JPH02310518A - 光学変調素子 - Google Patents

光学変調素子

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JPH02310518A
JPH02310518A JP13343389A JP13343389A JPH02310518A JP H02310518 A JPH02310518 A JP H02310518A JP 13343389 A JP13343389 A JP 13343389A JP 13343389 A JP13343389 A JP 13343389A JP H02310518 A JPH02310518 A JP H02310518A
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ferroelectric liquid
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Satoru Kimura
哲 木村
Tsuyoshi Kamimura
強 上村
Hisahide Wakita
尚英 脇田
Hiroyuki Onishi
博之 大西
Yoshio Iwai
義夫 岩井
Kazuhiro Jiyouten
一浩 上天
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は映像や情報機器などに用いて有効な光学変調素
子に関するものである。
従来の技術 近年、コンピュータを中心とする情報機器分野及びテレ
ビジョン、ビデオテープレコーダなどを中心とする映像
機器分野において、プリンタなどに用いる薄型の光シャ
ッタや大画面で薄型の表示装置の需要が高まっている。
この種の光シャツタや表示装置として、液晶を用いた物
が注目されているが、最近特にこの液晶に強誘電性液晶
材料を用いたマトリクス型の表示装置や光シャッタが実
用化されつつある。
この種の液晶光学素子は、強誘電性液晶の電界に対する
双安定性を利用して、マルチプレックス駆動をしたとき
の非走査期間はそのメモリ効果によって安定状態を保持
し、コントラストの低下を防止している。また、電界に
対する応答性が速いという特徴も備えている。
以下図面を参照しながら、従来の強誘電性液晶を用いた
光学スイッチを説明する。
まず強誘電性液晶液晶自体について説明する。
第2図は強誘電性液晶分子の模式図である。強誘電性液
晶は通常、スメクチック液晶と呼ばれる、層構造を有す
る液晶である。分子は層の垂線方向に対してθだけ傾い
た構造をとっている。
また、通常、強誘電性液晶はラセミ体でない光学活性な
液晶分子によって構成されている。
第2図に示すように強誘電性液晶分子は分子長軸に垂直
な方向に自発分極となる永久双極子モーメントを有して
おり、カイラルスメクチックC相においては第2図の円
錐形(以下コーンと呼ぶ)の外側を自由に動くことがで
きる。またコーンの中心点Oより液晶分子に対して下ろ
した単位ベクトルをCダイレクタ−と呼ぶ。
第2図において21は液晶分子、22は永久双極子、2
3はCダイレクタ−124はコーン、25は層構造、2
6は層法線方向、27は傾き角θを示している。
また強誘電性液晶分子は不斉原子を有しているため通常
ねじれ構造を有している。このねじれ構造を第3図に示
す。
第3図において31は液晶分子、32は永久双極子モー
メント、33はねじれの周期を表すピッチ(L)、34
は層構造、35は層の法線方向、36は傾き角θを表す
。強誘電性液晶パネルのセル厚(d)がピッチより厚い
時(d>L)、通常、強誘電性液晶はセル基板表面の影
響がセル中央部まで及ばないため、ねじれ構造を持った
状態で存在する。
しかしセル厚がピッチより小さいとき(d<L)ねじれ
構造は基板表面の力で解かれ第4図のように分子が基板
表面と平行になった二つの領域が現れる。この二つの領
域は分子の持つ永久双極子をモーメントがそれぞれ反対
の方向を向いているものであり、一方は紙面裏から表方
向へもう一方は紙面表から裏方向へ向いている。これは
それぞれ層法線に対する分子の傾き角に対応している。
第4図において41は液晶分子、42は紙面裏方向から
表方向を向いている永久双極子モーメント、43は紙面
表方向から裏方向を向いている永久双極子モーメント、
44は層構造、45は層法線方向、46は傾き角を表し
ている。
次に強誘電性液晶の動作原理について図を用いて説明す
る。このように強誘電性液晶セルにピッチがセル厚より
も大きな強誘電性液晶(d<L)を封入すると第4図の
ような2つの領域を持つ状態となる。このとき紙面裏方
向から表方向に電界を印加すると永久双極子モーメント
はすべて電界の方向に向き第5図(a)のように分子が
全て十〇の傾きを持った状態となる。このような状態で
偏光板の偏光子(P)の偏光軸方向を分子の長袖方向に
、検光子(A)の偏光軸方向を分子の短軸方向、に平行
にすると(第5図(a)参照)、偏光子(P)を通過し
た直線偏光は複屈折を受けずに透過し検光子(A)によ
り遮られ暗状態が得られる。
また電界を逆方向に印加すると第5図(b)のように分
子が全て一θの傾きを持つ状態となり偏光子を通過した
直線偏光は複屈折効果により検光子を通り抜は明状態が
得られる。
以上のように電界の正負により明暗の状態をそれぞれ得
ることができる。またこのようにセル厚がピッチより小
さいセル(d<L)においては通常ねじれ構造がほどけ
ているため電界を取り除いた後も分子はそのままの状態
で安定しメモリ効果が生じる。
第5図(a)、(b)において51は電界の方向、52
は分子の永久双極子モーメント、53は偏光子CP)、
検光子(A)の偏光軸をそれぞれ表している。
第6図は従来の強誘電性液晶光学素子に用いる液晶への
印加電圧と光学的透過率とを示すグラフである。第6図
から明らかなように、所定の闇値以上の正電圧または負
電圧を所定の時間印加することにより安定状態を反転さ
せることができ、所定の闇値以下の電圧の印加に対して
は、安定状態は変化しない。
第7図は従来の強誘電性液晶光学素子を駆動する駆動電
圧波形の一例を示すグラフである。第7図において、各
波形はON画素とOFF画素に印加される電圧波形を示
しており、■1は上記液晶の安定状態を反転させるのに
必要な闇値より高い波高値のパルス電圧で、V2は上記
闇値より低い波高値のパルス電圧である。
以上のような駆動波形を印加したときの、従来の強誘電
性液晶光学素子の動作を以下に説明する。
まず第1のフィールドで期間Twlに書き込み電圧を印
加するが、期間Twlの前半はOFF電圧を印加し、後
半に負のON電圧を印加して画素をON状態にし、期間
THはメモリ効果によりON状態を保持する。期間Tw
2で印加される電圧は波高値が■2であるので液晶の安
定状態は変化せずON状態が保持される。つぎに、第2
フイールドでは期間Tw2に消去電圧を印加するが、期
間Tw2の前半はON電圧を印加し、後半にOFF電圧
を印加する。つまり、第1フイールドではONにすべき
画素に書き込み電圧を与え、第2フイールドではOFF
にすべき画素に消去電圧を与え、2フイールドで1フレ
ームを終了する。上記操作を繰り返すことにより強誘電
性液晶光学素子を駆動することができる。なお、期間T
wl、7w2においてその前半に書き込みまたは消去に
必要な信号の逆極性の電圧を印加しているが、これは直
流電圧印加による液晶の劣化を防止するためのもので、
印加電圧が交流になるようにしている。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、強誘電性液晶光学素子を一方の安定状態
にして放置しておくと、放置した状態の安定性が徐々に
増し、他の状態が不安定になってきて、マトリックス駆
動による表示ができなくなることが我々の実験により分
かった。表示が不可能になる時間は、パネルの構成、す
なわち、液晶材料や配向膜などによって異なるが、駆動
中の時間とはほとんど関係な(一方の安定状態にして放
置した時間の総和で決まり、およそ1000時間程度で
あった。このような、特性の経時変化は我々の実験以外
にも、例えば日中、堀口、小林ら;「通電配向処理を施
した強誘電性液晶素子の電気光学特性」、第14回液晶
討論会講演予講集、133ページ、にも若干の報告があ
る。
上記のような経時変化が起こると、容易には元に戻らず
、製品としての信頼性に欠けるという課題を有していた
本発明は上記課題を鑑み、特定状態の安定性のみが増し
て闇値の経時変化により、表示の書き込みが不可能にな
ることを防いだ光学変調素子を提供するものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の光学変調素子は、走
査電極群と信号電極群を有し、上記走査電極群と信号電
極群の間に、電界によって双安定状態を示す光学変調物
質を挟持し、上記走査電極と上記信号電極とにより画素
を構成し、上記画素に第1の電圧を印加する事により、
上記双安定状態の第1の状態になり、第2の電圧を印加
することにより、上記双安定状態の第2の状態になるよ
うに構成し、上記第1または第2の電圧を印加すること
により表示を行う素子において、表示終了後に、電圧を
印加して表示開始前に保持されていた状態とな異なる状
態にし、上記電圧を解除した後、上記状態を保持すると
いう構成を備えたものである。
作用 本発明は上記した構成によって、表示する前後で放置す
る安定状態を切り替えることにより、一つの安定状態を
安定化することなく、闇値特性の経時変化は小さく、表
示に対する影響はなくなることになる。
実施例 以下本発明の一実施例の光学変調素子について、図面を
参照しながら説明する。
第8図、第9図は強誘電性液晶光学変調素子の光学特性
図である。用いたパネルは、エステル系の強誘電性液晶
を用いた液晶層の厚さ2.5μmの表面安定化強誘電性
液晶マトリックスパネルであり、SiOを基板法線から
82度傾いた方向から蒸着し配向膜を形成した。パルス
幅を一定に固定して電圧パルスをパネルに印加し、電圧
印加終了後の保持状態の輝度を測定しており、第8図は
、パネル制作直後の特性図で、第9図は、同じパネルを
暗状態のまま500時間放置した後の特性図である。第
8図から分かるように制作直後のパネルでは、明状態か
ら暗状態への、暗状態から明状態へのどちらの闇値電圧
も約15ボルトで、対称な光学特性を示している。この
ときに第7図(a) (b)に示すようなマトリックス
駆動波形をパネルに印加すると、良好なコントラストの
表示が得られた。暗状態のまま500時間放置したとき
の第9図の光学特性図を見ると、暗状態の方が安定化し
たため、明状態から暗状態への閾値電圧は低下しており
、暗状態から明状態への閾値電圧は上昇している。この
とき、第7図(a)(ロ)に示すようなマトリックス駆
動波形をパネルに印加すると、コントラストが約半分ぐ
らいに低下してしまった表示しか得られなかった。さら
に、暗状態1000時間放置したパネルは、安定状態が
暗状態だけになってしまい、全くコントラストが付かな
かった。それとは反対に500時間暗状態に放置後、明
状態にして500時間放置したものは、再び第8図のよ
うな光学特性が得られ、良好なコントラストの表示が得
られた。
したがって、千日に一度程度の使用であっても、使用前
の前後で放1状態を明暗交互に切り替えることにより、
閾値電圧はパネル作成時とわずかしか変わらず、300
0時間経過後もマトリックス駆動でのコントラストは良
好であった。
そこで、本発明の光学変調素子では、第1図のような構
成により素子の放置状態を表示の前後で切り替えること
により、素子の経時変化を抑え、信転性を向上させるこ
とに成功した。スイッチ9がオンの時は外部電源または
蓄電池10から電力を供給して通常のマトリックス駆動
によりラインメモリー7を介して外部から供給されるデ
ータを、ドライブ回路5.6により液晶パネルに書き込
む。
使用が終了しスイッチ9がオフになると、フラッグメモ
リー12と不揮発メモリー13の内容を見て、その排他
的論理和に従い画面に所定の映像を示し、フラッグメモ
リー12の内容を反転させた後、ドライブ回路5への電
力の供給は止められる。強誘電性液晶は温度によって応
答速度が変わるので、温度センサー14でパネルの温度
を測定し、温度に応じてパルス幅を適正化している。
但し、フラッグメモリー12の内容を反転させるときは
、スイッチ9がオンしてから、フラッグメモリー12の
内容を見る前でもかまわない。また、フラッグメモリー
の内容は、外部電源または蓄電池10から絶えず電力が
供給されており、スイッチ9がオフになっても、保持さ
れる。画面前面を一様な状態で保持する場合には、不揮
発メモリー13は必要なく、フラッグメモリー12の内
容だけ調べれば良いので、スイッチ10により切り替え
られるようにしている。
以上のように、表示する前後で放置する安定状態を切り
替えられる構成とすることより一つの安定状態を安定化
することなく、闇値特性の経時の変化の小さい、信頼性
の高い光学変調素子を提供するものである。
発明の効果 以上のように、表示する前後で放置する安定状態を切り
替えられる構成することにより一つの安定状態を安定化
することなく、闇値特性の経時変化の小さい、信頼性の
高い光学変調素子を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図は強誘電性
液晶分子の模式図、第3図は強誘電性液晶のねじれ構造
を示す模式図、第4図は強誘電性電性液晶パネルにおい
ての動作原理を表す模式図、第6図は従来の強誘電性液
晶光学素子に用いる液晶への印加電圧と光学的透過率と
を示すグラフ、第7図(a)(b)は従来の強誘電性液
晶光学素子を駆動する駆動電圧波形の一例を示すグラフ
、第8図、第9図は強誘電性液晶光学変調素子の光学特
性図である。 1・・・・・・上基板、2・・・・・・下基板、3・・
・・・・信号電極、4・・・・・・走査電極、5・・・
・・・走査側ドライブ回路、6・・・・・・信号側ドラ
イブ回路、7・・・・・・ラインメモリー、8・・・・
・・タイミング・電圧制御回路、9.10・・・・・・
スイッチ、11・・・・・・蓄電池、12・・・・・・
フラッグメモリー、13・・・・・・不揮発メモリー、
14・・・・・・温度センサー。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名σl−−基
板 θ2−・・下基板 り3−信号電極 o4・−・走辰竪t、a OS−−・乏!頑11ドライブ回路 e6・−イ稟号櫃1ドラオプ目ご蚤 07−°ラインメ七ソー     − 第 1 図           。8−・タイミング
電4圧、!l11 a同語41i’1St5F、   
        ”°−°1演0ブー第2図 第3図 ←−−−−−−−り一一 第 4 区 第5図 第6図 第7図

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)走査電極群と信号電極群を有し、上記走査電極群
    と信号電極群の間に、電界によって双安定状態を示す光
    学変調物質を挟持し、上記走査電極と上記信号電極とに
    より画素を構成し、上記画素に第1の電圧を印加するこ
    とにより、上記双安定状態の第1の状態になり、第2の
    電圧を印加することにより、上記双安定状態の第2の状
    態になるように構成し、上記第1または第2の電圧を印
    加することにより表示を行う素子において、表示終了後
    に、電圧を印加して表示開始前に保持されていた状態と
    異なる状態にし、上記電圧を解除した後、上記状態を保
    持することを特徴とする光学変調素子。
  2. (2)表示開始時に全画素が第1の状態のみであること
    を、または第2の状態のみであることを特徴とする請求
    項(1)記載の光学変調素子。
  3. (3)表示開始時の状態を記憶回路に記憶し、上記記憶
    回路の情報を参照して、表示終了時に画素に電圧を印加
    することを特徴とする請求項(1)または(2)のいず
    れかに記載の光学変調素子。
  4. (4)光学変調物質が強誘電性液晶であることを特徴と
    する請求項(1)(2)または(3)のいずれかに記載
    の光学変調素子。
  5. (5)強誘電性液晶がカイラルスメクティックC相を示
    すことを特徴とする請求項(4)記載の光学変調素子。
JP13343389A 1989-05-26 1989-05-26 光学変調素子 Expired - Lifetime JPH0786607B2 (ja)

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JPH0786607B2 JPH0786607B2 (ja) 1995-09-20

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