JPH0794019A - 電子部品 - Google Patents

電子部品

Info

Publication number
JPH0794019A
JPH0794019A JP5239705A JP23970593A JPH0794019A JP H0794019 A JPH0794019 A JP H0794019A JP 5239705 A JP5239705 A JP 5239705A JP 23970593 A JP23970593 A JP 23970593A JP H0794019 A JPH0794019 A JP H0794019A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
weight
parts
converted
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5239705A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3321929B2 (ja
Inventor
Kazuhiro Komatsu
和博 小松
Hidenori Kuramitsu
秀紀 倉光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP23970593A priority Critical patent/JP3321929B2/ja
Publication of JPH0794019A publication Critical patent/JPH0794019A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3321929B2 publication Critical patent/JP3321929B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 誘電体表面の二次相の発生を防ぐと共に、比
誘電率が高く、誘電体損失が小さく、誘電体の温度変化
率の小さい電子部品を提供することを目的とするもので
ある。 【構成】 この目的を達成するために、本発明の電子部
品は誘電体を図1に示すBaO−TiO2−DyO3/2
三元成分図において(表1)に示すa,b,c,d,e
を頂点とする5角形の領域内で表されるものを主成分と
し、副成分としてNb,Ni,Mnのうち少なくとも一
種類を含有させたもので形成する。 【表1】

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は例えば積層セラミックコ
ンデンサ等の電子部品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種積層セラミックコンデンサ
においては、その誘電体材料として、BaTiO3−N
25−MnO2系等が用いられていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成の誘電
体材料を用いて積層セラミックコンデンサを製造する
と、誘電体表面に板状あるいは針状結晶の二次相が析出
するため、内部電極を押上げ、内部電極の不連続点が生
じコンデンサの容量がばらつくという問題点を有してい
た。
【0004】また、このコンデンサを実装するときに
は、上記二次相による表面の凸凹により安定性が悪くて
位置ずれが起きやすいという問題点もあった。
【0005】そこで本発明は、上記板状あるいは針状の
二次相の発生を抑制するとともに、比誘電率が高く、誘
電体損失が小さく、その上誘電率の温度変化も小さい電
子部品を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の電子部品は、その誘電体を、xBaO+yT
iO2+zDyO3/2(但し、x+y+z=1)の三元成
分図において、(表5)に示すa,b,c,d,eを頂
点とする5角形の領域内で表される組成のものを主成分
とし、副成分としてNbをNb25に換算して0.6〜
2.4重量部、NiをNiOに換算して0.05〜0.
8重量部、MnをMnOに換算して0.01〜0.4重
量部のうち少なくとも一種類を含有させたものである。
【0007】
【表5】
【0008】
【作用】この構成によると、Ba/Tiが1より大きく
なっているため、Ti過剰による二次相の発生を極めて
抑えることができる。また、常温での比誘電率が約20
00〜4500という高い値を示し、誘電体損失(ta
nδ)は1.0%以下という小さい値を示す。さらに誘
電率の温度変化率は、20℃を基準にして、JIS−C
−5130に規定されるJD特性以下を満足するもので
ある。
【0009】
【実施例】
(実施例1)図5は、本発明の電子部品を作る時の製造
工程図である。また図6は本発明の一実施例における電
子部品の斜視図である。
【0010】まず、誘電体の出発原料としてBa/Ti
のモル比が1に調整された高純度のBaTiO3粉末
と、BaCO3,Dy23,MnO2,NiO,Nb25
の各粉末を準備し、焼成後の組成が(表6)に示すよう
になるようにそれぞれ秤量した。
【0011】
【表6】
【0012】そしてめのうボールを備えたゴム内張りの
ボールミルに純水とともに入れ、18時間湿式混合した
後、脱水、乾燥した。
【0013】その後この乾燥粉末に、ポリビニルアルコ
ールの5wt%溶液をバインダーとして適量加え、均質と
した後、32メッシュのふるいを通して整粒し、金型と
油圧プレスを用いて成形圧力1.5ton/cmで図6に示
すように直径16mm、厚み0.6〜0.8mmの円板に成
形した。
【0014】次いで、この成形体をジルコニア粉末を敷
いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて1250〜1
350℃で2時間保持して焼成した。誘電体1の密度が
最大となる温度を最適焼成温度とし、得られた誘電体1
の上下両面全体に銀電極2を塗布後焼き付けして電子部
品を得た。
【0015】このようにして製造した電子部品の誘電
率、誘電体損失、容量を周波数1kHz、室温20℃の条
件で測定した。
【0016】そして容量温度変化率を20℃での容量を
基準として−25℃と85℃について求めた。その結果
を(表7)に示す。
【0017】
【表7】
【0018】試料No.1,4,7はJIS−C−513
0規格におけるJD特性を満足し、他の試料はJIS−
C−5130規格においてさらに容量温度変化の小さい
DR特性を満足している。(表7)において、試料No.
1,4,7についてはキュリー温度での最大容量変化率
を(ΔC/ΔC20max(%)として示し、それ以外の
試料については−55℃〜125℃の範囲における最大
容量変化率の絶対値を|ΔC/ΔC20max(%)とし
て示す。
【0019】(表7)を見ると、本実施例における電子
部品は比誘電率が約2100〜4500と高く、誘電体
損失が1.0%以下という非常に優れたものであること
がわかる。
【0020】次に、本実施例の誘電体の組成の決定理由
を図1を参照しながら説明する。直線a−eより上部で
は、容量変化率が大きくなりJIS−C−5130規格
でのJD特性を満足できない。直線a−b、b−cより
左部では、焼結しにくくなり、実用的ではない。直線c
−dより下部では、Ndを入れた効果が薄く誘電率が低
下し焼結性も劣る。直線d−eより右部では、誘電体1
の表面に二次相の発生が著しく、誘電率も低下方向にあ
るので実用的でない。
【0021】また、Nb−Ni、Nb−Mn、あるいは
Nb−Mn−Niの組合わせにおいて、Nb25が0.
6wt%未満では、焼結性が悪化し、誘電体損失が大きく
なり、2.4wt%を越えると誘電率が低下し、実用的で
はなくなる。MnO2は、0.01wt%未満ではその添
加効果がなく、0.4wt%を越えると、誘電率が低下
し、容量温度変化率が大きくなるため実用的ではない。
さらに、NiOについても同様に0.8wt%を越える
と、誘電率が低下し、容量変化率が大きくなり、0.0
5wt%未満ではその添加効果がなく、実用的ではなくな
る。但し、Nb−Ni−Mnの組合わせにおいてNiと
Mnを両方同時に加える場合、NiとMnの合計が、
0.8wt%を越えると誘電率が低下し、容量変化率が大
きくなるため実用的ではない。
【0022】以上のような理由により本実施例の誘電体
1の組成を決定した。なお、本実施例において誘電体1
の出発原料にNb25,MnO2,Dy23等の酸化物
を用いたが、焼成後の組成が所望したものになるのであ
れば、炭酸塩、水酸化物等を用いても同様の特性を得る
ことができる。
【0023】また、主成分をあらかじめ仮焼した後に、
副成分を添加したとしてもその効果に変わりはない。
【0024】(実施例2)誘電体1の出発原料として、
Ba/Tiのモル比が1に調整された高純度のBaTi
3粉末とBaCO3,CeO2,MnO2,NiO,Nb
25の各粉末を焼成後の組成が(表8)に示すようにな
るようにそれぞれ秤量した。
【0025】
【表8】
【0026】そして実施例1と同様にして図6に示す電
子部品を製造し、周波数1kHz、室温20℃の条件で、
誘電率、誘電体損失、容量を測定した。そして容量変化
率も20℃での容量を基準として、−25℃と85℃に
ついて求めた。その結果を(表9)に示す。
【0027】
【表9】
【0028】試料No.1,4,5,7はJIS−C−5
130規格におけるJD特性を満足し、他の試料はJI
S−C−5130規格において、さらに容量温度変化率
の小さいDR特性を満足する。そして試料No.1,4,
5,7についてはキュリー温度での最大容量変化率を
(ΔC/C20max(%)として示し、それ以外の試料
については−55℃〜125℃の範囲における最大容量
変化率の絶対値|ΔC/C20max(%)として示す。
【0029】(表9)を見ると、本実施例における電子
部品は比誘電率が約2100〜4600と高く、誘電体
損失(tanδ)は1.1%以下という非常に優れたも
のであることがわかる。
【0030】次に本実施例における誘電体1の組成の決
定理由を図2を参照して説明する。直線a−eより上部
では、容量変化率が大きくなりJIS−C−5130規
格でのJD特性を満足できない。直線a−b、b−cよ
り左部では、焼結しにくくなり、実用的ではない。直線
c−dより下部では、Ndを入れた効果が薄く誘電率が
低下し焼結性も劣る。直線d−eより右部では、焼結体
の表面に二次相の発生が著しく、誘電率も低下方向にあ
るので実用的でない。
【0031】また、Nb−Ni、Nb−Mn、あるいは
Nb−Mn−Niの組合わせにおいて、Nb25が0.
6wt%未満では、焼結性が悪化し、誘電体損失が大きく
なり、2.4wt%を越えると誘電率が低下し、実用的で
はなくなる。MnO2は、0.01wt%未満ではその添
加効果がなく、0.4wt%を越えると、誘電率が低下
し、容量温度変化率が大きくなるため、実用的ではな
い。さらに、NiOについても同様に0.8wt%を越え
ると、誘電率が低下し、容量変化率が大きくなり、0.
05wt%未満ではその添加効果がなく、実用的ではなく
なる。但し、Nb−Ni−Mnの組合わせにおいてNi
とMnを両方同時に加える場合、NiとMnの合計が、
0.8wt%を越えると誘電率が低下し、容量変化率が大
きくなるため、実用的ではない。
【0032】以上のような理由により、本実施例におけ
る誘電体1の組成を決定した。なお、本実施例において
も誘電体1の出発原料としてNb25,MnO2,Ce
2等の酸化物を用いたが、実施例1と同様、焼成後の
組成が所望したものになるのならば、炭酸塩、水酸化物
等を用いても同様の特性を得ることができる。
【0033】また、あらかじめ主成分を仮焼してから副
成分を添加しても、その効果に変わりはない。
【0034】(実施例3)まず誘電体1の出発原料とし
て、Ba/Tiのモル比が1に調整された高純度のBa
TiO3粉末と、BaCO3,Nd23,MnO2,Ni
O,Nb25の各粉末を(表10)に示す組成になるよ
うにそれぞれ秤量した。
【0035】
【表10】
【0036】そして実施例1と同様に図6に示す電子部
品を製造し、周波数1kHz、室温20℃の条件で、誘電
率、誘電体損失、容量を測定した。そして容量変化率を
20℃での容量を基準として、−25℃と85℃につい
て求めた。その結果を(表11)に示す。
【0037】
【表11】
【0038】試料No.1,4,7はJIS−C−513
0規格におけるJD特性を満足し、その他の試料は、さ
らに容量温度変化率の小さいJIS−C−5130規格
におけるDR特性を満足する。
【0039】また(表11)において試料No.1,4,
7はキュリー温度での最大容量変化率を(ΔC/C20
max(%)として示し、その他の試料については−55
℃〜125℃の範囲における最大容量変化率の絶対値を
|ΔC/C20max(%)として示す。
【0040】(表11)を見ると、本実施例における電
子部品は比誘電率が約2100〜4900と高く、誘電
体損失は1.1%以下と優れたものであることがわか
る。
【0041】次に、本実施例における誘電体1の組成の
決定理由を図3を参照して説明する。直線a−eより上
部では、容量変化率が大きくなりJIS−C−5130
規格でのJD特性を満足できない。直線a−b、b−c
より左部では、焼結しにくくなり、実用的ではない。直
線c−dより下部では、Ndを入れた効果が薄く誘電率
が低下し焼結性も劣る。直線d−eより右部では、焼結
体の表面に二次相の発生が著しく、誘電率も低下方向に
あるので実用的ではない。
【0042】また、Nb−Ni、Nb−Mn、あるいは
Nb−Mn−Niの組合わせにおいて、Nb25が0.
6wt%未満では、焼結性が悪化し、誘電体損失が大きく
なり、2.4wt%を越えると誘電率が低下し、実用的で
はなくなる。MnO2は、0.01wt%未満ではその添
加効果がなく、0.4wt%を越えると、誘電率が低下
し、容量温度変化率が大きくなるため、実用的ではな
い。さらに、NiOについても同様に0.8wt%を越え
ると、誘電率が低下し、容量変化率が大きくなり、0.
05wt%未満ではその添加効果がなく、実用的ではなく
なる。但し、Nb−Ni−Mnの組合わせにおいてNi
とMnを両方同時に加える場合、NiとMnの合計が、
0.8wt%を越えると誘電率が低下し、容量変化率が大
きくなるため、実用的ではない。
【0043】以上のような理由により、本実施例におけ
る誘電体1の組成を決定した。なお、本実施例において
も誘電体1の出発原料としてNb25,MnO2,Nd2
3等の酸化物を用いたが、実施例1と同様、焼成後の
組成が所望したものになるならば 、炭酸塩、水酸化物
等を用いても同様の特性を得ることができる。
【0044】また、あらかじめ主成分を仮焼してから、
副成分を添加したとしても、その効果に変わりはない。
【0045】(実施例4)まず誘電体1の出発原料とし
て、Ba/Tiのモル比が1に調整された高純度のBa
TiO3粉末と、BaCO3,Sm23,MnO2,Ni
O,Nb25の各粉末を、焼成後の組成が(表12)に
なるようにそれぞれ秤量した。
【0046】
【表12】
【0047】そして、実施例1と同様に図6に示す電子
部品を製造し、周波数1kHz、室温20℃の条件で、誘
電率、誘電体損失、容量を測定した。そして容量変化率
を20℃での容量を基準として、−25℃と85℃につ
いて求めた。その結果を(表13)に示す。
【0048】
【表13】
【0049】試料No.1,4,5,7はJIS−C−5
130規格におけるJD特性を満足し、その他の試料は
JIS−C−5130規格においてさらに容量温度変化
率の小さいRD特性を満足する。
【0050】また、試料No.1,4,5,7について
は、キュリー温度での最大容量変化率を(ΔC/C20
max(%)として示し、他の試料については−55℃〜
125℃の範囲において最大容量変化率の絶対値を|Δ
C/C20max(%)として示す。
【0051】(表13)を見ると、本実施例における電
子部品は比誘電率が約2200〜4800と大きく、誘
電体損失は1.1%以下と優れたものであることがわか
る。
【0052】次に、本実施例における誘電体1の組成の
決定理由を図4を参照して説明する。直線a−eより上
部では、容量変化率が大きくなりJIS−C−5130
規格でのJD特性を満足できない。直線a−b、b−c
より左部では、焼結しにくくなり、実用的ではない。直
線c−dより下部では、Ndを入れた効果が薄く誘電率
が低下し焼結性も劣る。直線d−eより右部では、焼結
体の表面に二次相の発生が著しく、誘電率も低下方向に
あるので実用的ではない。
【0053】また、Nb−Ni、Nb−Mn、あるいは
Nb−Mn−Niの組合わせにおいて、Nb25が0.
6wt%未満では、焼結性が悪化し、誘電体損失が大きく
なり、2.4wt%を越えると誘電率が低下し、実用的で
はなくなる。MnO2は、0.01wt%未満ではその添
加効果がなく、0.4wt%を越えると、誘電率が低下
し、容量温度変化率が大きくなるため、実用的ではなく
なる。さらに、NiOについても同様に0.8wt%を越
えると、誘電率が低下し、容量変化率が大きくなり、
0.05wt%未満ではその添加効果がなく、実用的では
なくなる。但し、Nb−Ni−Mnの組合わせにおいて
NiとMnを両方同時に加える場合、NiとMnの合計
が、0.8wt%を越えると誘電率が低下し、容量変化率
が大きくなるため、実用的ではなくなる。
【0054】以上のような理由により、本実施例におけ
る誘電体1の組成を決定した。なお、本実施例において
も誘電体1の出発原料としてNb25,MnO2,Sm2
3等の酸化物を用いたが、実施例1と同様に焼成後の
組成が所望したものになるならば、炭酸塩、水酸化物等
を用いても同様の特性が得られる。
【0055】また、あらかじめ主成分を仮焼してから、
副成分を添加したとしても、その効果に変わりはない。
【0056】(実施例5)まず、誘電体1の出発原料と
してBa/Tiモル比が1に調整された高純度のBaT
iO3粉末とBaCO3,Dy23,MnO2,ZnO,
Nb25の各粉末を焼成後の組成が(表14)に示すよ
うになるようにそれぞれ秤量した。
【0057】
【表14】
【0058】そして実施例1と同様にして図6に示すよ
うな電子部品を製造し、周波数1kHz、室温20℃の条
件で、誘電率、誘電体損失(tanδ)、容量を測定し
た。そして容量変化率を20℃での容量を基準として、
−25℃と85℃について求めた。その結果を(表1
5)に示す。
【0059】
【表15】
【0060】試料No.1,4,6はJIS−C−513
0規格におけるJD特性を満足し、その他の試料はJI
S−C−5130規格においてさらに容量温度変化率の
小さいRD特性を満足する。
【0061】また、試料No.1,4,6については、キ
ュリー温度での最大容量変化率を(ΔC/C20
max(%)として示し、他の試料については−55℃〜
125℃の範囲において最大容量変化率の絶対値を|Δ
C/C20max(%)として示す。
【0062】(表15)を見ると、本実施例における電
子部品は比誘電率が約2300〜5100と大きく、誘
電体損失が1.0%以下と優れたものであることがわか
る。
【0063】次に、本実施例における誘電体1の組成の
決定理由を図1を参照して説明する。直線a−eより上
部では、容量変化率が大きくなりJIS−C−5130
規格でのJD特性を満足できない。直線a−b、b−c
より左部では、焼結しにくくなり、実用的ではない。直
線c−dより下部では、Ndを入れた効果が薄く誘電率
が低下し焼結性も劣る。直線d−eより右部では、焼結
体の表面に二次相の発生が著しく、誘電率も低下方向に
あるので実用的ではない。
【0064】また、副成分としてのNb−Zn、あるい
はNb−Zn−Mnの組合わせにおいて、Nb25
0.6wt%未満では、焼結性が悪化し、誘電体損失が大
きくなり、2.4wt%を越えると誘電率が低下し、実用
的ではなくなる。また、ZnOは、0.05wt%未満で
はその添加効果がなく、0.80wt%を越えると、誘電
率が低下し、容量温度変化率が大きくなるため、実用的
ではない。さらに、ZnOとMnO2の両者を添加する
場合、その合計の添加量が0.05wt%以上であれば添
加効果が得られるが、その合計の添加が0.8wt%を越
えると、誘電率が低下し、容量変化率が大きくなり、実
用的ではなくなる。また、MnO2の添加量が0.40w
t%を越えると同様に誘電率が低下し、容量温度変化率
が大きくなるため、実用的ではない。
【0065】以上のような理由により、本実施例におけ
る誘電体1の組成を決定した。なお、本実施例において
も誘電体1の出発原料としてNb25,MnO2,Dy2
3等の酸化物を用いたが、実施例1と同様、焼成後の
組成が所望したものになるならば、炭酸塩、水酸化物等
を用いても同様の特性を得ることができる。
【0066】また、あらかじめ主成分を仮焼してから、
副成分を添加したとしても、その効果に変わりはない。
【0067】(実施例6)まず誘電体1の出発原料とし
て、Ba/Tiのモル比が1に調整された高純度のBa
TiO3粉末と、BaCO3,CeO2,MnO2,Zn
O,Nb25の各粉末を、焼成後の組成が(表16)に
なるようにそれぞれ秤量した。
【0068】
【表16】
【0069】そして実施例1と同様に図6に示す電子部
品を製造し、周波数1kHz、室温20℃の条件で、誘電
率、誘電体損失、容量を測定した。そして容量変化率を
20℃での容量を基準として、−25℃と85℃につい
て求めた。その結果を(表17)に示す。
【0070】
【表17】
【0071】試料No.1,4,5,6はJIS−C−5
130規格におけるJD特性を満足し、その他の試料は
JIS−C−5130規格においてRD特性を満足す
る。
【0072】また試料No.1,4,5,6については、
キュリー温度での最大容量変化率を(ΔC/C20max
(%)として示し、他の試料については−55℃〜12
5℃の範囲において最大容量変化率の絶対値を|ΔC/
20max(%)として示す。
【0073】(表17)を見ると、本実施例における電
子部品は比誘電率が約2300〜5100と大きく、誘
電体損失が、1.1%以下と優れたものであることがわ
かる。
【0074】次に、本実施例における誘電体1の組成の
決定理由を図2を参照して説明する。直線a−eより上
部では、容量変化率が大きくなりJIS−C−5130
規格でのJD特性を満足しない。直線a−b、b−cよ
り左部では、焼結しにくくなり、実用的ではない。直線
c−dより下部では、Ndを入れた効果が薄く誘電率が
低下し焼結性も劣る。直線d−eより右部では、焼結体
の表面に二次相の発生が著しく、誘電率も低下方向にあ
るので実用的ではない。
【0075】また、副成分としてのNb−Zn、あるい
はNb−Zn−Mnの組合わせにおいて、Nb25
0.6wt%未満では、焼結性が悪化し、誘電体損失が大
きくなり、2.4wt%を越えると誘電率が低下し、実用
的ではなくなる。また、ZnOは、0.05wt%未満で
はその添加効果がなく、0.80wt%を越えると、誘電
率が低下し、容量温度変化率が大きくなるため、実用的
ではない。さらに、ZnOとMnO2の両者を添加する
場合、その合計の添加量が0.05wt%以上であれば添
加効果が得られるが、その合計の添加が0.8wt%を越
えると、誘電率が低下し、容量変化率が大きくなり、実
用的ではなくなる。また、MnO2の添加量が0.40w
t%を越えると同様に誘電率が低下し、容量温度変化率
が大きくなり、実用的ではない。
【0076】以上のような理由により、本実施例におけ
る組成を決定した。なお、本実施例においても誘電体1
の出発原料としてNb25,MnO2,CeO2等の酸化
物を用いたが、実施例1と同様、焼成後の組成が所望し
たものになるならば、炭酸塩、水酸化物等を用いても同
様の特性を得ることができる。
【0077】また、あらかじめ主成分を仮焼してから、
副成分を添加したとしても、その効果に変わりはない。
【0078】(実施例7)まず誘電体1の出発原料とし
て、Ba/Tiのモル比が1に調整された高純度のBa
TiO3粉末と、BaCO3,Nd23,MnO2,Zn
O,Nb25の各粉末を、焼成後の組成が(表18)に
なるようにそれぞれ秤量した。
【0079】
【表18】
【0080】そして、実施例1と同様に図6に示す電子
部品を製造し、周波数1kHz、室温20℃の条件で、誘
電率、誘電体損失、容量を測定した。そして容量変化率
を20℃での容量を基準として、−25℃と85℃につ
いて求めた。その結果を(表19)に示す。
【0081】
【表19】
【0082】試料No.1,4,6はJIS−C−513
0規格におけるJD特性を満足し、その他の試料はJI
S−C−5130規格においてさらに容量温度変化率の
小さいRD特性を満足する。
【0083】また、試料No.1,4,6については、キ
ュリー温度での最大容量変化率を(ΔC/C20
max(%)として示し、他の試料については−55℃〜
125℃の範囲において最大容量変化率の絶対値を|Δ
C/C20max(%)として示す。
【0084】(表19)を見ると本実施例における電子
部品は比誘電率が、約2400〜5200と高く、誘電
体損失は、1.0%以下と非常に優れたものであること
がわかる。
【0085】次に、本実施例における誘電体1の組成の
決定理由を図3を参照して説明する。直線a−eより上
部では、容量変化率が大きくなりJIS−C−5130
規格でのJD特性を満足しない。直線a−b、b−cよ
り左部では、焼結しにくくなり、実用的ではない。直線
c−dより下部では、Ndを入れた効果が薄く誘電率が
低下し焼結性も劣る。直線d−eより右部では、焼結体
の表面に二次相の発生が著しく、誘電率も低下方向にあ
るので実用的ではない。
【0086】また、副成分としてのNb−Zn、あるい
はNb−Zn−Mnの組合わせにおいて、Nb25
0.6wt%未満では、焼結性が悪化し、誘電体損失が大
きくなり、2.4wt%を越えると誘電率が低下し、実用
的ではなくなる。また、ZnOは、0.05wt%未満で
はその添加効果がなく、0.80wt%を越えると、誘電
率が低下し、容量温度変化率が大きくなるため、実用的
ではない。さらに、ZnOとMnO2の両者を添加する
場合、その合計の添加量が0.05wt%以上であれば添
加効果が得られるが、その合計の添加が0.8wt%を越
えると、誘電率が低下し、容量変化率が大きくなり、実
用的ではなくなる。また、MnO2の添加量が0.40w
t%を越えると同様に誘電率が低下し、容量温度変化率
が大きくなり、実用的ではない。
【0087】以上のような理由により、本実施例におけ
る組成を決定した。なお、本実施例においても誘電体1
の出発原料としてNb25,MnO2,Nd23等の酸
化物を用いたが、実施例1と同様、焼成後の組成が所望
したものになるならば、炭酸塩、水酸化物等を用いても
同様の特性を得ることができる。
【0088】また、あらかじめ主成分を仮焼してから、
副成分を添加したとしても、その効果に変わりはない。
【0089】(実施例8)まず誘電体1の出発原料とし
て、Ba/Tiのモル比が1に調整された高純度のBa
TiO3粉末と、BaCO3,Sm23,MnO2,Zn
O,Nb25の各粉末を、焼成後の組成が(表20)に
なるようにそれぞれ秤量した。
【0090】
【表20】
【0091】そして、実施例1と同様に図6に示す電子
部品を製造し、周波数1kHz、室温20℃の条件で、誘
電率、誘電体損失、容量を測定した。そして容量変化率
を20℃での容量を基準として、−25℃と85℃につ
いて求めた。その結果を(表21)に示す。
【0092】
【表21】
【0093】試料No.1,4,5,6はJIS−C−5
130規格におけるJD特性を満足し、その他の試料は
JIS−C−5130規格においてさらに容量温度変化
率の小さいRD特性を満足する。
【0094】また、試料No.1,4,5,6について
は、キュリー温度での最大容量変化率を(ΔC/C20
max(%)として示し、他の試料については−55℃〜
125℃の範囲において最大容量変化率の絶対値を|Δ
C/C20max(%)として示す。
【0095】(表21)を見ると本実施例における電子
部品は比誘電率が約2400〜5200と大きくく、誘
電体損失は1.2%以下と非常に優れたものであること
がわかる。
【0096】次に、本実施例における誘電体1の組成の
決定理由を図4を参照して説明する。直線a−eより上
部では、容量変化率が大きくなりJIS−C−5130
規格でのJD特性を満足しない。直線a−b、b−cよ
り左部では、焼結しにくくなり、実用的ではない。直線
c−dより下部では、Ndを入れた効果が薄く誘電率が
低下し焼結性も劣る。直線d−eより右部では、焼結体
の表面に二次相の発生が著しく、誘電率も低下方向にあ
るので実用的ではない。
【0097】また、副成分としてのNb−Zn、あるい
はNb−Zn−Mnの組合わせにおいて、Nb25
0.6wt%未満では、焼結性が悪化し、誘電体損失が大
きくなり、2.4wt%を越えると誘電率が低下し、実用
的ではなくなる。また、ZnOは、0.05wt%未満で
はその添加効果がなく、0.80wt%を越えると、誘電
率が低下し、容量温度変化率が大きくなるため、実用的
ではない。さらに、ZnOとMnO2の両者を添加する
場合、その合計の添加量が0.05wt%以上であれば添
加効果が得られるが、その合計の添加が0.8wt%を越
えると、誘電率が低下し、容量変化率が大きくなり、実
用的ではなくなる。また、MnO2の添加量が0.40w
t%を越えると同様に誘電率が低下し、容量温度変化率
が大きくなり、実用的ではない。
【0098】以上のような理由により、本実施例におけ
る組成を決定した。なお、本実施例においても誘電体1
の出発原料としてNb25,MnO2,SmO3/2等の酸
化物を用いたが、実施例1と同様、焼成後の組成が所望
したものになるならば、炭酸塩、水酸化物等を用いても
同様の特性を得ることができる。
【0099】また、あらかじめ主成分を仮焼してから、
副成分を添加したとしても、その効果に変わりはない。
【0100】なお上記実施例においては、誘電体1単品
によるコンデンサで説明したが、誘電体を層状とし、こ
の誘電体層と電極層を交互に積層するとともに、電極層
を交互に両端側に引出し、そこに外部電極を形成した積
層セラミックコンデンサの誘電体にも適用できる。
【0101】
【発明の効果】以上のように、本発明の電子部品は、焼
結体表面への二次相の発生を抑制したものであり、しか
も比誘電率は高く、誘電体損失(tanδ)は小さく、
誘電体の温度変化率はJIS−C−5130規格におけ
るJD特性を満足している。
【0102】また、誘電体の組成中にパラジウムと反応
しやすいビスマスを含有していないので、電極にPdを
用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のBaO−TiO2−DyO3/2の三元成
分図
【図2】本発明のBaO−TiO2−CeO2の三元成分
【図3】本発明のBaO−TiO2−NdO3/2の三元成
分図
【図4】本発明のBaO−TiO2−SmO3/2の三元成
分図
【図5】本発明の一実施例における電子部品の製造工程
【図6】本発明の一実施例における電子部品の斜視図
【符号の説明】
1 誘電体 2 銀電極

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 誘電体と、この誘電体に少なくとも2つ
    設けた電極とを備え、前記誘電体は、xBaO+yTi
    2+zDyO3/2(但し、x+y+z=1)の三元成分
    図において、(表1)に示すa,b,c,d,eを頂点
    とする5角形の領域内で表される組成を主成分とし、副
    成分としてNbをNb25に換算して0.6〜2.4重
    量部、NiをNiOに換算して0.05〜0.8重量
    部、MnをMnOに換算して0.01〜0.4重量部の
    うち少なくとも一種類を含有させたもので形成した電子
    部品。 【表1】
  2. 【請求項2】 請求項1記載の誘電体の副成分に換え
    て、副成分として、ニオブをNb25に換算して0.6
    〜2.4重量部、亜鉛をZnOに換算して0.05〜
    0.8重量部含有させた請求項1記載の電子部品。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の誘電体の副成分に換え
    て、副成分として、ニオブをNb25に換算して0.6
    〜2.4重量部、亜鉛とマンガンをそれぞれZnO,M
    nO2に換算して合計で0.05〜0.8重量部(但し
    0<MnO2≦0.4重量部)含有させた請求項1記載
    の電子部品。
  4. 【請求項4】 誘電体と、この誘電体に少なくとも2つ
    設けた電極とを備え、前記誘電体は、xBaO+yTi
    2+zCeO2(但し、x+y+z=1)の三元成分図
    において、(表2)に示すa,b,c,d,eを頂点と
    する5角形の領域内で表される組成を主成分とし、副成
    分としてNbをNb25に換算して0.6〜2.4重量
    部、NiをNiOに換算して0.05〜0.8重量部、
    MnをMnOに換算して0.01〜0.4重量部のうち
    少なくとも一種類を含有させたもので形成した電子部
    品。 【表2】
  5. 【請求項5】 請求項4記載の誘電体の副成分に換え
    て、副成分として、ニオブをNb25に換算して0.6
    〜2.4重量部、亜鉛をZnOに換算して0.05〜
    0.8重量部含有させた請求項4記載の電子部品。
  6. 【請求項6】 請求項4記載の誘電体の副成分に換え
    て、副成分として、ニオブをNb25に換算して0.6
    〜2.4重量部、亜鉛とマンガンをそれぞれZnO,M
    nO2に換算して0.05〜0.8重量部(但し、0<
    MnO2≦0.4重量部)含有させた請求項4記載の電
    子部品。
  7. 【請求項7】 誘電体と、この誘電体に少なくとも2つ
    設けた電極とを備え、前記誘電体は、xBaO+yTi
    2+zNdO3/2(但し、x+y+z=1)の三元成分
    図において、(表3)に示すa,b,c,d,eを頂点
    とする5角形の領域内で表される組成を主成分とし、副
    成分としてNbをNb25に換算して0.6〜2.4重
    量部、NiをNiOに換算して0.05〜0.8重量
    部、MnをMnOに換算して0.01〜0.4重量部の
    うち少なくとも一種類を含有させたもので形成した電子
    部品。 【表3】
  8. 【請求項8】 請求項7記載の誘電体の副成分に換え
    て、副成分としてニオブをNb25に換算して0.6〜
    2.4重量部、亜鉛をZnOに換算して0.05〜0.
    8重量部含有させた請求項7記載の電子部品。
  9. 【請求項9】 請求項7記載の誘電体の副成分に換え
    て、副成分として、ニオブをNb25に換算して0.6
    〜2.4重量部、亜鉛とマンガンをそれぞれZnO,M
    nO2に換算して0.05〜0.8重量部(但し、0<
    MnO2≦0.4重量部)含有させた請求項7記載の電
    子部品。
  10. 【請求項10】 誘電体と、この誘電体に少なくとも2
    つ設けた電極とを備え、前記誘電体は、xBaO+yT
    iO2+zSm03/2(但し、x+y+z=1)の三元成
    分図において、(表4)に示すa,b,c,d,eを頂
    点とする5角形の領域内で表される組成を主成分とし、
    副成分としてNbをNb25に換算して0.6〜2.4
    重量部、NiをNiOに換算して0.05〜0.8重量
    部、MnをMnOに換算して0.01〜0.4重量部の
    うち少なくとも一種類を含有させたもので形成した電子
    部品。 【表4】
  11. 【請求項11】 請求項10記載の誘電体の副成分に換
    えて、副成分として、ニオブをNb25に換算して0.
    6〜2.4重量部、亜鉛をZnOに換算して0.05〜
    0.8重量部含有させた請求項10記載の電子部品。
  12. 【請求項12】 請求項10記載の誘電体の副成分に換
    えて、副成分としてニオブをNb25に換算して0.6
    〜2.4重量部、亜鉛とマンガンをそれぞれZnOとM
    nO2に換算して合計で0.05〜0.8重量部(但
    し、0<MnO2≦0.4重量部)含有させた請求項1
    0記載の電子部品。
JP23970593A 1993-09-27 1993-09-27 電子部品 Expired - Fee Related JP3321929B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23970593A JP3321929B2 (ja) 1993-09-27 1993-09-27 電子部品

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23970593A JP3321929B2 (ja) 1993-09-27 1993-09-27 電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0794019A true JPH0794019A (ja) 1995-04-07
JP3321929B2 JP3321929B2 (ja) 2002-09-09

Family

ID=17048701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23970593A Expired - Fee Related JP3321929B2 (ja) 1993-09-27 1993-09-27 電子部品

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3321929B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100406818B1 (ko) * 2000-10-24 2003-11-21 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 유전체 세라믹, 유전체 세라믹의 생산 공정 및 다층세라믹 커패시터
US7122268B2 (en) 2001-04-23 2006-10-17 Nissan Motor Co., Ltd. Solid oxide electrolyte fuel cell plate structure, stack and electrical power generation unit
JP2020205411A (ja) * 2019-06-14 2020-12-24 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100406818B1 (ko) * 2000-10-24 2003-11-21 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 유전체 세라믹, 유전체 세라믹의 생산 공정 및 다층세라믹 커패시터
US7122268B2 (en) 2001-04-23 2006-10-17 Nissan Motor Co., Ltd. Solid oxide electrolyte fuel cell plate structure, stack and electrical power generation unit
JP2020205411A (ja) * 2019-06-14 2020-12-24 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ

Also Published As

Publication number Publication date
JP3321929B2 (ja) 2002-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001351828A (ja) 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ
JP3634930B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JPH0794019A (ja) 電子部品
JP3289379B2 (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JP2847767B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2958826B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3319024B2 (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JP3289377B2 (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JP3289378B2 (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JP2847766B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP3319025B2 (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JP3309477B2 (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JP3064519B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3289387B2 (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JPH1029861A (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JPH09157013A (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JPH06302219A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH02242517A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH1029856A (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JPH1029855A (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JPH1029857A (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JPH09157011A (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JPH1029862A (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物
JPH04357608A (ja) 誘電体磁器組成物
JPH1029854A (ja) 高誘電率誘電体磁器組成物

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080628

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090628

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees