JPH0786811A - ストリップ線路、該ストリップ線路を備えたマイクロ波回路及び該マイクロ波回路の周波数調整方法 - Google Patents
ストリップ線路、該ストリップ線路を備えたマイクロ波回路及び該マイクロ波回路の周波数調整方法Info
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- JPH0786811A JPH0786811A JP5224709A JP22470993A JPH0786811A JP H0786811 A JPH0786811 A JP H0786811A JP 5224709 A JP5224709 A JP 5224709A JP 22470993 A JP22470993 A JP 22470993A JP H0786811 A JPH0786811 A JP H0786811A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ストリップ線路及び該ストリップ線路を用い
たマイクロ波回路の小型化を可能にする。 【構成】 電力分配器１は誘電体基板２の両端面に第１
ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３とを形成し、
かつ、第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間
をそれぞれ波状に屈曲させた波長ストリップ電極７，８
で結合して構成されている。ストリップ電極７，８の線
路上にそれぞれ凹溝２１〜２３，２１′〜２３′を設
け、該ストリップ電極７，８を誘電体基板２の高さ方向
にも屈曲させることにより第１ポートＰ１と第２，第３
ポートＰ２，Ｐ３間の直線距離Ｌ１を短縮し、電力分配
器１の小形化を可能にした。
たマイクロ波回路の小型化を可能にする。 【構成】 電力分配器１は誘電体基板２の両端面に第１
ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３とを形成し、
かつ、第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間
をそれぞれ波状に屈曲させた波長ストリップ電極７，８
で結合して構成されている。ストリップ電極７，８の線
路上にそれぞれ凹溝２１〜２３，２１′〜２３′を設
け、該ストリップ電極７，８を誘電体基板２の高さ方向
にも屈曲させることにより第１ポートＰ１と第２，第３
ポートＰ２，Ｐ３間の直線距離Ｌ１を短縮し、電力分配
器１の小形化を可能にした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体基板の表裏面に
接地電極とストリップ電極とを形成してなるストリップ
線路に係り、特にストリップ電極の構造、該ストリップ
線路を備えたマイクロ波回路及び該マイクロ波回路の周
波数調整方法に関するものである。
接地電極とストリップ電極とを形成してなるストリップ
線路に係り、特にストリップ電極の構造、該ストリップ
線路を備えたマイクロ波回路及び該マイクロ波回路の周
波数調整方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のストリップ線路を備えた
Ｙ型電力分配器の構造を示す斜視図である。
Ｙ型電力分配器の構造を示す斜視図である。
【０００３】同図に示す電力分配器は、ウィルキンソン
（Wilkinson）の２分配形電力分配器である。誘電体基
板１００の一方側面１０１に第１ポートＰ１が設けら
れ、他方側面１０２に長手方向に伸びる中心線Ｍに対す
る対称位置に第２ポートＰ２と第３ポートＰ３とが設け
られ、該第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３
間はそれぞれ波状に屈曲されたλｇ／４（λｇ：管内波
長）のマイクロストリップ線路１０３，１０４により結
合されている。そして、上記電力分配器は、例えばマイ
クロストリップ線路１０３，１０４の電極の長さを変化
させて動作周波数の微調整が行なわれている。
（Wilkinson）の２分配形電力分配器である。誘電体基
板１００の一方側面１０１に第１ポートＰ１が設けら
れ、他方側面１０２に長手方向に伸びる中心線Ｍに対す
る対称位置に第２ポートＰ２と第３ポートＰ３とが設け
られ、該第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ２，Ｐ３
間はそれぞれ波状に屈曲されたλｇ／４（λｇ：管内波
長）のマイクロストリップ線路１０３，１０４により結
合されている。そして、上記電力分配器は、例えばマイ
クロストリップ線路１０３，１０４の電極の長さを変化
させて動作周波数の微調整が行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
電力分配器は、第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ
２，Ｐ３間をそれぞれ１／４波長のマイクロストリップ
線路１０３，１０４で結合しているので、周波数が低く
なると、波長が長くなり、動作周波数の低下に応じて大
型化するため、上記マイクロストリップ線路１０３，１
０４を波状に屈曲させて直線距離Ｌを短縮するととも
に、誘電体基板１００の比誘電率εを大きくして管内波
長λｇを短くし、小型化が図られている。
電力分配器は、第１ポートＰ１と第２，第３ポートＰ
２，Ｐ３間をそれぞれ１／４波長のマイクロストリップ
線路１０３，１０４で結合しているので、周波数が低く
なると、波長が長くなり、動作周波数の低下に応じて大
型化するため、上記マイクロストリップ線路１０３，１
０４を波状に屈曲させて直線距離Ｌを短縮するととも
に、誘電体基板１００の比誘電率εを大きくして管内波
長λｇを短くし、小型化が図られている。
【０００５】しかし、ストリップ線路１０３，１０４の
特性インピーダンスＺｏはｗ（線幅）／√（ε）に比例
するので、誘電体基板１００の比誘電率εに関係なく所
定の特性インピーダンスＺｏ（例えば５０Ω）を有する
マイクロストリップ線路１０３，１０４を形成しようと
すると、誘電体基板１００の比誘電率εを大きくするの
に応じて線幅ｗが狭くなり、マイクロストリップ線路１
０３，１０４の形成が困難になる。従って、誘電体は基
板１００の比誘電率εを大きくするには、一定の限界が
ある。
特性インピーダンスＺｏはｗ（線幅）／√（ε）に比例
するので、誘電体基板１００の比誘電率εに関係なく所
定の特性インピーダンスＺｏ（例えば５０Ω）を有する
マイクロストリップ線路１０３，１０４を形成しようと
すると、誘電体基板１００の比誘電率εを大きくするの
に応じて線幅ｗが狭くなり、マイクロストリップ線路１
０３，１０４の形成が困難になる。従って、誘電体は基
板１００の比誘電率εを大きくするには、一定の限界が
ある。
【０００６】一方、マイクロストリップ線路１０３，１
０４を波状に屈曲させる場合、折り返された電極を一定
寸法以上に近接させると、互いに干渉して特性が劣化す
るため、直線距離Ｌの短縮率は屈曲数に反比例するか
ら、直線距離Ｌの短縮率を大きくすべく屈曲数を少なく
すると、各折返線路の長さＳが長くなり、直線距離Ｌが
短くなる反面、基板幅Ｗが増大するという不都合が生じ
る。
０４を波状に屈曲させる場合、折り返された電極を一定
寸法以上に近接させると、互いに干渉して特性が劣化す
るため、直線距離Ｌの短縮率は屈曲数に反比例するか
ら、直線距離Ｌの短縮率を大きくすべく屈曲数を少なく
すると、各折返線路の長さＳが長くなり、直線距離Ｌが
短くなる反面、基板幅Ｗが増大するという不都合が生じ
る。
【０００７】また、上記電力分配器は、マイクロストリ
ップ線路１０３，１０４の長さを変化させるために、電
極を形成するパターンマスクから再度、作成し直すこと
で周波数の調整が行われているので、マスク作成の時間
がかかり、マスク作成の費用も必要でコストが高くつく
欠点がある。
ップ線路１０３，１０４の長さを変化させるために、電
極を形成するパターンマスクから再度、作成し直すこと
で周波数の調整が行われているので、マスク作成の時間
がかかり、マスク作成の費用も必要でコストが高くつく
欠点がある。
【０００８】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
で、より小型化が可能で、しかも特性の微調整が容易な
ストリップ線路、該ストリップ線路を備えたマイクロ波
回路及び該マイクロ波回路の周波数調整方法を提供する
ことを目的とする。
で、より小型化が可能で、しかも特性の微調整が容易な
ストリップ線路、該ストリップ線路を備えたマイクロ波
回路及び該マイクロ波回路の周波数調整方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
１又は２以上の凹溝が穿設された誘電体基板の表面に該
凹溝に交叉し、かつ凹溝の内側面に沿って屈曲された所
定長のストリップ電極が形成されてなるものである。
１又は２以上の凹溝が穿設された誘電体基板の表面に該
凹溝に交叉し、かつ凹溝の内側面に沿って屈曲された所
定長のストリップ電極が形成されてなるものである。
【００１０】また、請求項２記載の発明は、上記ストリ
ップ線路からなる結合線路又はハイブリッド線路を備え
たマイクロ波回路である。
ップ線路からなる結合線路又はハイブリッド線路を備え
たマイクロ波回路である。
【００１１】また、請求項３記載の発明は、上記凹溝の
ストリップ線路の形成位置に誘電体部材を充填すること
により動作周波数の調整を行なうようにしたものであ
る。
ストリップ線路の形成位置に誘電体部材を充填すること
により動作周波数の調整を行なうようにしたものであ
る。
【００１２】
【作用】請求項１記載の発明によれば、ストリップ電極
は、各凹溝において基板の高さ方向に屈曲されるので、
この分ストリップ線路の信号伝播方向の見かけ上の線路
長が短縮される。
は、各凹溝において基板の高さ方向に屈曲されるので、
この分ストリップ線路の信号伝播方向の見かけ上の線路
長が短縮される。
【００１３】請求項２記載の発明によれば、ストリップ
線路の信号伝播方向の見かけ上の路長が短縮されるの
で、マイクロ波回路の全体的な寸法が小さくなる。
線路の信号伝播方向の見かけ上の路長が短縮されるの
で、マイクロ波回路の全体的な寸法が小さくなる。
【００１４】請求項３記載の発明によれば、凹溝のスト
リップ線路の形成位置に誘電体部材を充填することによ
り該凹溝内における相対向するストリップ電極の屈曲部
の結合量が変化する。これによりストリップ線路の電気
長が変化してマイクロ波回路の動作周波数が変化する。
リップ線路の形成位置に誘電体部材を充填することによ
り該凹溝内における相対向するストリップ電極の屈曲部
の結合量が変化する。これによりストリップ線路の電気
長が変化してマイクロ波回路の動作周波数が変化する。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明に係るストリップ線路が適用
された電力分配器の斜視図、また、図２は、同電力分配
器の断面図、図３は同電力分配器の等価回路である。
された電力分配器の斜視図、また、図２は、同電力分配
器の断面図、図３は同電力分配器の等価回路である。
【００１６】電力分配器１は、図３に示すウィルキンソ
ンの２分配形電力分配器で、第１ポートＰ１と第２，第
３ポートＰ２，Ｐ３間の伝送線路をそれぞれλｇ（管内
波長）／４のマイクロストリップ線路で構成したもので
ある。なお、第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間に設けられ
る抵抗Ｒは、電力分配器１に設けていないが、必要に応
じて設けることもできる。
ンの２分配形電力分配器で、第１ポートＰ１と第２，第
３ポートＰ２，Ｐ３間の伝送線路をそれぞれλｇ（管内
波長）／４のマイクロストリップ線路で構成したもので
ある。なお、第２，第３ポートＰ２，Ｐ３間に設けられ
る抵抗Ｒは、電力分配器１に設けていないが、必要に応
じて設けることもできる。
【００１７】電力分配器１は、セラミックス等からなる
方形盤状の高誘電体基板４に所要の電極を形成して構成
されている。誘電体基板２の表面には長手方向に伸びる
中心線Ｍに対する対称位置に該中心線Ｍに平行に３対の
凹溝２１，２１′、２２，２２′、２３，２３′が穿設
されている。上記凹溝２１〜２３，２１′〜２３′は、
例えば円盤状のダイヤモンド・ブレードを備えたダイシ
ングソー（Dicing Saw）によりハーフカット技術を用い
て形成することができ、回転中の円盤状のダイヤモンド
・ブレードの下端を誘電体基板４の表面より所望の深さ
寸法だけ下降させ、該誘電体基板２を該ダイヤモンド・
ブレードに対して相対移動させることにより穿設され
る。
方形盤状の高誘電体基板４に所要の電極を形成して構成
されている。誘電体基板２の表面には長手方向に伸びる
中心線Ｍに対する対称位置に該中心線Ｍに平行に３対の
凹溝２１，２１′、２２，２２′、２３，２３′が穿設
されている。上記凹溝２１〜２３，２１′〜２３′は、
例えば円盤状のダイヤモンド・ブレードを備えたダイシ
ングソー（Dicing Saw）によりハーフカット技術を用い
て形成することができ、回転中の円盤状のダイヤモンド
・ブレードの下端を誘電体基板４の表面より所望の深さ
寸法だけ下降させ、該誘電体基板２を該ダイヤモンド・
ブレードに対して相対移動させることにより穿設され
る。
【００１８】なお、上記凹溝２１〜２３，２１′〜２
３′の断面形状は矩形であるが、半円形状乃至Ｕ字状で
あってもよい。
３′の断面形状は矩形であるが、半円形状乃至Ｕ字状で
あってもよい。
【００１９】誘電体基板２の裏面は全面、接地電極３で
被覆され、一方端面の中央に第１ポートＰ１の電極４
が、他方端面の上記中心線Ｍに対する対称位置に第２ポ
ートＰ２の電極５と第３ポートＰ３の電極６とが形成さ
れている。また、誘電体基板２の表面の上記第１ポート
Ｐ１と第２ポートＰ２間にストリップ電極７が上記凹溝
２１〜２３と交叉するように波状に屈曲させて形成さ
れ、上記第１ポートＰ１と第３ポートＰ３間にストリッ
プ電極８が上記凹溝２１′〜２３′と交叉するように波
状に屈曲させて形成されている。なお、このストリップ
電極７，８は、上記中心線Ｍに対して互いに鏡像関係と
なっている。
被覆され、一方端面の中央に第１ポートＰ１の電極４
が、他方端面の上記中心線Ｍに対する対称位置に第２ポ
ートＰ２の電極５と第３ポートＰ３の電極６とが形成さ
れている。また、誘電体基板２の表面の上記第１ポート
Ｐ１と第２ポートＰ２間にストリップ電極７が上記凹溝
２１〜２３と交叉するように波状に屈曲させて形成さ
れ、上記第１ポートＰ１と第３ポートＰ３間にストリッ
プ電極８が上記凹溝２１′〜２３′と交叉するように波
状に屈曲させて形成されている。なお、このストリップ
電極７，８は、上記中心線Ｍに対して互いに鏡像関係と
なっている。
【００２０】上記接地電極３、第１〜第３ポートの電極
４，５，６及びストリップ電極７，８は、厚膜技術又は
薄膜技術を用いて形成される。薄膜法では、例えば銀、
銅、金等の金属導体の薄膜を鍍金、真空蒸着若しくはス
パッタリング等により誘電体基板２の全面に形成した
後、フォトエッチングにより不必要な電極を除去して上
記各電極４〜８が形成される。また、厚膜法では、上記
誘電体基板２の各電極４〜８の形成位置に、例えば銀、
銅、金等の金属導体ペーストをスクリーン印刷により塗
布した後、誘電体基板２を所定の焼成温度で加熱するこ
とにより上記各電極４〜８が形成される。
４，５，６及びストリップ電極７，８は、厚膜技術又は
薄膜技術を用いて形成される。薄膜法では、例えば銀、
銅、金等の金属導体の薄膜を鍍金、真空蒸着若しくはス
パッタリング等により誘電体基板２の全面に形成した
後、フォトエッチングにより不必要な電極を除去して上
記各電極４〜８が形成される。また、厚膜法では、上記
誘電体基板２の各電極４〜８の形成位置に、例えば銀、
銅、金等の金属導体ペーストをスクリーン印刷により塗
布した後、誘電体基板２を所定の焼成温度で加熱するこ
とにより上記各電極４〜８が形成される。
【００２１】上記のように、ストリップ電極７，８は、
水平面内（基板表面と平行な面内）において波状に屈曲
させるとともに、ストリップ線路上に凹溝４１〜４３，
４１′〜４３′を設け、垂直面内（基板表面に対して垂
直の面内）においても屈曲させているので、ストリップ
電極７，８の直線距離（第１ポートＰ１と第２，第３ポ
ート間の距離）Ｌ１は、従来の水平面内のみで屈曲させ
たものより短くすることができる。これにより電力分配
器１の小形化が可能となる。
水平面内（基板表面と平行な面内）において波状に屈曲
させるとともに、ストリップ線路上に凹溝４１〜４３，
４１′〜４３′を設け、垂直面内（基板表面に対して垂
直の面内）においても屈曲させているので、ストリップ
電極７，８の直線距離（第１ポートＰ１と第２，第３ポ
ート間の距離）Ｌ１は、従来の水平面内のみで屈曲させ
たものより短くすることができる。これにより電力分配
器１の小形化が可能となる。
【００２２】また、上記構成の電力分配器１は、上記凹
溝２１〜２３，２１′〜２３′に、例えばセラミックス
粉と樹脂との混合材料、樹脂単体、若しくは前述の混
合、単体材料を発泡させた材料等の粉状誘電体部材９を
充填することにより動作周波数の微調整が可能になって
いる。図２に示すように、例えばストリップ電極７の凹
溝２１において、比誘電率が１を超える誘電体部材９が
充填されることから、ストリップ線路周辺の誘電率が誘
電体部材９を充填する前に比べて大きくなる。この比を
α（＞１）とすると、ストリップ線路の電気長は１／√
（α）だけ短くなることになる。すなわち、これにより
ストリップ線路７の全体的な電気長が短縮され、電力分
配器１の動作周波数は上昇方向に微調整される。
溝２１〜２３，２１′〜２３′に、例えばセラミックス
粉と樹脂との混合材料、樹脂単体、若しくは前述の混
合、単体材料を発泡させた材料等の粉状誘電体部材９を
充填することにより動作周波数の微調整が可能になって
いる。図２に示すように、例えばストリップ電極７の凹
溝２１において、比誘電率が１を超える誘電体部材９が
充填されることから、ストリップ線路周辺の誘電率が誘
電体部材９を充填する前に比べて大きくなる。この比を
α（＞１）とすると、ストリップ線路の電気長は１／√
（α）だけ短くなることになる。すなわち、これにより
ストリップ線路７の全体的な電気長が短縮され、電力分
配器１の動作周波数は上昇方向に微調整される。
【００２３】従って、電力分配器１の動作周波数を予め
目標値よりも低く設定しておき、上記凹溝２１〜２３，
２１′〜２３′に誘電体部材９を充填することにより高
精度に周波数調整を行なうことができる。
目標値よりも低く設定しておき、上記凹溝２１〜２３，
２１′〜２３′に誘電体部材９を充填することにより高
精度に周波数調整を行なうことができる。
【００２４】なお、上記実施例では、電力分配器につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものはなく、
図４に示す１／４波長結合形方向性結合回路、図５
（ａ）に示すブランチライン、同図（ｂ）に示す１／４
波長分布結合、同図（ｃ）に示すラットレース及び同図
（ｄ）に示す位相反転形ハイブリッドリングを構成する
各ストリップ線路１０，１１，１２，１３，１４に適用
することができ、各ストリップ線路１０〜１４の凹溝に
おける屈曲部に粉状誘電体部材９を充填することにより
動作周波数の微調整を行なうことができる。
て説明したが、本発明はこれに限定されるものはなく、
図４に示す１／４波長結合形方向性結合回路、図５
（ａ）に示すブランチライン、同図（ｂ）に示す１／４
波長分布結合、同図（ｃ）に示すラットレース及び同図
（ｄ）に示す位相反転形ハイブリッドリングを構成する
各ストリップ線路１０，１１，１２，１３，１４に適用
することができ、各ストリップ線路１０〜１４の凹溝に
おける屈曲部に粉状誘電体部材９を充填することにより
動作周波数の微調整を行なうことができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
誘電体基板の表面に穿設された凹溝に交叉させ、かつて
凹溝の内側面に沿って屈曲させてストリップ線路を形成
したので、この分ストリップ線路の信号伝播方向の見か
け上の線路長が短くなる。
誘電体基板の表面に穿設された凹溝に交叉させ、かつて
凹溝の内側面に沿って屈曲させてストリップ線路を形成
したので、この分ストリップ線路の信号伝播方向の見か
け上の線路長が短くなる。
【００２６】また、上記ストリップ線路からなる結合線
路を用いてマイクロ波回路を構成したので、ストリップ
線路の見かけ上の線路長が短縮される分、マイクロ波回
路の小型化が可能になる。
路を用いてマイクロ波回路を構成したので、ストリップ
線路の見かけ上の線路長が短縮される分、マイクロ波回
路の小型化が可能になる。
【００２７】また、凹溝のストリップ線路の形成位置に
誘電体部材を充填することによりストリップ線路の電気
長を変化させてマイクロ波回路の動作周波数を調整する
ようにしたので、周波数の微調整を簡単に行なうことが
できる。
誘電体部材を充填することによりストリップ線路の電気
長を変化させてマイクロ波回路の動作周波数を調整する
ようにしたので、周波数の微調整を簡単に行なうことが
できる。
【図１】本発明に係るストリップ線路が適用された電力
分配器の斜視図である。
分配器の斜視図である。
【図２】本発明に係るストリップ線路が適用された電力
分配器の断面図である。
分配器の断面図である。
【図３】電力分配器の等価回路である。
【図４】本発明に係るストリップ線路が適用される１／
４波長結合形方向性結合回路の回路構成図である。
４波長結合形方向性結合回路の回路構成図である。
【図５】本発明に係るストリップ線路が適用されるハイ
ブリッド回路を示すもので、（ａ）はブランチラインの
回路構成図、（ｂ）は１／４波長分布結合の回路構成
図、（ｃ）はラットレースの回路構成図、（ｃ）は位相
反転形ハイブリッドリングの回路構成図である。
ブリッド回路を示すもので、（ａ）はブランチラインの
回路構成図、（ｂ）は１／４波長分布結合の回路構成
図、（ｃ）はラットレースの回路構成図、（ｃ）は位相
反転形ハイブリッドリングの回路構成図である。
【図６】従来のストリップ線路を備えたＹ型電力分配器
の構造を示す斜視図である。
の構造を示す斜視図である。
１ 電力分配器 ２ 誘電体基板 ２１〜２３，２１′〜２３′ 凹溝 ３ 接地電極 ４，５，６ ポート電極 ７，８ ストリップ電極 ９ 誘電体部材 １０，１１，１２，１３，１４ ストリップ線路
Claims (3)
- 【請求項１】 １又は２以上の凹溝が穿設された誘電体
基板の表面に該凹溝に交叉し、かつ凹溝の内側面に沿っ
て屈曲された所定長のストリップ電極が形成されてなる
ことを特徴とするストリップ線路。 - 【請求項２】 請求項１記載のストリップ線路からなる
結合線路又はハイブリッド線路を備えたことを特徴とす
るマイクロ波回路。 - 【請求項３】 上記凹溝のストリップ線路の形成位置に
誘電体部材を充填することにより動作周波数の調整を行
なうことを特徴とする請求項２記載のマイクロ波回路の
周波数調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5224709A JPH0786811A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | ストリップ線路、該ストリップ線路を備えたマイクロ波回路及び該マイクロ波回路の周波数調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5224709A JPH0786811A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | ストリップ線路、該ストリップ線路を備えたマイクロ波回路及び該マイクロ波回路の周波数調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786811A true JPH0786811A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16818020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5224709A Pending JPH0786811A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | ストリップ線路、該ストリップ線路を備えたマイクロ波回路及び該マイクロ波回路の周波数調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786811A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000346908A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路 |
-
1993
- 1993-09-09 JP JP5224709A patent/JPH0786811A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000346908A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波回路 |
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