JPH0766104A

JPH0766104A - レジストパターンの形成方法

Info

Publication number: JPH0766104A
Application number: JP21244393A
Authority: JP
Inventors: Masatsugu Komai; 正嗣駒井
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1993-08-27
Filing date: 1993-08-27
Publication date: 1995-03-10

Abstract

(57)【要約】【目的】現像液の流動性を良くし、適性露光条件下で
異方性を有する形状のマスクパターン１４を用いる場合
や、パターンサイズが小さくかつ高密度のマスクパター
ン１４を用いて特に高γ特性を有するレジスト１３を露
光・現像する場合に、デザインルールを変更することな
くパターン歪みを小さくすることができ、微細な所望形
状のレジストパターン１３ａを形成することができなが
ら、しかも設計の効率化、設計コストの削減を図ること
ができるレジストパターンの形成方法を提供すること。【構成】薄膜１２上にレジスト１３を塗布し、マスク
露光を施した後にレジスト１３を現像してレジストパタ
ーン１３ａを形成するレジストパターンの形成方法にお
いて、現像液を滴下した後に、薄膜１２を定速で回転さ
せて現像液を撹拌する工程を含んでいるレジストパター
ンの形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はレジストパターンの形成
方法に関し、より詳細には半導体装置やその他の薄膜素
子の製造過程のフォトリソグラフィ工程において用いら
れるレジストパターンの形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置（半導体集積回路）の
製造過程においては、配線や電極などを形成する際のエ
ッチングマスクや、不純物拡散層を形成する際のイオン
注入用マスク等としてレジストパターンが用いられてい
る。このようなレジストパターンを形成するために、フ
ォトリソグラフィ技術が採用されている。フォトリソグ
ラフィ技術は、レジストにマスクのパターンを転写する
工程である。

【０００３】一般的なレジストパターンを形成するため
のフォトリソグラフィ工程を図１０に基づいて説明す
る。まず、基板２１または基板２１上に形成された薄膜
２２の上に感光性高分子から成るレジスト２３を塗布
し、この後プリベークを行なってレジスト２２中に含ま
れる有機溶剤を除去する（図１０（ａ））。次に、マス
クパターン２４を露光によってレジスト２３上に転写す
る（図１０（ｂ））。

【０００４】

【表１】

【０００５】その後、表１に示したようなシーケンスを
組み込みんでレジスト２３の現像を行う。まず、枚葉式
現像装置（図示せず）にウエハ（図示せず）を設置し、
次に８００ｒｐｍの回転数で該ウエハを回転させつつ該
ウエハ上に現像液を約１．５秒間滴下する（表１−ｓｔ
ｅｐ１）。この後、前記ウエハの回転数を３０ｒｐｍに
落とし、ノズルを５ｒｐｍの回転数で前記ウエハの回転
と逆方向に回転させつつ前記ウエハ上の中央部から外周
部へと移動させながら現像液を約４．０秒間滴下し、前
記ウエハ上に現像液を広げる（表１−ｓｔｅｐ２）。こ
の後、ノズルを静止させて現像液の滴下をストップする
（表１−ｓｔｅｐ３）。次に、前記ウエハを約２０秒間
静止させた後、前記ウエハを３０ｒｐｍの回転数で約１
秒間回転させて現像液を撹拌し、これを２回繰り返した
後、約１７秒間静止させる（表２−ｓｔｅｐ４〜８）。
このようにして静止現像を行った後、１０００ｒｐｍの
回転数で前記ウエハの水洗を行い（表１−ｓｔｅｐ
９）、最後に４０００ｒｐｍの回転数で該ウエハを乾燥
させる（表１−ｓｔｅｐ１０）。なお、現像液の滴下中
及び静止現像中においては、前記ウエハ裏面に現像液が
回り込まないようにするために前記ウエハ裏面のブロー
を行う。

【０００６】次に、ポストベークを行なってレジスト２
３を硬化させ、マスクパターン２４に対応するレジスト
パターン２３ａを形成する（図１０（ｃ））。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体装置の集
積度が高くなるにつれて、パターンの微細化・高密度化
が一層要求されてきている。また、一般に半導体装置の
原図となるマスクパターン２４のレイアウト上には種々
のパターンサイズ、パターン密度、パターン種が配置さ
れており、デザインルールに直結しているパターンの歪
みにおける評価も重要となってきている。

【０００８】上記した従来のフォトリソグラフィ工程に
よるレジストパターンの形成方法においては、マスパタ
ーン２４のパターン密度によって、レジスト１３上にお
ける光強度分布及び現像特性が異なってくるものの、マ
スクパターン２４のパターンサイズが大きい場合は、現
像後のレジストパターン２３ａの線幅にパターン密度依
存性の影響はほとんど現れない。しかし、パターンサイ
ズが小さくなるにつれてパターン密度依存性がパターン
線幅に現れ、すなわちパターンサイズが同じであって
も、現像面積が大きくなる場合、現像に必要なエッチヤ
ント量が増加することによる現像液の不足が生じ、現像
が不十分となり、マスクパターン２４の線幅よりもレジ
ストパターン２３ａの線幅が狭くなるという課題があっ
た。

【０００９】また、現像後のレジストパターン２３ａの
形状はマスクパターン２４のサイズ及び密度だけでなく
形状によっても大きく影響を受ける場合がある。例え
ば、レジストパターン２３ａを用いて基板２１または基
板２１上に形成された薄膜２２をエッチングしてコンタ
クトホールを形成する際、マスクパターン２４のパター
ン形状が等方性を有する場合は、微細なものであっても
比較的正確な形状に形成可能である。すなわち、正方形
形状のパターンが形成されたマスクパターン２４を使用
してレジスト２３に露光を施すことにより、光強度分布
が円形状となり、略円形状ではあるが、ほぼ所望形状の
レジストパターン２３ａが形成される。しかし、マスク
パターン２４のパターン形状が異方性を有する場合は、
短辺側に比べて長辺側における露光時の光強度が小さく
なる。このため、現像後のレジストパターン２３ａの形
状において短辺側が長辺側に比べて大きくなる傾向があ
り、この傾向はマスクパターン２４の短辺に対する長辺
の比が大きくなるに従って大きくなる。そのため、フォ
トリソグラフィ工程における露光条件を短辺側に合わせ
た場合は、現像後のレジストパターン２３ａの長辺側の
寸法が設計寸法よりも小さくなり、逆に露光条件を長辺
側に合わせた場合は、短辺側の寸法が設計寸法よりも大
きくなる。その結果、形成されたレジストパターン２３
ａの短辺及び長辺は、マスクパターン２４の短辺の長さ
及び長辺の長さとはかなり異なってくるという課題があ
った。

【００１０】これらの結果、レジストパターン２３ａの
形状に歪みが生じ、微細な所望形状のレジストパターン
２３ａを得ることができないという課題があった。

【００１１】そこで従来は、所望形状のレジストパター
ン２３ａを得るため、マスクパターン２４を設計する際
に、デザインルールにおいてパターン歪みを補正してい
た。

【００１２】しかしながら、パターンサイズの小さいか
つ高密度のマスクパターンを用いた場合に生じるパター
ン歪みを、デザインルールにおいて補正しようとする
と、デザインマージンが小さくなり、プロセス上におい
て種々の制約が生じるという課題があった。

【００１３】また、適性露光条件下で異方性を有する形
状のマスクパターンを用いる場合に生じるパターン歪み
を、デザインルールにおいて補正しようとすると、短辺
側に設計値よりも大きくなる寸法のマージン（許容度）
を設けなければならない。このため、デザインルールが
複雑になり、設計に時間がかかり、能率が悪くなり、設
計コストが高くなるという課題があった。

【００１４】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであって、現像液の流動性を良くし、適性露光条件
下で異方性を有する形状のマスクパターンを用いる場合
や、パターンサイズの小さい高密度のマスクパターンを
用いて特に高γ特性を有するレジストを露光・現像する
場合に、デザインルールを変更することなくパターン歪
みを小さくすることができ、微細な所望形状のレジスト
パターンを容易に形成することができながら、しかも設
計の効率化、設計コストの削減を図ることができるレジ
ストパターンの形成方法を提供することを目的としてい
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るレジストパターンの形成方法は、基板ま
たは薄膜上にレジストを塗布し、マスク露光を施した後
に前記レジストを現像してレジストパターンを形成する
レジストパターンの形成方法において、現像液を滴下し
た後に、前記基板または前記薄膜を定速で回転させて現
像液を撹拌する工程を含んでいることを特徴としてい
る。

【００１６】

【作用】高γ特性を有するレジストとは、レジストの残
膜特性が良好な解像性に優れたレジストのことをいい、
ある露光量で一瞬にして反応して溶解するという特徴を
有している。一般に、γ特性が良好である場合、未露光
部と露光部とを現像するとき溶解速度比が高いため、マ
スク形状に近いレジストパターンが得られる。

【００１７】上記した構成のレジストパターンの形成方
法によれば、現像液を滴下した後に、前記基板または前
記薄膜を定速で回転させて現像液を撹拌する工程を含ん
でいるので、現像液の流動性を高めることが可能とな
り、露光により感光したパターンの端まで現像されるこ
ととなる。これにより、適性露光条件下で異方性を有す
る形状のマスクパターンを用いる場合において、短辺側
エッジ及び長辺側エッジの現像を十分に行うことが可能
となり、パターンの歪みが大幅に小さくなり、しかも前
記マスクパターンの短辺に対する長辺の比が大きくなっ
ても、パターン歪みが大きくならない。また、パターン
サイズの小さい高密度の前記マスクパターンを用いて高
γ特性を有する前記レジストを露光・現像する場合、密
度依存性により生じる同一パターンサイズにおける線幅
差が大幅に縮小され、パターンの歪みが小さくなる。し
たがって、微細な所望形状の前記レジストパターンが形
成される。

【００１８】また、前記マスクパターンを設計する際、
デザインルールにおいて歪みのマージン（許容度）を加
味する必要がなくなり、このためデザインルールが単純
になり、設計時間が短縮され、設計の能率化が図られ、
設計コストの削減が図られる。

【００１９】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係るレジストパタ
ーンの形成方法の実施例及び比較例を図面に基づいて説
明する。

【００２０】図１（ａ）〜（ｃ）は実施例に係るレジス
トパターンの形成方法を工程順に示した模式的断面図で
ある。まず、基板１１上に薄膜１２を形成し、この薄膜
１２上に感光性高分子からなる高γ特性を有するＰＦＸ
１５（住友化学工業（株）製）等のレジスト１３を塗布
する。この後、プリベークを９５℃で１２０秒間行なっ
てレジスト１３中に含まれる有機溶剤を除去する（図１
（ａ））。次に、マスクパターン１４を用いてレジスト
１３にマスク露光を施す（図１（ｂ））。なお、露光装
置としてはＮＳＲ１５０５ｇ−ｌｉｎｅステッパを用い
た。

【００２１】

【表２】

【００２２】この後、ＰＥＢ（Post Exposure Bake）処
理を１１５℃で１２０秒間行い、次に、現像装置として
汎用の枚葉式現像装置を使用し、ポジ型レジスト用現像
液としてＮＭＤー３（東京応化工業（株）製）を用い、
現像液の流動性を良くするために表２に示したような撹
拌効果のあるシーケンスを組み込み、レジスト１３の現
像を行う。まず、枚葉式現像装置にウエハ（図示せず）
を設置し、次に８００ｒｐｍの回転数でウエハ（図示せ
ず）を回転させつつ該ウエハ上に現像液を６〜７ｃｃ／
ｓｅｃで約１．５秒間滴下する（表２−ｓｔｅｐ１）。
この後、前記ウエハの回転数を３０ｒｐｍに落とし、ノ
ズルを５ｒｐｍの回転数で前記ウエハの回転と逆方向に
回転させつつ前記ウエハ上の中央部から外周部へと移動
させながら現像液を６〜７ｃｃ／ｓｅｃで約４．０秒間
滴下し、前記ウエハ上に現像液を広げる（表２−ｓｔｅ
ｐ２）。この後、ノズルを静止させて現像液の滴下をス
トップする（表２−ｓｔｅｐ３）。次に、前記ウエハを
３０ｒｐｍの低速で約５９秒間回転させ、該ウエハ上の
現像液を撹拌する（表２−ｓｔｅｐ４〜８）。この後、
１０００ｒｐｍの回転数で前記ウエハの水洗を行い（表
２−ｓｔｅｐ９）、最後に４０００ｒｐｍの回転数で該
ウエハを乾燥させる（表２−ｓｔｅｐ１０）。なお、現
像液の滴下中及び現像中には、前記ウエハ裏面に現像液
が回り込まないようにするために前記ウエハ裏面のブロ
ーを行う。

【００２３】その後、１２０℃で１２０秒間ポストベー
クを行なってレジスト１３を硬化させ、マスクパターン
１４に対応するレジストパターン１３ａを形成する（図
１（ｃ））。

【００２４】図２は実施例に係るレジストパターンの形
成方法において、マスクのパターンサイズが０．６μｍ
でかつライン幅：スペース幅が１：１の高パターン密度
を有するマスクパターン１４と、マスクのパターンサイ
ズが０．６μｍでありかつライン幅：スペース幅が１：
２０の低パターン密度を有するマスクパターン１４とを
用い、露光量を種々に変化させてレジストパターン１３
ａを形成した場合における各レジストパターン１３ａの
線幅を測定した結果を示したグラフである。また、図３
は比較例として従来のレジストパターンの形成方法（図
１０参照）を用い、実施例の場合と同様にしてレジスト
パターン２３ａを形成した場合における結果を示したグ
ラフである。

【００２５】図２及び図３から明らかなように比較例に
係るレジストパターン２３ａでは、高パターン密度を有
するマスクパターン２４を用いた場合と、低パターン密
度を有するマスクパターン２４を用いた場合とにおける
レジストパターン２３ａの線幅差は露光量の変化に関係
なく約０．０７μｍと大きな値となっている。しかし、
実施例に係るレジストパターン１３ａでは、高パターン
密度を有するマスクパターン１４を用いた場合と、低パ
ターン密度を有するマスクパターン１４を用いた場合と
におけるレジストパターン１３ａの線幅差は露光量の変
化に関係なく約０．０３μｍとなっており、比較例に比
べて１／２以下の小さな値となっている。このように現
像の際、連続して約３０ｒｐｍの低速回転で前記ウエハ
を回転させることにより、現像液の流動性が良くなり、
レジストパターン１３ａにおけるパターン密度依存性を
大幅に軽減することができることを確認することができ
た。

【００２６】図４は実施例に係るレジストパターンの形
成方法において、マスクのパターンサイズが０．８μｍ
でかつライン幅：スペース幅が１：１の高パターン密度
を有するマスクパターン１４と、マスクのパターンサイ
ズが０．８μｍでありかつライン幅：スペース幅が１：
２０の低パターン密度を有するマスクパターン１４とを
用い、露光量を種々に変化させてレジストパターン１３
ａを形成した場合における各レジストパターン１３ａの
線幅を測定した結果を示したグラフである。また、図５
は比較例として従来のレジストパターンの形成方法を用
い、実施例の場合と同様にしてレジストパターン２３ａ
を形成した場合における結果を示したグラフである。

【００２７】図４及び図５から明らかなように比較例に
係るレジストパターン２３ａでは、高パターン密度を有
するマスクパターン２４を用いた場合と、低パターン密
度を有するマスクパターン２４を用いた場合とにおける
レジストパターン２３ａの線幅差は露光量の変化に関係
なく約０．０３μｍとなっている。しかし、実施例に係
るレジストパターン１３では、高パターン密度を有する
マスクパターン１４を用いた場合と、低パターン密度を
有するマスクパターン１４を用いた場合とにおけるレジ
ストパターン１３ａの線幅差は露光量の変化に関係なく
ほとんどなくなっている。このように、現像の際、連続
して約３０ｒｐｍの低速回転で前記ウエハを回転させる
ことにより、現像液の流動性が良くなり、レジストパタ
ーン１３ａにおけるパターン密度依存性を露光量に関係
なく緩和することができることを確認することができ
た。

【００２８】また図２〜図５から明らかなように、マス
クのパターンサイズが０．６μｍである場合は、マスク
のパターンサイズが０．８μｍである場合に比べてパタ
ーン密度依存性が大幅に軽減されており、このようにパ
ターンサイズが小さくなっても、微細な所望形状のレジ
ストパターン１３ａを形成することができることを確認
することができた。

【００２９】図６は実施例に係るレジスト１３として低
ｒ特性を有するＰＦ７４００（住友化学工業（株）製）
を用い、上記した図４の場合と同様にしてレジストパタ
ーン１３ａを形成した場合における結果を示したグラフ
である。また、図７は比較例として従来のレジストパタ
ーンの形成方法を用い、実施例の場合と同様にしてレジ
ストパターン２３ａを形成した場合における結果を示し
たグラフである。

【００３０】図６及び図７から明らかなように比較例に
係るレジストパターン２３ａの場合、露光量が１５０ｍ
Ｊ／ｃｍ² 以上では、高パターン密度を有するマスクパ
ターン２４を用いた場合と、低パターン密度を有するマ
スクパターン２４を用いた場合とにおける線幅差は露光
量の変化に関係なくほとんどなくなっているが、露光量
が約１００ｍＪ／ｃｍ² では線幅差は約０．１３μｍと
大きくなっている。しかし、実施例に係るレジストパタ
ーン１３ａの場合は、露光量が１５０ｍＪ／ｃｍ² 以上
では前記線幅差は露光量の変化に関係なくほとんどなく
なっており、しかも露光量が約１００ｍＪ／ｃｍ² でも
線幅差は約０．０５μｍと大幅に小さくなっている。こ
のように低ｒ特性を有するレジスト１３を用いた場合、
１５０ｍＪ／ｃｍ² 以上の露光領域では現像の際に約３
０ｒｐｍの低速回転で前記ウエハを回転させても余り効
果は得られないものの、アンダー露光領域ではパターン
密度依存性を軽減することができることを確認すること
ができた。

【００３１】また、図４及び図６から明らかなように高
γ特性を有するレジスト１３を用いた場合は、低γ特性
を有するレジスト１３を用いた場合に比べてパターン密
度依存性を大幅に軽減することができることを確認する
ことができた。

【００３２】図８は実施例に係るレジストパターンの形
成方法において、レジスト１３として高ｒ特性を有する
ＰＦＸ１５を使用し、短辺側パターンサイズが０．８μ
ｍに対して長辺側パターンサイズを種々に変化させたマ
スクパターン１４を用いてレジストパターン１３ａを形
成し、レジストパターン１３ａの短辺側および長辺側に
おける実測値と、マスクパターン１４の短辺側および長
辺側における値との差を測定した結果を示したグラフで
ある。また、図９は比較例として従来のレジストパター
ンの形成方法を用い、実施例の場合と同様にしてレジス
トパターン２３ａを形成した場合における結果を示した
グラフである。

【００３３】図８及び図９から明らかなように比較例に
係るレジストパターン２３ａでは、マスクの長辺側パタ
ーンサイズが０．８μｍ、１．０μｍ、１．２μｍ、
１．８μｍと大きくなるに従い、短辺側における実測値
−マスク値と、長辺側における実測値−マスク値との差
が約０．０１μｍ、約０．０４μｍ、約０．０７μｍ、
約０．１１μｍと大きくなっている。しかし、実施例に
係るレジストパターン１３ａでは、マスクの長辺側パタ
ーンサイズが０．８μｍ、１．０μｍ、１．２μｍ、
１．６μｍと大きくなるに従い、短辺側における実測値
−マスク値と、長辺側における実測値−マスク値との差
が約０．０１μｍ、約０．０２μｍ、約０．０６μｍ、
約０．０６μｍとなっており、比較例のものに比べてそ
の差が大幅に小さくなっている。また、マスクパターン
１４の短辺に対する長辺の比が大きくなっても、短辺側
と長辺側との差が大きくなるのが抑制されている。この
ように、現像の際、連続して約３０ｒｐｍの低速回転で
前記ウエハを回転させることにより、現像液の流動性が
良くなり、異方性を有する形状のマスクパターン１４を
用いた場合のパターン歪みを大幅に小さくすることがで
き、しかもマスクパターン１４の短辺に対する長辺の比
が大きくなっても、パターン歪みが大きくなるのを抑制
することができることを確認することができた。

【００３４】以上説明したように実施例に係るレジスト
パターンの形成方法にあっては、現像液を滴下した後
に、薄膜１２を定速で回転させて現像液を撹拌する工程
を含んでいるので、現像液の流動性を高めることがで
き、露光により感光したパターンの端まで現像すること
ができる。これにより、適性露光条件下で異方性を有す
る形状のマスクパターン１４を用いる場合において、短
辺側エッジ及び長辺側エッジの現像を十分に行うことが
でき、パターンの歪みを大幅に小さくすることができ、
しかもマスクパターン１４の短辺に対する長辺の比が大
きくなっても、パターン歪みが大きくなるのを抑制する
ことができる。また、パターンサイズの小さい高密度の
マスクパターン１４を用いて高γ特性を有する前記レジ
ストを露光・現像する場合、密度依存性により生じる同
一パターンサイズにおける線幅差を大幅に小さくするこ
とができ、パターンの歪みを小さくすることができる。
また、低ｒ特性を有するレジスト１３を用いた場合でも
アンダー露光領域ではパターン密度依存性を軽減するこ
とができ、パターンの歪みを小さくすることができる。
したがって、微細な所望形状のレジストパターン１３ａ
を形成することができる。

【００３５】また、マスクパターン１４を設計する際、
デザインルールにおいて歪みのマージン（許容度）を加
味する必要がなくなり、このためデザインルールを単純
にすることができ、設計時間を短縮することができ、設
計の能率化を図ることができ、設計コストの削減を図る
ことができる。

【００３６】なお、上記した実施例では、現像時のウエ
ハの回転数を約３０ｒｐｍに設定したが、別の実施例で
は、現像時のウエハの回転数を２０〜４０ｒｐｍの範囲
で設定してもよい。

【００３７】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るレジス
トパターンの形成方法にあっては、基板または薄膜上に
レジストを塗布し、マスク露光を施した後に前記レジス
トを現像してレジストパターンを形成するレジストパタ
ーンの形成方法において、現像液を滴下した後に、前記
基板または前記薄膜を定速で回転させて現像液を撹拌す
る工程を含んでいるので、現像液の流動性を高めること
ができ、露光により感光したパターンの端まで現像する
ことができる。これにより、適性露光条件下で異方性を
有する形状のマスクパターンを用いる場合において、短
辺側エッジ及び長辺側エッジの現像を十分に行うことが
でき、パターンの歪みを大幅に小さくすることができ、
しかも前記マスクパターンの短辺に対する長辺の比が大
きくなっても、パターン歪みが大きくなるのを抑制する
ことができる。また、パターンサイズの小さい高密度の
前記マスクパターンを用いて高γ特性を有する前記レジ
ストを露光・現像する場合、密度依存性により生じる同
一パターンサイズにおける線幅差を大幅に小さくするこ
とができ、パターンの歪みを小さくすることができる。
したがって、微細な所望形状の前記レジストパターンを
形成することができる。

【００３８】また、前記マスクパターンを設計する際、
デザインルールにおいて歪みのマージン（許容度）を加
味する必要がなくなり、このためデザインルールを単純
にすることができ、設計時間を短縮することができ、設
計の能率化、設計コストの削減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明に係るレジストパター
ンの形成方法の実施例を工程順に示した模式的断面図で
ある。

【図２】実施例に係るマスクパターンとしてマスクのパ
ターンサイズが０．６μｍでありかつ低パターン密度の
マスクパターンと、マスクのパターンサイズが０．６μ
ｍでありかつ高パターン密度のマスクパターンとを使用
し、露光量を種々に変化させてレジストパターンを形成
した場合における各レジストパターンの線幅を測定した
結果を示したグラフである。

【図３】従来例に係るマスクパターンとしてマスクのパ
ターンサイズが０．６μｍでありかつ低パターン密度の
マスクパターンと、マスクのパターンサイズが０．６μ
ｍでありかつ高パターン密度のマスクパターンとを使用
し、露光量を種々に変化させてレジストパターンを形成
した場合における各レジストパターンの線幅を測定した
結果を示したグラフである。

【図４】実施例に係るマスクパターンとして、マスクの
パターンサイズが０．８μｍでありかつ低パターン密度
のマスクパターンと、マスクのパターンサイズが０．８
μｍでありかつ高パターン密度のマスクパターンとを使
用し、露光量を種々に変化させてレジストパターンを形
成した場合における各レジストパターンの線幅を測定し
た結果を示したグラフである。

【図５】従来例に係るマスクパターンとして、マスクの
パターンサイズが０．８μｍでありかつ低パターン密度
のマスクパターンと、マスクのパターンサイズが０．８
μｍでありかつ高パターン密度のマスクパターンとを使
用し、露光量を種々に変化させてレジストパターンを形
成した場合における各レジストパターンの線幅を測定し
た結果を示したグラフである。

【図６】実施例に係るレジストとして低γ特性を有する
レジストを使用し、実施例に係るマスクパターンとし
て、マスクのパターンサイズが０．８μｍでありかつ低
パターン密度のマスクパターンと、マスクのパターンサ
イズが０．８μｍでありかつ高パターン密度のマスクパ
ターンとを使用し、露光量を種々に変化させてレジスト
パターンを形成した場合における各レジストパターンの
線幅を測定した結果を示したグラフである。

【図７】従来例に係るレジストとして低γ特性を有する
レジストを使用し、実施例に係るマスクパターンとし
て、マスクのパターンサイズが０．８μｍでありかつ低
パターン密度のマスクパターンと、マスクのパターンサ
イズが０．８μｍでありかつ高パターン密度のマスクパ
ターンとを使用し、露光量を種々に変化させてレジスト
パターンを形成した場合における各レジストパターンの
線幅を測定した結果を示したグラフである。

【図８】実施例に係るレジストパターンの形成方法にお
いて、短辺側パターンサイズが０．８μｍに対して長辺
側パターンサイズを種々に変化させたマスクパターンを
用いてレジストパターンを形成し、レジストパターンの
短辺側および長辺側における実測値と、マスクパターン
の短辺側および長辺側における値との差を測定した結果
を示したグラフである。

【図９】従来例に係るレジストパターンの形成方法にお
いて、短辺側パターンサイズが０．８μｍに対して長辺
側パターンサイズを種々に変化させたマスクパターンを
用いてレジストパターンを形成し、レジストパターンの
短辺側および長辺側における実測値と、マスクパターン
の短辺側および長辺側における値との差を測定した結果
を示したグラフである。

【図１０】（ａ）〜（ｃ）は従来のレジストパターンの
形成方法を工程順に示した模式的断面図である。

【符号の説明】

１２薄膜１３レジスト１３ａレジストパターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板または薄膜上にレジストを塗布し、
マスク露光を施した後に前記レジストを現像してレジス
トパターンを形成するレジストパターンの形成方法にお
いて、現像液を滴下した後に、前記基板または前記薄膜
を定速で回転させて現像液を撹拌する工程を含んでいる
ことを特徴とするレジストパターンの形成方法。