JPH0786607B2

JPH0786607B2 - 光学変調素子

Info

Publication number: JPH0786607B2
Application number: JP13343389A
Authority: JP
Inventors: 哲木村; 強上村; 尚英脇田; 博之大西; 義夫岩井; 一浩上天
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-05-26
Filing date: 1989-05-26
Publication date: 1995-09-20
Anticipated expiration: 2010-09-20
Also published as: JPH02310518A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は映像や情報機器などに用いて有効な光学変調素
子に関するものである。

従来の技術近年、コンピュータを中心とする情報機器分野及びテレ
ビジョン、ビデオテープレコーダなどを中心とする映像
機器分野において、プリンタなどに用いる薄型の光シャ
ッタや大画面で薄型の表示装置の受容が高まっている。
この種の光シャッタや表示装置として、液晶を用いた物
が注目されているが、最近特にこの液晶に強誘電性液晶
材料を用いたマトリクス型の表示装置や光シャッタが実
用化されつつある。

この種の液晶光学素子は、強誘電性液晶の電界に対する
双安定性を利用して、マルチプレックス駆動をしたとき
の非走査期間はそのメモリ効果によって安定状態を保持
し、コントラストの低下を防止している。また、電界に
対する応答性が速いという特徴も備えている。

以下図面を参照しながら、従来の強誘電性液晶を用いた
光学スイッチを説明する。

まず強誘電性液晶液晶自体について説明する。

第２図は強誘電性液晶分子の模式図である。強誘電性液
晶は通常、スメクチック液晶と呼ばれる、層構造を有す
る液晶である。分子は層の垂線方向に対してθだけ傾い
た構造をとっている。

また、通常、強誘電性液晶はラセミ体でない光学活性な
液晶分子によって構成されている。

第２図に示すように強誘電性液晶分子は分子長軸に垂直
な方向に自発分極となる永久双極子モーメントを有して
おり、カイラルスメクチックＣ相においては第２図の円
錐形（以下コーンと呼ぶ）の外側を自由に動くことがで
きる。またコーンの中心点Ｏより液晶分子に対して下ろ
した単位ベクトルをＣダイレクターと呼ぶ。

第２図において21は液晶分子、22は永久双極子、23はＣ
ダイレクター、24はコーン、25は層構造、26は層法線方
向、27は傾き角θを示している。

また強誘電性液晶分子は不斉原子を有しているため通常
ねじれ構造を有している。このねじれ構造を第３図に示
す。

第３図において31は液晶分子、32は永久双極子モーメン
ト、33はねじれの周期を表すピッチ（Ｌ）、34は層構
造、35は層の法線方向、36は傾き角θを表す。強誘電性
液晶パネルのセル厚（ｄ）がピッチより厚い時（ｄ＞
Ｌ）、通常、強誘電性液晶はセル基板表面の影響がセル
中央部まで及ばないため、ねじれ構造を持った状態で存
在する。

しかしセル厚がピッチより小さいとき（ｄ＜Ｌ）ねじれ
構造は基板表面の力で解かれ第４図のように分子が基板
表面と平行になった二つの領域が現れる。この二つの領
域は分子の持つ永久双極子をモーメントがそれぞれ反対
の方向を向いているものであり、一方は紙面裏から表方
向へもう一方は紙面表から裏方向へ向いている。これは
それぞれ層法線に対する分子の傾き角に対応している。

第４図において41は液晶分子、42は紙面裏方向から表方
向を向いている永久双極子モーメント、43は紙面表方向
から裏方向を向いている永久双極子モーメント、44は層
構造、45は層法線方向、46は傾き角を表している。

次に強誘電性液晶の動作原理について図を用いて説明す
る。このように強誘電性液晶セルにピッチがセル厚より
も大きな強誘電性液晶（ｄ＜Ｌ）を封入すると第４図の
ような２つの領域を持つ状態となる。このとき紙面裏方
向から表方向に電界を印加すると永久双極子モーメント
はすべて電界の方向に向き第５図（ａ）のように分子が
全て＋θの傾きを持った状態となる。このような状態で
偏光板の偏光子（Ｐ）の偏光軸方向を分子の長軸方向
に、検光子（Ａ）の偏光軸方向を分子の短軸方向に平行
にすると（第５図（ａ）参照）、偏光子（Ｐ）を通過し
た直線偏光は複屈折を受けずに透過し検光子（Ａ）によ
り遮られ暗状態が得られる。

また電界を逆方向に印加すると第５図（ｂ）のように分
子が全て−θの傾きを持つ状態となり偏光子を通過した
直線偏光は複屈折効果により検光子を通り抜け明状態が
得られる。

以上のように電界の正負により明暗の状態をそれぞれ得
ることができる。またこのようにセル厚がピッチより小
さいセル（ｄ＜Ｌ）においては通常ねじれ構造がほどけ
ているため電界を取り除いた後も分子はそのままの状態
で安定しメモリ効果が生じる。

第５図（ａ）、（ｂ）において51は電界の方向、52は分
子の永久双極子モーメント、53は偏光子（Ｐ）、検光子
（Ａ）の偏光軸をそれぞれ表している。

第６図は従来の強誘電性液晶光学素子に用いる液晶への
印加電圧と光学的透過率とを示すグラフである。第６図
から明らかなように、所定の閾値以上の正電圧または負
電圧を所定の時間印加することにより安定状態を反転さ
せることができ、所定の閾値以下の電圧の印加に対して
は、安定状態は変化しない。

第７図は従来の強誘電性液晶光学素子を駆動する駆動電
圧波形の一例を示すグラフである。第７図において、各
波形はON画素とOFF画素に印加される電圧波形を示して
おり、V1は上記液晶の安定状態を反転させるのに必要な
閾値より高い波高値のパルス電圧で、V2は上記閾値より
低い波高値のパルス電圧である。

以上のような駆動波形を印加したときの、従来の強誘電
性液晶光学素子の動作を以下に説明する。まず第１のフ
ィールドで期間Tw1に書き込み電圧を印加するが、期間T
w1の前半はOFF電圧を印加し、後半に負のON電圧を印加
して画素をON状態にし、期間THはメモリ効果によりON状
態を保持する。期間Tw2で印加される電圧は波高値がV2
であるので液晶の安定状態は変化せずON状態が保持され
る。つぎに、第２フィールドでは期間Tw2に消去電圧を
印加するが、期間Tw2の前半はON電圧を印加し、後半にO
FF電圧を印加する。つまり、第１フィールドではONにす
べき画素に書き込み電圧を与え、第２フィールドではOF
Fにすべき画素に消去電圧を与え、２フィールドで１フ
レームを終了する。上記操作を繰り返すことにより強誘
電性液晶光学素子を駆動することができる。なお、期間
Tw1、Tw2においてその前半に書き込みまたは消去に必要
な信号の逆極性の電圧を印加しているが、これは直流電
圧印加による液晶の劣化を防止するためのもので、印加
電圧が交流になるようにしている。

発明が解決しようとする課題しかしながら、強誘電性液晶光学素子を一方の安定状態
にして放置しておくと、放置した状態の安定性が徐々に
増し、他の状態が不安定になってきて、マトリックス駆
動による表示ができなくなることが我々の実験により分
かった。表示が不可能になる時間は、パネルの構成、す
なわち、液晶材料や配向膜などによって異なるが、駆動
中の時間とはほとんど関係なく一方の安定状態にして放
置した時間の総和で決まり、およそ1000時間程度であっ
た。このような、特性の経時変化は我々の実験以外に
も、例えば田中、堀口、小林ら；「通電配向処理を施し
た強誘電性液晶素子の電気光学特性」、第14回液晶討論
会講演予講集、133ページ、にも若干の報告がある。

上記のような経時変化が起こると、容易には元に戻ら
ず、製品としての信頼性に欠けるという課題を有してい
た。

本発明は上記課題を鑑み、特定状態の安定性のみが増し
て閾値の経時変化により、表示の書き込みが不可能にな
ることを防いだ光学変調素子を提供するものである。

課題を解決するための手段上記課題を解決するために本発明の光学変調素子は、走
査電極群と信号電極群を有し、上記走査電極群と信号電
極群の間に、電界によって双安定状態を示す光学変調物
質を挟持し、上記走査電極と上記信号電極とにより画素
を構成し、上記画素に第１の電圧を印加する事により、
上記双安定状態の第１の状態になり、第２の電圧を印加
することにより、上記双安定状態の第２の状態になるよ
うに構成し、上記第１または第２の電圧を印加すること
により表示を行う素子において、表示終了後に、電圧を
印加して表示開始全に保持されていた状態とな異なる状
態にし、上記電圧を解除した後、上記状態を保持すると
いう構成を備えたものである。

作用本発明は上記した構成によって、表示する前後で放置す
る安定状態を切り替えることにより、一つの安定状態を
安定化することなく、閾値特性の経時変化は小さく、表
示に対する影響はなくなることになる。

実施例以下本発明の一実施例の光学変調素子について、図面を
参照しながら説明する。

第８図、第９図は強誘電性液晶光学変調素子の光学特性
図である。用いたパネルは、エステル系の強誘電性液晶
を用いた液晶層の厚さ2.5μｍの表面安定化強誘電性液
晶マトリックスパネルであり、SiOを基板法線から82度
傾いた方向から蒸着し配向膜を形成した。パルス幅を一
定に固定して電圧パルスをパネルに印加し、電圧印加終
了後の保持状態の輝度を測定しており、第８図は、パネ
ル制作直後の特性図で、第９図は、同じパネルを暗状態
のまま500時間放置した後の特性図である。第８図から
分かるように制作直後のパネルでは、明状態から暗状態
への、暗状態から明状態へのどちらの閾値電圧も約15ボ
ルトで、対称な光学特性を示している。このときに第７
図（ａ）（ｂ）に示すようなマトリックス駆動波形をパ
ネルに印加すると、良好なコントラストの表示が得られ
た。暗状態のまま500時間放置したときの第９図の光学
特性図を見ると、暗状態の方が安定化したため、明状態
から暗状態への閾値電圧は低下しており、暗状態から明
状態への閾値電圧は上昇している。このとき、第７図
（ａ）（ｂ）に示すようなマトリックス駆動波形をパネ
ルに印加すると、コントラストが約半分ぐらいに低下し
てしまった表示しか得られなかった。さらに、暗状態10
00時間放置したパネルは、安定状態が暗状態だけになっ
てしまい、全くコントラストが付かなかった。それとは
反対に500時間暗状態に放置後、明状態にして500時間放
置したものは、再び第８図のような光学特性が得られ、
良好なコントラストの表示が得られた。

したがって、十日に一度程度の使用であっても、使用全
の前後で放置状態を明暗交互に切り替えることにより、
閾値電圧はパネル作成時とわずかしか変わらず、3000時
間経過後もマトリックス駆動でのコントラストは良好で
あった。

そこで、本発明の光学変調素子では、第１図のような構
成により素子の放置状態を表示の前後で切り替えること
により、素子の経時変化を抑え、信頼性を向上させるこ
とに成功した。スイッチ９がオンの時は外部電源または
蓄電池10から電力を供給して通常のマトリックス駆動に
よりラインメモリー７を介して外部から供給されるデー
タを、ドライブ回路5,6により液晶パネルに書き込む。
使用が終了しスイッチ９がオフになると、フラッグメモ
リー12と不揮発メモリー13の内容を見て、その排他的論
理和に従い画面に所定の映像を示し、フラッグメモリー
12の内容を反転させた後、ドライブ回路５への電力の供
給は止められる。強誘電性液晶は温度によって応答速度
が変わるので、温度センサー14でパネルの温度を測定
し、温度に応じてパルス幅を適正化している。

但し、フラッグメモリー12の内容を反転させるときは、
スイッチ９がオンしてから、フラッグメモリー12の内容
を見る前でもかまわない。また、フラッグメモリーの内
容は、外部電源または蓄電池10から絶えず電力が供給さ
れており、スイッチ９がオフになっても、保持される。
画面前面を一様な状態で保持する場合には、不揮発メモ
リー13は必要なく、フラッグメモリー12の内容だけ調べ
れば良いので、スイッチ10により切り替えられるように
している。

以上のように、表示する前後で放置する安定状態を切り
替えられる構成とすることより一つの安定状態を安定化
することなく、閾値特性の経時の変化の小さい、信頼性
の高い光学変調素子を提供するものである。

発明の効果以上のように、表示する前後で放置する安定状態を切り
替えられる構成することにより一つの安定状態を安定化
することなく、閾値特性の経時変化の小さい、信頼性の
高い光学変調素子を提供するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は強誘電性
液晶分子の模式図、第３図は強誘電性液晶のねじれ構造
を示す模式図、第４図は強誘電性液晶の薄いセル厚のパ
ネルでねじれ構造がほどけた状態を表す模式図、第５図
（ａ）（ｂ）は薄いセル厚の強誘電性液晶パネルにおい
ての動作原理を表す模式図、第６図は従来の強誘電性液
晶光学素子に用いる液晶への印加電圧と光学的透過率と
を示すグラフ、第７図（ａ）（ｂ）は従来の強誘電性液
晶光学素子を駆動する駆動電圧波形の一例を示すグラ
フ、第８図、第９図は強誘電性液晶光学変調素子の光学
特性図である。１……上基板、２……下基板、３……信号電極、４……
走査電極、５……走査側ドライブ回路、６……信号側ド
ライブ回路、７……ラインメモリー、８……タイミング
・電圧制御回路、9,10……スイッチ、11……蓄電池、12
……フラッグメモリー、13……不揮発メモリー、14……
温度センサー。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大西博之大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者岩井義夫大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者上天一浩大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開昭63−124036（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−129324（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−48597（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−165630（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】走査電極群と信号電極群を有し、上記走査
電極群と信号電極群の間に、電界によって双安定状態を
示す光学変調物質を挟持し、上記走査電極と上記信号電
極とにより画素を構成し、上記画素に第１の電圧を印加
することにより、上記双安定状態の第１の状態になり、
第２の電圧を印加することにより、上記双安定状態の第
２の状態になるように構成し、上記第１または第２の電
圧を印加することにより表示を行う素子において、表示
終了後に、表示開始前に保持されていた状態と異なる状
態にする電圧印加手段と、上記異なる状態で電圧を解除
する解除手段を備えたことを特徴とする光学変調素子。
【請求項２】表示開始時に全画素が第１の状態のみ、ま
たは第２の状態のみであることを特徴とする請求項
（１）記載の光学変調素子。
【請求項３】表示開始時の状態を記憶回路に記憶し、上
記記憶回路の情報を参照して、表示終了時に画素に電圧
を印加することを特徴とする請求項（１）または（２）
のいずれかに記載の光学変調素子。
【請求項４】光学変調物質が強誘電性液晶であることを
特徴とする請求項（１）、（２）または（３）のいずれ
かに記載の光学変調素子。
【請求項５】強誘電性液晶がカイラルスメクティックＣ
相を示すことを特徴とする請求項（４）記載の光学変調
素子。