、このポート７６にはクリーニング
ガスポート開閉弁７６Ａが介設されている。このクリー
ニングガス導入ポート７６に接続されるクリーニングガ
ス導入通路７８は途中に流量調整弁としての第５のマス
フローコントローラ６６Ｅ及び第５の開閉弁６８Ｅを介
してクリーニングガス源８０に接続されており、クリー
ニングガスとしてＣｌＦ系のガス、例えばＣｌＦ3 ガス
をバブリングにより気化させて供給し得るようになって
いる。上記クリーニングガス導入通路７８は途中で分岐
路７２Ｃが形成されており、この分岐路７２Ｃには第６
のマスフローコントローラ６６Ｆ及び第６の開閉弁６８
Ｆを介して第２の窒素源７４Ｂが接続され、必要に応じ
てクリーニングガスを希釈して濃度を制御し得るように
構成される。そして、上記各マスフローコントローラ、
開閉弁等は、例えばマイクロプロセッサ等よりなる制御
部８２により予め記憶されたプログラムに基づいて制御
される。On the other hand, the cleaning gas supply system 56 is
It has a cleaning gas introduction port 76 connected to the supply header 40, and a cleaning gas port opening / closing valve 76A is provided in this port 76. The cleaning gas introduction passage 78 connected to the cleaning gas introduction port 76 is connected to the cleaning gas source 80 via a fifth mass flow controller 66E as a flow rate adjusting valve and a fifth opening / closing valve 68E on the way, and cleaning is performed. A ClF-based gas such as ClF 3 gas can be vaporized and supplied by bubbling. A branch passage 72C is formed in the middle of the cleaning gas introducing passage 78, and a sixth passage 72C is formed in the branch passage 72C.
Mass flow controller 66F and sixth on-off valve 68
The second nitrogen source 74B is connected via F, and is configured so that the cleaning gas can be diluted and the concentration can be controlled if necessary. And each of the above mass flow controllers,
The on-off valve and the like are controlled by a control unit 82 including, for example, a microprocessor based on a program stored in advance.
【００３８】ところで、クリーニングガスとして用いる
ＣｌＦ系ガス、例えばＣｌＦ3 は沸点が＋１７℃程度で
あり、室温（＋２５℃）では液化してしまう。従って、
供給時には液体ＣｌＦ3 を加熱しつつバブリングによっ
て気化させて供給するのであるが、供給系路においてこ
のガスが液化すると供給系路を回復させるために多くの
時間を費やしてしまって装置の稼働率が低下する。そこ
で、このクリーニングガスの液化を防止するためにクリ
ーニングガス導入通路７８には例えばヒーティングテー
プをその通路全体に渡って巻回することによって形成さ
れた液化防止用加熱手段８４が設けられており、ガスの
流れ方向に沿って次第に温度を高くするようにして温度
勾配がつけられる。By the way, the boiling point of ClF-based gas used as a cleaning gas, for example, ClF 3, is about + 17 ° C., and it liquefies at room temperature (+ 25 ° C.). Therefore,
At the time of supply, liquid ClF 3 is vaporized and supplied by bubbling while heating, but if this gas is liquefied in the supply system passage, it will take a lot of time to restore the supply system passage, and the operating rate of the device will increase. descend. Therefore, in order to prevent the cleaning gas from being liquefied, the cleaning gas introducing passage 78 is provided with a liquefaction preventing heating means 84 formed by, for example, winding a heating tape all over the passage, A temperature gradient is created by gradually increasing the temperature along the gas flow direction.
【００３９】一方、処理容器２２の内壁面や処理ガス供
給ヘッダ４０の内外壁面は、ＣｌＦ3 ガスの付着を防止
するために表面研磨処理されているとはいえ、付着を完
全に防止し得るものではない。そこで、ＣｌＦ3 ガスの
付着をできるだけ防止するために、図１及び図４に示す
ように処理ガス供給ヘッダ４０にはヘッダ加熱手段９４
が設けられている。このヘッダ加熱手段９４はヘッダ側
壁全体に渡って形成した媒体通路９６とセラミックヒー
タ９８とにより形成されており、媒体通路９６には最高
温度で１００℃の温水を流し、それ以上の温度に加熱し
たい場合にはセラミックヒータ９８に通電することによ
り例えば１００℃〜２００℃程度の範囲まで加熱するよ
うになっている。On the other hand, although the inner wall surface of the processing container 22 and the inner and outer wall surfaces of the processing gas supply header 40 are surface-polished in order to prevent ClF 3 gas from adhering, they can be completely prevented from adhering. is not. Therefore, in order to prevent the ClF 3 gas from adhering as much as possible, a header heating means 94 is provided in the processing gas supply header 40 as shown in FIGS.
Is provided. The header heating means 94 is formed of a medium passage 96 and a ceramic heater 98 formed over the entire header side wall, and hot water of 100 ° C. at a maximum temperature is allowed to flow through the medium passage 96 to heat it to a higher temperature. In this case, the ceramic heater 98 is energized to heat up to, for example, a range of about 100 ° C to 200 ° C.
【００４０】また、この媒体通路９６は導入側で温水側
と冷水側に２つに分岐され、制御部８２からの指令によ
り切替弁１００、１０２を操作することにより温水と冷
水を必要に応じて択一的に流し得るように構成されてお
り、成膜時には冷水を流すことによりヘッダ４０を冷却
してこれに成膜されることを防止している。The medium passage 96 is branched into two parts, a hot water side and a cold water side on the introduction side, and hot water and cold water are supplied as necessary by operating the switching valves 100 and 102 in response to a command from the control section 82. The header 40 is cooled by flowing cold water at the time of film formation to prevent the header 40 from being film-formed.
【００４１】また、処理容器２２の壁部にも、上記した
ヘッダ加熱手段９４と同様な構成の壁部加熱手段１０１
が設けられ、この加熱手段１０１もセラミックヒータ１
０４及び媒体通路１０６により構成されて、この内壁面
への成膜及びクリーニング時のＣｌＦ3 ガスの付着を阻
止するようになっている。The wall heating means 101 having the same structure as the header heating means 94 is also provided on the wall of the processing container 22.
The heating means 101 is also provided with a ceramic heater 1.
04 and the medium passage 106 to prevent ClF 3 gas from adhering to the inner wall surface during film formation and cleaning.
【００４２】また、本実施例にあっては、クリーニング
ガスとしてＣｌＦ系のガスを使用することからこのガス
に晒される部分、例えば処理容器２２や、処理容器２２
内のウエハ載置台２６や静電チャック３０等は、ＣｌＦ
系ガス耐腐食性材料で構成し、耐腐食性温度で用いなけ
ればならない。Further, in the present embodiment, since the ClF gas is used as the cleaning gas, the portion exposed to this gas, for example, the processing container 22 or the processing container 22.
The wafer mounting table 26 and the electrostatic chuck 30 in the inside are made of ClF.
It must be composed of a system gas corrosion resistant material and must be used at a corrosion resistant temperature.
【００４３】このような材料としては、ポリイミド、シ
リコンゴムは、使用することはできず、ＳｉＣ、セラミ
ック系材料、テフロン、アルミナセラミック、石英ガラ
ス（２００℃以下）、カーボン（３００℃以下）等を使
用することができる。上記材料、例えば石英ガラスで静
電チャックを形成する場合には導電膜を石英ガラスによ
りサンドイッチ状に挟み込むように形成する。また、こ
の他の材料としては表１に示すような材料も使用するこ
とができる。Polyimide and silicone rubber cannot be used as such materials, and SiC, ceramic materials, Teflon, alumina ceramics, quartz glass (200 ° C. or less), carbon (300 ° C. or less), etc. Can be used. When the electrostatic chuck is formed of the above material, for example, quartz glass, the conductive film is formed so as to be sandwiched by quartz glass. Further, as the other materials, the materials shown in Table 1 can also be used.
【００４４】[0044]
【表１】 [Table 1]
【００４５】そして、図１に示すように他の真空処理装
置２Ｂ、２Ｃも第１の真空処理装置２Ａと略同様に構成
され、すなわち処理ガス供給系１０８とクリーニングガ
ス供給系１１０が別個に設けられ、処理ガス供給ヘッダ
にはヘッダ加熱手段が、処理容器には同様な壁部加熱手
段（図示せず）が設けられている。尚、１１２は第１の
真空処理装置２Ａに接続した真空排気系４３と同様に構
成された真空排気系である。Further, as shown in FIG. 1, the other vacuum processing apparatuses 2B and 2C are also constructed in substantially the same manner as the first vacuum processing apparatus 2A, that is, the processing gas supply system 108 and the cleaning gas supply system 110 are provided separately. The processing gas supply header is provided with header heating means, and the processing container is provided with similar wall heating means (not shown). Incidentally, 112 is a vacuum exhaust system configured in the same manner as the vacuum exhaust system 43 connected to the first vacuum processing apparatus 2A.
【００４６】ところで、クリーニング操作を行う場合に
は、各真空処理装置２Ａ〜２Ｃのみならず処理装置集合
体全体、すなわち第１及び第２移載室８、４、第１及び
第２の予備真空室６Ａ、６Ｂ及び第１及び第２のカセッ
ト室１０Ａ、１０Ｂも同様に或いは個別に行うことから
各室にも第１の真空処理装置２Ａに接続されたクリーニ
ングガス供給系５２と同様に構成されたクリーニングガ
ス供給系１１４や真空排気系１１６がそれぞれ接続され
ている。また、各室には、図示されないが、不活性ガス
を室内へ供給するためのガス供給管も接続されている。By the way, when performing the cleaning operation, not only each of the vacuum processing apparatuses 2A to 2C but also the entire processing apparatus assembly, that is, the first and second transfer chambers 8, 4, the first and second preliminary vacuums. Since the chambers 6A, 6B and the first and second cassette chambers 10A, 10B are also performed individually or individually, each chamber is configured similarly to the cleaning gas supply system 52 connected to the first vacuum processing apparatus 2A. A cleaning gas supply system 114 and a vacuum exhaust system 116 are connected to each other. Although not shown, a gas supply pipe for supplying an inert gas into the chambers is also connected to each chamber.
【００４７】また、各室を区画する壁面や、第１及び第
２の移載室８、４内のアーム状の第１及び第２の移載手
段１６、２０にも加熱ヒータ（図示せず）がそれぞれ埋
め込まれて、クリーニング時のＣｌＦ系ガスの付着を防
止している。そして、これら各室における部材もＣｌＦ
系ガスに耐腐食性のある前述した材料により構成する。
例えば、搬送アームなどは加熱ヒータとしてセラミック
ヒータを埋め込んだテフロンにより構成される。Further, a heater (not shown) is also provided on the wall surface that divides each chamber and the arm-shaped first and second transfer means 16 and 20 in the first and second transfer chambers 8 and 4. ) Are embedded respectively to prevent the ClF-based gas from adhering during cleaning. And the members in each of these chambers are also ClF.
It is made of the above-mentioned material having a corrosion resistance to the system gas.
For example, the transfer arm is composed of Teflon with a ceramic heater embedded as a heater.
【００４８】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、ウエハＷを例えば２５枚
収容したカセット１４が搬出入ロボット１５により第１
のカセット室１０Ａ内のカセットステージ１２上に載置
され、続いてゲートドアＧ３を閉じて室内を不活性ガス
雰囲気にする。Next, the operation of this embodiment configured as described above will be described. First, the cassette 14 containing, for example, 25 wafers W
Is placed on the cassette stage 12 in the cassette chamber 10A, and then the gate door G3 is closed to create an inert gas atmosphere in the chamber.
【００４９】次に、ゲートバルブＧ１を開き、カセット
１４内のウエハＷが第１の移載手段１６のアームに真空
吸着され、予め不活性ガス雰囲気にされている第１の移
載室８内にウエハを搬入する。ここで回転ステージ１８
によりウエハＷのオリフラ合わせ及び中心位置合わせが
行われる。Next, the gate valve G1 is opened, the wafer W in the cassette 14 is vacuum-adsorbed by the arm of the first transfer means 16, and the inside of the first transfer chamber 8 is in the inert gas atmosphere in advance. The wafer is loaded into. Here the rotary stage 18
Thus, the orientation flat alignment and the center alignment of the wafer W are performed.
【００５０】位置合わせ後のウエハＷは、予め大気圧の
不活性ガス雰囲気になされている第１の予備真空室６Ａ
内に搬入された後、ゲートバルブＧ５を閉じ、例えばこ
の真空室６Ａ内を１０-3〜１０-6Ｔｏｒｒまで真空引き
し、これと共に３０〜６０秒間で５００℃程度にウエハ
Ｗを予備加熱する。また、続いて搬入されてきた未処理
のウエハＷは、同様にして第２の予備真空室６Ｂに搬入
され、予備加熱される。The wafer W after the alignment is placed in the first preliminary vacuum chamber 6A which has been previously placed in an inert gas atmosphere at atmospheric pressure.
After being carried in, the gate valve G5 is closed and, for example, the inside of the vacuum chamber 6A is evacuated to 10 −3 to 10 −6 Torr, and together with this, the wafer W is preheated to about 500 ° C. for 30 to 60 seconds. . Further, the unprocessed wafer W that is subsequently carried in is similarly carried into the second preliminary vacuum chamber 6B and preheated.
【００５１】予備加熱後のウエハＷは、ゲートバルブＧ
７を開いて予め１０-7〜１０-8Ｔｏｏｒ程度の真空度に
減圧された第２の移載室４の第２の移載手段２０のアー
ムにより保持されて取り出され、所望の処理を行うべく
予め減圧雰囲気になされた所定の真空処理装置内へロー
ドされる。After preheating, the wafer W has a gate valve G
7 is opened and held and taken out by the arm of the second transfer means 20 of the second transfer chamber 4, which has been depressurized to a vacuum degree of about 10 −7 to 10 −8 Toor in advance, and the desired processing is performed. Therefore, it is loaded into a predetermined vacuum processing apparatus which has been previously made into a reduced pressure atmosphere.
【００５２】また、一連の処理が完了した処理済みのウ
エハＷは、第２の移載手段２０により保持されて真空処
理装置から取り出され、空き状態となった第１の予備真
空室６Ａ内に収容される。そして、この処理済みのウエ
ハＷは、この真空室６Ａ内で所定の温度まで冷却された
後、前述したと逆の操作により処理済みのウエハを収容
する第２のカセット室１０Ｂ内のウエハカセット１４に
収容する。The processed wafer W, which has been subjected to a series of processes, is held by the second transfer means 20 and taken out from the vacuum processing apparatus, and is placed in the empty first preliminary vacuum chamber 6A. Be accommodated. Then, the processed wafer W is cooled to a predetermined temperature in the vacuum chamber 6A, and then the wafer cassette 14 in the second cassette chamber 10B for accommodating the processed wafer is reversely operated. To house.
【００５３】そして、上記予備加熱されたウエハＷは、
予めプログラムされた所望の順序に従って順次、成膜処
理やエッチング処理が行われる。例えば、まず、第１の
真空処理装置２Ａにて例えばタングステン膜の成膜を行
い、次に、第３の真空処理装置２Ｃにてタングステン膜
のエッチバックを行い、更に、第２の真空処理装置２Ｂ
にて例えばチタンの成膜を行い、全体の処理を完了す
る。Then, the preheated wafer W is
The film forming process and the etching process are sequentially performed according to a desired sequence programmed in advance. For example, first, for example, a tungsten film is formed by the first vacuum processing apparatus 2A, then the tungsten film is etched back by the third vacuum processing apparatus 2C, and further, the second vacuum processing apparatus is performed. 2B
At, for example, a titanium film is formed, and the whole process is completed.
【００５４】ここで、第１の真空処理装置２Ａにおける
タングステン膜の成膜操作について図３も参照しつつ説
明する。まず、制御部８２からの指令によりランプアク
チュエータ３９を駆動し、加熱用のハロゲンランプ３４
をクォーツウィンドウ３２の下方に位置させておく。そ
して、ハロゲンランプ３４からの光エネルギによりウエ
ハ載置台２６を加熱することによりこの上に載置されて
いるウエハＷを所定の処理温度に維持し、これと同時に
真空排気系４３の真空ポンプ３６により真空処理室２４
内を真空引きしつつ第１の処理ガス源７０Ａから第１の
処理ガスを、第２の処理ガス源７０Ｂから第２の処理ガ
スを、それぞれ流量制御しながら処理室２４内へ導入し
て内部雰囲気を所定の処理圧力に維持し、成膜処理を行
う。Here, the film forming operation of the tungsten film in the first vacuum processing apparatus 2A will be described with reference to FIG. First, the lamp actuator 39 is driven by a command from the control unit 82, and the halogen lamp 34 for heating is driven.
Is positioned below the quartz window 32. Then, the wafer mounting table 26 is heated by the light energy from the halogen lamp 34 to maintain the wafer W mounted thereon at a predetermined processing temperature, and at the same time, by the vacuum pump 36 of the vacuum exhaust system 43. Vacuum processing chamber 24
While the inside is evacuated, the first processing gas source 70A introduces the first processing gas and the second processing gas source 70B introduces the second processing gas into the processing chamber 24 while controlling their flow rates. A film forming process is performed while maintaining the atmosphere at a predetermined process pressure.
【００５５】本実施例では、例えば第１の処理ガスとし
てＷＦ6 が、第２の処理ガスとしてＳｉＨ4 が使用さ
れ、第１の窒素源７４からの窒素ガスにより所定の濃度
に希釈された或いは希釈されないＷＦ6 、ＳｉＨ4 がそ
れぞれ供給ヘッダ４０の最上段の混合室内へ導入され
る。混合室内へ導入された２種類の処理ガスはここで混
合されつつ仕切板４６の連通孔４６Ａを介してその下段
の拡散室へ導入される。この混合ガスは、拡散板４８の
拡散孔４８Ａを介してその下段の整流室へ導入され、そ
の後、整流板５０の整流孔５０Ａを介してウエハ表面全
体に渡って均一に処理ガスを供給する。この場合、ヘッ
ダに導入された処理ガスを複数の室で徐々に膨張させつ
つ混合させるようにしたので、２種類の処理ガスを均一
に混合することができ、しかも最下端の整流板５０の直
径をウエハＷの直径よりも僅かに大きく設定しているの
で、ウエハ表面全域に渡って混合処理ガスを均一に供給
することができる。In the present embodiment, for example, WF 6 is used as the first processing gas, SiH 4 is used as the second processing gas, and it is diluted to a predetermined concentration with the nitrogen gas from the first nitrogen source 74. The undiluted WF 6 and SiH 4 are respectively introduced into the uppermost mixing chamber of the supply header 40. The two types of processing gases introduced into the mixing chamber are mixed here and introduced into the diffusion chamber in the lower stage thereof through the communication holes 46A of the partition plate 46. The mixed gas is introduced into the lower flow straightening chamber through the diffusion holes 48A of the diffusion plate 48, and then the processing gas is uniformly supplied over the entire wafer surface through the straightening holes 50A of the straightening plate 50. In this case, since the process gas introduced into the header is gradually expanded and mixed in the plurality of chambers, the two kinds of process gases can be uniformly mixed, and the diameter of the lowermost straightening plate 50 can be evenly mixed. Is set to be slightly larger than the diameter of the wafer W, so that the mixed processing gas can be uniformly supplied over the entire surface of the wafer.
【００５６】成膜処理時に処理ガス供給ヘッダ４０の温
度や処理容器２２の内壁の温度が高くなると、反応生成
物がウエハ表面以外のこの壁面等にも成膜してしまう。
これを防止するために、プロセス中において供給ヘッダ
４０に設けたヘッダ加熱手段９４の媒体通路９６と処理
容器２２の壁部に設けた壁部加熱手段１０１の媒体通路
１０６にそれぞれ約１５℃程度の冷水よりなる冷媒を流
して供給ヘッダ４０や処理容器の壁部を冷却し、これら
に膜が形成されないようにしている。このような冷却操
作は、他の処理装置２Ｂ、２Ｃにおいてもプロセス中、
同様に行われており、不要部分への膜の付着を防止して
いる。If the temperature of the processing gas supply header 40 or the temperature of the inner wall of the processing container 22 becomes high during the film forming process, the reaction products will form a film on the wall surface other than the wafer surface.
In order to prevent this, the medium passage 96 of the header heating means 94 provided in the supply header 40 and the medium passage 106 of the wall heating means 101 provided in the wall portion of the processing container 22 are kept at about 15 ° C. during the process. A coolant made of cold water is flowed to cool the supply header 40 and the wall of the processing container so that no film is formed on them. Such a cooling operation is performed in the other processing devices 2B and 2C,
The same operation is performed to prevent the film from adhering to unnecessary portions.
【００５７】さてこのようにウエハＷの一連の処理を、
所定枚数、例えば１ロット（２５枚）行ったならば、各
処理装置内には僅かではあるが成膜が付着し、また、ウ
エハＷの搬送ルートにおいても処理済みウエハＷの受け
渡し時等に成膜が剥がれてパーティクルとなって浮遊し
ていたり底部に沈殿する傾向となる。従って、このよう
な欠陥の原因となる不要部分への成膜や成膜片を除去す
るために、クリーニング操作が行われる。このクリーニ
ング操作は、処理装置集合体全体を一度に行ってもよい
し、または、特定の真空処理装置や搬送ルートの特定の
部屋を個別に行うようにしてもよい。Now, the series of processing of the wafer W is performed as follows.
When a predetermined number of wafers, for example, one lot (25 wafers) have been formed, a small amount of film is deposited in each processing apparatus, and the wafer W transfer route is performed when the processed wafers W are transferred. The film peels off and becomes particles and floats or tends to settle on the bottom. Therefore, a cleaning operation is performed in order to remove a film or a film-deposited piece on an unnecessary portion that causes such a defect. This cleaning operation may be performed on the entire processing apparatus assembly at one time, or may be performed individually on a specific vacuum processing apparatus or a specific room of the transfer route.
【００５８】ここでは、まず、処理装置集合体全体を一
度にクリーニングする場合について説明する。成膜処理
の終了により各真空処理装置２Ａ〜２Ｃの各処理ガス供
給系５４、１０８の各開閉弁を閉じ、対応する処理装置
へ供給していた処理ガスの供給が停止されている。Here, first, a case where the entire processing apparatus assembly is cleaned at once will be described. Upon completion of the film forming process, the on-off valves of the processing gas supply systems 54 and 108 of the vacuum processing devices 2A to 2C are closed, and the supply of the processing gas that has been supplied to the corresponding processing device is stopped.
【００５９】この状態で各室間を気密に閉じている各ゲ
ートベンを開くと、各室間に存在していた差圧により内
部に好ましからず気流が発生し、例えばパーティクル等
の飛散の原因となる。そのために、各ゲートベンを閉じ
た状態で、すなわち各室個別の気密状態を維持した状態
でそれぞれの室に個別に不活性ガス、例えばＮ2 ガスを
流す。In this state, if the gatebens that are airtightly closed between the chambers are opened, an air flow is generated inside the chamber due to the pressure difference existing between the chambers, which may cause scattering of particles and the like. . For that purpose, an inert gas, for example, N 2 gas is made to flow into each chamber individually with each gate ben closed, that is, with each chamber being kept airtight.
【００６０】各真空処理装置２Ａ〜２Ｃの真空処理室に
Ｎ2 ガスを流す場合には、これに接続された各処理ガス
供給系５４、１０８に設けた第１の窒素源７４Ａ（図３
参照）や各クリーニングガス供給系５６、１１０に設け
た第２の窒素源から供給する。また、第１及び第２の移
載室８、４、第１及び第２のカセット室１０Ａ、１０Ｂ
及び第１及び第２の予備真空室６Ａ、６ＢにＮ2 ガスを
流す場合には、それぞれの室に接続した各クリーニング
ガス供給系１１６の希釈用の第２の窒素源７４Ｂ（図３
参照）から供給する。When N 2 gas is supplied to the vacuum processing chamber of each of the vacuum processing apparatuses 2A to 2C, the first nitrogen source 74A (FIG. 3) provided in each of the processing gas supply systems 54 and 108 connected thereto.
(See) and a second nitrogen source provided in each cleaning gas supply system 56, 110. In addition, the first and second transfer chambers 8 and 4, the first and second cassette chambers 10A and 10B.
When N 2 gas is supplied to the first and second preliminary vacuum chambers 6A and 6B, the second nitrogen source 74B for dilution of each cleaning gas supply system 116 connected to each chamber (see FIG. 3).
Source).
【００６１】このようにして各室内の圧力がＮ2 雰囲気
によりそれぞれ同圧、例えば大気圧になったならば、各
室間を区画しているゲートバルブＧ１、Ｇ２、Ｇ５〜Ｇ
１１を開状態とし、処理装置集合体内全体を連通させ、
１つの連通された空間とする。この状態では、カセット
室１０Ａ、１０ＢのゲートドアＧ３、Ｇ４はそれぞれ閉
じられており大気開放はされていない。In this way, when the pressure in each chamber becomes the same pressure by the N 2 atmosphere, for example, atmospheric pressure, the gate valves G1, G2, G5 to G5 partitioning the respective chambers from each other.
11 is opened, and the whole of the processing device assembly is communicated,
It is assumed that it is one open space. In this state, the gate doors G3 and G4 of the cassette chambers 10A and 10B are closed and not opened to the atmosphere.
【００６２】次に、この処理装置集合体にＣｌＦ系ガ
ス、例えばＣｌＦ3 ガスを含むクリーニングガスを流す
ことによりクリーニングを行う。この場合には、各真空
処理装置２Ａ〜２Ｃからクリーニングガスを供給しつつ
これを装置集合体全体に流し、下流側である両カセット
室１０Ａ、１０Ｂの各真空排気系１１６から系外へ排気
する。また、これと同時に各真空処理装置２Ａ〜２Ｃに
接続した真空排気系４３、１１２も駆動して各処理容器
内にクリーニングガスが充分に行き渡らすようにしても
よい。具体的には、各真空処理装置２Ａ〜２Ｃに接続し
たクリーニングガス供給系５６、１１０のクリーニング
ガス源８０（図３参照）からＣｌＦ3 ガスをバブリング
により発生させ、これを第５のマスフローコントローラ
６６Ｅにより流量制御しつつクリーニングガス導入通路
７８に流し、クリーニングガス導入ポート７６から処理
ガス供給ヘッダ４０内へ供給する。このクリーニングガ
スは供給ヘッダ４０内を流下して処理容器２２を流れ、
ヘッダ壁面や処理容器の内壁或いはウエハ載置台２６等
に付着している成膜や膜片と反応してこれを除去しつつ
ゲートバルブＧ９を介して第２の移載室４に流入する。
同様に、他の真空処理装置２Ｂ、２Ｃ内を流れて内部を
クリーニングしてきたＣｌＦ3 ガスもこの第２の移載室
４に流入し、ここで合流する。また、一部のクリーニン
グガスは各処理容器に接続した真空排気系からも排気さ
れる。Next, cleaning is carried out by flowing a cleaning gas containing a ClF-based gas, for example, ClF 3 gas, into the processing apparatus assembly. In this case, while supplying the cleaning gas from each of the vacuum processing apparatuses 2A to 2C, the cleaning gas is caused to flow through the entire apparatus assembly and is exhausted from the respective vacuum exhaust systems 116 of both cassette chambers 10A and 10B on the downstream side to the outside of the system. . At the same time, the vacuum exhaust systems 43 and 112 connected to the respective vacuum processing apparatuses 2A to 2C may be driven so that the cleaning gas is sufficiently distributed in the respective processing containers. Specifically, ClF 3 gas is generated by bubbling from the cleaning gas source 80 (see FIG. 3) of the cleaning gas supply systems 56 and 110 connected to each of the vacuum processing devices 2A to 2C, and this is generated by the fifth mass flow controller 66E. The flow rate is controlled to flow through the cleaning gas introduction passage 78 and is supplied from the cleaning gas introduction port 76 into the processing gas supply header 40. This cleaning gas flows down in the supply header 40 and flows in the processing container 22,
The film or film pieces attached to the header wall surface, the inner wall of the processing container, or the wafer mounting table 26 reacts with and removes the film pieces and flows into the second transfer chamber 4 through the gate valve G9.
Similarly, the ClF 3 gas that has flowed through the other vacuum processing devices 2B and 2C to clean the inside thereof also flows into the second transfer chamber 4 and joins here. Further, a part of the cleaning gas is also exhausted from the vacuum exhaust system connected to each processing container.
【００６３】この移載室４に流入して合流したＣｌＦ3
ガスは、次にゲートバルブＧ７、Ｇ８を介して第１及び
第２の予備真空室６Ａ、６Ｂに流れ、更に、ゲートバル
ブＧ５、Ｇ６を介して第１の移載室８に流入する。そし
て、次にこのＣｌＦ3 ガスはゲートバルブＧ１、Ｇ２を
介してそれぞれ第１のカセット室１０Ａと第２のカセッ
ト室１０Ｂに分岐して流れ、最終的に各カセット室の真
空排気系１１６、１１６から真空引きされて排出され
る。ClF 3 flowed into the transfer chamber 4 and merged
The gas then flows into the first and second preliminary vacuum chambers 6A and 6B through the gate valves G7 and G8, and further flows into the first transfer chamber 8 through the gate valves G5 and G6. Then, this ClF 3 gas branches and flows into the first cassette chamber 10A and the second cassette chamber 10B via the gate valves G1 and G2, respectively, and finally the vacuum exhaust systems 116 and 116 of the respective cassette chambers. Is evacuated and discharged.
【００６４】このようにしてクリーニングガスを流すこ
とにより、各処理容器内壁等に付着している成膜等は勿
論のこと、処理済ウエハ搬送途中において例えばウエハ
受け渡しの際に剥がれ落ちて移載室４、８、予備真空室
６Ａ、６Ｂ、カセット室１０Ａ、１０Ｂに浮遊している
膜片、或いは底部に沈降した膜片等を迅速に且つ効率的
にクリーニング除去することができる。従って、半導体
製品の歩留まりを大幅に向上させることが可能となる。By flowing the cleaning gas in this way, not only the film adhered to the inner wall of each processing container, etc. but also the transfer chamber is peeled off during the transfer of the processed wafer, for example, during the transfer of the wafer. 4, 8 and the preliminary vacuum chambers 6A, 6B, the film pieces floating in the cassette chambers 10A, 10B, or the film pieces settling at the bottom can be removed quickly and efficiently by cleaning. Therefore, the yield of semiconductor products can be significantly improved.
【００６５】この場合、各クリーニングガス供給系から
のＣｌＦ3 ガスの流量は例えば５リットル／分以下に設
定し、必要に応じてそれぞれの供給系の第２の窒素源７
４Ｂから窒素ガスを流量制御しつつ供給し、クリーニン
グガスを希釈する。また、このクリーニング時の内部の
圧力は例えば０．１〜１００Ｔｏｒｒの範囲内に設定す
る。In this case, the flow rate of ClF 3 gas from each cleaning gas supply system is set to, for example, 5 liters / minute or less, and if necessary, the second nitrogen source 7 of each supply system is supplied.
Nitrogen gas is supplied from 4B while controlling the flow rate to dilute the cleaning gas. Further, the internal pressure at the time of cleaning is set within a range of 0.1 to 100 Torr, for example.
【００６６】ここで、ＣｌＦ3 ガスがヘッダや処理容器
の内壁面、各移載室４、８、予備真空室６Ａ、６Ｂ、カ
セット室１０Ａ、１０Ｂの内壁等に付着していると、ク
リーニング処理後に引き続いて行われる、成膜時、或い
はウエハ搬送時に、壁面から分離したＣｌＦ3 ガスが成
膜中に取り込まれ、欠陥の原因となる。If ClF 3 gas adheres to the inner wall surface of the header or the processing container, the transfer chambers 4 and 8, the preliminary vacuum chambers 6A and 6B, and the inner walls of the cassette chambers 10A and 10B, the cleaning process is performed. At the time of film formation or wafer transfer, which is subsequently performed, ClF 3 gas separated from the wall surface is taken into the film formation and causes defects.
【００６７】そこで、ＣｌＦ3 ガスの壁面への付着を防
止するために各部分は加熱される。すなわち、図３を例
にとると供給ヘッダ４０に設けたヘッダ加熱手段９４の
媒体通路９６及び処理容器２４の壁部に設けた壁部加熱
手段１０１の媒体通路１０４に例えば８０℃程度の温水
よりなる熱媒体を流し、ヘッダ４０や処理容器２２を加
熱する。この場合、更に加熱する時にはヘッダに設けた
セラミックヒータ９８や処理容器の壁部に設けたセラミ
ックヒータ１０６に通電し、クリーニング温度を高く設
定する。この時のクリーニング温度は、例えばＣｌＦ3
ガスの沸点温度である＋１７℃〜＋７００℃の範囲内で
設定する。Therefore, each part is heated in order to prevent the ClF 3 gas from adhering to the wall surface. That is, taking FIG. 3 as an example, the medium passage 96 of the header heating means 94 provided in the supply header 40 and the medium passage 104 of the wall heating means 101 provided in the wall portion of the processing container 24 are filled with warm water of about 80 ° C., for example. Then, the header 40 and the processing container 22 are heated. In this case, when heating is further performed, the ceramic heater 98 provided on the header and the ceramic heater 106 provided on the wall of the processing container are energized to set the cleaning temperature high. The cleaning temperature at this time is, for example, ClF 3
It is set within the range of + 17 ° C. to + 700 ° C., which is the boiling temperature of the gas.
【００６８】また、クリーニング操作を行う場合には、
図５に示すように処理容器２２の下方に設けたランプア
クチュエータ３９を駆動して紫外線ランプ３７をクオー
ツウィンドウ３２の下方に位置させる。そして、この紫
外線ランプ３７から光エネルギとして紫外線ＵＶをクオ
ーツウィンドウ３２を介して処理容器２２内へ照射す
る。尚、この実施例においてはウエハ載置台２６が取り
外された状態を示している。When performing the cleaning operation,
As shown in FIG. 5, the lamp actuator 39 provided below the processing container 22 is driven to position the ultraviolet lamp 37 below the quartz window 32. Then, the UV lamp 37 irradiates UV UV as light energy into the processing container 22 through the quartz window 32. In this embodiment, the wafer mounting table 26 is removed.
【００６９】照射された紫外線ＵＶは、処理容器２２内
を流れるクリーニングガスにエネルギを与えてこれを活
性化し、クリーニングガスのクリーニングレート乃至エ
ッチングレートを向上させる。これにより、処理容器２
２に付着した成膜を略完全に除去することができ、クリ
ーニング操作を効率的に且つ迅速に行うことができる。
この紫外線量はクリーニングされるべき所の膜厚の差に
応じて変化させ、特に、高いプロセス温度の所に集中的
に紫外線の量を多く照射するように設定する。このよう
に、クリーニング時に光エネルギを照射することによ
り、クリーニングガスが活性化されて、供給ヘッダ４０
の外周面や処理容器２２の内壁面に付着した成膜を一層
効率的に除去することができる。The applied ultraviolet rays UV give energy to the cleaning gas flowing in the processing container 22 to activate it, and improve the cleaning rate or etching rate of the cleaning gas. Thereby, the processing container 2
The film deposited on 2 can be removed almost completely, and the cleaning operation can be performed efficiently and quickly.
The amount of this ultraviolet ray is changed according to the difference in the film thickness at the place to be cleaned, and in particular, it is set so that a large amount of the ultraviolet ray is intensively applied to the place where the process temperature is high. Thus, by irradiating the light energy during cleaning, the cleaning gas is activated and the supply header 40
It is possible to more efficiently remove the film formed on the outer peripheral surface of the substrate or the inner wall surface of the processing container 22.
【００７０】また、図５においてはウエハ載置台２６を
取り外した状態でクリーニングを行っているが、これを
設けた状態で紫外線ＵＶを照射してクリーニングを行う
ようにしてもよい。これによればウエハ載置台２６の裏
面側を特に高い効率でクリーニングすることが可能とな
る。この実施例においては、処理容器２２内の底部から
紫外線ＵＶを照射するようにしたが、これに限定され
ず、例えば処理容器２２の側壁等から紫外線を照射する
ようにしてもよい。Further, in FIG. 5, the cleaning is carried out with the wafer mounting table 26 removed, but the cleaning may be carried out by irradiating ultraviolet rays UV with the wafer mounting table 26 provided. According to this, it becomes possible to clean the back surface side of the wafer mounting table 26 with particularly high efficiency. In this embodiment, the ultraviolet rays UV are irradiated from the bottom of the processing container 22, but the invention is not limited to this, and the ultraviolet rays may be irradiated from the side wall of the processing container 22, for example.
【００７１】そして、このクリーニング操作中において
は、各真空処理室に接続した真空排気系４３、１１２も
駆動してクリーニングガスの一部を排気しているが、こ
の時、排気通路加熱手段４５を駆動することにより排気
通路３８の全体も加熱する。これにより、成膜時にこの
排気通路３８内に付着した成膜も効率的に除去すること
ができ、従って、処理室内をクリーニングすると同時に
排気系のクリーニングも行うことができる。特に、排気
通路３８は、この加熱手段４５により室温よりも高い温
度、例えば５０〜２００℃程度に加熱されるので、成膜
の除去も効率的に行うことができる。During this cleaning operation, the vacuum exhaust systems 43 and 112 connected to the respective vacuum processing chambers are also driven to exhaust a part of the cleaning gas. At this time, the exhaust passage heating means 45 is used. By driving, the entire exhaust passage 38 is also heated. As a result, the film deposited on the exhaust passage 38 at the time of film formation can be efficiently removed, and therefore, the exhaust chamber can be cleaned at the same time as cleaning the inside of the processing chamber. In particular, since the exhaust passage 38 is heated by the heating means 45 to a temperature higher than room temperature, for example, about 50 to 200 ° C., the film formation can be efficiently removed.
【００７２】このようなクリーニング中における一連の
加熱は他の真空処理装置２Ｂ、２Ｃでも他の室において
も上記したと同様に行われる。すなわち、真空処理装置
２Ｂ、２Ｃにおいては第１の真空処理装置２Ａと同様に
ヘッダ加熱手段や壁部加熱手段１１１を駆動することに
より全体を加熱し、また各移載室、予備真空室、カセッ
ト室においてはそれぞれの壁部に設けた各加熱ヒータを
駆動することにより、そして、各アーム状の移載手段１
８、２０にはそれぞれに設けた加熱ヒータを駆動するこ
とにより全体を前記した所定の温度範囲内で加熱する。
この場合、加熱温度は、使用される材質がＣｌＦ3 ガス
に対して耐腐食性を発揮し得る温度範囲に設定するのは
勿論である。A series of heatings during such cleaning is performed in the other vacuum processing apparatuses 2B, 2C and other chambers in the same manner as described above. That is, in the vacuum processing apparatuses 2B and 2C, the header heating means and the wall heating means 111 are driven to heat the whole as in the first vacuum processing apparatus 2A, and the transfer chambers, the preliminary vacuum chambers, and the cassettes are heated. In the chamber, by driving each heater provided on each wall, and each arm-shaped transfer means 1
The heaters 8 and 20 are respectively driven to heat the whole within the above-mentioned predetermined temperature range.
In this case, it goes without saying that the heating temperature is set to a temperature range in which the material used can exhibit corrosion resistance to ClF 3 gas.
【００７３】このようにクリーニング操作中に処理装置
の供給ヘッダや処理容器壁面、移載室、予備真空室、カ
セット室の壁面等を加熱するようにしたので、クリーニ
ングガスがその壁面等に吸着することがなくなり、従っ
て、クリーニング終了後に再開される成膜処理において
成膜中に欠陥の原因となるＣｌＦ3 ガスが取り込まれる
ことがなく、歩留まりを大幅に向上させることが可能と
なる。As described above, during the cleaning operation, the supply header of the processing apparatus, the wall surface of the processing container, the transfer chamber, the preliminary vacuum chamber, the wall surface of the cassette chamber and the like are heated, so that the cleaning gas is adsorbed to the wall surface and the like. Therefore, the ClF 3 gas that causes defects during film formation is not taken in during the film formation process restarted after the cleaning is completed, and the yield can be significantly improved.
【００７４】また、各真空処理装置２Ａ〜２Ｃにおい
て、このクリーニングガスを流すと同時に、各処理ガス
供給系５４、１０８に設けた第１の窒素源７４Ａから不
活性ガスとして窒素ガスを第１及び第２の処理ガス導入
通路６２、６４の相方を介して供給ヘッダ４０内へ供給
する。この場合、窒素ガスの供給圧力は、クリーニング
ガスの供給圧力よりも僅かに高く設定し、クリーニング
ガスが第１及び第２の処理ガス導入ポート５８、６０に
逆流してこないようにする。このように、クリーニング
処理中に各処理ガス供給系５４に不活性ガスを流すこと
により、クリーニングガスが第１及び第２の処理ガス導
入ポート５８、６０の内面或いはそれ以上逆流して処理
ガス導入通路６２、６４の内面に付着することを防止す
ることができる。従って、クリーニング終了後に再開さ
れる成膜処理時において成膜中にＣｌＦ3 ガスが取り込
まれることがなく、上記した理由と相俟って歩留まりを
一層向上させることができる。Further, in each of the vacuum processing apparatuses 2A to 2C, at the same time when this cleaning gas is made to flow, at the same time as the first nitrogen source 74A provided in each of the processing gas supply systems 54 and 108, nitrogen gas is supplied as an inert gas to the first and second nitrogen gases. The gas is supplied into the supply header 40 via the second process gas introduction passages 62 and 64. In this case, the supply pressure of the nitrogen gas is set to be slightly higher than the supply pressure of the cleaning gas so that the cleaning gas does not flow back to the first and second processing gas introduction ports 58 and 60. As described above, by flowing the inert gas into each processing gas supply system 54 during the cleaning process, the cleaning gas flows backward through the inner surfaces of the first and second processing gas introduction ports 58 and 60 or more to introduce the processing gas. It is possible to prevent the adhesion to the inner surfaces of the passages 62 and 64. Therefore, the ClF 3 gas is not taken in during the film formation process which is restarted after the cleaning is completed, and the yield can be further improved in combination with the above reason.
【００７５】そして、このように所定の時間だけクリー
ニング操作を行って完了したならば、引き続いて行われ
る成膜処理のために各室内に残留しているＣｌＦ3 ガス
を確実に排出しなければならない。そこで、本実施例で
は、不活性ガスとして例えば窒素（Ｎ2 ）ガスの供給・
停止を複数回繰り返して行う。すなわち、各室の真空排
気系４３、１１２、１１６をその能力一杯で駆動して真
空引きしながら、図６に示すようにＮ2 ガスの供給及び
停止を約１０回繰り返して行う。例えばＮ2 ガス供給期
間Ｔ１は約１０〜３０秒程度に設定し、供給停止期間Ｔ
２は約３０〜６０秒程度に設定し、これを１０回程度繰
り返して行う。尚、この間は、真空引きは継続して行わ
れている。Ｎ2 ガスの供給は、各真空処理装置において
はクリーニングガス供給系の希釈用の窒素源７４Ｂや処
理ガス供給系の希釈用の窒素源７４Ａから開閉弁全開で
窒素ガスを供給し、また、その他の室ではクリーニング
ガス供給系１１４の希釈用の窒素源から窒素ガスを供給
する。When the cleaning operation is completed for a predetermined time in this way, the ClF 3 gas remaining in each chamber must be surely discharged for the subsequent film forming process. . Therefore, in this embodiment, as an inert gas, for example, nitrogen (N 2 ) gas is supplied.
Repeat the stop multiple times. That is, while the vacuum evacuation systems 43, 112, and 116 in each chamber are driven at their full capacity to evacuate, the supply and stop of N 2 gas is repeated about 10 times as shown in FIG. For example, the N 2 gas supply period T1 is set to about 10 to 30 seconds, and the supply stop period T
2 is set to about 30 to 60 seconds, and this is repeated about 10 times. During this period, vacuuming is continuously performed. Regarding the supply of N 2 gas, in each vacuum processing apparatus, nitrogen gas is supplied from the nitrogen source 74B for dilution of the cleaning gas supply system or the nitrogen source 74A of dilution for the processing gas supply system with the opening / closing valve fully opened, and other In this chamber, nitrogen gas is supplied from the nitrogen source for dilution of the cleaning gas supply system 114.
【００７６】このように真空引きを連続的に行っている
状態で、Ｎ2 ガスの供給及び停止を繰り返して行うよう
にしたので、Ｎ2 ガス供給時の衝撃により各室等の内壁
に付着していたＣｌＦ3 ガスの離脱が促進され、各処理
容器内壁や供給ヘッダの内外壁面に付着していたＣｌＦ
3 ガスを略完全に離脱させて排除させることができる。
従って、このクリーニング操作完了後に引き続いて行わ
れる成膜処理時に、成膜中に欠陥の原因となるＣｌＦ3
ガスが取り込まれることを略完全に防止することができ
る。Since the N 2 gas is repeatedly supplied and stopped while the evacuation is continuously performed as described above, the N 2 gas is attached to the inner wall of each chamber or the like by the impact when the N 2 gas is supplied. The ClF 3 gas that had been removed was promoted, and ClF adhered to the inner wall of each processing container and the inner and outer wall surfaces of the supply header.
3 Gas can be eliminated almost completely and eliminated.
Therefore, in the film forming process that is subsequently performed after the completion of this cleaning operation, ClF 3 which causes defects during film forming
It is possible to prevent gas from being taken in almost completely.
【００７７】上記Ｎ2 ガスの供給と停止の繰り返し回数
は１０回に限定されず、必要に応じて増減するようにし
てもよく、また、Ｎ2 ガスの供給開始操作は、Ｎ2 ガス
の供給時の衝撃によりＣｌＦ3 ガスの離脱を効果的に行
うために各室内の圧力が例えば Ｔｏｒｒ程度に
なった時にＮ2 ガスの供給を開始するのが好ましい。[0077] the number of repetitions of stopping the supply of the N 2 gas is not limited to 10 times, may be increased or decreased as necessary, also the supply start operation of the N 2 gas, the supply of N 2 gas In order to effectively release the ClF 3 gas by the impact at the time, it is preferable to start the supply of the N 2 gas when the pressure in each chamber reaches, for example, about Torr.
【００７８】尚、このようなクリーニング操作は、ウエ
ハを所定枚数処理する毎に自動的に実行するように予め
制御部８２にプログラミングしておくのが好ましい。例
えば各真空処理装置２Ａ〜２Ｃにおいて、所定の枚数、
例えば１ロット（２５枚）処理する毎に、上記したよう
な方法で自動的に装置集合体全体をクリーニングする。
この場合の処理枚数は２５枚に限定されず、成膜量の度
合いによって決定する。この場合には、１回の成膜処理
等によりどの程度の成膜が不必要な部分に形成されるか
を予めデータとして集め、これに基づいてクリーニング
を行うべき処理枚数を決定する。It should be noted that such a cleaning operation is preferably programmed in advance in the control unit 82 so as to be automatically executed every time a predetermined number of wafers are processed. For example, in each of the vacuum processing devices 2A to 2C, a predetermined number of sheets,
For example, every time one lot (25 sheets) is processed, the entire apparatus assembly is automatically cleaned by the above method.
In this case, the number of processed sheets is not limited to 25, and is determined by the degree of the film formation amount. In this case, the number of films to be formed on unnecessary portions is collected as data in advance by a single film forming process, and the number of sheets to be cleaned is determined based on the data.
【００７９】また、上記実施例においては、真空処理装
置集合体全体を一度にクリーニングするようにしたが、
これに限定されず、例えばゲートバルブＧ９のみを閉じ
て第１の真空処理装置２Ａのみを密閉室間とし、この装
置２Ａ内で通常の例えばタングステン膜の成膜処理を行
い、これと同時に他の真空処理装置２Ｂ、２Ｃ及び移載
室、予備真空室、カセット室等をクリーニングするよう
にしてもよい。これによれば、不要な成膜が多量に付着
した真空処理装置のみを個別にクリーニング処理するこ
とができ、全体の稼働率を向上させてスループットを大
幅に向上させることができる。このような選択的なクリ
ーニングは、各真空処理装置どれを取っても実施するこ
とが可能である。In the above embodiment, the entire vacuum processing apparatus assembly is cleaned at once.
Without being limited to this, for example, only the gate valve G9 is closed and only the first vacuum processing apparatus 2A is provided between the closed chambers, and a normal film forming process of, for example, a tungsten film is performed in this apparatus 2A, and at the same time, other The vacuum processing devices 2B and 2C, the transfer chamber, the preliminary vacuum chamber, the cassette chamber, and the like may be cleaned. According to this, it is possible to individually perform cleaning processing only on the vacuum processing apparatus having a large amount of unnecessary film deposited thereon, and it is possible to improve the overall operation rate and significantly improve the throughput. Such selective cleaning can be performed by any vacuum processing apparatus.
【００８０】また、第１の真空処理装置２Ａ内のみで単
独でクリーニング処理を行う場合には、ゲートバルブＧ
９を閉じてこれを第２の移載室４から区画分離し、この
状態で前述した集合体全体のクリーニング操作時と同様
な操作で第１の真空処理装置２Ａのみをクリーニングす
る。すなわち、この真空排気系４３により容器内を真空
引きしつつクリーニングガス供給系５６からＣｌＦ3 ガ
スを処理室２２内へ流し、これと同時に、紫外線ランプ
３７により処理容器内に流れるクリーニングガスを照射
してこれを活性化し、クリーニングレートを高める（図
５参照）。これにより、供給ヘッダ４０の内外壁面や容
器内面等に付着した成膜の除去を略完全に行うことがで
き、クリーニングを効率的に行うことができる。この場
合、ウエハ載置台２６を設けておけばこの裏面側を特に
効果的にクリーニングすることができ、また、載置台２
６を取り出しておけば、処理容器内全体を効果的にクリ
ーニングすることができる。Further, when the cleaning process is performed solely in the first vacuum processing apparatus 2A, the gate valve G is used.
9 is closed and separated from the second transfer chamber 4, and in this state, only the first vacuum processing apparatus 2A is cleaned by the same operation as the cleaning operation of the entire assembly described above. That is, ClF 3 gas is caused to flow from the cleaning gas supply system 56 into the processing chamber 22 while the inside of the container is evacuated by the vacuum exhaust system 43, and at the same time, the cleaning gas flowing into the processing container is irradiated by the ultraviolet lamp 37. This is activated to increase the cleaning rate (see FIG. 5). As a result, the film deposited on the inner and outer wall surfaces of the supply header 40, the inner surface of the container, and the like can be removed almost completely, and the cleaning can be efficiently performed. In this case, if the wafer mounting table 26 is provided, the back side can be cleaned particularly effectively, and the mounting table 2 can be used.
If 6 is taken out, the inside of the processing container can be effectively cleaned.
【００８１】またこの時、排気通路加熱手段４５も駆動
して排気通路３８を加熱することにより成膜中にここに
付着した膜も効果的に除去することができ、処理室内と
同時にこの排気通路３８もクリーニングすることができ
る。そして、このクリーニングガスを流す時にはヘッダ
加熱手段９４及び壁部加熱手段１０１も集合体全体のク
リーニング時と同様に駆動し、供給ヘッダ４０及び処理
容器２２自体も所定の温度に設定し、ＣｌＦ3 ガスがそ
の内外面或いは内面に付着するのを防止している。At this time, the exhaust passage heating means 45 is also driven to heat the exhaust passage 38, so that the film adhered thereto during film formation can be effectively removed. 38 can also be cleaned. When the cleaning gas is supplied, the header heating means 94 and the wall heating means 101 are driven in the same manner as when cleaning the entire assembly, the supply header 40 and the processing container 22 themselves are set to a predetermined temperature, and the ClF 3 gas is supplied. Are prevented from adhering to the inner and outer surfaces or the inner surface.
【００８２】また、クリーニングの終了時においても、
クリーニングガスの供給を停止した後、容器内の残留Ｃ
ｌＦ3 ガスを完全に排除するために、真空排気系４３を
継続的に駆動して真空引きした状態において図６に示す
ように不活性ガスであるＮ2ガスの供給と停止を複数
回、繰り返して行い、この時の衝撃により容器内壁等に
付着していたＣｌＦ3 ガスをこれより離脱させ、残留す
るＣｌＦ3 ガスを容器内から略完全に排除する。これに
より、引き続いて行われる成膜処理中に成膜中にＣｌＦ
3 ガスが取り込まれることを防止でき、製品の歩留まり
を向上させることができる。Even at the end of cleaning,
After stopping the supply of cleaning gas, residual C in the container
In order to completely remove the IF 3 gas, the N 2 gas, which is an inert gas, is repeatedly supplied and stopped a plurality of times in a state in which the vacuum exhaust system 43 is continuously driven and evacuated as shown in FIG. The ClF 3 gas adhering to the inner wall of the container or the like is desorbed by the impact at this time, and the remaining ClF 3 gas is almost completely removed from the inside of the container. As a result, ClF is formed during the film formation during the subsequent film formation process.
3 Gas can be prevented from being taken in and the product yield can be improved.
【００８３】また、前述のように本発明をクラスタ装置
に適用することによりスループット及び歩留まりの大幅
な向上を達成することができ、２５６ＭＤＲＡＭ等の高
微細化、高集積化に対応することができる。Further, as described above, by applying the present invention to the cluster device, it is possible to achieve a great improvement in throughput and yield, and it is possible to cope with higher miniaturization and higher integration of 256 MDRAM and the like.
【００８４】また、上記実施例にあっては、金属タング
ステン膜のクリーニングについて説明したが、クリーニ
ングすべき膜はこれに限定されず、ＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ
2 、ＴｉＮ、ＴｉＷ、Ｍｏ、ＳｉＯ2 、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ
等にも適用することができ、処理ガスとしてはこの成膜
に対応したものが使用される。例えば、タングステン膜
の場合には、ＷＦ6 ＋ＳｉＨ4 の組み合わせの外に、Ｗ
Ｆ6 ＋Ｈ2 、ＷＦ6 ＋Ｓｉ2 Ｈ6 の組み合わせ等が使用
され、ＷＳｉｘの成膜の場合には、ＷＦ6 ＋ＳｉＨ4 の
組み合わせ、ＷＦ6 ＋Ｓｉ2 Ｈ6 の組み合わせ、ＷＦ6
＋ＳｉＨ2 Ｃｌ2 の組み合わせ等が使用できる。Although the cleaning of the metal tungsten film has been described in the above embodiment, the film to be cleaned is not limited to this, and MoSi 2 , WSi may be used.
2, TiN, TiW, Mo, SiO 2, Poly-Si
Etc., and a processing gas corresponding to this film formation is used. For example, in the case of a tungsten film, in addition to the combination of WF 6 + SiH 4 ,
A combination of F 6 + H 2 , WF 6 + Si 2 H 6 , etc. is used. In the case of forming WSix, a combination of WF 6 + SiH 4, a combination of WF 6 + Si 2 H 6, a combination of WF 6
A combination of + SiH 2 Cl 2 and the like can be used.
【００８５】更には、使用する不活性ガスとしてはＮ2
ガスに限定されず、他の不活性ガス、例えばＨｅ、Ａ
ｒ、Ｘｅ等も使用することができる。また本発明は、Ｃ
ＶＤ装置のみならず、スパッタ装置、ＬＣＤ装置、拡散
装置等にも適用可能である。また、上記実施例にあって
は真空処理装置を例にとって説明したが、本発明は常圧
の処理装置にも適用し得る。Further, N 2 is used as the inert gas to be used.
Not limited to gases, other inert gases such as He, A
r, Xe, etc. can also be used. The present invention also provides C
Not only the VD device but also a sputtering device, an LCD device, a diffusing device and the like can be applied. Further, although the vacuum processing apparatus has been described as an example in the above-described embodiment, the present invention can be applied to an atmospheric pressure processing apparatus.
【００８６】[0086]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のように優れた作用効果を発揮することができる。第１
の発明によれば、室内に付着した成膜をクリーニングす
る際に光エネルギを照射してクリーニングガスを活性化
させたのでクリーニングレートを向上させることがで
き、従って、クリーニングを迅速且つ効率的に行うこと
ができるのみならず、従来方法では除去し得なかった不
要な成膜も効果的に除去することができる。第２の発明
によれば、クリーニングガスを排出する際に、室内を真
空引きした状態で不活性ガスの供給と停止を繰り返し行
うようにしたので、その時の衝撃により室内の壁面等に
付着したＣｌＦ系ガスの離脱を促進させることができ
る。従って、室内に残留するＣｌＦ系ガスを略完全に排
除することができるので、引き続いて行われる成膜処理
中に成膜中にＣｌＦ系ガスが取り込まれることを略完全
に排除することができ、歩留まりを大幅に向上させるこ
とができる。第３の発明によれば、室内に付着した成膜
をクリーニングする際に、クリーニングガスを室内に供
給しつつこれを真空排気系により真空引きするようにし
たので、成膜時に真空排気系に付着した成膜も除去する
ことができ、室内と真空排気系を同時にクリーニングす
ることができるる特に、真空排気系を加熱することによ
り、この系に付着した成膜を略確実に除去することがで
きる。As described above, according to the present invention, the following excellent operational effects can be exhibited. First
According to the invention, since the cleaning gas is activated by irradiating the light energy when cleaning the film deposited in the chamber, the cleaning rate can be improved, and therefore the cleaning can be performed quickly and efficiently. Not only can it be performed, but also unnecessary film formation that could not be removed by the conventional method can be effectively removed. According to the second aspect of the invention, when the cleaning gas is discharged, the supply and stop of the inert gas are repeatedly performed in a state where the chamber is evacuated, so that the ClF adhered to the wall surface or the like in the chamber due to the impact at that time. The release of the system gas can be promoted. Therefore, since the ClF-based gas remaining in the chamber can be almost completely removed, it is possible to almost completely eliminate the ClF-based gas being taken in during the film formation during the subsequent film forming process, The yield can be significantly improved. According to the third aspect of the present invention, when cleaning the film deposited in the chamber, the cleaning gas is supplied to the chamber and evacuated by the vacuum exhaust system. The formed film can also be removed, and the chamber and the vacuum exhaust system can be cleaned at the same time. Particularly, by heating the vacuum exhaust system, the film adhered to this system can be removed almost surely. .
【図１】本発明に係るクリーニング方法を実施するため
の真空処理装置集合体を示す概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing a vacuum processing apparatus assembly for carrying out a cleaning method according to the present invention.
【図２】図１に示す処理装置集合体を示す概略斜視図で
ある。FIG. 2 is a schematic perspective view showing the processing apparatus assembly shown in FIG.
【図３】図１に示す集合体中の一の真空処理装置の一例
を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of one vacuum processing apparatus in the aggregate shown in FIG.
【図４】図３に示す装置に用いるヘッダ加熱手段を示す
構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing a header heating unit used in the apparatus shown in FIG.
【図５】真空処理装置において光エネルギを照射してい
る状態を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which light energy is irradiated in the vacuum processing apparatus.
【図６】真空処理装置内に不活性ガスの供給と停止を繰
り返して行う状態を説明するための説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a state in which supply and stop of an inert gas are repeatedly performed in the vacuum processing apparatus.
２Ａ〜２Ｃ 真空処理装置 １４ カセット ２２ 真空処理容器 ２４ 真空処理室 ２６ ウエハ載置台 ４０ 処理ガス供給ヘッダ ４３ 真空排気系 ５４ 処理ガス供給源 ５６ クリーニングガス供給源 ６２，６４ 処理ガス導入通路 ６６Ａ〜６６Ｆ マスフローコントローラ ７０Ａ，７０Ｂ 処理ガス源 ７４Ａ，７４Ｂ 窒素源 ８４ 液化防止用加熱手段 ９４ ヘッダ加熱手段 ９６ 媒体通路 ９８ セラミックヒータ １０１，１１０ 壁部加熱手段 １０８ 処理ガス供給系 １１０，１１４ クリーニングガス供給系 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） 2A to 2C Vacuum processing device 14 Cassette 22 Vacuum processing container 24 Vacuum processing chamber 26 Wafer mounting table 40 Processing gas supply header 43 Vacuum exhaust system 54 Processing gas supply source 56 Cleaning gas supply source 62, 64 Processing gas introduction passage 66A to 66F Mass flow Controller 70A, 70B Processing gas source 74A, 74B Nitrogen source 84 Liquefaction preventing heating means 94 Header heating means 96 Medium passage 98 Ceramic heater 101, 110 Wall heating means 108 Processing gas supply system 110, 114 Cleaning gas supply system W Semiconductor wafer (Processed object)
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display area H01L 21/205
Claims (3)
理室と、前記各真空処理室に設けられた真空排気系と、
前記真空処理室に対して前記被処理体を搬入・搬出する
ために必要とされる移載室と、複数枚の前記被処理体を
収容可能なカセットを収容するカセット室とを少なくと
も有し、前記各室間が開閉可能になされた真空処理装置
集合体のクリーニング方法において、前記真空処理室、
前記移載室及び前記カセット室内の一部または全部をＣ
ｌＦ系ガスを含むクリーニングガスでクリーニングする
と同時に光エネルギにより前記クリーニングガスを活性
化させるように構成したことを特徴とする真空処理装置
集合体のクリーニング方法。1. A plurality of vacuum processing chambers for processing an object to be processed, and a vacuum exhaust system provided in each of the vacuum processing chambers,
At least a transfer chamber required for loading and unloading the object to be processed with respect to the vacuum processing chamber, and a cassette chamber containing a cassette capable of containing a plurality of the objects to be processed, In the method for cleaning a vacuum processing apparatus assembly in which the respective chambers can be opened and closed, the vacuum processing chamber,
Part or all of the transfer chamber and the cassette chamber may be C
A method for cleaning a vacuum processing apparatus assembly, characterized in that cleaning is performed with a cleaning gas containing an IF gas, and at the same time, the cleaning gas is activated by light energy.
理室と、前記各真空処理室に設けられた真空排気系と、
前記真空処理室に対して前記被処理体を搬入・搬出する
ために必要とされる移載室と、複数枚の前記被処理体を
収容可能なカセットを収容するカセット室とを少なくと
も有し、前記各室間が開閉可能になされた真空処理装置
集合体のクリーニング方法において、前記真空処理室、
前記移載室及び前記カセット室内をＣｌＦ系ガスを含む
クリーニングガスでクリーニングし、その後、前記クリ
ーニングガスの供給を停止した後、前記各室内を真空引
きしつつ不活性ガスの供給と停止を複数回繰り返すこと
により前記各室内の残存クリーニングガスを排気するこ
とを特徴とする真空処理装置集合体のクリーニング方
法。2. A plurality of vacuum processing chambers for processing an object to be processed, and a vacuum exhaust system provided in each of the vacuum processing chambers.
At least a transfer chamber required for loading and unloading the object to be processed with respect to the vacuum processing chamber, and a cassette chamber containing a cassette capable of containing a plurality of the objects to be processed, In the method for cleaning a vacuum processing apparatus assembly in which the respective chambers can be opened and closed, the vacuum processing chamber,
The transfer chamber and the cassette chamber are cleaned with a cleaning gas containing ClF-based gas, and then the supply of the cleaning gas is stopped, and then the supply and stop of the inert gas are performed plural times while evacuating each chamber. A method for cleaning a vacuum processing apparatus assembly, characterized in that the residual cleaning gas in each chamber is exhausted by repeating.
理室と、前記各真空処理室に設けられた真空排気系と、
前記真空処理室に対して前記被処理体を搬入・搬出する
ために必要とされる移載室と、複数枚の前記被処理体を
収容可能なカセットを収容するカセット室とを少なくと
も有し、前記各室間が開閉可能になされた真空処理装置
集合体のクリーニング方法において、前記真空処理室、
前記移載室及び前記カセット室内の一部或いは全てにＣ
ｌＦ系ガスを含むクリーニングガスを供給しつつ前記真
空排気系により真空引きすることにより、前記各室内を
クリーニングすると同時に前記真空排気系もクリーニン
グするように構成したことを特徴とする真空処理装置集
合体のクリーニング方法。3. A plurality of vacuum processing chambers for processing an object to be processed, and a vacuum exhaust system provided in each of the vacuum processing chambers.
At least a transfer chamber required for loading and unloading the object to be processed with respect to the vacuum processing chamber, and a cassette chamber containing a cassette capable of containing a plurality of the objects to be processed, In the method for cleaning a vacuum processing apparatus assembly in which the respective chambers can be opened and closed, the vacuum processing chamber,
C in a part or all of the transfer chamber and the cassette chamber
A vacuum processing apparatus assembly characterized in that the interior of the chamber is cleaned at the same time that the vacuum exhaust system is cleaned by evacuation by the vacuum exhaust system while supplying a cleaning gas containing an IF gas. Cleaning method.
Priority Applications (4)
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| JP5256506A JP2881371B2 (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Vacuum processing apparatus and method of cleaning vacuum processing apparatus assembly |
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| TW83105409A TW277007B (en) | 1993-09-17 | 1994-06-15 | |
| US08/773,094 US5785796A (en) | 1993-09-17 | 1996-12-24 | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
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