JPH0792439A - 強誘電性液晶パネル及び強誘電性液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 初期状態はもとより長時間駆動後も応答不良
領域が発生することなく、コントラストの低下もない良
好な表示を保つことが可能な強誘電性液晶パネルを提供
する。 【構成】 基板１１、１２に挟持された強誘電性液晶１
６を備えた強誘電性液晶パネルは６０℃で電界処理が施
されている。−２０℃〜６０℃の保存温度範囲におい
て、強誘電性液晶１６は１５度以下１度以上の層の屈曲
角度をとる。従って、パネル面内における層構造の変形
の発生を防ぐことができ、さらに、電界処理後の初期状
態におけるジグザグ欠陥の発生を抑制することができ
る。また、強誘電性液晶１６の自発分極量は３０ｎＣ／
ｃｍ² 以下であり、単位面積当りのイオン量は５０００
ｎＣ／ｃｍ² 以下である。これにより、連続駆動による
層の断面構造の変化を抑え、層の屈曲角度の局所的な増
大を抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶パネル及びそれを
用いた液晶表示装置に関し、特に、液晶材料として強誘
電性液晶を使用する強誘電性液晶パネル及びそれを用い
た強誘電性液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】２μｍ程度の薄いパネルに封入され薄膜
化された強誘電性液晶では分子の配列方向において２つ
の限られた状態が安定になる。この強誘電性液晶パネル
に印加する電界の極性を反転させることによって、前記
２つの安定状態間のスイッチングを行なうことができ
る。

【０００３】強誘電性液晶には高温側に強誘電性を示さ
ない液晶相である非強誘電性相が存在し、この非強誘電
性相から冷却した直後の強誘電性液晶の状態を第１状態
とすると、第１状態では先に述べた２つの安定状態にお
ける分子の配列方向間の角度２θeff は比較的小さな値
を示す。これは強誘電性液晶の層の構造が大きく屈曲し
た状態にあるためである。

【０００４】第１状態の強誘電性液晶パネルに室温で低
周波交番電界を印加すると、２つの安定状態の分子の配
列方向間の角度は大きくなる。この状態を第２状態とす
る。また、このときの分子の配列方向間の角度を２θin
t とする。

【０００５】従来の強誘電性液晶パネルにおいてはこの
ような第２状態を用いて表示駆動を行なっていた（特開
昭６２−１６１１２３公報参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の強誘
電性液晶パネルにおいては、室温で電界処理が行なわれ
ているため、温度変動が生じた場合に、表示していたパ
ターンに従ってコントラストが部分的に低下するという
問題点がある。このコントラストの低下は非常に微少な
ものではあるが、明確なパターンとして発生するため、
わずかなコントラストの違いも容易に認識される。

【０００７】そこで、このような問題点の解決策とし
て、低周波交番電界を印加する電界処理を高温で行なう
手法が考えられる（長尾一矢 他 Japanese Journal o
f Applied Physics Vol.30, No7A, July, 1991 ppL1189
-L1191、第１７回液晶討論会予稿集 p386-387参照）。

【０００８】しかしながら、高温で電界処理を行なった
強誘電性液晶パネルにおいては、電界処理を行なった温
度以下では、部分的なコントラストの低下は発生しない
ことを見いだしたが、電界処理後の初期状態において画
面の一部に液晶が応答しない筋状領域が発生しやすいと
いう問題点がある。また、初期状態では良好な表示が得
られる場合にも、強誘電性液晶パネルを長時間に亙って
駆動すると、画面の一部に液晶が応答しない筋状の領域
が発生するという問題点がある。

【０００９】本発明は、前記問題点を一挙に解決するも
のであって、初期状態はもとより長時間駆動後も応答不
良領域が発生することなく、コントラストの低下もない
良好な表示を保つことが可能な強誘電性液晶パネル及び
それを用いた強誘電性液晶表示装置を提供することを目
的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、従来の強誘電性液晶パネル及びその解決策の問題点
についてさらに考察した結果、以下のようなことが判明
した。

【００１１】室温で低周波交番電界を印加した強誘電性
液晶の場合、温度変動があると強誘電性液晶が持つ層構
造のパネル面内での層法線方向が変化し、コントラスト
が低下するいう現象を見いだした。この層法線方向の変
化は表示していたパターンに従って発生する。この現象
は以下のように解釈できる。

【００１２】現在、強誘電性液晶は明確な層構造をとる
ことが知られている。そして、高温側の非強誘電性相よ
り冷却した直後の強誘電性液晶の第１状態では層の断面
構造は大きく屈曲した構造をとっている。

【００１３】通常、強誘電性液晶の層構造の層間隔は低
温で短く高温で長いことが知られている。これは、温度
低下に伴い、層法線方向に対する分子の配列方向の角度
ψが増加することによる。層間隔は分子の長さのＣＯＳ
ψ倍で決定されるためである。このように、層間隔の変
動が発生すると、それぞれの層の体積を一定にするため
に層間隔変動に従って層の長さが変化する。このため、
温度が下がるに従って層間隔が小さく層の長さが長くな
るため、結果として、層の断面構造がひらがなの「く」
の字のように屈曲した構造をとる。

【００１４】薄膜化された強誘電性液晶は分子の配列方
向において２つの安定状態を持つ。前記のように、層の
断面構造が屈曲した構造の場合、２つの安定状態の分子
の配列方向間の角度は比較的小さい。第１の状態では温
度変化により発生していたパターンに依存したコントラ
ストの低下は見られない。

【００１５】ここで、第１状態の強誘電性液晶に低周波
交番電界を印加すると、層は電界によって立てられ、層
の断面構造は基板に対しほぼ垂直に立った状態になる。
この状態では２つの安定状態の分子の配列方向間の角度
は大きくなる。しかし、このように、垂直に立った状態
が形成された場合にも、温度が低下すると、第１状態と
同様に、層の間隔は小さく層の長さは長くなるため、層
の断面構造は屈曲した構造をとり始める。このような層
の断面の変化は可逆的に行なわれる。このときにもコン
トラストの低下は見られない。しかし、低周波交番電界
による電界処理を行なった温度以上では、層間隔は大き
くなろうとするが、層の断面構造は垂直に立っているた
め断面構造で体積変動を緩和することはできず、結果と
して、パネル面内で層構造の変形が発生する。これが層
の法線方向の変形の原因であり、これによって、パター
ンに従うコントラストの低下が発生する。

【００１６】以上をまとめると、コントラストの低下は
電界処理を行なった温度以上で発生し、その温度以下で
は発生しないということが言える。

【００１７】このようなパターンに依存したコントラス
トの低下を回避するためには保存上限温度で電界処理を
行なうことが効果的である。保存上限温度以下の温度領
域では常に層の断面構造は屈曲した状態をとる。このた
め、体積収縮を断面で緩和するためパネル面内での変形
は発生しない。即ち、パターンに依存したコントラスト
の低下は高温で電界処理を行なうことで解決することが
できる。

【００１８】ただし、この高温で電界処理を行なう方式
にも問題点がある。高温で電界処理を行なった強誘電性
液晶の層構造は、室温では先に述べたように屈曲した構
造をとっている。プレチルトが十分にない場合、「く」
の字構造の向きを規定できないため、「く」の字構造の
向きが互いに異なる層同士が接する領域ではジグザグ欠
陥と言われる筋状の欠陥が発生し、その領域の付近の応
答が非常に困難になる。これを回避するためには「く」
の字構造の屈曲角を小さくすることが望ましい。実用上
は層の基板の法線方向に対する屈曲角度は１５度以下で
なければならない。このことは、先に述べた室温におけ
る２つの安定状態の分子の配列方向間の角度２θと、室
温で電界処理を行なった後における２つの安定状態の分
子の配列方向間の角度２θint との差、即ち、２θint
−２θが１０度以下であることを意味する。

【００１９】また、液晶材料の温度特性を考慮すること
でこのような条件を満たすようにすることができる。一
般に、屈曲角の温度依存は冷却過程において強誘電性相
に入ると急激に大きくなり、相転移温度から５℃程度低
い温度で変化量は小さくなる。このため、相転移温度よ
りも５℃以上低い温度で電界処理を行うと、その温度以
下では層の屈曲角度を比較的小さく保つことができる。
ここで、保存上限温度即ち電界処理温度を６０℃とする
と、相転移温度は６５℃以上であれば良好な表示品位を
得ることができる。

【００２０】また、層の屈曲角度の温度依存性も重要な
パラメータである。層の屈曲角度の変動特性としては、
相転移温度近傍で急峻に立ち上がり、その後は比較的変
化が少ないことが望ましい。このような急峻性は液晶が
有するスメクチックＡ相及びネマチック相の温度範囲に
依存する。急峻性が高いためにはスメクチックＡ相の温
度範囲が狭い方が有利である。

【００２１】さらに、初期状態において良好な表示品位
が得られたとしても、連続駆動後に強誘電性液晶パネル
の一部に応答しない筋状の領域が発生する場合がある。
これは、連続駆動によって強誘電性液晶の層の断面構造
が変動し、層の屈曲角度が局所的に大きくなる現象であ
る。この現象は強誘電性液晶中に含まれるイオン量及び
強誘電性液晶が持つ自発分極量に依存することを見いだ
した。自発分極が大きい強誘電性液晶に電界を印加する
と、層は屈曲運動を行ない、これによって層の屈曲角度
が大きくなる。また、イオン量は層の屈曲角度の増大を
助長する傾向がある。

【００２２】このため、連続駆動後の筋状欠陥の発生の
問題を解決するためには、自発分極が小さく、また、イ
オン量の少ない液晶材料を用いることが有効である。

【００２３】本発明は、以上のような知見に基づいてな
されたものであって、具体的に請求項１の発明が講じた
解決手段は、２枚の基板と該２枚の基板の少なくとも一
方に形成される電極と前記２枚の基板に狭持され層構造
を有する強誘電性液晶とを備えた強誘電性液晶パネルを
対象とし、前記強誘電性液晶は、その層の前記基板の法
線方向に対する角度である屈曲角度をθL とし、強誘電
性液晶が高温側に有する非強誘電性相から冷却された直
後の強誘電性液晶の層の前記屈曲角度をθLeffとする
と、全ての保存温度範囲において、θLeff＞θL ＞０度
を満足する性質を有している構成とするものである。

【００２４】請求項２の発明は、具体的には、請求項１
の発明の構成に、前記強誘電性液晶は、その層の前記屈
曲角度θL が全ての保存温度範囲において１度以上であ
るという性質を有している構成を付加するものである。

【００２５】請求項３の発明は、具体的には、２枚の基
板と該２枚の基板の少なくとも一方に形成される電極と
前記２枚の基板に狭持され分子の配列方向において２つ
の安定状態を有する強誘電性液晶とを備えた強誘電性液
晶パネルを対象とし、前記強誘電性液晶パネルは室温以
上の温度で電界処理が施されており、前記強誘電性液晶
は、その２つの安定状態の分子の配列方向間の角度が、
−２０℃から６０℃までの各温度において、前記強誘電
性液晶パネルに当該温度で電界処理が施された場合にお
ける強誘電性液晶の２つの安定状態の分子の配列方向間
の角度よりも小さいという性質を有している構成とする
ものである。

【００２６】請求項４の発明は、具体的には、２枚の基
板と該２枚の基板の少なくとも一方に形成される電極と
前記２枚の基板に狭持され層構造を有する強誘電性液晶
とを備えた強誘電性液晶パネルを対象とし、前記強誘電
性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が施されてお
り、前記強誘電性液晶は、その層同士の層間隔が強誘電
性液晶が強誘電性を示す温度範囲において温度降下に伴
って減少するという性質を有している構成を付加するも
のである。

【００２７】請求項５の発明は、具体的には、２枚の基
板と該２枚の基板の少なくとも一方に形成される電極と
前記２枚の基板に狭持され層構造を有する強誘電性液晶
とを備えた強誘電性液晶パネルを対象とし、前記強誘電
性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が施されてお
り、前記強誘電性液晶は、前記強誘電性液晶パネルに電
界処理が施された直後における強誘電性液晶の層同士の
層間隔が−２０℃から６０℃までの温度範囲における強
誘電性液晶の層間隔のうちの何れの層間隔よりも大きい
という性質を有している構成とするものである。

【００２８】請求項６の発明は、具体的には、請求項５
の発明の構成に、前記強誘電性液晶は−２０℃から６０
℃までの温度範囲における強誘電性液晶の層間隔のうち
の最大の層間隔と最小の層間隔との差が２オングストロ
ーム以下であるという性質を有している構成を付加する
ものである。

【００２９】請求項７の発明は、具体的には、２枚の基
板と該２枚の基板の少なくとも一方に形成される電極と
前記２枚の基板に狭持され層構造を有する強誘電性液晶
とを備えた強誘電性液晶パネルを対象とし、前記強誘電
性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が施されてお
り、前記強誘電性液晶は、その層の前記基板の法線方向
に対する角度である屈曲角度が１５度以下であるという
性質を有している構成とするものである。

【００３０】請求項８の発明は、具体的には、２枚の基
板と該２枚の基板の少なくとも一方に形成される電極と
前記２枚の基板に狭持され分子の配列方向において２つ
の安定状態を有する強誘電性液晶とを備えた強誘電性液
晶パネルを対象とし、前記強誘電性液晶パネルは室温以
上の温度で電界処理が施されており、前記強誘電性液晶
は、該強誘電性液晶の室温での２つの安定状態の分子の
配列方向間の角度と、前記強誘電性液晶パネルに室温で
電界処理が施された場合における強誘電性液晶の室温で
の２つの安定状態の分子の配列方向間の角度との差が１
０度以下であるという性質を有している構成とするもの
である。

【００３１】請求項９の発明は、具体的には、２枚の基
板と該２枚の基板の少なくとも一方に形成される電極と
前記２枚の基板に狭持され層構造を有する強誘電性液晶
とを備えた強誘電性液晶パネルを対象とし、前記強誘電
性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が施されてお
り、前記強誘電性液晶は、該強誘電性液晶が高温側に有
する非強誘電性相から冷却された直後の強誘電性液晶の
層の前記基板の法線方向に対する角度である屈曲角度が
２０度以下であるという性質を有している構成とするも
のである。

【００３２】請求項１０の発明は、具体的には、２枚の
基板と該２枚の基板の少なくとも一方に形成される電極
と前記２枚の基板に狭持される強誘電性液晶とを備えた
強誘電性液晶パネルを対象とし、前記強誘電性液晶パネ
ルは室温以上の温度で電界処理が施されており、前記強
誘電性液晶は、該強誘電性液晶が強誘電性を示す温度範
囲の上限温度が６５℃以上であるという性質を有してい
る構成とするものである。

【００３３】請求項１１の発明は、具体的には、２枚の
基板と該２枚の基板の少なくとも一方に形成される電極
と前記２枚の基板に狭持され層構造を有する強誘電性液
晶とを備えた強誘電性液晶パネルを対象とし、前記強誘
電性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が施されて
おり、前記強誘電性液晶は、昇温過程において、スメク
チックＣ相とスメクチックＡ相とネマチック相と等方的
液体相とを前記の順に有し、且つ、スメクチックＣ相か
らスメクチックＡ相への転移温度を摂氏でＴcaとし、ス
メクチックＡ相からネマチック相への転移温度を摂氏で
Ｔanとすると、０．９７≦（Ｔca＋２７３）／（Ｔan＋
２７３）≦０．９９５を満足する性質を有している構成
とするものである。

【００３４】請求項１２の発明は、具体的には、２枚の
基板と該２枚の基板の少なくとも一方に形成される電極
と前記２枚の基板に狭持される強誘電性液晶とを備えた
強誘電性液晶パネルを対象とし、前記強誘電性液晶パネ
ルは室温以上の温度で電界処理が施されており、前記強
誘電性液晶は、その自発分極量が３０ｎＣ／ｃｍ² 以下
であるという性質を有している構成とするものである。

【００３５】請求項１３の発明は、具体的には、２枚の
基板と該２枚の基板の少なくとも一方に形成される電極
と前記２枚の基板に狭持される強誘電性液晶とを備えた
強誘電性液晶パネルを対象とし、前記強誘電性液晶パネ
ルは室温以上の温度で電界処理が施されており、前記強
誘電性液晶は、その単位面積当りのイオン量が５０００
ｎＣ／ｃｍ² 以下であるという性質を有している構成と
するものである。

【００３６】請求項１４の発明は、具体的には、強誘電
性液晶表示装置を対象とし、室温以上の温度で電界処理
が施された請求項１から１３までの何れか１項に記載の
強誘電性液晶パネルと、前記強誘電性液晶パネルを前記
電界処理時の室温以上の温度よりも高い所定温度まで加
熱する加熱手段と、前記強誘電性液晶パネルに前記電界
処理時の室温以上の温度で電界処理を施す電界処理手段
とを備えている構成とするものである。

【００３７】

【作用】請求項１の発明の構成により、全ての保存温度
範囲において、強誘電性液晶の層の断面構造は常に屈曲
した状態をとる。これにより、体積収縮を層の断面で緩
和することができるため、パネル面内における層構造の
変形の発生を防ぐことができる。従って、表示されてい
たパターンに依存するコントラストの低下を防止でき
る。

【００３８】請求項２の発明の構成により、全ての保存
温度範囲において強誘電性液晶の層の屈曲角度は１度以
上であるため、良好な表示品位を得ることができる。

【００３９】請求項３の発明の構成により、例えば、保
存上限温度の６０℃で電界処理を行なうことによって、
６０℃以下の温度領域において、強誘電性液晶の層の断
面構造が常に屈曲した状態をとるようにすることができ
る。また、ある温度における強誘電性液晶の２つの安定
状態の分子の配列方向間の角度を２θとし、当該温度で
電界処理が施された直後における強誘電性液晶の２つの
安定状態の分子の配列方向間の角度を２θint とする
と、−２０℃から６０℃までの保存温度範囲において、
２θは２θint よりも常に小さい。これは、強誘電性液
晶の層の屈曲角度が常に０度以上であることとほぼ等価
である。

【００４０】請求項４の発明の構成により、例えば、強
誘電性液晶が強誘電性を示す温度範囲内の温度で電界処
理を行なうことによって、電界処理直後の層間隔は、電
界処理を行なった温度以下における強誘電性液晶が強誘
電性を示す温度範囲における全ての層間隔に比べて大き
くなる。これにより、電界処理を行なった温度以下にお
ける強誘電性液晶が強誘電性を示す温度範囲において、
強誘電性液晶の層の断面構造が常に屈曲した状態をとる
ようにすることができる。

【００４１】請求項５の発明の構成により、例えば、保
存上限温度の６０℃で電界処理を行なうことによって、
電界処理直後の層間隔は−２０℃から６０℃までの保存
温度範囲における全ての層間隔に比べて大きくなる。こ
れにより、保存温度範囲において、強誘電性液晶の層の
断面構造が常に屈曲した状態をとるようにすることがで
きる。

【００４２】また、請求項７の発明の構成により、強誘
電性液晶の層の屈曲角度を１５度以下にすることによっ
て、電界処理後の初期状態におけるジグザグ欠陥の発生
を表示特性に影響を与えない程度まで抑制することがで
きる。

【００４３】請求項８の発明の構成により、室温におけ
る強誘電性液晶の２つの安定状態の分子の配列方向間の
角度２θと、室温で電界処理が施された直後における強
誘電性液晶の２つの安定状態の分子の配列方向間の角度
２θint との差、即ち、２θint −２θが１０度以下で
あり、これは、強誘電性液晶の層の屈曲角度が１５度以
下であることと等価である。

【００４４】請求項６の発明の構成により、−２０℃か
ら６０℃までの温度範囲における層間隔の変動を２オン
グストローム以下にすることによって、強誘電性液晶の
層の屈曲角度を１５度以下にすることができる。

【００４５】請求項９の発明の構成により、非強誘電性
相から冷却された直後の強誘電性液晶の層の屈曲角度を
２０度以下にすることによって、強誘電性液晶の層の屈
曲角度を１５度以下にすることができる。

【００４６】請求項１０の発明の構成により、例えば、
電界処理温度を６０℃とすると、強誘電性液晶の相転移
温度が６５℃以上の温度であれば、電界処理後の初期状
態におけるジグザグ欠陥の発生を防ぐことができる。な
ぜなら、一般に、強誘電性液晶の層の屈曲角度は温度に
依存するが、相転移温度から５℃程度低い温度以下では
変動が小さくなる。このため、６０℃以下の温度範囲に
おいて層の屈曲角度を小さく保つことができるので、電
界処理後の初期状態におけるジグザグ欠陥の発生を抑制
することができる。

【００４７】請求項１１の発明の構成により、スメクチ
ックＡ相の温度範囲が狭いため、強誘電性液晶の層の屈
曲角の相転移温度近傍における急峻性が高くなり、相転
移温度以下の温度範囲における変動が小さくなる。この
特性により、相転移温度以下の温度範囲において層の屈
曲角度を小さく保つことができるので、電界処理後の初
期状態におけるジグザグ欠陥の発生を抑制することがで
きる。

【００４８】また、請求項１２の発明の構成により、強
誘電性液晶の自発分極量が３０ｎＣ／ｃｍ² 以下と小さ
な値であるため、連続駆動による層の断面構造の変化を
抑え、層の屈曲角度の局所的な増大を抑制することがで
きる。このため、連続駆動後の筋状欠陥の発生を防ぐこ
とが可能である。

【００４９】請求項１３の発明の構成により、強誘電性
液晶の単位面積当りのイオン量が５０００ｎＣ／ｃｍ²
以下と小さな値であるため、連続駆動による層の断面構
造の変化を抑え、層の屈曲角度の局所的な増大を抑制す
ることができる。このため、連続駆動後の筋状欠陥の発
生を防ぐことが可能である。

【００５０】また、請求項１４の発明の構成により、例
えば、製造工程において６０℃で電界処理が施された強
誘電性液晶パネルの温度が６０℃以上になり、表示され
ていたパターンに依存するコントラストの低下が発生し
た場合には、強誘電性液晶パネルは加熱手段により強誘
電性液晶が等方的液体相になる所定温度まで加熱され
る。その後、加熱手段の出力が下げられ、強誘電性液晶
パネルには電界処理手段により６０℃で電界処理が施さ
れる。これにより、コントラストの低下が解消される。

【００５１】

【実施例】

（第１の実施例）以下、本発明の第１の実施例に係る強
誘電性液晶表示装置について図面を参照しながら説明す
る。

【００５２】図１は第１の実施例に係る強誘電性液晶表
示装置が備える強誘電性液晶パネルを示す断面図であ
り、図１において、前記強誘電性液晶パネルは、上側の
基板１１と、下側の基板１２と、基板１１の下側及び基
板１２の上側にそれぞれ形成された導電性薄膜１３と、
基板１１下の導電性薄膜１３の下側及び基板１２上の導
電性薄膜１３の上側にそれぞれ形成されたオーバーコー
ト１４と、オーバーコート１４を被覆するようにそれぞ
れ形成された配向膜１５と、基板１１、１２に挟持され
た強誘電性液晶からなる強誘電性液晶層１６とを有して
いる。

【００５３】図２〜図４は強誘電性液晶の２つの安定状
態の分子の配列方向及び強誘電性液晶層の断面構造を模
式的に示した図である。同図において、２０１は２つの
安定状態における強誘電性液晶分子、２０２は偏向板方
向、２０３は上側の基板、２０４は下側の基板、２０５
は強誘電性液晶層を示している。

【００５４】高温側の非強誘電性相より冷却された直後
の強誘電性液晶の第１状態では、図２（ａ）に示すよう
に、２つの安定状態の分子の配列方向間の角度は小さく
２５度程度である。これは、強誘電性液晶の層の断面構
造が大きく「く」の字状に屈曲しているためである（図
２（ｂ）参照）。これは、先にも述べたように、温度低
下に従って強誘電性液晶の層間隔が減少することに起因
する。本実施例で用いた強誘電性液晶では、層間隔の温
度依存は図５に示すように温度低下に伴い単調に減少す
る特性を示す。

【００５５】強誘電性液晶の層の屈曲角度は次のように
定義する。ある温度において、強誘電性液晶は分子の配
列方向における２つの安定状態を持ち、この２つの安定
状態の分子の配列方向間の角度を２θとする。また、そ
の温度において電界処理を行なった直後の２つの安定状
態の分子の配列方向間の角度を２θint とすると、ある
温度における実効的な層の屈曲角度θL は次の（１）式
によって決定される。

【００５６】 θL ＝ＣＯＳ^-1（ＣＯＳθint ／ＣＯＳθ） …（１） （１）式に従えば、電界処理を行なった直後は層がほと
んど立っており、層の屈曲角度は０度となる。また、電
界処理を全く行なわない場合における層の屈曲角度を特
にθLeffと定義する。θLeffの値は（１）式においてθ
の代わりにθeffを用いて求めた値である。

【００５７】本実施例の強誘電性液晶パネルでは保存温
度範囲を−２０℃〜６０℃とした。強誘電性液晶パネル
の製造工程において、保存温度範囲の上限温度である６
０℃に昇温し、６０℃の温度で、液晶の厚さが１．５μ
ｍの強誘電性液晶パネルのパネル全面に３０Ｖ、１５Ｈ
ｚの矩形波を印加する。このとき、電圧が３５Ｖ即ち電
界強度が２３Ｖ／μｍ未満では強誘電性液晶の層を十分
に立てることができず不均一になる。また、電界強度が
３５Ｖ／μｍ以上では強すぎるためにパネル全面を均一
な状態に保つことができなくなる。

【００５８】また、周波数についても１ｋＨｚ以上では
十分に強誘電性液晶の層を立てることができず、１５Ｈ
ｚ以下では均一性に問題がある。

【００５９】前記電界処理を行った後には、強誘電性液
晶の２つの安定状態の分子の配列方向間の角度は増大す
る。６０℃におけるこの角度は４０度である。このとき
の液晶分子の配列方向は図３（ａ）に示され、強誘電性
液晶の層の断面構造は実効的にほぼ垂直に立った状態に
ある（図３（ｂ）参照）。

【００６０】その後、温度を下げることにより、分子の
配列方向間の角度はわずかに増大する（図４（ａ）参
照）。このとき、強誘電性液晶の層の断面構造はわずか
に屈曲した状態にある（図４（ｂ）参照）。

【００６１】図６は温度変化に対応した強誘電性液晶の
層の断面構造の変化を示したものであり、縦軸に実効的
な層の屈曲角度、横軸に温度をとっている。

【００６２】図６において、実線で記されたＬa1は本実
施例の６０℃で電界処理が施された強誘電性液晶の層の
屈曲角度の温度変化に対応するラインである。６０℃で
電界処理が行なわれた直後では、層はほぼ垂直に立って
いるが、温度降下に伴い、層は次第に曲がった状態にな
る。このとき、−２０℃から６０℃までの保存温度範囲
では層の屈曲角度は常に１度以上であった。比較の為
に、高温側の非強誘電性相より冷却された直後の第１状
態の強誘電性液晶の層の屈曲角度を示すラインＬｂと、
各温度で電界処理が施された直後の強誘電性液晶の層の
屈曲角度を示すラインＬｃとを併せて記してある。ライ
ンＬｃでは常に層が立った状態であり、即ち、層の屈曲
角度は０度である。

【００６３】強誘電性液晶の層構造において、第１状態
の強誘電性液晶（ラインＬｂ）では層が最も屈曲した状
態、各温度で電界処理が施された直後の強誘電性液晶
（ラインＬｃ）では層がほぼ基板に垂直に立った状態、
そして、６０℃で電界処理が施された強誘電性液晶（ラ
インＬa1）では層がその中間的に屈曲した状態であると
解釈できる。

【００６４】問題としている、表示していたパターンに
従って発生するコントラストの低下は、図７に示すよう
に、強誘電性液晶パネルの温度が６０℃以上になった場
合に発生する。この現象は、次のように説明することが
できる。図６において、ラインＬa1は６０℃以下ではラ
インＬｃとラインＬｂとの間に存在する。これより、強
誘電性液晶の層の断面構造はわずかに屈曲した状態にあ
ると判断される。このことは、層間隔の変化を断面構造
で緩和していることを示しており、パネル面内での層の
法線方向の変化は発生しない。しかし、６０℃以上の温
度では、ラインＬa1はラインＬｃと一致する。これは、
６０℃で電界処理が施された強誘電性液晶の層の断面構
造が基板に対して垂直に立った構造をとっていることを
示している。このとき、層間隔の変動を断面構造で緩和
することができないため、パネル面内での変形が発生す
る。これが原因となって、図７に示すように、６０℃以
上の温度においてコントラストの低下が発生する。

【００６５】従って、６０℃で電界処理が行なわれた直
後の強誘電性液晶の層間隔が、強誘電性液晶表示装置の
保存温度範囲における全ての層間隔に比べ大きいこと
が、層の断面構造により層間隔の変動を緩和できるため
の条件となる。

【００６６】以上のように、従来、室温で行なっていた
電界処理を６０℃で行なうことにより、６０℃以下の温
度領域におけるコントラストの低下の問題を解決でき
た。

【００６７】しかし、高温で電界処理を行なうと、コン
トラストの低下の問題は解決できるが、他のさまざまな
問題が発生する。その一つとして、初期状態におけるジ
グザグ欠陥の発生がある。電強誘電性液晶パネルに６０
℃で電界処理を行なった後、室温まで冷却した初期状態
において、強誘電性液晶パネルの画面上に筋状の欠陥が
発生し、その欠陥の周辺部が応答しない場合がある。こ
れは一般にジグザグ欠陥と呼ばれている。高温側の非強
誘電性相より冷却された直後の第１状態の強誘電性液晶
に最も多く見られる欠陥と同じものである。電界処理が
施された直後における強誘電性液晶の層が立った状態で
はほとんど見られない。

【００６８】初期状態におけるジグザグ欠陥の発生の原
因は次のように考えられている。図８において、基板の
界面付近の液晶分子がほとんど基板に平行にならんでい
ると考えると、層が屈曲する向きに関して、領域６０２
のように右向き又は領域６０３のように左向きである確
率は同等であり、パネル面内ではこれらは混在した状態
にある。このとき、領域６０２と領域６０３との境界部
は他の部分と特性が異なるためジグザグ欠陥６０１とし
て現われる。

【００６９】図６に示すように、ラインＬa1で示される
６０℃で電界処理が施された強誘電性液晶では若干層が
屈曲した構造をとっているため、わずかにジグザグ欠陥
が発生する。ラインＬa1がラインＬｃに近いほどジグザ
グ欠陥の発生は少なくなる。表示特性に影響を与えない
範囲の実効的な層の屈曲角度は１５度以下であった。ま
た、このことは、室温における強誘電性液晶の２つの安
定状態の分子の配列方向間の角度２θと、室温で電界処
理が施された直後における強誘電性液晶の２つの安定状
態の分子の配列方向間の角度２θint との差が１０度以
下であることを示している。

【００７０】このような条件を満たすためには、第１状
態の強誘電性液晶の層の屈曲角度が小さいものが特に有
効であり、室温でのこの角度が２０度以下の液晶材料を
用いる必要があった。

【００７１】また、実効的な層の屈曲角度が１５度以下
であるという条件は、６０℃以下での層間隔の変動が少
ないことを示し、−２０℃〜６０℃の温度範囲において
層間隔の変動が２オングストローム以下であることを示
す。

【００７２】また、図６に示すラインＬa1は、相転移温
度Ｔｃから約５℃低い温度までの範囲で急激に立ち上が
り、その後、増大傾向は緩やかになる。このような立ち
上がりの急峻性は相転移系列の温度範囲に大きく依存す
る。強誘電性液晶は、昇温過程において、強誘電性を示
すスメクチックＣ相、スメクチックＡ相、ネマチック
相、等方的液体相を持つ。ここで、ラインＬa1の立ち上
がりの急峻性は、スメクチックＣ相からスメクチックＡ
相への転移温度Ｔcaと、スメクチックＡ相からネマチッ
ク相への転移温度Ｔanとに依存し、次の（２）式により
示されるパラメータＰが重要になる。

【００７３】 Ｐ＝（Ｔca＋２７３）／（Ｔan＋２７３） …（２） （２）式のパラメータＰが０．９７以上、０．９９５以
下の場合に、立ち上がりが急峻となり、ほぼ５℃で増大
が緩やかになる。このような液晶材料を用いることによ
り、高温で電界処理が行なわれた場合にも層の屈曲角度
を比較的小さく抑えることができる。本実施例では、２
つの相転移温度Ｔca、Ｔanはそれぞれ６６℃、７６℃で
あり、パラメータＰは０．９７１である。

【００７４】また、層の屈曲角度を小さく抑えるために
は、相転移温度の高い強誘電性液晶を用いることも有効
であり、相転移温度が６５℃以上であり、相転移温度か
ら５℃低い温度までの範囲でほぼ立ち上がる強誘電性液
晶を用いると、図６に示すラインＬa1とラインＬｃとの
隔たりを１０度以下に抑えることができる。

【００７５】以上をまとめると、ジグザグ欠陥の発生が
許容できるための条件は、強誘電性液晶の層の屈曲角が
１５度以下であり、これは、室温での２θint −２θが
１０度以下であることと等価である。また、これを実現
するためには、第１状態の層の屈曲角度が２０度以下で
あり、層間隔の−２０℃〜６０℃における温度変化が２
オングストローム以下であり、相転移温度Ｔca、Ｔanの
それぞれの絶対温度の比Ｐが０．９７以上０．９９５以
下であり、強誘電性液晶相への相転移温度が６５℃以上
であるという条件を満たせばよい。

【００７６】次に、強誘電性液晶パネルを連続駆動した
場合の問題について述べる。

【００７７】初期特性で良好な表示が得られる強誘電性
液晶パネルにおいても、連続駆動を行なうと筋状の応答
しない領域（以後、応答不能領域と称す）が発生する場
合がある。図９は応答不能領域７０１を示す顕微鏡写真
（倍率３０倍）である。連続駆動時に応答不能領域が発
生する現象は、強誘電性液晶が有する自発分極量と液晶
中に存在するイオン量とに依存することを見いだした。
図１０は応答不能領域の発生と自発分極量及び単位面積
当りのイオン量との関係を示した図である。ここでは、
応答不能領域の発生程度を４段階で評価しており、Ａは
発生しなかった場合、Ｂは部分的に発生した場合、Ｃは
全面に発生した場合、Ｄは全面に密に発生した場合を示
している。図１０から判るように、応答不能領域が発生
しないためには、自発分極量が３０ｎＣ／ｃｍ² 以下で
あり、単位面積当りのイオン量が５０００ｎＣ／ｃｍ²
以下であるいう条件を満たせばよい。

【００７８】強誘電性液晶の単位面積当りのイオン量
は、２Ｖ、０．０１Ｈｚの矩形波を強誘電性液晶パネル
に印加し、その１周期に流れた電流を積算することより
求めた。

【００７９】本実施例では、強誘電性液晶として、自発
分極量が２７ｎＣ／ｃｍ² 、単位面積当りのイオン量が
４５００ｎＣ／ｃｍ² 、相転移温度が６６℃であるもの
を用い、６０℃で電界処理を行い、室温での第１状態の
層の屈曲角度は１８度、室温での２つの安定状態の分子
の配列方向間の角度は４０度であった。参考までに、こ
れを室温で電界処理を行った場合の２つの安定状態の分
子の配列方向間の角度は４８度であった。

【００８０】本実施例の強誘電性液晶パネルにおいて
は、６０℃以下の温度ではコントラストの低下も見られ
ず、また、長期間連続に駆動に対しても非常に安定で良
好な表示を保つことができた。

【００８１】（第２の実施例）以下、本発明の第２の実
施例に係る強誘電性液晶表示装置について図面を参照し
ながら説明する。なお、第２の実施例に係る強誘電性液
晶表示装置は第１の実施例と同様の強誘電性液晶パネル
を備えているものとする。

【００８２】通常の強誘電性液晶は、その層間隔の温度
依存性として、温度低下に伴い単調に減少するものが多
い。しかし、ビフェニル系の液晶を混合させた液晶材料
の中には、図１１に示すように、温度降下に伴い層間隔
が一旦減少した後、再び増大していく材料がある。本実
施例はこのような性質を持つ液晶材料を用いた場合の例
である。図１２において、実線で記されたＬa2は本実施
例の６０℃で電界処理が施された強誘電性液晶の層の屈
曲角度の温度変化に対応するラインであり、強誘電性液
晶の層の屈曲角度は、温度の低下に伴い一旦増大した
後、１５℃付近でピークとなり、再び減少していく。こ
れは、強誘電性液晶の層構造を形成するそれぞれの層の
分子が、隣合う層に食い込んだ状態となり、実効的な層
の間隔が広くなったものと解釈できる。この場合、低温
（本実施例ではほぼ−２３℃）で層の屈曲角度は０度と
なり、それ以下の温度ではパターンに従ってコントラス
トの低下が発生する。即ち、高温での現象と同様の現象
が低温でも起こり、層が立った状態ではコントラストの
低下の問題が発生する。ただし、本実施例においては、
コントラストの低下が発生する温度は−２３℃であり、
−２０℃〜６０℃の保存温度範囲では良好な特性が得ら
れた。従って、所望の保存温度範囲において常に層の屈
曲角度が１度以上であることが必須条件となる。このこ
とは、２θが２θint 以下であることと等価である。ま
た、以上の条件を満たすときには、強誘電性液晶の層間
隔は−２０℃〜６０℃の温度範囲において６０℃で最大
となる。

【００８３】（第３の実施例）以下、本発明の第３の実
施例に係る強誘電性液晶表示装置について説明する。

【００８４】強誘電性液晶パネルに６０℃で電界処理を
行なう手段を内蔵した強誘電性液晶表示装置を実現し
た。強誘電性液晶パネルの背面に透明なヒーターを設置
し、温度センサーにより温度の検出を行ないフィードバ
ック制御を行なった。液晶駆動回路には低周波交番電界
を印加するための波形発生器が内蔵されている。強誘電
性液晶パネルとしては第１の実施例と同様のものを用い
た。

【００８５】強誘電性液晶パネルの温度が６０℃以上に
なり、表示されていたパターンに従ってコントラストが
低下する領域が発生した場合に、前記のようなヒーター
と電界処理を行なう手段とを用いて表示品位の回復を図
る。

【００８６】使用者が強誘電性液晶表示装置に設けられ
たスイッチを入れると、強誘電性液晶パネルの駆動は停
止し、ヒーターにより強誘電性液晶パネルの温度が９０
℃まで上げられる。このとき、強誘電性液晶は等方的液
体相になっている。その後、ヒーターの出力を下げ、強
誘電性液晶パネルを６０℃で保温する。十分に温度が安
定したところで、強誘電性液晶パネルの全面に低周波交
番電圧を印加し、強誘電性液晶の層の断面構造を立たせ
る処理を行なった。

【００８７】その後、ヒーターを停止させ、室温に戻す
とコントラストが部分的に低下する問題は解消される。
この一連の温度コントロールは温度センサーからフィー
ドバック制御を行なった。

【００８８】以上のように、加熱手段としてのヒーター
と強誘電性液晶パネルに電界処理を行なう手段とを有す
ることによって、６０℃以上の温度でコントラストの低
下が発生した場合にも、強誘電性液晶パネルの表示品位
の低下を修復することができる。

【００８９】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜５の発
明に係る強誘電性液晶パネルによると、室温以上の保存
上限温度で電界処理が施されることによって、保存上限
温度以下の全ての保存温度範囲において、強誘電性液晶
の層の断面構造は常に屈曲した状態をとる。これによ
り、体積収縮を層の断面で緩和することができ、パネル
面内における層構造の変形の発生を防ぐことができる。
従って、表示されていたパターンに依存するコントラス
トの低下を防止でき良好な表示を保つことができる。

【００９０】また、請求項６〜１１の発明に係る強誘電
性液晶パネルによると、強誘電性液晶の層の屈曲角度を
小さくすることによって、電界処理後の初期状態におけ
るジグザグ欠陥の発生を表示特性に影響を与えない程度
まで抑制することができる。

【００９１】さらに、請求項１２、１３の発明に係る強
誘電性液晶パネルによると、強誘電性液晶の自発分極量
を小さくし、強誘電性液晶の単位面積当りのイオン量を
小さくすることによって、連続駆動による層の断面構造
の変化を抑え、層の屈曲角度の局所的な増大を抑制する
ことができるため、連続駆動後の筋状欠陥の発生を防ぐ
ことが可能である。

【００９２】その上、請求項１４の発明に係る強誘電性
液晶表示装置によると、強誘電性液晶パネルの温度が保
存上限温度以上となりコントラストの低下が発生した場
合にも、強誘電性液晶が等方的液体相になる所定温度ま
で加熱された後、製造工程における電界処理温度と同一
の温度で電界処理が施されることによって、コントラス
トの低下を解消することができる。

【００９３】以上のように、本発明によると、初期状態
はもとより長時間駆動後も応答不良領域が発生すること
なく、コントラストの低下もない良好な表示を保つこと
が可能な強誘電性液晶パネル及び強誘電性液晶表示装置
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る強誘電性液晶パネ
ルを示す断面図である。

【図２】高温側の非強誘電性相より冷却された直後の強
誘電性液晶の状態を示しており、（ａ）は強誘電性液晶
の２つの安定状態の分子の配列方向を示す模式図であ
り、（ｂ）は強誘電性液晶の層の断面構造を示す模式図
である。

【図３】６０℃で電界処理が施された直後の強誘電性液
晶の状態を示しており、（ａ）は強誘電性液晶の２つの
安定状態の分子の配列方向を示す模式図であり、（ｂ）
は強誘電性液晶の層の断面構造を示す模式図である。

【図４】電界処理後室温まで温度が降下した際の強誘電
性液晶の状態を示しており、（ａ）は強誘電性液晶の２
つの安定状態の分子の配列方向を示す模式図であり、
（ｂ）は強誘電性液晶の層の断面構造を示す模式図であ
る。

【図５】前記第１の実施例に係る強誘電性液晶の層間隔
の温度依存性を示す特性図である。

【図６】前記第１の実施例に係る強誘電性液晶の層の屈
曲角度の温度依存性を示す特性図である。

【図７】前記第１の実施例に係る強誘電性液晶パネルの
コントラストの温度依存性を示す特性図である。

【図８】強誘電性液晶パネルにおいて電界処理後の初期
状態に発生するジグザグ欠陥を示す模式図である。

【図９】強誘電性液晶パネルにおいて連続駆動時に発生
する応答不能領域を示す顕微鏡写真である。

【図１０】強誘電性液晶パネルにおける前記応答不能領
域の発生と、強誘電性液晶の自発分極量及び単位面積当
りのイオン量との関係を示す図である。

【図１１】本発明の第２の実施例に係る強誘電性液晶の
層間隔の温度依存性を示す特性図である。

【図１２】前記第２の実施例に係る強誘電性液晶の層の
屈曲角度の温度依存性を示す特性図である。

【符号の説明】

１１ 上側の基板 １２ 下側の基板 １３ 導電性薄膜 １４ オーバーコート １５ 配向膜 １６ 強誘電性液晶層 ２０１ 強誘電性液晶分子 ２０２ 偏向板方向 ２０３ 上側の基板 ２０４ 下側の基板 ２０５ 強誘電性液晶層 ６０１ ジグザグ欠陥 ６０２ 右向きの領域 ６０３ 左向きの領域 ７０１ 応答不能領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 脇田 尚英 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 長尾 一矢 埼玉県川越市久保町６−11 コーポサンキ ョウ 202

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２枚の基板と該２枚の基板の少なくとも
   一方に形成される電極と前記２枚の基板に狭持され層構
   造を有する強誘電性液晶とを備えた強誘電性液晶パネル
   において、 前記強誘電性液晶は、その層の前記基板の法線方向に対
   する角度である屈曲角度をθL とし、強誘電性液晶が高
   温側に有する非強誘電性相から冷却された直後の強誘電
   性液晶の層の前記屈曲角度をθLeffとすると、全ての保
   存温度範囲において、 θLeff＞θL ＞０度 を満足する性質を有していることを特徴とする強誘電性
   液晶パネル。
2. 【請求項２】 前記強誘電性液晶は、その層の前記屈曲
   角度θL が全ての保存温度範囲において１度以上である
   という性質を有していることを特徴とする請求項１に記
   載の強誘電性液晶パネル。
3. 【請求項３】 ２枚の基板と該２枚の基板の少なくとも
   一方に形成される電極と前記２枚の基板に狭持され分子
   の配列方向において２つの安定状態を有する強誘電性液
   晶とを備えた強誘電性液晶パネルであって、 前記強誘電性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が
   施されており、 前記強誘電性液晶は、その２つの安定状態の分子の配列
   方向間の角度が、−２０℃から６０℃までの各温度にお
   いて、前記強誘電性液晶パネルに当該温度で電界処理が
   施された場合における強誘電性液晶の２つの安定状態の
   分子の配列方向間の角度よりも小さいという性質を有し
   ていることを特徴とする強誘電性液晶パネル。
4. 【請求項４】 ２枚の基板と該２枚の基板の少なくとも
   一方に形成される電極と前記２枚の基板に狭持され層構
   造を有する強誘電性液晶とを備えた強誘電性液晶パネル
   であって、 前記強誘電性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が
   施されており、 前記強誘電性液晶は、その層同士の層間隔が強誘電性液
   晶が強誘電性を示す温度範囲において温度降下に伴って
   減少するという性質を有していることを特徴とする強誘
   電性液晶パネル。
5. 【請求項５】 ２枚の基板と該２枚の基板の少なくとも
   一方に形成される電極と前記２枚の基板に狭持され層構
   造を有する強誘電性液晶とを備えた強誘電性液晶パネル
   であって、 前記強誘電性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が
   施されており、 前記強誘電性液晶は、前記強誘電性液晶パネルに電界処
   理が施された直後における強誘電性液晶の層同士の層間
   隔が、−２０℃から６０℃までの温度範囲における強誘
   電性液晶の層間隔のうちの何れの層間隔よりも大きいと
   いう性質を有していることを特徴とする強誘電性液晶パ
   ネル。
6. 【請求項６】 前記強誘電性液晶は、−２０℃から６０
   ℃までの温度範囲における強誘電性液晶の層間隔のうち
   の最大の層間隔と最小の層間隔との差が２オングストロ
   ーム以下であるという性質を有していることを特徴とす
   る請求項５に記載の強誘電性液晶パネル。
7. 【請求項７】 ２枚の基板と該２枚の基板の少なくとも
   一方に形成される電極と前記２枚の基板に狭持され層構
   造を有する強誘電性液晶とを備えた強誘電性液晶パネル
   であって、 前記強誘電性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が
   施されており、 前記強誘電性液晶は、その層の前記基板の法線方向に対
   する角度である屈曲角度が１５度以下であるという性質
   を有していることを特徴とする強誘電性液晶パネル。
8. 【請求項８】 ２枚の基板と該２枚の基板の少なくとも
   一方に形成される電極と前記２枚の基板に狭持され分子
   の配列方向において２つの安定状態を有する強誘電性液
   晶とを備えた強誘電性液晶パネルであって、 前記強誘電性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が
   施されており、 前記強誘電性液晶は、該強誘電性液晶の室温での２つの
   安定状態の分子の配列方向間の角度と、前記強誘電性液
   晶パネルに室温で電界処理が施された場合における強誘
   電性液晶の室温での２つの安定状態の分子の配列方向間
   の角度との差が１０度以下であるという性質を有してい
   ることを特徴とする強誘電性液晶パネル。
9. 【請求項９】 ２枚の基板と該２枚の基板の少なくとも
   一方に形成される電極と前記２枚の基板に狭持され層構
   造を有する強誘電性液晶とを備えた強誘電性液晶パネル
   であって、 前記強誘電性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が
   施されており、 前記強誘電性液晶は、該強誘電性液晶が高温側に有する
   非強誘電性相から冷却された直後の強誘電性液晶の層の
   前記基板の法線方向に対する角度である屈曲角度が２０
   度以下であるという性質を有していることを特徴とする
   強誘電性液晶パネル。
10. 【請求項１０】 ２枚の基板と該２枚の基板の少なくと
    も一方に形成される電極と前記２枚の基板に狭持される
    強誘電性液晶とを備えた強誘電性液晶パネルであって、 前記強誘電性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が
    施されており、 前記強誘電性液晶は、該強誘電性液晶が強誘電性を示す
    温度範囲の上限温度が６５℃以上であるという性質を有
    していることを特徴とする強誘電性液晶パネル。
11. 【請求項１１】 ２枚の基板と該２枚の基板の少なくと
    も一方に形成される電極と前記２枚の基板に狭持され層
    構造を有する強誘電性液晶とを備えた強誘電性液晶パネ
    ルであって、 前記強誘電性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が
    施されており、 前記強誘電性液晶は、昇温過程において、スメクチック
    Ｃ相とスメクチックＡ相とネマチック相と等方的液体相
    とを前記の順に有し、且つ、スメクチックＣ相からスメ
    クチックＡ相への転移温度を摂氏でＴcaとし、スメクチ
    ックＡ相からネマチック相への転移温度を摂氏でＴanと
    すると、 ０．９７≦（Ｔca＋２７３）／（Ｔan＋２７３）≦０．
    ９９５ を満足する性質を有していることを特徴とする強誘電性
    液晶パネル。
12. 【請求項１２】 ２枚の基板と該２枚の基板の少なくと
    も一方に形成される電極と前記２枚の基板に狭持される
    強誘電性液晶とを備えた強誘電性液晶パネルであって、 前記強誘電性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が
    施されており、 前記強誘電性液晶は、その自発分極量が３０ｎＣ／ｃｍ
    ² 以下であるという性質を有していることを特徴とする
    強誘電性液晶パネル。
13. 【請求項１３】 ２枚の基板と該２枚の基板の少なくと
    も一方に形成される電極と前記２枚の基板に挟持される
    強誘電性液晶とを備えた強誘電性液晶パネルであって、 前記強誘電性液晶パネルは室温以上の温度で電界処理が
    施されており、 前記強誘電性液晶は、その単位面積当りのイオン量が５
    ０００ｎＣ／ｃｍ² 以下であるという性質を有している
    ことを特徴とする強誘電性液晶パネル。
14. 【請求項１４】 室温以上の温度で電界処理が施された
    請求項１から１３までの何れか１項に記載の強誘電性液
    晶パネルと、 前記強誘電性液晶パネルを前記電界処理時の室温以上の
    温度よりも高い所定温度まで加熱する加熱手段と、 前記強誘電性液晶パネルに前記電界処理時の室温以上の
    温度で電界処理を施す電界処理手段とを備えていること
    を特徴とする強誘電性液晶表示装置。