JPH0779123A - マイクロ波帯可変利得増幅器 - Google Patents
マイクロ波帯可変利得増幅器Info
- Publication number
- JPH0779123A JPH0779123A JP22151693A JP22151693A JPH0779123A JP H0779123 A JPH0779123 A JP H0779123A JP 22151693 A JP22151693 A JP 22151693A JP 22151693 A JP22151693 A JP 22151693A JP H0779123 A JPH0779123 A JP H0779123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- microwave band
- gain
- gain amplifier
- variable gain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Microwave Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ波帯可変利得増幅器に関し、利得の
調整が容易で且つ利得を変化しても使用周波数帯域幅の
変化が少ないマイクロ波帯可変利得増幅器の提供を目的
とする。 【構成】 エミッタが接地されたトランジスタ２０のコ
レクタとベース間に、直流カット用コンデンサＣ２０，
Ｃ２１とダイオードＤと抵抗Ｒの直列回路で且つ該ダイ
オードＤと該抵抗Ｒの接続点に可変出来る電圧を印加し
た負帰還回路を設けた構成とする。
調整が容易で且つ利得を変化しても使用周波数帯域幅の
変化が少ないマイクロ波帯可変利得増幅器の提供を目的
とする。 【構成】 エミッタが接地されたトランジスタ２０のコ
レクタとベース間に、直流カット用コンデンサＣ２０，
Ｃ２１とダイオードＤと抵抗Ｒの直列回路で且つ該ダイ
オードＤと該抵抗Ｒの接続点に可変出来る電圧を印加し
た負帰還回路を設けた構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波帯の信号を
増幅する利得を可変出来る、マイクロ波帯可変利得増幅
器の改良に関する。
増幅する利得を可変出来る、マイクロ波帯可変利得増幅
器の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来例のマイクロ波帯可変利得増
幅器の回路図である。図中、２０はソースが接地された
ＦＥＴ、Ｃ１１，Ｃ１５は直流カットコンデンサ、Ｃ１
２，Ｃ１６はインピーダンス整合用コンデンサ、Ｃ１
３，Ｃ１４はバイパス用コンデンサ、１１〜１４はマイ
クロストリップライン、１５は入力側インピーダンス整
合回路で、コンデンサＣ１１〜Ｃ１３，マイクロストリ
ップライン１１，１２で構成され、１６は出力側インピ
ーダンス整合回路で、コンデンサＣ１４〜Ｃ１６，マイ
クロストリップライン１３，１４で構成されている。
幅器の回路図である。図中、２０はソースが接地された
ＦＥＴ、Ｃ１１，Ｃ１５は直流カットコンデンサ、Ｃ１
２，Ｃ１６はインピーダンス整合用コンデンサ、Ｃ１
３，Ｃ１４はバイパス用コンデンサ、１１〜１４はマイ
クロストリップライン、１５は入力側インピーダンス整
合回路で、コンデンサＣ１１〜Ｃ１３，マイクロストリ
ップライン１１，１２で構成され、１６は出力側インピ
ーダンス整合回路で、コンデンサＣ１４〜Ｃ１６，マイ
クロストリップライン１３，１４で構成されている。
【０００３】ＦＥＴ２０のゲートにはマイクロストリッ
プライン１２を介してゲート電圧ＶＧが印加されてお
り、ＦＥＴ２０のドレインにはマイクロストリップライ
ン１６を介してドレイン電圧ＶＤが印加されており、マ
イクロ波帯の入力信号は、入力側インピーダンス整合回
路１５を介してＦＥＴ２０のゲートに入力し、増幅され
ＦＥＴ２０のドレインより、出力側インピーダンス整合
回路１６を介して出力される。
プライン１２を介してゲート電圧ＶＧが印加されてお
り、ＦＥＴ２０のドレインにはマイクロストリップライ
ン１６を介してドレイン電圧ＶＤが印加されており、マ
イクロ波帯の入力信号は、入力側インピーダンス整合回
路１５を介してＦＥＴ２０のゲートに入力し、増幅され
ＦＥＴ２０のドレインより、出力側インピーダンス整合
回路１６を介して出力される。
【０００４】この場合利得を可変するのには、ゲート電
圧ＶＧ又はドレイン電圧ＶＤを変化させて行っている。
圧ＶＧ又はドレイン電圧ＶＤを変化させて行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ゲート
電圧ＶＧ又はドレイン電圧ＶＤを僅か変化すると利得が
急激に変化するので利得の調整が困難な問題点及び、利
得を可変すると使用周波数帯域幅が急激に変化する問題
点がある。
電圧ＶＧ又はドレイン電圧ＶＤを僅か変化すると利得が
急激に変化するので利得の調整が困難な問題点及び、利
得を可変すると使用周波数帯域幅が急激に変化する問題
点がある。
【０００６】本発明は、利得の調整が容易で且つ利得を
変化しても使用周波数帯域幅の変化が少ないマイクロ波
帯可変利得増幅器の提供を目的としている。
変化しても使用周波数帯域幅の変化が少ないマイクロ波
帯可変利得増幅器の提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理回路
図である。図１に示す如く、エミッタが接地されたトラ
ンジスタ２０のコレクタとベース間に、直流カット用コ
ンデンサＣ２０，Ｃ２１とダイオードＤと抵抗Ｒの直列
回路で且つ該ダイオードＤと該抵抗Ｒの接続点に可変出
来る電圧を印加した負帰還回路を設けた構成とする。
図である。図１に示す如く、エミッタが接地されたトラ
ンジスタ２０のコレクタとベース間に、直流カット用コ
ンデンサＣ２０，Ｃ２１とダイオードＤと抵抗Ｒの直列
回路で且つ該ダイオードＤと該抵抗Ｒの接続点に可変出
来る電圧を印加した負帰還回路を設けた構成とする。
【０００８】
【作用】本発明によれば、エミッタが接地されたトラン
ジスタ２０のコレクタとベース間に、直流カット用コン
デンサＣ２０，Ｃ２１とダイオードＤと抵抗Ｒの直列回
路で且つダイオードＤと抵抗Ｒの接続点に電圧ＶＲを印
加した負帰還回路を設け、電圧ＶＲを変化することでダ
イオードＤの容量を変化させて帰還量を変化し、トラン
ジスタ２０の利得を変化している。
ジスタ２０のコレクタとベース間に、直流カット用コン
デンサＣ２０，Ｃ２１とダイオードＤと抵抗Ｒの直列回
路で且つダイオードＤと抵抗Ｒの接続点に電圧ＶＲを印
加した負帰還回路を設け、電圧ＶＲを変化することでダ
イオードＤの容量を変化させて帰還量を変化し、トラン
ジスタ２０の利得を変化している。
【０００９】即ち、電圧ＶＲの変化にてダイオードＤの
容量が急激に変化しても、帰還量はそれ程急激に変化し
ないので、トランジスタ２０の利得の変化は緩やかで、
利得を可変するのが容易で、又負帰還量の変化で利得を
可変しているので、使用周波数帯域幅の変化は少なくな
る。
容量が急激に変化しても、帰還量はそれ程急激に変化し
ないので、トランジスタ２０の利得の変化は緩やかで、
利得を可変するのが容易で、又負帰還量の変化で利得を
可変しているので、使用周波数帯域幅の変化は少なくな
る。
【００１０】
【実施例】図２は本発明の実施例のマイクロ波帯可変利
得増幅器の回路図である。図中、２０はソースが接地さ
れたＦＥＴ、Ｃ１，Ｃ５，Ｃ２０，Ｃ２１は直流カット
用コンデンサ、Ｃ２，Ｃ６はインピーダンス整合用コン
デンサ、Ｃ３，Ｃ４はバイパス用コンデンサ、１〜４は
マイクロストリップライン、５は入力側インピーダンス
整合回路で、コンデンサＣ１〜Ｃ３，マイクロストリッ
プライン１，２で構成され、６は出力側インピーダンス
整合回路で、コンデンサＣ４〜Ｃ６，マイクロストリッ
プライン３，４で構成されている。
得増幅器の回路図である。図中、２０はソースが接地さ
れたＦＥＴ、Ｃ１，Ｃ５，Ｃ２０，Ｃ２１は直流カット
用コンデンサ、Ｃ２，Ｃ６はインピーダンス整合用コン
デンサ、Ｃ３，Ｃ４はバイパス用コンデンサ、１〜４は
マイクロストリップライン、５は入力側インピーダンス
整合回路で、コンデンサＣ１〜Ｃ３，マイクロストリッ
プライン１，２で構成され、６は出力側インピーダンス
整合回路で、コンデンサＣ４〜Ｃ６，マイクロストリッ
プライン３，４で構成されている。
【００１１】ＦＥＴ２０のゲートにはマイクロストリッ
プライン２を介してゲート電圧ＶＧが印加されており、
ＦＥＴ２０のドレインにはマイクロストリップライン６
を介してドレイン電圧ＶＤが印加されており、又ＦＥＴ
２０のドレインとゲート間は、直流カット用コンデンサ
Ｃ２０，Ｃ２１とバラクタダイオードＤと抵抗Ｒの直列
回路で且つバラクタダイオードＤと抵抗Ｒの接続点に可
変出来る電圧ＶＲを印加した負帰還回路で接続されてい
る。
プライン２を介してゲート電圧ＶＧが印加されており、
ＦＥＴ２０のドレインにはマイクロストリップライン６
を介してドレイン電圧ＶＤが印加されており、又ＦＥＴ
２０のドレインとゲート間は、直流カット用コンデンサ
Ｃ２０，Ｃ２１とバラクタダイオードＤと抵抗Ｒの直列
回路で且つバラクタダイオードＤと抵抗Ｒの接続点に可
変出来る電圧ＶＲを印加した負帰還回路で接続されてい
る。
【００１２】マイクロ波帯の入力信号は、入力側インピ
ーダンス整合回路５を介してＦＥＴ２０のゲートに入力
し、増幅されＦＥＴ２０のドレインより、出力側インピ
ーダンス整合回路６を介して出力されるが、バラクタダ
イオードＤへの印加電圧ＶＲの電圧を変化すると、バラ
クタダイオードＤの容量が変化し負帰還量も変化し利得
が変化する。
ーダンス整合回路５を介してＦＥＴ２０のゲートに入力
し、増幅されＦＥＴ２０のドレインより、出力側インピ
ーダンス整合回路６を介して出力されるが、バラクタダ
イオードＤへの印加電圧ＶＲの電圧を変化すると、バラ
クタダイオードＤの容量が変化し負帰還量も変化し利得
が変化する。
【００１３】この場合は、電圧ＶＲの変化にてバラクタ
ダイオードＤの容量が急激に変化しても、帰還量はそれ
程急激に変化しないので、トランジスタ２０の利得の変
化は緩やかで、利得を可変するのが容易で、又負帰還量
の変化で利得を可変しているので、使用周波数帯域幅の
変化は少なくなる。
ダイオードＤの容量が急激に変化しても、帰還量はそれ
程急激に変化しないので、トランジスタ２０の利得の変
化は緩やかで、利得を可変するのが容易で、又負帰還量
の変化で利得を可変しているので、使用周波数帯域幅の
変化は少なくなる。
【００１４】上記はダイオードＤとしては、バラクタダ
イオードを用いることで説明したが、これはＰＩＮダイ
オード，ＰＮダイオード（可変容量ダイオード）等を用
いても勿論同様の効果が得られる。
イオードを用いることで説明したが、これはＰＩＮダイ
オード，ＰＮダイオード（可変容量ダイオード）等を用
いても勿論同様の効果が得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上詳細に説明せる如く本発明によれ
ば、利得の調整が容易で且つ利得を変化しても使用周波
数帯域幅の変化が少ないマイクロ波帯可変利得増幅器が
得られる効果がある。
ば、利得の調整が容易で且つ利得を変化しても使用周波
数帯域幅の変化が少ないマイクロ波帯可変利得増幅器が
得られる効果がある。
【図１】は本発明の原理回路図、
【図２】は本発明の実施例のマイクロ波帯可変利得増幅
器の回路図、
器の回路図、
【図３】は従来例のマイクロ波帯可変利得増幅器の回路
図である。
図である。
１〜４，１１〜１５はマイクロストリップライン、５，
６，１５，１６はインピーダンス整合回路、２０はトラ
ンジスタ，ＦＥＴ、Ｃ１〜Ｃ６，Ｃ１１〜Ｃ１６，Ｃ２
０，Ｃ２１はコンデンサ、Ｄはダイオード，バラクタダ
イオード、Ｒは抵抗、ＶＲは可変電圧，ＶＧはゲート電
圧，ＶＤはドレイン電圧を示す。
６，１５，１６はインピーダンス整合回路、２０はトラ
ンジスタ，ＦＥＴ、Ｃ１〜Ｃ６，Ｃ１１〜Ｃ１６，Ｃ２
０，Ｃ２１はコンデンサ、Ｄはダイオード，バラクタダ
イオード、Ｒは抵抗、ＶＲは可変電圧，ＶＧはゲート電
圧，ＶＤはドレイン電圧を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植田 博和 北海道札幌市中央区北一条西２丁目１番地 富士通北海道ディジタル・テクノロジ株 式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 エミッタが接地されたトランジスタ（２
０）のコレクタとベース間に、直流カット用コンデンサ
（Ｃ２０，Ｃ２１）とダイオード（Ｄ）と抵抗（Ｒ）の
直列回路で且つ該ダイオード（Ｄ）と該抵抗（Ｒ）の接
続点に可変出来る電圧を印加した負帰還回路を設けたこ
とを特徴とするマイクロ波帯可変利得増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22151693A JPH0779123A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | マイクロ波帯可変利得増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22151693A JPH0779123A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | マイクロ波帯可変利得増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0779123A true JPH0779123A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16767944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22151693A Withdrawn JPH0779123A (ja) | 1993-09-07 | 1993-09-07 | マイクロ波帯可変利得増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0779123A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057745A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波可変利得増幅装置、制御装置、高周波可変利得周波数変換装置、および通信機器 |
| US6963246B2 (en) | 2003-06-25 | 2005-11-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Wideband amplifier |
| US7928815B2 (en) | 2007-03-20 | 2011-04-19 | Fujitsu Limited | Amplifier |
-
1993
- 1993-09-07 JP JP22151693A patent/JPH0779123A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6963246B2 (en) | 2003-06-25 | 2005-11-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Wideband amplifier |
| JP2005057745A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波可変利得増幅装置、制御装置、高周波可変利得周波数変換装置、および通信機器 |
| US7928815B2 (en) | 2007-03-20 | 2011-04-19 | Fujitsu Limited | Amplifier |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001107 |