JPH077100A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH077100A JPH077100A JP5145906A JP14590693A JPH077100A JP H077100 A JPH077100 A JP H077100A JP 5145906 A JP5145906 A JP 5145906A JP 14590693 A JP14590693 A JP 14590693A JP H077100 A JPH077100 A JP H077100A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- case
- protrusion
- semiconductor device
- resin case
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、半導体装置のパッケージに着
目して、その耐湿性を向上させる構造を提供することに
ある。 【構成】本発明は、図１に示すように、ハードレジン１
１との接合面に突起９ｂを設けた樹脂ケースを採用する
ことにより、耐湿性の向上を図ったパッケージ構造であ
る。 【効果】本構造を採用することにより、パッケージ内部
への水分浸入を防止し、半導体素子の特性劣化を防ぐこ
とが出来る。
目して、その耐湿性を向上させる構造を提供することに
ある。 【構成】本発明は、図１に示すように、ハードレジン１
１との接合面に突起９ｂを設けた樹脂ケースを採用する
ことにより、耐湿性の向上を図ったパッケージ構造であ
る。 【効果】本構造を採用することにより、パッケージ内部
への水分浸入を防止し、半導体素子の特性劣化を防ぐこ
とが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高い耐湿性を得るため
のパッケージ構造に関する。
のパッケージ構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】パワーモジュールでは、従来、半導体素
子を熱可塑性樹脂のケースで囲い、ソフトレジン、及び
ハードレジンを注入，硬化させることによりモールドす
る構造を有している。従来構造では、高温，高湿の環境
下において、ケースとハードレジンの接着界面からモジ
ュール内部に水が浸入し、半導体素子の特性に悪影響を
及ぼすことが問題である。従来、耐湿性向上対策とし
て、図２に示すようなハードレジン１１と接着するケー
ス９ａの上部に段差をもうけ、接着面積を増大する構造
が採用されているが、十分な効果が得られない。内部に
注入されているソフトレジン１０の熱膨張係数は、約３
００×１０-6／℃と、他の部材に比べ桁違いに大きく、
高温，高湿の環境下においては、ソフトレジン１０の膨
張により、ケース９ａの内側面及び、配線リードと樹脂
ケースが一体となった構造の端子ブロック７（以下、単
に端子ブロック７とする。）に大きな内圧が加わり、ケ
ース９ａとハードレジン１１の接着面に剥離を生じ、外
部から水の浸入，内部ソフトレジン１０の流出に至ると
いう問題がある。また、従来構造では、ソフトレジン１
０注入作業時に、ソフトレジン１０がケース９ａ内側面
を這い上がり、上部、ハードレジン１１との接着面に達
し、ケース９ａとハードレジン１１との接着強度を低下
させるという問題がある。半導体装置においては、高い
耐湿性を得ることが、信頼性確保の上で重要である。
子を熱可塑性樹脂のケースで囲い、ソフトレジン、及び
ハードレジンを注入，硬化させることによりモールドす
る構造を有している。従来構造では、高温，高湿の環境
下において、ケースとハードレジンの接着界面からモジ
ュール内部に水が浸入し、半導体素子の特性に悪影響を
及ぼすことが問題である。従来、耐湿性向上対策とし
て、図２に示すようなハードレジン１１と接着するケー
ス９ａの上部に段差をもうけ、接着面積を増大する構造
が採用されているが、十分な効果が得られない。内部に
注入されているソフトレジン１０の熱膨張係数は、約３
００×１０-6／℃と、他の部材に比べ桁違いに大きく、
高温，高湿の環境下においては、ソフトレジン１０の膨
張により、ケース９ａの内側面及び、配線リードと樹脂
ケースが一体となった構造の端子ブロック７（以下、単
に端子ブロック７とする。）に大きな内圧が加わり、ケ
ース９ａとハードレジン１１の接着面に剥離を生じ、外
部から水の浸入，内部ソフトレジン１０の流出に至ると
いう問題がある。また、従来構造では、ソフトレジン１
０注入作業時に、ソフトレジン１０がケース９ａ内側面
を這い上がり、上部、ハードレジン１１との接着面に達
し、ケース９ａとハードレジン１１との接着強度を低下
させるという問題がある。半導体装置においては、高い
耐湿性を得ることが、信頼性確保の上で重要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体装置の高耐湿性要求に対応した信頼性を確保するパッ
ケージ構造を提供することにある。
体装置の高耐湿性要求に対応した信頼性を確保するパッ
ケージ構造を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】ソフトレジンの膨張によ
って生じる内圧がケースとハードレジンの接着部に剥離
を発生させる点に着目して、ソフトレジンの膨張を抑え
るパッケージ構造とした。
って生じる内圧がケースとハードレジンの接着部に剥離
を発生させる点に着目して、ソフトレジンの膨張を抑え
るパッケージ構造とした。
【０００５】
【作用】ソフトレジンの膨張を抑えることにより、ケー
スとハードレジンの接着強度を保ち、耐湿性の高い半導
体装置を提供出来る。
スとハードレジンの接着強度を保ち、耐湿性の高い半導
体装置を提供出来る。
【０００６】
【実施例】図１に、本発明の一実施例を示す。半導体素
子１は、高融点半田４ａにて両面にＣｕ箔が銀ろう付け
されたＡｌＮ基板２上のＣｕパターンに半田付けされ、
Ａｌワイヤー３によって配線がなされている。また、Ａ
ｌＮ基板２は、低融点半田４ａにて放熱用のＣｕベース
５に半田付けされている。さらに、端子ブロック７が、
クリーム半田６にてＡｌＮ基板２上のＣｕパターンに半
田付けされている。以上が半導体装置としての、基本的
な構造であり、その後、半導体素子１の保護を目的とし
て、パッケージングが行われる。手順としては、まず、
樹脂ケース９ａが接着剤８を用いてＣｕベース５に取り
付けられ、内部にソフトレジン１０を注入，硬化し、最
後にハードレジン１１を注入，硬化させ、完成となる。
本発明は、ケース９ａ内全周に突起９ｂを設けることに
より、ハードレジン１１との接着面積を増大させ、ハー
ドレジン１１とケース９ａの剥離を防止すると同時に、
水分の浸入経路を延ばすことが出来る。また、ソフトレ
ジン１０の這い上がりを防止することにより、ハードレ
ジン１１とケース９ａの接着強度低下を防ぎ、耐湿性を
向上できる。さらに、突起部９ｂの先端部が上方向へ折
れ曲がった構造とすることで、より高い効果が得られ
る。
子１は、高融点半田４ａにて両面にＣｕ箔が銀ろう付け
されたＡｌＮ基板２上のＣｕパターンに半田付けされ、
Ａｌワイヤー３によって配線がなされている。また、Ａ
ｌＮ基板２は、低融点半田４ａにて放熱用のＣｕベース
５に半田付けされている。さらに、端子ブロック７が、
クリーム半田６にてＡｌＮ基板２上のＣｕパターンに半
田付けされている。以上が半導体装置としての、基本的
な構造であり、その後、半導体素子１の保護を目的とし
て、パッケージングが行われる。手順としては、まず、
樹脂ケース９ａが接着剤８を用いてＣｕベース５に取り
付けられ、内部にソフトレジン１０を注入，硬化し、最
後にハードレジン１１を注入，硬化させ、完成となる。
本発明は、ケース９ａ内全周に突起９ｂを設けることに
より、ハードレジン１１との接着面積を増大させ、ハー
ドレジン１１とケース９ａの剥離を防止すると同時に、
水分の浸入経路を延ばすことが出来る。また、ソフトレ
ジン１０の這い上がりを防止することにより、ハードレ
ジン１１とケース９ａの接着強度低下を防ぎ、耐湿性を
向上できる。さらに、突起部９ｂの先端部が上方向へ折
れ曲がった構造とすることで、より高い効果が得られ
る。
【０００７】図３には、他の実施例を示す。本構造は、
突起部９ｂの形状を斜め上方に向けて形成し、図１の場
合と同様の効果が得られる。また、図４においても突起
部９ｂに溝を設ける構造とすることで、図１及び、図３
と同様の効果が得られる。図５においては、突起９ｂを
一定の間隔で配置することにより、接着面積は減少する
が、突起９ｂ間にハードレジン１１が注入されることか
ら、さらに結合性が向上する構造を示している。
突起部９ｂの形状を斜め上方に向けて形成し、図１の場
合と同様の効果が得られる。また、図４においても突起
部９ｂに溝を設ける構造とすることで、図１及び、図３
と同様の効果が得られる。図５においては、突起９ｂを
一定の間隔で配置することにより、接着面積は減少する
が、突起９ｂ間にハードレジン１１が注入されることか
ら、さらに結合性が向上する構造を示している。
【０００８】以上述べた突起部９ｂは全て、樹脂ケース
９ｂと同時に射出成形されるものとする。
９ｂと同時に射出成形されるものとする。
【０００９】突起９ｂは、突起９ｂ全体がハードレジン
１１内に埋没する位置に設け、また、その長さは、端子
ブロック７の上部樹脂との間にハードレジン１１が入り
込む長さとする。
１１内に埋没する位置に設け、また、その長さは、端子
ブロック７の上部樹脂との間にハードレジン１１が入り
込む長さとする。
【００１０】
【発明の効果】樹脂ケースを外壁とし、内部にソフトレ
ジン，外部にハードレジンを用いてパッケージングされ
る構造を有する半導体装置を、高温，高湿の環境下で使
用する場合に要求される耐湿性を向上出来る。
ジン，外部にハードレジンを用いてパッケージングされ
る構造を有する半導体装置を、高温，高湿の環境下で使
用する場合に要求される耐湿性を向上出来る。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】従来例の断面図である。
【図３】他の実施例のケース９ａ及び突起部９ｂとハー
ドレジン１１との接着部拡大図である。
ドレジン１１との接着部拡大図である。
【図４】他の実施例のケース９ａ及び突起部９ｂとハー
ドレジン１１との接着部拡大図である。
ドレジン１１との接着部拡大図である。
【図５】他の実施例のケース９ａ及び突起部９ｂの平面
図及び断面図である。
図及び断面図である。
１…半導体素子、２…ＡｌＮ基板、３…Ａｌワイヤー、
４ａ…高融点半田、４ｂ…低融点半田、５…Ｃｕベー
ス、６…クリーム半田、７…端子ブロック、８…接着
剤、９ａ…樹脂ケース本体、９ｂ…突起、１０…ソフト
レジン、１１…ハードレジン。
４ａ…高融点半田、４ｂ…低融点半田、５…Ｃｕベー
ス、６…クリーム半田、７…端子ブロック、８…接着
剤、９ａ…樹脂ケース本体、９ｂ…突起、１０…ソフト
レジン、１１…ハードレジン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八木原 俊樹 茨城県日立市弁天町三丁目10番２号 日立 原町電子工業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】パワーモジュール等の半導体装置は、金属
ベース上に電極処理を施した絶縁基板を配置し、その上
に半導体素子が配置され、樹脂ケースを外壁とした内部
にソフトレジン及びハードレジンを注入，硬化し、パッ
ケージングを行なう構造を有し、この樹脂ケース内側面
に突起が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】請求項１において、突起部は樹脂ケース本
体が射出成形される際、同時に形成されることを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】請求項２において、突起が斜め上方を向い
て形成されていることを特徴とする樹脂ケース。 - 【請求項４】請求項２において、突起部に溝を有するこ
とを特徴とする樹脂ケース。 - 【請求項５】請求項２において、突起が内周全体に設け
られていることを特徴とする樹脂ケース。 - 【請求項６】請求項２において、突起が内周にある一定
間隔で設けられていることを特徴とするケース。 - 【請求項７】請求項２において、突起先端が上方に折れ
曲がった構造を有することを特徴とするケース。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145906A JPH077100A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145906A JPH077100A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077100A true JPH077100A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15395805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5145906A Pending JPH077100A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077100A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6026389A (en) * | 1996-08-23 | 2000-02-15 | Kokusai, Denshin, Denwa, Kabushiki Kaisha | Video query and editing system |
| US10308034B2 (en) | 2016-04-15 | 2019-06-04 | Rohm Co., Ltd. | Liquid container, liquid remaining amount detection circuit of liquid container, liquid remaining amount detection method, liquid container identification method, ink mounting unit, printer, and print system |
| JP2019179828A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置 |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP5145906A patent/JPH077100A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6026389A (en) * | 1996-08-23 | 2000-02-15 | Kokusai, Denshin, Denwa, Kabushiki Kaisha | Video query and editing system |
| US10308034B2 (en) | 2016-04-15 | 2019-06-04 | Rohm Co., Ltd. | Liquid container, liquid remaining amount detection circuit of liquid container, liquid remaining amount detection method, liquid container identification method, ink mounting unit, printer, and print system |
| JP2019179828A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置 |
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