TW202326981A - 高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置以及利用減壓的晶片處理方法 - Google Patents

高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置以及利用減壓的晶片處理方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置及利用減壓的晶片處理方法，其中，所述晶片處理裝置，包括：製程腔室，具備用於處理晶片的處理室；供氣模組，用於向處理室供給處理氣體，使處理室達到高於大氣壓的高壓狀態；排氣模組，從處理室排出處理氣體，使處理室達到常壓狀態；進氣模組，從處理室吸入處理氣體的殘留氣體，使處理室達到真空狀態；以及控制模組，用於控制供氣模組、排氣模組、及進氣模組，使得在從高壓狀態經過常壓狀態達到真空狀態的壓力變動下進行對晶片的處理。

Description

高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置以及利用減壓的晶片處理方法
本發明涉及一種高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置以及利用減壓的晶片處理方法。
半導體製造的整個製程由許多連續的製程而組成。大多數製程在適當的真空狀態下進行以保持清潔條件。與此不同地，為了在晶片上沉積金屬材料而執行高真空製程。還有在高壓氣體環境下對晶片進行熱處理的高壓製程。
高真空製程或高壓製程需要彼此截然不同的壓力條件等。例如，高真空製程在遠低於大氣壓的壓力下進行，而高壓製程在遠高於大氣壓的壓力下進行。為了滿足這些完全不同的條件，這些製程在不同的設備（腔室）中進行。
為了開發新技術、改善習知製程等，在（高）真空製程中附加高壓製程，或者還會發生相反的情况。此外，可能需要在單一製程中在高壓與真空之間來回調整壓力條件。在這種情况下，需要在從高壓到真空的寬範圍內進行壓力調整。然而，尚未開發出能够適當應對的技術。
《技術問題》
本發明的一目的在於，提供一種能在單一腔室中將壓力從高壓狀態轉換到真空狀態，使得在很大的壓力變動下處理晶片的高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置、以及利用減壓的晶片處理方法。 《解決問題的手段》
為了達成所述課題，根據本發明一態樣的利用減壓的晶片處理方法，包括：向處理室供給處理氣體，使所述處理室處於高於大氣壓的高壓狀態，從而使配置在所述處理室的晶片暴露在所述高壓狀態的步驟；從所述處理室排放所述處理氣體，使所述處理室轉換為常壓狀態，從而使所述晶片暴露在從所述高壓狀態到所述常壓狀態的減壓的步驟；以及從所述處理室吸入所述處理氣體的殘留氣體，使所述處理室轉換為真空狀態，從而使所述晶片暴露在從所述常壓狀態到所述真空狀態的減壓的步驟。
此處，在所述高壓狀態下，所述處理室的壓力可以達到在2ATM至25ATM範圍內設置的值。
此處，在所述真空狀態下，所述處理室的壓力可以達到在10^-3Torr至10^-7Torr範圍內設置的值。
此處，在從所述高壓狀態轉換為所述真空狀態時，所述減壓幅度可以為2ATM以上。
此處，還可以包括：在將所述處理室從所述高壓狀態轉換為所述真空狀態時，將容納所述處理室的保護室的壓力保持在高於所述處理室的壓力的步驟。
此處，所述從所述處理室吸入所述處理氣體的殘留氣體使所述處理室轉換為真空狀態，從而使所述晶片暴露在從所述常壓狀態到所述真空狀態的減壓的步驟可以包括：將所述處理室轉換為所述真空狀態時，將容納所述處理室的保護室保持在所述常壓狀態的壓力以上的步驟。
此處，所述從所述處理室排放所述處理氣體，使所述處理室轉換為常壓狀態，從而使所述晶片暴露在從所述高壓狀態到所述常壓狀態的減壓的步驟可以包括：打開用於控制連接於所述處理室的排氣管的排氣閥，使所述處理氣體自然排出的步驟。
此處，所述從所述處理室吸入所述處理氣體的殘留氣體，使所述處理室轉換為真空狀態，從而使所述晶片暴露在從所述常壓狀態到所述真空狀態的減壓的步驟可以包括：使與所述處理室連通的第一真空泵運行的步驟；以及使設置在所述處理室與所述第一真空泵之間，並在低於所述第一真空泵的壓力下運行的第二真空泵運行的步驟，其中，當所述第二真空泵不運行時，所述第一真空泵旁路連接到所述處理室與所述第二真空泵之間的流路進行工作。
此處，還可以包括：將所述處理室從所述高壓狀態轉換為所述真空狀態時，使所述處理室的溫度達到在300℃至800℃的範圍內設置的值的步驟。
根據本發明另一態樣的高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置，可以包括：製程腔室，具備用於處理晶片的處理室；供氣模組，用於向所述處理室供給處理氣體，使所述處理室達到高於大氣壓的高壓狀態；排氣模組，從所述處理室排出所述處理氣體，使所述處理室達到常壓狀態；進氣模組，從所述處理室吸入所述處理氣體的殘留氣體，使所述處理室達到真空狀態；以及控制模組，用於控制所述供氣模組、所述排氣模組、及所述進氣模組，使得在從所述高壓狀態經過所述常壓狀態達到所述真空狀態的壓力變動下進行對所述晶片的所述處理。
此處，所述製程腔室，可以包括：內部腔室，具備所述處理室；以及外部腔室，用於容納所述內部腔室，其中，所述供氣模組被構成為向所述外部腔室供給壓力高於所述處理氣體的壓力的保護氣體。
此處，所述進氣模組，可以包括：吸引單元；以及吸引管，用於連通所述吸引單元和所述處理室，其中，所述排氣模組可以包括排氣管，所述排氣管從所述吸引管分歧，並由直徑小於所述吸引管的直徑而形成。
根據本發明其他另一態樣的利用減壓的晶片處理方法，可以包括：在向處理室供給處理氣體的高壓狀態、從所述處理室排放所述處理氣體使所述處理室達到常壓狀態、從所述處理室吸入所述處理氣體的殘留氣體使所述處理室達到真空的真空狀態中，為了使所述處理室具有高於大氣壓的壓力，在從所述高壓狀態到所述高壓狀態、所述常壓狀態及所述真空狀態中的至少一種狀態下對所述處理室進行減壓的步驟；以及通過對所述處理室進行減壓，使配置在所述處理室中的晶片發生脫氣的步驟，在向所述處理室供給處理氣體的高壓狀態、從所述處理室排放所述處理氣體使所述處理室達到常壓狀態、從所述處理室吸入所述處理氣體的殘留氣體使所述處理室達到真空的真空狀態中，為了使所述處理室具有高於大氣壓的壓力，在從所述高壓狀態到所述高壓狀態、所述常壓狀態及所述真空狀態中的至少一種狀態下對所述處理室進行減壓的步驟中，將所述減壓的幅度設為2ATM以上。
此處，還可以包括在對所述晶片進行加壓和減壓時，使所述處理室的溫度達到在300℃至800℃的範圍內設置的值的步驟。
此處，在對所述晶片進行加壓和減壓時使所述處理室的溫度達到在300℃至800℃的範圍內設置的值的步驟可以包括在對所述晶片進行減壓期間，將所述處理室的溫度保持在相同的溫度的步驟。 《發明效果》
根據如上所述構成之本發明的高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置以及利用減壓的晶片處理方法，由於配置在處理室中的晶片暴露在從高壓狀態經過常壓狀態到真空狀態的減壓中，因此，受很大的壓力變動的影響。由於晶片在單一腔室（處理室）內經歷這種壓力變動，因此，可以利用此方式執行新方式的晶片處理。
以下，將參考附圖詳細說明根據本發明的較佳實施例的高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置，以及利用減壓的晶片處理方法。在本說明書中，即使不同的實施例，對相同或相似的構件標注相同或相似的元件符號，並用第一次的說明來代替其說明。
圖1是根據本發明一實施例的高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置100的示意圖。
參考圖1，高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置100，可以包括：內部腔室110；外部腔室120；供氣模組130；排氣模組140；以及進氣模組150。
內部腔室110具有用於對對象物（例如半導體晶片）進行處理的處理室115。內部腔室110可以由非金屬材料而製成，例如石英，以減少在製程環境中産生污染物（顆粒）的可能性。儘管在圖中被簡化，在內部腔室110的下端具備用於打開處理室115的門（省略圖示）。當所述門下降時，處理室115被打開，以在保持器（省略圖示）安裝晶片的狀態投入至處理室115中。所述保持器可以是能够層疊所述半導體晶片為多層的晶舟（wafer boat）。
外部腔室120是用於容納內部腔室110的結構。外部腔室120與內部腔室110不同，由於沒有半導體晶片被污染的憂慮，因此，可以由金屬材料而製成。外部腔室120具有用於容納內部腔室110的保護室125。外部腔室120也在其下部具備門（省略圖示），所述門可以與內部腔室110的門一起下降，打開保護室125。外部腔室120可以與內部腔室110一起統稱為製程腔室。
供氣模組130是用於向腔室110、120供給氣體的結構。供氣模組130具有與半導體工廠的公共設施（氣體供給設施）連通的氣體供給器131。氣體供給器131可將氫氣、氘氣、氮氣或氬氣作為處理氣體提供至內部腔室110，具體為處理室115。根據對晶片的處理特性，所述處理氣體可以作為活性氣體及/或惰性氣體供給。氣體供給器131可以將例如作為惰性氣體的氮氣或氬氣作為保護氣體供給至保護室125。注入到保護室125的保護氣體，具體為填充於保護室125中除內部腔室110以外的區域。這些氣體通過處理氣體管路133或保護氣體管路135注入到處理室115或保護室125。
所述處理氣體及所述保護氣體可以以高於大氣壓的壓力供給，例如達到數ATM至數十ATM的高壓狀態。例如，在所述高壓狀態下，處理室115的壓力可以設置在2ATM至25ATM範圍內的值。另外，在所述處理氣體的壓力為第一壓力、所述保護氣體的壓力為第二壓力時，可以保持所設定關係。例如，所述第二壓力可以被設置為略高於所述第一壓力。這種壓力差不會損壞處理室115，所述處理氣體也不會從處理室115洩漏。
排氣模組140是用於從腔室110、120排放所述處理氣體及所述保護氣體的結構。為了從內部腔室110（具體地從處理室115）排放所述處理氣體，在內部腔室110的上部連接排氣管141。排出的處理氣體具體地可能包含混合有在處理所述晶片的過程中産生的雜質氣體等。在排氣管141可以設置氣體排放器143。氣體排放器143可以為用於控制所述處理氣體的排放的閥。
為了從外部腔室120（具體地從保護室125）排出所述保護氣體，可以具備與外部腔室120相連通的排氣管145、以及設置於所述排氣管的排氣閥147。由於這些排氣管141、145互相連通，因此，所述處理氣體以被所述保護氣體稀釋的狀態排出。
當排氣閥143、147被打開時，所述處理氣體和保護氣體由於高壓而自然排出。其結果，處理室115和保護室125在高於大氣壓的高壓狀態下被減壓，而達到常壓狀態。
進氣模組150是從處理室115吸取所述處理氣體的殘留氣體的結構。進氣模組150在所述常壓狀態下運行，使處理室115處於真空狀態。在所述真空狀態下，處理室115的壓力可以為在10^-3Torr至10^-7Torr範圍內設置的值。
進氣模組150具體地可以包括吸引管151、截止閥153及吸引單元155。吸引管151用於連通處理室115和吸引單元155。吸引管151與處理室115的上部相連通。上述的排氣管141從吸引管151分歧，並且，可以具有小於吸引管151的直徑。安裝截止閥153來控制吸引管151。在排氣模組140運行時，截止閥153被關閉，在吸引單元155運行時，截止閥153被打開。吸引單元155通過吸引管151吸引處理室115內的殘留氣體，並將其抽出處理室115外。
參考圖2及圖3進一步說明進氣模組150的詳細結構。圖2是用於說明圖1的進氣模組150的工作狀態的示意圖；圖3是用於說明圖1的進氣模組150的另一工作狀態的示意圖。
進一步參考這些圖，吸引單元155可以包括：第一真空泵155a；以及第二真空泵155b。第二真空泵155b可以在低於第一真空泵155a的壓力下運行。例如，當第一真空泵155a為乾泵（dry pump）時，第二真空泵155b可以為渦輪分子泵（turbo molecular pump）。
第一真空泵155a通過吸引管151與處理室115相連通。第二真空泵155b配置在第一真空泵155a與處理室115之間。在第二真空泵155b的電路可以設置自動壓力調節器156。在吸引管151連接有旁路管157以繞過第二真空泵155b。在旁路管157設置旁路閥157a。在第一真空泵155a的電路和第二真空泵155b的電路可以設置用於檢測吸引管151的相應地點的壓力的壓力計158a、158b。
根據所述構造，當第一真空泵155a運行時，第二真空泵155b不運行。第一真空泵155a在旁路閥157a被打開的狀態下通過旁路管157吸引所述殘留氣體（參考圖2）。
當第二真空泵155b運行時，第一真空泵155a也可以運行。當第二真空泵155b運行時，旁路閥157a成為關閉狀態（參考圖3）。通過第二真空泵155b吸引的所述殘留氣體最終通過第一真空泵155a排出。
參考圖4說明高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置100的控制結構。圖4是顯示圖1的高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置100的控制結構的流程圖。
參考圖4（以及圖1至圖3），高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置100除了上述的供氣模組130等之外，還可以包括：加熱模組160；感測模組170；控制模組180；以及儲存模組190。
加熱模組160是用於提高處理室115的溫度的結構。根據加熱模組160運行，處理室115（及所述處理氣體）的溫度可達到數百攝氏度。所述加熱模組160可以包括設置在保護室125的加熱器（省略圖示）。
感測模組​170是用於感測腔室110、120的環境的結構。感測模組​​170可以包括：壓力計171；以及溫度計175。壓力計171和溫度計175可以安裝在每個腔室110、120中。
控制模組180是用於控制供氣模組130及排氣模組140等的結構。控制模組180可以基於感測模組170的感測結果來控制供氣模組130等。
儲存模組190是用於儲存控制模組180為了進行控制而可以參考的數據、程式等的結構。儲存模組190可以包括快閃記憶體（flash memory）、硬碟（hard disk）、磁碟及光碟中的至少一種類型的儲存介質。
通過所述結構，控制模組180可以控制供氣模組130等，以執行根據本發明一實施例的晶片處理。
具體地，控制模組180可以基於通過壓力計171獲得的腔室110、120的壓力來控制供氣模組130的動作。根據供氣模組130的動作，腔室110、120中充滿所述第一壓力或所述第二壓力的所述處理氣體及所述保護氣體。
控制模組180還可以基於通過溫度計175獲得的腔室110、120的溫度來控制加熱模組160的動作。根據加熱模組160的動作，所述處理氣體可達到所述製程溫度。
控制模組180還可以控制排氣模組140和進氣模組150，使處理室115達到所述常壓狀態或所述真空狀態。具體地，當控制進氣模組150時，控制模組180可以首先運行第一真空泵155a，然後運行第二真空泵155b。
接著，參考圖5至圖7說明高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置100的晶片處理方法。
圖5是用於說明根據本發明其他實施例的利用減壓的晶片處理方法的流程圖。
參考圖5（以及圖1至圖4），控制模組180用於控制供氣模組130、排氣模組140及進氣模組150以在壓力變動下處理所述晶片。所述壓力變動，例如可以為減壓（decompression）。所述減壓可以從高壓狀態經過常壓狀態進行到真空狀態。所述減壓的幅度可以為2ATM以上。
對於所述處理，投入到處理室115中的所述晶片暴露於所述高壓狀態（S1）。控制模組180可以控制供氣模組130，向處理室115投入所述處理氣體。處理室115通過所述處理氣體達到所述高壓狀態。所述處理氣體可以是惰性氣體的氮氣或氬氣。
所述晶片暴露於從所述高壓狀態到所述常壓狀態的減壓（S3）。為此，控制模組180控制排氣模組140，從處理室115排放所述處理氣體。
所述晶片還暴露於從所述常壓狀態到所述真空狀態的減壓（S5）。為此，控制模組180控制進氣模組150，從處理室115吸入所述處理氣體的殘留氣體。
根據所述結構，所述晶片經歷從所述高壓狀態到真空狀態的大減壓。這種減壓（以及由此快速排出所述處理氣體）可以從所述晶片中去除（outgassing）雜質氣體。
參考圖6進一步說明有關所述脫氣的具體內容。圖6是用於說明根據本發明其他另一實施例之利用減壓的晶片處理方法的流程圖。
進一步參考圖6，當處理室115處於所述常壓狀態且待溫（waiting temperature）狀態時，將所述晶片投入至處理室115中（S11）。所述待溫可在200℃至300℃的範圍內確定。
在投入所述晶片之後，處理室115轉換為所述高壓狀態。此外，處理室115的溫度也升高到製程溫度（S13）。所述製程溫度是在300℃至800℃的範圍內設置的值。為了調整所述製程溫度，控制模組180控制加熱模組160。
控制模組180對處理室115執行減壓（S15）。控制模組180可以控制排氣模組140在所述高壓狀態的範圍內降低處理室115的壓力或者將處理室115從所述高壓狀態轉換為所述常壓狀態。控制模組180還可以將處理室115從所述高壓狀態經過所述常壓狀態轉換為所述真空狀態。在這種情况下，控制模組180不僅運行排氣模組140，還依次運行進氣模組150。
控制模組180判斷上面的減壓幅度是否為能實現所述脫氣的水平（S17）。具體地，控制模組180判斷所述減壓的幅度是否為2ATM以上。當處理室115的壓力降低2ATM以上時，所述晶片經歷脫氣。在所述脫氣過程中，所述製程溫度可以保持在相同的設定值。在這種情况下，可以更順利地進行脫氣。
所述脫氣後，控制模組180將處理室115從所述製程溫度降低至所述待溫（S19）。為此，控制模組180可以使處理室115自然冷却或操作冷却模組（省略圖示）以强制冷却。
控制模組180根據所述減壓判斷處理室115的壓力是否處於所述常壓狀態（S21）。控制模組180可以根據壓力計171的測量值來掌握處理室115的當前壓力。
當處理室115不處於所述常壓狀態時，控制模組180將處理室115的壓力調節至所述常壓狀態（S23）。當處理室115處於所述真空狀態時，控制模組180通過供氣模組130向處理室115供給所述處理氣體。相反地，當處理室115處於所述高壓狀態時，控制模組180通過排氣模組140從處理室115排放所述處理氣體。
當處理室115處於所述常壓狀態時，可以從處理室115中取出所述晶片（S25）。控制模組180可以打開所述內部腔室110和所述外部腔室120的門，使所述晶片取出處理室115外。
參考圖7進一步說明在處理所述晶片的過程中，對內部腔室110和外部腔室120的壓力控制方式。圖7是用於說明根據本發明其他另一實施例的利用減壓的晶片處理方法的流程圖。
進一步參考圖7，為了達到所述高壓狀態，當加壓處理室115時，保護室125也一起被加壓。在加壓過程中，處於保護室125內的壓力高於處理室115內的壓力的關係。處理室115在所述高壓狀態下被減壓（S31）。
保護室125也與處理室115的減壓同步地減壓（S33）。在保護室125的減壓過程中，也照樣保持保護室125的壓力高於處理室115的壓力的關係。
控制模組180判斷處理室115最終是否減壓至所述真空狀態以進行所述處理（S35）。
即使處理室115被減壓至所述真空狀態的情况，保護室125也可以僅減壓到所述常壓狀態以上（S37）。由於處理室115與保護室125之間的壓力差可以維持在1ATM的水平，因此，無需將保護室125轉換為所述真空狀態。在這種情况下，進氣模組150的吸引管151只需要與處理室115連通，而不需要與保護室125連通（參考圖1）。
當判斷處理室115最終減壓到所述常壓狀態時（S35），保護室125可根據先前步驟（S33）的控制減壓到比處理室115更高的壓力。
如上所述的高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置以及利用減壓的晶片處理方法不限於上述實施例的結構和操作方式。上述實施例可以選擇性地組合每個實施例的全部或局部來進行各種變化。
100:高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置 110:內部腔室（腔室） 115:處理室 120:外部腔室（腔室） 125:保護室 130:供氣模組 131:氣體供給器 133:處理氣體管路 135:保護氣體管路 140:排氣模組 141:排氣管 143:氣體排放器（排氣閥） 145:排氣管 147:排氣閥 150:進氣模組 151:吸引管 153:截止閥 155:吸引單元 155a:第一真空泵 155b:第二真空泵 156:壓力調節器 157:旁路管 157a:旁路閥 158a,158b:壓力計 160:加熱模組 170:感測模組 171:壓力計 175:溫度計 180:控制模組 190:儲存模組 S1,S3,S5:步驟 S11,S13,S15,S17,S19,S21,S23,S25:步驟 S31,S33,S35,S37:步驟
圖1是根據本發明一實施例之高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置的示意圖； 圖2是用於說明圖1的進氣模組的工作狀態的示意圖； 圖3是用於說明圖1的進氣模組的另一工作狀態的示意圖； 圖4是顯示圖1的高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置的控制結構的流程圖； 圖5是用於說明根據本發明其他實施例的利用減壓的晶片處理方法的流程圖； 圖6是用於說明根據本發明其他另一實施例的利用減壓的晶片處理方法的流程圖；以及 圖7是用於說明根據本發明其他另一實施例的利用減壓的晶片處理方法的流程圖。
S1,S3,S5:步驟

Claims (15)

  1. 一種利用減壓的晶片處理方法，包括： 向處理室供給處理氣體，使所述處理室處於高於大氣壓的高壓狀態，從而使配置在所述處理室的晶片暴露在所述高壓狀態的步驟； 從所述處理室排放所述處理氣體，使所述處理室轉換為常壓狀態，從而使所述晶片暴露在從所述高壓狀態到所述常壓狀態的減壓的步驟；以及 從所述處理室吸入所述處理氣體的殘留氣體，使所述處理室轉換為真空狀態，從而使所述晶片暴露在從所述常壓狀態到所述真空狀態的減壓的步驟。
  2. 根據請求項1所述之利用減壓的晶片處理方法，其中，在所述高壓狀態下，所述處理室的壓力達到在2ATM至25ATM範圍內設置的值。
  3. 根據請求項1所述之利用減壓的晶片處理方法，其中，在所述真空狀態下，所述處理室的壓力達到在10^-3Torr至10^-7Torr範圍內設置的值。
  4. 根據請求項1所述之利用減壓的晶片處理方法，其中，在從所述高壓狀態轉換為所述真空狀態時，所述減壓幅度為2ATM以上。
  5. 根據請求項1所述之利用減壓的晶片處理方法，還包括： 在將所述處理室從所述高壓狀態轉換為所述真空狀態時，將容納所述處理室的保護室的壓力保持在高於所述處理室的壓力的步驟。
  6. 根據請求項1所述之利用減壓的晶片處理方法，其中，所述從所述處理室吸入所述處理氣體的殘留氣體，使所述處理室轉換為真空狀態，從而使所述晶片暴露在從所述常壓狀態到所述真空狀態的減壓的步驟包括： 將所述處理室轉換為所述真空狀態時，將容納所述處理室的保護室保持在所述常壓狀態的壓力以上的步驟。
  7. 根據請求項1所述的利用減壓的晶片處理方法，其中，所述從所述處理室排放所述處理氣體，使所述處理室轉換為常壓狀態，從而使所述晶片暴露在從所述高壓狀態到所述常壓狀態的減壓的步驟包括： 打開用於控制連接於所述處理室的排氣管的排氣閥，使所述處理氣體自然排出的步驟。
  8. 根據請求項1所述的利用減壓的晶片處理方法，其中，所述從所述處理室吸入所述處理氣體的殘留氣體，使所述處理室轉換為真空狀態，從而使所述晶片暴露在從所述常壓狀態到所述真空狀態的減壓的步驟包括： 使與所述處理室連通的第一真空泵運行的步驟；以及 使設置在所述處理室與所述第一真空泵之間，並在低於所述第一真空泵的壓力下運行的第二真空泵運行的步驟， 其中，當所述第二真空泵不運行時，所述第一真空泵旁路連接到所述處理室與所述第二真空泵之間的流路進行工作。
  9. 根據請求項1所述的利用減壓的晶片處理方法，還包括： 將所述處理室從所述高壓狀態轉換為所述真空狀態時，使所述處理室的溫度達到在300℃至800℃的範圍內設置的值的步驟。
  10. 一種高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置，包括： 製程腔室，具備用於處理晶片的處理室； 供氣模組，用於向所述處理室供給處理氣體，使所述處理室達到高於大氣壓的高壓狀態； 排氣模組，從所述處理室排出所述處理氣體，使所述處理室達到常壓狀態； 進氣模組，從所述處理室吸入所述處理氣體的殘留氣體，使所述處理室達到真空狀態；以及 控制模組，用於控制所述供氣模組、所述排氣模組、及所述進氣模組，使得在從所述高壓狀態經過所述常壓狀態達到所述真空狀態的壓力變動下進行對所述晶片的所述處理。
  11. 根據請求項10所述的高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置，其中，所述製程腔室包括： 內部腔室，具備所述處理室；以及 外部腔室，用於容納所述內部腔室， 其中，所述供氣模組被構成為向所述外部腔室供給壓力高於所述處理氣體的壓力的保護氣體。
  12. 根據請求項10所述的高壓製程及真空製程並用型晶片處理裝置，其中，所述進氣模組包括： 吸引單元；以及 吸引管，用於連通所述吸引單元和所述處理室， 其中，所述排氣模組包括排氣管，所述排氣管從所述吸引管分歧，並由直徑小於所述吸引管的直徑而形成。
  13. 一種利用減壓的晶片處理方法，包括： 在向處理室供給處理氣體的高壓狀態、從所述處理室排放所述處理氣體使所述處理室達到常壓狀態、從所述處理室吸入所述處理氣體的殘留氣體使所述處理室達到真空的真空狀態中，為了使所述處理室具有高於大氣壓的壓力，在從所述高壓狀態到所述高壓狀態、所述常壓狀態及所述真空狀態中的至少一種狀態下對所述處理室進行減壓的步驟；以及 通過對所述處理室進行減壓，使配置在所述處理室中的晶片發生脫氣的步驟， 其中，所述在向所述處理室供給處理氣體的高壓狀態、從所述處理室排放所述處理氣體使所述處理室達到常壓狀態、從所述處理室吸入所述處理氣體的殘留氣體使所述處理室達到真空的真空狀態中，為了使所述處理室具有高於大氣壓的壓力，在從所述高壓狀態到所述高壓狀態、所述常壓狀態及所述真空狀態中的至少一種狀態下對所述處理室進行減壓的步驟中，將所述減壓的幅度設為2ATM以上。
  14. 根據請求項13所述的利用減壓的晶片處理方法，還包括： 在對所述晶片進行加壓和減壓時，使所述處理室的溫度達到在300℃至800℃的範圍內設置的值的步驟。
  15. 根據請求項14所述的利用減壓的晶片處理方法，其中，所述在對所述晶片進行加壓和減壓時，使所述處理室的溫度達到在300℃至800℃的範圍內設置的值的步驟，包括： 在對所述晶片進行減壓期間，將所述處理室的溫度保持在相同的溫度的步驟。
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