JPH1029856A - 高誘電率誘電体磁器組成物 - Google Patents
高誘電率誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH1029856A JPH1029856A JP8185760A JP18576096A JPH1029856A JP H1029856 A JPH1029856 A JP H1029856A JP 8185760 A JP8185760 A JP 8185760A JP 18576096 A JP18576096 A JP 18576096A JP H1029856 A JPH1029856 A JP H1029856A
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- dielectric constant
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容量変化を抑え、優れた特性を有する高誘電
率誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】 主成分を、ｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＬ
ａＯ3/2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表わした時、（表１）に
示すａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅで囲まれた範囲を主成分とし、
さらに副成分として酸化ニオブと酸化マグネシウムとを
Ｎｂ2Ｏ5の形に換算して０．６〜２．４重量部とＭｇＯ
の形に換算して０．０５〜０．８重量部を含有するもの
である。 【表１】
率誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】 主成分を、ｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＬ
ａＯ3/2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表わした時、（表１）に
示すａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅで囲まれた範囲を主成分とし、
さらに副成分として酸化ニオブと酸化マグネシウムとを
Ｎｂ2Ｏ5の形に換算して０．６〜２．４重量部とＭｇＯ
の形に換算して０．０５〜０．８重量部を含有するもの
である。 【表１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば電子機器用固
定磁器コンデンサに使用される温度変化率が小さく、且
つ誘電損失の小さい高誘電率誘電体磁器組成物に関する
ものである。
定磁器コンデンサに使用される温度変化率が小さく、且
つ誘電損失の小さい高誘電率誘電体磁器組成物に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より高誘電率系セラミックコンデン
サ用の誘電体材料として、チタン酸バリウム系の磁器組
成物が広く用いられている。このチタン酸バリウム系の
磁器組成物の中でも、高誘電率で温度変化率の小さい材
料には、一般に、ＢａＴｉＯ3−Ｎｂ2Ｏ5−ＭｎＯ2系を
はじめ、数多くの磁器組成物が知られている。また、最
近のセラミック積層コンデンサに対しては、小型大容量
の上、高周波特性の優れたものが要求されることが非常
に多くなってきている。
サ用の誘電体材料として、チタン酸バリウム系の磁器組
成物が広く用いられている。このチタン酸バリウム系の
磁器組成物の中でも、高誘電率で温度変化率の小さい材
料には、一般に、ＢａＴｉＯ3−Ｎｂ2Ｏ5−ＭｎＯ2系を
はじめ、数多くの磁器組成物が知られている。また、最
近のセラミック積層コンデンサに対しては、小型大容量
の上、高周波特性の優れたものが要求されることが非常
に多くなってきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＢａＴｉＯ3−Ｎｂ2Ｏ
5−ＭｎＯ2系の誘電体磁器組成物において、ＢａＴｉＯ
3におけるＢａとＴｉのモル比即ちＢａ／Ｔｉ比が１以
下であり、かつ通常の製造方法では、得られる焼結体の
表面に板状あるいは、針状結晶の二次相が析出し、この
二次相がセラミック積層コンデンサを作製した時、セラ
ミック積層コンデンサの素子表面に析出し、これに電解
メッキを施した際に、メッキのびとなり、外部電極間の
ショート不良の原因となっていた。
5−ＭｎＯ2系の誘電体磁器組成物において、ＢａＴｉＯ
3におけるＢａとＴｉのモル比即ちＢａ／Ｔｉ比が１以
下であり、かつ通常の製造方法では、得られる焼結体の
表面に板状あるいは、針状結晶の二次相が析出し、この
二次相がセラミック積層コンデンサを作製した時、セラ
ミック積層コンデンサの素子表面に析出し、これに電解
メッキを施した際に、メッキのびとなり、外部電極間の
ショート不良の原因となっていた。
【０００４】また、内部電極と誘電体との界面に二次相
が発生するため、この二次相が焼成中に内部電極を押上
げ、内部電極の不連続点が一部できることから、容量の
ばらつく原因となっていた。そして積層セラミックコン
デンサ素子を実装する際、素子表面の二次相の凹凸があ
るため、素子を吸着した時、位置ずれを起こし、実装率
を低下させることがあった。さらに、容量の温度変化率
の小さい組成範囲は、大変限定されたものであった。そ
こで本発明は、二次相の発生がなく、高い比誘電率と低
い誘電損失を有し、誘電率の温度変化の少ない高誘電率
誘電体磁器組成物を提供するものである。
が発生するため、この二次相が焼成中に内部電極を押上
げ、内部電極の不連続点が一部できることから、容量の
ばらつく原因となっていた。そして積層セラミックコン
デンサ素子を実装する際、素子表面の二次相の凹凸があ
るため、素子を吸着した時、位置ずれを起こし、実装率
を低下させることがあった。さらに、容量の温度変化率
の小さい組成範囲は、大変限定されたものであった。そ
こで本発明は、二次相の発生がなく、高い比誘電率と低
い誘電損失を有し、誘電率の温度変化の少ない高誘電率
誘電体磁器組成物を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の高誘電率誘電体磁器組成物は、主成分を、ｘ
ＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＬａＯ3/2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と
表わした時、この三元成分が（表２）に示すａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅを結ぶ直線で囲まれるモル比の範囲にあり、
かつ前記主成分に対して酸化ニオブをＮｂ2Ｏ5の形に換
算して０．６〜２．４重量部を含有するとともに、さら
に酸化マグネシウムをＭｇＯの形に換算して０．０５〜
０．８重量部含有したものである。
に本発明の高誘電率誘電体磁器組成物は、主成分を、ｘ
ＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＬａＯ3/2（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と
表わした時、この三元成分が（表２）に示すａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅを結ぶ直線で囲まれるモル比の範囲にあり、
かつ前記主成分に対して酸化ニオブをＮｂ2Ｏ5の形に換
算して０．６〜２．４重量部を含有するとともに、さら
に酸化マグネシウムをＭｇＯの形に換算して０．０５〜
０．８重量部含有したものである。
【０００６】
【表２】
【０００７】この構成により、常温での比誘電率が約２
０００〜４９００という高い値を示し、誘電損失（ｔａ
ｎδ）は、１．１％以下という低い値を示し、さらに誘
電率の温度変化は、２０℃を基準にして、ＪＩＳ−Ｃ−
５１３０（−２５℃〜８５℃の温度範囲で、誘電率の温
度変化が＋２０％〜−３０％以内）に規定するＪＤ特性
以下を満足することができる。
０００〜４９００という高い値を示し、誘電損失（ｔａ
ｎδ）は、１．１％以下という低い値を示し、さらに誘
電率の温度変化は、２０℃を基準にして、ＪＩＳ−Ｃ−
５１３０（−２５℃〜８５℃の温度範囲で、誘電率の温
度変化が＋２０％〜−３０％以内）に規定するＪＤ特性
以下を満足することができる。
【０００８】また、ＢａＴｉＯ3におけるＢａ／Ｔｉ比
が１より大きくなっているため、Ｔｉ過剰分による二次
相の発生が極めて少ないものを得ることができる。
が１より大きくなっているため、Ｔｉ過剰分による二次
相の発生が極めて少ないものを得ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、主成分を、ｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＬａＯ3/2（但
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表わしたとき、この三元成分が
（表２）に示すａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを結ぶ直線で囲まれ
るモル比の範囲にあり、かつ前記主成分に対して副成分
として、酸化ニオブをＮｂ2Ｏ5の形に換算して０．６〜
２．４重量部を含有すると共に、酸化マグネシウムをＭ
ｇＯの形に換算して０．０５〜０．８重量部含有するも
のであり、高い比誘電率、低い誘電率損失そして誘電率
の変化においてはＪＤ特性以下を満足するものである。
は、主成分を、ｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＬａＯ3/2（但
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表わしたとき、この三元成分が
（表２）に示すａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを結ぶ直線で囲まれ
るモル比の範囲にあり、かつ前記主成分に対して副成分
として、酸化ニオブをＮｂ2Ｏ5の形に換算して０．６〜
２．４重量部を含有すると共に、酸化マグネシウムをＭ
ｇＯの形に換算して０．０５〜０．８重量部含有するも
のであり、高い比誘電率、低い誘電率損失そして誘電率
の変化においてはＪＤ特性以下を満足するものである。
【００１０】請求項２に記載の発明は、副成分としてさ
らに酸化マンガンを含有し、かつ酸化マグネシウムとこ
の酸化マンガンを各々ＭｇＯとＭｎＯ2の形に換算して
合計で０．０５〜０．８重量部（但し、このうちＭｎＯ
2の含有率は０重量部を含まない０．４重量部以下）含
有するものであり、高い比誘電率、低い誘電損失そして
誘電率の温度変化においてはＪＤ特性以下を満足するも
のである。
らに酸化マンガンを含有し、かつ酸化マグネシウムとこ
の酸化マンガンを各々ＭｇＯとＭｎＯ2の形に換算して
合計で０．０５〜０．８重量部（但し、このうちＭｎＯ
2の含有率は０重量部を含まない０．４重量部以下）含
有するものであり、高い比誘電率、低い誘電損失そして
誘電率の温度変化においてはＪＤ特性以下を満足するも
のである。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１、図２を用い
て説明する。
て説明する。
【００１２】（実施例１）図１は、本発明の高誘電率誘
電体磁器組成物の主成分の組成範囲を示す三元図であ
り、（表２）に示すａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを結ぶ直線で囲
まれた領域に含まれる三元成分が本発明の組成を示すも
のである。また図２は、本発明の高誘電率誘電体磁器組
成物の製造工程図であり、まず、出発原料としてＢａ／
Ｔｉモル比が１に調整された高純度のＢａＴｉＯ3粉末
とＢａＣＯ3，Ｌａ2Ｏ3，ＭｎＯ2，ＭｇＯ，Ｎｂ2Ｏ5の
各粉末を準備し、焼成後の組成が、（表３）に示すよう
になるようにそれぞれ秤量し、めのうボールを備えたゴ
ム内張りのボールミルに純水とともに入れ、１８時間湿
式混合後（図２の１）、脱水乾燥（図２の２）した。
電体磁器組成物の主成分の組成範囲を示す三元図であ
り、（表２）に示すａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを結ぶ直線で囲
まれた領域に含まれる三元成分が本発明の組成を示すも
のである。また図２は、本発明の高誘電率誘電体磁器組
成物の製造工程図であり、まず、出発原料としてＢａ／
Ｔｉモル比が１に調整された高純度のＢａＴｉＯ3粉末
とＢａＣＯ3，Ｌａ2Ｏ3，ＭｎＯ2，ＭｇＯ，Ｎｂ2Ｏ5の
各粉末を準備し、焼成後の組成が、（表３）に示すよう
になるようにそれぞれ秤量し、めのうボールを備えたゴ
ム内張りのボールミルに純水とともに入れ、１８時間湿
式混合後（図２の１）、脱水乾燥（図２の２）した。
【００１３】
【表３】
【００１４】この乾燥粉末に、ポリビニールアルコール
バインダー５ｗｔ％溶液を適量加え、均質とした後、３
２メッシュのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレス
を用いて成形圧力１．５ｔｏｎ／ｃｍ2で直径１６ｍ
ｍ、厚み０．６〜０．８ｍｍの円板に成形した（図２の
３）。
バインダー５ｗｔ％溶液を適量加え、均質とした後、３
２メッシュのふるいを通して整粒し、金型と油圧プレス
を用いて成形圧力１．５ｔｏｎ／ｃｍ2で直径１６ｍ
ｍ、厚み０．６〜０．８ｍｍの円板に成形した（図２の
３）。
【００１５】次いで、この成形円板をジルコニア粉末を
敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて１２５０〜
１３５０℃で２時間保持して焼成した（図２の４）。焼
結体の密度が最大となる温度を最適焼成温度とし、得ら
れた焼結体円板の両面全体に銀電極を塗布後焼き付け
（図２の５）してコンデンサとし、各電気特性を周波数
１ＫＨｚ、室温２０℃の条件で測定し、容量温度変化率
は、２０℃での容量を基準として測定した（図２の
６）。この各測定結果を、（表４）に示す。
敷いたアルミナ質のサヤに入れ、空気中にて１２５０〜
１３５０℃で２時間保持して焼成した（図２の４）。焼
結体の密度が最大となる温度を最適焼成温度とし、得ら
れた焼結体円板の両面全体に銀電極を塗布後焼き付け
（図２の５）してコンデンサとし、各電気特性を周波数
１ＫＨｚ、室温２０℃の条件で測定し、容量温度変化率
は、２０℃での容量を基準として測定した（図２の
６）。この各測定結果を、（表４）に示す。
【００１６】
【表４】
【００１７】（表４）において、試料ＮＯ１，４，５，
７はＪＩＳ−Ｃ−５１３０規格でのＪＤ特性を示し、キ
ュリー温度での最大容量温度変化率を（ΔＣ／Ｃ20）ｍ
ａｘ（％）として示した。また、他の試料ＮＯのもの
は、更に容量温度変化率の小さいＪＩＳ−Ｃ−５１３０
規格でのＤＲ特性を満足しており、−２５℃および８５
℃での容量温度変化率と、並びにその時の、測定温度範
囲が−５５℃〜１２５℃の範囲において、最大容量温度
変化率を｜ΔＣ／Ｃ20｜ｍａｘ（％）として示してい
る。次に、本発明の組成範囲の限定理由を図１を参照し
て説明する。直線ａ−ｅより上部では、容量温度変化率
が大きくなりＪＩＳ−Ｃ−５１３０規格でのＪＤ特性を
満足しない。直線ａ−ｂ−ｃより左部では、焼結しにく
くなり、実用的ではない。直線ｃ−ｄより下部では、Ｌ
ａを入れた効果が薄く誘電率が薄く低下し焼結性も劣
る。直線ｄ−ｅより右部では、焼結体の表面に二次相の
発生が著しく、誘電率も低下方向にあるので実用的では
ない。
７はＪＩＳ−Ｃ−５１３０規格でのＪＤ特性を示し、キ
ュリー温度での最大容量温度変化率を（ΔＣ／Ｃ20）ｍ
ａｘ（％）として示した。また、他の試料ＮＯのもの
は、更に容量温度変化率の小さいＪＩＳ−Ｃ−５１３０
規格でのＤＲ特性を満足しており、−２５℃および８５
℃での容量温度変化率と、並びにその時の、測定温度範
囲が−５５℃〜１２５℃の範囲において、最大容量温度
変化率を｜ΔＣ／Ｃ20｜ｍａｘ（％）として示してい
る。次に、本発明の組成範囲の限定理由を図１を参照し
て説明する。直線ａ−ｅより上部では、容量温度変化率
が大きくなりＪＩＳ−Ｃ−５１３０規格でのＪＤ特性を
満足しない。直線ａ−ｂ−ｃより左部では、焼結しにく
くなり、実用的ではない。直線ｃ−ｄより下部では、Ｌ
ａを入れた効果が薄く誘電率が薄く低下し焼結性も劣
る。直線ｄ−ｅより右部では、焼結体の表面に二次相の
発生が著しく、誘電率も低下方向にあるので実用的では
ない。
【００１８】また、副成分としてのＮｂ−Ｍｇ、あるい
はＮｂ−Ｍｇ−Ｍｎの組合わせにおいて、Ｎｂ2Ｏ5が
０．６重量部未満では、焼結性が悪化し、誘電体損失が
大きくなり、２．４重量部を越えると誘電率が低下し、
実用的ではなくなる。また、ＭｇＯは、０．０５重量部
未満ではその添加効果がなく、０．８０重量部を越える
と、誘電率が低下し、容量温度変化率が大きくなるた
め、実用的ではない。さらに、ＭｇＯとＭｎＯ2の両者
を添加する場合、その合計の添加量が０．０５重量部以
上であれば添加効果が得られるが、その合計の添加量が
０．８重量部を越えると、誘電率が低下し、容量温度変
化率が大きくなり、実用的ではなくなる。また、ＭｎＯ
2の添加量が０．４０重量部を越えると同様に誘電率が
低下し、容量温度変化率が大きくなり、実用的ではな
い。
はＮｂ−Ｍｇ−Ｍｎの組合わせにおいて、Ｎｂ2Ｏ5が
０．６重量部未満では、焼結性が悪化し、誘電体損失が
大きくなり、２．４重量部を越えると誘電率が低下し、
実用的ではなくなる。また、ＭｇＯは、０．０５重量部
未満ではその添加効果がなく、０．８０重量部を越える
と、誘電率が低下し、容量温度変化率が大きくなるた
め、実用的ではない。さらに、ＭｇＯとＭｎＯ2の両者
を添加する場合、その合計の添加量が０．０５重量部以
上であれば添加効果が得られるが、その合計の添加量が
０．８重量部を越えると、誘電率が低下し、容量温度変
化率が大きくなり、実用的ではなくなる。また、ＭｎＯ
2の添加量が０．４０重量部を越えると同様に誘電率が
低下し、容量温度変化率が大きくなり、実用的ではな
い。
【００１９】尚、本実施例における高誘電率誘電体磁器
組成物の製造方法では、ＢａＣＯ3，Ｎｂ2Ｏ5，Ｍｎ
Ｏ2，Ｌａ2Ｏ3等の酸化物を用いたが、これらの方法に
限定されるものではなく、焼成した後所望の組成となる
ように、炭酸塩、水酸化物等を用いても同様な特性を得
ることができる。また、主成分をあらかじめ仮焼してか
ら、副成分を添加しても本実施例と同等な特性を得るこ
とができる。
組成物の製造方法では、ＢａＣＯ3，Ｎｂ2Ｏ5，Ｍｎ
Ｏ2，Ｌａ2Ｏ3等の酸化物を用いたが、これらの方法に
限定されるものではなく、焼成した後所望の組成となる
ように、炭酸塩、水酸化物等を用いても同様な特性を得
ることができる。また、主成分をあらかじめ仮焼してか
ら、副成分を添加しても本実施例と同等な特性を得るこ
とができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明の高誘電率誘電体磁器組成物は、
比誘電率が約２０００〜４８００と高い値を示し、誘電
体損失（ｔａｎδ）は１．１以下という小さい値を示す
ばかりでなく、誘電体の温度変化率は、ＪＩＳ−Ｃ−５
１３０に規定するＪＤ特性以下を満足することができ
る。
比誘電率が約２０００〜４８００と高い値を示し、誘電
体損失（ｔａｎδ）は１．１以下という小さい値を示す
ばかりでなく、誘電体の温度変化率は、ＪＩＳ−Ｃ−５
１３０に規定するＪＤ特性以下を満足することができ
る。
【００２１】また、組成中にパラジウムと反応しやすい
ビスマスを含有しないため、内部電極として高価なＰｔ
を用いる必要がなくＰｄ単体の使用が可能である。更
に、焼結体表面の二次相発生が極めて少ないため、積層
セラミックコンデンサに使用する際、メッキのび、容量
ばらつきの少ない安定した積層セラミックコンデンサ素
子を製造することが可能となる。また、基板上に実装す
る際に同素子を安定して装着が可能となり、工業上利用
価値の非常に高いものである。
ビスマスを含有しないため、内部電極として高価なＰｔ
を用いる必要がなくＰｄ単体の使用が可能である。更
に、焼結体表面の二次相発生が極めて少ないため、積層
セラミックコンデンサに使用する際、メッキのび、容量
ばらつきの少ない安定した積層セラミックコンデンサ素
子を製造することが可能となる。また、基板上に実装す
る際に同素子を安定して装着が可能となり、工業上利用
価値の非常に高いものである。
【図１】本発明にかかる高誘電率誘電体磁器組成物の主
成分の組成範囲を説明する三元組成図
成分の組成範囲を説明する三元組成図
【図２】本発明の一実施例による高誘電率誘電体磁器組
成物の製造工程図
成物の製造工程図
Claims (2)
- 【請求項１】 主成分を、ｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＬ
ａＯ3/2（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表わしたとき、こ
の三元成分が、（表１）に示すａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅを結
ぶ直線で囲まれるモル比の範囲にあり、かつ上記主成分
に対して副成分として酸化ニオブをＮｂ2Ｏ5の形に換算
して０．６〜２．４重量部を含有するとともに、酸化マ
グネシウムをＭｇＯの形に換算して０．０５〜０．８重
量部含有してなる高誘電率誘電体磁器組成物。 【表１】 - 【請求項２】 副成分として、さらに酸化マンガンを含
有し、かつ酸化マグネシウムと酸化マンガンとをそれぞ
れＭｇＯ，ＭｎＯ2の形に換算して合計で０．０５〜
０．８重量部（ただし、このうちＭｎＯ2の加えられる
許容範囲は、０重量部を含まない０．４重量部以下）含
有してなる請求項１に記載の高誘電率誘電体磁器組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8185760A JPH1029856A (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8185760A JPH1029856A (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1029856A true JPH1029856A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16176398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8185760A Pending JPH1029856A (ja) | 1996-07-16 | 1996-07-16 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1029856A (ja) |
-
1996
- 1996-07-16 JP JP8185760A patent/JPH1029856A/ja active Pending
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