JPH0766146A

JPH0766146A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0766146A
Application number: JP20959193A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Mizushima; 一郎水島
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-08-24
Filing date: 1993-08-24
Publication date: 1995-03-10
Anticipated expiration: 2018-11-05
Also published as: JP3464247B2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、浅く高濃度の拡散層を形成するこ
とを目的とする。【構成】本発明では、シリコン基板表面に拡散層を形
成するに先立ち、ハロゲンイオンを注入する注入工程
と、ボロンを含有する層を堆積する堆積工程と、熱処理
により前記層から前記シリコン基板表面にボロンを拡散
する拡散工程とを含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特に浅くかつ高濃度の拡散層を形成する方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ＭＯＳ型集積回路における素子の微細
化、高集積化に伴い、半導体素子における拡散層は、Ｍ
ＯＳトランジスタの短チャネル効果を抑止するために、
その拡散深さは浅く、また低い電気抵抗を得るために、
高濃度であることが要求される。これらの要求は、特
にソースおよびドレイン端部付近に必要とされる。この
実現のためにソースドレインの形成において従来はＬＤ
Ｄ(Lightly Doped Drain) 構造が採用されてきた。これ
はトランジスタのゲート電極形成後、低加速、低ドーズ
量のイオン注入を行い、さらにゲートの側壁形成後に、
より高加速、高ドーズのイオン注入を行うという方法で
ある。

【０００３】このＬＤＤ構造を有するトランジスタを微
細化するためには、ゲート電極端部のイオン注入の低加
速化あるいは低ドーズ化が必要となる。しかしながらイ
オン注入エネルギーの低加速化は、イオン注入時のビー
ム電流の低下を招くこと、イオン注入時に基板がスパッ
タリングされること、また例えば加速電圧を１／２にし
てもイオン注入のテイル部の深さはチャネリング等のた
めに１／２には下がらず、十分に浅くすることができな
いこと、などの点から完全な解決には至っていない。

【０００４】一方、低ドーズ化は拡散層抵抗の増大を引
き起こし、トランジスタの寄生抵抗を増大させる。

【０００５】また、ソースおよびドレイン端部の拡散層
を浅く、高濃度化するための他の方法として、ゲートの
側壁形成後に、ドーパント不純物を含有した薄膜を堆積
し、それを拡散源としてソースおよびドレインを形成す
る方法も提案されている。しかし、この方法では側壁直
下の不純物濃度がゲート電極端部において特に低く、こ
れはトランジスタの直列抵抗となるため、寄生抵抗を小
さくすることができないという問題がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように従来の方法
では、浅く高濃度の拡散層を形成するのは極めて困難で
あった。

【０００７】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、浅く高濃度の拡散層を形成することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】そこで本発明では、シリ
コン基板の表面に、ハロゲンイオンを注入するイオン注
入工程と、ボロンを含有する固相または気相の物質を前
記シリコン基板の表面に接触せしめ、前記シリコン基板
の表面にボロンを拡散する拡散工程とを含むことを特徴
とする。

【０００９】また本発明の第２では、シリコン基板の表
面に、ボロンを含有するイオンを注入する第１のイオン
注入工程と、前記第１のイオン注入工程の前後または同
時にハロゲンイオンを注入する第２のイオン注入工程
と、熱処理により前記シリコン基板の表面にボロンを拡
散する拡散工程とを含むことを特徴とする。

【００１０】望ましくは、基板表面に原子濃度０．１％
以上のボロンを含有する層を堆積させて上記接触を行う
とよい。

【００１１】また望ましくは、上記第２の注入工程は、
注入イオンビームの基板に対してなす角を１０度以上６
０度以下とするとよい。

【００１２】なお、上記したボロンを含有する固相また
は気相の物質のなかにはボロン単体も含まれる

【００１３】

【作用】本発明者らは種々の実験の結果、シリコン基板
上にボロンを高濃度に含有する拡散層を形成するに際
し、ハロゲンイオンを注入した場合、浅く高濃度の拡散
層が形成されていることを発見した。

【００１４】そこでまず、シリコン基板上へのハロゲン
のイオン注入効果を調べるために、次のような実験を行
った。

【００１５】（１００）面方位を有するシリコン基板上
に、ハロゲンの１種である弗素Ｆを、加速電圧１５ｋｅ
Ｖ，ドーズ量２×１０¹⁶cm^-2イオン注入した。ここで注
入角度は８３度すなわち垂直方向に対し、７度傾けて行
った。そして、窒素雰囲気中で９００℃１時間の熱処理
を行った後、この基板上に、２％のボロンを含有するボ
ロン添加アモルファスシリコンをＣＶＤ法で堆積し、８
５０℃３０分の熱処理により、これを拡散源として基板
中にボロンを拡散した。このときのボロンおよび弗素の
濃度のＳＩＭＳによる深さ方向分析結果を図１(a) に示
す。比較のために図１(b) に弗素イオンを注入すること
なく同様の方法でボロン拡散を行った場合のボロン濃度
のＳＩＭＳによる深さ方向分析結果を示す。また堆積し
た薄膜からの拡散とイオン注入による拡散のプロファイ
ルを比較することを目的として、図１(c) にＢＦ₂ ^＋、
ドーズ量１×１０¹⁶cm^-2でイオン注入し、８５０℃３０
分の熱処理を行ったときのボロン濃度のＳＩＭＳによる
深さ方向の分析結果を示す。なお、図１においては堆積
膜と基板との界面を、深さの基準位置とした。

【００１６】図１(a) および図１(b) との比較から、あ
らかじめ弗素をイオン注入することによって浅く、高濃
度の拡散層が形成されていることがわかる。これは深さ
２０nmの位置に存在する弗素に高濃度のボロンが捕えら
れ、これが拡散源としてはたらき、また同時により深い
領域の弗素の存在がボロンの拡散係数を低下させたこと
によるものと考えられる。また、実際に電気的に活性化
しているＢの濃度をキャリア濃度の深さ方向分から調べ
た結果からも、浅く高濃度の拡散層が形成されているこ
とが確認された。また、図１(c) のＢＦ₂ ^＋をイオン注
入した場合と比較すると、固相拡散源を用いた場合の方
が基板中ボロン濃度は高くなっているが、電気的に活性
化しているボロン濃度はキャリア濃度測定から固相拡散
源を用いた場合と同程度であることがわかった。これら
の結果から、浅く高濃度の拡散層を形成する場合には、
あらかじめ弗素をイオン注入し、その後、ボロンを堆積
拡散源すなわち固相拡散源から基板中に拡散する方法を
とるのが望ましいことが分かる。なお、これらの実験で
は弗素をイオン注入した後、９００℃１時間、窒素雰囲
気中で熱処理を行っているが、ボロン拡散後の弗素、ボ
ロンのプロファイルは熱処理の有無にかかわらず同一で
あった。

【００１７】また堆積拡散源として用いる、ボロンもし
くはボロンを含有する材料において、必要なボロン濃度
を求めるために、同様の実験を堆積膜中の含有ボロン濃
度をパラメータとしておこなった。この結果堆積アモル
ファスシリコン膜中に含まれるボロン濃度が５×１０¹⁹
cm^-3以上であれば、ハロゲンをイオン注入することによ
って熱処理後の基板中のボロンプロファイルが浅く高濃
度化するのに対し、５×１０¹⁹cm^-3未満ではハロゲンイ
オンの注入の有無によるプロファイルの差がみられない
ことがわかった。これはボロン濃度が５×１０¹⁹cm^-3以
上すなわち原子濃度割合で０．１％以上存在しないと、
イオン注入されたハロゲンの存在する領域までボロンが
供給されないためであると考えられる。

【００１８】また、浅く高濃度の拡散層を形成するため
に必要なハロゲンのドーズ量を調べるために、ハロゲン
イオン注入後窒素雰囲気中で熱処理を行ったときのハロ
ゲンの深さ方向濃度分布をＳＩＭＳによって測定した。
図２は加速電圧を５０ｋｅＶとしてドーズ量を変化させ
イオン注入を行った試料について９００℃で１時間の熱
処理を行い、このときのボロン濃度のプロファイルを測
定した。この図から弗素ドーズ量が３×１０¹⁵cm^-2およ
び２×１０16cm^-2であれば、熱処理後に弗素がある深さ
に局在するいわゆるパイルアップがみられるのに対し、
５×１０¹⁴cm^-2であれば、弗素がほとんど失われている
ことがわかる。そして、熱処理後に弗素がある深さにパ
イルアップするために必要なイオン注入量はピーク濃度
で５×１０¹⁹cm^-3であることがわかった。またこのよう
に弗素がパイルアップしたときは浅く高濃度のボロン拡
散層を形成することができることも確認した。弗素のピ
ーク濃度が１×１０²²cm^-3を越えると基板中におけるボ
ロンの電気的活性化率が低下してしまい、高濃度の拡散
層を形成する上で効果が無くなった。これは極めて高い
濃度の弗素の存在によって高密度の欠陥が基板中に形成
され、ボロンの電気的活性化が妨げられたことによると
考えられる。

【００１９】例えば図３に示すように、シリコン基板１
表面に形成された素子分離絶縁膜２によって分離された
素子領域内にゲート絶縁膜３を介してゲート電極を形成
し、このゲート絶縁膜の側壁に側壁絶縁膜７を形成する
工程まではＭＯＳトランジスタの通常工程により形成し
た。この試料に対してソースドレイン拡散層を形成する
ために弗素を加速電圧１５ｋｅＶ、ドーズ量２×１０¹⁶
cm^-2注入角度８３度でイオン注入した。この後、窒素雰
囲気中で９００℃１時間の熱処理を行った。そしてこの
基板上にボロンを４％含むボロン添加シリコン酸化膜を
ＣＶＤ法によって堆積し、８５０℃３０分の熱処理によ
り、これを拡散源として基板中にボロンを拡散した。比
較のため、弗素をイオン注入していない試料に対して同
様に、ボロンを４％含むボロン添加シリコン酸化膜をＣ
ＶＤ法によって堆積し、８５０℃３０分の熱処理によ
り、これを拡散源として基板中にボロンを拡散した。ま
た別の試料として、弗素を同様にしてイオン注入したの
ち、ボロンを加速電圧１５ｋｅＶ、ドーズ量２×１０¹⁶
cm^-2のイオン注入によって注入した。これらの実験の結
果得られた拡散層の二次元濃度プロファイルを図４(a)
，(b) ，(c) にそれぞれ等濃度線で示す。このプロフ
ァイル測定は導電タイプによる選択エッチングおよびＥ
ＤＸによるボロン濃度測定によって行った。

【００２０】また、ハロゲンの注入イオンビームの基板
に対してなす角を１０度以上６０度以下とすることによ
り、浅い深さにハロゲンを局在させることができ、良好
なプロファイルをもつ浅い拡散層を形成することができ
る。

【００２１】さらにまた、ＬＤＤ構造など、ゲート電極
の側壁に形成された絶縁膜を介してイオン注入を行う場
合などは、この角度を調整することにより、水平方向の
拡散の伸びをコントロールすることができ、側壁絶縁膜
直下の不純物プロファイルも高濃度化することができる
など、最適な濃度プロファイルの拡散層を形成すること
ができる。

【００２２】また、ボロンを含む堆積膜からの拡散の
他、ボロンを含むガスを用いた気相からの拡散について
もあらかじめハロゲンをイオン注入しておくことによ
り、堆積膜のような固相からの拡散の場合と同様の効果
を得ることが可能である。

【００２３】さらに、本発明は、イオン注入によってボ
ロンイオンを注入する場合にも、有効であるが、この場
合、ハロゲンイオンのイオン注入は、ボロンイオンの注
入の前でも後でも同時でも良好な結果を得ることができ
る。

【００２４】なお、本発明において、弗素のみならず、
他のハロゲンすなわち、塩素、臭素、ヨウ素について
も、同様であった。

【００２５】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。

【００２６】図５は、本発明の方法を用いたＭＯＳトラ
ンジスタの製造工程を示す図である。この方法では、
ソース・ドレイン領域形成のためのｐ型拡散層の形成に
際し、ボロンイオンの拡散に先立ち、ハロゲンイオンを
注入したのち、ボロン含有アモルファスシリコン層を形
成し、このアモルファスシリコン層からのボロンイオン
拡散により、浅く高濃度の拡散層を形成するようにした
ことを特徴とする。

【００２７】まず図５(a) に示すように面方位（１０
０）、比抵抗４〜６Ωcmのｎ型シリコン基板１に、ＬＯ
ＣＯＳ法により０．６μm 程度の素子分離絶縁膜２を形
成したのち、熱酸化により１０nmのゲート酸化膜３を形
成し、この上に１００nmの不純物含有多結晶シリコン膜
４、膜厚３００nmのタングステンシリサイド膜５を順次
形成し、さらにその表面にＬＰＣＶＤ法によって１５０
nmの酸化シリコン膜６を形成する。そして、これらの積
層膜をフォトリソグラフィおよび反応性イオンエッチン
グを用いてエッチングし、ゲート電極のパターン形成を
行う。

【００２８】そして図５(b) に示すように、ゲート電極
の側壁に厚さ１００nm程度の酸化シリコン膜７からなる
側壁絶縁膜を形成する。この側壁絶縁膜はＣＶＤ法など
により全面に膜厚１５０nm程度の酸化シリコン膜を堆積
しこれを異方性エッチングで全面エッチングを行うこと
により得られる。

【００２９】この後、加速電圧１５ｋｅＶ，ドーズ量２
×１０¹⁶cm^-2、注入角度８３度で弗素をイオン注入し、
図５(c) に示すように、基板が露出しているソース・ド
レイン領域の上部にのみ２％のボロンを含有するアモル
ファスシリコン薄膜を選択的に堆積した。そして窒素雰
囲気中で８５０℃３０分の熱処理を行い、これを拡散源
として、ソース・ドレイン領域に高濃度のｐ型拡散層９
を形成する。なおこの熱処理で、ボロン含有アモルファ
スシリコン膜８は結晶化する。

【００３０】この後、全面に３００nmの酸化シリコン膜
をＣＶＤ法により堆積した後、図５(d) に示すように、
異方性エッチングにより酸化シリコン膜１０中に、コン
タクト孔を開口する。続いて、シリコンおよび銅をそれ
ぞれ例えば０．５％づつ含有するアルミニウム膜１１を
８００nm堆積した。このアルミニウム膜１１を電極とし
て用いるようにパターニングした後、水素を１０％含有
する４５０℃の窒素雰囲気中で１５分間熱処理した。

【００３１】このＭＯＳトランジスタについて、寄生抵
抗を測定したところ、ゲート長０．８μm 、チャネル幅
１．１μm 、コンタクト径０．８μm の素子について、
それぞれ２００Ωであった。これに対し、弗素のイオン
注入を行うことなく形成した試料では、寄生抵抗は４０
０Ωであった。またＢＦ₂ ^＋イオンを加速電圧１５ｋｅ
Ｖ，ドーズ量３×１０¹⁶cm^-2でイオン注入することによ
りボロンイオンを注入した試料についても寄生抵抗は４
００Ωとなった。

【００３２】またゲート長さをパラメータとしてＭＯＳ
トランジスタのしきい値電圧の変化を調べた。この結果
を、図６に曲線ａ，ｂ，ｃで示す。曲線ａは、弗素をイ
オン注入した後、ボロンを固相拡散源を用いて拡散する
というプロセスを用いたものであり、曲線ｂは弗素をイ
オン注入することなく同様の実験を行った結果を示し、
曲線ｃはＢＦ₂ ^＋イオンを注入したものについての実験
結果を示す。この図から、ゲート長がいずれの場合にも
弗素をイオン注入した後、ボロンを固相拡散源を用いて
拡散するというプロセスを用いたものがしきい値電圧が
最も高く、短チャネル効果の抑止に有効であり、ＭＯＳ
集積回路の素子の微細化に伴う浅い拡散層の形成に有効
であることがわかった。

【００３３】次に、ハロゲンのイオン注入工程におい
て、注入イオンビームのシリコン基板に対してなす角を
変化させ、この入射角度としきい値電圧との関係を測定
した。その結果を図７に示す。ここではハロゲンイオン
として塩素イオンを用い、加速電圧３０ｅＶ，ドーズ量
１×１０¹⁶cm^-2でイオン注入し、この後５％のボロンを
含有するアモルファスシリコン薄膜を堆積してソースド
レイン領域以外のアモルファスシリコン薄膜をエッチン
グ除去した後、窒素雰囲気中で８５０℃３０分の熱処理
を行い、これを拡散源としてボロンを拡散し、ゲート長
さ０．１５μm のＭＯＳトランジスタを形成した。その
結果、６０度以下にしたときしきい値電圧が高くなって
いることがわかった。すなわち、６０度よりも浅い入射
角度で塩素をイオン注入することにより、しきい値電圧
の変化が抑制されており、比較的垂直に近い角度でイオ
ン注入を行う場合よりも短チャネル効果の抑止がさらに
なされていることがわかる。

【００３４】これは塩素イオン注入を浅い入射角度で行
うことにより、側壁酸化膜直下にも、、塩素が高濃度に
存在する領域が形成され、この結果側壁酸化膜直下のボ
ロン濃度を高めることができ、横方向に比較して、深さ
方向への伸びの短い拡散層を形成することができた結果
と考えられる。

【００３５】また、塩素イオン注入を１０度未満の極め
て浅い入射角度で行った場合には図７に示したように短
チャネル効果の抑止がなされなかった。これはソース、
ドレイン領域が基板表面に形成された素子の影となりイ
オン注入されなかったため、もしくは、注入されたイオ
ンが基板表面で反射し、基板中に入らなかったためと考
えられる。

【００３６】次に本発明の第２の実施例として、Ｆイオ
ンをイオン注入した後、ボロンをＢＦ₂ ^＋イオン注入に
よって注入する方法について説明する。

【００３７】まず、前記第１の実施例と同様にしてゲー
ト電極の形成までを行ったシリコン基板に対し、Ｆイオ
ンを、ドーズ量２×１０¹⁵cm^-2，加速電圧２０ＫｅＶで
イオン注入し、この後、ＢＦ₂ ^＋イオンを加速電圧１０
ｋｅＶ、ドーズ量８×１０¹⁴cm^-2でイオン注入し、９５
０℃３０秒の熱処理を行った。このときも、拡散深さは
やや深くはなったが、前記第１の実施例と同様、浅く高
濃度の拡散層を得ることができた。

【００３８】次に、Ｆイオンの注入の有無および注入条
件による効果を測定するために、Ｆイオンを注入しない
場合、ドーズ量２×１０¹⁵cm^-2加速電圧１０，２０，３
０ＫｅＶとした場合の計４種類の試料を用意し、いずれ
に対してもＢＦ₂ ^＋イオンを加速電圧１０ｋｅＶ、ドー
ズ量８×１０¹⁴cm^-2でイオン注入した。その結果得られ
る濃度プロファイルをそれぞれ図８(a) 乃至(d) に示
す。この結果から、Ｂのプロファイルを比較すると、図
８(a) に示したＦをイオン注入することなくＢＦ₂ ^＋イ
オンを注入した場合には、Ｂは深くまで存在しているこ
とがわかる。ここで深くまで存在しているのはＢＦ₂ ^＋
のＦである。一方図８(b) 乃至(d) に示すようにＦをイ
オン注入した後にＢＦ₂ ^＋イオンをイオン注入した場
合、図８(a)の場合に比べてやや浅くはなっている。し
かしながら、イオン注入のテイル部の深さは、十分に浅
くなってはいない。図８(a) の場合に比べてやや浅くな
っているのは、あらかじめＦがイオン注入されることに
よって基板が非晶質化され、ＢＦ₂ ^＋イオン注入時のＢ
のチャネリングが抑止された結果と考えられる。

【００３９】この後、これら４種類の試料基板に対し、
ＲＴＡ（高速加熱）装置を用いて、９５０℃３０秒の熱
処理を行った。このときのＢおよびＦの濃度プロファイ
ルを図９(a) 乃至(d) に示す。Ｆのプロファイルについ
てはＦの加速電圧を増加することにより深い領域に形成
されるピーク深さがより深くなることが顕著にわかる。
またＢのプロファイルについてはＦほどに顕著な違いは
みられないが、図１０の各試料のＢプロファイルを重ね
書きした結果からわかるように、Ｆイオン注入によりＢ
のテイル部が浅くなること、また特にの加速電圧を２０
ｋｅＶ以上とすると、約７０nm程度の深さにおけるＢ濃
度が高くなっていることがわかる。これはＢＦ₂ ^＋イオ
ンの注入に合わせてＦをイオン注入することにより、Ｂ
を拡散源から拡散した場合と同様に、浅い領域でのＢ濃
度の高濃度化を得ることができたことによる。このよう
に本発明の方法によれば、Ｂのチャネリング抑止効果の
みでは得られない浅い高濃度領域を形成することができ
たるのみならず、従来いかなる方法をもってしても解決
し得なかったイオン注入のテイル部分を短くするという
問題を解決することができた。

【００４０】さらに、図１１にこれらの試料についてシ
ート抵抗を測定した結果を示す。この結果、Ｆの加速電
圧を２０ｋｅＶ以上とすることによりシート抵抗が約２
０％低下しており、浅く低抵抗の拡散層を形成する上で
Ｆイオンの有効性が確認できる。

【００４１】なお、前記実験では、Ｆのイオン注入後Ｂ
Ｆ₂ ^＋イオンを注入し熱処理を行うようにしたが、ＢＦ
₂ ^＋イオンを注入後、Ｆのイオン注入を行うようにして
も、熱処理後のＢプロファイルは、１０¹⁸cm^-3以下の低
濃度領域を除き、Ｆのイオン注入後ＢＦ₂ ^＋イオンを注
入したときと全く同様となった。この結果からも、浅く
高濃度の拡散層を形成するためのＦイオン注入の効果が
Ｂのチャネリングを抑止するよりも、熱処理時のＢのプ
ロファイルを制御することに対して有効に働いているこ
とを示している。

【００４２】また、ＢＦ₂ ^＋イオンの注入と、Ｆイオン
の注入とを同時に行うようにしても同様の効果を得るこ
とができた。

【００４３】加えて、このような場合、ハロゲンとして
Ｆ^＋を用い、ボロン含有イオンとしてＢＦ₂ ^＋を用いる
ようにすれば、ＢＦ₃の分解によって得られる混合ガス
を質量分離器にかけて量を調整しながら供給することも
できる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明してきたように本発明の方法に
よれば、浅くかつ高濃度の拡散層の形成を行うことが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法を用いた場合と従来の方法を用い
た場合の濃度分布プロファイルを示す図

【図２】本発明の方法における弗素の注入ドーズ量と濃
度分布プロファイルとの関係を示す図

【図３】側壁絶縁膜を有するＭＯＳトランジスタを示す
図

【図４】ボロンの二次元濃度分布を示す図

【図５】本発明実施例のＭＯＳトランジスタの製造工程
図

【図６】本発明実施例の方法と従来例の方法とによって
形成したＭＯＳトランジスタのゲート長さとしきい値電
圧との関係を測定した結果を示す図

【図７】弗素のイオン注入における入射角としきい値と
の関係を測定した結果を示す図

【図８】本発明の第２の実施例の方法と従来の方法を用
いた場合の熱処理前の弗素とボロンの濃度分布プロファ
イルを示す図

【図９】本発明の第２の実施例の方法と従来の方法を用
いた場合の熱処理後の弗素とボロンの濃度分布プロファ
イルを示す図

【図１０】本発明の第２の実施例の方法と従来の方法を
用いた場合の熱処理後の弗素とボロンの濃度分布プロフ
ァイルを示す図

【図１１】注入電圧としきい値電圧との関係を示す図

【符号の説明】１シリコン基板２素子分離絶縁膜３ゲート酸化膜４多結晶シリコン膜５タングステンシリサイド膜６シリコン酸化膜７シリコン酸化膜８シリコンボロン含有堆積膜９ｐ型拡散層１０シリコン酸化膜１１アルミニウム膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 29/78 7514−4ＭＨ０１Ｌ 29/78 ３０１Ｆ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコン基板の表面に、ハロゲンイオンを注入するイオン注入工程と、ボロンを含有する固相または気相の物質を前記シリコン
基板の表面に接触せしめ、前記シリコン基板の表面にボロンを拡散する拡散工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】シリコン基板の表面に、ボロンを含有するイオンを注入する第１のイオン注入工
程と、前記第１のイオン注入工程の前後または同時にハロゲン
イオンを注入する第２のイオン注入工程と、熱処理により前記シリコン基板の表面にボロンを拡散す
る拡散工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法。