JPH0790624A - Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜の製造方法 - Google Patents
Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜の製造方法Info
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- JPH0790624A JPH0790624A JP23036893A JP23036893A JPH0790624A JP H0790624 A JPH0790624 A JP H0790624A JP 23036893 A JP23036893 A JP 23036893A JP 23036893 A JP23036893 A JP 23036893A JP H0790624 A JPH0790624 A JP H0790624A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属基体上にＴｉ−Ｎｉ合金薄膜を作成し、
金属基体からＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜の形状記憶特
性を損なうことなく薄膜を分離するＴｉ−Ｎｉ形状記憶
合金薄膜を製造する。 【構成】 銅などの金属基体上に成膜されたＴｉ−Ｎｉ
合金薄膜を、酸性溶液に浸漬し、金属基体を溶解除去し
た後、熱処理を施す。
金属基体からＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜の形状記憶特
性を損なうことなく薄膜を分離するＴｉ−Ｎｉ形状記憶
合金薄膜を製造する。 【構成】 銅などの金属基体上に成膜されたＴｉ−Ｎｉ
合金薄膜を、酸性溶液に浸漬し、金属基体を溶解除去し
た後、熱処理を施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロマシンのアク
チュエータ等に使用するＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜の
作成方法に関する。
チュエータ等に使用するＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜の
作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロマシンのアクチュエータ
用の材料としてＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜が注目され
ている。従来、このＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜は、Ｔ
ｉ−Ｎｉ合金をスパッタリング法や蒸着法等により、岩
塩あるいはガラス基板上に堆積することにより作成され
ている。しかしながら、基板上に形成したＴｉ−Ｎｉ形
状記憶合金薄膜をアクチュエータとして使用した場合、
通電加熱等による温度変化に適応して薄膜そのものが変
形・回復するＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金中に基板材等の不
純物が混入すると、形状記憶特性が著しく低下し、アク
チュエータとしての機能を果たさなくなるという問題を
生ずる。したがって、Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜を基
板上に作成した時には、基板材料を完全に除去すること
が必要となる。
用の材料としてＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜が注目され
ている。従来、このＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜は、Ｔ
ｉ−Ｎｉ合金をスパッタリング法や蒸着法等により、岩
塩あるいはガラス基板上に堆積することにより作成され
ている。しかしながら、基板上に形成したＴｉ−Ｎｉ形
状記憶合金薄膜をアクチュエータとして使用した場合、
通電加熱等による温度変化に適応して薄膜そのものが変
形・回復するＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金中に基板材等の不
純物が混入すると、形状記憶特性が著しく低下し、アク
チュエータとしての機能を果たさなくなるという問題を
生ずる。したがって、Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜を基
板上に作成した時には、基板材料を完全に除去すること
が必要となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】基板として一般に用い
られている材料のうち、ガラス基板は、Ｔｉ−Ｎｉ薄膜
との密着性が良好であるため、ガラス基板上からＴｉ−
Ｎｉ形状記憶合金薄膜を剥離することが困難であり、一
方、岩塩基板は水溶性であるため、Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶
合金薄膜をめっきした岩塩基板を水に浸漬すれば容易に
岩塩基板を剥離することができるという利点を有する。
しかしながら、後者の場合、Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄
膜は岩塩のへき開面または単結晶板を用いて平滑な面上
に作成する必要があるが、へき開面は面積の大きなもの
は得られがたく、また、単結晶板は面積を大きくするこ
とが可能であるがコストが高くなるという問題があっ
た。さらに、この様なマイクロオーダーの部品を個々に
組み立てるのは困難である上、コストアップになること
から、将来動向として、形状記憶合金薄膜製のアクチュ
エータ部と電子回路等の制御部をリソグラフィにより一
体加工することが望まれているが、岩塩を犠牲層あるい
は半導体の基板として利用することは岩塩の強度や電気
特性から考えて不可能であると考えられる。
られている材料のうち、ガラス基板は、Ｔｉ−Ｎｉ薄膜
との密着性が良好であるため、ガラス基板上からＴｉ−
Ｎｉ形状記憶合金薄膜を剥離することが困難であり、一
方、岩塩基板は水溶性であるため、Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶
合金薄膜をめっきした岩塩基板を水に浸漬すれば容易に
岩塩基板を剥離することができるという利点を有する。
しかしながら、後者の場合、Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄
膜は岩塩のへき開面または単結晶板を用いて平滑な面上
に作成する必要があるが、へき開面は面積の大きなもの
は得られがたく、また、単結晶板は面積を大きくするこ
とが可能であるがコストが高くなるという問題があっ
た。さらに、この様なマイクロオーダーの部品を個々に
組み立てるのは困難である上、コストアップになること
から、将来動向として、形状記憶合金薄膜製のアクチュ
エータ部と電子回路等の制御部をリソグラフィにより一
体加工することが望まれているが、岩塩を犠牲層あるい
は半導体の基板として利用することは岩塩の強度や電気
特性から考えて不可能であると考えられる。
【０００４】本発明は、この様な事情に鑑みなされたも
ので、金属基体上にＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜を作成
し、金属基体からＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜をその形
状記憶特性を損なうことなく分離することができるＴｉ
−Ｎｉ形状記憶合金薄膜の製造方法を提供することを目
的とする。
ので、金属基体上にＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜を作成
し、金属基体からＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜をその形
状記憶特性を損なうことなく分離することができるＴｉ
−Ｎｉ形状記憶合金薄膜の製造方法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明のＴｉ−Ｎ
ｉ形状記憶合金薄膜の製造方法は、金属基体上に成膜さ
れたＴｉ−Ｎｉ合金薄膜を酸性溶液に浸漬し、金属基体
を溶解除去した後、熱処理を施すことを特徴とする。
ｉ形状記憶合金薄膜の製造方法は、金属基体上に成膜さ
れたＴｉ−Ｎｉ合金薄膜を酸性溶液に浸漬し、金属基体
を溶解除去した後、熱処理を施すことを特徴とする。
【０００６】本発明においては、金属基体に堆積させた
Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜を酸性溶液に浸漬すること
により、金属基体を選択的に溶解除去してＴｉ−Ｎｉ形
状記憶合金薄膜を分離するものである。本発明のＴｉ−
Ｎｉ形状記憶合金とは、ニッケル濃度が４９〜５２ａｔ
％で、残部がチタンおよび添加元素からなるＴｉ−Ｎｉ
系形状記憶合金である。また、金属基体としては、Ｔｉ
−Ｎｉ形状記憶合金より耐食性に劣り、酸性溶液でエッ
チング可能なものであれば良く、この様なものとして
は、銅、アルミニウム等を例示することができる。金属
基体と薄膜とを分離する場合、酸等のエッチングにより
基体材料の金属を完全に除去しきれないと、後の熱処理
において堆積させたＴｉ−Ｎｉ合金薄膜に基体材料の元
素が拡散することになる。形状記憶合金の場合、不純物
の混入が特性を著しく低下させることが多く、時には全
くマルテンサイト変態を起こさなくなる。しかしなが
ら、銅は比較的Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金に及ぼす影響が
少なく、例えばＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金中のニッケルを
銅に置換した場合、銅の濃度が全体の約７．５ａｔ％以
下であれば、形状記憶効果に寄与するマルテンサイト変
態温度や結晶構造に大きな変化を与えないことが知られ
ている。さらに、微量の銅の拡散は、形状記憶合金のマ
ルテンサイト変態に伴う温度ヒステリシスを小さくする
傾向があり、かえってアクチュエータの材料として使用
するには好都合である。従って、形状記憶合金薄膜の基
体として銅は最適といえ、基体をエッチングする前に成
形加工を行えば、Ｔｉ−Ｎｉ合金薄膜はアモルファス状
態ではあるがスリット等の加工が可能となる。また、バ
イアススパッタを行う場合にも、導電性に優れた金属を
基体とするほうが効率が良い。
Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜を酸性溶液に浸漬すること
により、金属基体を選択的に溶解除去してＴｉ−Ｎｉ形
状記憶合金薄膜を分離するものである。本発明のＴｉ−
Ｎｉ形状記憶合金とは、ニッケル濃度が４９〜５２ａｔ
％で、残部がチタンおよび添加元素からなるＴｉ−Ｎｉ
系形状記憶合金である。また、金属基体としては、Ｔｉ
−Ｎｉ形状記憶合金より耐食性に劣り、酸性溶液でエッ
チング可能なものであれば良く、この様なものとして
は、銅、アルミニウム等を例示することができる。金属
基体と薄膜とを分離する場合、酸等のエッチングにより
基体材料の金属を完全に除去しきれないと、後の熱処理
において堆積させたＴｉ−Ｎｉ合金薄膜に基体材料の元
素が拡散することになる。形状記憶合金の場合、不純物
の混入が特性を著しく低下させることが多く、時には全
くマルテンサイト変態を起こさなくなる。しかしなが
ら、銅は比較的Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金に及ぼす影響が
少なく、例えばＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金中のニッケルを
銅に置換した場合、銅の濃度が全体の約７．５ａｔ％以
下であれば、形状記憶効果に寄与するマルテンサイト変
態温度や結晶構造に大きな変化を与えないことが知られ
ている。さらに、微量の銅の拡散は、形状記憶合金のマ
ルテンサイト変態に伴う温度ヒステリシスを小さくする
傾向があり、かえってアクチュエータの材料として使用
するには好都合である。従って、形状記憶合金薄膜の基
体として銅は最適といえ、基体をエッチングする前に成
形加工を行えば、Ｔｉ−Ｎｉ合金薄膜はアモルファス状
態ではあるがスリット等の加工が可能となる。また、バ
イアススパッタを行う場合にも、導電性に優れた金属を
基体とするほうが効率が良い。
【０００７】本発明ではエッチング液に酸性溶液を用い
ているが、酸性溶液としては、硫酸、硝酸、塩酸等の無
機酸や、クロム酸等の金属含有酸を挙げることができ
る。その中で銅基体を溶解除去するのに好適なのは無水
クロム酸と硫酸の混合希釈液である。また、アルミニウ
ム基体の場合は、１／２規定の塩酸を使用するのが望ま
しい。この様なエッチング液は、Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合
金薄膜に変色などのダメージを与えること無く、基体の
みを完全に溶解除去できる。
ているが、酸性溶液としては、硫酸、硝酸、塩酸等の無
機酸や、クロム酸等の金属含有酸を挙げることができ
る。その中で銅基体を溶解除去するのに好適なのは無水
クロム酸と硫酸の混合希釈液である。また、アルミニウ
ム基体の場合は、１／２規定の塩酸を使用するのが望ま
しい。この様なエッチング液は、Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合
金薄膜に変色などのダメージを与えること無く、基体の
みを完全に溶解除去できる。
【０００８】本請求項２にかかわる発明のＴｉ−Ｎｉ形
状記憶合金薄膜の製造方法は、ニッケル濃度４９〜５２
at％のＴｉ−Ｎｉ合金薄膜を、Ｔｉ−Ｎｉ合金より耐食
性の低い金属層上に成膜した後、酸性溶液により金属層
を溶解除去してから熱処理を施すものである。これは例
えば、本発明を半導体基板に適用することを想定したも
ので、Ｔｉ−Ｎｉ合金より耐食性の低い金属層をシリコ
ン基板上に設け、その金属層の表面にＴｉ−Ｎｉ合金薄
膜を成膜すれば、リソグラフィ等により半導体基板上に
アクチュエータ部と制御部を一体製造することができる
ものである。
状記憶合金薄膜の製造方法は、ニッケル濃度４９〜５２
at％のＴｉ−Ｎｉ合金薄膜を、Ｔｉ−Ｎｉ合金より耐食
性の低い金属層上に成膜した後、酸性溶液により金属層
を溶解除去してから熱処理を施すものである。これは例
えば、本発明を半導体基板に適用することを想定したも
ので、Ｔｉ−Ｎｉ合金より耐食性の低い金属層をシリコ
ン基板上に設け、その金属層の表面にＴｉ−Ｎｉ合金薄
膜を成膜すれば、リソグラフィ等により半導体基板上に
アクチュエータ部と制御部を一体製造することができる
ものである。
【０００９】
【作用】本発明においては、金属基体上に成膜されたＴ
ｉ−Ｎｉ合金薄膜を酸性溶液に浸漬することにより、金
属基体を選択的に溶解除去して薄膜を作成するため、Ｔ
ｉ−Ｎｉ合金薄膜に異物が残留することがない。
ｉ−Ｎｉ合金薄膜を酸性溶液に浸漬することにより、金
属基体を選択的に溶解除去して薄膜を作成するため、Ｔ
ｉ−Ｎｉ合金薄膜に異物が残留することがない。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の一実施例を示す。平滑に圧延
された銅基板（５０×５０×０．０２ｍｍ）に、スパッ
タリング法により、Ｔｉ−48.7Ｎｉ（at％）合金を厚さ
５μｍとなるように堆積させた。次に、まだアモルファ
ス状態であるＴｉ−Ｎｉ合金薄膜にカッターナイフで５
×２ｍｍ、深さ約１０μｍ（銅基板が現れてくる程度の
深さ）の大きさの切り込みを入れた。一方、無水クロム
酸２５０ｇ／ｌと硫酸２５ｇ／ｌを混合した溶液を水で
１／３の濃度に希釈してエッチング液とした。このエッ
チング液の温度を３３３Ｋに保ちながら、前述のＴｉ−
Ｎｉ合金薄膜を有する銅基板を約１０．８ksエッチング
液に浸漬した。その結果、銅基板のみがエッチング液に
より溶解除去され、５×２×０．００５ｍｍのＴｉ−Ｎ
ｉ合金薄膜が得られた。
された銅基板（５０×５０×０．０２ｍｍ）に、スパッ
タリング法により、Ｔｉ−48.7Ｎｉ（at％）合金を厚さ
５μｍとなるように堆積させた。次に、まだアモルファ
ス状態であるＴｉ−Ｎｉ合金薄膜にカッターナイフで５
×２ｍｍ、深さ約１０μｍ（銅基板が現れてくる程度の
深さ）の大きさの切り込みを入れた。一方、無水クロム
酸２５０ｇ／ｌと硫酸２５ｇ／ｌを混合した溶液を水で
１／３の濃度に希釈してエッチング液とした。このエッ
チング液の温度を３３３Ｋに保ちながら、前述のＴｉ−
Ｎｉ合金薄膜を有する銅基板を約１０．８ksエッチング
液に浸漬した。その結果、銅基板のみがエッチング液に
より溶解除去され、５×２×０．００５ｍｍのＴｉ−Ｎ
ｉ合金薄膜が得られた。
【００１１】このように作成したＴｉ−Ｎｉ合金薄膜か
ら銅が完全に分離されていることを確認するために、Ｉ
ＣＰ（高周波誘導プラズマ発光分光装置）を用いて分析
を行った。その結果を表１に示す。
ら銅が完全に分離されていることを確認するために、Ｉ
ＣＰ（高周波誘導プラズマ発光分光装置）を用いて分析
を行った。その結果を表１に示す。
【表１】 さらに、銅基板に接触していた面に基板材料が残留して
いないか、ＸＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザー）を用い
て分析を行った。この結果を図１に示す。表１および図
１の結果から、上記実施例のＴｉ−Ｎｉ合金薄膜は銅基
板から完全に分離され、銅の拡散もほとんど見られない
ことが判った。
いないか、ＸＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザー）を用い
て分析を行った。この結果を図１に示す。表１および図
１の結果から、上記実施例のＴｉ−Ｎｉ合金薄膜は銅基
板から完全に分離され、銅の拡散もほとんど見られない
ことが判った。
【００１２】次に、上記実施例で作成したＴｉ−Ｎｉ合
金薄膜に熱処理（真空雰囲気中１１７３Ｋ、３．６ks
溶体化処理後 水焼入れ）を施し形状記憶合金とした。
Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜が良好な形状記憶効果を示
すことを証明するために、マルテンサイト変態分率
（％）と形状回復率を測定した結果を図２に示す。ま
ず、マルテンサイト変態分率は、Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合
金薄膜を温度３８３Ｋまで加熱したときのＤＳＣ曲線か
ら求めたものである。また、形状回復率は、マルテンサ
イト状態時のＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜を手で折り曲
げてから温度約３９０Ｋまで徐々に加熱し、薄膜の曲げ
角度を測定して形状回復率を求めた。この時、折り曲げ
た時の屈折角度を形状回復率０％とし、加熱後、オース
テナイト状態で平面状に伸びた時の角度を形状回復率１
００％として形状回復率を表示した。図２の結果より、
本発明の方法で作成したＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜
は、マルテンサイト変態を起こし、形状記憶効果を有す
ることが判った。
金薄膜に熱処理（真空雰囲気中１１７３Ｋ、３．６ks
溶体化処理後 水焼入れ）を施し形状記憶合金とした。
Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜が良好な形状記憶効果を示
すことを証明するために、マルテンサイト変態分率
（％）と形状回復率を測定した結果を図２に示す。ま
ず、マルテンサイト変態分率は、Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合
金薄膜を温度３８３Ｋまで加熱したときのＤＳＣ曲線か
ら求めたものである。また、形状回復率は、マルテンサ
イト状態時のＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜を手で折り曲
げてから温度約３９０Ｋまで徐々に加熱し、薄膜の曲げ
角度を測定して形状回復率を求めた。この時、折り曲げ
た時の屈折角度を形状回復率０％とし、加熱後、オース
テナイト状態で平面状に伸びた時の角度を形状回復率１
００％として形状回復率を表示した。図２の結果より、
本発明の方法で作成したＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜
は、マルテンサイト変態を起こし、形状記憶効果を有す
ることが判った。
【００１３】また、他の実施例として、アルミニウム基
板上にＴｉ−Ｎｉ合金薄膜を作成し、このアルミニウム
基板を１／２規定塩酸でエッチングしてＴｉ−Ｎｉ合金
薄膜を分離した。そのＸＭＡ分析の結果を図３に示す。
測定箇所により、ミクロ的なアルミニウムのピークが観
察されたが、熱処理後の形状記憶効果には大きく影響し
なかった。
板上にＴｉ−Ｎｉ合金薄膜を作成し、このアルミニウム
基板を１／２規定塩酸でエッチングしてＴｉ−Ｎｉ合金
薄膜を分離した。そのＸＭＡ分析の結果を図３に示す。
測定箇所により、ミクロ的なアルミニウムのピークが観
察されたが、熱処理後の形状記憶効果には大きく影響し
なかった。
【００１４】なお、本発明の実施例では、Ｔｉ−Ｎｉ合
金薄膜にカッターナイフでスリット加工を施したが、代
わりにリソグラフィを用いれば、ミクロンオーダー、サ
ブミクロンオーダーの加工が可能となる。
金薄膜にカッターナイフでスリット加工を施したが、代
わりにリソグラフィを用いれば、ミクロンオーダー、サ
ブミクロンオーダーの加工が可能となる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、比較的安価に平滑面を
入手することができる金属基体上に、Ｔｉ−Ｎｉ合金薄
膜を作成し、酸により金属基体のみを溶解除去すること
により、Ｔｉ−Ｎｉ合金薄膜に不純物が残留すること無
く、また、歪みを与えずにこれを分離することができ
る。さらに、薄膜に熱処理を施し、形状記憶効果に優れ
たミクロンオーダー以下のＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜
を得ることができる。
入手することができる金属基体上に、Ｔｉ−Ｎｉ合金薄
膜を作成し、酸により金属基体のみを溶解除去すること
により、Ｔｉ−Ｎｉ合金薄膜に不純物が残留すること無
く、また、歪みを与えずにこれを分離することができ
る。さらに、薄膜に熱処理を施し、形状記憶効果に優れ
たミクロンオーダー以下のＴｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜
を得ることができる。
【図１】 本発明の一実施例のＴｉ−Ｎｉ合金薄膜をＸ
ＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザー）により分析した結果
を示す説明図。
ＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザー）により分析した結果
を示す説明図。
【図２】 同変態分率と形状回復率を示す説明図。
【図３】 本発明の他の実施例のＸＭＡ分析の説明図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今井 章 神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１ 号 昭和電線電纜株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】金属基体上に成膜されたＴｉ−Ｎｉ合金薄
膜を酸性溶液に浸漬し、前記金属基体を溶解除去した
後、熱処理を施すことを特徴とするＴｉ−Ｎｉ形状記憶
合金薄膜の製造方法。 - 【請求項２】ニッケル濃度４９〜５２at％のＴｉ−Ｎｉ
合金薄膜を、前記Ｔｉ−Ｎｉ合金より耐食性の低い金属
層上に成膜した後、酸性溶液により前記金属層を溶解除
去してから熱処理を施すことを特徴とするＴｉ−Ｎｉ形
状記憶合金薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23036893A JPH0790624A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23036893A JPH0790624A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0790624A true JPH0790624A (ja) | 1995-04-04 |
Family
ID=16906767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23036893A Pending JPH0790624A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | Ｔｉ−Ｎｉ形状記憶合金薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0790624A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6790298B2 (en) * | 2000-07-10 | 2004-09-14 | Tini Alloy Company | Method of fabrication of free standing shape memory alloy thin film |
| US9340858B2 (en) | 2006-12-01 | 2016-05-17 | Ormco Corporation | Method of alloying reactive components |
| US9539372B2 (en) | 2007-11-30 | 2017-01-10 | Ormco Corporation | Biocompatible copper-based single-crystal shape memory alloys |
| US10124197B2 (en) | 2012-08-31 | 2018-11-13 | TiNi Allot Company | Fire sprinkler valve actuator |
| US10610620B2 (en) | 2007-07-30 | 2020-04-07 | Monarch Biosciences, Inc. | Method and devices for preventing restenosis in cardiovascular stents |
| US11040230B2 (en) | 2012-08-31 | 2021-06-22 | Tini Alloy Company | Fire sprinkler valve actuator |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP23036893A patent/JPH0790624A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6790298B2 (en) * | 2000-07-10 | 2004-09-14 | Tini Alloy Company | Method of fabrication of free standing shape memory alloy thin film |
| US9340858B2 (en) | 2006-12-01 | 2016-05-17 | Ormco Corporation | Method of alloying reactive components |
| US10610620B2 (en) | 2007-07-30 | 2020-04-07 | Monarch Biosciences, Inc. | Method and devices for preventing restenosis in cardiovascular stents |
| US9539372B2 (en) | 2007-11-30 | 2017-01-10 | Ormco Corporation | Biocompatible copper-based single-crystal shape memory alloys |
| US10124197B2 (en) | 2012-08-31 | 2018-11-13 | TiNi Allot Company | Fire sprinkler valve actuator |
| US11040230B2 (en) | 2012-08-31 | 2021-06-22 | Tini Alloy Company | Fire sprinkler valve actuator |
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