JPH0793333B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JPH0793333B2
JPH0793333B2 JP62219829A JP21982987A JPH0793333B2 JP H0793333 B2 JPH0793333 B2 JP H0793333B2 JP 62219829 A JP62219829 A JP 62219829A JP 21982987 A JP21982987 A JP 21982987A JP H0793333 B2 JPH0793333 B2 JP H0793333B2
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discharge
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semiconductor device
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博文 中村
治郎 大施戸
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の製造装置に係り、特に半導体
装置を製造するアッセンブルラインの半導体素子のダイ
ボンドに関するものである。
〔従来の技術〕
第３図は従来のこの種のダイボンド時の溶融金属の流出
防止装置を示す斜視図である。
この図において、３はフレームアイランド部、４はダイ
パット部、７は、例えばピン，板等からなる溶融金属の
流出防止金属片（以下、単に金属片という）であり、7a
はこの金属片７の復帰原点位置である。８は前記ダイパ
ット部４にダイボンドされる半導体素子、９は前記半導
体素子８の固着時の溶融金属で、例えば半田，金などが
用いられる。
次に動作について説明する。
フレームのダイパット部４が所定位置に置かれると、フ
レームアイランド部３の表面に金属片７が上部から下降
してきて接触する。次に半導体素子８が溶融金属９によ
りダイパット部４上に固着される。このプロセスが完了
すると金属片７は上方の復帰原点位置7aに戻り、フレー
ム供給の体制に入る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の溶融金属９の流出防止装置は、以上のように構成
されているので、フレーム品種の交換時、金属片７がフ
レームアイランド部３に正確に、しかも少しの隙間もな
いように接触させるようにしなければならず、このため
に長時間の調整と管理が必要であった。また、金属片７
が原点復帰動作に入る時、金属片７で遮断されていた溶
融金属９が流出するなどの問題点があった。また、金属
片７がフレームアイランド部３や半導体素子８に損傷を
与えるなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、溶融金属の流出を防止した半導体装置の製
造装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の製造装置は、フレームアイ
ランド部の溶融金属の流出防止箇所に対向する放電用高
電圧電極と、フレームアイランド部と放電用高電圧電極
との間に高電圧を印加する高圧電源とを設けたものであ
る。
〔作用〕
この発明においては、フレームアイランド部の溶融金属
の流出防止箇所は、局所的な火花放電により表面金属が
変形され、溶融金属の流出を阻止する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、第３図と同一符号は同じものを示し、
１は目的とするフレームの上部、すなわちフレームアイ
ランド部３の溶融金属の流出防止箇所に対向して設けら
れた針状の放電用高電圧電極、２は前記フレームアイラ
ンド部３の溶融金属の流出防止箇所に火花放電によりス
ポット的に変形した金属表面部（溶融金属流出防止地
点）、５は火花放電用の高圧電源、６は高電圧をフレー
ムと針状の放電用高電圧電極１に供給する給電線であ
る。なお、放電用高電圧電極１は１個でなく、ダイパッ
ト部４に関し対称に両側に設けるなどしてもよい。
次に、この動作について説明する。
フレームのダイバット部４が所定の位置に位置決めされ
ると、フレームアイランド部３に対向して電極間距離Ｄ
だけ離れた地点に設けられた放電用高電圧電極１とアー
ス側となるフレームとの間に火花放電用の高圧電源５よ
り高電圧が給電線６を介して印加される。この時、放電
用高電圧電極１とフレームアイランド部３間に放電が起
こり、フレームアイランド部３の溶融金属の流出防止箇
所の金属表面部２が形成される。これにより、ダイパッ
ト部４に半導体素子８を溶融金属９を用いてダイボンド
する際、溶融金属９は変形された金属表面部２により流
出が阻止される。
なお、上記実施例では針状の放電用高電圧電極１と放電
側のフレームアイランド部３との空間に絶縁シールド的
なものは設けなかったが、この空間は第２図に示すよう
に穴11が付いた絶縁シールド板10を設けると、フレーム
アイランド部３などの放電対象物12の変形領域がコント
ロールされる。
さらに、上記実施例ではフレーム上の表面状態について
は指定しなかったが、例えば部分メッキされたフレーム
表面であっても上記実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では放電雰囲気中についても特に指定
しなかったが、例えば上記装置を全体的にケース中に入
れ、密閉した雰囲気ガス中で放電させても上記実施例と
同様の効果を奏する。
また、上記実施例ではフレームの宙吊りリード部を酸化
させる効果もある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は、フレームアイランド
部の溶融金属の流出防止箇所に対向する放電用高電圧電
極と、フレームアイランド部と放電用高電圧電極との間
に高電圧を印加する高圧電源とを設けたので、変形され
た金属表面部により溶融金属の流出を防止することがで
き、調整管理が容易な半導体装置の製造装置が得られる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の製造装
置の概略斜視図、第２図はこの発明の他の実施例を示す
正面図、第３図は従来の半導体装置の製造装置の概略斜
視図である。 図において、１は放電用高電圧電極、２は金属表面部、
３はフレームアイランド部、４はダイパット部、５は火
花放電用の高圧電源、６は給電線である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体素子をフレームのダイパッド部にダ
    イボンドするアッセンブルダイボンド工程を行う製造装
    置において、フレームアイランド部の溶融金属の流出防
    止箇所に対向する放電用高電圧電極と、前記フレームア
    イランド部と放電用高電圧電極との間に高電圧を印加す
    る高圧電源とを設けており、前記フレームアイランド部
    と放電用高電圧電極との間の放電により前記フレームア
    イランド部の表面金属を変形させ、前記ダイボンド時に
    流れる前記溶融金属の流出を防止することを特徴とする
    半導体装置の製造装置。
JP62219829A 1987-09-02 1987-09-02 半導体装置の製造装置 Expired - Lifetime JPH0793333B2 (ja)

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JPS6461922A JPS6461922A (en) 1989-03-08
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US6164088A (en) * 1998-07-27 2000-12-26 Mitsubishi Denki Kaishushiki Kaisha Method for recovering condensable gas from mixed gas and condensable gas recovering apparatus

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JPS6461922A (en) 1989-03-08

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