JPH076436A - 光デイスク装置 - Google Patents
光デイスク装置Info
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- JPH076436A JPH076436A JP17113193A JP17113193A JPH076436A JP H076436 A JPH076436 A JP H076436A JP 17113193 A JP17113193 A JP 17113193A JP 17113193 A JP17113193 A JP 17113193A JP H076436 A JPH076436 A JP H076436A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、記録トラツクに沿つて延長するよう
に記録トラツクの両側に垂直磁化領域を形成し、この垂
直磁化領域を基準にしてトラツキング制御する光デイス
ク装置に関し、トラツキング制御の精度を向上する。 【構成】本発明は、Ｐ波及びＳ波成分に含まれる同相成
分を打ち消すようにＰ波成分及び上記Ｓ波成分とで受光
結果を減算してトラツキングエラー信号ＴＥを生成す
る。
に記録トラツクの両側に垂直磁化領域を形成し、この垂
直磁化領域を基準にしてトラツキング制御する光デイス
ク装置に関し、トラツキング制御の精度を向上する。 【構成】本発明は、Ｐ波及びＳ波成分に含まれる同相成
分を打ち消すようにＰ波成分及び上記Ｓ波成分とで受光
結果を減算してトラツキングエラー信号ＴＥを生成す
る。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図２及び図３） 発明が解決しようとする課題（図２及び図３） 課題を解決するための手段（図１及び図２） 作用（図１及び図２） 実施例 （１）実施例の構成（図１及び図２） （２）実施例の効果 （３）他の実施例 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は光デイスク装置に関し、
特に記録トラツクに沿つて延長するように記録トラツク
の両側に垂直磁化領域を形成し、この垂直磁化領域を基
準にしてトラツキング制御する光磁気デイスク装置に適
用して好適なものである。
特に記録トラツクに沿つて延長するように記録トラツク
の両側に垂直磁化領域を形成し、この垂直磁化領域を基
準にしてトラツキング制御する光磁気デイスク装置に適
用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、光磁気デイスクにおいては、記録
トラツクに沿つて延長するように記録トラツクの両側に
垂直磁化領域を形成することにより、記録トラツクの両
側に所定方向に磁化されたガイドを形成し、これにより
この垂直磁化領域を基準にしてトラツキング制御し得る
ようになされたものが提案されている（特公平 4-67241
号）。すなわち図２に示すように、この種の光磁気デイ
スク装置１においては、スピンドルモータ２で光磁気デ
イスク３を回転駆動し、この状態でレーザダイオード４
を駆動してレーザビームを射出する。
トラツクに沿つて延長するように記録トラツクの両側に
垂直磁化領域を形成することにより、記録トラツクの両
側に所定方向に磁化されたガイドを形成し、これにより
この垂直磁化領域を基準にしてトラツキング制御し得る
ようになされたものが提案されている（特公平 4-67241
号）。すなわち図２に示すように、この種の光磁気デイ
スク装置１においては、スピンドルモータ２で光磁気デ
イスク３を回転駆動し、この状態でレーザダイオード４
を駆動してレーザビームを射出する。
【０００４】ここで光磁気デイスク装置１は、記録時、
記録するデータに応じてレーザビームの光量を間欠的に
切り換えるのに対し、再生時、レーザビームの光量を低
減して連続的に照射する。さらに光磁気デイスク装置１
は、このレーザビームをコリメータレンズ５で平行光線
に変換した後、グレーテイング６を介してこのレーザビ
ームを０次、±１次の回折光（すなわちメインビーム及
びサイドビームでなる）に分解する。
記録するデータに応じてレーザビームの光量を間欠的に
切り換えるのに対し、再生時、レーザビームの光量を低
減して連続的に照射する。さらに光磁気デイスク装置１
は、このレーザビームをコリメータレンズ５で平行光線
に変換した後、グレーテイング６を介してこのレーザビ
ームを０次、±１次の回折光（すなわちメインビーム及
びサイドビームでなる）に分解する。
【０００５】さらに光磁気デイスク装置１は、この回折
光をビームスプリツタ７を介して対物レンズ８に射出
し、ここで対物レンズ８は、この回折光を光磁気デイス
ク３の情報記録面に集光する。ここで図３に示すよう
に、光磁気デイスク３は、熱磁気記録の手法を適用する
ことにより、トラツクセンタＴＣ上に順次磁化領域を形
成して所望のデータを記録し得るようになされ、このト
ラツクセンタＴＣを中心とする記録トラツクに沿つて延
長するように記録トラツクの両側に所定方向に磁化され
た垂直磁化領域ＡＲ１及びＡＲ２を形成するようになさ
れている。
光をビームスプリツタ７を介して対物レンズ８に射出
し、ここで対物レンズ８は、この回折光を光磁気デイス
ク３の情報記録面に集光する。ここで図３に示すよう
に、光磁気デイスク３は、熱磁気記録の手法を適用する
ことにより、トラツクセンタＴＣ上に順次磁化領域を形
成して所望のデータを記録し得るようになされ、このト
ラツクセンタＴＣを中心とする記録トラツクに沿つて延
長するように記録トラツクの両側に所定方向に磁化され
た垂直磁化領域ＡＲ１及びＡＲ２を形成するようになさ
れている。
【０００６】これにより光磁気デイスク装置１は、この
トラツクセンタＴＣ上に０次光を照射してメインスポツ
トＭＳＰを形成すると共に、このメインスポツトＭＳＰ
の前後所定距離だけオフセツトした位置に±１次光でサ
イドスポツトＳＰ１及びＳＰ２を形成するようになさ
れ、このサイドスポツトＳＰ１及びＳＰ２の一部が垂直
磁化領域ＡＲ１及びＡＲ２を照射するようになされてい
る。これにより光磁気デイスク装置１においては、メイ
ンスポツトＭＳＰの位置がトラツクセンタＴＣから左右
両側にそれぞれ変位すると、その分サイドスポツトＳＰ
１及びＳＰ２が照射する垂直磁化領域ＡＲ１及びＡＲ２
の面積が相補的に変化するようになされている。
トラツクセンタＴＣ上に０次光を照射してメインスポツ
トＭＳＰを形成すると共に、このメインスポツトＭＳＰ
の前後所定距離だけオフセツトした位置に±１次光でサ
イドスポツトＳＰ１及びＳＰ２を形成するようになさ
れ、このサイドスポツトＳＰ１及びＳＰ２の一部が垂直
磁化領域ＡＲ１及びＡＲ２を照射するようになされてい
る。これにより光磁気デイスク装置１においては、メイ
ンスポツトＭＳＰの位置がトラツクセンタＴＣから左右
両側にそれぞれ変位すると、その分サイドスポツトＳＰ
１及びＳＰ２が照射する垂直磁化領域ＡＲ１及びＡＲ２
の面積が相補的に変化するようになされている。
【０００７】これにより光磁気デイスク装置１は、トラ
ツキングエラー量に応じて、サイドスポツトＳＰ１及び
ＳＰ２の反射光に含まれるＰ波成分の光量が相補的に変
化するようになされ、この光量の変化を検出してトラツ
キング制御し得るようになされている。
ツキングエラー量に応じて、サイドスポツトＳＰ１及び
ＳＰ２の反射光に含まれるＰ波成分の光量が相補的に変
化するようになされ、この光量の変化を検出してトラツ
キング制御し得るようになされている。
【０００８】さらに光磁気デイスク装置１は、このメイ
ンスポツトＭＳＰの照射位置に所定の磁界を印加し、こ
れによりメインスポツトＭＳＰの照射位置に間欠的に磁
化領域を形成し、所望のデータを熱磁気記録し得るよう
になされている。さらに光磁気デイスク装置１は、この
レーザビームの反射光を対物レンズ８で受光してビーム
スプリツタ７に導き、ここで反射して１／４波長板９を
透過させる。
ンスポツトＭＳＰの照射位置に所定の磁界を印加し、こ
れによりメインスポツトＭＳＰの照射位置に間欠的に磁
化領域を形成し、所望のデータを熱磁気記録し得るよう
になされている。さらに光磁気デイスク装置１は、この
レーザビームの反射光を対物レンズ８で受光してビーム
スプリツタ７に導き、ここで反射して１／４波長板９を
透過させる。
【０００９】さらに光磁気デイスク装置１は、この透過
光を偏向ビームスプリツタ（ＰＢＳ）１０に入射し、こ
こでこの透過光をＰ波成分及びＳ波成分に分解する。す
なわち光磁気デイスク装置１は、この透過光のＰ波成分
を偏向ビームスプリツタ１０で透過してコリメータレン
ズ１１に射出し、このコリメータレンズ１１でＰ波用の
フオトデイテクタ１２に集光する。さらに光磁気デイス
ク装置１は、この透過光のＳ波成分を偏向ビームスプリ
ツタ１０で反射してコリメータレンズ１３に射出し、こ
のコリメータレンズ１３でＳ波用のフオトデイテクタ１
４に集光する。
光を偏向ビームスプリツタ（ＰＢＳ）１０に入射し、こ
こでこの透過光をＰ波成分及びＳ波成分に分解する。す
なわち光磁気デイスク装置１は、この透過光のＰ波成分
を偏向ビームスプリツタ１０で透過してコリメータレン
ズ１１に射出し、このコリメータレンズ１１でＰ波用の
フオトデイテクタ１２に集光する。さらに光磁気デイス
ク装置１は、この透過光のＳ波成分を偏向ビームスプリ
ツタ１０で反射してコリメータレンズ１３に射出し、こ
のコリメータレンズ１３でＳ波用のフオトデイテクタ１
４に集光する。
【００１０】ここでフオトデイテクタ１２及び１４は、
サイドスポツトＳＰ１及びＳＰ２の反射光と、メインス
ポツトＭＳＰの反射光を分離して受光し得るようになさ
れ、これにより光磁気デイスク装置１は、フオトデイテ
クタ１２及び１４の受光結果について、メインスポツト
ＭＳＰ間で差信号を生成するようになされ、これにより
カー効果を利用して記録データを再生し得るようになさ
れている。さらに光磁気デイスク装置１は、フオトデイ
テクタ１２及び１４の何れかの受光結果について、サイ
ドスポツトＳＰ１及びＳＰ２間で差信号を生成すること
により、トラツキングエラー信号を生成し得るようにな
され、このトラツキングエラー信号の信号レベルが０レ
ベルになるように対物レンズ８を左右に可動してトラツ
キング制御し得るようになされている。
サイドスポツトＳＰ１及びＳＰ２の反射光と、メインス
ポツトＭＳＰの反射光を分離して受光し得るようになさ
れ、これにより光磁気デイスク装置１は、フオトデイテ
クタ１２及び１４の受光結果について、メインスポツト
ＭＳＰ間で差信号を生成するようになされ、これにより
カー効果を利用して記録データを再生し得るようになさ
れている。さらに光磁気デイスク装置１は、フオトデイ
テクタ１２及び１４の何れかの受光結果について、サイ
ドスポツトＳＰ１及びＳＰ２間で差信号を生成すること
により、トラツキングエラー信号を生成し得るようにな
され、このトラツキングエラー信号の信号レベルが０レ
ベルになるように対物レンズ８を左右に可動してトラツ
キング制御し得るようになされている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところでこの種の光磁
気デイスク３においては、反射率が局所的に変動する場
合があり、この反射率の変動に伴つて反射光の光量が変
化することにより、トラツキングエラー信号にノイズが
混入する問題があつた。
気デイスク３においては、反射率が局所的に変動する場
合があり、この反射率の変動に伴つて反射光の光量が変
化することにより、トラツキングエラー信号にノイズが
混入する問題があつた。
【００１２】さらにこの種の光磁気デイスク装置１にお
いては、光学系の光軸がずれると光磁気デイスク３に照
射するレーザビームの光量分布（すなわちビームプロフ
アイルでなる）が変化する特徴があり、この場合トラツ
キングエラー量が一定値に保持されている場合でも、ト
ラツキングエラー信号のオフセツト電圧が変動し、結局
トラツキングエラー信号の信号レベルが変動する問題が
ある。特にこの種の光磁気デイスク装置１においては、
対物レンズ８を可動してトラツキング制御することによ
り、光学系の光軸が常に変化する特徴があり、さらにプ
リグルーブを基準にしてトラツキングエラー信号を生成
する場合に比してトラツキングエラー信号の信号レベル
も小さいことにより、この光軸変化に伴うオフセツト電
圧の変動はトラツキング制御の精度に大きな影響を与え
る特徴がある。
いては、光学系の光軸がずれると光磁気デイスク３に照
射するレーザビームの光量分布（すなわちビームプロフ
アイルでなる）が変化する特徴があり、この場合トラツ
キングエラー量が一定値に保持されている場合でも、ト
ラツキングエラー信号のオフセツト電圧が変動し、結局
トラツキングエラー信号の信号レベルが変動する問題が
ある。特にこの種の光磁気デイスク装置１においては、
対物レンズ８を可動してトラツキング制御することによ
り、光学系の光軸が常に変化する特徴があり、さらにプ
リグルーブを基準にしてトラツキングエラー信号を生成
する場合に比してトラツキングエラー信号の信号レベル
も小さいことにより、この光軸変化に伴うオフセツト電
圧の変動はトラツキング制御の精度に大きな影響を与え
る特徴がある。
【００１３】またこのようにして生成するトラツキング
エラー信号においては、垂直磁化領域ＡＲ間に形成した
磁化パターンによつても（すなわち磁化密度によつて
も）、このオフセツト電圧が変化する。
エラー信号においては、垂直磁化領域ＡＲ間に形成した
磁化パターンによつても（すなわち磁化密度によつて
も）、このオフセツト電圧が変化する。
【００１４】これにより結局この種の光磁気デイスク装
置１においては、高い精度でトラツキング制御すること
が困難な問題があり、結局プリグルーブを形成する場合
に比して高密度で記録トラツクを形成し得る光磁気デイ
スク３の特徴を充分に生かし切れない欠点があつた。
置１においては、高い精度でトラツキング制御すること
が困難な問題があり、結局プリグルーブを形成する場合
に比して高密度で記録トラツクを形成し得る光磁気デイ
スク３の特徴を充分に生かし切れない欠点があつた。
【００１５】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、トラツクセンタの両側に垂直磁化領域を形成し、こ
の垂直磁化領域を基準にしてトラツキング制御する際
に、トラツキング制御の精度を向上することができる光
デイスク装置を提案しようとするものである。
で、トラツクセンタの両側に垂直磁化領域を形成し、こ
の垂直磁化領域を基準にしてトラツキング制御する際
に、トラツキング制御の精度を向上することができる光
デイスク装置を提案しようとするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、記録トラツクＴＲに沿つて延長す
るように記録トラツクの両側に垂直磁化領域ＡＲ１、Ａ
Ｒ２を形成した光磁気デイスク３を回転駆動し、垂直磁
化領域ＡＲ１、ＡＲ２を基準にしてトラツキング制御す
る光磁気デイスク装置１において、レーザビームを射出
して光磁気デイスク３に集光するレーザ光学系４、５、
６、７、８と、光磁気デイスク３から得られるレーザビ
ームの反射光を、Ｐ波成分及びＳ波成分に分解し、Ｐ波
成分及びＳ波成分をそれぞれ所定の受光素子１２、１４
で受光する受光光学系７、８、９、１０、１１、１３
と、Ｐ波成分及びＳ波成分に含まれる同相成分を打ち消
すように、受光素子１２、１４の出力信号をＰ波成分及
びＳ波成分とで減算してトラツキングエラー信号ＴＥを
生成するトラツキングエラー信号生成手段２０と、トラ
ツキングエラー信号ＴＥを基準にして光磁気デイスク３
に集光するレーザビームの位置を補正するトラツキング
制御手段とを備えるようにする。
め本発明においては、記録トラツクＴＲに沿つて延長す
るように記録トラツクの両側に垂直磁化領域ＡＲ１、Ａ
Ｒ２を形成した光磁気デイスク３を回転駆動し、垂直磁
化領域ＡＲ１、ＡＲ２を基準にしてトラツキング制御す
る光磁気デイスク装置１において、レーザビームを射出
して光磁気デイスク３に集光するレーザ光学系４、５、
６、７、８と、光磁気デイスク３から得られるレーザビ
ームの反射光を、Ｐ波成分及びＳ波成分に分解し、Ｐ波
成分及びＳ波成分をそれぞれ所定の受光素子１２、１４
で受光する受光光学系７、８、９、１０、１１、１３
と、Ｐ波成分及びＳ波成分に含まれる同相成分を打ち消
すように、受光素子１２、１４の出力信号をＰ波成分及
びＳ波成分とで減算してトラツキングエラー信号ＴＥを
生成するトラツキングエラー信号生成手段２０と、トラ
ツキングエラー信号ＴＥを基準にして光磁気デイスク３
に集光するレーザビームの位置を補正するトラツキング
制御手段とを備えるようにする。
【００１７】さらに第２の発明において、レーザ光学系
４、５、６、７、８は、レーザビームを回折してメイン
ビーム及びサイドビームを形成し、メインビーム及びサ
イドビームを光磁気デイスク３に集光することにより、
レーザビームを光磁気デイスク３に集光し、受光光学系
７、８、９、１０、１１、１３は、メインビーム及びサ
イドビームの反射光をＰ波成分及びＳ波成分に分解し、
Ｐ波成分及びＳ波成分をメインビーム及びサイドビーム
毎にそれぞれ所定の受光素子ＡP0、ＢP0、ＡS0、ＢS0及
びＡP1、ＢP1、ＡP2、ＢP2、ＡS1、ＢS1、ＡS2、ＢS2で
受光することにより、レーザビームの反射光をＰ波成分
及びＳ波成分に分解してそれぞれ所定の受光素子１２、
１４で受光し、トラツキングエラー信号生成手段２０
は、メインビームのＰ波成分及びＳ波成分に含まれる同
相成分を打ち消すように、メインビームの受光結果（Ａ
P0、ＢP0、ＡS0、ＢS0）のＰ波成分及びＳ波成分を減算
してメインビームのトラツキングエラー信号（ＡP0−Ｂ
P0）−（ＡS0−ＢS0）を生成し、サイドビームのＰ波成
分及びＳ波成分に含まれる同相成分を打ち消すように、
サイドビームの受光結果ＡP1、ＢP1、ＡP2、ＢP2、
ＡS1、ＢS1、ＡS2、ＢS2のＰ波成分及びＳ波成分を減算
してサイドビームのトラツキングエラー信号（ＢP1−Ａ
P2）−（ＢS1−ＡS2）を生成し、メインビーム及びサイ
ドビームのトラツキングエラー信号（ＡP0−ＢP0）−
（ＡS0−ＢS0）及び（ＢP1−ＡP2）−（ＢS1−ＡS2）に
含まれるオフセツト電圧を打ち消すように、メインビー
ム及びサイドビームのトラツキングエラー信号（ＡP0−
ＢP0）−（ＡS0−ＢS0）及び（ＢP1−ＡP2）−（ＢS1−
ＡS2）を演算処理してトラツキングエラー信号ＴＥを生
成する。
４、５、６、７、８は、レーザビームを回折してメイン
ビーム及びサイドビームを形成し、メインビーム及びサ
イドビームを光磁気デイスク３に集光することにより、
レーザビームを光磁気デイスク３に集光し、受光光学系
７、８、９、１０、１１、１３は、メインビーム及びサ
イドビームの反射光をＰ波成分及びＳ波成分に分解し、
Ｐ波成分及びＳ波成分をメインビーム及びサイドビーム
毎にそれぞれ所定の受光素子ＡP0、ＢP0、ＡS0、ＢS0及
びＡP1、ＢP1、ＡP2、ＢP2、ＡS1、ＢS1、ＡS2、ＢS2で
受光することにより、レーザビームの反射光をＰ波成分
及びＳ波成分に分解してそれぞれ所定の受光素子１２、
１４で受光し、トラツキングエラー信号生成手段２０
は、メインビームのＰ波成分及びＳ波成分に含まれる同
相成分を打ち消すように、メインビームの受光結果（Ａ
P0、ＢP0、ＡS0、ＢS0）のＰ波成分及びＳ波成分を減算
してメインビームのトラツキングエラー信号（ＡP0−Ｂ
P0）−（ＡS0−ＢS0）を生成し、サイドビームのＰ波成
分及びＳ波成分に含まれる同相成分を打ち消すように、
サイドビームの受光結果ＡP1、ＢP1、ＡP2、ＢP2、
ＡS1、ＢS1、ＡS2、ＢS2のＰ波成分及びＳ波成分を減算
してサイドビームのトラツキングエラー信号（ＢP1−Ａ
P2）−（ＢS1−ＡS2）を生成し、メインビーム及びサイ
ドビームのトラツキングエラー信号（ＡP0−ＢP0）−
（ＡS0−ＢS0）及び（ＢP1−ＡP2）−（ＢS1−ＡS2）に
含まれるオフセツト電圧を打ち消すように、メインビー
ム及びサイドビームのトラツキングエラー信号（ＡP0−
ＢP0）−（ＡS0−ＢS0）及び（ＢP1−ＡP2）−（ＢS1−
ＡS2）を演算処理してトラツキングエラー信号ＴＥを生
成する。
【００１８】
【作用】Ｐ波成分及びＳ波成分に含まれる同相成分を打
ち消すように、受光素子１２、１４の出力信号を減算し
てトラツキングエラー信号ＴＥを生成すれば、同相成分
でなる反射光の光量変化に対してトラツキングエラー信
号ＴＥの信号レベルを一定値に保持することができる。
ち消すように、受光素子１２、１４の出力信号を減算し
てトラツキングエラー信号ＴＥを生成すれば、同相成分
でなる反射光の光量変化に対してトラツキングエラー信
号ＴＥの信号レベルを一定値に保持することができる。
【００１９】これに対してメインビーム及びサイドビー
ムのトラツキングエラー信号（ＡP0−ＢP0）−（ＡS0−
ＢS0）及び（ＢP1−ＡP2）−（ＢS1−ＡS2）に含まれる
オフセツト電圧を打ち消すように、メインビーム及びサ
イドビームのトラツキングエラー信号（ＡP0−ＢP0）−
（ＡS0−ＢS0）及び（ＢP1−ＡP2）−（ＢS1−ＡS2）を
演算処理してトラツキングエラー信号ＴＥを生成すれ
ば、レーザビームのビームプロフアイルが変化した場合
等でも、この変化に伴うトラツキングエラー信号ＴＥの
変動を有効に回避することができる。
ムのトラツキングエラー信号（ＡP0−ＢP0）−（ＡS0−
ＢS0）及び（ＢP1−ＡP2）−（ＢS1−ＡS2）に含まれる
オフセツト電圧を打ち消すように、メインビーム及びサ
イドビームのトラツキングエラー信号（ＡP0−ＢP0）−
（ＡS0−ＢS0）及び（ＢP1−ＡP2）−（ＢS1−ＡS2）を
演算処理してトラツキングエラー信号ＴＥを生成すれ
ば、レーザビームのビームプロフアイルが変化した場合
等でも、この変化に伴うトラツキングエラー信号ＴＥの
変動を有効に回避することができる。
【００２０】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００２１】（１）実施例の構成 図１において、２０は全体としてトラツキングエラー信
号生成回路を示し、この実施例の場合受光素子１２及び
１４（図２）に代えて受光素子２１及び２２を配置す
る。ここで受光素子２１及び２２は、それぞれメインス
ポツトＭＳＰ及びサイドスポツトＳＰ１、ＳＰ２の反射
光を各受光部で個別に受光し得るように形成され、さら
に各受光部は、受光面を光磁気デイスクの半径方向に２
分割するようになされている。
号生成回路を示し、この実施例の場合受光素子１２及び
１４（図２）に代えて受光素子２１及び２２を配置す
る。ここで受光素子２１及び２２は、それぞれメインス
ポツトＭＳＰ及びサイドスポツトＳＰ１、ＳＰ２の反射
光を各受光部で個別に受光し得るように形成され、さら
に各受光部は、受光面を光磁気デイスクの半径方向に２
分割するようになされている。
【００２２】これによりトラツキングエラー信号生成回
路２０は、各受光面から出力される出力信号を演算処理
することにより、トラツキングエラー信号ＴＥを生成す
るようになされている。すなわちトラツキングエラー信
号生成回路２０は、Ｐ波側メインスポツトＭＳＰの反射
光を受光する受光面ＡP0及びＢP0の出力信号を増幅回路
２３Ｂ及び２３Ｃに入力し、ここで所定利得で増幅した
後、演算増幅回路２４に出力する。
路２０は、各受光面から出力される出力信号を演算処理
することにより、トラツキングエラー信号ＴＥを生成す
るようになされている。すなわちトラツキングエラー信
号生成回路２０は、Ｐ波側メインスポツトＭＳＰの反射
光を受光する受光面ＡP0及びＢP0の出力信号を増幅回路
２３Ｂ及び２３Ｃに入力し、ここで所定利得で増幅した
後、演算増幅回路２４に出力する。
【００２３】ここで演算増幅回路２４は、帰還抵抗２５
及び接地抵抗２６を有する差動増幅回路で形成され、そ
れぞれ入力抵抗２７及び２８を介して、増幅回路２３Ｂ
及び２３Ｃの出力信号を反転入力端及び非反転入力端に
入力し、これにより受光面ＡP0及びＢP0の出力信号の差
信号を生成するようになされている。これによりトラツ
キングエラー信号生成回路２０は、メインビームのＰ波
成分についてメインビームのトラツキングエラー量に応
じて信号レベルが変化する差信号を出力するようになさ
れ、これにより従来の光磁気デイスク装置に適用される
トラツキングエラー信号を演算増幅回路２４で生成する
ようになされている。
及び接地抵抗２６を有する差動増幅回路で形成され、そ
れぞれ入力抵抗２７及び２８を介して、増幅回路２３Ｂ
及び２３Ｃの出力信号を反転入力端及び非反転入力端に
入力し、これにより受光面ＡP0及びＢP0の出力信号の差
信号を生成するようになされている。これによりトラツ
キングエラー信号生成回路２０は、メインビームのＰ波
成分についてメインビームのトラツキングエラー量に応
じて信号レベルが変化する差信号を出力するようになさ
れ、これにより従来の光磁気デイスク装置に適用される
トラツキングエラー信号を演算増幅回路２４で生成する
ようになされている。
【００２４】さらにトラツキングエラー信号生成回路２
０は、Ｓ波側メインスポツトＭＳＰの反射光を受光する
受光面ＡS0及びＢS0の出力信号を増幅回路２３Ｆ及び２
３Ｇに入力し、ここで所定利得で増幅した後、演算増幅
回路３０に出力する。
０は、Ｓ波側メインスポツトＭＳＰの反射光を受光する
受光面ＡS0及びＢS0の出力信号を増幅回路２３Ｆ及び２
３Ｇに入力し、ここで所定利得で増幅した後、演算増幅
回路３０に出力する。
【００２５】ここで演算増幅回路３０は、帰還抵抗３１
及び接地抵抗３２を有する差動増幅回路で形成され、そ
れぞれ入力抵抗３３及び３４を介して、増幅回路２３Ｆ
及び２３Ｇの出力信号を反転入力端及び非反転入力端に
入力し、これにより受光面ＡS0及びＢS0の出力信号の差
信号を生成するようになされている。これによりトラツ
キングエラー信号生成回路２０は、メインビームのＳ波
成分についてメインビームのトラツキングエラー量に応
じて信号レベルが変化する差信号を出力するようになさ
れ、これにより従来の光磁気デイスク装置に適用される
トラツキングエラー信号をＳ波成分についても生成する
ようになされている。
及び接地抵抗３２を有する差動増幅回路で形成され、そ
れぞれ入力抵抗３３及び３４を介して、増幅回路２３Ｆ
及び２３Ｇの出力信号を反転入力端及び非反転入力端に
入力し、これにより受光面ＡS0及びＢS0の出力信号の差
信号を生成するようになされている。これによりトラツ
キングエラー信号生成回路２０は、メインビームのＳ波
成分についてメインビームのトラツキングエラー量に応
じて信号レベルが変化する差信号を出力するようになさ
れ、これにより従来の光磁気デイスク装置に適用される
トラツキングエラー信号をＳ波成分についても生成する
ようになされている。
【００２６】すなわち光磁気デイスク３の反射率の変化
により反射光の光量が変化した場合、さらにはごみ等に
より反射光の光量が変化した場合、反射光のＳ波及びＰ
波成分においては、同相で信号レベルが変化する。これ
に対してメインスポツトがオフトラツクした場合、Ｓ波
及びＰ波成分においては、逆相で信号レベルが変化す
る。
により反射光の光量が変化した場合、さらにはごみ等に
より反射光の光量が変化した場合、反射光のＳ波及びＰ
波成分においては、同相で信号レベルが変化する。これ
に対してメインスポツトがオフトラツクした場合、Ｓ波
及びＰ波成分においては、逆相で信号レベルが変化す
る。
【００２７】これによりＰ波及びＳ波について生成した
トラツキングエラー信号を減算すれば、反射光の光量変
化に伴う同相成分の変動を抑圧し得、さらにオフトラツ
クに伴う信号レベルの変化を強調し得、これによりトラ
ツキングエラー信号のノイズを低減することができる。
これによりトラツキングエラー信号生成回路２０は、演
算増幅回路２４及び３０の出力信号をそれぞれ演算増幅
回路３５、３６及び３７、３８を介して演算増幅回路３
９に出力し、ここで差信号を生成する。
トラツキングエラー信号を減算すれば、反射光の光量変
化に伴う同相成分の変動を抑圧し得、さらにオフトラツ
クに伴う信号レベルの変化を強調し得、これによりトラ
ツキングエラー信号のノイズを低減することができる。
これによりトラツキングエラー信号生成回路２０は、演
算増幅回路２４及び３０の出力信号をそれぞれ演算増幅
回路３５、３６及び３７、３８を介して演算増幅回路３
９に出力し、ここで差信号を生成する。
【００２８】すなわち演算増幅回路３５及び３６は、そ
れぞれ帰還抵抗４０、４１及び入力抵抗４２、４３を有
する反転増幅回路で形成され、この帰還抵抗４０、４１
を半固定抵抗で形成するようになされている。これによ
り演算増幅回路３５及び３６は、それぞれ演算増幅回路
２４及び３２の出力信号を所定利得で増幅して出力し、
このとき帰還抵抗４０、４１の値を調整して出力信号を
レベル合わせし得るようになされている。
れぞれ帰還抵抗４０、４１及び入力抵抗４２、４３を有
する反転増幅回路で形成され、この帰還抵抗４０、４１
を半固定抵抗で形成するようになされている。これによ
り演算増幅回路３５及び３６は、それぞれ演算増幅回路
２４及び３２の出力信号を所定利得で増幅して出力し、
このとき帰還抵抗４０、４１の値を調整して出力信号を
レベル合わせし得るようになされている。
【００２９】演算増幅回路３９は、帰還抵抗４４及び接
地抵抗４５を有する差動増幅回路で形成され、それぞれ
入力抵抗４６及び４７を介して、演算増幅回路３５及び
３６の出力信号を反転入力端及び非反転入力端に入力
し、これにより演算増幅回路３２及び３４の出力信号に
ついて、差信号を生成するようになされている。これに
よりトラツキングエラー信号生成回路２０は、メインビ
ームのＳ波成分及びＰ波成分について、従来の光磁気デ
イスク装置に適用されるトラツキングエラー信号を生成
した後、演算増幅回路３９で次式
地抵抗４５を有する差動増幅回路で形成され、それぞれ
入力抵抗４６及び４７を介して、演算増幅回路３５及び
３６の出力信号を反転入力端及び非反転入力端に入力
し、これにより演算増幅回路３２及び３４の出力信号に
ついて、差信号を生成するようになされている。これに
よりトラツキングエラー信号生成回路２０は、メインビ
ームのＳ波成分及びＰ波成分について、従来の光磁気デ
イスク装置に適用されるトラツキングエラー信号を生成
した後、演算増幅回路３９で次式
【数１】 の演算処理を実行するようになされ、これにより同相成
分を打ち消すようになされている。
分を打ち消すようになされている。
【００３０】ところでこのように同相成分を打ち消すよ
うにすれば、反射光量の変化に伴うトラツキングエラー
信号の変動を有効に回避し得る反面、ビームプロフアイ
ルの変化に伴うトラツキングエラー信号の変動について
は、未だ防止し得ない欠点がある。このためこの実施例
においては、サイドスポツトＳＰ１及びＳＰ２の反射光
を受光する受光面の出力信号を用いて、このビームプロ
フアイルの変化に伴うトラツキングエラー信号の変動を
有効に回避する。
うにすれば、反射光量の変化に伴うトラツキングエラー
信号の変動を有効に回避し得る反面、ビームプロフアイ
ルの変化に伴うトラツキングエラー信号の変動について
は、未だ防止し得ない欠点がある。このためこの実施例
においては、サイドスポツトＳＰ１及びＳＰ２の反射光
を受光する受光面の出力信号を用いて、このビームプロ
フアイルの変化に伴うトラツキングエラー信号の変動を
有効に回避する。
【００３１】すなわちトラツキングエラー信号生成回路
２０は、Ｐ波側サイドスポツトＳＰ１及びＳＰ２の反射
光を受光する受光面ＡP1、ＢP1及びＡP2、ＢP2のうち、
メインスポツトＭＳＰ側の受光面ＢP1及びＡP2の出力信
号を増幅回路２３Ａ及び２３Ｄに入力し、ここで所定利
得で増幅した後、演算増幅回路５０に出力する。
２０は、Ｐ波側サイドスポツトＳＰ１及びＳＰ２の反射
光を受光する受光面ＡP1、ＢP1及びＡP2、ＢP2のうち、
メインスポツトＭＳＰ側の受光面ＢP1及びＡP2の出力信
号を増幅回路２３Ａ及び２３Ｄに入力し、ここで所定利
得で増幅した後、演算増幅回路５０に出力する。
【００３２】ここで演算増幅回路５０は、帰還抵抗５１
及び接地抵抗５２を有する差動増幅回路で形成され、そ
れぞれ入力抵抗５３及び５４を介して、増幅回路２３Ａ
及び２３Ｄの出力信号を反転入力端及び非反転入力端に
入力し、これにより受光面ＢP1及びＡP2の出力信号の差
信号を生成する。さらにトラツキングエラー信号生成回
路２０は、Ｓ波側サイドスポツトＳＰ１及びＳＰ２の反
射光を受光する受光面ＡS1、ＢS1及びＡS2、ＢS2のう
ち、メインスポツトＭＳＰ側の受光面ＢS1及びＡS2の出
力信号を増幅回路２３Ｅ及び２３Ｈに入力し、ここで所
定利得で増幅した後、演算増幅回路５５に出力する。
及び接地抵抗５２を有する差動増幅回路で形成され、そ
れぞれ入力抵抗５３及び５４を介して、増幅回路２３Ａ
及び２３Ｄの出力信号を反転入力端及び非反転入力端に
入力し、これにより受光面ＢP1及びＡP2の出力信号の差
信号を生成する。さらにトラツキングエラー信号生成回
路２０は、Ｓ波側サイドスポツトＳＰ１及びＳＰ２の反
射光を受光する受光面ＡS1、ＢS1及びＡS2、ＢS2のう
ち、メインスポツトＭＳＰ側の受光面ＢS1及びＡS2の出
力信号を増幅回路２３Ｅ及び２３Ｈに入力し、ここで所
定利得で増幅した後、演算増幅回路５５に出力する。
【００３３】ここで演算増幅回路５５は、帰還抵抗５６
及び接地抵抗５７を有する差動増幅回路で形成され、そ
れぞれ入力抵抗５８及び５９を介して、増幅回路２３Ｅ
及び２３Ｈの出力信号を反転入力端及び非反転入力端に
入力し、これにより受光面ＢS1及びＡS2の出力信号の差
信号を生成する。
及び接地抵抗５７を有する差動増幅回路で形成され、そ
れぞれ入力抵抗５８及び５９を介して、増幅回路２３Ｅ
及び２３Ｈの出力信号を反転入力端及び非反転入力端に
入力し、これにより受光面ＢS1及びＡS2の出力信号の差
信号を生成する。
【００３４】演算増幅回路６０及び６１は、それぞれ帰
還抵抗６２、６３及び入力抵抗６４、６５を有する反転
増幅回路で形成され、この帰還抵抗６２、６３を半固定
抵抗で形成するようになされている。これにより演算増
幅回路６０及び６１は、それぞれ演算増幅回路５０及び
５５の出力信号を所定利得で増幅して出力し、このとき
帰還抵抗６２、６３の値を調整して出力信号をレベル合
わせし得るようになされている。
還抵抗６２、６３及び入力抵抗６４、６５を有する反転
増幅回路で形成され、この帰還抵抗６２、６３を半固定
抵抗で形成するようになされている。これにより演算増
幅回路６０及び６１は、それぞれ演算増幅回路５０及び
５５の出力信号を所定利得で増幅して出力し、このとき
帰還抵抗６２、６３の値を調整して出力信号をレベル合
わせし得るようになされている。
【００３５】演算増幅回路３６は、帰還抵抗６７及び接
地抵抗６８を有する差動増幅回路で形成され、それぞれ
入力抵抗６９及び７０を介して、演算増幅回路３５及び
６０の出力信号を反転入力端及び非反転入力端に入力
し、これにより演算増幅回路３５及び６０の出力信号の
差信号を生成するようになされている。同様に演算増幅
回路３８は、帰還抵抗７１及び接地抵抗７２を有する差
動増幅回路で形成され、それぞれ入力抵抗７３及び７４
を介して、演算増幅回路３７及び６１の出力信号を反転
入力端及び非反転入力端に入力し、これにより演算増幅
回路３７及び６１の出力信号の差信号を生成するように
なされている。
地抵抗６８を有する差動増幅回路で形成され、それぞれ
入力抵抗６９及び７０を介して、演算増幅回路３５及び
６０の出力信号を反転入力端及び非反転入力端に入力
し、これにより演算増幅回路３５及び６０の出力信号の
差信号を生成するようになされている。同様に演算増幅
回路３８は、帰還抵抗７１及び接地抵抗７２を有する差
動増幅回路で形成され、それぞれ入力抵抗７３及び７４
を介して、演算増幅回路３７及び６１の出力信号を反転
入力端及び非反転入力端に入力し、これにより演算増幅
回路３７及び６１の出力信号の差信号を生成するように
なされている。
【００３６】これによりトラツキングエラー信号生成回
路２０は、演算増幅回路３９で、次式
路２０は、演算増幅回路３９で、次式
【数２】 の演算処理を実行し、これによりメインビームから得ら
れるトラツキングエラー信号とサイドビームから得られ
るトラツキングエラー信号との間で、ビームプロフアイ
ルの変化に追従して変化する信号レベルの同相成分を打
ち消し合うように演算処理を実行し、トラツキングエラ
ー信号ＴＥを生成する。
れるトラツキングエラー信号とサイドビームから得られ
るトラツキングエラー信号との間で、ビームプロフアイ
ルの変化に追従して変化する信号レベルの同相成分を打
ち消し合うように演算処理を実行し、トラツキングエラ
ー信号ＴＥを生成する。
【００３７】すなわち（２）式のサイドビームから得ら
れるトラツキングエラー信号（すなわち（ＢP1−ＡP2）
−（ＢS1−ＡS2）で表される信号成分でなる）において
は、メインビームから得られるトラツキングエラー信号
（すなわち（２）式において（ＡP0−ＢP0）−（ＡS0−
ＢS0）で表される信号成分でなる）の場合と同様に、反
射光量の変化に伴う信号レベルの変化を充分に抑圧する
ことができる。これに対してビームプロフアイルの変化
は、サイドビーム及びメインビームで同様に変化するこ
とにより、（２）式で表されるサイドビーム及びメイン
ビームから得られるトラツキングエラー信号は、ビーム
プロフアイルの変化に対して同相でオフセツト電圧が変
化するのに対し、トラツキングエラー量に対しては逆相
で信号レベルが変化する。
れるトラツキングエラー信号（すなわち（ＢP1−ＡP2）
−（ＢS1−ＡS2）で表される信号成分でなる）において
は、メインビームから得られるトラツキングエラー信号
（すなわち（２）式において（ＡP0−ＢP0）−（ＡS0−
ＢS0）で表される信号成分でなる）の場合と同様に、反
射光量の変化に伴う信号レベルの変化を充分に抑圧する
ことができる。これに対してビームプロフアイルの変化
は、サイドビーム及びメインビームで同様に変化するこ
とにより、（２）式で表されるサイドビーム及びメイン
ビームから得られるトラツキングエラー信号は、ビーム
プロフアイルの変化に対して同相でオフセツト電圧が変
化するのに対し、トラツキングエラー量に対しては逆相
で信号レベルが変化する。
【００３８】これにより（２）式の演算処理を実行して
ビームプロフアイルの変化に伴うトラツキングエラー信
号ＴＥの信号レベルの変化を抑圧することができる。さ
らにこのようにビームプロフアイルの変化に伴うトラツ
キングエラー信号ＴＥのオフセツト電圧の変化を抑圧し
得ることにより、垂直磁化領域ＡＲ間に形成した磁化パ
ターンに伴うオフセツト電圧の変化も抑圧し得、これに
よりトラツキングエラー信号ＴＥを基準にして対物レン
ズ８を可動してトラツキング制御の精度を向上すること
ができる。
ビームプロフアイルの変化に伴うトラツキングエラー信
号ＴＥの信号レベルの変化を抑圧することができる。さ
らにこのようにビームプロフアイルの変化に伴うトラツ
キングエラー信号ＴＥのオフセツト電圧の変化を抑圧し
得ることにより、垂直磁化領域ＡＲ間に形成した磁化パ
ターンに伴うオフセツト電圧の変化も抑圧し得、これに
よりトラツキングエラー信号ＴＥを基準にして対物レン
ズ８を可動してトラツキング制御の精度を向上すること
ができる。
【００３９】（２）実施例の効果 以上の構成によれば、Ｐ波及びＳ波成分間で同相成分を
打ち消し合うようにしてトラツキングエラー信号を生成
し、さらにこのようにしてメインビーム及びサイドビー
ムについてトラツキングエラー信号を生成し、オフセツ
ト電圧を打ち消し合うように演算処理してトラツキング
エラー信号を生成することにより、反射光量の変化、光
軸の変化に伴うトラツキングエラー信号の信号レベルの
変化を有効に回避し得、これによりトラツキング制御の
精度を向上することができる。
打ち消し合うようにしてトラツキングエラー信号を生成
し、さらにこのようにしてメインビーム及びサイドビー
ムについてトラツキングエラー信号を生成し、オフセツ
ト電圧を打ち消し合うように演算処理してトラツキング
エラー信号を生成することにより、反射光量の変化、光
軸の変化に伴うトラツキングエラー信号の信号レベルの
変化を有効に回避し得、これによりトラツキング制御の
精度を向上することができる。
【００４０】（３）他の実施例 なお上述の実施例においては、反射光量の変化だけでな
く、併せてビームプロフアイルの変化に対してもトラツ
キングエラー信号の精度を向上する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、必要に応じて例えば反射光
量の変化についてだけトラツキングエラー信号の精度を
向上するようにしてもよい。
く、併せてビームプロフアイルの変化に対してもトラツ
キングエラー信号の精度を向上する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、必要に応じて例えば反射光
量の変化についてだけトラツキングエラー信号の精度を
向上するようにしてもよい。
【００４１】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、Ｐ波及び
Ｓ波成分に含まれる同相成分を打ち消すようにＰ波成分
及び上記Ｓ波成分とで受光結果を減算してトラツキング
エラー信号を生成することにより、トラツクセンタの両
側に垂直磁化領域を形成し、この垂直磁化領域を基準に
してトラツキング制御する際に、トラツキング制御の精
度を向上することができる光デイスク装置を得ることが
できる。
Ｓ波成分に含まれる同相成分を打ち消すようにＰ波成分
及び上記Ｓ波成分とで受光結果を減算してトラツキング
エラー信号を生成することにより、トラツクセンタの両
側に垂直磁化領域を形成し、この垂直磁化領域を基準に
してトラツキング制御する際に、トラツキング制御の精
度を向上することができる光デイスク装置を得ることが
できる。
【図１】本発明の一実施例によるトラツキングエラー信
号生成回路を示す接続図である。
号生成回路を示す接続図である。
【図２】光磁気デイスク装置の全体構成を示すブロツク
図である。
図である。
【図３】その動作の説明に供する略線図である。
１……光磁気デイスク装置、３……光磁気デイスク、
４、８、１１、１３……レンズ、６……グレーテイン
グ、７……ビームスプリツタ、１０……偏向ビームスプ
リツタ、１２、１４、２１、２２……受光素子、２０…
…トラツキングエラー信号生成回路、２３Ａ〜２３Ｈ…
…増幅回路、２４、３０、３２、３５、３６、３７、３
８、３９、５０、５５、６０……演算増幅回路。
４、８、１１、１３……レンズ、６……グレーテイン
グ、７……ビームスプリツタ、１０……偏向ビームスプ
リツタ、１２、１４、２１、２２……受光素子、２０…
…トラツキングエラー信号生成回路、２３Ａ〜２３Ｈ…
…増幅回路、２４、３０、３２、３５、３６、３７、３
８、３９、５０、５５、６０……演算増幅回路。
Claims (2)
- 【請求項１】記録トラツクに沿つて延長するように上記
記録トラツクの両側に垂直磁化領域を形成した光磁気デ
イスクを回転駆動し、上記垂直磁化領域を基準にしてト
ラツキング制御する光磁気デイスク装置において、 レーザビームを射出して上記光磁気デイスクに集光する
レーザ光学系と、 上記光磁気デイスクから得られる上記レーザビームの反
射光を、Ｐ波成分及びＳ波成分に分解し、上記Ｐ波成分
及び上記Ｓ波成分をそれぞれ所定の受光素子で受光する
受光光学系と、 上記Ｐ波成分及び上記Ｓ波成分に含まれる同相成分を打
ち消すように、上記受光素子の出力信号を上記Ｐ波成分
及び上記Ｓ波成分とで減算してトラツキングエラー信号
を生成するトラツキングエラー信号生成手段と、 上記トラツキングエラー信号を基準にして上記光磁気デ
イスクに集光する上記レーザビームの位置を補正するト
ラツキング制御手段とを具えることを特徴とする光デイ
スク装置。 - 【請求項２】上記レーザ光学系は、 上記レーザビームを回折してメインビーム及びサイドビ
ームを形成し、上記メインビーム及び上記サイドビーム
を上記光磁気デイスクに集光することにより、上記レー
ザビームを上記光磁気デイスクに集光し、 上記受光光学系は、 上記メインビーム及び上記サイドビームの反射光をＰ波
成分及びＳ波成分に分解し、上記Ｐ波成分及び上記Ｓ波
成分を上記メインビーム及び上記サイドビーム毎にそれ
ぞれ所定の受光素子で受光することにより、上記レーザ
ビームの反射光をＰ波成分及びＳ波成分に分解してそれ
ぞれ所定の受光素子で受光し、 上記トラツキングエラー信号生成手段は、 上記メインビームの上記Ｐ波成分及び上記Ｓ波成分に含
まれる同相成分を打ち消すように、上記メインビームの
受光結果の上記Ｐ波成分及び上記Ｓ波成分を減算してメ
インビームのトラツキングエラー信号を生成し、 上記サイドビームの上記Ｐ波成分及び上記Ｓ波成分に含
まれる同相成分を打ち消すように、上記サイドビームの
受光結果の上記Ｐ波成分及び上記Ｓ波成分を減算してサ
イドビームのトラツキングエラー信号を生成し、 上記メインビーム及び上記サイドビームのトラツキング
エラー信号に含まれるオフセツト電圧を打ち消すよう
に、上記メインビーム及び上記サイドビームのトラツキ
ングエラー信号を演算処理して上記トラツキングエラー
信号を生成することを特徴とする請求項１に記載の光デ
イスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17113193A JPH076436A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 光デイスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17113193A JPH076436A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 光デイスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076436A true JPH076436A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15917562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17113193A Pending JPH076436A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 光デイスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH076436A (ja) |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP17113193A patent/JPH076436A/ja active Pending
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