JPH0779008A - 赤外線検出装置 - Google Patents
赤外線検出装置Info
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- JPH0779008A JPH0779008A JP5160947A JP16094793A JPH0779008A JP H0779008 A JPH0779008 A JP H0779008A JP 5160947 A JP5160947 A JP 5160947A JP 16094793 A JP16094793 A JP 16094793A JP H0779008 A JPH0779008 A JP H0779008A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 水銀・カドミウム・テルル（以下、HgCdTeと
略称する）結晶を用いる赤外線検出装置及びその製造方
法に関し、簡単且つ容易にダイオードの接合面積を均一
にし、クロストークを減少させることが可能となる赤外
線検出装置及びその製造方法の提供を目的とする。 【構成】 CdZnTe基板１の表面にｎ型HgCdTe層３を形成
し、このHgCdTe層３の表面に、よりカドミウムの組成が
高いノンドープのワイドギャップのHgCdTe層４を形成
し、このHgCdTe層４の表面の所定の領域にマスク層を用
いてｐ型領域６を選択的に形成し、このｐ型領域６とこ
のHgCdTe層４の表面に低固定電荷膜７を形成したプレー
ナ型ヘテロダイオードアレイにおいて、このｐ型領域６
の間に、壁面にｎ+HgCdTe層8aを備えた分離溝８が形成
されているように構成する。
略称する）結晶を用いる赤外線検出装置及びその製造方
法に関し、簡単且つ容易にダイオードの接合面積を均一
にし、クロストークを減少させることが可能となる赤外
線検出装置及びその製造方法の提供を目的とする。 【構成】 CdZnTe基板１の表面にｎ型HgCdTe層３を形成
し、このHgCdTe層３の表面に、よりカドミウムの組成が
高いノンドープのワイドギャップのHgCdTe層４を形成
し、このHgCdTe層４の表面の所定の領域にマスク層を用
いてｐ型領域６を選択的に形成し、このｐ型領域６とこ
のHgCdTe層４の表面に低固定電荷膜７を形成したプレー
ナ型ヘテロダイオードアレイにおいて、このｐ型領域６
の間に、壁面にｎ+HgCdTe層8aを備えた分離溝８が形成
されているように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水銀・カドミウム・テ
ルル（以下、HgCdTeと略称する）結晶を用いる赤外線検
出装置及びその製造方法に関するものである。
ルル（以下、HgCdTeと略称する）結晶を用いる赤外線検
出装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】HgCdTe結晶を用いるメサ型ヘテロダイオー
ドアレイの赤外線検出装置においてはｐｎ接合部に低固
定電荷層を設けなければならず、一方、プレーナ型ヘテ
ロダイオードの赤外線検出装置においては分離が不十分
なためにクロストークが問題になっている。
ドアレイの赤外線検出装置においてはｐｎ接合部に低固
定電荷層を設けなければならず、一方、プレーナ型ヘテ
ロダイオードの赤外線検出装置においては分離が不十分
なためにクロストークが問題になっている。
【０００３】以上のような状況から、上記の問題を解決
することが可能な赤外線検出装置が要望されている。
することが可能な赤外線検出装置が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来の赤外線検出装置について図９〜図
１０により詳細に説明する。図９は従来のメサ型ヘテロ
ダイオードアレイの赤外線検出装置を示す図、図１０は
従来のプレーナ型ヘテロダイオードアレイの赤外線検出
装置を示す図である。
１０により詳細に説明する。図９は従来のメサ型ヘテロ
ダイオードアレイの赤外線検出装置を示す図、図１０は
従来のプレーナ型ヘテロダイオードアレイの赤外線検出
装置を示す図である。
【０００５】従来のメサ型ヘテロダイオードの赤外線検
出装置は図９に示すように、CdZnTe基板21の表面にナロ
ーギャップのｎ型HgCdTe層23を液相エピタキシャル法に
より形成し、このｎ型HgCdTe層23の全面にワイドギャッ
プのｐ型HgCdTe層24を形成し、赤外線検出装置として用
いる領域の間に分離溝28を形成し、この分離溝28の壁面
のｐｎ接合部の表面に低固定電荷膜27を形成し、このｐ
型HgCdTe層24の表面と分離溝28内に延在する絶縁膜29を
形成し、赤外線検出装置として用いる領域の表面の絶縁
膜29に開口窓29a を設け、電極30をこの開口窓29a 内に
形成したものである。
出装置は図９に示すように、CdZnTe基板21の表面にナロ
ーギャップのｎ型HgCdTe層23を液相エピタキシャル法に
より形成し、このｎ型HgCdTe層23の全面にワイドギャッ
プのｐ型HgCdTe層24を形成し、赤外線検出装置として用
いる領域の間に分離溝28を形成し、この分離溝28の壁面
のｐｎ接合部の表面に低固定電荷膜27を形成し、このｐ
型HgCdTe層24の表面と分離溝28内に延在する絶縁膜29を
形成し、赤外線検出装置として用いる領域の表面の絶縁
膜29に開口窓29a を設け、電極30をこの開口窓29a 内に
形成したものである。
【０００６】従来のプレーナ型ヘテロダイオードの赤外
線検出装置は図１０に示すように、CdZnTe基板31の表面
にナローギャップのｎ型HgCdTe層33を形成し、このｎ型
HgCdTe層33の表面に形成したHgCdTe層34の表面の所定の
領域に硫化亜鉛（ZnＳ）からなるマスク層を用いてワイ
ドギャップのｐ型領域36を選択的に形成し、このHgCdTe
層34及びｐ型領域36のｐｎ接合部の表面に低固定電荷膜
37を形成し、その表面に形成した絶縁膜39のｐ型領域36
の表面に開口窓39a を設け、電極40をこの開口窓39a 内
に形成したものである。
線検出装置は図１０に示すように、CdZnTe基板31の表面
にナローギャップのｎ型HgCdTe層33を形成し、このｎ型
HgCdTe層33の表面に形成したHgCdTe層34の表面の所定の
領域に硫化亜鉛（ZnＳ）からなるマスク層を用いてワイ
ドギャップのｐ型領域36を選択的に形成し、このHgCdTe
層34及びｐ型領域36のｐｎ接合部の表面に低固定電荷膜
37を形成し、その表面に形成した絶縁膜39のｐ型領域36
の表面に開口窓39a を設け、電極40をこの開口窓39a 内
に形成したものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来のメ
サ型ヘテロダイオードアレイの赤外線検出装置において
は、分離溝の壁面のｐｎ接合部における漏れ電流を防止
するために低固定電荷膜を形成しなければならず、分離
溝を形成するのに制御性の良いドライエッチングを用い
ると、ドライエッチングのダメージによって分離溝の壁
面にｎ+HgCdTe層が形成され、このｎ+HgCdTe層を除去す
るために制御性の悪いウエットエッチングを併用するこ
とが必要になり、このウエットエッチングによる分離溝
の形成により、ダイオードの接合面積が不均一になると
いう問題点がある。また、プレーナ型ヘテロダイオード
アレイの赤外線検出装置においては、隣接するダイオー
ドの間の分離が不十分なためにクロストークが大きくな
るという問題点があった。
サ型ヘテロダイオードアレイの赤外線検出装置において
は、分離溝の壁面のｐｎ接合部における漏れ電流を防止
するために低固定電荷膜を形成しなければならず、分離
溝を形成するのに制御性の良いドライエッチングを用い
ると、ドライエッチングのダメージによって分離溝の壁
面にｎ+HgCdTe層が形成され、このｎ+HgCdTe層を除去す
るために制御性の悪いウエットエッチングを併用するこ
とが必要になり、このウエットエッチングによる分離溝
の形成により、ダイオードの接合面積が不均一になると
いう問題点がある。また、プレーナ型ヘテロダイオード
アレイの赤外線検出装置においては、隣接するダイオー
ドの間の分離が不十分なためにクロストークが大きくな
るという問題点があった。
【０００８】本発明は以上のような状況から、簡単且つ
容易にダイオードの接合面積を均一にし、クロストーク
を減少させることが可能となる赤外線検出装置の提供を
目的としたものである。
容易にダイオードの接合面積を均一にし、クロストーク
を減少させることが可能となる赤外線検出装置の提供を
目的としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の赤外線検出装置
は、CdZnTe基板の表面にｎ型HgCdTe層を形成し、このHg
CdTe層の表面に、よりカドミウムの組成が高いノンドー
プのワイドギャップのHgCdTe層を形成し、このHgCdTe層
の表面の所定の領域にｐ型領域を選択的に形成し、この
ｐ型領域とこのHgCdTe層の表面に低固定電荷膜を形成し
たプレーナ型ヘテロダイオードアレイにおいて、このｐ
型領域の間に、壁面にｎ+HgCdTe層を備えた分離溝を形
成するように構成する。また、CdZnTe基板の表面にこの
HgCdTe基板よりもｎ型の濃度の高いｎ+HgCdTe層とｎ型H
gCdTe層を積層して形成し、このｎ型HgCdTe層の表面
に、よりカドミウムの組成が高いノンドープのワイドギ
ャップのHgCdTe層を形成し、このHgCdTe層の表面の所定
の領域にｐ型領域を選択的に形成し、このｐ型領域とこ
のHgCdTe層の表面に低固定電荷膜を形成したプレーナ型
ヘテロダイオードアレイにおいて、このｐ型領域の間に
このｎ+HgCdTe層に到達する分離溝を形成するように構
成する。
は、CdZnTe基板の表面にｎ型HgCdTe層を形成し、このHg
CdTe層の表面に、よりカドミウムの組成が高いノンドー
プのワイドギャップのHgCdTe層を形成し、このHgCdTe層
の表面の所定の領域にｐ型領域を選択的に形成し、この
ｐ型領域とこのHgCdTe層の表面に低固定電荷膜を形成し
たプレーナ型ヘテロダイオードアレイにおいて、このｐ
型領域の間に、壁面にｎ+HgCdTe層を備えた分離溝を形
成するように構成する。また、CdZnTe基板の表面にこの
HgCdTe基板よりもｎ型の濃度の高いｎ+HgCdTe層とｎ型H
gCdTe層を積層して形成し、このｎ型HgCdTe層の表面
に、よりカドミウムの組成が高いノンドープのワイドギ
ャップのHgCdTe層を形成し、このHgCdTe層の表面の所定
の領域にｐ型領域を選択的に形成し、このｐ型領域とこ
のHgCdTe層の表面に低固定電荷膜を形成したプレーナ型
ヘテロダイオードアレイにおいて、このｐ型領域の間に
このｎ+HgCdTe層に到達する分離溝を形成するように構
成する。
【００１０】
【作用】即ち本発明においては、CdZnTe基板の表面にｎ
型HgCdTe層を形成し、このｎ型HgCdTe層よりもカドミウ
ムの組成が高いノンドープのワイドギャップのHgCdTe層
を形成し、このHgCdTe層の表面の所定の領域にマスク層
を用いてｐ型領域を選択的に形成し、このｐ型領域とこ
のHgCdTe層の表面に低固定電荷膜を形成する赤外線検出
装置の製造方法において、このｐ型領域の間に、制御性
の良いドライエッチングにより分離溝を形成すると、壁
面にｎ+HgCdTe層が形成されるのでダイオード間のキャ
リアの移動を防止することが可能となる。また、CdZnTe
基板の表面にｎ型の濃度の高いｎ+HgCdTe層とｎ型HgCdT
e層を積層して形成し、このｎ型HgCdTe層の表面にノン
ドープのワイドギャップのHgCdTe層を形成し、このHgCd
Te層の表面の所定の領域にマスク層を用いてｐ型領域を
選択的に形成し、このｐ型領域とこのHgCdTe層の表面に
低固定電荷膜を形成する上記の赤外線検出装置の製造方
法において、このｐ型領域の間にこのｎ+HgCdTe層に到
達する分離溝を形成するから、分離溝の底部の壁面にｎ
+HgCdTe層が形成されているのでダイオード間のキャリ
アの移動を防止することが可能となる。
型HgCdTe層を形成し、このｎ型HgCdTe層よりもカドミウ
ムの組成が高いノンドープのワイドギャップのHgCdTe層
を形成し、このHgCdTe層の表面の所定の領域にマスク層
を用いてｐ型領域を選択的に形成し、このｐ型領域とこ
のHgCdTe層の表面に低固定電荷膜を形成する赤外線検出
装置の製造方法において、このｐ型領域の間に、制御性
の良いドライエッチングにより分離溝を形成すると、壁
面にｎ+HgCdTe層が形成されるのでダイオード間のキャ
リアの移動を防止することが可能となる。また、CdZnTe
基板の表面にｎ型の濃度の高いｎ+HgCdTe層とｎ型HgCdT
e層を積層して形成し、このｎ型HgCdTe層の表面にノン
ドープのワイドギャップのHgCdTe層を形成し、このHgCd
Te層の表面の所定の領域にマスク層を用いてｐ型領域を
選択的に形成し、このｐ型領域とこのHgCdTe層の表面に
低固定電荷膜を形成する上記の赤外線検出装置の製造方
法において、このｐ型領域の間にこのｎ+HgCdTe層に到
達する分離溝を形成するから、分離溝の底部の壁面にｎ
+HgCdTe層が形成されているのでダイオード間のキャリ
アの移動を防止することが可能となる。
【００１１】
【実施例】以下図１〜図８により本発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。図１は本発明による第１の実施例
の赤外線検出装置を示す図、図２は本発明による第２の
実施例の赤外線検出装置を示す図、図３〜図５は本発明
による第１の実施例の赤外線検出装置の製造方法を工程
順に示す図、図６〜図８は本発明による第２の実施例の
赤外線検出装置の製造方法を工程順に示す図である。
いて詳細に説明する。図１は本発明による第１の実施例
の赤外線検出装置を示す図、図２は本発明による第２の
実施例の赤外線検出装置を示す図、図３〜図５は本発明
による第１の実施例の赤外線検出装置の製造方法を工程
順に示す図、図６〜図８は本発明による第２の実施例の
赤外線検出装置の製造方法を工程順に示す図である。
【００１２】本発明による第１の実施例の赤外線検出装
置は図１に示すようなCdZnTe基板１の表面に、X の値が
0.215 のHg1-XCdXTeからなるナローギャップのｎ型HgCd
Te層３を形成し、このHgCdTe層３の表面に、よりカドミ
ウムの組成が高いX の値が0.28のノンドープのワイドギ
ャップのHgCdTe層４を形成し、このHgCdTe層４の表面の
所定の領域に砒素を透過しないZnＳからなるマスク層を
用いて砒素の拡散によりｐ型領域６を選択的に形成し、
このｐ型領域６とこのHgCdTe層４の表面にCdTeからなる
低固定電荷膜７を形成したプレーナ型ヘテロダイオード
において、このｐ型領域６の間に、壁面にｎ+HgCdTe層8
aを備えた分離溝８を形成し、更に絶縁膜９をこの分離
溝８内及び表面の低固定電荷膜７の表面に形成し、CdTe
からなる絶縁膜９と低固定電荷膜７に開口窓9aを形成
し、この開口窓9a内にｐ型領域６に接続されている電極
10を形成したものである。
置は図１に示すようなCdZnTe基板１の表面に、X の値が
0.215 のHg1-XCdXTeからなるナローギャップのｎ型HgCd
Te層３を形成し、このHgCdTe層３の表面に、よりカドミ
ウムの組成が高いX の値が0.28のノンドープのワイドギ
ャップのHgCdTe層４を形成し、このHgCdTe層４の表面の
所定の領域に砒素を透過しないZnＳからなるマスク層を
用いて砒素の拡散によりｐ型領域６を選択的に形成し、
このｐ型領域６とこのHgCdTe層４の表面にCdTeからなる
低固定電荷膜７を形成したプレーナ型ヘテロダイオード
において、このｐ型領域６の間に、壁面にｎ+HgCdTe層8
aを備えた分離溝８を形成し、更に絶縁膜９をこの分離
溝８内及び表面の低固定電荷膜７の表面に形成し、CdTe
からなる絶縁膜９と低固定電荷膜７に開口窓9aを形成
し、この開口窓9a内にｐ型領域６に接続されている電極
10を形成したものである。
【００１３】本発明による第２の実施例の赤外線検出装
置は、図２に示すようなCdZnTe基板11の表面にｎ+HgCdT
e層12を形成し、以下第１の実施例と同様に、ナローギ
ャップのｎ型HgCdTe層13を形成し、このHgCdTe層13の表
面によりカドミウムの組成が高いノンドープのワイドギ
ャップのHgCdTe層14を形成し、このHgCdTe層14の表面の
所定の領域にマスク層を用いてｐ型領域16を選択的に形
成し、このｐ型領域16とこのHgCdTe層14の表面に低固定
電荷膜17を形成したプレーナ型ヘテロダイオードにおい
て、このｐ型領域16の間に分離溝18を形成し、更に絶縁
膜19をこの分離溝18内及び表面の低固定電荷膜17の表面
に形成し、絶縁膜19と低固定電荷膜17に開口窓19a を形
成し、この開口窓19a 内にｐ型領域16に接続されている
電極20を形成したものである。
置は、図２に示すようなCdZnTe基板11の表面にｎ+HgCdT
e層12を形成し、以下第１の実施例と同様に、ナローギ
ャップのｎ型HgCdTe層13を形成し、このHgCdTe層13の表
面によりカドミウムの組成が高いノンドープのワイドギ
ャップのHgCdTe層14を形成し、このHgCdTe層14の表面の
所定の領域にマスク層を用いてｐ型領域16を選択的に形
成し、このｐ型領域16とこのHgCdTe層14の表面に低固定
電荷膜17を形成したプレーナ型ヘテロダイオードにおい
て、このｐ型領域16の間に分離溝18を形成し、更に絶縁
膜19をこの分離溝18内及び表面の低固定電荷膜17の表面
に形成し、絶縁膜19と低固定電荷膜17に開口窓19a を形
成し、この開口窓19a 内にｐ型領域16に接続されている
電極20を形成したものである。
【００１４】このような本発明による第１の実施例の赤
外線検出装置を製造するには、まず図３(a) に示すよう
にCdZnTe基板１の表面にｎ型HgCdTe層３とHgCdTe層４を
積層して形成し、つぎに図３(b) に示すようにHgCdTe層
４の表面にZnＳ層５を形成し、HgCdTe層４のｐ型領域を
形成しようとする領域に開口窓5aを形成する。
外線検出装置を製造するには、まず図３(a) に示すよう
にCdZnTe基板１の表面にｎ型HgCdTe層３とHgCdTe層４を
積層して形成し、つぎに図３(b) に示すようにHgCdTe層
４の表面にZnＳ層５を形成し、HgCdTe層４のｐ型領域を
形成しようとする領域に開口窓5aを形成する。
【００１５】ついで砒素の拡散により図３(c) に示すよ
うにHgCdTe層４にｐ型領域６を選択的に形成し、図４
(a) に示すようにHgCdTe層４とｐ型領域６の表面にCdTe
からなる低固定電荷膜７を形成した後、ドライエッチン
グによりｐ型領域６の間に分離溝８を形成すると、図４
(b) に示すようにドライエッチングによるダメージのた
めにｎ+HgCdTe層8aが分離溝８の壁面に形成される。
うにHgCdTe層４にｐ型領域６を選択的に形成し、図４
(a) に示すようにHgCdTe層４とｐ型領域６の表面にCdTe
からなる低固定電荷膜７を形成した後、ドライエッチン
グによりｐ型領域６の間に分離溝８を形成すると、図４
(b) に示すようにドライエッチングによるダメージのた
めにｎ+HgCdTe層8aが分離溝８の壁面に形成される。
【００１６】ここで図４(c) に示すようにこの低固定電
荷膜７の表面及び分離溝８の壁面にCdTeからなる絶縁膜
９を形成し、図５(a) に示すように絶縁膜９と低固定電
荷膜７に開口窓9aを形成し、最後に図５(b) に示すよう
にこの開口窓9a内にｐ型領域６に接続される電極10を形
成する。
荷膜７の表面及び分離溝８の壁面にCdTeからなる絶縁膜
９を形成し、図５(a) に示すように絶縁膜９と低固定電
荷膜７に開口窓9aを形成し、最後に図５(b) に示すよう
にこの開口窓9a内にｐ型領域６に接続される電極10を形
成する。
【００１７】このような本発明による第２の実施例の赤
外線検出装置を製造するには、まず図６(a) に示すよう
にCdZnTe基板11の表面にｎ+HgCdTe層12を形成した後、
以下第１の実施例の製造方法と同様に、ｎ型HgCdTe層13
とHgCdTe層14を積層して形成し、つぎに図６(b) に示す
ようにHgCdTe層14の表面にZnＳ層15を形成し、HgCdTe層
14のｐ型領域を形成しようとする領域に開口窓15a を形
成する。
外線検出装置を製造するには、まず図６(a) に示すよう
にCdZnTe基板11の表面にｎ+HgCdTe層12を形成した後、
以下第１の実施例の製造方法と同様に、ｎ型HgCdTe層13
とHgCdTe層14を積層して形成し、つぎに図６(b) に示す
ようにHgCdTe層14の表面にZnＳ層15を形成し、HgCdTe層
14のｐ型領域を形成しようとする領域に開口窓15a を形
成する。
【００１８】ついで砒素の拡散により図６(c) に示すよ
うにHgCdTe層14にｐ型領域16を選択的に形成し、図７
(a) に示すようにHgCdTe層14とｐ型領域16の表面にCdTe
からなる低固定電荷膜17を形成した後、ブロム−メタノ
ールによるウエットエッチングにより図７(b) に示すよ
うに分離溝18をｐ型領域16の間に形成する。
うにHgCdTe層14にｐ型領域16を選択的に形成し、図７
(a) に示すようにHgCdTe層14とｐ型領域16の表面にCdTe
からなる低固定電荷膜17を形成した後、ブロム−メタノ
ールによるウエットエッチングにより図７(b) に示すよ
うに分離溝18をｐ型領域16の間に形成する。
【００１９】ここで図７(c) に示すようにこの低固定電
荷膜17の表面及び分離溝18の壁面にCdTeからなる絶縁膜
19を形成し、図８(a) に示すように絶縁膜19と低固定電
荷膜17に開口窓19a を形成し、最後に図８(b) に示すよ
うにこの開口窓19a 内にｐ型領域16に接続される電極20
を形成する。
荷膜17の表面及び分離溝18の壁面にCdTeからなる絶縁膜
19を形成し、図８(a) に示すように絶縁膜19と低固定電
荷膜17に開口窓19a を形成し、最後に図８(b) に示すよ
うにこの開口窓19a 内にｐ型領域16に接続される電極20
を形成する。
【００２０】このように分離溝８をドライエッチングに
より形成する第１の赤外線検出装置の製造方法において
は、分離溝８の壁面にｎ+HgCdTe層8aが形成され、その
後ウエットエッチングによる処理を行わないので、ダイ
オードの寸法を正確に形成することが可能となる。ま
た、ウエットエッチングにより形成する第２の赤外線検
出装置の製造方法においては、予めCdZnTe基板11の表面
にｎ+HgCdTe層12を形成しておき、分離溝18をこのｎ+Hg
CdTe層12まで到達するように形成するから、いずれの製
造方法においても分離溝８の壁面或いは分離溝18の底部
の壁面にｎ+HgCdTe層が形成されているので、ダイオー
ド間のクロストークを減少させることが可能となる。
より形成する第１の赤外線検出装置の製造方法において
は、分離溝８の壁面にｎ+HgCdTe層8aが形成され、その
後ウエットエッチングによる処理を行わないので、ダイ
オードの寸法を正確に形成することが可能となる。ま
た、ウエットエッチングにより形成する第２の赤外線検
出装置の製造方法においては、予めCdZnTe基板11の表面
にｎ+HgCdTe層12を形成しておき、分離溝18をこのｎ+Hg
CdTe層12まで到達するように形成するから、いずれの製
造方法においても分離溝８の壁面或いは分離溝18の底部
の壁面にｎ+HgCdTe層が形成されているので、ダイオー
ド間のクロストークを減少させることが可能となる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な製造方法の改良により、分離溝内
に低固定電荷膜を形成することなく、ダイオードの寸法
が正確で、かつダイオード間のクロストークを減少させ
た赤外線検出装置を製造することが可能となる利点があ
り、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる
赤外線検出装置及びその製造方法の提供が可能である。
によれば極めて簡単な製造方法の改良により、分離溝内
に低固定電荷膜を形成することなく、ダイオードの寸法
が正確で、かつダイオード間のクロストークを減少させ
た赤外線検出装置を製造することが可能となる利点があ
り、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる
赤外線検出装置及びその製造方法の提供が可能である。
【図１】 本発明による第１の実施例の赤外線検出装置
を示す図
を示す図
【図２】 本発明による第２の実施例の赤外線検出装置
を示す図
を示す図
【図３】 本発明による第１の実施例の赤外線検出装置
の製造方法を工程順に示す図(1)
の製造方法を工程順に示す図(1)
【図４】 本発明による第１の実施例の赤外線検出装置
の製造方法を工程順に示す図(2)
の製造方法を工程順に示す図(2)
【図５】 本発明による第１の実施例の赤外線検出装置
の製造方法を工程順に示す図(3)
の製造方法を工程順に示す図(3)
【図６】 本発明による第２の実施例の赤外線検出装置
の製造方法を工程順に示す図(1)
の製造方法を工程順に示す図(1)
【図７】 本発明による第２の実施例の赤外線検出装置
の製造方法を工程順に示す図(2)
の製造方法を工程順に示す図(2)
【図８】 本発明による第２の実施例の赤外線検出装置
の製造方法を工程順に示す図(3)
の製造方法を工程順に示す図(3)
【図９】 従来のメサ型ヘテロダイオードアレイの赤外
線検出装置を示す図
線検出装置を示す図
【図１０】従来のプレーナ型ヘテロダイオードアレイの
赤外線検出装置を示す図
赤外線検出装置を示す図
1,11 CdZnTe基板 12 ｎ+HgCdTe層 3,13 ｎ型HgCdTe層 4,14 HgCdTe層 5,15 ZnＳ層 6,16 ｐ型領域 7,17 低固定電荷膜 8,18 分離溝 8a ｎ+HgCdTe層 9,19 絶縁膜 9a,19a 開口窓 10,20 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 CdZnTe基板(1) の表面にｎ型HgCdTe層
(3) を形成し、該HgCdTe層(3) の表面に、よりカドミウ
ムの組成が高いノンドープのワイドギャップのHgCdTe層
(4) を形成し、該HgCdTe層(4) の表面の所定の領域にｐ
型領域(6) を選択的に形成し、該ｐ型領域(6) と前記Hg
CdTe層(4) の表面に低固定電荷膜(7) を形成したプレー
ナ型ヘテロダイオードアレイにおいて、 前記ｐ型領域(6) の間に、壁面にｎ+HgCdTe層(8a)を備
えた分離溝(8) が形成されていることを特徴とする赤外
線検出装置。 - 【請求項２】 CdZnTe基板(11)の表面にｎ型の濃度の高
いｎ+HgCdTe層(12)とｎ型HgCdTe層(13)を積層して形成
し、該ｎ型HgCdTe層(13)の表面に、よりカドミウムの組
成が高いノンドープのワイドギャップのHgCdTe層(14)を
形成し、該HgCdTe層(14)の表面の所定の領域にｐ型領域
(16)を選択的に形成し、該ｐ型領域(16)と前記HgCdTe層
(14)の表面に低固定電荷膜(17)を形成したプレーナ型ヘ
テロダイオードアレイにおいて、 前記ｐ型領域(16)の間に前記ｎ+HgCdTe層(12)に到達す
る分離溝(18)が形成されていることを特徴とする赤外線
検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160947A JPH0779008A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 赤外線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5160947A JPH0779008A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 赤外線検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0779008A true JPH0779008A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=15725656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5160947A Withdrawn JPH0779008A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 赤外線検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0779008A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030056678A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 케이이씨 | 광전류형 반도체 감지소자 및 그의 제조방법 |
| US8039808B2 (en) | 2005-09-15 | 2011-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Performance solid state detectors |
| JP2015504607A (ja) * | 2011-11-28 | 2015-02-12 | コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | Ｈｇｃｄｔｅ上に自己配置された、制御されたヘテロ構造を有する赤外線撮像器用ｐ−ｎダイオード |
| CN114141904A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-03-04 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 碲镉汞平面异质结探测器及制备方法 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5160947A patent/JPH0779008A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030056678A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 케이이씨 | 광전류형 반도체 감지소자 및 그의 제조방법 |
| US8039808B2 (en) | 2005-09-15 | 2011-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Performance solid state detectors |
| JP2015504607A (ja) * | 2011-11-28 | 2015-02-12 | コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔａ Ｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓ Ａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | Ｈｇｃｄｔｅ上に自己配置された、制御されたヘテロ構造を有する赤外線撮像器用ｐ−ｎダイオード |
| CN114141904A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-03-04 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 碲镉汞平面异质结探测器及制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |