JPH079406B2

JPH079406B2 - 半導体ウエハの表面検査装置

Info

Publication number: JPH079406B2
Application number: JP8645588A
Authority: JP
Inventors: 進田中
Original assignee: 東京エレクトロン東北株式会社
Priority date: 1987-05-28
Filing date: 1988-04-08
Publication date: 1995-02-01
Anticipated expiration: 2010-02-01
Also published as: JPS6453138A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、半導体ウエハの表面上のゴミ等の異物や傷を
検出する半導体ウエハの表面検査装置に関する。

（従来の技術）超LSIの製造の際には、例えば半導体ウエハの表面上の
ゴミ等の異物の管理が重要である。

すなわち、近年、半導体素子を製造するためクリーンル
ーム（clean room）は高い清浄度で管理されている。し
かし、半導体素子を製造するために用いる各種の装置の
内部で種々の反応が行われる。このため、ゴミ等が装置
内で発生し易い。

そこで、各種の製造プロセスで用いられる装置が超LSI
の量産に適した清浄状態にあるか否かを管理する必要が
ある。このような半導体ウエハに悪影響を及ぼすごみ等
を十分に管理することにより、超LSIの製造歩留りを高
めることができる。

第11図は、半導体ウエハの表面検査に用いる従来の表面
検査装置の構成を示している。図中（１）は、回転テー
ブル（２）上に載置された半導体ウエハ（以下、単にウ
エハと記す）である。この装置では、ウエハ（１）の表
面にレーザ光源（３）からレーザ光（４）を積分球
（５）を通して照射する。そして、ウエハ（１）の表面
上に存在する傷や異物によって散乱した光（６）を積分
球（５）で集光する。この集光した光を暗箱（７）内に
設置した光検出器（８）で受光する。

積分球（５）は、散乱した光（６）の集光手段である。
積分球（５）の内面は、全反射面になっている。レーザ
光（４）は、積分球（５）に形成された窓（９）（10）
を貫通して、ウエハ（１）の表面で正反射し、窓
（９′）より積分球（５）の外へ出る。傷や異物等があ
る場合、散乱光（６）が発生し、積分球（５）の全反射
面で反射をくり返して積分球（５）の他の窓（11）を通
って光検出器（８）に入る。光検出器（８）に入った散
乱光（６）は、例えば電気信号に変換される。

（発明が解決しようとする課題）このような積分球（５）を用いた表面検査装置では、窓
（９）から迷い込む光（12）も、全反射面で全反射す
る。このため、迷い込んだ光（12）と検出すべき散乱し
た光（６）の双方が光検出器（８）内に導かれる。この
ため、光検出器（８）の光学的なS/N比が低下する問題
がある。また、上記構造の積分球（５）は、散乱した光
（６）を理想的に全反射させることが難しい。このた
め、散乱した光（６）の反射をくり返すうちに、光
（６）の強度が減衰する。その結果、光検出器（８）の
検出信号のレベルを低下する問題がある。

而して、ウエハ（１）の表面全体の検査を行うためには
ウエハ（１）を回転させ、レーザ（４）を横方向（Ｘ）
に移動すれば良い。そして、走査後の結果を例えばCRT
（cathad-ray tube）表示器の画面に地図状に表示す
る。

CRT表示器の表示分解能には、限界がある。このため、
第12図に示すように、ウエハ（１）の表面を例えば1mm
四方の区画（15）に細分化する。そして、この区画（1
5）に微細化したレーザ光（４）のビームスポット（4
a）を走査させる。レーザ光（４）のビームの大きさと
しては、例えば100μφ程度のものを使用する。光検出
器（８）では、アナログ信号が得られる。このため、ゴ
ミ等の検出に際して、例えばピーク値検出回路を用い
る。

ピーク値検出回路は、レーザ光（４）のＸ方向及びＹ方
向への走査により、１回の検査でウエハ（１）の表面１
区画（15）の状態を知ることができる。ピーク値検出回
路を用いない場合は、例えば、レーザ光（４）をＸ方向
に10回走査し、Ｙ方向に10回走査する。これらの合計で
あるレーザ光（４）の100回の走査後にウエハ（１）の
１区画（15）の検査を行う。

しかし、レーザ光（４）を一定速度で上述のようにウエ
ハ（１）の表面上で走査すると、検出信号は、パルス幅
１μＳ程度で変化するアナログ信号となる。このような
検出信号のピーク値を、アナログ−ディジタル変換（A/
D変換）して、ディジタル信号として読み取る。この場
合、A/D変換器には、変換時間が１μＳ以上の高速変換
の可能なものが要される。また、ディジタル信号を高速
度で処理できる特別なプロセッサが必要となる。その結
果、装置全体が複雑な構造で高価なものとなる。

本発明は、半導体ウエハの表面で反射した光を効率良く
集光できると共に、不要光の検出を回避して、半導体ウ
エハの表面検査を高い精度及び信頼性のもとで行うこと
ができる半導体ウエハの表面検査装置を提供することに
ある。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）本発明の半導体ウエハの表面検査装置は、第１図ないし
第12図に例示するように、被検査物体（半導体ウエハ2
1）を保持して回転させる手段（支持体20）と、この手
段に保持されて回転する前記被検査物体の表面に第１焦
点を持つとともに、前記被検査物体の表面以外の部位に
第２焦点を持つ完全楕円球面体の一部からなる楕円反射
鏡（反射鏡23）と、この楕円反射鏡の前記第１焦点に対
して検査光を照射する光源（32）と、前記楕円反射鏡の
天頂部以外の部位に形成されて、前記第１焦点に照射す
べき前記検査光を通過させる第１の孔部（窓23a）と、
前記楕円反射鏡の前記天頂部以外の部位で前記第１の孔
部から離間した部位に形成されて前記検査光の前記被検
査物体の表面からの正反射光を通過させる第２の孔部
（窓23b）と、前記楕円反射鏡の直接反射光を受ける前
記第２焦点を窓部（窓34a）上に設定した暗箱（34）
と、この暗箱内に設置されて前記窓部を通して入射して
前記直接反射光を検出する光検出手段（22）と、この光
検出手段で得られた信号のピーク値を検出して演算処理
し、前記被検査物体の表面状態を表す出力を取り出す手
段（ピーク値検出回路）とを具備してなることを特徴と
する。

（作用）本発明の装置は、被検査物体上の第１焦点から発生した
散乱光を一回の反射で光検出手段に到達させることがで
きる。また、不要な光が反射鏡の第２焦点に集光する確
率を低くすることができる。その結果、被検査物体の表
面検査精度を高めることができる。また、楕円原器と高
い性状を有する反射皮膜を利用して、反射鏡を構成する
楕円リフレクタを作製することにより、更に表面検査精
度を高めることができる。

ここで、本発明の被検査物体としては、半導体ウエハは
勿論のこと、研磨された各種の金属の表面等であっても
良い。

被処理体を保持する支持体としては、例えば吸着台を備
えた回転可能なテーブルを使用する。吸着台は、例えば
真空ポンプに接続されたバキュームシールを有するもの
を使用する。支持体の回転手段としては、例えばパルス
モータを使用する。支持体には、被検査物体を搬出入す
るための、所定の搬機構及びその制御部が接続されてい
る。

光源としては、例えば細いビーム状のレーザ光を出力す
るHe-Neレーザ等を使用する。光源を含む光学系の部分
には、支持体に対して所定方向に自在に移動できるよう
に、例えばステッピングモータが接続されている。この
光学系の移動、或は支持体の回転により、被検査物体の
表面上の任意の位置に、光源から発せられた検査光を走
査できるようになっている。

反射鏡としては、例えば楕円球の1/4部分の内面、或は
楕円状円筒面で反射面を形成した楕円リフレクタを使用
する。楕円リフレクタには、検査光を通すための窓が形
成されている。楕円リフレクタは、例えば楕円面を持つ
原器に基づいて電解置換によって得られた楕円面体の内
面に反射皮膜を設けたもので構成するのが望ましい。楕
円面体及び反射皮膜の材質としては、例えばニッケル，
ロジウム，機械的強度の大きい金属等を使用する。

光検出手段としては、例えば光を電気信号に変換する受
光素子を使用する。光検出手段には、不要光を遮断する
ための絞り板を取付けても良い。

（実施例）以下、本発明装置をウエハ表面のゴミ検知装置に適用し
た実施例について図面を参照して説明する。

第１図は、本発明の一実施例の半導体ウエハの表面検査
装置の概略構成を示す説明図である。支持体（20）上に
は、被検査物体である半導体ウエハ（21）（以下、単に
ウエハと記す）が保持されている。

上記支持体（20）は、パルスモータ（20a）で自在に回
転するテーブルで構成されている。テーブルの上部に
は、ウエハ（21）を保持する吸着台（20b）が形成され
ている。吸着台（20b）には、図示しない真空ポンプが
接続されている。この真空ポンプの吸引作用によって形
成されるバキュームシールによって、ウエハ（21）を保
持するようになっている。

支持体（20）の上方には、支持体（20）に保持されたウ
エハ（21）の表面上に第１焦点(P₁)を有し、かつ、後述
する光検出手段（22）の入光部に第２焦点(P₂)を有する
反射鏡（23）が設けられている。

光検出手段（22）には、ピーク検出回路（24）及び演算
処理部（25）が順次直列に接続されている。光検出手段
（22）は、例えばHe-Neレーザ光の0.633μｍ波長に対し
て高感度を持つ光電変換素子（photomaltiplier）で形
成されている。光検出手段（22）及び反射鏡（23）を含
む光学系の部分は、支持体（20）上のウエハ（21）の表
面に対して、所定方向に所定量だけ移動できるようにス
テッピングモータ（26）が設けられている。ステッピン
グモータ（26）は、ボールネジ（26a）を介して光検出
手段（22）の支持部に接続されている。

光学系の部分には、ガイドミラー（27a）（27b），ビー
ムエキスパンダー（28），対物レンズ（29），ガイドミ
ラー（30a）（30b）を順次介して、反射鏡（23）の窓
（23a）からウエハ（21）の表面に検査光（31）を照射
する光源（32）が設けられている。光源（32）は、例え
ば波長0.633μｍの細いビーム状のレーザ光を出力するH
e-Neレーザで構成されている。このレーザビームの形状
を小さくすると、光エネルギーが高くなり光検出手段
（22）の検出感度を高くすることができる。また、光検
出手段（22）の入光部に設けたフィルターの穴を例えば
3mmφにして検出感度を下げずに不要光の検出を回避し
てS/N比を改善するのが望ましい。検出光（31）は、パ
ルスモータ（20a）による支持体（20）の回転により、
ウエハ（21）を走査できるようになっている。

反射鏡（23）は、光源（32）から発せられた検出光（3
1）を第２図に示す如く、第１の孔部を成す窓（23a）を
貫通させて、ウエハ（21）の第１焦点(P₁)に案内する。
第１焦点(P₁)の傷や異物で反射し散乱光（31a）は、反
射鏡（23）の内面に形成された反射面（33）で反射して
光検出手段（22）を収容した暗箱（34）の入光部（34
a）にある第２焦点(P₂)を通過して光検出手段（22）に
よって受光される。

反射鏡（23）は、第３図（Ａ），（Ｂ）に示す如く、楕
円球の1/4部分の内面を反射面（33）とし、下面および
側面側を解放した楕円リフレクタ（36）で構成されてい
る。

この場合、検査光（31）としてのレーザ光の入射角は、
ウエハ（21）の表面上の直角を成す基準線Ｌとの比較か
ら明らかなように、45°以下に設定する。このように、
ウエハ（21）に照射され、その表面で反射したレーザ光
（31b）は楕円リフレクタ（36）の第２の孔部を成す窓
（23b）から外部に逃げる。一方、第１焦点(P₁)に存在
する塵や傷などの異物からの散乱光（31a）は、反射面
（33）で受けて反射させ、第２焦点(P₂)に集光すること
ができる。すなわち、散乱光（31a）は、楕円リフレク
タ（33）の反射面（33）での一回の反射のみで、減衰を
伴うことなく、第２焦点(P₂)に集光される。そして、暗
箱（34）の窓（34a）から暗箱（34）内に導かれ、光検
出手段（22）で検出される。その結果、散乱光（31a）
の減衰が少ない。そして、光検出手段（22）は、光を電
気信号に変換する受光素子で構成されているので、散乱
光（31a）を電気信号として検出することができる。

また、光学系の汚れなどによる反射で窓（23a），（23
b）から検査面に入った不要な光としての迷光（37）
は、第１焦点(P₁)に当たる確率が低く、ウエハ（21）の
表面で反射された後、反射面（33）で反射する。しか
し、第２焦点(P₂)への集光確率は極めて少ないことか
ら、光検出手段（22）で信号としての検出は、ほとんど
行われない。

従って、散乱光検出のS/N比が高くなる。

特に、楕円リフレクタ（36）は、完全楕円球体の1/4部
分で構成されているので、異物からの散乱光（31a）を
全立体角のどの方向でも、90°以上の光を容易に集光
し、効率良く光検出手段（22）に導くことができる。

ところで、暗箱（34）は、散乱光（31a）を取り込むた
めに窓（34a）を以て開口されている。しかし、たとえ
ば第４図に示すように、絞り板（38）を取り付けてもよ
い。絞り板（38）は、中央に必要な散乱光（31a）を通
過させるために、前面を狭く暗箱（34）の内部に向かっ
て傾斜面を以て大きくなるようにした細隙（39）を形成
している。また、その細隙（39）を中心にして不要な光
を遮断するための筒状のフード（38a）を設けている。
このような絞り板（38）を用いることにより、自然光や
迷光などの不要な光の入射を抑えてS/N比を改善するこ
とができる。

また、第５図に示す如く、楕円リフレクタ（40）を楕円
状円筒面をもって反射面（33）としたものとして、散乱
光（31a）を暗箱（34）の前面部に形成した長方形状の
窓（34a）に導くようにしても良い。

また、第６図に示す如く、楕円リフレクタ（41）を楕円
原器に基づいて電解置換によって形成されたニッケルな
どの金属からなる楕円面体（42）の内面に電気分解法に
よってロジウムなどの金属材料の被着により反射皮膜
（44）を設置して反射面としたものとしても良い。

以下に、電解置換法による楕円リフレクタ（41）の製造
方法について説明する。

例えば第７図（Ａ）に示す如く、精密に楕円面（46）を
形成した楕円原器（48）を陽極とし、ニッケルなどの金
属（50）を陰極に設定する。これに電解液中で電源（5
2）から電圧を加えて、楕円原器（48）の楕円面（46）
内部に金属（50）の電気分解を行う。その結果、ニッケ
ルなどの金属基材からなる楕円面体（41）が形成され
る。次に、第７図（Ｂ）に示すように、楕円原器（48）
から楕円面体（41）を分離する。次いで、電解液中に漬
けて、電気分解によって反射率の高いたとえば、ロジウ
ムなどの反射皮膜（44）を被着させる。次に、楕円面体
（42）を２分割して第７図（Ｃ）に示す1/4楕円面を持
つ楕円面体（42）からなる楕円リフレクタ（40）が得ら
れる。このように形成した場合、楕円リフレクタ（41）
は、楕円原器（48）の楕円面（46）の形状に合致し、形
状精度の高いものが生産上で得られる。そして、反射皮
膜（44）の表面には、保護膜を設置し、反射面に対する
傷の発生を防止する。

このようにして得られた楕円リフレクタ（41）は、第７
図（Ｃ）に破線で示すように、一対の光透過孔（54）を
形成する。次いで、第６図に示すように、支持アーム
（56）に接着剤、ねじなどの固定手段によって取り付け
て、検査テーブル（10）の上方の特定の位置に設置す
る。支持アーム（56）に対する楕円リフレクタ（41）の
取付けは、例えば弾性材料を用いて弾性的に固定するこ
とも可能である。具体的な固定形態としては、楕円リフ
レクタ（41）に孔を開けてねじによる固定や、その縁部
にブラケットやねじの頭部を係止させて行ってもよい。

このようにすれば、楕円リフレクタ（41）の形状精度と
ともに、反射率を高く設定できる。検査媒体としての
光、例えばレーザ光は、その光源から楕円リフレクタ
（41）の光透過孔（54）を貫いて半導体ウエハ（16）な
どの被検査物体の表面に照射される。その散乱光（18）
を楕円リフレクタ（41）の反射皮膜（44）の表面で集光
して、暗箱（34）内の光検出器（22）に効率よく導き、
表面状態を高精度に検出することができる。

また、1/2楕円面を持つ上記楕円原器（48）の他にも、
第８図に示す如く、1/4の楕円面（47）を持つ楕円原器
（49）を用いて、電解置換によって、第８図に示すよう
に、楕円リフレクタ（41）を形成すれば、第７図（Ｃ）
に示した楕円リフレクタ（41）の分割工程を省略するこ
とができる。

そして、楕円リフレクタ（41）の基礎素材としての楕円
面体（42）や反射皮膜（44）は、ニッケルやロジウムの
他、機械的強度の大きい金属材料を用いて形成すること
ができる。

第９図は、光検出手段（22）から出力された電気信号の
ピーク値を検出するピーク値検出回路の構成を示してい
る。

入力端子（50）には、光検出手段（22）からピーク値を
検出すべき入力信号A_iが加えられる。この入力信号A
_iは、時間ｔの経過とともにそのレベルＶが変化する信
号である。例えば、被検査物体であるウエハ（21）の表
面の反射光を電気信号に変換したものなどである。

また、入力信号A₁のピーク値をディジタル信号に変換す
るA/D変換器（51）の制御入力端子（52）には、第10図
の（Ａ）に示す変換スタート信号C_sが加えられる。

A/D変換器（51）は、例えばアナログ・ディジタル変換
時間が100μＳ程度のものが使用されている。

A/D変換器（51）は、この変換スタート信号C_sが加えら
れると、第10図の（Ｂ）に示すステータス信号STを発生
する。このステータス信号STは、サンプル・ホールド回
路（53）に加えられるとともに、信号遅延手段として設
置された遅延パルス発生器（54）に加えられる。

遅延パルス発生器（54）は、第10図（Ｃ）に示すよう
に、ステータス信号STの前縁からt_sを遅延時間とし、パ
ルス幅t_pの遅延制御信号である遅延パルスDPを発生す
る。遅延パルス発生器（54）は、例えば、単安定マルチ
バイブレータの２段接続によって構成できる。

遅延パルスDPは、ピーク・ホールド回路（55）にリセッ
ト制御信号として加えられる。そのパルス幅t_pで与えら
れる時間内でピーク・ホールド回路（55）をリセットす
る。遅延パルスDPのパルス幅t_pは、ピーク・ホールド回
路（55）がリセットするのに必要な最小時間、例えば0.
5μＳに設定する。

そして、ピーク・ホールド回路（55）で保持された入力
信号A_iのピーク値は、サンプル・ホールド回路（53）に
加えられる。サンプル・ホールド回路（53）は、ステー
タス信号STをサンプリングパルスとして、ピーク・ホー
ルド回路（55）からのピーク値出力PHを遅延パルス発生
器（54）の動作時間t_sにサンプリングして保持する。

このサンプル・ホールド回路（53）が保持したサンプル
・ホールド出力SHは、A/D変換器（51）に加えられる。A
/D変換器（51）は、第12図の（Ｂ）に示すステータス信
号STの時間t_ADから遅延パルス発生器（54）の動作時間t
_sを除いた変換時間において、ピーク値を複数ビットの
ディジタル信号D₀,D₁…D_nに変換し、ディジタル化ピー
ク値出力として出力端子、52₀,52₁,52₂…52_nから出力す
る。

以上のように構成されているので、ピーク・ホールド回
路（55）には、サンプル・ホールドの終了と同時にリセ
ット信号が加えられ、ピーク・ホールド回路（55）は、
サンプル・ホールドの直後にりセット状態に移行し、そ
のリセットは時間t_sで完了し、次のリセット信号が到来
するまでの間、入力信号A_iのピーク値を検出し、その値
を保持する。

したがって、入力信号A_iのピーク値を検出できない損失
時間は、サンプル・ホールドのための時間t_sとピーク・
ホールド回路（55）のパルス幅t_pで与えられる時間との
加算時間(t_s+t_p)だけである。それ以外の時間は、どの
ような高速信号であってもピーク値の検出が可能になる
のである。

このため、A/D変換器（51）のアナログ・ディジタル変
換時間、t_ADは、100μＳ程度でよい。ディジタル信号処
理も高速処理用の複雑かつ高価なものではなく、簡易な
コンピュータなどで容易に処理できる。換言すれば信号
のピーク値検出は、100μＳのA/D変換によって、１μＳ
程度の高速A/D変換と同等の処理が実現できる。

それゆえ、ウエハ（21）からの反射光を電気信号に変換
し、その信号のピーク値を高速で検出できる。このため
ウエハ（21）の表面状態をディジタル信号に変換して容
易にしかも可及的速やかに知ることができる。

即ち、検出された高速変化を伴うアナログ信号のピーク
値検出を、低速のディジタル信号処理で対処可能にし
て、簡単な構造で、かつ、安価な半導体ウエハの表面検
査装置が得られる。

また、遅延信号発生器は、例えば遅延パルス発生器を使
用する。遅延パルス発生器としては、例えば単安定マル
チバイブレータの２段接続したものを使用する。遅延信
号発生器で発生させる遅延信号は、例えば変換開始信号
に応じてA/D変換器から得られたステータス信号を使用
する。

A/D変換器としては、例えばアナログ・ディジタル変換
時間が、100μＳ程度のものを使用することができる。

ピーク・ホールド回路は、例えばリセット時間が0.5μ
Ｓのものを使用することができる。ピーク・ホールド回
路のパルス幅で与えられるリセット時間と、サンプル・
ホールド回路のサンプル・ホールドのための時間の加算
した時間を、本発明の装置における、光検出手段の出力
信号のピーク値を検出できない損失時間とすることがで
きる。

即ち、遅延制御信号の時間幅でピーク・ホールドのリセ
ットを行う。このため、ピーク値検出ができない損失時
間を、サンプル・ホールド時間及びリセット時間だけと
することができる。従って、この損失時間以外の全ての
時間中に加えられるパルス幅の狭いアナログ信号であっ
ても、そのピーク値を容易に検出することができる。し
かも、検出されたピーク値は、サンプル・ホールド回路
に保持される。このため、処理速度の遅いA/D変換器を
用いて光検出手段からのアナログ信号を容易にディジタ
ル信号に変換できる。その結果、装置を簡単な構造で、
かつ、安価なものとすることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、被検査物体であ
る半導体ウエハの表面で反射し光を効率よく集光できる
と共に、不要光の検出を回避して、半導体ウエハの表面
検査を高い精度及び信頼性のもとで行なうことができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明装置の一実施例の半導体ウエハの表面
検査装置の概略構成を示す説明図、第２図は第１図反射
鏡の構造を示す断面図、第３図は、第２図反射鏡を構成
する楕円リフレクタの説明図、第４図は、第３図光検出
装置入射光路に絞りを取付けた暗箱の説明図、第５図
は、第３図楕円リフレクタの他の例を示す説明図、第６
図は、第３図楕円リフレクタの他の例の説明図、第７図
は、電解置換法による第３図楕円リフレクタの製造方法
を示す説明図、第８図は、第３図楕円原器の他の例を示
す説明図、第９図は、第３図光検出器出力演算処理のピ
ーク値検出回路の構成を示すブロック図、第10図は、第
９図のピーク値検出回路の動作タイミングを示す説明
図、第11図は従来の半導体ウエハ表面検査装置説明図、
第12図は第11図の処理回路説明図である。 20……支持体 21……半導体ウエハ（被検査物体） 22……光検出手段 23……反射鏡（楕円反射鏡） 23a……窓（第１の孔部） 23b……窓（第２の孔部） 32……光源 34a……窓

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被検査物体を保持して回転させる手段と、この手段に保持されて回転する前記被検査物体の表面に
第１焦点を持つとともに、前記被検査物体の表面以外の
部位に第２焦点を持つ完全楕円球面体の一部からなる楕
円反射鏡と、この楕円反射鏡の前記第１焦点に対して検査光を照射す
る光源と、前記楕円反射鏡の天頂部以外の部位に形成されて、前記
第１焦点に照射すべき前記検査光を通過させる第１の孔
部と、前記楕円反射鏡の前記天頂部以外の部位で前記第１の孔
部から離間した部位に形成されて前記検査光の前記被検
査物体の表面からの正反射光を通過させる第２の孔部
と、前記楕円反射鏡の直接反射光を受ける前記第２焦点を窓
部上に設定した暗箱と、この暗箱内に設置されて前記窓部を通して入射して前記
直接反射光を検出する光検出手段と、この光検出手段で得られた信号のピーク値を検出して演
算処理し、前記被検査物体の表面状態を表す出力を取り
出す手段と、を具備してなることを特徴とする半導体ウエハの表面検
査装置。