JPH0773431A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH0773431A JPH0773431A JP22085393A JP22085393A JPH0773431A JP H0773431 A JPH0773431 A JP H0773431A JP 22085393 A JP22085393 A JP 22085393A JP 22085393 A JP22085393 A JP 22085393A JP H0773431 A JPH0773431 A JP H0773431A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁性粒子間に働く磁気的な相互作用を示すδＭ
のピーク値と保磁力、および磁性層の膜厚を制御するこ
とにより電磁変換特性に優れた金属薄膜媒体を提供す
る。 【構成】厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上にＣｏ−ＮｉないしＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒを酸素中
で斜め蒸着し、Ｃｏ−Ｎｉ−ＯないしＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
−Ｏ柱状微粒子からなる磁気記録層を多層構成で形成し
た。全磁性層膜厚が０.１μｍ から０.１８μｍ となる
薄膜媒体において、δＭのピーク値が−０.５ 以上−
０.０５ 以下で、保磁力が１２００Ｏｅ以上１８００Ｏ
ｅ以下となる媒体は良好なＳ／Ｎを示す連続薄膜型媒体
となる。
のピーク値と保磁力、および磁性層の膜厚を制御するこ
とにより電磁変換特性に優れた金属薄膜媒体を提供す
る。 【構成】厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上にＣｏ−ＮｉないしＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒを酸素中
で斜め蒸着し、Ｃｏ−Ｎｉ−ＯないしＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
−Ｏ柱状微粒子からなる磁気記録層を多層構成で形成し
た。全磁性層膜厚が０.１μｍ から０.１８μｍ となる
薄膜媒体において、δＭのピーク値が−０.５ 以上−
０.０５ 以下で、保磁力が１２００Ｏｅ以上１８００Ｏ
ｅ以下となる媒体は良好なＳ／Ｎを示す連続薄膜型媒体
となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はデジタルＶＴＲなどの高
密度記録に適する、強磁性金属薄膜を記録層とする磁気
テープに関する。
密度記録に適する、強磁性金属薄膜を記録層とする磁気
テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜型の磁気テープには、ポリエチレン
テレフタレートフィルム上にＣｏ，Ｃｏ−Ｎｉ等を適当
な雰囲気中で蒸着し、結晶を柱状微粒子に成長させた強
磁性金属薄膜を磁気記録層として配したものが実用化さ
れている。現在記録密度が最も高いハイバンド８ミリ用
の蒸着テープでは、この蒸着膜が単層よりなる磁気テー
プが広く普及しているが、さらなる高Ｓ／Ｎ化のため
に、磁性層を薄く、蒸着を二回以上繰り返した重層構造
のものも実用化されている。これは磁気記録に直接関与
する柱状微粒子を多層化することにより微細化し、Ｓ／
Ｎを高めようとするものである。
テレフタレートフィルム上にＣｏ，Ｃｏ−Ｎｉ等を適当
な雰囲気中で蒸着し、結晶を柱状微粒子に成長させた強
磁性金属薄膜を磁気記録層として配したものが実用化さ
れている。現在記録密度が最も高いハイバンド８ミリ用
の蒸着テープでは、この蒸着膜が単層よりなる磁気テー
プが広く普及しているが、さらなる高Ｓ／Ｎ化のため
に、磁性層を薄く、蒸着を二回以上繰り返した重層構造
のものも実用化されている。これは磁気記録に直接関与
する柱状微粒子を多層化することにより微細化し、Ｓ／
Ｎを高めようとするものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが重層構造媒体
のように柱状粒子の数を増加させ、統計的にゆらぎの数
を低減し低ノイズ化を図ろうとしても、磁性層の膜厚が
０.１μｍ 以上と厚い場合には粒子間に働く静磁気的な
相互作用が強く、その影響で記録磁化は乱され再生特性
に悪影響を及ぼすことになる。つまり、Ｓ／Ｎ比が優れ
た媒体を提供するためには、磁気的な相互作用を可能な
限り抑えることが重要である。従来技術は媒体ノイズと
磁気的な相互作用の関係については触れられておらず、
どのくらいの相互作用の大きさでＳ／Ｎがどれほど得ら
れるか明確でない。そのため、磁性粒子間に働く磁気的
な相互作用が小さく、さらにデジタルＶＴＲ等の電磁変
換特性に優れた磁気記録媒体が得られていない。
のように柱状粒子の数を増加させ、統計的にゆらぎの数
を低減し低ノイズ化を図ろうとしても、磁性層の膜厚が
０.１μｍ 以上と厚い場合には粒子間に働く静磁気的な
相互作用が強く、その影響で記録磁化は乱され再生特性
に悪影響を及ぼすことになる。つまり、Ｓ／Ｎ比が優れ
た媒体を提供するためには、磁気的な相互作用を可能な
限り抑えることが重要である。従来技術は媒体ノイズと
磁気的な相互作用の関係については触れられておらず、
どのくらいの相互作用の大きさでＳ／Ｎがどれほど得ら
れるか明確でない。そのため、磁性粒子間に働く磁気的
な相互作用が小さく、さらにデジタルＶＴＲ等の電磁変
換特性に優れた磁気記録媒体が得られていない。
【０００４】本発明の目的は、磁性層の膜構造等を制御
し、磁性粒子間に働く磁気的な相互作用を示すδＭプロ
ットのピーク値と、保磁力を適正化することにより、出
力を確保したまま再生時のノイズを低減する電磁変換特
性の優れた金属薄膜媒体を提供することにある。
し、磁性粒子間に働く磁気的な相互作用を示すδＭプロ
ットのピーク値と、保磁力を適正化することにより、出
力を確保したまま再生時のノイズを低減する電磁変換特
性の優れた金属薄膜媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、複数層の連
続薄膜金属磁性層から成り、磁性層間に５Å以上100Å
以下の酸素もしくは窒素もしくは炭素富有層が設けられ
ており、全磁性膜厚が０.１μｍ以上０.１８μｍ以下で
あり、長手方向に測定した保磁力の値が1200Oe以上１８
００Ｏｅ以下の範囲で、かつ、磁性層中に存在する柱状
微粒子間に働く磁気的な相互作用を、δＭプロットによ
り測定したδＭのピーク値で−０.５ 以上−０.０５ 以
下の範囲の値とすることで達成される。また、磁性媒体
はＣｏを主成分とし、さらにＯ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，
Ｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｎｂの群から選ばれた少なくとも一種を
含有することが望ましく、さらに磁気テープ状であるこ
とが高いＳ／Ｎを得るために好ましい。
続薄膜金属磁性層から成り、磁性層間に５Å以上100Å
以下の酸素もしくは窒素もしくは炭素富有層が設けられ
ており、全磁性膜厚が０.１μｍ以上０.１８μｍ以下で
あり、長手方向に測定した保磁力の値が1200Oe以上１８
００Ｏｅ以下の範囲で、かつ、磁性層中に存在する柱状
微粒子間に働く磁気的な相互作用を、δＭプロットによ
り測定したδＭのピーク値で−０.５ 以上−０.０５ 以
下の範囲の値とすることで達成される。また、磁性媒体
はＣｏを主成分とし、さらにＯ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，
Ｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｎｂの群から選ばれた少なくとも一種を
含有することが望ましく、さらに磁気テープ状であるこ
とが高いＳ／Ｎを得るために好ましい。
【０００６】
【作用】ＶＴＲ用磁気テープなどの磁気記録媒体では、
保磁力を１２００Ｏｅ以上で磁性層の膜厚を０.１μｍ
以上にしないと、高密度で充分な出力，耐久性が得られ
ない。一方、磁性層の膜厚を厚くしすぎたり保磁力を高
くしすぎたりすると、反磁界のためかえって出力が低下
したり、媒体がカールしたりするので、保磁力は１８０
０Ｏｅ以下、膜厚は０.８μｍ 以下とする必要がある。
しかし、この場合にも媒体からのノイズが大きくなるた
め、磁性層を複数層に分割して粒径を小さくすると共
に、磁性粒子間および層膜の相互作用を低減し、磁化の
統計的なゆらぎを抑えることで、ノイズを低減する必要
がある。
保磁力を１２００Ｏｅ以上で磁性層の膜厚を０.１μｍ
以上にしないと、高密度で充分な出力，耐久性が得られ
ない。一方、磁性層の膜厚を厚くしすぎたり保磁力を高
くしすぎたりすると、反磁界のためかえって出力が低下
したり、媒体がカールしたりするので、保磁力は１８０
０Ｏｅ以下、膜厚は０.８μｍ 以下とする必要がある。
しかし、この場合にも媒体からのノイズが大きくなるた
め、磁性層を複数層に分割して粒径を小さくすると共
に、磁性粒子間および層膜の相互作用を低減し、磁化の
統計的なゆらぎを抑えることで、ノイズを低減する必要
がある。
【０００７】磁性粒子間の相互作用については、磁性体
の初期残留磁化曲線と直流消磁曲線との差を、各印加磁
界に対してプロットしたδＭプロットにより知ることが
できる。
の初期残留磁化曲線と直流消磁曲線との差を、各印加磁
界に対してプロットしたδＭプロットにより知ることが
できる。
【０００８】図２はδＭプロットの求め方を示す。δＭ
プロットは、振動型磁束計により求めた初期残留磁化曲
線Ｉｒ（Ｈ）と飽和残留磁化曲線Ｉｄ（Ｈ）とを規格化
し、次式により求める。
プロットは、振動型磁束計により求めた初期残留磁化曲
線Ｉｒ（Ｈ）と飽和残留磁化曲線Ｉｄ（Ｈ）とを規格化
し、次式により求める。
【０００９】
【数１】 δＭ＝Ｉｄ（Ｈ）−｛１−２・Ｉｒ（Ｈ）｝ 本プロットによると、磁性粒子間で相互作用が働かない
場合にはδＭ（Ｈ）＝０となり、磁性粒子間で相互作用
が働くと残留保磁力近傍にピークを示すようになる。ピ
ーク値δＭが正の場合には、印加磁界の方向に対し磁性
粒子間で互いに強めあうように相互作用が働いているこ
とを示し、ピーク値δＭが負の場合には、印加磁界の方
向に対し磁性粒子間で互いに弱めあうように相互作用が
働いていることを示す。
場合にはδＭ（Ｈ）＝０となり、磁性粒子間で相互作用
が働くと残留保磁力近傍にピークを示すようになる。ピ
ーク値δＭが正の場合には、印加磁界の方向に対し磁性
粒子間で互いに強めあうように相互作用が働いているこ
とを示し、ピーク値δＭが負の場合には、印加磁界の方
向に対し磁性粒子間で互いに弱めあうように相互作用が
働いていることを示す。
【００１０】したがって、磁性層を多層化し、層間を酸
化，窒化，炭化等の処理により略非磁性化した界面層を
設けることなどの方法により、結晶粒の育成を阻害する
ことで結晶粒を微細化し、さらに各層の交換相互作用力
を低減することで媒体の磁化のゆらぎ、すなわち、ノイ
ズを低減できる。本効果はこの界面層の膜厚が実質的な
連続膜である５Å以上であれば認められた。
化，窒化，炭化等の処理により略非磁性化した界面層を
設けることなどの方法により、結晶粒の育成を阻害する
ことで結晶粒を微細化し、さらに各層の交換相互作用力
を低減することで媒体の磁化のゆらぎ、すなわち、ノイ
ズを低減できる。本効果はこの界面層の膜厚が実質的な
連続膜である５Å以上であれば認められた。
【００１１】このときδＭのピーク値は−０.５ 以上に
できる。この界面層の厚みを厚くし過ぎると、δＭのピ
ーク値を−０.０５ よりも大きくできるが、かえって出
力が低減しＳ／Ｎが劣化するので、界面層は１００Å以
下にする必要がある。すなわち、δＭのピーク値を−
０.５ 以上−０.０５ 以下とすれば高Ｓ／Ｎ化が達成で
きる。本媒体は通常斜め蒸着法によって形成できるが、
ＣｏにＯ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｎｂから
なる群の少なくとも一種を含有させることで粒界構造を
適正化し、安定にノイズを低減できるので特に好まし
い。また、本媒体は膜厚が０.１μｍ 以上と厚いので、
テープ状としての接触状態で記録すれば、特に記録消去
が容易なので好ましい。以上、上記した条件を満たすこ
とにより、良好なＳ／Ｎを示す磁気記録媒体を提供する
ことができる。
できる。この界面層の厚みを厚くし過ぎると、δＭのピ
ーク値を−０.０５ よりも大きくできるが、かえって出
力が低減しＳ／Ｎが劣化するので、界面層は１００Å以
下にする必要がある。すなわち、δＭのピーク値を−
０.５ 以上−０.０５ 以下とすれば高Ｓ／Ｎ化が達成で
きる。本媒体は通常斜め蒸着法によって形成できるが、
ＣｏにＯ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｎｂから
なる群の少なくとも一種を含有させることで粒界構造を
適正化し、安定にノイズを低減できるので特に好まし
い。また、本媒体は膜厚が０.１μｍ 以上と厚いので、
テープ状としての接触状態で記録すれば、特に記録消去
が容易なので好ましい。以上、上記した条件を満たすこ
とにより、良好なＳ／Ｎを示す磁気記録媒体を提供する
ことができる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の概要につ
いて説明する。図１は本発明の一実施例の磁気記録媒体
の断面図である。図１で１はポリエチレンテレフタレー
ト，ポリエチレン−２，６−ナフタレート，ポリイミ
ド，ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスル
ファイド等の高分子フィルムで、必要に応じて、微粒子
を均一分散塗布或いは、不連続被膜内に分散塗布したも
のを用いてもよい。２から３は傾斜した柱状粒子で、Ｃ
ｏを主成分とし、Ｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｂ，Ｔａ，
Ｖ，Ｎｂからなる群の少なくとも一種を含有した粒子
で、この図では二層構造になっている。４は保護潤滑層
で、炭素膜，酸化膜，プラズマ重合膜、脂肪酸，パーフ
ルオロアルキシカルボン酸，パーフルオロポリエーテル
等を用いることができる。５は樹脂とフィラーとを混合
分散したバックコート層である。６はプラズマ処理によ
り設けられた酸化層もしくは窒化層である。以下に上記
に示した構造をした媒体の詳しい比較例と実施例を示
す。
いて説明する。図１は本発明の一実施例の磁気記録媒体
の断面図である。図１で１はポリエチレンテレフタレー
ト，ポリエチレン−２，６−ナフタレート，ポリイミ
ド，ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスル
ファイド等の高分子フィルムで、必要に応じて、微粒子
を均一分散塗布或いは、不連続被膜内に分散塗布したも
のを用いてもよい。２から３は傾斜した柱状粒子で、Ｃ
ｏを主成分とし、Ｏ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｂ，Ｔａ，
Ｖ，Ｎｂからなる群の少なくとも一種を含有した粒子
で、この図では二層構造になっている。４は保護潤滑層
で、炭素膜，酸化膜，プラズマ重合膜、脂肪酸，パーフ
ルオロアルキシカルボン酸，パーフルオロポリエーテル
等を用いることができる。５は樹脂とフィラーとを混合
分散したバックコート層である。６はプラズマ処理によ
り設けられた酸化層もしくは窒化層である。以下に上記
に示した構造をした媒体の詳しい比較例と実施例を示
す。
【００１３】（比較例１）厚み１０μｍのポリエチレン
テレフタレートフィルム上にＣｏ−Ｎｉ（Ｎｉ；２０ｗ
ｔ％）を酸素雰囲気中で斜め蒸着し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ柱
状微粒子からなる磁気記録層を、一層構成で形成した。
この時のＣｏを含有する強磁性よりなる柱状粒子の立上
り角度を４０°以上とし、酸素導入量は１００cc／min
から４００cc／min の範囲内で適当な量にした。磁性膜
厚を０.０５ μｍから０.３０μｍの範囲内で２０種類
の磁気テープを製造した。また、単層媒体と同様な成膜
条件で、第一層目の磁性膜を、その厚みが０.０１μｍ
から０.２９μｍの範囲内となるように製造した後、第
一層目の表面が５Åより厚くは酸化されることなしに、
全磁性膜厚が０.０５μｍから０.３０μｍの範囲内とな
るように第二層目を形成した磁気テープを２０種類製造
した。製造した単層媒体及び二層媒体について各サンプ
ルでδＭのピーク値，保磁力、およびＳ／Ｎ比を調べ
た。保磁力については、８００Ｏｅから２０００Ｏｅま
での範囲内で分布したが、δＭプロットのピーク値は−
０.５５から−０.８５の範囲内であった。またＳ／Ｎに
ついては、現製品をリファレンステープとして比較をお
こなった。二層媒体で若干の向上は認められたものの、
いずれの媒体においてもＳ／Ｎ比で＋１.０ｄＢ 以上の
向上は認められなかった。ここでノイズは７ＭＨｚの遠
方ノイズを測定した。また膜厚とＳ／Ｎ比の関係につい
て統計的に調べたところ、単層媒体および二層媒体のい
ずれのテープにおいても全磁性層膜厚を０.１０μｍ未
満および０.８μｍよりも大きくした時には、Ｓ／Ｎ比
はかえって劣化した。
テレフタレートフィルム上にＣｏ−Ｎｉ（Ｎｉ；２０ｗ
ｔ％）を酸素雰囲気中で斜め蒸着し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ柱
状微粒子からなる磁気記録層を、一層構成で形成した。
この時のＣｏを含有する強磁性よりなる柱状粒子の立上
り角度を４０°以上とし、酸素導入量は１００cc／min
から４００cc／min の範囲内で適当な量にした。磁性膜
厚を０.０５ μｍから０.３０μｍの範囲内で２０種類
の磁気テープを製造した。また、単層媒体と同様な成膜
条件で、第一層目の磁性膜を、その厚みが０.０１μｍ
から０.２９μｍの範囲内となるように製造した後、第
一層目の表面が５Åより厚くは酸化されることなしに、
全磁性膜厚が０.０５μｍから０.３０μｍの範囲内とな
るように第二層目を形成した磁気テープを２０種類製造
した。製造した単層媒体及び二層媒体について各サンプ
ルでδＭのピーク値，保磁力、およびＳ／Ｎ比を調べ
た。保磁力については、８００Ｏｅから２０００Ｏｅま
での範囲内で分布したが、δＭプロットのピーク値は−
０.５５から−０.８５の範囲内であった。またＳ／Ｎに
ついては、現製品をリファレンステープとして比較をお
こなった。二層媒体で若干の向上は認められたものの、
いずれの媒体においてもＳ／Ｎ比で＋１.０ｄＢ 以上の
向上は認められなかった。ここでノイズは７ＭＨｚの遠
方ノイズを測定した。また膜厚とＳ／Ｎ比の関係につい
て統計的に調べたところ、単層媒体および二層媒体のい
ずれのテープにおいても全磁性層膜厚を０.１０μｍ未
満および０.８μｍよりも大きくした時には、Ｓ／Ｎ比
はかえって劣化した。
【００１４】（実施例１）厚み１０μｍのポリエチレン
テレフタレートフィルム上にＣｏ−Ｎｉ（Ｎｉ；２０ｗ
ｔ％）を酸素中で斜め蒸着し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ柱状微粒
子からなる磁気記録層を二層構成で形成した。ここでま
ず酸素導入量は１００cc／min から４００cc／min の範
囲内とし、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏよりなる柱状粒子の立上り角
度については４０°以上とし、膜厚を０.０１μｍから
０.１７μｍとして第一層を形成した。ついで表面を酸
素プラズマ中でアッシング処理し、表面を５Åないし１
００Å酸化させた。さらにテープを逆方向に走行させ、
蒸着方向は第一層とは逆向きにして、第一層と同一の条
件で全膜厚が０.１０μｍ以上０.１８μｍ以下となるよ
うに、第二層目を形成した磁気テープを２０種類製造し
た。各サンプルでδＭのピーク値，保磁力、およびＳ／
Ｎ比を調べた。表１に膜厚を０.１８μｍ ，0.15μｍ，
０.１０μｍ としたときの、代表的なδＭのピーク値と
保磁力の値、およびＳ／Ｎ比を示す。
テレフタレートフィルム上にＣｏ−Ｎｉ（Ｎｉ；２０ｗ
ｔ％）を酸素中で斜め蒸着し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ柱状微粒
子からなる磁気記録層を二層構成で形成した。ここでま
ず酸素導入量は１００cc／min から４００cc／min の範
囲内とし、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏよりなる柱状粒子の立上り角
度については４０°以上とし、膜厚を０.０１μｍから
０.１７μｍとして第一層を形成した。ついで表面を酸
素プラズマ中でアッシング処理し、表面を５Åないし１
００Å酸化させた。さらにテープを逆方向に走行させ、
蒸着方向は第一層とは逆向きにして、第一層と同一の条
件で全膜厚が０.１０μｍ以上０.１８μｍ以下となるよ
うに、第二層目を形成した磁気テープを２０種類製造し
た。各サンプルでδＭのピーク値，保磁力、およびＳ／
Ｎ比を調べた。表１に膜厚を０.１８μｍ ，0.15μｍ，
０.１０μｍ としたときの、代表的なδＭのピーク値と
保磁力の値、およびＳ／Ｎ比を示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】δＭのピーク値が−０.５ 以上で、保磁力
が１２００Ｏｅ以上となる媒体は、リファレンステープ
に比べ＋２.０ｄＢ 以上の出力向上が認められた。ここ
で第一層と第二層の膜厚については、第二層を第一層に
比べて厚くしたほうが高い出力が得られ、特に好ましか
った。なお比較例として磁性膜厚が０.２０μｍ と０.
０８μｍ の媒体も試作したが、保磁力およびδＭのピ
ーク値の関係に請求項をみたす媒体はなく、Ｓ／Ｎもリ
ファレンステープと比べて、ほぼ同等もしくは劣化した
ものが多かった。
が１２００Ｏｅ以上となる媒体は、リファレンステープ
に比べ＋２.０ｄＢ 以上の出力向上が認められた。ここ
で第一層と第二層の膜厚については、第二層を第一層に
比べて厚くしたほうが高い出力が得られ、特に好ましか
った。なお比較例として磁性膜厚が０.２０μｍ と０.
０８μｍ の媒体も試作したが、保磁力およびδＭのピ
ーク値の関係に請求項をみたす媒体はなく、Ｓ／Ｎもリ
ファレンステープと比べて、ほぼ同等もしくは劣化した
ものが多かった。
【００１７】（実施例２）厚み１０μｍのポリエチレン
テレフタレートフィルム上にＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ（Ｎｉ；
１０ｗｔ％，Ｃｒ；１０ｗｔ％）を酸素中で斜め蒸着
し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ柱状微粒子からなる磁気記録層
を、３層構成で形成した。成膜中に酸素８０％，窒素２
０％の混合ガスを用い、その導入量を１００cc／min か
ら４００cc／min の範囲内とし、柱状粒子の立上り角度
を４０°以上となるように蒸着入射角を調整し、膜厚を
０.０５μｍから０.１７μｍの第一層を形成した。つい
で表面を混合ガスでプラズマ処理し、５Åから１００Å
酸窒化した。さらにテープを逆方向に走行させ、蒸着方
向は第一層とは逆向きにして第二層を第一層と同一の条
件で形成した後、表面を上記混合ガスでプラズマ処理
し、さらにテープを逆方向に走行させ、蒸着方向は第二
層とは逆向きにして第三層を第一層と同一の条件で、全
膜厚が０.１μｍ 以上０.１８μｍ 以下の範囲内で２０
種類製造した。各サンプルでδＭのピーク値，保磁力、
およびＳ／Ｎ比を調べた。表２に膜厚が0.18μｍ，０.
１５μｍ，０.１０μｍのときの代表的なδＭのピーク
値と保磁力の関係、およびＳ／Ｎ比を示す。
テレフタレートフィルム上にＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ（Ｎｉ；
１０ｗｔ％，Ｃｒ；１０ｗｔ％）を酸素中で斜め蒸着
し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ柱状微粒子からなる磁気記録層
を、３層構成で形成した。成膜中に酸素８０％，窒素２
０％の混合ガスを用い、その導入量を１００cc／min か
ら４００cc／min の範囲内とし、柱状粒子の立上り角度
を４０°以上となるように蒸着入射角を調整し、膜厚を
０.０５μｍから０.１７μｍの第一層を形成した。つい
で表面を混合ガスでプラズマ処理し、５Åから１００Å
酸窒化した。さらにテープを逆方向に走行させ、蒸着方
向は第一層とは逆向きにして第二層を第一層と同一の条
件で形成した後、表面を上記混合ガスでプラズマ処理
し、さらにテープを逆方向に走行させ、蒸着方向は第二
層とは逆向きにして第三層を第一層と同一の条件で、全
膜厚が０.１μｍ 以上０.１８μｍ 以下の範囲内で２０
種類製造した。各サンプルでδＭのピーク値，保磁力、
およびＳ／Ｎ比を調べた。表２に膜厚が0.18μｍ，０.
１５μｍ，０.１０μｍのときの代表的なδＭのピーク
値と保磁力の関係、およびＳ／Ｎ比を示す。
【００１８】
【表２】
【００１９】δＭのピーク値が−０.５ 以上で、保磁力
が１２００Ｏｅ以上１８００Ｏｅ以下となる媒体はリフ
ァレンステープに比べ＋２.０ｄＢ 以上の出力向上が認
められた。なおδＭのピーク値が−０.０５ 以下の媒体
は製造不可能であった。なお、媒体の耐久性を実際のＶ
ＴＲで評価したところ、特に優れた耐久性を示した。膜
厚を０.２０μｍおよび０.０８μｍの媒体を比較例とし
て作成したが、保磁力およびδＭのピーク値の関係に上
記請求項をみたす媒体はなく、Ｓ／Ｎもリファレンステ
ープと比べて、ほぼ同等もしくは劣化したものが多かっ
た。
が１２００Ｏｅ以上１８００Ｏｅ以下となる媒体はリフ
ァレンステープに比べ＋２.０ｄＢ 以上の出力向上が認
められた。なおδＭのピーク値が−０.０５ 以下の媒体
は製造不可能であった。なお、媒体の耐久性を実際のＶ
ＴＲで評価したところ、特に優れた耐久性を示した。膜
厚を０.２０μｍおよび０.０８μｍの媒体を比較例とし
て作成したが、保磁力およびδＭのピーク値の関係に上
記請求項をみたす媒体はなく、Ｓ／Ｎもリファレンステ
ープと比べて、ほぼ同等もしくは劣化したものが多かっ
た。
【００２０】実施例はＣｏ−Ｎｉを主成分とした媒体で
試みたが、Ｃｏ−Ｏ，，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ
−Ｂ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等のＣｏを含有す
る他の強磁性媒体にも、上記の関係が成立した。また酸
素，窒素だけでなくメタン等の炭素含有ガスで表面を炭
化しても同様の効果が認められ、さらにこのようなプラ
ズマ処理界面層を形成するのではなく、酸化層，窒化
層，炭化層等を物理蒸着法で別途設けても良い。
試みたが、Ｃｏ−Ｏ，，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｍｏ，Ｃｏ
−Ｂ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等のＣｏを含有す
る他の強磁性媒体にも、上記の関係が成立した。また酸
素，窒素だけでなくメタン等の炭素含有ガスで表面を炭
化しても同様の効果が認められ、さらにこのようなプラ
ズマ処理界面層を形成するのではなく、酸化層，窒化
層，炭化層等を物理蒸着法で別途設けても良い。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、連続薄膜強磁性体を磁
性層とする磁気記録媒体において、磁性膜を多層にし、
各層の表面をプラズマ処理して、５Å以上１００Å以下
の酸素膜もしくは窒素膜、もしくは炭素膜を設け、磁性
膜全厚を０.１μｍ以上０.１８μｍ以下にし、かつ長手
方向の保磁力を１２００Ｏｅ以上１８００Ｏｅ以下に
し、かつ磁性粒子間の静磁気的な相互作用を示す指標と
なるδＭプロットのピーク値を−０.５ 以上−０.０５
以下の範囲内とすることにより、Ｓ／Ｎ比及び耐久性が
優れた媒体を提供することができる。
性層とする磁気記録媒体において、磁性膜を多層にし、
各層の表面をプラズマ処理して、５Å以上１００Å以下
の酸素膜もしくは窒素膜、もしくは炭素膜を設け、磁性
膜全厚を０.１μｍ以上０.１８μｍ以下にし、かつ長手
方向の保磁力を１２００Ｏｅ以上１８００Ｏｅ以下に
し、かつ磁性粒子間の静磁気的な相互作用を示す指標と
なるδＭプロットのピーク値を−０.５ 以上−０.０５
以下の範囲内とすることにより、Ｓ／Ｎ比及び耐久性が
優れた媒体を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例の磁気記録媒体の断面図。
【図２】本発明の磁気相互作用を表わすδＭプロットの
求めかたを示した説明図。
求めかたを示した説明図。
１…高分子フィルム、２…磁性層、３…磁性層、４…保
護潤滑層、５…バックコート層、６…酸化層もしくは窒
化層。
護潤滑層、５…バックコート層、６…酸化層もしくは窒
化層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥脇 東洋治 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】複数層の金属磁性層からなり、全磁性膜厚
が０.１μｍ以上０.１８μｍ以下の磁気記録媒体におい
て、長手方向に測定した保磁力の値が１２００Ｏｅ以上
1800Ｏｅ以下の範囲で、δＭプロットにより測定したδ
Ｍのピーク値が−０.５ 以上−０.０５以下の範囲内で
あることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】請求項１において、上記磁気記録媒体はＣ
ｏを主成分とし、さらにＯ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｂ，Ｔ
ａ，Ｖ，Ｎｂからなる群の少なくとも一種を含む磁気記
録媒体。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記金属磁性
層間に５Å以上１００Å以下の厚みで、酸素、もしくは
窒素もしくは炭素富有層が設けられている連続薄膜型磁
気記録媒体。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、前記磁気
記録媒体は、連続薄膜型磁気テープである磁気記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22085393A JPH0773431A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22085393A JPH0773431A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773431A true JPH0773431A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16757570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22085393A Pending JPH0773431A (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773431A (ja) |
-
1993
- 1993-09-06 JP JP22085393A patent/JPH0773431A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040203 |