JPH0791368A - クライオポンプの制御方法 - Google Patents
クライオポンプの制御方法Info
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- JPH0791368A JPH0791368A JP5233729A JP23372993A JPH0791368A JP H0791368 A JPH0791368 A JP H0791368A JP 5233729 A JP5233729 A JP 5233729A JP 23372993 A JP23372993 A JP 23372993A JP H0791368 A JPH0791368 A JP H0791368A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造設備の真空処理室内を超真
空状態にするクライオポンプの制御方法に関し、真空処
理室内を簡単且つ速やかに超真空にすることが可能なク
ライオポンプの制御方法の提供を目的とする。 【構成】 真空処理室１とメインバルブ10を介して接続
され該真空処理室１内を超真空状態にするクライオポン
プ３の制御方法であって、この真空処理室１に設けた質
量分圧計２を用いてこの真空処理室１内のガス組成及び
このガスの分圧値を計測し、この分圧値に基づいて温度
調節器８により冷却装置９を用いてこのクライオポンプ
３の第２アレー５の温度をこの真空処理室１内の最高の
分圧を有するガスの平衡蒸気圧に対応する温度に調節
し、この最高の分圧を有するガスをこの第２アレー５の
表面に吸着させて、この真空処理室１内の真空度を制御
するように構成する。
空状態にするクライオポンプの制御方法に関し、真空処
理室内を簡単且つ速やかに超真空にすることが可能なク
ライオポンプの制御方法の提供を目的とする。 【構成】 真空処理室１とメインバルブ10を介して接続
され該真空処理室１内を超真空状態にするクライオポン
プ３の制御方法であって、この真空処理室１に設けた質
量分圧計２を用いてこの真空処理室１内のガス組成及び
このガスの分圧値を計測し、この分圧値に基づいて温度
調節器８により冷却装置９を用いてこのクライオポンプ
３の第２アレー５の温度をこの真空処理室１内の最高の
分圧を有するガスの平衡蒸気圧に対応する温度に調節
し、この最高の分圧を有するガスをこの第２アレー５の
表面に吸着させて、この真空処理室１内の真空度を制御
するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造設備
の真空処理室内を超高真空状態にするクライオポンプの
制御方法に関するものである。
の真空処理室内を超高真空状態にするクライオポンプの
制御方法に関するものである。
【０００２】近年の半導体装置の製造工程におけるプロ
セス処理は、超高真空雰囲気を有する真空処理室に各種
の気体を導入して処理を行う製造設備を用いて行われる
ことが多くなっており、一方プロセス処理に用いられる
ガスの種類も多くなっているため、真空処理室の室内圧
を超高真空にするポンプの制御方法が必要になってい
る。
セス処理は、超高真空雰囲気を有する真空処理室に各種
の気体を導入して処理を行う製造設備を用いて行われる
ことが多くなっており、一方プロセス処理に用いられる
ガスの種類も多くなっているため、真空処理室の室内圧
を超高真空にするポンプの制御方法が必要になってい
る。
【０００３】以上のような状況から、複数の種類のガス
を除去し、真空処理室内を超高真空にすることが可能な
クライオポンプの制御方法が要望されている。
を除去し、真空処理室内を超高真空にすることが可能な
クライオポンプの制御方法が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来のクライオポンプについて図２によ
り詳細に説明する。図２は従来のクライオポンプを用い
た真空処理室を含む半導体装置の製造装置の構成を示す
図である。
り詳細に説明する。図２は従来のクライオポンプを用い
た真空処理室を含む半導体装置の製造装置の構成を示す
図である。
【０００５】図に示すように半導体装置の製造装置の真
空処理室21がメインバルブ30を介してクライオポンプ23
に接続されており、このクライオポンプ23の上部には第
１アレー24、下部には第２アレー25が設けられており、
この第１アレー24には第１温度表示器26、第２アレー25
には第２温度表示器27が設けられている。
空処理室21がメインバルブ30を介してクライオポンプ23
に接続されており、このクライオポンプ23の上部には第
１アレー24、下部には第２アレー25が設けられており、
この第１アレー24には第１温度表示器26、第２アレー25
には第２温度表示器27が設けられている。
【０００６】この第１アレー24は冷却装置29により冷却
されている第１エキスパンダ23a に接続されているキャ
ン23c を介して約８０Ｋに冷却されており、第２アレー
25は冷却装置29により冷却されている第２エキスパンダ
23b を介して約１４Ｋに冷却されている。
されている第１エキスパンダ23a に接続されているキャ
ン23c を介して約８０Ｋに冷却されており、第２アレー
25は冷却装置29により冷却されている第２エキスパンダ
23b を介して約１４Ｋに冷却されている。
【０００７】この真空処理室21は粗引きバルブ31を介し
てロータリーポンプ33に、クライオポンプ23は粗引きバ
ルブ32を介してロータリーポンプ33に接続されている。
この半導体装置の製造装置を用いる場合には、まず図示
しない被処理物を真空処理室21内に配設し、粗引きバル
ブ31と粗引きバルブ32を開き、ロータリーポンプ33を運
転して真空処理室21とクライオポンプ23内の空気を排出
して内部の圧力をクライオポンプ23の運転に適した10-1
〜10-2Paまで低下させる。
てロータリーポンプ33に、クライオポンプ23は粗引きバ
ルブ32を介してロータリーポンプ33に接続されている。
この半導体装置の製造装置を用いる場合には、まず図示
しない被処理物を真空処理室21内に配設し、粗引きバル
ブ31と粗引きバルブ32を開き、ロータリーポンプ33を運
転して真空処理室21とクライオポンプ23内の空気を排出
して内部の圧力をクライオポンプ23の運転に適した10-1
〜10-2Paまで低下させる。
【０００８】つぎに冷却装置29を用いて第１エキスパン
ダ23a 、キャン23c を経由して第１アレー24を約８０Ｋ
に冷却して主に水蒸気を吸着し、第２エキスパンダ23b
を経由して第２アレー25を約１４Ｋに冷却して酸素、窒
素、アルゴンなどを吸着し、水素、ヘリウム、ネオンな
どの凝縮温度の低いガスは第２アレー25の図において下
方向に向いている裏面に付着させた活性炭に吸着させ
る。
ダ23a 、キャン23c を経由して第１アレー24を約８０Ｋ
に冷却して主に水蒸気を吸着し、第２エキスパンダ23b
を経由して第２アレー25を約１４Ｋに冷却して酸素、窒
素、アルゴンなどを吸着し、水素、ヘリウム、ネオンな
どの凝縮温度の低いガスは第２アレー25の図において下
方向に向いている裏面に付着させた活性炭に吸着させ
る。
【０００９】このようにして真空処理室21とクライオポ
ンプ23の内部圧を所定の圧力にした後、ガス供給弁34を
開いて処理に必要なガスを供給して被処理物の処理を行
う。
ンプ23の内部圧を所定の圧力にした後、ガス供給弁34を
開いて処理に必要なガスを供給して被処理物の処理を行
う。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来のク
ライオポンプにおいては、真空処理室を高真空にする場
合にガスを吸着する第１アレーや第２アレーの温度が一
定であるから、真空処理室を高真空にする妨げとなって
いる高分圧を有するガスの平衡蒸気圧の温度に対して第
１アレーや第２アレーの温度が適合していない場合に
は、真空処理室内に高分圧ガスが残存するのでクライオ
ポンプの排気速度が遅くなるという問題点があった。
ライオポンプにおいては、真空処理室を高真空にする場
合にガスを吸着する第１アレーや第２アレーの温度が一
定であるから、真空処理室を高真空にする妨げとなって
いる高分圧を有するガスの平衡蒸気圧の温度に対して第
１アレーや第２アレーの温度が適合していない場合に
は、真空処理室内に高分圧ガスが残存するのでクライオ
ポンプの排気速度が遅くなるという問題点があった。
【００１１】以上のような状況から、真空処理室内を簡
単且つ速やかに超高真空にすることが可能なクライオポ
ンプの制御方法の提供を目的としたものである。
単且つ速やかに超高真空にすることが可能なクライオポ
ンプの制御方法の提供を目的としたものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のクライオポンプ
の制御方法は、真空処理室とメインバルブを介して接続
されこの真空処理室内を超高真空状態にするクライオポ
ンプの制御方法であって、この真空処理室に設けた質量
分圧計を用いて前記真空処理室内のガス組成及びこのガ
スの分圧値を計測し、この分圧値に基づいて温度調節器
により冷却装置を用いてこのクライオポンプの第２アレ
ーの温度をこの真空処理室内の最高の分圧を有するガス
の平衡蒸気圧に対応する温度に調節し、この最高の分圧
を有するガスをこの第２アレーの表面に吸着させて、こ
の真空処理室内の真空度を制御するように構成する。
の制御方法は、真空処理室とメインバルブを介して接続
されこの真空処理室内を超高真空状態にするクライオポ
ンプの制御方法であって、この真空処理室に設けた質量
分圧計を用いて前記真空処理室内のガス組成及びこのガ
スの分圧値を計測し、この分圧値に基づいて温度調節器
により冷却装置を用いてこのクライオポンプの第２アレ
ーの温度をこの真空処理室内の最高の分圧を有するガス
の平衡蒸気圧に対応する温度に調節し、この最高の分圧
を有するガスをこの第２アレーの表面に吸着させて、こ
の真空処理室内の真空度を制御するように構成する。
【００１３】
【作用】即ち本発明においては、真空処理室に質量分圧
計を設けるから、真空処理室内のガス組成及びこのガス
の分圧値を計測することができ、この分圧値に基づいて
温度調節器により冷却装置を用いてこのクライオポンプ
の第２アレーの温度をこの真空処理室内の最高の分圧を
有するガスの平衡蒸気圧に対応する温度に調節するの
で、この最高の分圧を有するガスをこの第２アレーの表
面に吸着させて、この真空処理室内の真空度を制御する
ことが可能となる。
計を設けるから、真空処理室内のガス組成及びこのガス
の分圧値を計測することができ、この分圧値に基づいて
温度調節器により冷却装置を用いてこのクライオポンプ
の第２アレーの温度をこの真空処理室内の最高の分圧を
有するガスの平衡蒸気圧に対応する温度に調節するの
で、この最高の分圧を有するガスをこの第２アレーの表
面に吸着させて、この真空処理室内の真空度を制御する
ことが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下図１により本発明の一実施例について詳
細に説明する。図１は本発明による一実施例のクライオ
ポンプの制御方法を説明する図である。
細に説明する。図１は本発明による一実施例のクライオ
ポンプの制御方法を説明する図である。
【００１５】本発明のクライオポンプを用いた半導体装
置の製造装置は、図１に示すように半導体装置の製造装
置の真空処理室１がメインバルブ10を介してクライオポ
ンプ３に接続されており、このクライオポンプ３の上部
には第１アレー４、下部には第２アレー５が設けられて
おり、この第１アレー４には第１温度検知器６、第２ア
レー５には第２温度検知器７が設けられている。
置の製造装置は、図１に示すように半導体装置の製造装
置の真空処理室１がメインバルブ10を介してクライオポ
ンプ３に接続されており、このクライオポンプ３の上部
には第１アレー４、下部には第２アレー５が設けられて
おり、この第１アレー４には第１温度検知器６、第２ア
レー５には第２温度検知器７が設けられている。
【００１６】この第１アレー４は冷却装置９により冷却
されている第１エキスパンダ3aに接続されているキャン
3cを介して約８０Ｋに冷却されており、第２アレー５は
冷却装置９により冷却されている第２エキスパンダ3bを
介して約１４Ｋに冷却されている。
されている第１エキスパンダ3aに接続されているキャン
3cを介して約８０Ｋに冷却されており、第２アレー５は
冷却装置９により冷却されている第２エキスパンダ3bを
介して約１４Ｋに冷却されている。
【００１７】この真空処理室１内のガスの種類及び真空
処理室１内の全圧に対するこれらのガスの分圧を測定す
る質量分圧計２がこの真空処理室１に設けられている。
この質量分圧計２とこの第１温度検知器６と第２温度検
知器７とは温度調節器８に接続されており、この温度調
節器８において質量分圧計２にて測定したこの真空処理
室内の最高の分圧を有するガスの平衡蒸気圧に対応する
温度と第２アレーの温度とを比較し、冷却装置９を運転
して第２アレー５の温度を前記平衡蒸気圧に対応する温
度に冷却している。
処理室１内の全圧に対するこれらのガスの分圧を測定す
る質量分圧計２がこの真空処理室１に設けられている。
この質量分圧計２とこの第１温度検知器６と第２温度検
知器７とは温度調節器８に接続されており、この温度調
節器８において質量分圧計２にて測定したこの真空処理
室内の最高の分圧を有するガスの平衡蒸気圧に対応する
温度と第２アレーの温度とを比較し、冷却装置９を運転
して第２アレー５の温度を前記平衡蒸気圧に対応する温
度に冷却している。
【００１８】この真空処理室１は粗引きバルブ11を介し
てロータリーポンプ13に、クライオポンプ３は粗引きバ
ルブ12を介してロータリーポンプ13に接続されている。
この半導体装置の製造装置を用いる場合には、まず図示
しない被処理物を真空処理室１内に配設し、粗引きバル
ブ11と粗引きバルブ12を開き、ロータリーポンプ13を運
転して真空処理室１とクライオポンプ３内の空気を排出
して内部の圧力をクライオポンプ３の運転に適した10-1
〜10-2Paまで低下させる。
てロータリーポンプ13に、クライオポンプ３は粗引きバ
ルブ12を介してロータリーポンプ13に接続されている。
この半導体装置の製造装置を用いる場合には、まず図示
しない被処理物を真空処理室１内に配設し、粗引きバル
ブ11と粗引きバルブ12を開き、ロータリーポンプ13を運
転して真空処理室１とクライオポンプ３内の空気を排出
して内部の圧力をクライオポンプ３の運転に適した10-1
〜10-2Paまで低下させる。
【００１９】つぎに冷却装置９を用いて第１エキスパン
ダ3a、キャン3cを経由して第１アレー４を約８０Ｋに冷
却して主に水蒸気を吸着し、第２エキスパンダ3bを経由
して第２アレー５を約１４Ｋに冷却して酸素、窒素、ア
ルゴンなどを吸着し、水素、ヘリウム、ネオンなどの凝
縮温度の低いガスは第２アレー５の図において下方向に
向いている裏面に付着させた活性炭に吸着させている。
ダ3a、キャン3cを経由して第１アレー４を約８０Ｋに冷
却して主に水蒸気を吸着し、第２エキスパンダ3bを経由
して第２アレー５を約１４Ｋに冷却して酸素、窒素、ア
ルゴンなどを吸着し、水素、ヘリウム、ネオンなどの凝
縮温度の低いガスは第２アレー５の図において下方向に
向いている裏面に付着させた活性炭に吸着させている。
【００２０】ついで質量分圧計２を用いて真空処理室１
内のガスの全圧及び各ガスの分圧を測定し、この真空処
理室内の最高の分圧を有するガスの平衡蒸気圧に対応す
る温度に第２アレー５の温度がなるように温度調節器８
により冷却装置９を運転して冷却する。
内のガスの全圧及び各ガスの分圧を測定し、この真空処
理室内の最高の分圧を有するガスの平衡蒸気圧に対応す
る温度に第２アレー５の温度がなるように温度調節器８
により冷却装置９を運転して冷却する。
【００２１】こうして第２アレー５の温度を温度調節器
８により調節して真空処理室１内の最高の分圧を有する
ガスの平衡蒸気圧に対応する温度にすることにより、こ
の真空処理室１とクライオポンプ３の内部圧力を所定の
圧力にした後、ガス供給弁14を開いて処理に必要なガス
を供給して被処理物の処理を行う。
８により調節して真空処理室１内の最高の分圧を有する
ガスの平衡蒸気圧に対応する温度にすることにより、こ
の真空処理室１とクライオポンプ３の内部圧力を所定の
圧力にした後、ガス供給弁14を開いて処理に必要なガス
を供給して被処理物の処理を行う。
【００２２】このようにして第２アレー５の温度を真空
処理室１内の最高の分圧を有するガスの平衡蒸気圧に対
応する温度に冷却するので、このガスを第２アレー５に
吸着して速やかに真空処理室１の室内圧を超高真空にす
ることが可能となる。
処理室１内の最高の分圧を有するガスの平衡蒸気圧に対
応する温度に冷却するので、このガスを第２アレー５に
吸着して速やかに真空処理室１の室内圧を超高真空にす
ることが可能となる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な構成の温度調節機構を加えること
により、真空処理室内を超高真空にすることが可能とな
る利点があり、著しい信頼性向上の効果が期待できるク
ライオポンプの制御方法の提供が可能である。
によれば極めて簡単な構成の温度調節機構を加えること
により、真空処理室内を超高真空にすることが可能とな
る利点があり、著しい信頼性向上の効果が期待できるク
ライオポンプの制御方法の提供が可能である。
【図１】 本発明による一実施例のクライオポンプの制
御方法を説明する図
御方法を説明する図
【図２】 従来のクライオポンプを用いた真空処理室を
含む半導体装置の製造装置の構成を示す図
含む半導体装置の製造装置の構成を示す図
１ 真空処理室 ２ 質量分圧計 ３ クライオポンプ 3a 第１エキスパンダ 3b 第２エキスパンダ 3c キャン ４ 第１アレー ５ 第２アレー ６ 第１温度検知器 ７ 第２温度検知器 ８ 温度調節器 ９ 冷却装置 10 メインバルブ 11 粗引きバルブ 12 粗引きバルブ 13 ロータリーポンプ 14 ガス供給弁
Claims (1)
- 【請求項１】 真空処理室(1) とメインバルブ(10)を介
して接続され該真空処理室(1) 内を超高真空状態にする
クライオポンプ(3) の制御方法であって、 該真空処理室(1) に設けた質量分圧計(2) を用いて前記
真空処理室(1) 内のガス組成及び該ガスの分圧値を計測
し、 該分圧値に基づいて温度調節器(8) により冷却装置(9)
を用いて前記クライオポンプ(3) の第２アレー(5) の温
度を前記真空処理室(1) 内の最高の分圧を有するガスの
平衡蒸気圧に対応する温度に調節し、 前記最高の分圧を有するガスを前記第２アレー(5) の表
面に吸着させて、前記真空処理室(1) 内の真空度を制御
することを特徴とするクライオポンプの制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233729A JPH0791368A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | クライオポンプの制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233729A JPH0791368A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | クライオポンプの制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0791368A true JPH0791368A (ja) | 1995-04-04 |
Family
ID=16959664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5233729A Withdrawn JPH0791368A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | クライオポンプの制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0791368A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7267877B2 (en) | 2000-12-26 | 2007-09-11 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Composition for coating having a gas barrier property, coating and coated film having a gas barrier property used the same |
| US8128782B2 (en) | 2007-05-21 | 2012-03-06 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Amine epoxy resin curing agent, gas barrier epoxy resin composition comprising the curing agent, coating agent, and adhesive agent for laminate |
| CN102734124A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 住友重机械工业株式会社 | 低温泵及真空排气方法 |
| US8394501B2 (en) | 2007-07-24 | 2013-03-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Polyurethane resin composition |
| US9416227B2 (en) | 2011-05-02 | 2016-08-16 | Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd. | Polyhydroxyurethane microparticles, and process for producing same |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP5233729A patent/JPH0791368A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7267877B2 (en) | 2000-12-26 | 2007-09-11 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Composition for coating having a gas barrier property, coating and coated film having a gas barrier property used the same |
| US7271224B2 (en) | 2000-12-26 | 2007-09-18 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Composition for coating having a gas barrier property, coating and coated film having a gas barrier property used the same |
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| CN102734124A (zh) * | 2011-04-14 | 2012-10-17 | 住友重机械工业株式会社 | 低温泵及真空排气方法 |
| CN102734124B (zh) * | 2011-04-14 | 2015-01-21 | 住友重机械工业株式会社 | 低温泵及真空排气方法 |
| US9416227B2 (en) | 2011-05-02 | 2016-08-16 | Dainichiseika Color & Chemicals Mfg. Co., Ltd. | Polyhydroxyurethane microparticles, and process for producing same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |