JPH0786322A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0786322A JPH0786322A JP5230408A JP23040893A JPH0786322A JP H0786322 A JPH0786322 A JP H0786322A JP 5230408 A JP5230408 A JP 5230408A JP 23040893 A JP23040893 A JP 23040893A JP H0786322 A JPH0786322 A JP H0786322A
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- Japan
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- semiconductor chip
- tab
- resin
- mold
- opposite
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂の充填時におけるタブの変位を防止する
ことが可能な技術を提供すること。 【構成】 半導体チップ2を、半導体チップ2の活性層
面と金型の天井部間の高さが、半導体チップ2を搭載す
るタブ3の半導体チップ2の搭載面と反対になる反対面
と金型の底部間の高さよりも大きくなる位置に設け、か
つ、タブ3の反対面から垂直に金型の底部に達する突出
部4を3点以上設け、また、そのすべての突出部4が同
一直線上にない位置にあること。
ことが可能な技術を提供すること。 【構成】 半導体チップ2を、半導体チップ2の活性層
面と金型の天井部間の高さが、半導体チップ2を搭載す
るタブ3の半導体チップ2の搭載面と反対になる反対面
と金型の底部間の高さよりも大きくなる位置に設け、か
つ、タブ3の反対面から垂直に金型の底部に達する突出
部4を3点以上設け、また、そのすべての突出部4が同
一直線上にない位置にあること。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置におけるパ
ッケージングに適用して有効な技術に関するものであ
る。
ッケージングに適用して有効な技術に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置におけるパッケージン
グは、金型を用いて半導体チップとリードフレーム等を
モールドするもので、半導体チップを搭載するタブは、
半導体チップが金型の中央付近にくるように2方向また
は4方向から吊りリードで吊るされ、その固定された半
導体チップとリードフレーム等をレジン等の樹脂で封止
したものである。
グは、金型を用いて半導体チップとリードフレーム等を
モールドするもので、半導体チップを搭載するタブは、
半導体チップが金型の中央付近にくるように2方向また
は4方向から吊りリードで吊るされ、その固定された半
導体チップとリードフレーム等をレジン等の樹脂で封止
したものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は上記従来技
術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
【0004】従来技術におけるタブは、リードフレーム
に設けられたもので、半導体チップが金型の中央付近に
くるように2方向または4方向から吊りリードで吊るさ
れたものであり、横方向に対する変位は、吊りリードで
規制されるので、ほとんどないのに対し、縦方向に対す
る変位は、何の規制物体がなく、レジン等の樹脂を金型
に充填する際の圧力によりタブが主に縦方向に変位する
という問題点があった。
に設けられたもので、半導体チップが金型の中央付近に
くるように2方向または4方向から吊りリードで吊るさ
れたものであり、横方向に対する変位は、吊りリードで
規制されるので、ほとんどないのに対し、縦方向に対す
る変位は、何の規制物体がなく、レジン等の樹脂を金型
に充填する際の圧力によりタブが主に縦方向に変位する
という問題点があった。
【0005】本発明の目的は、樹脂の充填時におけるタ
ブの変位を防止することが可能な技術を提供することに
ある。
ブの変位を防止することが可能な技術を提供することに
ある。
【0006】本発明の前記目的と新規な特徴は、本明細
書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0008】半導体チップの半導体素子を構成する活性
層面上のパッドとリードのインナーリードの先端がワイ
ヤで電気的に接続され、前記半導体チップ、リード及び
ワイヤが金型を用いて樹脂封止された半導体装置におい
て、前記半導体チップを、半導体チップの活性層面と金
型の天井部間の高さが、半導体チップを搭載するタブの
半導体チップの搭載面と反対になる反対面と金型の底部
間の高さよりも大きくなる位置に設け、かつ、タブの反
対面から垂直に金型の底部に達する突出部を3点以上設
け、かつ、そのすべての突出部が同一直線上にない位置
にあるものである。
層面上のパッドとリードのインナーリードの先端がワイ
ヤで電気的に接続され、前記半導体チップ、リード及び
ワイヤが金型を用いて樹脂封止された半導体装置におい
て、前記半導体チップを、半導体チップの活性層面と金
型の天井部間の高さが、半導体チップを搭載するタブの
半導体チップの搭載面と反対になる反対面と金型の底部
間の高さよりも大きくなる位置に設け、かつ、タブの反
対面から垂直に金型の底部に達する突出部を3点以上設
け、かつ、そのすべての突出部が同一直線上にない位置
にあるものである。
【0009】
【作用】上述した手段によれば、半導体チップを、半導
体チップの活性層面と金型の天井部間の高さが、半導体
チップを搭載するタブの半導体チップの搭載面と反対に
なる反対面と金型の底部間の高さよりも、大きくなる位
置に設けたので、半導体チップ活性層面側の空間を広く
とることができ、樹脂は半導体チップ側の広い空間に先
に入り込むため、樹脂の充填時には、タブの上から下へ
圧力がかかるようになる。
体チップの活性層面と金型の天井部間の高さが、半導体
チップを搭載するタブの半導体チップの搭載面と反対に
なる反対面と金型の底部間の高さよりも、大きくなる位
置に設けたので、半導体チップ活性層面側の空間を広く
とることができ、樹脂は半導体チップ側の広い空間に先
に入り込むため、樹脂の充填時には、タブの上から下へ
圧力がかかるようになる。
【0010】また、タブの反対面から垂直に金型の底部
に達する突出部を3点以上設け、また、そのすべての突
出部が同一直線上にない位置にしたので、タブの半導体
チップ搭載面の反対面(下部)に設けた突出部と金型の
底部とでタブの変位は縦方向に規制されるので、タブ及
び半導体チップにかかる上から下への圧力に対して縦方
向に変位しなくなる。
に達する突出部を3点以上設け、また、そのすべての突
出部が同一直線上にない位置にしたので、タブの半導体
チップ搭載面の反対面(下部)に設けた突出部と金型の
底部とでタブの変位は縦方向に規制されるので、タブ及
び半導体チップにかかる上から下への圧力に対して縦方
向に変位しなくなる。
【0011】したがって、樹脂の充填時にタブの上から
下へ圧力がかかるようにし、かつ、タブの下部に突出部
を設けることにより、タブの変位を防止することが可能
となる。
下へ圧力がかかるようにし、かつ、タブの下部に突出部
を設けることにより、タブの変位を防止することが可能
となる。
【0012】以下、本発明の構成について、実施例とと
もに説明する。
もに説明する。
【0013】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【0014】
【実施例】以下、本発明による実施例を図を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
【0015】図1は本発明による一本実施例である半導
体装置の構成を説明するためのものであり、半導体装置
の樹脂の上部を切り欠き、ボンディングワイヤを省略し
たものである。図2は図1のA−A線で切った断面を示
したものである。
体装置の構成を説明するためのものであり、半導体装置
の樹脂の上部を切り欠き、ボンディングワイヤを省略し
たものである。図2は図1のA−A線で切った断面を示
したものである。
【0016】図1及び図2において、1は樹脂(レジ
ン)、2は半導体チップ、3はタブ、4は突出部、5は
リード、6は吊りリード、7は樹脂充填口、8はボンデ
ィングワイヤをそれぞれ示す。
ン)、2は半導体チップ、3はタブ、4は突出部、5は
リード、6は吊りリード、7は樹脂充填口、8はボンデ
ィングワイヤをそれぞれ示す。
【0017】次に、半導体チップ2を搭載したタブ3の
樹脂充填における変位を防ぐために、樹脂充填前に設け
た手段について説明する。
樹脂充填における変位を防ぐために、樹脂充填前に設け
た手段について説明する。
【0018】まず、図1及び図2に示すように、タブ3
の半導体チップ搭載面と反対の反対面に、樹脂封止に用
いる金型の下面まで達する高さの突出部4をタブ3の4
隅にそれぞれ設ける。これにより、レジン充填時に上か
ら下への縦方向に対する圧力を受けた場合に、その突出
部4と金型とで固定されるため、タブ3の変位を防ぐ。
の半導体チップ搭載面と反対の反対面に、樹脂封止に用
いる金型の下面まで達する高さの突出部4をタブ3の4
隅にそれぞれ設ける。これにより、レジン充填時に上か
ら下への縦方向に対する圧力を受けた場合に、その突出
部4と金型とで固定されるため、タブ3の変位を防ぐ。
【0019】そして、前述の突出部4は、レジン充填時
にかかる上から下への縦方向に対する圧力を受けた場合
の対策として設けられたものであるから、レジン充填時
に上から下へ圧力を受けるように、図2のaの高さをb
の高さよりも大きく取るようにする。これにより、レジ
ンは充填時に広い空間、つまり半導体チップ2上部の方
から先に充填されていき、タブ3の上から下へ圧力を受
けるようにすることができる。
にかかる上から下への縦方向に対する圧力を受けた場合
の対策として設けられたものであるから、レジン充填時
に上から下へ圧力を受けるように、図2のaの高さをb
の高さよりも大きく取るようにする。これにより、レジ
ンは充填時に広い空間、つまり半導体チップ2上部の方
から先に充填されていき、タブ3の上から下へ圧力を受
けるようにすることができる。
【0020】なお、ここで示すaは半導体チップ2の活
性層面と金型の天井部間の高さであり、bは半導体チッ
プ2を搭載するタブ3の半導体チップ2の搭載面と反対
になる反対面と金型の底部間の高さである。
性層面と金型の天井部間の高さであり、bは半導体チッ
プ2を搭載するタブ3の半導体チップ2の搭載面と反対
になる反対面と金型の底部間の高さである。
【0021】そして、図1に示すように、半導体チップ
2はタブ3に搭載し、吊りリード4で2方向から固定す
る。これにより、レジン充填時の圧力がかかっても、タ
ブは横方向に変位しない。
2はタブ3に搭載し、吊りリード4で2方向から固定す
る。これにより、レジン充填時の圧力がかかっても、タ
ブは横方向に変位しない。
【0022】よって、この前述の手段を設けることによ
り横方向だけ固定されていたタブ3を縦方向にも固定で
きるため、タブの変位を防止できる。
り横方向だけ固定されていたタブ3を縦方向にも固定で
きるため、タブの変位を防止できる。
【0023】次に、前述のタブの下面に設ける突出部4
の作成について説明する。
の作成について説明する。
【0024】図3は、図1及び図2で説明したタブ3の
形状の一例を示したもので、他のリードフレームの部分
は省略してある。図3(a)に示すようにタブ3は、長
方形に突出部4をもたせたH型にし、半導体チップ2搭
載前で図3(b)に示すように、突出部4を半導体チッ
プ2の搭載面と反対になる反対面の方向に折り曲げ、タ
ブ3に対して垂直になるようにする。
形状の一例を示したもので、他のリードフレームの部分
は省略してある。図3(a)に示すようにタブ3は、長
方形に突出部4をもたせたH型にし、半導体チップ2搭
載前で図3(b)に示すように、突出部4を半導体チッ
プ2の搭載面と反対になる反対面の方向に折り曲げ、タ
ブ3に対して垂直になるようにする。
【0025】また、タブ3を図3(a)に示す形状に
し、半導体チップ2搭載前で折り曲げることにより、リ
ードフレームの搬送時の嵩張りをなくし、搬送を容易に
することができる。
し、半導体チップ2搭載前で折り曲げることにより、リ
ードフレームの搬送時の嵩張りをなくし、搬送を容易に
することができる。
【0026】したがって、前述のように半導体チップ
を、半導体チップの活性層面と金型の天井部間の高さ
が、半導体チップを搭載するタブの半導体チップの搭載
面と反対になる反対面と金型の底部間の高さよりも、大
きくなる位置に設けたので、半導体チップ側の空間が広
くとることができ、樹脂は半導体チップ側の広い空間に
先に入り込むため、樹脂の充填時には、タブの上から下
へ圧力がかかるようになる。
を、半導体チップの活性層面と金型の天井部間の高さ
が、半導体チップを搭載するタブの半導体チップの搭載
面と反対になる反対面と金型の底部間の高さよりも、大
きくなる位置に設けたので、半導体チップ側の空間が広
くとることができ、樹脂は半導体チップ側の広い空間に
先に入り込むため、樹脂の充填時には、タブの上から下
へ圧力がかかるようになる。
【0027】また、タブの反対面から垂直に金型の底部
に達する突出部を3点以上設け、また、そのすべての突
出部が同一直線上にない位置にしたので、タブの半導体
チップ搭載面の反対面(下部)に設けた突出部と金型の
底部とでタブの変位は縦方向に規制されるので、タブ及
び半導体チップにかかる上から下への圧力に対して縦方
向に変位しなくなる。
に達する突出部を3点以上設け、また、そのすべての突
出部が同一直線上にない位置にしたので、タブの半導体
チップ搭載面の反対面(下部)に設けた突出部と金型の
底部とでタブの変位は縦方向に規制されるので、タブ及
び半導体チップにかかる上から下への圧力に対して縦方
向に変位しなくなる。
【0028】したがって、樹脂の充填時にタブの上から
下へ圧力がかかるようにし、かつ、タブの下部に突出部
を設けることにより、タブの変位を防止することが可能
となる。
下へ圧力がかかるようにし、かつ、タブの下部に突出部
を設けることにより、タブの変位を防止することが可能
となる。
【0029】また、タブの変位を防止することができ、
従来よりも大きめの圧力を樹脂充填時にかけることがで
きるので、ボイドの発生を防止できる。
従来よりも大きめの圧力を樹脂充填時にかけることがで
きるので、ボイドの発生を防止できる。
【0030】更に、半導体装置のリフロー時において、
加熱される熱によって発生するパッケージ内のガスを前
記タブの突出部と樹脂との界面に沿って排出することが
できるので、半導体装置の対リフロー正を向上できる。
加熱される熱によって発生するパッケージ内のガスを前
記タブの突出部と樹脂との界面に沿って排出することが
できるので、半導体装置の対リフロー正を向上できる。
【0031】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【0032】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0033】半導体チップを、半導体チップの活性層面
と金型の天井部間の高さが、半導体チップを搭載するタ
ブの半導体チップの搭載面と反対になる反対面と金型の
底部間の高さよりも、大きくなる位置に設けたので、半
導体チップ側の空間が広くとることができ、樹脂は半導
体チップ側の広い空間に先に入り込むため、樹脂の充填
時には、タブの上から下へ圧力がかかるようになり、そ
れに加え、タブの反対面から垂直に金型の底部に達する
突出部を3点以上設け、また、そのすべての突出部が同
一直線上にない位置にしたので、タブの半導体チップ搭
載面の反対面(下部)に設けた突出部と金型の底部とで
タブの変位は縦方向に規制され、よって、タブ及び半導
体チップにかかる上から下への圧力に対して縦方向に変
位しなくなり、樹脂の充填時におけるタブの変位を防止
することができる。
と金型の天井部間の高さが、半導体チップを搭載するタ
ブの半導体チップの搭載面と反対になる反対面と金型の
底部間の高さよりも、大きくなる位置に設けたので、半
導体チップ側の空間が広くとることができ、樹脂は半導
体チップ側の広い空間に先に入り込むため、樹脂の充填
時には、タブの上から下へ圧力がかかるようになり、そ
れに加え、タブの反対面から垂直に金型の底部に達する
突出部を3点以上設け、また、そのすべての突出部が同
一直線上にない位置にしたので、タブの半導体チップ搭
載面の反対面(下部)に設けた突出部と金型の底部とで
タブの変位は縦方向に規制され、よって、タブ及び半導
体チップにかかる上から下への圧力に対して縦方向に変
位しなくなり、樹脂の充填時におけるタブの変位を防止
することができる。
【図1】本発明の一実施例である半導体装置の構成を説
明するための図である。
明するための図である。
【図2】図1の実施例の半導体装置をAA線で切った断
面図である。
面図である。
【図3】本実施例の半導体装置におけるタブの形状の一
例を示した図である。
例を示した図である。
1…樹脂(レジン)、2…半導体チップ、3…タブ、4
…突出部、5…リード、6…吊りリード、7…樹脂充填
口、8…ボンディングワイヤ。
…突出部、5…リード、6…吊りリード、7…樹脂充填
口、8…ボンディングワイヤ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/50 G
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体チップの半導体素子を構成する活
性層面上のパッドとリードのインナーリードの先端がワ
イヤで電気的に接続され、前記半導体チップ、リード及
びワイヤが金型を用いて樹脂封止された半導体装置にお
いて、前記半導体チップを、半導体チップの活性層面と
金型の天井部間の高さが、半導体チップを搭載するタブ
の半導体チップの搭載面と反対になる反対面と金型の底
部間の高さよりも大きくなる位置に設け、かつ、タブの
反対面から垂直に金型の底部に達する突出部を3点以上
設け、そのすべての突出部が同一直線上にない位置にあ
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5230408A JPH0786322A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5230408A JPH0786322A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0786322A true JPH0786322A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16907423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5230408A Pending JPH0786322A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0786322A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09321213A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP5230408A patent/JPH0786322A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09321213A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置 |
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