JPH076945A - 非平面露光ビームリトグラフィーを用いて薄膜半導体デバイスを作製する方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 露光ビームリトグラフィー技術を用いて半導
体デバイス基板の非平面処理を行う方法及び装置を提供
する。 【構成】 前記基板上に一または複数の半導体材料８４
の一または複数の層８４を取り付ける工程、前記半導体
層８４にレジストを塗布する工程、前記レジストを硬化
させる工程、及び電子ビームのごとき露光ビームを前記
基板に向かって指向する工程を有する。次いで、基板は
露光ビームと相対的に少なくとも２つの運動の自由度を
以て運動させられ、その１つの運動の自由度は前記ビー
ムに概ね垂直な軸線を中心とした基板の回転である。他
の運動の自由度は前記軸線に概ね平行な方向に沿っての
基板の直線的な運動であり得る。そのような運動によっ
て、前記レジストは予め決定されたパターン状９２，９
６，９８にビームに露光される。露光されたレジストは
現像され、次いで、露光されたレジストの下の一または
複数の層がエッチングされる。次に、残存するレジスト
が除去され、所望の半導体デバイス８０が完成する。以
上の工程で構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は１９９１年１月２８日付けの米国
特許出願第０７／６４７，６５９号の一部継続出願であ
る。

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜半導体デバイスを作
製するための方法及び装置であってデバイスの非平面状
の表面に対し露光ビームリトグラフィーを用いるものに
関する。

【０００３】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】リトグ
ラフィー技術は特に集積回路及び関連製品の製作に相当
以前から使用されている。製作された製品は、言うまで
もなく、それにリトグラフィーが適用された平面状の領
域を典型的に含んでいる。そのような技術は製品の極め
て小さい部分の精密な製作及び形状において非常に効果
的であることが証明されている。しかし、そのような技
術を平面以外の表面に対して用いる試みは、これまでの
ところ、たとえ達成不可能ではないとしても、困難であ
ることが判明している。この結果、半導体デバイス及び
構造における融通性は本質的に平面状の部品の使用に限
定されてきた。

【０００４】本発明の一つの目的は、リトグラフィー技
術を非平面状のデバイスに対して適用して薄膜半導体デ
バイスを作製するための方法及び装置を提供することで
ある。

【０００５】本発明の別の目的は、そのような方法及び
装置であって被加工物の非平面状の表面における微細部
分の製作を可能にするものを提供することである。

【０００６】本発明のさらに別の目的は、そのような方
法及び装置であって製作工程の精密な制御が行われ得る
ものを提供することである。

【０００７】本発明のもう一つのさらに別の目的は、そ
のような方法及び装置であって被加工物が、精密且つ効
率的な態様で、露光ビームに対していくつかの運動の自
由度を以て動かされ得るものを提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の上記及びその他
の諸目的は、室と、前記室内に配置され露光ビームを発
生させてそれを加工位置に指向するビーム発生器と、前
記室内に配置され前記加工位置に被加工物または立体的
な基板を保持してそれを位置決めするチャックと、前記
チャックが取り付けられており、第１の制御信号に応答
して運動の第１の自由度を以て前記チャック及び基板を
選択的に運動させそれにより基板の異なる領域を前記露
光ビームに露光させる第１の要素とを有する装置の特定
の一実施例において実現される。また、前記第１の要素
が取り付けられており、第２の制御信号に応答して運動
の第２の自由度を以て前記第１の要素及び前記チャック
と基板を選択的に運動させそれにより基板のさらに異な
る領域を前記露光ビームに露光させる第２の要素と、前
記第１の制御信号を発生させて前記第１の要素に供給す
ると共に前記第２の制御信号を発生させて前記第２の要
素に供給するコントローラとが包含される。

【０００９】前記室が真空室であって前記露光ビームが
電子ビームであることが有利である。本装置において
は、基板はシリコンと絶縁層から成る一または複数の半
導体材料の一または複数の層によって被覆される。これ
らの層は次に電子ビームレジストによって被覆され、そ
して前記レジストはそれに熱を加えることによって硬化
される。次いで基板はチャック内に配置されて電子ビー
ムが基板に指向され、これと同時に、基板は予め決定さ
れた方法で第１と第２の要素によって運動させられ、そ
れにより前記レジスト内で半導体デバイスパターンを電
子ビームに露光させ得る。露光されたレジストを現像し
た後、所望のパターンが適当なエッチング用試薬を供給
することによって被加工物にエッチングされ得る。前記
パターンまたはそれの部分は、所望の半導体デバイスを
得るため選択された伝導型（Ｎ型またはＰ型）にドープ
され得る。選ばれた導体パターンが本装置を用いて基板
に形成され、以って該デバイスを動作させるために必要
とされる電気的接続を提供し得る。このように、非平面
状のパターンが精密且つ効率的な方法で立体的即ち三次
元的な基板内に形成され得る。

【００１０】本発明の上記及びその他の目的、特長及び
利点は添付図面と関連して以下において提供される詳細
な説明から明らかになるであろう。

【００１１】

【実施例】図１を参照すると、その内部に走査電子顕微
鏡における在来型の電子ビーム発生器８が配置される電
子ビーム真空室４が図示されている。電子ビーム発生器
８は加工領域１６へ指向される電子ビーム１２を発生す
る。電子ビーム１２の方向はビーム走査制御ユニット２
０の制御下に在り、そして電子ビームに対して横向きの
２本の直交軸（Ｘ軸及びＹ軸として示される）に沿って
変更され叉は運動するようにされ得る。ビーム走査制御
ユニット２０は、すべて在来の方式で、電子ビーム１２
の方向を制御するために電子ビーム発生器８内のコイル
２４にアナログ信号を送る。ビーム走査制御ユニット２
０は、実例として、電子ビームが有すべきＸ及びＹ軸を
指定するコンピュータ２８からのデジタル信号を受け取
るデジタル／アナログ変換器を具備しても良い。図１の
システムの全動作を制御するコンピュータ２８は、実例
として、コンパック（Ｃｏｍｐａｑ）３８６コンピュー
タとすることができる。

【００１２】在来のビームブランキング回路３２が、電
子ビーム１２の強度を調整するために、コンピュータ２
８の制御下で働くように設けられる。この強度は零（ビ
ームなし）から予め決定された相当な上限強度まで変更
され得る。そのような操作はよく知られている。

【００１３】叉、真空室４内には、図１に示される実施
例においては小さい円柱形の棒である被加工物すなわち
基板４０を選択的に運動させて位置決めするための、被
加工物すなわち基板の位置決め機構３６が配置される。
基板４０は在来のチャック４４によって保持され、該チ
ャック自体は動力化された回転ステージ４８によって回
転可能に保持される。回転ステージ４８はブラケット５
２上に保持され、該ブラケット自体は軌道６０上におい
て直線方向に運動可能な動力化された直線ステージ５６
上に取り付けられる。軌道６０はベース６４上に取り付
けられ、該ベース自体は所望される様に手動で動かされ
て電子ビーム真空室４内に位置決めされる。

【００１４】回転ステージ４８及び直線ステージ５６
は、どちらも、コンピュータ２８の制御下で働く。回転
ステージ４８はチャック４４の回転を選択的に生じさ
せ、それによって基板４０は図示のごとく電子ビーム１
２に概ね垂直である軸線を中心として回転させられる。
直線ステージ５６は、それが軌道６０上を直線運動する
とき、それと共に、基板の回転軸線に対して平行する方
向である直線ステージの進行方向に、ブラケット５２、
回転ステージ４８、チャック４４、及び基板４０を運
ぶ。このようにして、基板４０は、電子ビーム１２を基
板４０の異なる凸状の表面領域上へ落下又は入射させる
ように、回転方向にも直線方向にも電子ビーム１２下で
選択的に動かされる。さらに、電子ビーム１２それ自体
は、ビーム走査制御ユニット２０の制御下で、被加工物
の位置と相対的に直交方向で運動させられることができ
る。動力化された回転ステージ４８は、実例として、ク
リンガー（Ｋｌｉｎｇｅｒ）社によって製造される３６
０度連続回転ステージ、Ｎｏ．３４５，３４１でも良
く、そして動力化された直線ステージ５６は、実例とし
て、やはりクリンガー社によって製造される移動ステー
ジ、Ｎｏ．ＭＦ０４でも良い。

【００１５】回転ステージ４８及び直線ステージ５６の
動作の制御は、やはりコンピュータ２８の制御下で、２
軸サーボコントローラ６８及び増幅器７２によって行わ
れる。コンピュータ２８は回転ステージ４８及び直線ス
テージ５６の運動のためのコマンドの形式で信号を２軸
サーボコントローラ６８に供給する。これらの信号は増
幅器７２に供給され、次いで増幅器７２は回転ステージ
４８に回転コマンド信号を、そして直線ステージに直線
コマンド信号を供給し、それにより両ステージの所望動
作を生じさせ得る。回転ステージ４８及び直線ステージ
５６が動作させられるに従って、両ステージはそれぞれ
の運動の度合を表すフィードバック信号を発生させ、こ
れら信号は２軸サーボコントローラ６８へ供給され、次
に該コントローラ６８は前記信号をコンピュータ２８へ
供給する。コンピュータ２８は、フィードバック信号を
前に発生されたコマンド信号と比較し以て両ステージの
運動がコマンド信号に従ったか否かを決定して、もし必
要ならば適切な修正を行う。２軸サーボコントローラ６
８は、実例として、ガリル（Ｇａｌｉｌ）社のＤＭＣ−
６２０コントローラで良く、増幅器７２は、実例とし
て、ガリル社のＩＣＢ−９６０増幅器ででも良い。

【００１６】図２は、円柱形の棒７６であって図１の装
置を使用してその上に半導体デバイス、例えば電界効果
トランジスタＦＥＴ８０が取り付けられ、エッチングさ
れたものの斜視図である。このデバイスはその上に絶縁
層８８を被覆された半導体の層を含んでおり、その中で
は、以下にすぐ説明されるように、電子ビームリトグラ
フィー法を用いてソース領域９２及びドレイン領域９６
がエッチングされている。

【００１７】図３はトランジスタデバイス８０のソース
９２、ゲート９８、及びドレイン９６のそれぞれを接続
するための導体１００、１０４、及び１０８を備えて形
成された棒７６を示す。

【００１８】基板４０の運動の２つの自由度が図１の装
置によって可能であるが、さらに、明らかに運動の別の
自由度も基板４０に提供され得る。例えば、その方向が
電子ビーム１２と直線ステージ５６の運動方向とに対し
概ね垂直である追加の直線運動自由度が提供され得る。
これは直線ステージ５６の方向及び運動方向に対し直交
する方向に運動可能な別の直線ステージに軌道６０を取
り付けることによって達成され得る。また、ブラケット
５２は、電子ビーム１２に概ね平行する軸線を中心とす
るブラケット及び基板４０の回転を可能にし、それによ
り、運動の２つの回転自由度を基板に提供するように、
別の回転ステージに取り付けられ得る。総合して、３つ
の回転運動自由度が３つの直線運動自由度（但し、電子
ビーム発生器８に近付き遠ざかる直線運動は恐らくあま
り有用でない）と共に提供され、またはそれらの任意の
コンビネーションが提供され得るだろう。

【００１９】図１の装置は電子ビーム１２を使用してい
るが、電子ビームに関して説明されたのと同じ方法で、
基板に対しレーザービーム、イオンビームまたはＸ線ビ
ームを指向する装置を供給し得ることは理解されるべき
である。

【００２０】次に、図１の装置と共に使用する実例とし
てのリトグラフィー法を使用して図２及び図３のＦＥＴ
８０を円柱７６上に作製することについて説明する。実
例として石英、シリカ、サファイヤ、あるいはその他の
非導電性材料でできた円柱７６はアセトン及び２−プロ
パノールのごとき溶剤を使用して、または過酸化水素サ
イクルを使用して洗浄される。次いでＰ型にドープされ
たシリコンのごとき半導体材料の層８４がスパッタリン
グ、気相堆積法、ディップコーティングあるいはメッキ
のごとき在来の応用技術を使用して円柱７６に形成され
る。この層の厚さは実例として2,000 ないし7,000 オン
グストロームであり、円柱７６の一部分のみを覆うよう
に示されている。次に、ここでもスパッタリング、気相
堆積法、ディップコーティングあるいはメッキによって
半導体層８４を覆って絶縁材料８８が2,000 ないし3,00
0 オングストロームの厚さに取り付けられる。この絶縁
材料は、実例としてシリコン窒化物、二酸化シリコン、
あるいはこれら２つの組み合わせでも良い。この時点
で、電子ビームレジストが表面に付着する能力を向上さ
せるＨＭＤＳのごとき付着促進剤を円柱７６に塗布する
ことが望ましいであろう。次いで、電子ビームレジスト
が前記絶縁層８８を被覆するように円柱７６へ取り付け
られるがこのことは円柱をレジストの溶液中へ単に浸す
ことによって達成できよう。

【００２１】次いで、電子ビームレジストは、例えば約
８０℃で約３０分間に亘って対流オーブン内で円柱のソ
フトベーキングを行うことによって硬化される。次い
で、円柱はチャック４４内に配置され（図１参照）、次
に電子ビーム発生器８及び位置決め機構３６が操作さ
れ、円柱を所望のパターンが得られるように電子ビーム
１２に露光させる。例えば、円柱７６は、図２に示され
るように、まず領域９２を露光させ、次いで領域９６を
露光させるように、直線運動及び回転運動させられ得
る。このことは円柱７６をまず軸方向に領域９２の幅だ
け動かし、次いで円柱をわずかに回転させ、次いで再び
円柱を逆の方向に領域９２の幅だけ動かし、さらに円柱
をわずかに回転させた後に円柱を再び逆方向に動かし、
等々領域全体が電子ビームに露光されるまで繰り返すこ
とによって達成され得る。同様なプロセスが領域９６の
露光でも繰り返される。

【００２２】所望のパターンの露光が完了した後、露光
されたレジストは現像され、その現像中に前記パターン
即ち領域９２及び９６上に乗っているレジストは洗い流
される（ポジティブリトグラフィー）。次いで、円柱７
６は例えば約８０℃で約３０分間に亘って対流オーブン
内で再びベーキングされる。かくて円柱はそれを適当な
エッチング剤にさらすことによって遂行されるエッチン
グのための準備ができる。ポジティブリトグラフィーに
おいては、パターン即ち２つの領域９２及び９６は、例
えば緩衝フッ化水素酸を使用してそれら領域から絶縁体
を除去することによって半導体層８４まで直接エッチン
グされ得る。このエッチング工程に引き続いて、残存し
ている電子ビームレジストが除去され、かくて円柱は製
作過程におけるつぎの工程のための準備ができる。

【００２３】ここでは電界効果トランジスタである所望
のトランジスタを作製するために、半導体材料８４の領
域９２及び９６は、例えばリンで以てドープされ、既に
Ｐ型にドープされているシリコン層８４中にＮ型にドー
プされたソース領域９２及びドレイン領域９６が生成さ
れる。

【００２４】製作過程でのつぎの工程は、トランジスタ
８０への電気的信号を供給しあるいはトランジスタ８０
からの電気的信号を受け取ることを可能にするために、
絶縁材料８８の上に図３に示されたごとき導体パターン
を提供することである。このことは、スパッタリング、
気相堆積法等々の方法を使用して、円柱７６に対して約
3,000 オングストロームの厚さにアルミニウムあるいは
その他の導電材 料の層を取り付けることによって実
現される。次いで、導電材料のこの層の上に電子ビーム
レジストが塗布され、既述のように硬化される。円柱は
チャック４４内に配置され、次いで電子ビーム発生器及
び位置決め機構３６が操作されて、図３に示された導体
パターン１００、１０４、及び１０８を除くすべての円
柱領域を電子ビームに露光させることが行われる（ネガ
ティブリトグラフィー）。露光が完了された後、露光さ
れた電子ビームレジストは現像され、導体パターンを覆
うレジストのみを残して洗い流される。そこからレジス
トが洗い流されてしまったアルミニウム層の部分は、次
いでエッチング即ち除去され、図３に示されたような導
体パターン１００、１０４、及び１０８の形に成形され
たアルミニウムが残される。残存しているアルミニウム
の上に乗っているレジストが次いで除去されて、ソース
領域９２、ドレイン領域９６、及びゲート領域９８を備
え、それらすべてがそれぞれ導体１００、１０８、及び
１０４によって円柱７６の一端へつながれた図３に示さ
れたごときＦＥＴトランジスタが完成する。図３に示さ
れた導体パターンは、別の方法として、良く知られた方
法で、絶縁材料上のレジスト塗布−エッチング除去済み
パターンの上へ導体材料の堆積を行う方法によっても形
成可能である。

【００２５】特定の一半導体デバイスの作製について説
明し図２及び図３に示してきたが、本発明の方法を使用
することによって、図２及び図３に示された円柱７６の
ごとき立体的な基板上に多様な半導体デバイスまたはそ
の他の固体電子デバイスを作製することが可能であるこ
とは明かであろう。

【００２６】上に示された構成は、本発明の原理の適用
の例を説明するに過ぎないことが理解されるべきであ
る。本発明の精神及び範囲から逸脱することなしに非常
に多くの修正並びに代替構成が当業者によって案出され
得、従って冒頭に記載された特許請求の範囲はそのよう
な修正及び代替構成を包含するように意図される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理に基づいて作られた、リトグラフ
ィー技術を用いる被加工物の非平面処理のための装置の
概略図。

【図２】図１の装置を使用して半導体パターンがエッチ
ングされた円柱形の被加工物の斜視図。

【図３】図１の装置を使用して導体パターンが形成され
た円柱形の被加工物の斜視図。

【符号の説明】

４ 電子ビーム真空室 ８ 電子ビーム発生器 １２ 電子ビーム １６ 加工領域 ２０ ビーム走査制御ユニット ２４ コイル ２８ コンピュータ ３２ ビームブランキング回路 ３６ 被加工物位置決め機構 ４０ 被加工物 ４４ チャック ４８ 回転ステージ ５２ ブラケット ５６ 直線ステージ ６０ 軌道 ６４ ベース ６８ ２軸サーボコントローラ ７２ 増幅器 ７６ 円柱形の棒 ８０ 電界効果トランジスタ ８４ 半導体材料 ８８ 絶縁層 ８４ Ｐ形ドープ半導体層 ９２ ソース領域 ９６ ドレイン領域 ９８ ゲート領域 １００ 導体 １０４ 導体 １０８ 導体

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被加工物の一般に非平面状の表面に半導
   体デバイスパターンをエッチングする方法において、 (a) 前記被加工物の表面に対して半導体材料を取り付け
   る工程と、 (b) 前記半導体材料の上に絶縁材料を取り付ける工程
   と、 (c) 前記絶縁材料の上ににレジストを塗布する工程と、 (d) 前記レジストを硬化させる工程と、 (e) 前記被加工物に向かって露光ビームを指向させる工
   程と、 (f) 前記半導体デバイスパターンを前記レジスト内で該
   ビームに露光させるため、該ビームに対する相対運動の
   少なくとも２つの自由度を以て被加工物を運動させる工
   程と、 (g) 前記絶縁材料上の露光されたレジストを現像する工
   程と、 (h) その上に前記露光されたレジストが設けられている
   絶縁体上の前記パターンをエッチングする工程と、 (i) 残存するレジストを前記絶縁材料から除去する工程
   と、 を含む方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、さら
   に、 (j) 前記パターンの選択された部分を選択された伝導型
   にドープする工程と、 (k) 前記パターンの選択された部分にコンタクトするた
   めに前記被加工物に導電性材料を取り付ける工程と、 を含むことを特徴とする方法。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の方法において、前記工
   程(k) が、 (l) 前記絶縁材料及び前記パターンの上に導電性材料を
   取り付ける工程と、 (m) 前記導電性材料の上にレジストを塗布する工程と、 (n) 前記レジストを硬化させる工程と、 (o) 前記被加工物に向かって露光ビームを指向させる工
   程と、 (p) 予め決定された導体パターンを前記レジスト内で該
   ビームに露光させるため、該ビームに対する相対運動の
   少なくとも２つの自由度を以て被加工物を運動させる工
   程と、 (q) 前記導電性材料の上の露光されたレジストを現像す
   る工程と、 (r) その上に露光されたレジストが設けられている導電
   性材料の上の導体パターンをエッチングする工程と、 (s) 残存するレジストを導電性材料から除去する工程
   と、 を含むことを特徴とする方法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の方法において、さら
   に、 (t) 前記導体パターンの導電性材料上の選択された場所
   へ電気的リード線をボンディングする工程と、 を含むことを特徴とする方法。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の方法において、前記被
   加工物が電気的に絶縁性の材料でできていることを特徴
   とする方法。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の方法において、前記被
   加工物が、石英、シリカ、及びサファイヤから成る群の
   うちから選択された材料であることを特徴とする方法。
7. 【請求項７】 請求項１に記載の方法において、前記材
   料取り付け工程(a)、(b) 、及び(l) が、被加工物を被
   覆するための材料をスパッタリングする工程を含むこと
   を特徴とする方法。
8. 【請求項８】 請求項３に記載の方法において、前記材
   料取り付け工程(a)、(b) 、(c) 、(l) 、及び(m) が取
   り付けるべき材料の溶液中へ被加工物を浸す工程を含む
   ことを特徴とする方法。
9. 【請求項９】 請求項１に記載の方法において、前記材
   料取り付け工程(a)、(b) 、及び(l) が被加工物上への
   材料の蒸着を含むことを特徴とする方法。
10. 【請求項１０】 請求項１に記載の方法において、工程
    (a) が被加工物へシリコンを取り付ける工程を含むこと
    を特徴とする方法。
11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の方法において、工
    程(b) が、シリコン窒化物と二酸化シリコンとから成る
    群のうちから選択された材料を取り付ける工程を含むこ
    とを特徴とする方法。
12. 【請求項１２】 請求項１に記載の方法において、前記
    露光ビームが電子ビームであることを特徴とする方法。
13. 【請求項１３】 請求項１に記載の方法において、前記
    露光ビームがイオンビームであることを特徴とする方
    法。
14. 【請求項１４】 請求項１に記載の方法において、前記
    露光ビームがレーザービームであることを特徴とする方
    法。
15. 【請求項１５】 請求項１に記載の方法において、前記
    露光ビームがＸ線ビームであることを特徴とする方法。
16. 【請求項１６】 請求項１に記載の方法において、前記
    運動工程がビームに概ね垂直の軸線を中心として被加工
    物を回転させる工程と、前記軸線に平行な方向に直線的
    に被加工物を運動させる工程とを有することを特徴とす
    る方法。
17. 【請求項１７】 請求項１に記載の方法に従って作製さ
    れるデバイス。
18. 【請求項１８】 少なくとも幾分かの一般に非平面状の
    表面を有する基板上に薄膜半導体デバイスを作製する方
    法において、 (a) 被加工物の表面に一または複数の半導体材料の一ま
    たは複数の層を取り付ける工程と、 (b) 工程(a) で取り付けられた層の上にレジストを塗布
    する工程と、 (c) レジストを硬化させる工程と、 (d) 被加工物へ向かって露光ビームを指向させる工程
    と、 (e) 前記レジスト内の予め決定された半導体デバイスパ
    ターンを前記ビームに露光させるため前記ビームに対す
    る相対運動の少なくとも２つの運動の自由度を以て該被
    加工物を運動させる工程であって、前記運動の自由度の
    少なくとも１つがビームに概ね垂直な軸線を中心として
    該被加工物を回転させることを含む工程と、 (f) 露光されたレジストを現像する工程と、 (g) その上に露光されたレジストが設けられた層の上の
    パターンをエッチング又は堆積させる工程と、 (h) 残存するレジストを前記層から除去する工程と、 を含む方法。
19. 【請求項１９】 請求項１８に記載の方法において、さ
    らに、 (i) 前記層上の予め選択された場所に導電性材料を取り
    付ける工程と、 を含むことを特徴とする方法。
20. 【請求項２０】 請求項１９に記載の方法において、工
    程(e) が前記軸線に概ね平行な方向に沿って直線的に被
    加工物を運動させる工程を含むことを特徴とする方法。
21. 【請求項２１】 請求項１８に記載の方法に従って作製
    されるデバイス。
22. 【請求項２２】 立体的な基板上に超小型回路を作製す
    る方法において、 (a) エッチング可能な超小型回路材料を前記基板上へ取
    り付ける工程と、 (b) 前記エッチング可能な材料の上に露光ビームレジス
    トを塗布する工程と、 (c) 前記レジストを硬化させる工程と、 (d) 前記基板が露光ビームの通路中にある間に該基板を
    少なくとも２つの運動の自由度を以て運動させ、それに
    より、予め決定された超小型回路パターンを前記レジス
    ト内で露光させる工程と、 (e) 露光されたレジストを現像する工程と、 (f) 前記基板上の超小型回路材料をエッチング又は堆積
    して所望のパターンを該材料中に形成させる工程と、 (g) 残存するレジストを前記材料から除去する工程と、 を含む方法。