JPH0793223B2 - 粒界絶縁型積層セラミックチップコンデンサの製造法及びセラミック誘電体原料組成物 - Google Patents
粒界絶縁型積層セラミックチップコンデンサの製造法及びセラミック誘電体原料組成物Info
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- JPH0793223B2 JPH0793223B2 JP18160992A JP18160992A JPH0793223B2 JP H0793223 B2 JPH0793223 B2 JP H0793223B2 JP 18160992 A JP18160992 A JP 18160992A JP 18160992 A JP18160992 A JP 18160992A JP H0793223 B2 JPH0793223 B2 JP H0793223B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は小型で大容量の粒界絶縁
型積層セラミックチップコンデンサの簡便で低コストの
製造法に関するものである。
型積層セラミックチップコンデンサの簡便で低コストの
製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】粒界絶縁型コンデンサ（ＢＬ型コンデン
サ）は半導体セラミックスの粒界部に高絶縁性物質が一
様に偏析したもので、一般的な製法としては、例えばチ
タン酸バリウム（BaTiO3）、チタン酸ストロンチウム
（SrTiO3）、チタン酸カルシウム（CaTiO3）のような原
料に、半導体化するに必要な微量添加物、例えばLa、 D
y、Nd、 Ｙ、 Nb、 Taなどの３価又は５価の金属の酸化物
の所定量を添加し、ボールミルで混合・粉砕してから、
ＰＶＡのような有機バインダを添加、造粒し、目的の形
状に成形した後、所定の雰囲気中で１３５０〜１４００
℃で焼成して半導体セラミックスを得る。粒界のみを選
択的に絶縁化する為に、前記半導体セラミックスの表面
にスクリーン等で金属酸化物（MnO、 CuO、 Bi2O3、 PbO、
Tl2O3、 Sb2O3、Fe2O3 など、或はこれらの組み合わせ）
よりなるドーピング剤を塗布し熱拡散する。上記金属酸
化物をセラミックス組成物の中に入れておき、焼成後熱
処理を行う方法もある。最後に、その表面に電極を焼き
付ける。この場合、半導体セラミックスを得るための焼
成工程、金属酸化物を粒界に拡散するための熱処理工
程、電極の焼付け工程と言った多段階の加熱が必要とな
る。
サ）は半導体セラミックスの粒界部に高絶縁性物質が一
様に偏析したもので、一般的な製法としては、例えばチ
タン酸バリウム（BaTiO3）、チタン酸ストロンチウム
（SrTiO3）、チタン酸カルシウム（CaTiO3）のような原
料に、半導体化するに必要な微量添加物、例えばLa、 D
y、Nd、 Ｙ、 Nb、 Taなどの３価又は５価の金属の酸化物
の所定量を添加し、ボールミルで混合・粉砕してから、
ＰＶＡのような有機バインダを添加、造粒し、目的の形
状に成形した後、所定の雰囲気中で１３５０〜１４００
℃で焼成して半導体セラミックスを得る。粒界のみを選
択的に絶縁化する為に、前記半導体セラミックスの表面
にスクリーン等で金属酸化物（MnO、 CuO、 Bi2O3、 PbO、
Tl2O3、 Sb2O3、Fe2O3 など、或はこれらの組み合わせ）
よりなるドーピング剤を塗布し熱拡散する。上記金属酸
化物をセラミックス組成物の中に入れておき、焼成後熱
処理を行う方法もある。最後に、その表面に電極を焼き
付ける。この場合、半導体セラミックスを得るための焼
成工程、金属酸化物を粒界に拡散するための熱処理工
程、電極の焼付け工程と言った多段階の加熱が必要とな
る。
【０００３】一方別のタイプの大容量のセラミックコン
デンサとして積層型（ＭＬ型）コンデンサがある。これ
は原料セラミック粉末をミル粉砕し、バインダを混合し
て泥漿とし、キャスティング成膜してセラミック生シー
ト（グリーンシート）とし、所定形状にするためののパ
ンチング、内部電極印刷、積層圧着、切断という工程を
経て積層生チップとし、焼結、外部電極焼付又はメッ
キ、リード線付け、外装を行って製品とする。
デンサとして積層型（ＭＬ型）コンデンサがある。これ
は原料セラミック粉末をミル粉砕し、バインダを混合し
て泥漿とし、キャスティング成膜してセラミック生シー
ト（グリーンシート）とし、所定形状にするためののパ
ンチング、内部電極印刷、積層圧着、切断という工程を
経て積層生チップとし、焼結、外部電極焼付又はメッ
キ、リード線付け、外装を行って製品とする。
【０００４】この場合焼結と内部電極の焼付は同時に行
われることになるが、チタン酸バリウム（BaTiO3）、チ
タン酸ストロンチウム（SrTiO3）あるいはチタン酸カル
シウム（CaTiO3）などを主成分とする原料はいずれも１
３００℃以上の高温で、しかも空気中で焼結する必要が
ある。このように高い温度で焼結する際に、内部電極材
料が酸化したり、溶融したり、セラミック材料と反応し
たりするのを避けるためには、内部電極材料として白
金、パラジウムのような高価な貴金属を使用する以外に
有効な手段が見出されていない。高価な内部電極材料を
使用しなければならないことが積層型コンデンサのコス
ト上昇を招いている。より低い温度で焼成可能なセラミ
ック組成物についての研究も行われているが、それでも
１０００℃前後での焼成を必要としているのが現状であ
る。また外部電極焼付は焼結後に行われるので、積層型
（ＭＬ型）コンデンサの製造においても多段階の加熱工
程が必要になる。
われることになるが、チタン酸バリウム（BaTiO3）、チ
タン酸ストロンチウム（SrTiO3）あるいはチタン酸カル
シウム（CaTiO3）などを主成分とする原料はいずれも１
３００℃以上の高温で、しかも空気中で焼結する必要が
ある。このように高い温度で焼結する際に、内部電極材
料が酸化したり、溶融したり、セラミック材料と反応し
たりするのを避けるためには、内部電極材料として白
金、パラジウムのような高価な貴金属を使用する以外に
有効な手段が見出されていない。高価な内部電極材料を
使用しなければならないことが積層型コンデンサのコス
ト上昇を招いている。より低い温度で焼成可能なセラミ
ック組成物についての研究も行われているが、それでも
１０００℃前後での焼成を必要としているのが現状であ
る。また外部電極焼付は焼結後に行われるので、積層型
（ＭＬ型）コンデンサの製造においても多段階の加熱工
程が必要になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、内部電極材
料として安価な銅・ニッケル合金を使用できる粒界絶縁
型積層セラミックチップコンデンサの製造法を提供する
ことを目的とする。
料として安価な銅・ニッケル合金を使用できる粒界絶縁
型積層セラミックチップコンデンサの製造法を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による粒界絶縁型
積層セラミックチップコンデンサの製造法は、微粒状の
セラミック誘電体原料組成物を水素ガス雰囲気中で１３
００〜１３８０℃の温度範囲で１時間以上熱処理したも
のにドーピング剤及び有機バインダを添加し混練してペ
ースト状にし、それより薄膜状シートを形成し、そのシ
ート表面に電極となる銅・ニッケル合金を含むペースト
を塗布・乾燥した後、積層して圧着し、空気雰囲気中で
２５０〜５００℃の温度範囲で予備焼成してから７００
〜９００℃の温度範囲で本焼成を行うことを特徴とす
る。
積層セラミックチップコンデンサの製造法は、微粒状の
セラミック誘電体原料組成物を水素ガス雰囲気中で１３
００〜１３８０℃の温度範囲で１時間以上熱処理したも
のにドーピング剤及び有機バインダを添加し混練してペ
ースト状にし、それより薄膜状シートを形成し、そのシ
ート表面に電極となる銅・ニッケル合金を含むペースト
を塗布・乾燥した後、積層して圧着し、空気雰囲気中で
２５０〜５００℃の温度範囲で予備焼成してから７００
〜９００℃の温度範囲で本焼成を行うことを特徴とす
る。
【０００７】誘電体原料としては前記のチタン酸バリウ
ム（BaTiO3）、チタン酸カルシウム（CaTiO3）、チタン
酸ストロンチウム（SrTiO3）或はチタン酸マグネシウム
（MgTiO3）のような、一般的に使用されているものはい
ずれも使用できる。誘電体原料は出来るだけ細かいもの
を使用する。単層の粒界絶縁型セラミックコンデンサ用
としては粒径５〜１０μのものでも良いが、粒界絶縁型
積層セラミックコンデンサ用としては、望ましくは粒径
１μ以下に粉砕されたもので、しかも粒径の揃ったもの
を使用する。このような原料を半導体化するに必要な微
量添加物も従来から使用されているもの、例えばLa、 D
y、 Nd、 Ｙ、 Nb、 Taなどの金属の酸化物を使用すること
ができる。これらの微量添加物も、誘電体原料と同等の
大きさに粉砕されたものを用いる。
ム（BaTiO3）、チタン酸カルシウム（CaTiO3）、チタン
酸ストロンチウム（SrTiO3）或はチタン酸マグネシウム
（MgTiO3）のような、一般的に使用されているものはい
ずれも使用できる。誘電体原料は出来るだけ細かいもの
を使用する。単層の粒界絶縁型セラミックコンデンサ用
としては粒径５〜１０μのものでも良いが、粒界絶縁型
積層セラミックコンデンサ用としては、望ましくは粒径
１μ以下に粉砕されたもので、しかも粒径の揃ったもの
を使用する。このような原料を半導体化するに必要な微
量添加物も従来から使用されているもの、例えばLa、 D
y、 Nd、 Ｙ、 Nb、 Taなどの金属の酸化物を使用すること
ができる。これらの微量添加物も、誘電体原料と同等の
大きさに粉砕されたものを用いる。
【０００８】これら誘電体原料と微量添加物を所定の比
率で混合・粉砕した誘電体原料組成物を水素ガス雰囲気
中で１３００〜１３８０℃の温度範囲で１時間以上、好
ましくは１〜４時間熱処理する。４時間以上熱処理して
も差し支えないが、あえて長時間熱処理を行う利点はな
い。
率で混合・粉砕した誘電体原料組成物を水素ガス雰囲気
中で１３００〜１３８０℃の温度範囲で１時間以上、好
ましくは１〜４時間熱処理する。４時間以上熱処理して
も差し支えないが、あえて長時間熱処理を行う利点はな
い。
【０００９】このように誘電体原料組成物を水素ガス雰
囲気中で熱処理したものに、ドーピング剤及び有機バイ
ンダを添加し混練してペースト状にする。必要に応じて
可塑剤、分散剤、溶剤などを添加しても良い。
囲気中で熱処理したものに、ドーピング剤及び有機バイ
ンダを添加し混練してペースト状にする。必要に応じて
可塑剤、分散剤、溶剤などを添加しても良い。
【００１０】ドーピング剤としては、従来一般に粒界絶
縁型セラミックコンデンサの製造に用いられている金属
酸化物、例えばMnO、 CuO、 Bi2O3、 PbO、 Tl2O3、Sb2O3、 F
e2O3など、或はこれらの組み合わせを使用することがで
きる。
縁型セラミックコンデンサの製造に用いられている金属
酸化物、例えばMnO、 CuO、 Bi2O3、 PbO、 Tl2O3、Sb2O3、 F
e2O3など、或はこれらの組み合わせを使用することがで
きる。
【００１１】有機バインダとしてはエチルセルローズ、
ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＶＢ（ポリビニル
ブチラール）、アクリル系ポリマ等、可塑剤としてはポ
リエチレングリコール、フタール酸エステル等、分散剤
としてはグリセリン、オレイン酸エチル、モノオレイン
酸グリセリン等、溶剤としてはアセトン、トルエン、Ｍ
ＥＫ（メチルエチルケトン）、メタノール、エタノー
ル、シクロヘキサノン、水等、従来から使用されている
ものを使用できる。
ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＶＢ（ポリビニル
ブチラール）、アクリル系ポリマ等、可塑剤としてはポ
リエチレングリコール、フタール酸エステル等、分散剤
としてはグリセリン、オレイン酸エチル、モノオレイン
酸グリセリン等、溶剤としてはアセトン、トルエン、Ｍ
ＥＫ（メチルエチルケトン）、メタノール、エタノー
ル、シクロヘキサノン、水等、従来から使用されている
ものを使用できる。
【００１２】上記のペーストから薄膜状のシートをつく
る工程では、装置はドクターブレード法によるものが一
般的である。シートの厚さは１０μｍ以下、好ましくは
４〜５μとするのが適当であるが、これらに限定される
ものではない。シートはパンチング（打抜き）して、後
段の処理に適したサイズにする。
る工程では、装置はドクターブレード法によるものが一
般的である。シートの厚さは１０μｍ以下、好ましくは
４〜５μとするのが適当であるが、これらに限定される
ものではない。シートはパンチング（打抜き）して、後
段の処理に適したサイズにする。
【００１３】更に電極材料として銅・ニッケル合金を含
むペーストをシート表面の所定位置に塗布し乾燥する。
このペーストは銅・ニッケル合金の微粉末を適当な有機
バインダに分散させたものである。合金中の銅とニッケ
ルの比率は７：３程度のものが好ましい。
むペーストをシート表面の所定位置に塗布し乾燥する。
このペーストは銅・ニッケル合金の微粉末を適当な有機
バインダに分散させたものである。合金中の銅とニッケ
ルの比率は７：３程度のものが好ましい。
【００１４】銅・ニッケル合金を含むペーストにおいて
使用する有機バインダとしては、各種の樹脂を有機溶剤
に溶解した状態で用いる。樹脂の物性値としては、溶剤
に対する溶解性と粘度、加熱時の分解、燃焼状態、銅・
ニッケル合金微粉末との反応性、長期の安定性等が重要
となる。有機バインダに要求される特性として、(1)銅
・ニッケル合金微粉末を均質に分散させ、均質で平滑な
乾燥膜、燃焼膜が得られること、(2) ペーストの粘度、
粘度適性がコントロール出来、最適な印刷性が得られる
こと、(3) 適当な乾燥膜強度が得られること、(4) 燃焼
過程において、銅・ニッケル合金微粉末の焼結速度をコ
ントロールし、緻密な燃焼膜が得られること、(5) 銅・
ニッケル合金含有率をコントロールし、所定の燃焼膜が
得られること、などが挙げられる。代表的な有機バイン
ダとしては、アクリル樹脂フェノール樹脂、アルキッド
樹脂、ロジンエステル、各種セルロース等がある。
使用する有機バインダとしては、各種の樹脂を有機溶剤
に溶解した状態で用いる。樹脂の物性値としては、溶剤
に対する溶解性と粘度、加熱時の分解、燃焼状態、銅・
ニッケル合金微粉末との反応性、長期の安定性等が重要
となる。有機バインダに要求される特性として、(1)銅
・ニッケル合金微粉末を均質に分散させ、均質で平滑な
乾燥膜、燃焼膜が得られること、(2) ペーストの粘度、
粘度適性がコントロール出来、最適な印刷性が得られる
こと、(3) 適当な乾燥膜強度が得られること、(4) 燃焼
過程において、銅・ニッケル合金微粉末の焼結速度をコ
ントロールし、緻密な燃焼膜が得られること、(5) 銅・
ニッケル合金含有率をコントロールし、所定の燃焼膜が
得られること、などが挙げられる。代表的な有機バイン
ダとしては、アクリル樹脂フェノール樹脂、アルキッド
樹脂、ロジンエステル、各種セルロース等がある。
【００１５】これらの樹脂を溶解する有機溶剤に要求さ
れる特性としては、(1) 印刷安定性が高く、乾燥段階で
は低温で蒸発し乾燥膜を形成できること、(2) シート・
アタック性が少ないこと、(3) ペーストの金属含有率と
粘度を容易にコントロールできること、などが挙げられ
る。代表的な有機溶剤としては、アルコール系、炭化水
素系、エーテル系、エステル系等がある。
れる特性としては、(1) 印刷安定性が高く、乾燥段階で
は低温で蒸発し乾燥膜を形成できること、(2) シート・
アタック性が少ないこと、(3) ペーストの金属含有率と
粘度を容易にコントロールできること、などが挙げられ
る。代表的な有機溶剤としては、アルコール系、炭化水
素系、エーテル系、エステル系等がある。
【００１６】シート表面の所定位置に電極となる銅・ニ
ッケル合金を含むペーストを塗布・乾燥したものは積層
して圧着する。積層する場合、通常の積層型（ＭＬ型）
コンデンサの場合と同じように、内部電極がグリーンシ
ートチップの一方の側に偏るように印刷されたものを交
互に反対向きに積み重ね、最終的に相対する一対の櫛型
電極になるようにする。
ッケル合金を含むペーストを塗布・乾燥したものは積層
して圧着する。積層する場合、通常の積層型（ＭＬ型）
コンデンサの場合と同じように、内部電極がグリーンシ
ートチップの一方の側に偏るように印刷されたものを交
互に反対向きに積み重ね、最終的に相対する一対の櫛型
電極になるようにする。
【００１７】以上のように処理された複層シートは空気
雰囲気中で２５０〜５００℃の温度範囲で予備焼成して
有機バインダを飛ばしてから７００〜９００℃の温度範
囲で本焼成を行う。
雰囲気中で２５０〜５００℃の温度範囲で予備焼成して
有機バインダを飛ばしてから７００〜９００℃の温度範
囲で本焼成を行う。
【００１８】バインダシステムにもよるが、２５０〜５
００℃で４時間以上かけて予備焼成して脱バインダする
ことにより、デラミネーション、クラック、ひび割れな
どの焼成後に生じる欠陥を少なくすることができる。
００℃で４時間以上かけて予備焼成して脱バインダする
ことにより、デラミネーション、クラック、ひび割れな
どの焼成後に生じる欠陥を少なくすることができる。
【００１９】本焼成は４時間以上行う。この間に、シー
ト内の誘電体原料組成物のセラミック粒子の粒界への金
属酸化物の熱拡散によるセラミック粒子の絶縁化、電極
金属の焼付が行われる。外部電極は内部電極と同時に焼
き付けても良いし、後からメッキにより形成しても良
い。このあとリード線取り付け、外装を行って製品とす
る。
ト内の誘電体原料組成物のセラミック粒子の粒界への金
属酸化物の熱拡散によるセラミック粒子の絶縁化、電極
金属の焼付が行われる。外部電極は内部電極と同時に焼
き付けても良いし、後からメッキにより形成しても良
い。このあとリード線取り付け、外装を行って製品とす
る。
【００２０】焼成工程の標準的な温度／時間サイクルに
ついて述べると、先ず室温から４時間程度かけて予備焼
成温度にし、予備焼成を４時間程度行い、その後４時間
程度かけて本焼成温度にし、本焼成を４時間程度行い、
最後に８時間程度かけて室温に戻すという合計約２４時
間程度のサイクルとなる。焼成は上記条件に設定したト
ンネル炉を用いるのが便利である。
ついて述べると、先ず室温から４時間程度かけて予備焼
成温度にし、予備焼成を４時間程度行い、その後４時間
程度かけて本焼成温度にし、本焼成を４時間程度行い、
最後に８時間程度かけて室温に戻すという合計約２４時
間程度のサイクルとなる。焼成は上記条件に設定したト
ンネル炉を用いるのが便利である。
【００２１】本発明の粒界絶縁型積層セラミックチップ
コンデンサは、従来使用されているパラジウムに比べて
抵抗率の低い銅・ニッケル合金を内部電極として使用で
きるので、誘電正接（tan δ）が小さくなり高周波特性
が向上する。
コンデンサは、従来使用されているパラジウムに比べて
抵抗率の低い銅・ニッケル合金を内部電極として使用で
きるので、誘電正接（tan δ）が小さくなり高周波特性
が向上する。
【００２２】本発明の粒界絶縁型積層セラミックコンデ
ンサは、粒界絶縁型セラミックコンデンサの特性である
小型大容量であることに加えて、更に積層化されている
ために画期的な小型・大容量化が行われる。
ンサは、粒界絶縁型セラミックコンデンサの特性である
小型大容量であることに加えて、更に積層化されている
ために画期的な小型・大容量化が行われる。
【００２３】すなわち静電容量１００μＦの製品を得る
ために従来の積層型（ＭＬ型）コンデンサでは６０層を
必要としたのに対し、本発明の粒界絶縁型積層セラミッ
クコンデンサでは１０層、或はそれ以下で良い。
ために従来の積層型（ＭＬ型）コンデンサでは６０層を
必要としたのに対し、本発明の粒界絶縁型積層セラミッ
クコンデンサでは１０層、或はそれ以下で良い。
【００２４】例えばストロンチウム系誘電体原料をベー
スとした場合、最終形態で１．２×２．４ｍｍのチップ
で１０層の粒界絶縁型積層セラミックコンデンサ−で１
００μＦオーダーの静電容量を有する製品が得られる。
スとした場合、最終形態で１．２×２．４ｍｍのチップ
で１０層の粒界絶縁型積層セラミックコンデンサ−で１
００μＦオーダーの静電容量を有する製品が得られる。
【００２５】
【実施例１】ＳｒＴｉＯ3 ：９７．４０重量％、Ｔａ2
Ｏ5 ：２．５０重量％及びＧｅＯ2：０．１０重量％よ
りなる平均粒径約０．１μｍの微粒状セラミック誘電体
原料組成物を、水素気流中で４時間かけて８００℃に昇
温し、この温度で４時間維持し、更に４時間かけて１３
８０℃に昇温し、４時間維持した後、８時間かけて常温
まで冷却した。このように処理した微粒状組成物の抵抗
値は１６．５×１０4ＭΩ／ｃｍ3 であった。この微粒
状組成物９０重量部に、ＰｂＯ：３５重量％、Ｂｉ2 Ｏ
3 ：６３重量％及びＢ2 Ｏ3 ：２重量％よりなるドーピ
ング剤１０重量部を添加し、更にバインダとしてポリビ
ニルブチラール（ＰＶＢ）４０重量部並びに溶剤として
トルエン：４０重量部、メチルエチルケトン（ＭＥ
Ｋ）：４０重量部シクロヘキサノン：４０重量部及びア
セトン：４０重量部を添加し混練してペースト状とし、
それから厚さ１０μｍの薄膜状シートを形成した。薄膜
状シートの表面に内部及び外部電極となる銅・ニッケル
合金を含むペーストを厚さ２μｍになるように塗布・乾
燥した後、１０層重ね合わせプレスし、空気雰囲気中で
４時間かけて４５０℃に昇温し、この温度で４時間維持
して予備焼成し、更に４時間かけて９００℃に昇温し４
時間維持して本焼成した後８時間かけて常温まで冷却し
た。幅２ｍｍ、長さ１ｍｍに切断したチップ（厚さ約
０．５ｍｍ）の特性は静電容量１００μＦ、εs ：６４
×１０3 、ｔａｎδ（％）：０．４０、絶縁抵抗：１
６．５×１０4 ＭΩ／ｃｍ3 、絶縁耐圧：１５００Ｖ／
ｍｍであった。なお水素気流中での熱処理を行わない微
粒状セラミック誘電体原料組成物をそのまま用いた以外
は実施例１と同じ処理をした場合はコンデンサとしての
特性を示さなかった。
Ｏ5 ：２．５０重量％及びＧｅＯ2：０．１０重量％よ
りなる平均粒径約０．１μｍの微粒状セラミック誘電体
原料組成物を、水素気流中で４時間かけて８００℃に昇
温し、この温度で４時間維持し、更に４時間かけて１３
８０℃に昇温し、４時間維持した後、８時間かけて常温
まで冷却した。このように処理した微粒状組成物の抵抗
値は１６．５×１０4ＭΩ／ｃｍ3 であった。この微粒
状組成物９０重量部に、ＰｂＯ：３５重量％、Ｂｉ2 Ｏ
3 ：６３重量％及びＢ2 Ｏ3 ：２重量％よりなるドーピ
ング剤１０重量部を添加し、更にバインダとしてポリビ
ニルブチラール（ＰＶＢ）４０重量部並びに溶剤として
トルエン：４０重量部、メチルエチルケトン（ＭＥ
Ｋ）：４０重量部シクロヘキサノン：４０重量部及びア
セトン：４０重量部を添加し混練してペースト状とし、
それから厚さ１０μｍの薄膜状シートを形成した。薄膜
状シートの表面に内部及び外部電極となる銅・ニッケル
合金を含むペーストを厚さ２μｍになるように塗布・乾
燥した後、１０層重ね合わせプレスし、空気雰囲気中で
４時間かけて４５０℃に昇温し、この温度で４時間維持
して予備焼成し、更に４時間かけて９００℃に昇温し４
時間維持して本焼成した後８時間かけて常温まで冷却し
た。幅２ｍｍ、長さ１ｍｍに切断したチップ（厚さ約
０．５ｍｍ）の特性は静電容量１００μＦ、εs ：６４
×１０3 、ｔａｎδ（％）：０．４０、絶縁抵抗：１
６．５×１０4 ＭΩ／ｃｍ3 、絶縁耐圧：１５００Ｖ／
ｍｍであった。なお水素気流中での熱処理を行わない微
粒状セラミック誘電体原料組成物をそのまま用いた以外
は実施例１と同じ処理をした場合はコンデンサとしての
特性を示さなかった。
【００２６】
【発明の効果】1)小型で大容量のセラミックコンデンサ
が得られる。2)安価な電極材料を使用できるのでコスト
が軽減される。3)耐電圧性の優れたセラミックコンデン
サが得られる。
が得られる。2)安価な電極材料を使用できるのでコスト
が軽減される。3)耐電圧性の優れたセラミックコンデン
サが得られる。
Claims (2)
- 【請求項１】 微粒状のセラミック誘電体原料組成物を
水素ガス雰囲気中で１３００〜１３８０℃の温度範囲で
１時間以上熱処理したものにドーピング剤及び有機バイ
ンダを添加し混練してペースト状にし、それより薄膜状
シートを形成し、そのシート表面に電極となる銅・ニッ
ケル合金を含むペーストを塗布・乾燥した後、積層して
圧着し、空気雰囲気中で２５０〜５００℃の温度範囲で
予備焼成してから７００〜９００℃の温度範囲で本焼成
を行うことを特徴とする粒界絶縁型積層セラミックチッ
プコンデンサの製造法。 - 【請求項２】 微粒状のセラミック誘電体原料組成物を
水素ガス雰囲気中で１３００〜１３８０℃の温度範囲で
１時間以上熱処理したものであることを特徴とするセラ
ミック誘電体原料組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18160992A JPH0793223B2 (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 粒界絶縁型積層セラミックチップコンデンサの製造法及びセラミック誘電体原料組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18160992A JPH0793223B2 (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 粒界絶縁型積層セラミックチップコンデンサの製造法及びセラミック誘電体原料組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629142A JPH0629142A (ja) | 1994-02-04 |
| JPH0793223B2 true JPH0793223B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=16103801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18160992A Expired - Lifetime JPH0793223B2 (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 粒界絶縁型積層セラミックチップコンデンサの製造法及びセラミック誘電体原料組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793223B2 (ja) |
-
1992
- 1992-06-17 JP JP18160992A patent/JPH0793223B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0629142A (ja) | 1994-02-04 |
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