JPH0775086B2

JPH0775086B2 - 光磁気記録再生装置

Info

Publication number: JPH0775086B2
Application number: JP61267575A
Authority: JP
Inventors: 吉左衛門岡崎; 邦一大西
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1986-11-12
Filing date: 1986-11-12
Publication date: 1995-08-09
Anticipated expiration: 2010-08-09
Also published as: JPS63122038A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は光磁気記録再生装置に係り、特に高速で情報信
号の書換えを行なうに好適な光磁気記録再生装置に関す
るものである。

〔従来の技術〕

従来の光磁気記録再生装置における情報信号の記録は、
Electoronics,Vol55,No.26（1982）第45,46頁に記載の
ように、情報信号を外部磁界の方向に変換、つまり磁界
変調して行なっていた。

また、日本応用磁気学会研究資料42−３（1985）の第19
〜27頁に記載のように、まず直流外部磁界を印加し、記
録するトラック（セクタ）をあらかじめ消去（すべて一
定磁化方向）し、次に消去時とは逆の直流外部磁界を印
加し、情報信号を光の点滅に変換、つまり光変調して情
報信号の記録を行なっていた。

また一般に光磁気情報記録媒体（光磁気ディスク）とし
ては、一定回転数で動作する角速度一定のCAV（Constan
t Angular Velocity）ディスクと、常に一定の線速度で
動作するCLV（Constant Linear Velocity）ディスクと
があり、特にCAVディスクにおいては、記録位置におい
て光ヘッドの第１および第２の光スポットの位置を変化
させる必要がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来技術の磁界変調方式では、普通記録に必要な数
百Oe程度の外部磁界を高速に変調する必要がある。しか
し数百Oe程度の磁界を発生するためには、コイルの巻数
を多くする必要があり、これは磁気ヘッドの大型化とと
もにコイルの抵抗値を大きくすることになり、電気的に
みると時定数の増大につながる。またこれを避けようと
するとコイルの駆動回路規模が大きくなり現実的でな
い。したがって、数MHz程度の磁界変調は困難となり磁
界変調方式では、前記Electoronics.Vol55,No.26のよう
に、125kHz程度の磁界変調しか達成できないという問題
がある。

また光変調方式では、消去と記録との間には有限の時間
が必要であり、さらに、前記日本応用磁気学会研究資料
42−３のように、記録・消去時に必要な外部磁界を永久
磁石の機械的反転により供給している場合には、反転磁
界にかなりの時間（約60m sec）を要するため、高速の
オーバーライトは難しいという問題がある。

また、この光変調方式において、消去用光ヘッドと記録
用光ヘッドとを別々に設け、１つの光ヘッドの時に必要
であった外部磁界の反転時間を無くし高速化を図る方式
にすることも考えられる。しかし、この方式も互いの光
ヘッドを近づけ過ぎると隣りの光ヘッドに磁界がもれ込
み、信頼性に優れた記録が行なえないという問題があ
る。さらに、光磁気ディスクの形態（CAVあるいはCLV
等）によって、互いの光ヘッドの光スポット間隔を変化
させるための機構的動作が必要であり、機構および制御
が複雑になる問題がある。

本発明の目的は、光磁気ディスクの形態が変化しても１
つの光ヘッドで高速に情報信号のオーバーライト記録を
電気的制御のみで行なうことのできる光磁気記録再生装
置を提供するにある。

〔問題点を解決するための手段〕

そこで本発明では書き込み磁界発生には磁界発生用コイ
ルにコンデンサを付加したLC共振回路を構成し駆動回路
から共振周波数と等しい周波数の信号でこのLC共振回路
を駆動して光磁気ディスク上にこの共振周波数の交番磁
界を発生する構成のものを用いる。

また書き込みのための光ヘッドは、２つの光スポットを
形成する２個の光源と、該光源から出射された光ビーム
を所定の角度傾斜して対物レンズに入射する手段と、該
対物レンズと光磁気記録媒体のトラック上に集光された
焦点との間の距離を可変する手段との組合せで構成する
ことより、２つの光スポットの間隔を可変することが可
能となり、光磁気ディスクの形態（CAV,CLV）にかかわ
らず同一の装置により高速にオーバーライト記録が可能
となる。

〔作用〕

すなわち、LC共振回路が共振をしているときには、外部
から供給している電流のＱ倍の電流が共振回路内に流れ
る。そこで共振回路を構成するインダクタとして書き込
み磁界発生用コイルを用いれば、このコイルには駆動回
路が供給する電流のＱ倍の電流を流すことができ強い磁
界を高周波で発生することができる。

また情報信号の書き込みは、次のように行なう。光ヘッ
ドにより、同一トラック上に２つの光スポットを近接し
て形成し、先行する第１の光スポットのある位置に書き
込みたいデータとそのときの交番磁界の磁化方向から定
まる書き込めるデータとが一致した場合には第１の光ス
ポットで書き込み、違っていた場合は書き込まない。後
者に対しては、書込み位置が第２の光スポット位置に来
たときに書き込む。すなわち、該第２の光スポット位置
では、第１の光スポットと対応する交番磁界と逆方向の
磁化方向に対応しているため、第１の光スポットで書き
込めなかったデータは第２の光スポットで書き込むこと
ができる。

さらに、光磁気ディスクの形態において、CLVディスク
の場合は線速度が一定であるため、第１および第２の光
スポットの間隔は一定で問題はないが、CAVディスクの
場合は、角速度が一定であるため、CAVディスクの内周
と外周とでは第１および第２の光スポットの間隔を変化
させる必要がある。

そこで本発明では、光ヘッドにおいて第１および第２の
光スポットを形成する２つの光ビームを所定の角度傾斜
して対物レンズに入射するとともに、対物レンズと焦点
間の距離を可変できる手段との組合せにより、CAVディ
スクの内周部では該距離を短かく、外周では該距離を長
くすることでトラック上に集光する第１および第２の光
スポットの間隔を変化させることができ、同一の光ヘッ
ドでCLVおよびCAVディスクを制御することができるもの
である。

〔実施例〕

以下本発明の一実施例を図面により説明する。

第２図は記録・再生に使用する光磁気ディスクのトラッ
ク形式を示したものである。ここでは、説明を分り易く
するために、複数のトラックが拡大して示されている。

なお、第２図（ａ）はCLVディスク1aを、第２図（ｂ）
はCAVディスク1bを示す。

ここで、トラック100a,100b,100c,100dは、複数のセク
タに分割されており、各セクタ101a,101b,101c,101dは
ディスク製造時にあらかじめトラック番号，セクタ番号
および光磁気ディスク回転用モータの制御等に使用され
る同期信号等が書き込まれたヘッダ部102a,102b,102c,1
02dとこれに続く情報記録再生部103a,103b,103c,103dと
からなっている。なお信号の記録は前述の様に情報記録
再生部103a,103b,103c,103dの記録媒体の磁化の方向を
変化させることにより行なわれる。

ところで、第２図（ａ）のCLVディスク1aは、前述した
ように線速度一定の形態であることから、CLVディスク1
aの内周から外周までの各セクタ間の距離は一定となっ
ている。一方、第２図（ｂ）のCAVディスク1bは、前述
した様に角速度一定の形態である。このため、CAVディ
スク1bの内周から外周までの各セクタ間の角度（θ）が
一定になり、したがって、内周と外周とでは各センタ角
の長さは変化する。その変化量は、内周トラックの直径
（R1）を基準とした場合、所定トラックの直径（R2）と
の比（R2/R1）だけ長くなる。

第１図は本発明の一実施例を示すブロック図である。図
において、１は光磁気ディスク、２は光磁気ディスク回
転用モータ、10は記録・再生用半導体レーザおよび光学
系等を搭載した光ヘッド、50は光ヘッド３からの再生信
号を増幅するための増幅回路、51は再生信号から同期信
号を分離するための同期信号分離回路、52は同期信号分
離回路51から分離された同期信号である。

また、53は基準回転同期信号発生回路、54は回転数制御
回路、55はモータ駆動回路、56は基準クロック信号発生
回路であり、さらに、57はクロック信号、58は記録信号
処理回路、59は書き込みデータ、60はレーザ駆動信号生
成回路、61,62は記録レーザ制御信号、63,64はレーザ駆
動回路、65は分周回路、66は磁化方向制御信号、67は駆
動回路、68は磁界発生回路、69は再生信号処理回路、70
はシステムコントロール回路、71は焦点距離可変駆動回
路、72は光ヘッド移動機構である。

すなわち、基準クロック信号発生回路56から出力される
クロック信号57はシステム全体の動作の基準となる信号
で、記録信号処理回路58,再生信号処理回路69,および基
準回転同期信号発生回路53等で使用される。ここで、光
磁気ディスク１を光磁気ディスク回転用モータ２に保持
した状態で基準クロック信号発生回路56から出力される
クロック信号57を基準に基準回転同期信号発生回路53で
生成された基準同期信号と、第２図で示したようにあら
かじめ光磁気ディスク１の製造時に形成された同期信号
を同期信号分離回路51で分離して生成した同期信号52と
が位相同期するように、回転数制御回路54,モータ駆動
回路55を介して光磁気ディスク用モータ２を駆動する。
これにより、CLVディスク1aの時は一定線速度で、CAVデ
ィスク1bの時は一定角速度で制御することができる。

また記録信号は基準クロック信号発生回路56からのクロ
ック信号57に基づいて記録信号処理回路58にて符号化，
変調等の処理がなされた後、書き込みデータ59とされ、
レーザ駆動信号生成回路60に入力される。レーザ駆動信
号生成回路60は書き込みデータ59とクロック信号57を分
周回路65によって分周して得られる磁化方向制御信号66
から記録レーザ制御信号61,62を生成する。

レーザ駆動回路63,64にはレーザ駆動信号生成回路60に
よって生成された記録レーザ制御信号61,62と記録・再
生モード制御信号が入力されておりこれらの入力によっ
てレーザ駆動回路63,64は所定のモードに設定され、光
ヘッド10内部の半導体レーザを制御する。ここで、記録
モードにおいては、レーザ駆動回路63,64は記録レーザ
制御信号61,62に従ってレーザ光を強度変調し、光ヘッ
ド10からこのレーザ光を光磁気ディスク１に照射する。

一方、基準クロック信号発生回路56からのクロック信号
57は分周回路65にも入力されており、ここで磁界発生回
路68の共振周波数と同一の周波数となる様に分周され、
磁化方向制御信号66となる。そこで駆動回路67は入力さ
れた磁化方向制御信号66に従い磁界発生回路68を駆動し
て光磁気ディスク１上に情報を記録するのに必要な周期
で磁束の向きが反転する高周波磁界を発生させる。この
高周波磁界と前述の記録レーザ制御信号61,62で強度変
調されたレーザ光により光磁気ディスク１上に設けられ
た磁性体の磁化の向きを変化し、情報を記録する。

ところで、磁界発生回路68で発生する磁界は反転する高
周波磁界であるため記録のできる磁化の向きはコイル20
に流れる共振電流の向きによって定まっており、そのと
きこれと逆向きの磁化を記録することはできない。そこ
で本発明ではこの時には記録を行なわず共振周期の半周
期後の磁界の向きが反転したときに目的の信号が記録で
きるようにレーザ光のスポット位置を補正し、２つのレ
ーザ光を制御して記録を行なう。

さらにCLVディスク1aの場合は一定線速度駆動であるの
で、２つの半導体レーザによって作られる２つの光スポ
ットの間隔をCLVディスク1aの内周から外周までの動作
において一定のままにしておいても問題はない。しか
し、CAVディスク1bの場合は、一定角速度駆動であるこ
とから、２つの半導体レーザによって作られる２つの光
スポット間隔をCAVディスク1bの内周から外周まで順次
変化させる必要がある。

そこで、本発明では、光ヘッド10において、２つの半導
体レーザから出射される２つの光ビームを所定の角度傾
斜させて対物レンズに入射し、かつ対物レンズと焦点間
の距離を変化させて２つの光スポットの間隔を変化させ
る。これにより、CAVディスクの内周では前記距離を短
かくし、外周では前記距離を長くするように２つの光ス
ポット間隔を制御し、光磁気ディスクの形態（CLV,CA
V）が変っても同一の装置で制御できる。

次に、本発明の一実施例をより具体的に説明する。

第３図は、第１図の磁界発生回路68と駆動回路67の具体
的一構成例を示す図である。

駆動回路67は位相反転回路22と、増幅器23a,23bから成
っており、入力信号と位相反転回路22を通して得られる
入力信号に対して逆位相の信号とをそれぞれ増幅器23a,
23bに入力し、その出力で磁界発生回路68を駆動する、
いわゆるBTL回路となっている。

磁界発生回路68はコイル20,コンデンサ21から成り、並
列共振回路を形成している。該共振回路の共振周波数
_０および共振時のQ₀はコイル20のインダクタンスをＬ、
コンデンサ21の容量をＣ共振時の回路の抵抗分をＲとす
ると、となる。また共振時の共振回路内に流れる共振電流I_Rは
外部から供給する電流をI₀とすると、 I_R＝Q₀・I₀ となる。

本構成例によれば、Ｑは100倍程度の値が得られるの
で、本発明のLC共振回路を用いる磁界発生方式は、従来
の単にコイル20だけを用いる磁界発生方式と比較する
と、同じ強度の磁界を発生するために必要な駆動回路の
出力電力は少なくてよく、かつ一定電力条件下では、よ
り高い周波数でコイル20を駆動することができ、書き込
み周波数の高速化も可能である。

次に、第４図により、本実施例の光ヘッド10の構成につ
いて説明する。

直線偏光光源である半導体レーザ30から出射された光ビ
ーム37はコリメートレンズ31により平行光とされ、ビー
ム整形プリズム32でほぼ円形の光強度分布に整形された
のち、波形分離フィルタ33およびビームスプリッタであ
る第１の偏光子34を透過する。その後、対物レンズ35に
入射し、光磁気ディスク１の磁気光学的情報記録媒体で
ある記録膜15の情報トラック100上に第１の光スポット1
1として集光する。

また、半導体レーザ36から出射された光ビーム38は前記
と同様にコリメートレンズ31,ビーム整形プリズム32で
整形され、反射ミラー39および波長分離フィルタ33で反
射される。そして、第１の光ビーム37と所定の角度
（θ）を有して対物レンズ35に入射し、情報トラック10
0上に第２の光スポット13として集光する。なお、第１
および第２の光スポット11,13の間隔（Ｌ）は対物レン
ズ35の焦点距離（ｌ）と光ビーム37および38の所定角度
（θ）によって定まるものである。

また、対物レンズ35は、外部からの電気的信号（電圧あ
るいは電流等）によって、対物レンズ35自体の焦点距離
（ｌ）が変化する可変焦点レンズで構成されている。し
たがって、第５図で示す可変焦点レンズの特性から、第
６図に示すように、第１および第２の光ビーム37,38が
所定の角度（θ）を有して可変焦点レンズ35に入射して
いるため、可変焦点レンズ35の焦点距離（ｌ）を変化さ
せることにより、第１の光スポット11は固定のまま（実
施例としては第１の光ビーム37は可変焦点レンズ35に対
して平行に入射していると考えた場合）第２の光スポッ
ト13は所定の傾斜角度θによって定まる分だけトラック
100上で移動することになる。すなわち、図で示すよう
に焦点距離（ｌ）の変化によりほぼリニアに第１および
第２の光スポット11,13の間隔Ｌが変化することにな
る。

なお、図においては、説明上可変焦点レンズ35は固定
で、光磁気ディスク１を変化させて焦点距離ｌを変化
（l₁またはl₂）させているが、実際には光磁気ディスク
１は固定で可変焦点レンズ35が周知のフォーカス動作に
より可動するものであるが、結果は同様である。

以上の様に第１および第２の光ビーム37,38を所定の角
度θ傾斜させて可変焦点レンズ35に入射し可変焦点レン
ズ35の焦点距離ｌを変化させることにより第１および第
２の光スポット11,13の間隔を変化することができる。

なお、本実施例では第１の光ビーム37を可変焦点レンズ
35に平行に入射させているが、第２の光ビーム38と同様
に反対側に所定角度（−θ）傾斜して可変焦点レンズ35
に入射させてもよい。

次に、前記磁界発生回路68と光ヘッド10とを用いて、情
報信号を光磁気ディスク１に記録する場合、および該光
磁気ディスク１から情報信号を読み出す場合の動作につ
いて説明する。

情報信号の記録を行なう場合は、第１図で説明したレー
ザ駆動回路63,64により、２つの半導体レーザ30,36のレ
ーザパワーをそれぞれ記録パワーと再生パワー（あるい
は零）に制御する。このようにすることにより、第１お
よび第２の光スポット11,13をディスクに選択的に照射
し、記録膜15を選択的に加熱する。そして、記録部の温
度をキューリ温度以上とし、各光スポット領域の磁化を
消失し、冷却時に発生する磁化をその時の外部磁界と同
方向に向けることにより記録を行う。

一方、情報信号の再生を行なう場合は、トラック100上
で先行する光スポットを第１の光スポット11とすると、
半導体レーザ30のレーザパワーを再生パワーに設定し、
半導体レーザ36をオフにする。そして、第１の光スポッ
ト11により、記録されたピットの磁化方向によって反射
光の偏光面が変化する磁気光学効果であるカー効果を利
用して行なう。

すなわち、記録膜15の第１の光スポット11からの反射光
は、第４図における対物レンズ35,第１の偏光子34を介
して第２の偏光子40を反射後、凸レンズ44を介して検光
子45で情報信号に対応した偏光面の変化を光量変化とし
て検波される。次いで、第１および第２の光検出器46,4
8に導入されて電気信号に変換され、プリアンプ47,49を
経て増幅回路50に入力される。そして、該増幅回路50か
ら再生信号が得られる。

なお、本実施例では、２つの検出器47,49で得られる信
号の差動をとることで再生信号を得ているが、１つの検
出器からも同様に得ることができる。

また、第１および第２の光スポット11,13をトラック100
上に集光するための対物レンズ35のフォーカス駆動信
号、およびトラック100の偏心等に追従するためのトラ
ッキング駆動信号は、第２の偏光子40を透過し、凸レン
ズ41,円柱レンズ42を介して、サーボ信号およびヘッダ
信号検出用の光検出器43に入射した光を電気信号に変換
することにより得られる。

次に、光磁気ディスク１上へ信号を記録する方式を、具
体的に、説明する。

第７図は、CLVディスクにおいて「000110」のデータを
書き込むときの記録方式を示す図である。

図において磁化方向が反転する周期の1/2の時間を時間
の単位Ｔとし、Ｔごとにt₀、t₁、t₂、……とする。また
光磁気ディスク１の回転周期と磁化の向きが反転する周
期とは整数倍の同期関係にあり、ここでは光磁気ディス
ク１はＴの間に１ピット分の距離だけ移動するものとす
る。また、半導体レーザ30,36とによる第１および第２
の光スポット11,13の距離Ｌは、第６図の特性から、時
間Ｔの間に光磁気ディスク１が、回転することによって
周方向に移動する距離、すなわち、ピット間隔と同等に
なるように、可変焦点レンズ35を制御して行なう。

なお、光磁気ディスク１にはディスク面がＮ極になった
時に「１」が、Ｓ極になった時に「０」がデータとして
書きこまれるものとする。

すなわち、光磁気ディスク１内のあるトラック100のヘ
ッダ部102が半導体レーザ30の第１の光スポット11の位
置を通過した後、時間t₀においてピットａが第１の光ス
ポット11に位置した時には、磁化方向は「０」を書き込
める状態にあり、一方ピットａに書き込むデータも
「０」であるので、半導体レーザ30を記録パワーにオン
することにより、ピットａには「０」が書き込まれる。

時間Ｔの後t₁においてはt₀の状態から１ピット分トラッ
ク100が移動しており、前記時間t₀で半導体レーザ30に
より「０」を書き込んだピットａは半導体レーザ36の第
２の光スポット13の位置にくる。しかしt₁においては第
２の光スポット13の位置にあるピットａにはすでにデー
タが書き込まれているので半導体レーザ36は再生パワー
（またはオフ）状態のままで書込みは行なわない。

一方第１の光スポット11の位置にあるピットｂについて
は書き込みたいデータが「０」であるのに対し、書き込
める磁化方向は「１」であるため、半導体レーザ30も再
生パワー状態とし書込みは行なわない。

次に、t₂においては書き込める磁化方向は「０」になる
ので、半導体レーザ36を記録パワーにオンすることで、
ピットｂに「０」のデータを書き込む。また、第１の光
スポット11の位置にあるピットｃに書き込みたいデータ
も「０」であるため、半導体レーザ30も記録パワーにオ
ンする。これにより、ピットｃに対しても「０」のデー
タを書き込む。

以下図に示すように書き込みたいデータおよび書き込み
の行なえる磁化方向に応じて半導体レーザ30,36を記録
パワーにオン・オフ制御することによりデータの記録を
行なうことができる。

なお、前述の様に書き込みデータによっては、書き込み
データの入力時間に対して、半導体レーザ36の記録パワ
ー制御を時間Ｔだけ遅延する必要がある。

第８図に書き込みデータと磁化方向制御信号とから半導
体レーザ30,36の制御信号を生成するための回路の一実
施例を示す。

図において、25は排他的論理和ゲートの出力の反転した
論理ゲート（以下、EX−NORゲートと称す）、26はイン
バータ、27は遅延回路である。

EX−NORゲート25は入力が一致したとき「１」を出力
し、不一致のときは「０」を出力する。ここでは、入力
として書き込みデータと磁化方向制御信号が加えられて
おり、両入力が一致したとき出力は「１」となるので、
これは半導体レーザ30の制御信号となる。

また、インバータ26は入力信号の「０」「１」を反転し
て出力し、遅延回路27は入力信号を時間Ｔだけ遅延して
出力する。したがって、図に示す構成にすれば、遅延回
路27の出力には、半導体レーザ30の制御信号を反転しこ
れを時間Ｔだけ遅延させた半導体レーザ36の制御信号が
得られる。

上記した本実施例の装置を、CLVディスク1aの書込みに
使用する場合には、可変焦点レンズ35の焦点を固定させ
て使用する。すなわち、CLVディスク1aは一定線速度駆
動であるため、CLVディスク1aの内周から外周に至るま
でピット間隔は一定であり、第１および第２の光スポッ
ト11,13の間隔（Ｌ）は一定でよい。

一方、本実施例の装置をCAVディスク1bの書込みに使用
する場合には、可変焦点レンズ35の焦点を光ヘッド10の
位置に応じて変えることにより行う。すなわち、CAVデ
ィスク1bにおけるデータの記録方式は基本的に第７図で
示したCLVディスク1aの場合と同様であるが、大きく異
なる点はCAVディスク1bでは一定角速度駆動であるためC
AVディスク1bの内周と外周とでは第１および第２の光ス
ポット11,13の間隔（Ｌ）を変化させなければならな
い。

そこで、図を用いて、第１および第２の光スポット11,1
3の間隔（Ｌ）を変化させる制御について説明する。

第９図は、CAVディスク1bにおける最内周と最外周との
トラック100c,100dにおける第１および第２の光スポッ
ト11,13の間隔（Ｌ）を変化させる場合の説明図であ
る。なお図においては各トラックは所定の曲率を有する
円弧であるが説明が容易なように直線状として示してい
る。

また現実的に5.25インチサイズ（130mm）光磁気ディス
ク１を考えた場合として、最内周トラック100cの半径
（R1）は30mm、最外周トラック100dの半径（R2）は60mm
とするとR2/R1は２倍となる。

したがって、CAVディスク1bで最外周トラック100dの磁
化方向信号の1/2周期（T2）の間隔は、最内周トラック1
00cの1/2周期（T1）の２倍となるため、第１および第２
の光スポット11,13の間隔（Ｌ）も、最内周間隔L1に対
し、最外周間隔L1は２倍とする必要がある。

そこで、本実施例では、第６図に示すように、光ビーム
37,38を所定角度（θ）傾斜し、可変焦点レンズ35の焦
点距離をl₁からl₂まで変化させる。このようにすると、
第10図に示すようにCAVディスク1bの内周から外周に対
してほぼリニアに光スポット間隔（Ｌ）を変化させるこ
とができる。したがって、本実施例では、可変焦点レン
ズの焦点距離を制御することにより対応した光スポット
間隔とすることができるため、CAVディスクに対しても
問題なく適用することができる。

なお、第１および第２の光スポットを形成する各光ビー
ム37,38の傾斜角度θは、光磁気ディスク１の半径比（R
2/R1）と、可変焦点レンズ35における最小焦点距離Ｌと
可変量ΔＬとの比（Ｌ＋ΔL/L）が、（R2/R1≦Ｌ＋ΔL/
L）の関係であれば問題はない。

また、可変焦点レンズ35の焦点距離（ｌ）を変化させる
制御は、第１図に示すシステムコントロール回路70から
入力されるトラック番号から光ヘッド10の位置を知るこ
とにより行えるが、例えば外部センサー等により光ヘッ
ド10の位置検出を行なって制御してもよい。

第11図は、光ヘッド10における焦点距離可変方式の他の
実施例の説明図を示す。

本実施例は、半導体レーザ30,36およびコリメートレン
ズ31,対物レンズ35で構成し、かつ発散光あるいは収束
光による光学系で構成されたもので、この発散光および
収束光の光学系では、コリメートレンズ31あるいは半導
体レーザ30,36を光軸方向に移動することにより、対物
レンズ35と焦点間の距離ｌを変化させることができる。

すなわち、半導体レーザ30,36からの光ビーム37,38を所
定角度（θ）傾斜して構成し、図中実線で示すコリメー
トレンズ31の位置では対物レンズ35と焦点間の距離がl₁
となり、そのときの光スポット間隔はL₁となる。次に駆
動機構（例えば圧電素子等の電気・機構変換素子）80で
コリメートレンズ31を図中点線のように光軸方向に移動
することで、対物レンズ35と焦点間の距離はl₂となり、
光スポット間隔はL2と変化する。したがってコリメート
レンズ31の移動量を調節することによって第６図に示す
特性と同等の特性が得られ、前述したようにCAVディス
ク1bでの制御が可能となる。

なお、前述したようにコリメートレンズ31を固定にし、
半導体レーザ30,36を光軸方向に移動することでも同等
の特性が得られる。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、LC共振回路による高
周波磁界を用いて高い周波数の交番磁界を発生させる手
段と、２つの半導体レーザによる光ビームを所定の角度
傾斜して対物レンズに入照する光学系と、対物レンズと
焦点間の距離を可変する手段との組合せにより、２つの
光スポット間隔をディスク半径方向の光ヘッド位置に応
じて変化させることができる。このため、光磁気ディス
クの形態（CAV,CLV）にかかわらず、同一光ヘッドによ
りデータの記録・再生が可能となり、高機能・高性能な
る光磁気記録再生装置を提供することができる。

また可変焦点レンズを用いた場合では、焦点距離を電気
的制御により行なうことができ、機械的動作部がなく信
頼性に優れているという効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
光磁気ディスクのトラック形式を示す説明図、第３図は
磁界発生回路と駆動回路の一構成を示す回路図、第４図
は光ヘッドの一構成図、第５図は可変焦点レンズの特性
図、第６図は光スポット間隔変化の特性図、第７図はCL
Vディスク時のデータ記録方式の説明図、第８図は半導
体レーザ駆動信号生成回路の一構成を示す回路図、第９
図はCAVディスク時の光スポット間隔変化の説明図、第1
0図は半径方向距離に対する光スポット間隔な所要特性
図、第11図は光ヘッドの他の構成図である。 1:光磁気ディスク 10:光ヘッド 11:第１の光スポット 13:第２の光スポット 20:コイル 21:コンデンサ 30,36:半導体レーザ 31:コリメートレンズ 35:対物レンズ（可変焦点レンズ） 68:磁界発生回路 71:焦点距離可変駆動回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】回転円盤状の光磁気記録媒体と、２つの光
スポットを形成する２個の光源と、該光源から出射され
た光ビームを所定の角度傾斜して対物レンズに入射する
手段を具備した光ヘッドと、磁界発生コイルをその一部
とするLC共振回路を用いて発生させた共振周波数の交番
磁界を発生し、前記光磁気記録媒体のトラック上の焦点
位置に印加する手段とを具備した記録磁界発生装置を備
えた光磁気記録再生装置において、前記光磁気記録媒体
の回転中心から前記光ヘッドまでの距離に応じて前記２
つの光スポットの照射位置の間隔を変化させる手段を設
けたことを特徴とする光磁気記録再生装置。
【請求項２】前記２つの光スポットの照射位置の間隔を
変化させる手段として、前記対物レンズと前記光磁気記
録媒体上に集光された光スポット位置（以下焦点と記
す）間の距離を可変する手段を設けたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録再生装置。
【請求項３】前記対物レンズと前記焦点間の距離を可変
する手段として、該対物レンズに電圧あるいは電流等の
電気的信号を印加することにより該対物レンズ自身の焦
点距離が変化する可変焦点レンズを用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第２項記載の光磁気記録再生装置。
【請求項４】前記光ヘッドは、光源、コリメートレンズ
および対物レンズを備え、前記対物レンズと前記焦点間
の距離を可変する手段として、前記光源、コリメートレ
ンズおよび対物レンズの結合により構成される結像光学
系のうち、該光源またはコリメートレンズを光軸上に可
変させる手段を用いたことを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載の光磁気記録再生装置。
【請求項５】特許請求の範囲第１項、第２項、第３項ま
たは第４項記載の光磁気記録再生装置において、前記光
ヘッド構成の２つの光源からの光ビームの所定傾斜角度
を、前記対物レンズと前記焦点間の距離を可変する手段
の可変量（ΔＬ）と最小焦点距離（Ｌ）との比（Ｌ＋Δ
L/L）が、前記光磁気記録媒体の最内周トラック径（R
1）と最外周トラック径（R2）との比（R2/R1）に等しい
かそれ以上（R2/R1≦（Ｌ＋ΔL/L））になる角度とした
ことを特徴とする光磁気記録再生装置。