JPH077650B2 - 酸素ガス導入装置 - Google Patents
酸素ガス導入装置Info
- Publication number
- JPH077650B2 JPH077650B2 JP60214716A JP21471685A JPH077650B2 JP H077650 B2 JPH077650 B2 JP H077650B2 JP 60214716 A JP60214716 A JP 60214716A JP 21471685 A JP21471685 A JP 21471685A JP H077650 B2 JPH077650 B2 JP H077650B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxygen gas
- cylinder
- silver
- vacuum
- oxygen
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/073—Electron guns using field emission, photo emission, or secondary emission electron sources
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/02—Feed or outlet devices therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は真空容器内への酸素ガス導入装置に係り、特
に、微少な酸素分圧を必要とする熱電界放射陰極をもつ
電子銃を電子線源とする電子線装置、例えば電子顕微
鏡、電子線描画装置など、の真空鏡体内に酸素ガスを導
入するのに好適な酸素ガス導入装置に関する。
に、微少な酸素分圧を必要とする熱電界放射陰極をもつ
電子銃を電子線源とする電子線装置、例えば電子顕微
鏡、電子線描画装置など、の真空鏡体内に酸素ガスを導
入するのに好適な酸素ガス導入装置に関する。
真空中へ酸素ガスを導入する方法として、ガスボンベを
用いることなく行うには、大気又は酸素雰囲気と真空と
を仕切る部分において、銀の薄板又は肉厚の薄い銀製円
筒を加熱することによって真空中に酸素ガスを導入でき
ることが知られている。
用いることなく行うには、大気又は酸素雰囲気と真空と
を仕切る部分において、銀の薄板又は肉厚の薄い銀製円
筒を加熱することによって真空中に酸素ガスを導入でき
ることが知られている。
一方、走査型電子顕微鏡、電子線描画装置などの電子線
応用装置では、収束ビームの微細化、大電流化などのた
め電子線源の高輝度化を図り熱電界放射型電子銃を使用
しなければならなくなった。特に、大電流を引き出すこ
とができ電流安定性のすぐれたチタン（Ti），ジルコニ
ゥム（Zr），ハフニゥム（Hf）のうちの少なくとも一つ
の金属を軸方位＜100＞からなるタングステンもしくは
モリブデンの単結晶の尖針表面に酸素を介して単原子層
程度に吸着させた構造の熱電界放射陰極（特開昭56−61
733号参照）からなる電子銃を用いるとき、微少の酸素
ガス分圧を必要とすることが多い。このような場合、前
記した銀の薄板又は銀製円筒による酸素ガス導入方式を
用いると、形状が大きくかつ微少量を流入させるための
調節バルブを必要とする酸素ガスボンベを用いることな
く、容易に酸素ガスを導入できる。
応用装置では、収束ビームの微細化、大電流化などのた
め電子線源の高輝度化を図り熱電界放射型電子銃を使用
しなければならなくなった。特に、大電流を引き出すこ
とができ電流安定性のすぐれたチタン（Ti），ジルコニ
ゥム（Zr），ハフニゥム（Hf）のうちの少なくとも一つ
の金属を軸方位＜100＞からなるタングステンもしくは
モリブデンの単結晶の尖針表面に酸素を介して単原子層
程度に吸着させた構造の熱電界放射陰極（特開昭56−61
733号参照）からなる電子銃を用いるとき、微少の酸素
ガス分圧を必要とすることが多い。このような場合、前
記した銀の薄板又は銀製円筒による酸素ガス導入方式を
用いると、形状が大きくかつ微少量を流入させるための
調節バルブを必要とする酸素ガスボンベを用いることな
く、容易に酸素ガスを導入できる。
従来、銀製円筒を用いた酸素ガス導入装置は、特開昭50
−103968号に記載されているように行われていた。すな
わち、第２図に断面図を示すように真空鏡体壁５に対し
て大気側に張り出した銀製円筒１の外周に配置した電熱
線２に通電して加熱し、銀製円筒１とカバー４の間に存
在する大気３もしくは大気圧に近い酸素雰囲気の酸素ガ
スを真空中に導入する構造となっている。
−103968号に記載されているように行われていた。すな
わち、第２図に断面図を示すように真空鏡体壁５に対し
て大気側に張り出した銀製円筒１の外周に配置した電熱
線２に通電して加熱し、銀製円筒１とカバー４の間に存
在する大気３もしくは大気圧に近い酸素雰囲気の酸素ガ
スを真空中に導入する構造となっている。
しかし、この構造においては、（イ）電熱線への通電に
よる加熱電力が大きい、（ロ）酸素導入効率が悪い、等
の問題があり、そのため（ハ）酸素導入量を大きくしよ
うとするとさらに電熱線の加熱電力が増大することから
銀製円筒１が局所的に融ける等の事故が起こりやすいと
いう問題が生じる。
よる加熱電力が大きい、（ロ）酸素導入効率が悪い、等
の問題があり、そのため（ハ）酸素導入量を大きくしよ
うとするとさらに電熱線の加熱電力が増大することから
銀製円筒１が局所的に融ける等の事故が起こりやすいと
いう問題が生じる。
電界放射型電子銃質の近傍に設ける酸素ガス導入装置と
しては、上記（イ）は、電子銃に電磁誘導の障害を与え
る、（ロ）は、必要な酸素ガス分圧の制御を困難にす
る、（ハ）は、陰極を放電で破壊に至らしめる、など実
用上の問題点となる点が多く、それらに対する配慮が不
足していた。
しては、上記（イ）は、電子銃に電磁誘導の障害を与え
る、（ロ）は、必要な酸素ガス分圧の制御を困難にす
る、（ハ）は、陰極を放電で破壊に至らしめる、など実
用上の問題点となる点が多く、それらに対する配慮が不
足していた。
本発明の目的は、従来技術での前記した問題点を克服
し、電熱線への加熱電力を小電力とすることができ、酸
素導入効率の良い、酸素ガス導入装置を提供することに
ある。
し、電熱線への加熱電力を小電力とすることができ、酸
素導入効率の良い、酸素ガス導入装置を提供することに
ある。
本発明では、上記目的を達成するために、酸素ガスを必
要とする真空容器内に酸素ガスを導入する装置におい
て、真空容器の側壁に外部大気側から真空容器内に突出
させて設けられた先端が閉じている銀製円筒と、該銀製
円筒の大気に通じている内部に電気的に絶縁されて挿入
配置された電熱体を設けた構成の酸素ガス導入装置とす
る。
要とする真空容器内に酸素ガスを導入する装置におい
て、真空容器の側壁に外部大気側から真空容器内に突出
させて設けられた先端が閉じている銀製円筒と、該銀製
円筒の大気に通じている内部に電気的に絶縁されて挿入
配置された電熱体を設けた構成の酸素ガス導入装置とす
る。
実施例説明に入る前に、本発明の考え方を第３図，第４
図を用いて説明する。まず、電熱線２に供給する加熱電
力を小さくするということは、如何に効率良く銀製円筒
１を加熱できるか、であり本質的な問題としては、加熱
する時の熱損失を如何に小さくするかということであ
る。第２図のように電熱線２を、銀製円筒１に接触させ
ないで、その周囲に配置する構造では、銀製円筒１への
加熱は電熱線２からの放射熱によるものだけであるから
電熱線２の温度を高くしなければならず、非常に効率が
悪い。熱損失としては、電熱線自身の熱伝導損失Qc1，
電熱線２から銀製円筒１以外への熱放射損失Qeおよび銀
製円筒１から真空鏡体壁との接合部を通して逃げる熱伝
導損失Qc2がある。これらのそれぞれを小さくすること
が小電力化を果すために必要である。
図を用いて説明する。まず、電熱線２に供給する加熱電
力を小さくするということは、如何に効率良く銀製円筒
１を加熱できるか、であり本質的な問題としては、加熱
する時の熱損失を如何に小さくするかということであ
る。第２図のように電熱線２を、銀製円筒１に接触させ
ないで、その周囲に配置する構造では、銀製円筒１への
加熱は電熱線２からの放射熱によるものだけであるから
電熱線２の温度を高くしなければならず、非常に効率が
悪い。熱損失としては、電熱線自身の熱伝導損失Qc1，
電熱線２から銀製円筒１以外への熱放射損失Qeおよび銀
製円筒１から真空鏡体壁との接合部を通して逃げる熱伝
導損失Qc2がある。これらのそれぞれを小さくすること
が小電力化を果すために必要である。
電熱線２での熱損失（Qc1,Qe）が全くなく、加熱効率が
100％であるならば、理想的な必要加熱電力はQc2によっ
て定まることになる。第４図は銀製円筒１と真空鏡体壁
５との間に熱伝導を悪くするための接合円筒６を挿入し
たときの熱伝導損失を説明するもので、記号ｄは銀製円
筒１および接合円筒６の内径、t1は銀製円筒１に肉厚、
Ｌは銀製円筒１の長さ、t2は接合円筒６の肉厚、ｌは接
合円筒６の長さをそれぞれ示す。銀の熱伝導率は0.998c
al・cm-1・s-1・deg-1（20℃）と極めて良いので銀製円
筒１の温度は一様であると仮定し、銀製円筒１と接合円
筒６との接合部における温度をT1、接合円筒６と真空鏡
体壁５との接合部における温度をT2とすると、銀製円筒
１から真空鏡体壁５に逃げる熱伝導損失Qc2は， で与えられる。ただし、ｋは接合円筒６の熱伝導率、ｓ
は接合円筒６の断面積でｓ＝π（ｄ・t2＋t2 2）で与え
られる。
100％であるならば、理想的な必要加熱電力はQc2によっ
て定まることになる。第４図は銀製円筒１と真空鏡体壁
５との間に熱伝導を悪くするための接合円筒６を挿入し
たときの熱伝導損失を説明するもので、記号ｄは銀製円
筒１および接合円筒６の内径、t1は銀製円筒１に肉厚、
Ｌは銀製円筒１の長さ、t2は接合円筒６の肉厚、ｌは接
合円筒６の長さをそれぞれ示す。銀の熱伝導率は0.998c
al・cm-1・s-1・deg-1（20℃）と極めて良いので銀製円
筒１の温度は一様であると仮定し、銀製円筒１と接合円
筒６との接合部における温度をT1、接合円筒６と真空鏡
体壁５との接合部における温度をT2とすると、銀製円筒
１から真空鏡体壁５に逃げる熱伝導損失Qc2は， で与えられる。ただし、ｋは接合円筒６の熱伝導率、ｓ
は接合円筒６の断面積でｓ＝π（ｄ・t2＋t2 2）で与え
られる。
ここで、具体的にｄ＝0.5cm,t1＝0.05cm,L＝5cmの大き
さの銀製円筒１を加熱するにあたり、上式に具体的数値
（ｋ＝0.03cal・cm-1・s-1・deg-1,l＝1cm,d＝0.5cm,t2
＝0.1cm）を与え、T1＝400℃，T2＝20℃と仮定したとき
Qc2は約5Wとなる。すなわち、銀が酸素ガスを導入する
ことのできる300℃以上の適温400℃を仮定したとき、上
記の具体的形状で理想的には5W程度の加熱電力で済む筈
である。しかし、実際には、第４図構成のものを第３図
構成の電熱線で加熱するとき、およびQeを小さくするた
め第２図のようにカバー４を付加する構成としても、酸
素ガス導入量と電熱線配置構造により多少の差はある
が、50〜100Wの加熱電力を必要とする。これは、小電力
化を実現するには、QeおよびQc1を抜本的に小さくする
構造が必要であることを示しており、前述の（ロ）の項
で述べた酸素導入効率の問題を考察することによって、
以下のように、一挙に解決される。
さの銀製円筒１を加熱するにあたり、上式に具体的数値
（ｋ＝0.03cal・cm-1・s-1・deg-1,l＝1cm,d＝0.5cm,t2
＝0.1cm）を与え、T1＝400℃，T2＝20℃と仮定したとき
Qc2は約5Wとなる。すなわち、銀が酸素ガスを導入する
ことのできる300℃以上の適温400℃を仮定したとき、上
記の具体的形状で理想的には5W程度の加熱電力で済む筈
である。しかし、実際には、第４図構成のものを第３図
構成の電熱線で加熱するとき、およびQeを小さくするた
め第２図のようにカバー４を付加する構成としても、酸
素ガス導入量と電熱線配置構造により多少の差はある
が、50〜100Wの加熱電力を必要とする。これは、小電力
化を実現するには、QeおよびQc1を抜本的に小さくする
構造が必要であることを示しており、前述の（ロ）の項
で述べた酸素導入効率の問題を考察することによって、
以下のように、一挙に解決される。
酸素導入効率の問題とは以下の点である。銀製円筒につ
いては、円筒状以外の形状、例えば平板状のものと比較
して、薄くしたときの圧力（１気圧）に対する強度が大
きい点、加熱しやすい点、および真空鏡体壁５に対して
占める面積の割合に銀の表面積が大きい点などで、円筒
形状の方が有利であり、円筒状を採用することで、第４
図で示した内径ｄは0.5cmであっても充分な酸素ガスを
導入してできることになる。しかし、第４図のように、
0.5cmの内径で5cm程度の閉管が取り付けれた状態は、真
空中でのガスの排気コンダクタンスを考えると、極めて
効率が悪い。高真空中では銀製円筒１の内部側と真空鏡
体側では１桁〜２桁の圧力差が存在することになる。こ
れは、形状が円筒であるからといって必ずしも１桁〜２
桁多い酸素量を銀製円筒１から導入する意味にはならな
いが、導入効率が悪い点は事実である。
いては、円筒状以外の形状、例えば平板状のものと比較
して、薄くしたときの圧力（１気圧）に対する強度が大
きい点、加熱しやすい点、および真空鏡体壁５に対して
占める面積の割合に銀の表面積が大きい点などで、円筒
形状の方が有利であり、円筒状を採用することで、第４
図で示した内径ｄは0.5cmであっても充分な酸素ガスを
導入してできることになる。しかし、第４図のように、
0.5cmの内径で5cm程度の閉管が取り付けれた状態は、真
空中でのガスの排気コンダクタンスを考えると、極めて
効率が悪い。高真空中では銀製円筒１の内部側と真空鏡
体側では１桁〜２桁の圧力差が存在することになる。こ
れは、形状が円筒であるからといって必ずしも１桁〜２
桁多い酸素量を銀製円筒１から導入する意味にはならな
いが、導入効率が悪い点は事実である。
ここで上記加熱電力の問題と酸素導入効率の問題を解決
するため、銀製円筒を用いることは変えずに、取り付け
方向を、第４図の真空側と大気側を逆転させてみる。す
なわち、銀製円筒１を真空側に突出させてみる。こうす
ることにより、銀製円筒１は広い真空室にさらされるよ
うになり酸素導入効率の問題は解決される。加熱電力の
問題も、銀製円筒１の内径部に大気あるいは酸素の多い
気体が充分に流入できる空間を保って電熱線が挿入でき
れば、熱放射損失Qeをほとんど零にすることができ、そ
のため電熱線加熱電力も小さくなるから電熱線からのQc
2も微小に抑えられる。
するため、銀製円筒を用いることは変えずに、取り付け
方向を、第４図の真空側と大気側を逆転させてみる。す
なわち、銀製円筒１を真空側に突出させてみる。こうす
ることにより、銀製円筒１は広い真空室にさらされるよ
うになり酸素導入効率の問題は解決される。加熱電力の
問題も、銀製円筒１の内径部に大気あるいは酸素の多い
気体が充分に流入できる空間を保って電熱線が挿入でき
れば、熱放射損失Qeをほとんど零にすることができ、そ
のため電熱線加熱電力も小さくなるから電熱線からのQc
2も微小に抑えられる。
本発明の一実施例の要部断面図を第１図に示す。実施例
構造が従来構造が異なる点は、銀製円筒１を真空鏡体壁
５から真空側に突出させて設けた点と、この銀製円筒１
の大気に通じている内径部に表面が耐熱性絶縁物で覆わ
れた電熱体を挿入配置した点である。この場合、耐熱性
絶縁物の外径ｕを、銀製円筒１の内径ｄに比較して充分
に小さくすることにより、銀製円筒１の内径部空間で大
気を充分に流入させることができる。そのため、電熱体
として、熱線もしくは印刷技術によって形成される発熱
体７を、例えばセラミックス９に埋め込んで外径ｕの棒
状に形成したものを用い、発熱体７の大気側の終端を接
続導線８を介して図示省略の加熱用電源に接続する。発
熱体７の埋め込み材料としては、銀製円筒１の内部で部
分的に接触しても短絡等が生じないように、電気的絶縁
材料であり、約400℃の温度に耐える材料であればよ
い。
構造が従来構造が異なる点は、銀製円筒１を真空鏡体壁
５から真空側に突出させて設けた点と、この銀製円筒１
の大気に通じている内径部に表面が耐熱性絶縁物で覆わ
れた電熱体を挿入配置した点である。この場合、耐熱性
絶縁物の外径ｕを、銀製円筒１の内径ｄに比較して充分
に小さくすることにより、銀製円筒１の内径部空間で大
気を充分に流入させることができる。そのため、電熱体
として、熱線もしくは印刷技術によって形成される発熱
体７を、例えばセラミックス９に埋め込んで外径ｕの棒
状に形成したものを用い、発熱体７の大気側の終端を接
続導線８を介して図示省略の加熱用電源に接続する。発
熱体７の埋め込み材料としては、銀製円筒１の内部で部
分的に接触しても短絡等が生じないように、電気的絶縁
材料であり、約400℃の温度に耐える材料であればよ
い。
本実施例によれば、前に詳述したように、発熱体７の熱
は、ほとんど銀製円筒１に与えられることとなり、考え
られる熱損失は接続導線８を通じて逃げる熱伝導損失だ
けであるが、これも発熱体７の小電力化で線径の細い導
線が使用できるため、熱損失は極めて小さい。具体的な
数値例で比較すると、形状寸法を第４図従来構造で説明
した場合の寸法とほとんど同一にして、すなわち、ｄ＝
0.5cm,L＝5cm,t1＝0.05cm,t2＝0.1cm,l＝1cm,u＝0.3cm
として、同量の酸素ガスを導入するのに、従来構造の場
合に50〜100Wの電力であったのに比較して、10Wの電力
であった。
は、ほとんど銀製円筒１に与えられることとなり、考え
られる熱損失は接続導線８を通じて逃げる熱伝導損失だ
けであるが、これも発熱体７の小電力化で線径の細い導
線が使用できるため、熱損失は極めて小さい。具体的な
数値例で比較すると、形状寸法を第４図従来構造で説明
した場合の寸法とほとんど同一にして、すなわち、ｄ＝
0.5cm,L＝5cm,t1＝0.05cm,t2＝0.1cm,l＝1cm,u＝0.3cm
として、同量の酸素ガスを導入するのに、従来構造の場
合に50〜100Wの電力であったのに比較して、10Wの電力
であった。
なお、本実施例において接合円筒６として特に物質を示
さなかったが、熱伝導率ｋが0.1cal・cm-1・s-1・deg-1
以下の物質ならばt2およびｌを適当に選ぶことによって
達成される。
さなかったが、熱伝導率ｋが0.1cal・cm-1・s-1・deg-1
以下の物質ならばt2およびｌを適当に選ぶことによって
達成される。
また真空鏡体を構成する装置および電子源についても特
に示さなかったが、熱電界放射陰極に限定されず、ショ
ットキー放射および熱電子放射陰極であっても酸素補給
を必要とする陰極ならば、本発明を適用することがで
き、その効果に変りない。
に示さなかったが、熱電界放射陰極に限定されず、ショ
ットキー放射および熱電子放射陰極であっても酸素補給
を必要とする陰極ならば、本発明を適用することがで
き、その効果に変りない。
以上説明したように、本発明によれば、（イ）同量の酸
素ガスを導入するのに従来の1/5〜1/10の電力で間に合
うため、電熱体の小電力化すなわち小電流化によって、
電子銃室など真空鏡体装置への電磁障害を微小に抑える
ことができる、（ロ）酸素導入効率が高まったため、量
的に多い酸素量を真空鏡体装置側へ供給できる、すなわ
ち、真空圧力で概算すれば同じ真空鏡体で従来よりおよ
そ一桁多い酸素ガスを導入できる、（ハ）酸素ガス導入
装置として形状寸法を小型化できるため、真空鏡体の如
何なる部分へも適用できる、等の効果がある。
素ガスを導入するのに従来の1/5〜1/10の電力で間に合
うため、電熱体の小電力化すなわち小電流化によって、
電子銃室など真空鏡体装置への電磁障害を微小に抑える
ことができる、（ロ）酸素導入効率が高まったため、量
的に多い酸素量を真空鏡体装置側へ供給できる、すなわ
ち、真空圧力で概算すれば同じ真空鏡体で従来よりおよ
そ一桁多い酸素ガスを導入できる、（ハ）酸素ガス導入
装置として形状寸法を小型化できるため、真空鏡体の如
何なる部分へも適用できる、等の効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
例を示す断面図、第３図は従来例で加熱する時の熱損失
を説明する断面図、第４図は銀製円筒から熱伝導損失に
よって失われる熱量を小さくする方法を説明する断面図
である。 ＜符号の説明＞ １…銀製円筒、２…電熱線 ３…大気、４…カバー ５…真空鏡体壁、６…接合円筒 ７…発熱体、８…接続導線 ９…セラミックス
例を示す断面図、第３図は従来例で加熱する時の熱損失
を説明する断面図、第４図は銀製円筒から熱伝導損失に
よって失われる熱量を小さくする方法を説明する断面図
である。 ＜符号の説明＞ １…銀製円筒、２…電熱線 ３…大気、４…カバー ５…真空鏡体壁、６…接合円筒 ７…発熱体、８…接続導線 ９…セラミックス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加賀 広靖 茨城県勝田市市毛882番地 株式会社日立 製作所那珂工場内 (56)参考文献 特開 昭50−103968（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−141258（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】酸素ガスを必要とする真空容器内に酸素ガ
スを導入する装置において、真空容器の側壁に外部大気
側から真空容器内に突出させて設けられた先端が閉じて
いる銀製円筒と、該銀製円筒の大気に通じている内部に
電気的に絶縁されて挿入配置された電熱体を設けたこと
を特徴とする酸素ガス導入装置。 - 【請求項２】上記銀製円筒が、熱伝導率が銀の熱伝導率
の1/10以下の材料からなる接合円筒を介して上記、真空
容器の側壁に接続されているこを特徴ととする特許請求
の範囲第１項記載の酸素ガス導入装置。 - 【請求項３】上記電熱体はその表面が耐熱性絶縁物で覆
われていることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項のいずれか記載の酸素ガス導入装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214716A JPH077650B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 酸素ガス導入装置 |
| US06/911,786 US4772821A (en) | 1985-09-30 | 1986-09-26 | Apparatus for introducing oxygen gas |
| DE19863633177 DE3633177A1 (de) | 1985-09-30 | 1986-09-30 | Vorrichtung zur einfuehrung von sauerstoffgas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214716A JPH077650B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 酸素ガス導入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276143A JPS6276143A (ja) | 1987-04-08 |
| JPH077650B2 true JPH077650B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=16660436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60214716A Expired - Lifetime JPH077650B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 酸素ガス導入装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4772821A (ja) |
| JP (1) | JPH077650B2 (ja) |
| DE (1) | DE3633177A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3011424B2 (ja) * | 1990-01-24 | 2000-02-21 | 株式会社東芝 | Ａ／ｄ変換器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2804563A (en) * | 1954-01-19 | 1957-08-27 | Machlett Lab Inc | Electron tube generator |
| JPS6034775B2 (ja) * | 1974-01-16 | 1985-08-10 | 株式会社日立製作所 | 電界放射型電子銃 |
| JP3064906B2 (ja) * | 1996-06-12 | 2000-07-12 | 株式会社村田製作所 | 同軸コネクタ |
-
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-
1986
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- 1986-09-30 DE DE19863633177 patent/DE3633177A1/de active Granted
Also Published As
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| DE3633177C2 (ja) | 1989-05-11 |
| JPS6276143A (ja) | 1987-04-08 |
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