JPH0781929A - 二酸化珪素被膜の製造装置 - Google Patents
二酸化珪素被膜の製造装置Info
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- JPH0781929A JPH0781929A JP25235693A JP25235693A JPH0781929A JP H0781929 A JPH0781929 A JP H0781929A JP 25235693 A JP25235693 A JP 25235693A JP 25235693 A JP25235693 A JP 25235693A JP H0781929 A JPH0781929 A JP H0781929A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 切換弁の動作をスムーズにして、良質の二酸
化珪素被膜を成膜することのできる二酸化珪素被膜の製
造装置を提供する。 【構成】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素
酸溶液を含む処理液2と、該処理液を被処理基板3と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽1と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持す
るために活性材を溶解させる処理液調整槽4と、前記処
理液を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環
手段5と、該処理液の循環路に配置された濾過手段6と
を備えた二酸化珪素被膜の製造装置において、前記循環
路8には、流路の流れ方向を一方向或いは複数方向に切
換える切換弁V1,V2,V3,V4 を有し、該切換弁の
全て或いは一部個所に使用された切換弁が外部より液体
或いは気体を内部の切換弁弁体外周部18に導くための
導入孔17a、及び該導入孔より導入された液体或いは
気体を排出するた為の排出孔17bを有する。
化珪素被膜を成膜することのできる二酸化珪素被膜の製
造装置を提供する。 【構成】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素
酸溶液を含む処理液2と、該処理液を被処理基板3と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽1と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持す
るために活性材を溶解させる処理液調整槽4と、前記処
理液を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環
手段5と、該処理液の循環路に配置された濾過手段6と
を備えた二酸化珪素被膜の製造装置において、前記循環
路8には、流路の流れ方向を一方向或いは複数方向に切
換える切換弁V1,V2,V3,V4 を有し、該切換弁の
全て或いは一部個所に使用された切換弁が外部より液体
或いは気体を内部の切換弁弁体外周部18に導くための
導入孔17a、及び該導入孔より導入された液体或いは
気体を排出するた為の排出孔17bを有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、二酸化珪素被膜の製造
装置に係り、特に半導体製造工程や液晶表示装置等の電
子部品製造工程で、半導体ウエハ或いはガラス基板等の
被処理基板上に二酸化珪素被膜を液相より生成する二酸
化珪素被膜の製造装置に関する。
装置に係り、特に半導体製造工程や液晶表示装置等の電
子部品製造工程で、半導体ウエハ或いはガラス基板等の
被処理基板上に二酸化珪素被膜を液相より生成する二酸
化珪素被膜の製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】係る二酸化珪素被膜の液相成膜法(LP
D法)は、室温近傍での温度で成膜が可能であり、サブ
ミクロンレベルの表面凹凸でも追随性良く、均一な厚み
の欠陥の少ない被膜が得られるため、近年その実用化が
検討されている。この二酸化珪素被膜の液相成膜法は、
例えば特開昭60−33233号公報、特開昭62−2
0876号公報等により提案されている。
D法)は、室温近傍での温度で成膜が可能であり、サブ
ミクロンレベルの表面凹凸でも追随性良く、均一な厚み
の欠陥の少ない被膜が得られるため、近年その実用化が
検討されている。この二酸化珪素被膜の液相成膜法は、
例えば特開昭60−33233号公報、特開昭62−2
0876号公報等により提案されている。
【0003】図6は、液相成膜法による二酸化珪素被膜
の製造装置の装置構成を示す説明図である。処理槽1に
は、被処理基板3である半導体基板又はガラス基板が装
填され、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素酸
溶液を含む処理液2に浸漬され、基板3の表面には、二
酸化珪素被膜が析出される。処理液調整槽4では、処理
液2の二酸化珪素の過飽和状態を維持するために、アル
ミ、ホウ酸などの活性材7を溶解させる。
の製造装置の装置構成を示す説明図である。処理槽1に
は、被処理基板3である半導体基板又はガラス基板が装
填され、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素酸
溶液を含む処理液2に浸漬され、基板3の表面には、二
酸化珪素被膜が析出される。処理液調整槽4では、処理
液2の二酸化珪素の過飽和状態を維持するために、アル
ミ、ホウ酸などの活性材7を溶解させる。
【0004】二酸化珪素を過飽和に含む処理液2に被処
理基板3である例えば半導体ウエハを浸漬し、その表面
に二酸化珪素被膜を成膜する場合、処理液2中で析出す
る二酸化珪素等の粒子が成長して粗大化し、処理液2中
にいわゆるダストとして浮遊する。又、成膜中に処理液
2中に二酸化珪素等の粒子が析出し、処理槽1内壁、配
管路内壁、処理液調整槽4内壁等に付着する。成膜の進
行に伴い、壁面に付着した粒子に更に粒子が析出し、壁
面に付着した粒子層の被膜も徐々に厚くなる。槽内壁或
いは管路内壁に付着した粒子層が剥離すると、同様に処
理液2中に浮遊するダストとなる。このダストがウエハ
表面に付着し、二酸化珪素被膜の欠陥となり、半導体装
置の歩留まりを下げてしまうことがしばしばある。
理基板3である例えば半導体ウエハを浸漬し、その表面
に二酸化珪素被膜を成膜する場合、処理液2中で析出す
る二酸化珪素等の粒子が成長して粗大化し、処理液2中
にいわゆるダストとして浮遊する。又、成膜中に処理液
2中に二酸化珪素等の粒子が析出し、処理槽1内壁、配
管路内壁、処理液調整槽4内壁等に付着する。成膜の進
行に伴い、壁面に付着した粒子に更に粒子が析出し、壁
面に付着した粒子層の被膜も徐々に厚くなる。槽内壁或
いは管路内壁に付着した粒子層が剥離すると、同様に処
理液2中に浮遊するダストとなる。このダストがウエハ
表面に付着し、二酸化珪素被膜の欠陥となり、半導体装
置の歩留まりを下げてしまうことがしばしばある。
【0005】そこで処理液2中の二酸化珪素粒子等のダ
ストを除去するため、循環手段5と、濾過手段6を設
け、処理液2を循環濾過することが行われている。循環
手段5としては脈動が無く、濾過に悪影響を与えない、
又循環流量が比較的多くとれるポンプが使用されてい
る。濾過手段としては孔径0.05〜1μm程度のフィ
ルタが用いられる。又、フィルタに洗浄装置を組み込
み、フィルタが目づまると自動的に洗浄することが行わ
れている。
ストを除去するため、循環手段5と、濾過手段6を設
け、処理液2を循環濾過することが行われている。循環
手段5としては脈動が無く、濾過に悪影響を与えない、
又循環流量が比較的多くとれるポンプが使用されてい
る。濾過手段としては孔径0.05〜1μm程度のフィ
ルタが用いられる。又、フィルタに洗浄装置を組み込
み、フィルタが目づまると自動的に洗浄することが行わ
れている。
【0006】しかしながら、液相から二酸化珪素被膜を
成膜する上述の装置構成では、成膜速度が遅く、例えば
10〜20オングストローム/minの成膜速度で、成
膜するのに非常に時間を要してしまう。このように成膜
速度が遅いと、一回の成膜処理を行うと、槽内壁或いは
管路内壁は、付着した二酸化珪素の粒子層等によりかな
り汚染される。このため、1回の成膜中にフィルタが目
詰まりし閉塞してしまうため、図2に示すようにフィル
タ(F1 ,F2 )を2系統11,12準備し、交互に切
り換えて使用することが行われている。即ち、例えば第
1の系統11のフィルタF1 を使用する際には、三方弁
V1 ,V3 を循環賂8側にして処理液を循環するように
する。その間第2の系統12のフィルタF2 の洗浄を行
う。フィルタF2 の洗浄は、弗酸等の洗浄液を洗浄液入
口Aから流入し、三方弁V2 及びフィルタF2 を通し
て、三方弁V4 から洗浄液出口Bに排出する。そして、
使用中のフィルタF1 に目詰まりが生じ閉塞したなら
ば、三方弁V2 ,V4 を処理液の循環路8側に切り換
え、三方弁V1 ,V3 をそれぞれ洗浄液入口A、洗浄液
出口B側に切り換え、フィルタF2 で処理液2の濾過を
行い、その間にフィルタF1 の洗浄を行う。
成膜する上述の装置構成では、成膜速度が遅く、例えば
10〜20オングストローム/minの成膜速度で、成
膜するのに非常に時間を要してしまう。このように成膜
速度が遅いと、一回の成膜処理を行うと、槽内壁或いは
管路内壁は、付着した二酸化珪素の粒子層等によりかな
り汚染される。このため、1回の成膜中にフィルタが目
詰まりし閉塞してしまうため、図2に示すようにフィル
タ(F1 ,F2 )を2系統11,12準備し、交互に切
り換えて使用することが行われている。即ち、例えば第
1の系統11のフィルタF1 を使用する際には、三方弁
V1 ,V3 を循環賂8側にして処理液を循環するように
する。その間第2の系統12のフィルタF2 の洗浄を行
う。フィルタF2 の洗浄は、弗酸等の洗浄液を洗浄液入
口Aから流入し、三方弁V2 及びフィルタF2 を通し
て、三方弁V4 から洗浄液出口Bに排出する。そして、
使用中のフィルタF1 に目詰まりが生じ閉塞したなら
ば、三方弁V2 ,V4 を処理液の循環路8側に切り換
え、三方弁V1 ,V3 をそれぞれ洗浄液入口A、洗浄液
出口B側に切り換え、フィルタF2 で処理液2の濾過を
行い、その間にフィルタF1 の洗浄を行う。
【0007】図7は、係る従来の3方切換弁V1 ,V
2 ,V3 ,V4 の構造の一例を示すもので、(A)は縦
断面図、(B)はそのCC線に沿った横断面図である。
弁箱11には、微少隙間部分18を介して処理液の流路
を切換える弁体12を備えている。弁箱11は、処理液
の通路15a,15b,15cを備えている。一方、弁
体12も処理液の通路16a,16b,16cを備えて
いる。弁軸13は処理液の流路を切換えるもので、図示
の状態では処理液入口20から通路15c,16c,1
6a,15aを通り処理液出口21に連通している。弁
軸13を90℃回転させることによって、処理液入口2
0から通路16b,15bを通り処理液出口22の方に
流路を切換えることができる。弁体12と弁箱11間の
微少隙間部分18は、Oリング14によってシールされ
処理液が弁体外周部の微少隙間部分18に入らないよう
にしている。
2 ,V3 ,V4 の構造の一例を示すもので、(A)は縦
断面図、(B)はそのCC線に沿った横断面図である。
弁箱11には、微少隙間部分18を介して処理液の流路
を切換える弁体12を備えている。弁箱11は、処理液
の通路15a,15b,15cを備えている。一方、弁
体12も処理液の通路16a,16b,16cを備えて
いる。弁軸13は処理液の流路を切換えるもので、図示
の状態では処理液入口20から通路15c,16c,1
6a,15aを通り処理液出口21に連通している。弁
軸13を90℃回転させることによって、処理液入口2
0から通路16b,15bを通り処理液出口22の方に
流路を切換えることができる。弁体12と弁箱11間の
微少隙間部分18は、Oリング14によってシールされ
処理液が弁体外周部の微少隙間部分18に入らないよう
にしている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、弁軸1
3を回転させることによって、処理液の流路を切換える
際に、処理液の通路16a,16b,16cは、瞬間的
にこれらOリング14によるシールの外の弁体外周部に
接することになり、処理液が微少隙間部分18に充満し
てしまうことになる。Oリング14によりシールされた
微少隙間部分18に充満した処理液は二酸化珪素粒子を
析出することになり、析出した粒子層の被膜が弁体の動
きを悪くしたり、弁体の切換動作が困難になって、しば
しば装置を停止させていた。又、弁体が切換わったとし
ても、弁体と弁箱の隙間に析出した二酸化珪素粒子層の
被膜により、Oリングが傷つき、処理液の他回路への漏
れを生ずるとともに、剥離した被膜が処理液中に混入し
て、特にフィルターよりも下流の弁においては、処理槽
1に流入して被処理基板に付着し均一な成膜を阻害して
いた。
3を回転させることによって、処理液の流路を切換える
際に、処理液の通路16a,16b,16cは、瞬間的
にこれらOリング14によるシールの外の弁体外周部に
接することになり、処理液が微少隙間部分18に充満し
てしまうことになる。Oリング14によりシールされた
微少隙間部分18に充満した処理液は二酸化珪素粒子を
析出することになり、析出した粒子層の被膜が弁体の動
きを悪くしたり、弁体の切換動作が困難になって、しば
しば装置を停止させていた。又、弁体が切換わったとし
ても、弁体と弁箱の隙間に析出した二酸化珪素粒子層の
被膜により、Oリングが傷つき、処理液の他回路への漏
れを生ずるとともに、剥離した被膜が処理液中に混入し
て、特にフィルターよりも下流の弁においては、処理槽
1に流入して被処理基板に付着し均一な成膜を阻害して
いた。
【0009】本発明は、係る従来技術の問題点に鑑み為
されたもので、切換弁の動作をスムーズにして、良質の
二酸化珪素被膜を成膜することのできる二酸化珪素被膜
の製造装置を提供することを目的とする。
されたもので、切換弁の動作をスムーズにして、良質の
二酸化珪素被膜を成膜することのできる二酸化珪素被膜
の製造装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の二酸化珪素被膜
の製造装置は、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽と、前記処理液
を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環手段
と、該処理液の循環路に配置された濾過手段とを備えた
二酸化珪素被膜の製造装置において、前記循環路には、
流路の流れ方向を一方向或いは複数方向に切換える切換
弁を有し、該切換弁の全て或いは一部個所に使用された
切換弁が外部より液体或いは気体を内部の切換弁弁体外
周部に導くための導入孔、及び該導入孔より導入された
液体或いは気体を排出するた為の排出孔を有することを
特徴とする。
の製造装置は、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽と、前記処理液
を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環手段
と、該処理液の循環路に配置された濾過手段とを備えた
二酸化珪素被膜の製造装置において、前記循環路には、
流路の流れ方向を一方向或いは複数方向に切換える切換
弁を有し、該切換弁の全て或いは一部個所に使用された
切換弁が外部より液体或いは気体を内部の切換弁弁体外
周部に導くための導入孔、及び該導入孔より導入された
液体或いは気体を排出するた為の排出孔を有することを
特徴とする。
【0011】
【作用】切換弁弁体の外周部に導くための導入孔、及び
該導入孔より導入された液体或いは気体を排出するため
の排出孔を備えることから、切換弁弁体外周部の洗浄を
行うことが可能となる。従って、切換弁の切換に伴い弁
体外周部に粒子層の被膜が析出しても洗浄により析出し
た粒子層を除去することができ、切換弁の動作不良、或
いは剥離した被膜が処理液中に混入してダストを放出す
るという問題を防止することができる。
該導入孔より導入された液体或いは気体を排出するため
の排出孔を備えることから、切換弁弁体外周部の洗浄を
行うことが可能となる。従って、切換弁の切換に伴い弁
体外周部に粒子層の被膜が析出しても洗浄により析出し
た粒子層を除去することができ、切換弁の動作不良、或
いは剥離した被膜が処理液中に混入してダストを放出す
るという問題を防止することができる。
【0012】
【実施例】以下、本発明の第1乃至第4の実施例を添付
図1乃至図4を参照しながら説明する。本実施例におい
て、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素酸溶液
を含む処理液2から被処理基板3に二酸化珪素被膜を析
出させる処理槽1と、処理液の二酸化珪素の過飽和状態
を維持するために活性材を溶解させる処理液調整槽4
と、この処理槽1と処理液調整槽4間に処理液を循環さ
せる循環手段5と、処理液の循環路に配置された濾過手
段6とを備えることは従来の技術と同様である。
図1乃至図4を参照しながら説明する。本実施例におい
て、二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化水素酸溶液
を含む処理液2から被処理基板3に二酸化珪素被膜を析
出させる処理槽1と、処理液の二酸化珪素の過飽和状態
を維持するために活性材を溶解させる処理液調整槽4
と、この処理槽1と処理液調整槽4間に処理液を循環さ
せる循環手段5と、処理液の循環路に配置された濾過手
段6とを備えることは従来の技術と同様である。
【0013】第1実施例の三方切換弁V1 ,V2 ,V
3 ,V4 は、図1に示すように外部より液体或いは気体
を内部の切換弁弁体外周部の隙間18に導くための導入
孔17a及び導入された液体或いは気体を排出するため
の排出孔17bを備えている。その他の構成要素は図7
に示す従来の切換弁と同様であり、同一又は相当の構成
要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
3 ,V4 は、図1に示すように外部より液体或いは気体
を内部の切換弁弁体外周部の隙間18に導くための導入
孔17a及び導入された液体或いは気体を排出するため
の排出孔17bを備えている。その他の構成要素は図7
に示す従来の切換弁と同様であり、同一又は相当の構成
要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
【0014】図示するように3方切換弁には処理液入口
20、処理液出口21,22とは別に、洗浄液の出入口
である導入孔17a,排出孔17bの2個所を設け、こ
こから随時洗浄液(気体)を弁体外周部の隙間部分18
に流しこみ、析出した二酸化珪素粒子層を洗い流し出せ
るようにしたものである。次に、本実施例の3方切換弁
の動作について説明する。図1に示す状態のときに、処
理液入口20から流入した処理液は通路15cより入
り、弁体12中の通路16c,16aを通って、通路1
5aから処理液出口21に出る。この間に別途の弗酸な
どの洗浄液(洗浄を目的とした気体でもよい)が、導入
孔17aから入り、弁体外周部の隙間部分18中に析出
した二酸化珪素被膜を洗い流して、排出孔17bより排
出し、完全に清浄になった時点で洗浄液の流入を停止す
る。弁体外周部の洗浄完了後に、弁体12を弁軸13の
回転により切換えれば、隙間部分をシールするOリング
14を傷つけることなく、スムーズに弁体の回転を行な
うことができる。従って、処理液入口20から流入する
処理液を、スムーズに出口22に切換えることができ、
処理液中にダストを混入することもなく、処理槽1にお
いて被処理基板3に良質の二酸化珪素被膜を成膜するこ
とができる。
20、処理液出口21,22とは別に、洗浄液の出入口
である導入孔17a,排出孔17bの2個所を設け、こ
こから随時洗浄液(気体)を弁体外周部の隙間部分18
に流しこみ、析出した二酸化珪素粒子層を洗い流し出せ
るようにしたものである。次に、本実施例の3方切換弁
の動作について説明する。図1に示す状態のときに、処
理液入口20から流入した処理液は通路15cより入
り、弁体12中の通路16c,16aを通って、通路1
5aから処理液出口21に出る。この間に別途の弗酸な
どの洗浄液(洗浄を目的とした気体でもよい)が、導入
孔17aから入り、弁体外周部の隙間部分18中に析出
した二酸化珪素被膜を洗い流して、排出孔17bより排
出し、完全に清浄になった時点で洗浄液の流入を停止す
る。弁体外周部の洗浄完了後に、弁体12を弁軸13の
回転により切換えれば、隙間部分をシールするOリング
14を傷つけることなく、スムーズに弁体の回転を行な
うことができる。従って、処理液入口20から流入する
処理液を、スムーズに出口22に切換えることができ、
処理液中にダストを混入することもなく、処理槽1にお
いて被処理基板3に良質の二酸化珪素被膜を成膜するこ
とができる。
【0015】図2は、本発明の第2実施例の3方切換弁
を示す。本実施例の3方切換弁は、弁体外周部の隙間部
分23が図示するように第1実施例と比較して大きくな
っている。又、処理液が流れる部分と、外部より導入さ
れた洗浄液(気体)が流れる部分とは、弁体と弁箱との
間の微少隙間24によって遮断されている。弁体外周部
の隙間部分23が大きくなったので、洗浄液(気体)を
容易に流すことが可能となり、洗浄が容易となる。又、
処理液が流れる部分と洗浄液(気体)が流れる部分との
間の遮断が微少隙間によって行われることから、Oリン
グ等によるシールが不要となる。
を示す。本実施例の3方切換弁は、弁体外周部の隙間部
分23が図示するように第1実施例と比較して大きくな
っている。又、処理液が流れる部分と、外部より導入さ
れた洗浄液(気体)が流れる部分とは、弁体と弁箱との
間の微少隙間24によって遮断されている。弁体外周部
の隙間部分23が大きくなったので、洗浄液(気体)を
容易に流すことが可能となり、洗浄が容易となる。又、
処理液が流れる部分と洗浄液(気体)が流れる部分との
間の遮断が微少隙間によって行われることから、Oリン
グ等によるシールが不要となる。
【0016】図3は、本発明の第3実施例の3方切換弁
を示す。本実施例の切換弁は、処理液が流れる部分と、
外部より導入された洗浄液(気体)が流れる部分とは、
弁体12側或いは弁箱11側に装着されたOリング25
によって遮断されている。弁体外周部の隙間部分23
は、第2実施例と同様に大きくなっている。従って、第
2実施例と同様に弁体外周部の洗浄を容易に行うことが
できる。又、弁体外周部をOリング25でシールしたこ
とから、弁体12の回転をよりスムーズに行うことがで
きる。
を示す。本実施例の切換弁は、処理液が流れる部分と、
外部より導入された洗浄液(気体)が流れる部分とは、
弁体12側或いは弁箱11側に装着されたOリング25
によって遮断されている。弁体外周部の隙間部分23
は、第2実施例と同様に大きくなっている。従って、第
2実施例と同様に弁体外周部の洗浄を容易に行うことが
できる。又、弁体外周部をOリング25でシールしたこ
とから、弁体12の回転をよりスムーズに行うことがで
きる。
【0017】図4は、本発明の第4実施例の3方切換弁
を示す。本実施例の切換弁は、摺動型の切換弁であり、
(A)は処理液入口20から流入した処理液が処理液出
口21に流れる状態を示す。(B)は処理液入口20か
ら流入した処理液が処理液出口22に切換えられて流れ
る状態を示す。(A)の状態では、弁体30の摺動部2
6が通路15aと15cとを閉塞しているので、処理液
入口20から流入する処理液は処理液出口21に流出す
る。一方、弁軸13が移動すると、(B)に示すよう
に、弁体30の摺動部26が通路15aと15bとを閉
塞するので、処理液入口20から流入する処理液は処理
液出口22に切換えられる。
を示す。本実施例の切換弁は、摺動型の切換弁であり、
(A)は処理液入口20から流入した処理液が処理液出
口21に流れる状態を示す。(B)は処理液入口20か
ら流入した処理液が処理液出口22に切換えられて流れ
る状態を示す。(A)の状態では、弁体30の摺動部2
6が通路15aと15cとを閉塞しているので、処理液
入口20から流入する処理液は処理液出口21に流出す
る。一方、弁軸13が移動すると、(B)に示すよう
に、弁体30の摺動部26が通路15aと15bとを閉
塞するので、処理液入口20から流入する処理液は処理
液出口22に切換えられる。
【0018】本実施例においても弁体30は、摺動部2
6を除き隙間部分27を備えている。そして、弁箱11
には洗浄液の導入孔17a及び排出孔17bとを備え、
且つ隙間部分19と弁体の隙間27とを連通する導通孔
29を備えている。従って、弗酸等の洗浄液(気体)を
導入孔17aから隙間19、導通孔29、摺動弁の隙間
27、導通孔29、摺動弁の隙間27、等を通り排出孔
17bに流し、摺動弁外周部の隙間部分を洗浄すること
が可能である。
6を除き隙間部分27を備えている。そして、弁箱11
には洗浄液の導入孔17a及び排出孔17bとを備え、
且つ隙間部分19と弁体の隙間27とを連通する導通孔
29を備えている。従って、弗酸等の洗浄液(気体)を
導入孔17aから隙間19、導通孔29、摺動弁の隙間
27、導通孔29、摺動弁の隙間27、等を通り排出孔
17bに流し、摺動弁外周部の隙間部分を洗浄すること
が可能である。
【0019】図5は、本発明の3方切換弁を使用した二
酸化珪素被膜の製造装置の実施例を示す。3方切換弁V
1,V2,V3,V4 は、それぞれ弁箱の導入孔17a及
び排出孔17bが洗浄液入口A及び出口Bに接続されて
いる。従って、処理液の流路の他に、弁体外周部も処理
液の流路とは独立に、洗浄液入口Aから出口Bに流れる
洗浄液(気体)によって洗浄を行うことができる。
酸化珪素被膜の製造装置の実施例を示す。3方切換弁V
1,V2,V3,V4 は、それぞれ弁箱の導入孔17a及
び排出孔17bが洗浄液入口A及び出口Bに接続されて
いる。従って、処理液の流路の他に、弁体外周部も処理
液の流路とは独立に、洗浄液入口Aから出口Bに流れる
洗浄液(気体)によって洗浄を行うことができる。
【0020】以上の説明は3方切換弁を例として説明し
たが、本発明の技術思想は実施例にとらわれることなく
2方弁、4方弁等に適用可能であることは勿論のことで
ある。尚、図中同一の符号は、同一又は相当の構成要素
を示す。
たが、本発明の技術思想は実施例にとらわれることなく
2方弁、4方弁等に適用可能であることは勿論のことで
ある。尚、図中同一の符号は、同一又は相当の構成要素
を示す。
【0021】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の切換弁
によれば、弁体外周部に付着した粒子被膜を洗浄して除
去することができる。従って、二酸化珪素被膜製造装置
の切換弁の動作をスムーズにして、良質な二酸化珪素被
膜の成膜を行うことができる。
によれば、弁体外周部に付着した粒子被膜を洗浄して除
去することができる。従って、二酸化珪素被膜製造装置
の切換弁の動作をスムーズにして、良質な二酸化珪素被
膜の成膜を行うことができる。
【図1】本発明の第1実施例の3方切換弁の構造を示す
説明図。
説明図。
【図2】本発明の第2実施例の3方切換弁の構造を示す
説明図。
説明図。
【図3】本発明の第3実施例の3方切換弁の構造を示す
説明図。
説明図。
【図4】本発明の第4実施例の3方切換弁の構造を示す
説明図。
説明図。
【図5】本発明の一実施例の二酸化珪素被膜の製造装置
の装置構成を示す説明図。
の装置構成を示す説明図。
【図6】従来の二酸化珪素被膜の製造装置の装置構成を
示す説明図。
示す説明図。
【図7】従来の3方切換弁の構造を示す説明図。
1 処理槽 2 処理液 3 被処理基板 4 処理液調整槽 5 循環手段 6 濾過手段 8 主循環路 11 弁箱 12 弁体 17a 導入孔 17b 排出孔 18,23,27 弁体外周部の隙間部分 20 処理液入口 21,22 処理液出口 V1,V2,V3,V4 三方切換弁 A 洗浄液入口 B 洗浄液出口
Claims (3)
- 【請求項1】 二酸化珪素の過飽和状態となった珪弗化
水素酸溶液を含む処理液と、該処理液を被処理基板と接
触させて該基板表面に二酸化珪素被膜を析出させる処理
槽と、前記処理液の二酸化珪素の過飽和状態を維持する
ために活性材を溶解させる処理液調整槽と、前記処理液
を前記処理槽と前記処理液調整槽に循環させる循環手段
と、該処理液の循環路に配置された濾過手段とを備えた
二酸化珪素被膜の製造装置において、 前記循環路には、流路の流れ方向を一方向或いは複数方
向に切換える切換弁を有し、該切換弁の全て或いは一部
個所に使用された切換弁が外部より液体或いは気体を内
部の切換弁弁体外周部に導くための導入孔、及び該導入
孔より導入された液体或いは気体を排出する為の排出孔
を有することを特徴とする二酸化珪素被膜の製造装置。 - 【請求項2】 前記切換弁は、前記処理液が流れる部分
と、前記外部より導入された液体或いは気体が流れる部
分とは弁体と弁箱との間の微少隙間によって遮断されて
いることを特徴とする請求項1記載の二酸化珪素被膜の
製造装置。 - 【請求項3】 前記切換弁は、前記処理液が流れる部分
と、前記外部より導入された液体或いは気体が流れる部
分とは、弁体側或いは弁箱側に装着されたOリングによ
って遮断されていることを特徴とする請求項1記載の二
酸化珪素被膜の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25235693A JPH0781929A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25235693A JPH0781929A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0781929A true JPH0781929A (ja) | 1995-03-28 |
Family
ID=17236158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25235693A Pending JPH0781929A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 二酸化珪素被膜の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0781929A (ja) |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP25235693A patent/JPH0781929A/ja active Pending
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