JPH0784659A

JPH0784659A - 電圧基準のための曲率補正回路

Info

Publication number: JPH0784659A
Application number: JP6223947A
Authority: JP
Inventors: John M Pigott; ジョン・エム・ピゴット; Robert B Jarrett; ロバ−ト・ビー・ジャレット; Byron G Bynum; バイロン・ジー・バイナム
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1993-08-30
Filing date: 1994-08-26
Publication date: 1995-03-31
Also published as: EP0640904A3; US5479092A; DE69426104T2; KR950007296A; DE69426104D1; EP0640904A2; KR100361715B1; EP0640904B1

Abstract

(57)【要約】【目的】電圧基準（１１）のために誤差補正電圧を供給
するための補正回路（１２）を得る。【構成】電圧基準（１１）は所定温度範囲内で基準電圧
を供給する。補正する前の電圧基準は、所定温度範囲内
の温度Ｔ₀でピーク値を有する。第１回路（１３）は補
正電流を生じる。ゼロ電流はＴ₀で第１回路（１３）に
よって供給される。第２回路（１４）は補正電流を受信
して、一方向あるいはＴ₀の上下で同一センスの出力電
流を供給する。第２回路（１４）の出力電流に対応する
手段は、Ｔ₀の上下で基準電圧を加えられた電圧を生じ
させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一般的に電圧基準に関
し、特に電圧基準の誤差を減少させる補正回路に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】電圧基準は正確かつ安定した電圧を広範
な温度において供給する。バンドギャップ基準は現在の
半導体プロセスで容易に集積化され、温度変化に対して
安定した正確な基準電圧を供給できることは周知であ
る。バンドギャップ基準は、反対の温度係数の２つの電
圧を加えることにより温度依存を打ち消し、その結果、
低温度係数（ＴＣ）の基準電圧を供給する。バンドギャ
ップ基準によって生じる合成電圧は、およそ半導体材料
のバンドギャップ電圧である。シリコン半導体の場合、
生じるバンドギャップ基準電圧は約１．２０５ボルトで
ある。打ち消される温度依存項は一般的に第１順位項ま
たは線形項である。

【０００３】たとえ温度依存項の最大項（線形項）が取
り消されても、それより小さな第２・第３順位の温度依
存項がバンドギャップ基準出力電圧に影響を与える。こ
れら残りの温度依存項は、逆放射線のような図形を描く
出力電圧を生じさせる。逆放射線のピークは、ゼロ温度
依存（ゼロ傾斜）の点であり、通常はバンドギャップ基
準が使用される温度範囲の中心にその中心が合わせられ
る。例えば、バンドギャップ基準が−４０℃から１００
℃の温度範囲で使用されるとする。ゼロ温度係数点また
は逆放射線のピークは、約３０℃に中心が合わせられ
る。３０℃より上下の温度では、３０℃で生じる約１．
２０５ボルトよりも低い出力電圧を生じる。

【０００４】温度依存性に起因するバンドギャップ基準
の出力電圧の最大偏差は小さい。上記記載の例から、前
記温度範囲（−４０℃から１００℃）において、約８ミ
リボルトの出力電圧偏差が見込まれる。この小さな電圧
の誤差がバンドギャップ基準の一層の補正をさらに困難
なものにする。この問題はバンドギャップ基準の中心点
に中心を合わせた適切な温度係数を有する小さな電圧を
生じさせることに帰する。多くの場合、大電圧や大電流
を適切に減少させるか変換して小さな補正電圧を得て補
償を試みようとする。変換の際に生じる誤差は、生成さ
れる電圧の小ささにかかわらず一定であり、そのため生
成ができないか、バンドギャップ基準温度依存を十分に
減少させる程の正確さを持たない。

【０００５】

【解決すべき課題】もし容易に製造ができ、バンドギヤ
ップ基準の使用可能な温度範囲において変換なしに微小
誤差補正電圧を固有に発生させ、しかもバンドギャップ
中央点に簡単に中心を合わせることができる誤差補正回
路ができれば大きな利益である。

【０００６】

【課題を解決するための手段】簡単に言えば、本発明は
電圧基準のための誤差補正を提供する。前記電圧基準
は、所定温度範囲において前記基準電圧の変化を最小に
するために補正電圧が加えられる基準電圧を提供する。

【０００７】電圧基準のための補正は、補正回路および
前記補正回路に応答する手段によって提供される。前記
補正回路は温度に反応し、出力信号を供給する。前記出
力信号は前記電圧基準の所定温度範囲内の所定温度でゼ
ロである。前記出力信号は前記所定温度の上下ではゼロ
より大きい。前記補正電流に応答する手段は、前記出力
信号から前記補正電圧を生じさせる。

【０００８】

【実施例】図１は、電圧基準１１および補正回路１２の
回路図である。電圧基準は、一般に、広範な温度範囲お
よび動作状態の変化において安定した基準電圧を供給す
る。集積回路上で使用される普通の電圧基準の一例は、
バンドギャップ電圧基準である。バンドギャップ電圧基
準は、低温度係数（ＴＣ）を有する基準電圧を供給する
ことは周知である。低温度係数は正温度係数を有する電
圧および負電圧係数を有する電圧を作ることによって生
まれる。低温度係数の基準電圧を作るために電圧が互い
に加えられると、この正および負温度係数は互いに打ち
消される。ところが、温度依存性が全く取り消されるの
ではなく、基準電圧は温度に対して細かく変化する。小
電圧、すなわち温度依存誤差を補正することは、他の種
類の電圧基準と同様に、バンドギャップ基準においても
非常に困難である。補正回路１２は電圧基準１１の温度
に依存する誤差を減少させ、集積回路に小面積で簡単に
構成できる。

【０００９】実施例では、電圧基準１１はバンドギャッ
プ電圧基準である。基準電圧は出力１６で供給される。
バンドギャップ電圧基準には多くの回路構成が存在す
る。電圧基準１１を図示する回路は説明の目的のみのた
めである。電圧基準１１のバンドギャップ電圧基準はＮ
ＰＮトランジスタ１８、１９、２１、ＰＮＰトランジス
タ２２、ダイオード２３、２４および抵抗２６、２７、
２８から構成される。

【００１０】ダイオード２３およびＰＮＰトランジスタ
２２はＮＰＮトランジスタ１８および１９に同一電流Ｉ
を供給するための電流ミラーを構成する。ＮＰＮトラ
ンジスタ１８はＮＰＮトランジスタ１９のエミッタ領域
（Ａ）の所定の倍数のエミッタ領域（ＮＡ）を有する。
Ｉ＊（抵抗２６）＋Ｖｂｅ（トランジスタ１８）＝Ｖｂ
ｅ（トランジスタ１９）のとき、平衡が達成される。抵
抗２６は平衡がおこる電流値（Ｉ）に影響を及ぼす。ダ
イオード２４と直列のＮＰＮトランジスタ２１は、ＮＰ
Ｎトランジスタ１８および１９を安定した状態で動作さ
せるためにフィードバックを供給する。電流源２９はＮ
ＰＮトランジスタ２１およびダイオード２４をバイアス
する。抵抗２７は出力１６の出力電圧の大きさに影響を
与える。

【００１１】電圧基準１１は、電圧基準１１が使用され
る温度範囲の両端間のいずれかにおいて、所定の温度で
ピーク電圧を有する。ピーク電圧はゼロ温度係数（Ｔ
Ｃ）を有する点に相当する。好適実施例では、ピーク電
圧の所定の温度は温度範囲の中央にある。ゼロ温度係数
電圧を中央にすることによって温度範囲にわたり、電圧
誤差は最小化される。ゼロ温度係数点で現われる温度
は、ＮＰＮトランジスタ１８、１９のエミッタ領域比、
および抵抗２６および２７の抵抗値によって決定され
る。バンドギャップ電圧基準によって生じる温度対基準
電圧は周知である。基準電圧はゼロ温度係数点で最大と
なり、温度範囲の一方の端において最小となる。電圧基
準１１の抵抗２８は、補正電圧を出力１６で供給される
基準電圧に加えるために使用される。抵抗２８は出力１
６とノード５６とを結合する。トランジスタ１８および
１９のベースもノード５６に結合される。理想的な状態
（ＮＰＮトランジスタ１８および１９が無限電流利得を
有し、補正電圧を必要としない状態）では、抵抗２８を
通して電流は流れない、従って出力１６の基準電圧に抵
抗２８によって電圧は加えられない。

【００１２】補正回路１２は上記例の電圧基準１１のゼ
ロ温度係数点において補正は行われない。ゼロ温度係数
点の上下では、補正回路１２は電圧基準１１の温度依存
誤差を減少させる同一方向の信号を供給する。例えば、
補正回路１２によって供給されるいかなる電圧補正にも
先立って、所定の温度範囲内で、電圧基準１１は最大
（またはピーク）電圧を有し、電圧基準１１により供給
される基準電圧は、最大電圧に対応する温度の上下の温
度における最大電圧より少ない。最大電圧は所定の温度
範囲の温度Ｔ₀で生じる。補正回路１２はピーク電圧の
上下で（同一方向の）信号を供給し、その信号は温度変
化中の基準電圧の大きさの変動を減少させるために基準
電圧と加算または、結合される正電圧を生じさせる。電
圧基準１１が最大電圧ではなく最小電圧を持つので、補
正回路１２は最小電圧に対応する温度の上下で、基準電
圧の変化を減少させるための負電圧を生じさせる（同一
方向の）信号を供給することは明らかである。

【００１３】好適実施例では、補正回路１２は回路１３
および回路１４を包含する。回路１３はおおよそ線形の
温度係数を持つ電流または電圧信号のいずれかである。
補正信号を供給する。好適実施例では、回路１３は補正
電流を供給する。電圧基準１１が最大電圧（Ｔ₀で）を
生じさせる場合に、補正電流は最小値を持つ。その大き
さは補正電流の絶対値として決定される。補正電流は、
シンク電流またはソース電流の２つの異なる電流型とし
て表すことができる。電圧基準１１の動作温度範囲内
で、回路１３によって生じる補正電流は、シンク電流か
らソース電流に変化する。回路１４は回路１３によって
生じる補正電流を受信し、出力信号を供給する。回路１
４の出力信号は、一方向である。言い換えれば、回路１
４は補正信号の「絶対値」関数をもたらす。例えば、回
路１４は（回路１３からの）上記説明の補正電流を、シ
ンク電流（負電流）またはソース電流（正電流）に変換
する。好適実施例では、回路１３の補正電流の電流値
は、出力電流に変換されると、回路１４によって大きく
変化されない。回路１４の出力電流値は温度のＴ₀から
増加または減少するに合わせておおよそ線形で増加す
る。回路１４によって生じる出力電流は、動作温度範囲
において電圧基準１１の電圧誤差を減少させる補正電圧
を生じるために、抵抗２８を通して結合される。

【００１４】好適実施例では、回路１３は電圧基準１１
の最大電圧（Ｔ₀）において、電流を供給しないか、ま
たは最小の電流値を供給する。回路１３も誤差補正に適
した傾斜を有するおおよそ線形の温度係数を持つ補正電
流を生じる。回路１３はトランジスタ３１ないし３４、
電流源３６および抵抗３７ないし３９から構成される。
出力１６に供給される基準電圧は、回路１３をバイアス
するために安定した正確な電圧を供給する。

【００１５】好適実施例では、トランシスタ３１および
３２はＰＮＰトランジスタ（電導型）であり、それぞれ
は制御電極、第１電極、第２電極に対応するベース、コ
レクタ、エミッタをそれぞれ有する。トランジスタ３１
と３２は差動入力の対を形成する。トランジスタ３２は
トランジスタ３１のエミッタ領域（Ａ−電導領域に対応
した）の数倍（Ｋ）のエミッタ領域（ＫＡ−電導領域に
対応した）を有する。トランジスタ３１はノード４４に
結合するベース、ノード４１に結合するコレクタおよび
ノード４６に結合するエミッタを有する。ノード４１は
補正電流を供給するための回路１４の出力に対応する。
トランジスタ３２はノード４３に結合するベース、ノー
ド４２に結合するコレクタおよびノード４６に結合する
エミッタを有する。電流源３６はトランジスタ３１、３
２をバイアスする。電流源３６は出力１６に結合する端
子とノード４６に結合する端子を有する。

【００１６】電流ミラーがトランジスタ３３、３４によ
って形成される。好適実施例では、トランジスタ３３、
３４は、同一エミッタ領域（電導領域）を有するＮＰＮ
トランジスタ（電導型）であり、それぞれは制御電極、
第１電極および第２電極に対応するベース、コレクタお
よびエミッタをそれぞれ有する。トランジスタ３４はノ
ード４２に結合するベース、コレクタおよび接地に結合
するエミッタを有する。トランジスタ３３はノード４２
に結合するベース、ノード４１に結合するコレクタおよ
び接地に結合するエミッタを有する。

【００１７】差動入力電圧（抵抗３８の両端の電圧降
下）は、トランジスタ３１および３２の両ベースに対し
て印加される。好適実施例では、差動入力電圧は抵抗３
７ないし３９から構成される抵抗分割器（ｒｅｓｉｓｔ
ｏｒｄｉｖｉｄｅｒ）によって形成される。抵抗３７
は出力１６に結合する端子およびノード４３に結合する
端子を有する。抵抗３８はノード４３に結合する端子お
よびノード４４に結合する端子を有し、抵抗３９は、ノ
ード４４に結合する端子および接地に結合する端子を有
する。

【００１８】好適実施例では、回路１３の動作は、電圧
基準１１の最大電圧（Ｔ₀）においてゼロ補正電流を供
給する。これは、トランジスタ３１、３３を通る電流と
トランジスタ３１、３３を通る電流が等しいときに発生
し、その結果、出力電流が回路１３によって供給されな
い。例えば、電圧基準１１は出力１６に基準電圧Ｖｒｅ
ｆを供給する。抵抗３８の両端の電圧降下（Ｖｄ）が、
Ｔ₀においてトランジスタ３１、３２のエミッタ領域の
差を補償するように抵抗分割器は設計される。必要とさ
れる電圧は方程式１によって表される：Ｖｄ（Ｔ＝Ｔ₀）＝（ｋＴ₀／ｑ）＊Ｉｎ（ｋ）（１）ここでｑ＝電子電荷、ｋ＝ボルツマン定数、ｋ＝エミッ
タ領域（トランジスタ３２）／エミッタ領域（トランジ
スタ３１）である。抵抗３８の両端の電圧降下は方程式
２によって表される。Ｒ３７、Ｒ３８、Ｒ３９は抵抗３
７、３８、３９の抵抗値にそれぞれ対応する。Ｖｄ＝Ｖｒｅｆ＊（Ｒ３８／（Ｒ３７＋Ｒ３８＋Ｒ３９））（２）回路１３からの補正電流は、Ｔ₀からいずれかの方向に
変動する温度とほぼ比例して変化する。バイポーラトラ
ンジスタは、温度Ｔ₀の正確な配置を可能にする予測で
きる特性を有する。さらに、バンドギャップ電圧基準は
電圧Ｖｄをつくることができる抵抗分割器（抵抗３７な
いし３９）から正確な電圧を供給し、その抵抗分割器は
絶対的な抵抗値の機能ではなく、集積回路上に簡単に作
ることができるような抵抗の大きさの比である。同等の
結果が差動入力状態のエミッタ領域の代わりにカレント
ミラーエミッタ領域に配分することによって達成され
る。

【００１９】回路１４は回路１３の補正電流を一方向の
電流に変更する。回路１４はトランジスタ４７、４８、
４９、５１および抵抗５２、５３から構成される。回路
１３のように、回路１４は出力１６において電圧基準１
１によって供給される基準電圧を使用する。好適実施例
では、トランジスタ４７、４８、４９および５１はＮＰ
Ｎトランジスタ（電導型）であり、それぞれは制御電
極、第１電極、第２電極に対応するベース、コレクタ、
エミッタをそれぞれ有する。回路１４は回路１３のノー
ド４１に結合する入力とノード５６に結合する出力を有
する。

【００２０】明らかに言えることは、回路１３によって
供給される補正電流は、動作温度範囲においてソースか
らシンク電流に変化することである。好適実施例では、
回路１４の出力電流は電圧基準１１の所定の動作温度範
囲においてシンク電流である。シンク電流はそこで補正
電圧をつくるために抵抗２８と結合される。抵抗２８の
両端につくられる電圧は、電圧基準１１によって供給さ
れる基準電圧と加算または結合される。トランジスタ２
１は、安定した状態でバンドギャップ基準を維持するた
め抵抗２８を通して回路１４に追加電流を流す。

【００２１】抵抗５２、５３およびダイオード接続のト
ランジスタ５１は回路１４のためにバイアス電圧をつく
る。抵抗５２は出力１６に結合する端子およびノード５
４に結合する端子を有する。トランジスタ５１はノード
５４に結合するベースおよびコレクタを有する。抵抗５
３はトランジスタ５１のエミッタに結合する端子および
接地に結合する端子を有する。ノード５４における電圧
は方程式３で表される。Ｒ５２、Ｒ５３は抵抗５２、５
３の抵抗値にそれぞれ対応する。Ｔ５１はトランジスタ
５１に対応する。Ｖｎｏｄｅ５４＝Ｖｒｅｆ＊（Ｒ５３／（Ｒ５２＋Ｒ５３））＋Ｖｂｅ（Ｔ５１）（３）トランジスタ４７はダイオード接続である。トランジス
タ４７はノード４１に結合するベースおよびコレクタ、
接地に結合するエミッタを有する。トランジスタ４９は
ノード５４に結合するベース、ノード５６に結合するコ
レクタ、ノード４１に結合するエミッタを有する。トラ
ンジスタ４８はノード４１に結合するベース、ノード５
６に結合するコレクタ、接地に結合するエミッタを有す
る。好適実施例では、ノード５４における電圧はトラン
ジスタのＶｂｅよりわずかに大きいように選択される。
例えば、ノード５４における電圧は、Ｖｂｅ＋１０
０ミリボルトである。このようにバイアシング回路１４
は、２つの独立したモードで動作させることができる。

【００２２】回路１３がトランジスタ４７、４８のベー
スに電流を供給すると、第１動作モードになる。ソース
電流は回路１４によってシンク電流に変換される。ノー
ド４１はこの状態でおおよそＶｂｅに等しい電圧にな
る。上記例から、ノード５４はＶｂｅ＋１００ミリ
ボルトである。こうしてトランジスタ４９のベース−エ
ミッタ接合には約１００ミリボルトの電圧が印加される
ので、トランジスタ４９はオフになる。トランジスタ４
８は回路１３によってトランジスタ４７に流された補正
電流をミラーリングする。トランジスタ４８によって作
られる出力電流の大きさは、トランジスタ４８、４７の
エミッタ領域の比率を変更することによって調整でき
る。回路１４からの出力電流は、抵抗２８に補正電圧を
生じさせ、出力１６における基準電圧を増加させる。

【００２３】回路１３が回路１４から電流をすい込む
と、第２動作モードになる。この状態ではノード４１は
Ｖｂｅよりきわめてすくない電圧に低下する。トラン
ジスタ４７、４８はオフとなる。したがってトランジス
タ４９は使用可能となり、回路１３のトランジスタ３３
に対してカスケードデバイスと同様の働きをする。トラ
ンジスタ４９は回路１４に対して、回路１３によって供
給される補正電流にほぼ等しい出力電流を生じさせる。
回路１４のトランジスタ４９からの出力電流は、出力１
６の基準電圧を増加させる補正電圧を抵抗２８に生じさ
せる。第１、第２動作モードのいずれにおいても、回路
１４の好適実施例は回路１３によって生じる補正電流の
大きさと同等の大きさを有する出力電流を生じる。

【００２４】図２は補正回路１２（図１）によって供給
された電圧基準１１（図１）の誤差補正を図解で示した
ものである。ボックス６１は電圧基準１１によって供給
される基準電圧を図示する。Ｔ₀から温度が増加または
減少すると、基準電圧が下がるので、基準電圧はＴ₀に
おいてピークとなる。ボックス６２は回路１３（図１）
によって生じる補正電流の対温度特性を図示する。補正
電流は、ほぼ線形の温度係数を有し、回路１３がＴ₀に
おいてゼロ電流を出力するように中心が合わせられる。
回路１３は、温度がＴ₀から変化するとソースまたはシ
ンク電流のいずれかを供給する。ボックス６３は回路１
４（図１）によって供給される出力電流を図示する。回
路１３からの補正電流は、回路１４によって一方向の出
力電流に変換される。ボックス６４は回路１４の出力電
流から生じる小さな誤差補正電圧を図示する。この電圧
を生じさせる特定の方法は、電圧基準１１の回路位相に
よって決定される。ボックス６４の誤差補正電圧は、基
準電圧と加算または結合され、ボックス６６のようにな
る。補正回路１２と接続する電圧基準１１は、所定の温
度範囲において偏差の小さい基準電圧を生じる。

【００２５】図１に戻って、補正回路１２は唯一の出力
パッドを通して簡単にテストされる。好適実施例では、
所定の温度で機能的に決定するため、補正回路１２によ
って供給される電圧補正の総計が監視されるか、または
回路１４の出力電流が監視される。回路１３の抵抗３８
は補正回路１２を正確に合わせるためにトリムすること
ができる。回路１３、１４と同等のものは、ＣＭＯＳ
（相補型金属酸化膜半導体）やＢｉＣＭＯＳ（バイポー
ラとＣＭＯＳ）で設計することも可能である。

【００２６】ここに電圧基準１１に対する補正回路１２
が提供されたことは評価されるべきである。補正回路１
２は温度誤差を減少させるだけではなく、電圧基準１１
に周辺回路として加えることができる。補正回路１２
は、集積回路プロセスで容易に達成できる精度の部品の
マッチングを、抵抗とトランジスタのみに要求するもの
である。電圧補正は、所定の温度において補正回路１２
によって補正が供給されないような「ゼロベースのもの
（ＺＥＲＯＢＡＳＥＤ）」である。テストは補正回路
１２の出力をモニタするために唯一のテストパッドが要
求されるだけである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に関する補正回路の回路図である。

【図２】図１の回路に関する基準電圧の補正をグラフで
示した図である。

【符号の説明】

１１電圧基準１２補正回路１３、１４回路１６出力１８、１９、２１ＮＰＮトランジスタ２２ＰＮＰトランジスタ２３、２４ダイオード２６、２７、２８抵抗２９電流源３１、３２、３３、３４トランジスタ３６電流源３７、３８、３９抵抗４７、４８、４９、５１トランジスタ５２、５３抵抗６１、６２、６３、６４、６６ボックス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者バイロン・ジー・バイナムアメリカ合衆国アリゾナ州ギルバ−ト、ナンバー13、イー・レイクサイド・ドライヴ 1700

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定温度範囲において基準電圧を供給す
る為の電圧基準回路（１２）内において、前記基準電圧
は前記所定温度範囲内において変化し、前記基準電圧の
大きさの変化を減少させるための回路は：出力信号を供
給するため温度に応答する補正回路（１３、１４）であ
って、前記出力信号は前記所定温度内の所定温度におい
て約ゼロであり、かつ前記所定温度範囲内の所定温度の
上下においては、同一方向であるが、ゼロとは異なる値
を有する補正回路；および前記所定温度範囲において補
正電圧を生じさせるための前記補正回路（１３、１４）
に応答する手段（２８）であって、前記補正電圧は前記
所定温度範囲のおいて前記大きさの変化を減少させるた
めに基準電圧と結合される手段；によって構成されるこ
とを特徴とする回路。
【請求項２】所定温度範囲内で基準電圧を供給するた
めの電圧基準回路（１２）は：出力電圧を供給するため
のバンドギャップ基準回路（１１）であって、前記出力
電圧が前記所定温度範囲内の所定温度で最大となるバン
ドギャップ基準回路；補正電流を供給するための第１回
路（１３）であって、前記補正電流は前記所定温度にお
いておおよそ線形の温度係数を有し、かつ前記補正電流
の大きさは前記所定温度で最小となる第１回路；出力電
流を供給するために前記補正電流に応答する第２回路
（１４）であって、前記出力電流は前記所定温度範囲に
おいて一方向である第２回路；および前記所定温度範囲
において補正電圧をもたらすために前記第２回路に応答
する手段（２８）であって、前記補正電圧は前記基準電
圧を発生させるために前記バンドギャップ基準（１１）
の出力電圧に加えられる手段；から構成されることを特
徴とする電圧基準回路。
【請求項３】補正信号を電圧基準（１１）に供給する
ための回路であって、前記電圧基準（１１）は所定温度
範囲において基準電圧を供給する回路は：補正電流を供
給するための出力を有する第１回路（１３）であって：
制御電極、前記第１回路（１３）の出力に結合する第１
電極、および第２電極を包含する第１電導型の第１トラ
ンジスタ（３１）；制御電極、第１電極、および前記第
１トランジスタ（３１）の第２電極に結合する第２電極
を包含する前記第１電導型の第２トランジスタ（３２）
であって、差動入力電圧が前記第１（３１）および第２
（３２）トランジスタの前記制御電極間に加えられる第
２トランジスタ；前記第１（３１）および第２（３２）
トランジスタをバイアスするための電流源（３６）であ
って、第１電源の端子に結合する端子、および前記第１
トランジスタ（３１）の第２電極に結合する第２端子を
有する電流源（３６）；制御電極および前記第２トラン
ジスタ（３２）の第１電極に結合する第１電極、ならび
に第２電源の端子に結合する第２電極を包含する第２電
導型の第３トランジスタ（３４）；および前記第２トラ
ンジスタ（３４）の第１電極に結合する制御電極、前記
第１回路（１３）の出力に結合する第１電極、および前
記第２電源の端子に結合する第２電極を包含する前記第
２電導型の第４トランジスタ（３３）；から構成される
ことを特徴とする前記第１回路（１３）；前記補正電流
を受信するための入力および出力電流を供給するための
出力を有する第２回路（１４）であって：バイアス電圧
を受信するための制御電極、前記第２回路（１４）の出
力に結合する第１電極、および前記第２回路（１４）の
入力に結合する第２電極を包含する前記第２電導型の第
５トランジスタ（４９）；制御端子および前記第２回路
（１４）の入力に結合する第１電極、ならびに前記第２
電源の第２端子に結合する第２電極を包含する前記第２
電導型の第６トランジスタ（４７）；前記第２回路（１
４）の入力に結合する制御電極、前記第２回路（１４）
の出力に結合する第１電極、および前記第２電源の端子
に結合する第２電極を包含する前記第２電導型の第７ト
ランジスタ（４８）；から構成されることを特徴とする
前記第２回路；前記所定温度範囲において補正電圧を生
じさせるために前記第２回路に応答する手段（２８）で
あって、前記補正電圧は前記電圧基準（１１）の基準電
圧と結合される手段；から構成されることを特徴とする
回路。