JPH0773098A - データ書き込み方法 - Google Patents
データ書き込み方法Info
- Publication number
- JPH0773098A JPH0773098A JP21768593A JP21768593A JPH0773098A JP H0773098 A JPH0773098 A JP H0773098A JP 21768593 A JP21768593 A JP 21768593A JP 21768593 A JP21768593 A JP 21768593A JP H0773098 A JPH0773098 A JP H0773098A
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- Japan
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- data
- block
- flash memory
- file
- memory
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- Pending
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- Memory System (AREA)
- Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのデータ消去が
ブロック単位となっていることに対応して、データ消去
に際に、必要なファイルのデータを消去しないで済むデ
ータの書き込み方法の提供を目的としている。 【構成】 ＮＡＮＤ型フラッシュメモリをデータ記録媒
体として用いたデータ記録再生装置におけるデータ書き
込み方法において、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに
定められている１ブロックの整数倍単位をデータ１ファ
イル当りの書き込み範囲として、同一ブロック内には他
のファイルのデータを書き込まないようにした。
ブロック単位となっていることに対応して、データ消去
に際に、必要なファイルのデータを消去しないで済むデ
ータの書き込み方法の提供を目的としている。 【構成】 ＮＡＮＤ型フラッシュメモリをデータ記録媒
体として用いたデータ記録再生装置におけるデータ書き
込み方法において、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに
定められている１ブロックの整数倍単位をデータ１ファ
イル当りの書き込み範囲として、同一ブロック内には他
のファイルのデータを書き込まないようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】ＮＡＮＤ型フラッシュメモリをデ
ータ記録媒体として用いたデータ記録再生装置のデータ
書き込み方法に関するものである。
ータ記録媒体として用いたデータ記録再生装置のデータ
書き込み方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、データの記録再生をおこなう
ために、データを記録しておくものとして種々の半導体
メモリが知られている。半導体メモリのうち、電源を切
ってもデータが消えないデータ不揮発性のメモリである
ＲＯＭ（Read Only Memory )があり、該ＲＯＭにもいろ
いろ種類があって、製造時にデータを書き込み、使用者
側ではデータを書き込むことができないマスクＲＯＭ
や、マスクＲＯＭよりは高価ではあるが使用者側でデー
タを書き換えることができるＰＲＯＭ（Programmable
ＲＯＭ）等がある。ＰＲＯＭもその消去方法の違いによ
って、ＵＶＥＰＲＯＭ（ＵＶ Erasable ＰＲＯＭ）、Ｅ
ＥＰＲＯＭ（Electrical Erasable ＰＲＯＭ）等に分類
することができる。
ために、データを記録しておくものとして種々の半導体
メモリが知られている。半導体メモリのうち、電源を切
ってもデータが消えないデータ不揮発性のメモリである
ＲＯＭ（Read Only Memory )があり、該ＲＯＭにもいろ
いろ種類があって、製造時にデータを書き込み、使用者
側ではデータを書き込むことができないマスクＲＯＭ
や、マスクＲＯＭよりは高価ではあるが使用者側でデー
タを書き換えることができるＰＲＯＭ（Programmable
ＲＯＭ）等がある。ＰＲＯＭもその消去方法の違いによ
って、ＵＶＥＰＲＯＭ（ＵＶ Erasable ＰＲＯＭ）、Ｅ
ＥＰＲＯＭ（Electrical Erasable ＰＲＯＭ）等に分類
することができる。
【０００３】ＥＥＰＲＯＭには、その書き換え方式の違
いにより、１バイト毎に書き換えが可能な従来型のＥＥ
ＰＲＯＭと、一度に全バイト又は選択されたブロックを
電気的に消去して、消去した部分に電気的に書き込みを
おこなうフラッシュＥＥＰＲＯＭ（以下、フラッシュメ
モリという。）とがある。フラッシュメモリにも、その
メモリセル構成の違いでＮＯＲ型フラッシュメモリとＮ
ＡＮＤ型フラッシュメモリ等があり、ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリは、あるまとまった単位のデータの動作で考
えると、書き込み、消去、読み出し速度が早いことと、
大容量化に適していることから、音声装置に使用されて
いる磁気テープの置き換えやハードディスクやフロッピ
ィディスクの置き換えが考慮されている。
いにより、１バイト毎に書き換えが可能な従来型のＥＥ
ＰＲＯＭと、一度に全バイト又は選択されたブロックを
電気的に消去して、消去した部分に電気的に書き込みを
おこなうフラッシュＥＥＰＲＯＭ（以下、フラッシュメ
モリという。）とがある。フラッシュメモリにも、その
メモリセル構成の違いでＮＯＲ型フラッシュメモリとＮ
ＡＮＤ型フラッシュメモリ等があり、ＮＡＮＤ型フラッ
シュメモリは、あるまとまった単位のデータの動作で考
えると、書き込み、消去、読み出し速度が早いことと、
大容量化に適していることから、音声装置に使用されて
いる磁気テープの置き換えやハードディスクやフロッピ
ィディスクの置き換えが考慮されている。
【０００４】ところで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
は、図２に示すように、ディバイス内部にメインメモリ
１とデータレジスタ３を有しており、該メインメモリは
複数のブロック２で構成されていて、その１つのブロッ
ク２もまた複数のページ（例えば８ページ）で形成され
ている。また、データレジスタは、メインメモリ内の１
ページに該当する所定バイト（例えば２６４バイト）の
記録容量を持っており、メインメモリ内のページ読み出
しやページ書き込みには該データレジスタを介して１ペ
ージ単位でおこなうようになっている。また、データの
消去については、従来の半導体メモリでは１バイトずつ
消去をおこなえばよいのであるが、ＮＡＮＤ型フラッシ
ュメモリの場合にはブロック単位か又はデバイス内の全
バイト一括消去となっている。
は、図２に示すように、ディバイス内部にメインメモリ
１とデータレジスタ３を有しており、該メインメモリは
複数のブロック２で構成されていて、その１つのブロッ
ク２もまた複数のページ（例えば８ページ）で形成され
ている。また、データレジスタは、メインメモリ内の１
ページに該当する所定バイト（例えば２６４バイト）の
記録容量を持っており、メインメモリ内のページ読み出
しやページ書き込みには該データレジスタを介して１ペ
ージ単位でおこなうようになっている。また、データの
消去については、従来の半導体メモリでは１バイトずつ
消去をおこなえばよいのであるが、ＮＡＮＤ型フラッシ
ュメモリの場合にはブロック単位か又はデバイス内の全
バイト一括消去となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、メモリ内に
複数のファイルが書き込まれ、その内の１つのファイル
Ａのデータと他のファイルＢのデータとが１つのブロッ
ク内に書き込まれている場合に、ファイルＡのデータを
消去したいときにも、上述したようにデータの消去がブ
ロック単位となっているので、同一ブロック内にあるフ
ァイルＢのデータも消去せざるを得ないことになる。こ
の場合、消去したくないファイルＢのデータを外部に一
度読み出して、他の記録装置に記録しておき、ファイル
Ａのデータを消去した後、再度メモリに書き込む操作を
おこなう必要があり煩雑となる。
複数のファイルが書き込まれ、その内の１つのファイル
Ａのデータと他のファイルＢのデータとが１つのブロッ
ク内に書き込まれている場合に、ファイルＡのデータを
消去したいときにも、上述したようにデータの消去がブ
ロック単位となっているので、同一ブロック内にあるフ
ァイルＢのデータも消去せざるを得ないことになる。こ
の場合、消去したくないファイルＢのデータを外部に一
度読み出して、他の記録装置に記録しておき、ファイル
Ａのデータを消去した後、再度メモリに書き込む操作を
おこなう必要があり煩雑となる。
【０００６】本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの
データ消去がブロック単位となっていることに対応し
て、データ消去に際に、必要なファイルのデータを消去
しないで済むデータの書き込み方法の提供を目的として
いる。
データ消去がブロック単位となっていることに対応し
て、データ消去に際に、必要なファイルのデータを消去
しないで済むデータの書き込み方法の提供を目的として
いる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＮＡＮＤ型フ
ラッシュメモリをデータ記録媒体として用いたデータ記
録再生装置におけるデータ書き込み方法において、前記
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに定められている１ブロッ
クの整数倍単位をデータ１ファイル当りの書き込み範囲
として、同一ブロック内には他のファイルのデータを書
き込まないようにしたことを特徴としている。
ラッシュメモリをデータ記録媒体として用いたデータ記
録再生装置におけるデータ書き込み方法において、前記
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに定められている１ブロッ
クの整数倍単位をデータ１ファイル当りの書き込み範囲
として、同一ブロック内には他のファイルのデータを書
き込まないようにしたことを特徴としている。
【０００８】
【作用】上述のように構成されているので、書き込むフ
ァイルのデータの量がメインメモリの１ブロックの容量
に満たない場合でも、１ブロックがそのファイルのデー
タの書き込み専有場所となり、他のファイルのデータ
は、そのブロックには書き込まれない。また、書き込む
ファイルのデータの量がメインメモリの１ブロックの容
量の、例えば３．５倍とすると、そのファイルのデータ
の書き込み専有場所は１ブロックの整数倍単位の４ブロ
ックとなり、最後の１ブロックの半分には他のファイル
のデータの書き込みはない。したがって、データの消去
は、消去したいファイル毎に選択しておこなうことがで
きる。
ァイルのデータの量がメインメモリの１ブロックの容量
に満たない場合でも、１ブロックがそのファイルのデー
タの書き込み専有場所となり、他のファイルのデータ
は、そのブロックには書き込まれない。また、書き込む
ファイルのデータの量がメインメモリの１ブロックの容
量の、例えば３．５倍とすると、そのファイルのデータ
の書き込み専有場所は１ブロックの整数倍単位の４ブロ
ックとなり、最後の１ブロックの半分には他のファイル
のデータの書き込みはない。したがって、データの消去
は、消去したいファイル毎に選択しておこなうことがで
きる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。図１は、メモリとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
が用いられているデータ記録再生装置に対しての、本発
明のデータを書き込み方法の一例のフローチャートであ
る。
る。図１は、メモリとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
が用いられているデータ記録再生装置に対しての、本発
明のデータを書き込み方法の一例のフローチャートであ
る。
【００１０】図に示すように、データ書き込みがスター
トすると、先ずスッテップ（以下、単にＳとする。）１
で、メインメモリのどのブロックに書き込むのか指定す
るためブロックアドレスが制御部（不図示）によりセッ
トされる。次に、Ｓ１でセットされたブロック内のペー
ジ、通常、第１ページがセットされる（Ｓ２）。続い
て、データレジスタへデータが入力し始める（Ｓ３）。
次に、データレジスタへのデータの入力が終了したか否
かが判断される（Ｓ４）。データの入力が終了していな
い場合には、入力したデータ量がｎバイトになったか否
かが判断され（Ｓ５）、ｎバイトになっていない場合
は、データレジスタへのデータの入力が続行され、ｎバ
イトになるとメインメモリのＳ２でセットしたページへ
データがロードされる（Ｓ６）。なお、ここでｎバイト
とはデータレジスタの記録容量に該当する。
トすると、先ずスッテップ（以下、単にＳとする。）１
で、メインメモリのどのブロックに書き込むのか指定す
るためブロックアドレスが制御部（不図示）によりセッ
トされる。次に、Ｓ１でセットされたブロック内のペー
ジ、通常、第１ページがセットされる（Ｓ２）。続い
て、データレジスタへデータが入力し始める（Ｓ３）。
次に、データレジスタへのデータの入力が終了したか否
かが判断される（Ｓ４）。データの入力が終了していな
い場合には、入力したデータ量がｎバイトになったか否
かが判断され（Ｓ５）、ｎバイトになっていない場合
は、データレジスタへのデータの入力が続行され、ｎバ
イトになるとメインメモリのＳ２でセットしたページへ
データがロードされる（Ｓ６）。なお、ここでｎバイト
とはデータレジスタの記録容量に該当する。
【００１１】次に、ページアドレスに１を加えたページ
アドレスがセットされる（Ｓ７）。データレジスタの容
量は１ページ分なので、Ｓ２で最初にセットされたペー
ジはロードされたデータで一杯になるので、次のページ
がセットされるのである。続いて、ページ数がＸページ
になったか否かが判断される（Ｓ８）。Ｘページとは、
１ブロック内のページ数で、フラッシュメモリにより異
なる値を持つ場合があり、例えば８ページとか１６ペー
ジとかである。Ｓ８でページがＸページになっていない
場合には、データ入力はそのまま続行し、ページがＸペ
ージになった場合には、書き込み場所が次のブロックに
移されて、データの入力は続行する（Ｓ９）。
アドレスがセットされる（Ｓ７）。データレジスタの容
量は１ページ分なので、Ｓ２で最初にセットされたペー
ジはロードされたデータで一杯になるので、次のページ
がセットされるのである。続いて、ページ数がＸページ
になったか否かが判断される（Ｓ８）。Ｘページとは、
１ブロック内のページ数で、フラッシュメモリにより異
なる値を持つ場合があり、例えば８ページとか１６ペー
ジとかである。Ｓ８でページがＸページになっていない
場合には、データ入力はそのまま続行し、ページがＸペ
ージになった場合には、書き込み場所が次のブロックに
移されて、データの入力は続行する（Ｓ９）。
【００１２】Ｓ４で、データレジスタへのデータ入力が
終了したとされた場合には、データレジスタ内のデータ
数がｎバイトか否かが判断され（Ｓ１０）、ｎバイトに
なっていない場合には、ｎバイトになるまでダミーデー
タを書き込む（Ｓ１１）。レジスタ内のデータがｎバイ
トにならないと、メインメモリへのデータロードがおこ
なわれないからである。データレジスタ内のデータ数が
ｎバイトになっていた場合、又はダミーデータを書き込
んでｎバイトになると、メインメモリの所定のページに
ロードされる（Ｓ１２）。続いて、書き込んだファイル
データのスタートブロックアドレスとエンドブロックア
ドレスとが装置内の制御部に記録される（Ｓ１３）。
終了したとされた場合には、データレジスタ内のデータ
数がｎバイトか否かが判断され（Ｓ１０）、ｎバイトに
なっていない場合には、ｎバイトになるまでダミーデー
タを書き込む（Ｓ１１）。レジスタ内のデータがｎバイ
トにならないと、メインメモリへのデータロードがおこ
なわれないからである。データレジスタ内のデータ数が
ｎバイトになっていた場合、又はダミーデータを書き込
んでｎバイトになると、メインメモリの所定のページに
ロードされる（Ｓ１２）。続いて、書き込んだファイル
データのスタートブロックアドレスとエンドブロックア
ドレスとが装置内の制御部に記録される（Ｓ１３）。
【００１３】このように、音楽や画像データを書き込む
際（圧縮、無圧縮に関わらず）データの入るメモリエリ
アの最少単位を、そのＮＡＮＤ型フラッシュメモリによ
り定められる“１”ブロック分として、それ以上の容量
が必要な場合には必ず“１”ブロックの整数倍の容量を
確保してデータの書き込みをおこなうようにしたのであ
る。
際（圧縮、無圧縮に関わらず）データの入るメモリエリ
アの最少単位を、そのＮＡＮＤ型フラッシュメモリによ
り定められる“１”ブロック分として、それ以上の容量
が必要な場合には必ず“１”ブロックの整数倍の容量を
確保してデータの書き込みをおこなうようにしたのであ
る。
【００１４】なお、本実施例で図示したフローチャート
では、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記録容量について
説明していないが、入力データがフラッシュメモリの記
録容量を上回る場合には、次のフラッシュメモリへと切
り換えられて、書き込まれていく。また、音楽データの
ように、時間的な連続を厳密に必要とするものには、特
願平５−１９２２２７号、特願平５−２０４０２２号に
おいて本出願人が提案したように、ＮＡＮＤ型フラッシ
ュメモリをパラレルに接続したり、あるいはバッファメ
モリを介してデータをフラッシュメモリへ入力するよう
に装置を構成するとよい。
では、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記録容量について
説明していないが、入力データがフラッシュメモリの記
録容量を上回る場合には、次のフラッシュメモリへと切
り換えられて、書き込まれていく。また、音楽データの
ように、時間的な連続を厳密に必要とするものには、特
願平５−１９２２２７号、特願平５−２０４０２２号に
おいて本出願人が提案したように、ＮＡＮＤ型フラッシ
ュメモリをパラレルに接続したり、あるいはバッファメ
モリを介してデータをフラッシュメモリへ入力するよう
に装置を構成するとよい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリをデータ記録媒体として用
いたデータ記録再生装置におけるデータ書き込み方法に
おいて、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに定められて
いる１ブロックの整数倍単位をデータ１ファイル当りの
書き込み範囲として、同一ブロック内には他のファイル
のデータを書き込まないようにしたので、データ消去に
際に、消去したいファイルデータだけを消去することが
でき、必要なファイルのデータを消去しないで済むこと
になる。
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリをデータ記録媒体として用
いたデータ記録再生装置におけるデータ書き込み方法に
おいて、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに定められて
いる１ブロックの整数倍単位をデータ１ファイル当りの
書き込み範囲として、同一ブロック内には他のファイル
のデータを書き込まないようにしたので、データ消去に
際に、消去したいファイルデータだけを消去することが
でき、必要なファイルのデータを消去しないで済むこと
になる。
【図１】本発明に係るデータ書き込み方法の一実施例の
フローチャートである。
フローチャートである。
【図２】ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの構造を説明する
図である。
図である。
１ メインメモリ ２ ブロック ３ データレジスタ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＮＡＮＤ型フラッシュメモリをデータ記
録媒体として用いたデータ記録再生装置におけるデータ
書き込み方法において、 前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに定められている１ブ
ロックの整数倍単位をデータ１ファイル当りの書き込み
範囲として、同一ブロック内には他のファイルのデータ
を書き込まないようにしたことを特徴とするデータ書き
込み方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21768593A JPH0773098A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | データ書き込み方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21768593A JPH0773098A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | データ書き込み方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773098A true JPH0773098A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16708121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21768593A Pending JPH0773098A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | データ書き込み方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773098A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1153248A (ja) * | 1997-08-04 | 1999-02-26 | Tokyo Electron Ltd | データ処理システム、ブロック消去型記憶媒体、及びプログラム記録媒体 |
| JP2006172458A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性保存装置にマルチメディアデータをブロック単位で保存する方法及び装置 |
| JP2008112285A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Toshiba Corp | 不揮発性メモリシステム |
| JP2009135925A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Thomson Licensing | フレームを記録する方法及び装置 |
| WO2010103780A1 (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | パナソニック株式会社 | メモリ管理装置、データ記録装置、及びメモリ領域設定方法 |
| WO2010146767A1 (ja) * | 2009-06-18 | 2010-12-23 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置、アクセス装置、不揮発性記憶システム及びメモリコントローラ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05189981A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Toshiba Corp | フラッシュ型ｅｅｐｒｏｍおよびそのフラッシュ型ｅｅｐｒｏｍを使用した電子計算機システム |
-
1993
- 1993-09-01 JP JP21768593A patent/JPH0773098A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05189981A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Toshiba Corp | フラッシュ型ｅｅｐｒｏｍおよびそのフラッシュ型ｅｅｐｒｏｍを使用した電子計算機システム |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1153248A (ja) * | 1997-08-04 | 1999-02-26 | Tokyo Electron Ltd | データ処理システム、ブロック消去型記憶媒体、及びプログラム記録媒体 |
| JP2006172458A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性保存装置にマルチメディアデータをブロック単位で保存する方法及び装置 |
| JP2008112285A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Toshiba Corp | 不揮発性メモリシステム |
| JP2009135925A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Thomson Licensing | フレームを記録する方法及び装置 |
| WO2010103780A1 (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-16 | パナソニック株式会社 | メモリ管理装置、データ記録装置、及びメモリ領域設定方法 |
| WO2010146767A1 (ja) * | 2009-06-18 | 2010-12-23 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置、アクセス装置、不揮発性記憶システム及びメモリコントローラ |
| US8554987B2 (en) | 2009-06-18 | 2013-10-08 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory system for improving stream data writing |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960423 |