JPS5991631A - マイクロ波管用電子銃 - Google Patents
マイクロ波管用電子銃Info
- Publication number
- JPS5991631A JPS5991631A JP20268982A JP20268982A JPS5991631A JP S5991631 A JPS5991631 A JP S5991631A JP 20268982 A JP20268982 A JP 20268982A JP 20268982 A JP20268982 A JP 20268982A JP S5991631 A JPS5991631 A JP S5991631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melting point
- cylindrical
- electrode
- high melting
- point dielectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/06—Electron or ion guns
- H01J23/065—Electron or ion guns producing a solid cylindrical beam
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マイクロ波管用電子銃、特に長時間に亘シウ
ェネルト電極、陽極間の重、知的絶縁耐圧が良好である
電子銃構造に関する。
ェネルト電極、陽極間の重、知的絶縁耐圧が良好である
電子銃構造に関する。
従来よシ通信用、放送用工業用のマイクロ波管の電子銃
として広く使用されている構造の典型例は第１図に模式
的に示されている。ｌが陰極で、通常酸化物陰極又は含
浸型Ｗ陰極が用いられる。
として広く使用されている構造の典型例は第１図に模式
的に示されている。ｌが陰極で、通常酸化物陰極又は含
浸型Ｗ陰極が用いられる。
２は陰Ｍｌを動作温度に加熱するヒータで、３はウェネ
ルト電極で通常、Ｃｕステンレス等の金属テテキテイる
。４が円筒状の金属製のウェネルトｖｊＬ極支持体で通
常Ｃｕステンレス等で作られ、ウェネルト電極３を所定
の位ＲＫ支持するとともに導入端子と電気的に接続して
いる。５が金属製の陽極、６が円筒状の陽極支持体であ
シ、金属で作られている。
ルト電極で通常、Ｃｕステンレス等の金属テテキテイる
。４が円筒状の金属製のウェネルトｖｊＬ極支持体で通
常Ｃｕステンレス等で作られ、ウェネルト電極３を所定
の位ＲＫ支持するとともに導入端子と電気的に接続して
いる。５が金属製の陽極、６が円筒状の陽極支持体であ
シ、金属で作られている。
ウェネルト電極３と陰極ｌは電気的に同電位の電子銃が
多いが、構造が電気的に絶縁されていて比較的小さな電
位差を与えて動作させるものもある。陽極５＃′ｉ陰極
１から電子を引き出し、ウェネルト電極３および磁場と
協同して電子ビームをハ「要の形状に形成するため通常
、陰極ｌ、ウェネルト電極３に対して正の電位差を持つ
様に１Ｍ１位を与えられる。この電位差（以下これをビ
ーム電圧と称す）のため陽極５又は陽極支持体６とウェ
ネルト電極３又はウェネルト電極支持体４の間圧条件に
よシ真空火花放電（以下スパークと称す）が生じる。
多いが、構造が電気的に絶縁されていて比較的小さな電
位差を与えて動作させるものもある。陽極５＃′ｉ陰極
１から電子を引き出し、ウェネルト電極３および磁場と
協同して電子ビームをハ「要の形状に形成するため通常
、陰極ｌ、ウェネルト電極３に対して正の電位差を持つ
様に１Ｍ１位を与えられる。この電位差（以下これをビ
ーム電圧と称す）のため陽極５又は陽極支持体６とウェ
ネルト電極３又はウェネルト電極支持体４の間圧条件に
よシ真空火花放電（以下スパークと称す）が生じる。
このスパークが生じる条件、メカニズムについては現在
のところ完全には解明されていないが、電極の表面近傍
での電界強度、電極間ギャップ、電極形状、表面の粗さ
、表面の汚れなどに強く支配されていると考えられてい
る。
のところ完全には解明されていないが、電極の表面近傍
での電界強度、電極間ギャップ、電極形状、表面の粗さ
、表面の汚れなどに強く支配されていると考えられてい
る。
ところでこのスパークが所定のビーム電圧、もしくはそ
れ以下で生じると、電子銃として所期の機能をはたさな
いばかりか、時に電子管の破壊に至る事もある。従って
、所定のビーム電圧においてスパークが生じない事が、
電子銃に求められる重要な栄件の１つになっている。
れ以下で生じると、電子銃として所期の機能をはたさな
いばかりか、時に電子管の破壊に至る事もある。従って
、所定のビーム電圧においてスパークが生じない事が、
電子銃に求められる重要な栄件の１つになっている。
近時、マイクロ波管の用途拡大に伴ってマイクロ波管に
要求される出力が急速に増大しており、ビーム電圧も増
大する傾向にあり、スパークのない電子銃をどの様に設
計するかが重大かつ困難な問題となっている。
要求される出力が急速に増大しており、ビーム電圧も増
大する傾向にあり、スパークのない電子銃をどの様に設
計するかが重大かつ困難な問題となっている。
電子銃におけるスパークの状況をもう少し詳しく述べる
。電子管の通常の製造工程では、電子管内を真空に排気
し、封止した後、電子ビームを徐々に出して、電子管の
動作を安定な状態にまでもっていく工程があり、これを
枯化工程と呼んでいる。この枯化工程においては通常ビ
ーム電圧は、所定値よシはるかに低い値から印加され始
め、所定の値まで、徐々に増加させられる。この過程で
普通何回かスパークが生じながら次第にスパークは起き
にくくなり最後に所定のビーム電圧でも、スパークが全
く生じない安定な状態になる。ところが、中には、この
途中で非常にスパークが生じやすくなり所定ビーム電圧
に達しないものがある。
。電子管の通常の製造工程では、電子管内を真空に排気
し、封止した後、電子ビームを徐々に出して、電子管の
動作を安定な状態にまでもっていく工程があり、これを
枯化工程と呼んでいる。この枯化工程においては通常ビ
ーム電圧は、所定値よシはるかに低い値から印加され始
め、所定の値まで、徐々に増加させられる。この過程で
普通何回かスパークが生じながら次第にスパークは起き
にくくなり最後に所定のビーム電圧でも、スパークが全
く生じない安定な状態になる。ところが、中には、この
途中で非常にスパークが生じやすくなり所定ビーム電圧
に達しないものがある。
又、枯化工程では耐電圧異常が検知されず、その後の所
定ビーム電圧での動作中にスパークが生じ、その後、非
常にスパークが起きやすくなるものもある。この様な電
子銃は使用する事ができムい。
定ビーム電圧での動作中にスパークが生じ、その後、非
常にスパークが起きやすくなるものもある。この様な電
子銃は使用する事ができムい。
この様な、スパークの起きやすくなった電子銃を分解し
て調べてみると、その多くが氾１図の７で示した円筒状
ウェネルト電極支持体の外側面に損傷を受けている。損
傷を受けた部分は、金属表面が溶融して、細かく粗い表
面となっている。表面がこの様に細かく粗い状態になっ
ているためスパークが頻発すると考えられる。
て調べてみると、その多くが氾１図の７で示した円筒状
ウェネルト電極支持体の外側面に損傷を受けている。損
傷を受けた部分は、金属表面が溶融して、細かく粗い表
面となっている。表面がこの様に細かく粗い状態になっ
ているためスパークが頻発すると考えられる。
本発明の目的ね上記のような欠点を除去したマイクロ波
管用電子銃を提供することである。
管用電子銃を提供することである。
本発明による〜、子銃構造の一実施例を第２図に模式的
罠示す。この１．子銃構造の特長は、円筒状ウェネルト
電極支持体４の外側面を円筒状のアルミナ、ベリリア、
石英、ボロンナイトライド、シリコンカーバイド等の高
融点誘電体１３で覆ったことにある。第２図では、円筒
状ウェネルト支持体４の外側面と高融点誘電体１３の内
側面が密着しているがこれは、ウニネル）を極支持体４
外側面と高融点誘電体１３の内側面とを全面又はその一
部で 接する事によシ得られる。
罠示す。この１．子銃構造の特長は、円筒状ウェネルト
電極支持体４の外側面を円筒状のアルミナ、ベリリア、
石英、ボロンナイトライド、シリコンカーバイド等の高
融点誘電体１３で覆ったことにある。第２図では、円筒
状ウェネルト支持体４の外側面と高融点誘電体１３の内
側面が密着しているがこれは、ウニネル）を極支持体４
外側面と高融点誘電体１３の内側面とを全面又はその一
部で 接する事によシ得られる。
この構造によれば、ウェネルト電極支持体４の外側面が
高融点誘電体によシ覆われているため、スパークによシ
表面が溶融［７て粗くなる可能性を大きく減少させる事
ができ、長時間に亘シウェネルト電極、陽極間の良好な
電気的耐圧特性を期待する事ができる。この構造は比較
的単純であり、製造上の問題点も少ない。又高融点誘電
体１３はウェネルト′ｄＬ極支持体４の外側面全回を覆
う必要はなく、接部を受けやすい部分だけを覆うだけで
十分な効果を期待できる。
高融点誘電体によシ覆われているため、スパークによシ
表面が溶融［７て粗くなる可能性を大きく減少させる事
ができ、長時間に亘シウェネルト電極、陽極間の良好な
電気的耐圧特性を期待する事ができる。この構造は比較
的単純であり、製造上の問題点も少ない。又高融点誘電
体１３はウェネルト′ｄＬ極支持体４の外側面全回を覆
う必要はなく、接部を受けやすい部分だけを覆うだけで
十分な効果を期待できる。
又、第２図では高融点誘電体１３の内側ｍ１とウニネル
）を極支持体４の外側面が密着しているか、本発明の別
の実施例を模式的に表した第３図、第４図の如く密着し
ていない構造でも第２図のものと同様の効果を期待でき
る。又ここに使用する、高融点誘電体の表面は、研磨、
ラッピング等により滑らかに仕上げられ、かつ端部は、
曲面になっている事が望ましい。
）を極支持体４の外側面が密着しているか、本発明の別
の実施例を模式的に表した第３図、第４図の如く密着し
ていない構造でも第２図のものと同様の効果を期待でき
る。又ここに使用する、高融点誘電体の表面は、研磨、
ラッピング等により滑らかに仕上げられ、かつ端部は、
曲面になっている事が望ましい。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来構造の電子銃の断面図、第２図、第３図、
第４図は本発明の実施例を模式的に表した断面図である
。 １・・・・・・陰極、２・・・・・・ヒータ、３・・・
・・・ウェネルト′山、樟、４・・・・・・ウェネルト
支持体、５・・・・・・陽極、６・・・・・・陽極支持
体、８・・・・・・円筒状セラミックス、９・・・・・
・円筒状セラミックス、ｌＯ・・・・・・陽極導入端子
、１１・・・・・・ヒーター導入端子、１２・・・・・
・ヒーターカソード導入端子、１４・・・・・・セラミ
ックス、１３・・・篤 ／ 図 劣 ３ 図 ６２ 図 ｚ ４ 口
第４図は本発明の実施例を模式的に表した断面図である
。 １・・・・・・陰極、２・・・・・・ヒータ、３・・・
・・・ウェネルト′山、樟、４・・・・・・ウェネルト
支持体、５・・・・・・陽極、６・・・・・・陽極支持
体、８・・・・・・円筒状セラミックス、９・・・・・
・円筒状セラミックス、ｌＯ・・・・・・陽極導入端子
、１１・・・・・・ヒーター導入端子、１２・・・・・
・ヒーターカソード導入端子、１４・・・・・・セラミ
ックス、１３・・・篤 ／ 図 劣 ３ 図 ６２ 図 ｚ ４ 口
Claims (1)
- 真空外囲器と、該真空外囲器内に陰棒、ヒータ、ウニネ
ル）［極、陽極を備え、かつ該ウェネルト電極が金属製
円筒状支持体を持ち、その外側に、円筒状の陽極の支持
体が設けられるか、又は陽極と同電位となる金属電極が
設置され、かつ該ウェネルト市；極、該陽極が誘電体を
介して直流電気的には、絶縁されている。マイクロ波管
用電子銃において、該ウェネルト電極の金属製円筒状支
持体の外側面に接して、又はその近傍に円筒状の高融点
誘電体を設けたことを特徴とするマイクロ波管用電子銃
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20268982A JPS5991631A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | マイクロ波管用電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20268982A JPS5991631A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | マイクロ波管用電子銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5991631A true JPS5991631A (ja) | 1984-05-26 |
Family
ID=16461520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20268982A Pending JPS5991631A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | マイクロ波管用電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5991631A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6185754A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-05-01 | Nec Corp | 電子管用電子銃 |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP20268982A patent/JPS5991631A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6185754A (ja) * | 1984-10-01 | 1986-05-01 | Nec Corp | 電子管用電子銃 |
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