JPH0764272A - ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法並びにスパッタターゲット - Google Patents
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法並びにスパッタターゲットInfo
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- JPH0764272A JPH0764272A JP21647893A JP21647893A JPH0764272A JP H0764272 A JPH0764272 A JP H0764272A JP 21647893 A JP21647893 A JP 21647893A JP 21647893 A JP21647893 A JP 21647893A JP H0764272 A JPH0764272 A JP H0764272A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 単純な膜構成でしかも適度な導電性を有する
光半透過膜を比較的簡単に形成できるハーフトーン型位
相シフトマスクブランクの製造方法及びハーフトーン型
位相シフトマスクの製造方法を提供する。 【構成】 ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及
びハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程におい
て、透明基板１上に光半透過膜２ａを形成する工程を、
酸素を含むクロムからなるターゲットを用い、実質的に
酸素を含まない雰囲気でのスパッタリングによって行
う。また、スパッタターゲットは、クロムと酸化クロム
とを所定に割合で混合してクロムと酸素との組成比を所
定の組成比にして形成したものである。
光半透過膜を比較的簡単に形成できるハーフトーン型位
相シフトマスクブランクの製造方法及びハーフトーン型
位相シフトマスクの製造方法を提供する。 【構成】 ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及
びハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程におい
て、透明基板１上に光半透過膜２ａを形成する工程を、
酸素を含むクロムからなるターゲットを用い、実質的に
酸素を含まない雰囲気でのスパッタリングによって行
う。また、スパッタターゲットは、クロムと酸化クロム
とを所定に割合で混合してクロムと酸素との組成比を所
定の組成比にして形成したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクパターンを光透
過部と光半透過部とで構成し、両者を通過しする光の位
相を異ならしめてこれらの境界部近傍を通過した光が打
ち消し合うようにして境界部のコントラストを向上させ
るようにしたハーフトーン型位相シフトマスマスクの素
材たるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
方法及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法並
びにこれらの方法において実施するスパッタ法のターゲ
ットとして用いることができるスパッタターゲット関す
る。
過部と光半透過部とで構成し、両者を通過しする光の位
相を異ならしめてこれらの境界部近傍を通過した光が打
ち消し合うようにして境界部のコントラストを向上させ
るようにしたハーフトーン型位相シフトマスマスクの素
材たるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
方法及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法並
びにこれらの方法において実施するスパッタ法のターゲ
ットとして用いることができるスパッタターゲット関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＬＳＩ製造などにおいては、微細
パターンの転写たるフォトマスクの１つとして位相シフ
トマスクが用いられる。この位相シフトマスクの１つ
に、特に、単一のホール、ドット、又はライン、スペー
ス等の孤立したパターン転写に適したものとして、例え
ば特開平５−１２７３６１号公報に記載のハーフトーン
型位相シフトマスクが知られている。
パターンの転写たるフォトマスクの１つとして位相シフ
トマスクが用いられる。この位相シフトマスクの１つ
に、特に、単一のホール、ドット、又はライン、スペー
ス等の孤立したパターン転写に適したものとして、例え
ば特開平５−１２７３６１号公報に記載のハーフトーン
型位相シフトマスクが知られている。
【０００３】この公報記載のハーフトーン型位相シフト
マスクは、透明基板の表面上に形成するマスクパターン
を、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透
過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる
光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過し
た光の位相と光透過部を通過した光の位相とを１８０°
ずらすことにより、前記光透過部と光半透過部との境界
部近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして境
界部のコントラストを良好に保持できるようにしたもの
である。
マスクは、透明基板の表面上に形成するマスクパターン
を、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透
過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる
光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過し
た光の位相と光透過部を通過した光の位相とを１８０°
ずらすことにより、前記光透過部と光半透過部との境界
部近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして境
界部のコントラストを良好に保持できるようにしたもの
である。
【０００４】この場合、上記光半透過部を構成する光半
透過膜は、略均一な組成の材料からなる一層の膜で構成
されている。すなわち、クロムをターゲットとし、蒸着
雰囲気中に酸素などのガスを入れて堆積したＣｒＯx 、
ＣｒＮx 、ＣｒＯx Ｎy 、ＣｒＯx Ｎy Ｃz 等の膜、あ
るいは、透明な無機物又は有機物（例えばスピン・オン
・グラス（ＳＯＧ））中に顔料又は染料を分散させた材
料からなる膜等で構成されている。
透過膜は、略均一な組成の材料からなる一層の膜で構成
されている。すなわち、クロムをターゲットとし、蒸着
雰囲気中に酸素などのガスを入れて堆積したＣｒＯx 、
ＣｒＮx 、ＣｒＯx Ｎy 、ＣｒＯx Ｎy Ｃz 等の膜、あ
るいは、透明な無機物又は有機物（例えばスピン・オン
・グラス（ＳＯＧ））中に顔料又は染料を分散させた材
料からなる膜等で構成されている。
【０００５】このように一層の膜からなるな光半透過部
を用いることにより、光半透過部を、高透過率層（例え
ばＳＯＧ）と低透過率層（例えばクロム）との複数種類
の材料からなる複数層構造としたハーフトーン型位相シ
フトマスクと比較して、製造工程数が減り欠陥の発生も
押さえられるという利点を有する。特に、ＣｒＯx 等の
クロムを用いた光半透過膜は、ＳＯＧに比べ、透明基板
（ガラス）とのエッチング選択比が高く、エッチング停
止層を設ける必要がないという利点がある。
を用いることにより、光半透過部を、高透過率層（例え
ばＳＯＧ）と低透過率層（例えばクロム）との複数種類
の材料からなる複数層構造としたハーフトーン型位相シ
フトマスクと比較して、製造工程数が減り欠陥の発生も
押さえられるという利点を有する。特に、ＣｒＯx 等の
クロムを用いた光半透過膜は、ＳＯＧに比べ、透明基板
（ガラス）とのエッチング選択比が高く、エッチング停
止層を設ける必要がないという利点がある。
【０００６】このＣｒＯx 、ＣｒＮx 、ＣｒＯx Ｎy 、
又は、ＣｒＯx Ｎy Ｃz 等からなる光半透過膜の形成方
法に関して、上記公報には、クロムをスパッタリングの
ターゲットとし、蒸着雰囲気中に酸素などのガスを入れ
て透明基板上にクロムの酸化物、窒化物、酸窒化物、酸
窒炭化物を堆積する方法、すなわち、いわゆる反応性ス
パッタによる方法が開示されている。
又は、ＣｒＯx Ｎy Ｃz 等からなる光半透過膜の形成方
法に関して、上記公報には、クロムをスパッタリングの
ターゲットとし、蒸着雰囲気中に酸素などのガスを入れ
て透明基板上にクロムの酸化物、窒化物、酸窒化物、酸
窒炭化物を堆積する方法、すなわち、いわゆる反応性ス
パッタによる方法が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＳＯＧ中に顔料又は染料を分散させた材料からなる光半
透過膜は電気絶縁性であり、また、上述の従来の方法
（反応性スパッタ法）によって形成されるＣｒＯx ，Ｃ
ｒＮx ，ＣｒＯx Ｎy ，ＣｒＯx Ｎy Ｃz 等からなる光
半透過膜については、露光に寄与しない程度の光を透過
する性質、すなわち、露光光に対する透過率が４〜２０
％という要件と所定の位相差を与えるという光半透過部
の要件とを同時に満たしたものは導電性に乏しい。その
ため、光半透過膜をエッチングする際にレジストをパタ
ーニングするために行うレジストへの電子線描画によっ
て打ち込まれた電子が帯電してしまい、正確にパターン
が形成できないという問題点があった。
ＳＯＧ中に顔料又は染料を分散させた材料からなる光半
透過膜は電気絶縁性であり、また、上述の従来の方法
（反応性スパッタ法）によって形成されるＣｒＯx ，Ｃ
ｒＮx ，ＣｒＯx Ｎy ，ＣｒＯx Ｎy Ｃz 等からなる光
半透過膜については、露光に寄与しない程度の光を透過
する性質、すなわち、露光光に対する透過率が４〜２０
％という要件と所定の位相差を与えるという光半透過部
の要件とを同時に満たしたものは導電性に乏しい。その
ため、光半透過膜をエッチングする際にレジストをパタ
ーニングするために行うレジストへの電子線描画によっ
て打ち込まれた電子が帯電してしまい、正確にパターン
が形成できないという問題点があった。
【０００８】また、静電気の帯電が起こり、マスクの製
造工程や使用時においてゴミが吸着しやすいという問題
点があった。したがって、帯電現象を防止するために
は、電気を伝導し、拡散する導電層を例えば透明基板上
に設ける必要があり、その為に製造工程が増加するとい
う欠点があった。
造工程や使用時においてゴミが吸着しやすいという問題
点があった。したがって、帯電現象を防止するために
は、電気を伝導し、拡散する導電層を例えば透明基板上
に設ける必要があり、その為に製造工程が増加するとい
う欠点があった。
【０００９】さらに、透明基板と光半透過膜との間に導
電膜を形成する場合は、短波長の露光光に対して透明で
ある必要があり、例えば、近年における高解像度のパタ
ーンが要求されるに伴う露光光の短波長化に対しては、
そのような露光光に対して透明である導電層材料を新た
に開発しなければならないという問題もあった。
電膜を形成する場合は、短波長の露光光に対して透明で
ある必要があり、例えば、近年における高解像度のパタ
ーンが要求されるに伴う露光光の短波長化に対しては、
そのような露光光に対して透明である導電層材料を新た
に開発しなければならないという問題もあった。
【００１０】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、単純な膜構成でしかも適度な導電性を有する
光半透過膜を比較的簡単に形成できるハーフトーン型位
相シフトマスクブランクの製造方法及びハーフトーン型
位相シフトマスクの製造方法並びにこれらの方法におい
て実施するスパッタ法のターゲットとして用いることが
できるスパッタターゲットを提供することを目的とした
ものである。
のであり、単純な膜構成でしかも適度な導電性を有する
光半透過膜を比較的簡単に形成できるハーフトーン型位
相シフトマスクブランクの製造方法及びハーフトーン型
位相シフトマスクの製造方法並びにこれらの方法におい
て実施するスパッタ法のターゲットとして用いることが
できるスパッタターゲットを提供することを目的とした
ものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブ
ランクの製造方法は、 （構成１） 微細パターン露光を施すためのマスクであ
って、透明基板の表面上に形成するマスクパターンを、
実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部
と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半
透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過した光
の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならし
めることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部
近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして境界
部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造する際に素材として用
いられるものであり、透明基板上に光半透過膜が形成さ
れており、この光半透過膜が、実質的に露光に寄与しな
い強度の光を透過する性質と、露光光の位相を所定量シ
フトさせる性質と、電子線描画の際に電荷が帯電しない
程度以上の導電性とを兼ね備えたものであるハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクを製造するハーフトーン
型位相シフトマスクブランクの製造方法において、前記
透明基板上に前記光半透過膜を形成する工程を、酸素を
含むクロムからなるターゲットを用い、実質的に酸素を
含まない雰囲気でのスパッタリングによって行うことを
特徴とする構成とし、この構成１の態様として、 （構成２） 構成１のハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクの製造方法において、前記酸素を含むクロムか
らなるターゲットは、クロムと酸化クロムとを所定の割
合で混合して形成した混合ターゲットであることを特徴
とする構成とし、この構成２の態様として、 （構成３） 構成２のハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクの製造方法において、前記混合ターゲット中の
クロムの含有量が３５〜８０重量％であることを特徴と
する構成とし、また、構成１ないし３のいずれかの態様
として、 （構成４） 構成１ないし３のいずれかのハーフトーン
型位相シフトマスクブランクの製造方法において、前記
光半透過膜の露光光に対する透過率を、４〜２０％とす
ることを特徴とする構成とし、さらに、構成１ないし４
のいずれかの態様として、 （構成５） 構成１ないし４のいずれかのハーフトーン
型位相シフトマスクブランクの製造方法において、前記
光半透過膜の膜表面の１ｃｍ2 の呈する面抵抗であるシ
ート抵抗を５×１０7 Ω以下とすることを特徴とする構
成とし、構成１ないし５のいずれかの態様として、 （構成６） 構成１ないし５のいずれかのハーフトーン
型位相シフトマスクブランクの製造方法において、前記
光半透過膜のクロムと酸素との原子比（Ｃｒ／Ｏ）を
０．５以上とすることを特徴とする構成とし、また、本
発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法は、 （構成７） 微細パターン露光を施すためのマスクであ
って、透明基板の表面上に形成するマスクパターンを、
実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部
と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半
透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過した光
の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならし
めることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部
近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして境界
部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフ
トーン型位相シフトマスクの製造方法であって、請求項
１ないし６のいずれかに記載の方法を用いて製造した位
相シフトマスクブランクの光半透過膜に、所定のパター
ンにしたがって一部除去するパターニング処理を施すこ
とにより、光透過部と光半透過部とからなるマスクパタ
ーンを形成してハーフトーン型位相シフトマスクを得る
ことを特徴とする構成とし、さらに、本発明にかかるス
パッタターゲットは、 （構成８） スパッタ法に用いるターゲットであって、
クロムと酸素とを含むスパッタターゲットにおいて、ク
ロムと酸化クロムとを所定に割合で混合してクロムと酸
素との組成比を所定の組成比にして形成したことを特徴
とする構成としたものである。
めに本発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクブ
ランクの製造方法は、 （構成１） 微細パターン露光を施すためのマスクであ
って、透明基板の表面上に形成するマスクパターンを、
実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部
と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半
透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過した光
の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならし
めることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部
近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして境界
部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフ
トーン型位相シフトマスクを製造する際に素材として用
いられるものであり、透明基板上に光半透過膜が形成さ
れており、この光半透過膜が、実質的に露光に寄与しな
い強度の光を透過する性質と、露光光の位相を所定量シ
フトさせる性質と、電子線描画の際に電荷が帯電しない
程度以上の導電性とを兼ね備えたものであるハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクを製造するハーフトーン
型位相シフトマスクブランクの製造方法において、前記
透明基板上に前記光半透過膜を形成する工程を、酸素を
含むクロムからなるターゲットを用い、実質的に酸素を
含まない雰囲気でのスパッタリングによって行うことを
特徴とする構成とし、この構成１の態様として、 （構成２） 構成１のハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクの製造方法において、前記酸素を含むクロムか
らなるターゲットは、クロムと酸化クロムとを所定の割
合で混合して形成した混合ターゲットであることを特徴
とする構成とし、この構成２の態様として、 （構成３） 構成２のハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクの製造方法において、前記混合ターゲット中の
クロムの含有量が３５〜８０重量％であることを特徴と
する構成とし、また、構成１ないし３のいずれかの態様
として、 （構成４） 構成１ないし３のいずれかのハーフトーン
型位相シフトマスクブランクの製造方法において、前記
光半透過膜の露光光に対する透過率を、４〜２０％とす
ることを特徴とする構成とし、さらに、構成１ないし４
のいずれかの態様として、 （構成５） 構成１ないし４のいずれかのハーフトーン
型位相シフトマスクブランクの製造方法において、前記
光半透過膜の膜表面の１ｃｍ2 の呈する面抵抗であるシ
ート抵抗を５×１０7 Ω以下とすることを特徴とする構
成とし、構成１ないし５のいずれかの態様として、 （構成６） 構成１ないし５のいずれかのハーフトーン
型位相シフトマスクブランクの製造方法において、前記
光半透過膜のクロムと酸素との原子比（Ｃｒ／Ｏ）を
０．５以上とすることを特徴とする構成とし、また、本
発明にかかるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法は、 （構成７） 微細パターン露光を施すためのマスクであ
って、透明基板の表面上に形成するマスクパターンを、
実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部
と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半
透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過した光
の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異ならし
めることにより、前記光透過部と光半透過部との境界部
近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして境界
部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフ
トーン型位相シフトマスクの製造方法であって、請求項
１ないし６のいずれかに記載の方法を用いて製造した位
相シフトマスクブランクの光半透過膜に、所定のパター
ンにしたがって一部除去するパターニング処理を施すこ
とにより、光透過部と光半透過部とからなるマスクパタ
ーンを形成してハーフトーン型位相シフトマスクを得る
ことを特徴とする構成とし、さらに、本発明にかかるス
パッタターゲットは、 （構成８） スパッタ法に用いるターゲットであって、
クロムと酸素とを含むスパッタターゲットにおいて、ク
ロムと酸化クロムとを所定に割合で混合してクロムと酸
素との組成比を所定の組成比にして形成したことを特徴
とする構成としたものである。
【００１２】
【作用】本発明の構成１によれば、前記透明基板上に前
記光半透過膜を形成する工程を、酸素を含むクロムから
なるターゲットを用い、実質的に酸素を含まない雰囲気
でのスパッタリングによって行うようにしたことによっ
て、得られる光半透過膜を、実質的に露光に寄与しない
強度の光を透過する性質と、露光光の位相を所定量シフ
トさせる性質と、電子線描画の際に電荷が帯電しない程
度以上の導電性とを兼ね備えたものにすることが可能と
なった。すなわち、この構成により、適度な導電性を有
する光半透過膜を単純な膜構成でしかも比較的簡単に形
成できるようになった。また、この構成によれば、光半
透過膜のクロムと酸素との原子比は、ターゲットとほぼ
同じ組成のものが得られるので、光半透過膜中の酸素量
の調整はターゲット中の酸素量を調整することにより行
うことができ、スパッタリングガス中の酸素を反応させ
る方法よりも膜中の酸素量のコントロールも比較的容易
に行うことが可能となった。
記光半透過膜を形成する工程を、酸素を含むクロムから
なるターゲットを用い、実質的に酸素を含まない雰囲気
でのスパッタリングによって行うようにしたことによっ
て、得られる光半透過膜を、実質的に露光に寄与しない
強度の光を透過する性質と、露光光の位相を所定量シフ
トさせる性質と、電子線描画の際に電荷が帯電しない程
度以上の導電性とを兼ね備えたものにすることが可能と
なった。すなわち、この構成により、適度な導電性を有
する光半透過膜を単純な膜構成でしかも比較的簡単に形
成できるようになった。また、この構成によれば、光半
透過膜のクロムと酸素との原子比は、ターゲットとほぼ
同じ組成のものが得られるので、光半透過膜中の酸素量
の調整はターゲット中の酸素量を調整することにより行
うことができ、スパッタリングガス中の酸素を反応させ
る方法よりも膜中の酸素量のコントロールも比較的容易
に行うことが可能となった。
【００１３】また、構成２によれば、導電性を有するク
ロム、及び光透過性を有する酸化クロムを混合した混合
ターゲットを用いることにより、導電性と光透過率のコ
ントロールを比較的容易に行うことができる。
ロム、及び光透過性を有する酸化クロムを混合した混合
ターゲットを用いることにより、導電性と光透過率のコ
ントロールを比較的容易に行うことができる。
【００１４】また、構成３ないし６によれば、光透過機
能、位相シフト機能及び導電性をともに適度に備えた光
半透過膜を得ることができる。
能、位相シフト機能及び導電性をともに適度に備えた光
半透過膜を得ることができる。
【００１５】なお、構成３において、クロムの含有量を
３５％未満にすると、形成された光半透過膜の導電性が
乏しくなるとともに、ターゲット自体の導電性も乏しく
なるので膜表面を良好に形成できるＤＣスパッタ法を用
いることが困難になる。ＲＦスパッタ法では膜の表面荒
れが起こりやすいので好ましくない。また、クロムの含
有量が８０％を越えると、形成された光半透過膜の光透
過率が小さくなりすぎる。また、構成４において、光半
透過膜の露光光に対する透過率が４％未満であると、位
相差による相殺効果が十分でなくなり、２０％を越える
と光透過部に対する光半透過部のコントラストが十分に
とれなくなる。さらに、構成５において、光半透過膜の
面抵抗が５×１０7 を越えると、導電性が十分でなくな
り、電子線描画時に電荷が蓄積するおそれがでてくる。
３５％未満にすると、形成された光半透過膜の導電性が
乏しくなるとともに、ターゲット自体の導電性も乏しく
なるので膜表面を良好に形成できるＤＣスパッタ法を用
いることが困難になる。ＲＦスパッタ法では膜の表面荒
れが起こりやすいので好ましくない。また、クロムの含
有量が８０％を越えると、形成された光半透過膜の光透
過率が小さくなりすぎる。また、構成４において、光半
透過膜の露光光に対する透過率が４％未満であると、位
相差による相殺効果が十分でなくなり、２０％を越える
と光透過部に対する光半透過部のコントラストが十分に
とれなくなる。さらに、構成５において、光半透過膜の
面抵抗が５×１０7 を越えると、導電性が十分でなくな
り、電子線描画時に電荷が蓄積するおそれがでてくる。
【００１６】また、構成７によれば、電子線描画時にお
ける帯電がなく、また、光半透過膜と別個に導電膜を設
ける必要がないことなどにより、ハーフトーン型の位相
シフトマスクを比較的容易に製造することを可能にす
る。
ける帯電がなく、また、光半透過膜と別個に導電膜を設
ける必要がないことなどにより、ハーフトーン型の位相
シフトマスクを比較的容易に製造することを可能にす
る。
【００１７】さらに構成８によれば、クロムと酸素との
組成比を所望の値に設定したターゲットを容易に得られ
るとともに、このターゲット自体を容易に導電性を備え
たものとすることができるので、ＤＣスパッタ法に用い
ることを可能にし、さらに、このターゲットを用いたス
パッタ法によって形成した膜に導電性をもたせることも
容易となる。
組成比を所望の値に設定したターゲットを容易に得られ
るとともに、このターゲット自体を容易に導電性を備え
たものとすることができるので、ＤＣスパッタ法に用い
ることを可能にし、さらに、このターゲットを用いたス
パッタ法によって形成した膜に導電性をもたせることも
容易となる。
【００１８】
【実施例】図１は本発明の一実施例にかかるハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造方法の工程説明図である。
以下、図１を参照にしながら、一実施例にかかるハーフ
トーン型位相シフトマスクの製造方法を説明する。な
お、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、ハー
フトーン型位相シフトマスクの製造過程で製造されるの
で、その一実施例は上記一実施例のハーフトーン型位相
シフトマスクの製造方法の説明の中で説明する。
ン型位相シフトマスクの製造方法の工程説明図である。
以下、図１を参照にしながら、一実施例にかかるハーフ
トーン型位相シフトマスクの製造方法を説明する。な
お、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、ハー
フトーン型位相シフトマスクの製造過程で製造されるの
で、その一実施例は上記一実施例のハーフトーン型位相
シフトマスクの製造方法の説明の中で説明する。
【００１９】まず、透明基板１（石英ガラス）上に４７
ｗｔ％のクロム（Ｃｒ）と５３ｗｔ％の酸化クロム（Ｃ
ｒ2 Ｏ3 ）との混合ターゲット（密度９０％）用い、Ａ
ｒガス雰囲気下でＤＣスパッタリングを行い、屈折率が
２．３６、露光光（ｉ線、波長λ＝３６５ｎｍ）におい
て、位相が実質的に１８０°シフトする膜厚である１３
４２オングストロームの膜厚を有する光半透過膜２ａを
形成し、位相シフトマスクブランクを得る（図１（ａ）
参照）。ここで、上述のクロムと酸化クロムとの混合タ
ーゲットとは、例えば、金属クロム（Ｃｒ）と酸化クロ
ム（Ｃｒ2 Ｏ3と）とを粉砕、プレス成形、焼成を数回
繰り返す固相反応法により製造することができ、このタ
ーゲット自体が所定の導電性及び所定の光透過率を有す
る。また、この場合のスパッタの雰囲気は、実質的に酸
素を含まない雰囲気、すなわち、クロムと反応して光半
透過膜２ａの透過率を実質的に変化させるような量の酸
化性ガス（例えばＯ2 ，ＣＯ2 ，ＮＯ2 ，Ｎ2 Ｏ，Ｏ3
等）を含まない雰囲気下で行う。これを酸素を含む雰囲
気下で行うと、得られた光半透過膜の酸素含有量が同じ
でも酸素を含まない雰囲気下で形成した場合に比較して
著しく導電性が乏しくなる。
ｗｔ％のクロム（Ｃｒ）と５３ｗｔ％の酸化クロム（Ｃ
ｒ2 Ｏ3 ）との混合ターゲット（密度９０％）用い、Ａ
ｒガス雰囲気下でＤＣスパッタリングを行い、屈折率が
２．３６、露光光（ｉ線、波長λ＝３６５ｎｍ）におい
て、位相が実質的に１８０°シフトする膜厚である１３
４２オングストロームの膜厚を有する光半透過膜２ａを
形成し、位相シフトマスクブランクを得る（図１（ａ）
参照）。ここで、上述のクロムと酸化クロムとの混合タ
ーゲットとは、例えば、金属クロム（Ｃｒ）と酸化クロ
ム（Ｃｒ2 Ｏ3と）とを粉砕、プレス成形、焼成を数回
繰り返す固相反応法により製造することができ、このタ
ーゲット自体が所定の導電性及び所定の光透過率を有す
る。また、この場合のスパッタの雰囲気は、実質的に酸
素を含まない雰囲気、すなわち、クロムと反応して光半
透過膜２ａの透過率を実質的に変化させるような量の酸
化性ガス（例えばＯ2 ，ＣＯ2 ，ＮＯ2 ，Ｎ2 Ｏ，Ｏ3
等）を含まない雰囲気下で行う。これを酸素を含む雰囲
気下で行うと、得られた光半透過膜の酸素含有量が同じ
でも酸素を含まない雰囲気下で形成した場合に比較して
著しく導電性が乏しくなる。
【００２０】なお、この場合、位相シフト量をφ、屈折
率をｎ、露光光の波長をλとすると、膜厚ｄは次の
（１）式で決定される。
率をｎ、露光光の波長をλとすると、膜厚ｄは次の
（１）式で決定される。
【００２１】 ｄ＝（φ／３６０）×｛λ／（ｎ−１）｝…（１） （１）式において、位相シフト量φは、１８０°である
ことが望ましいが、実用的には１６０°≦φ≦２００°
であればよい。
ことが望ましいが、実用的には１６０°≦φ≦２００°
であればよい。
【００２２】こうして得られた光半透過膜２ａの膜特性
は、以下の通りであった。
は、以下の通りであった。
【００２３】（Ｃｒ／Ｏ）＝０．９２ シート（面）抵抗＝７．８×１０4 Ω 光透過率＝４．２％（ａｔ３６５ｎｍ） 次に、上述の位相シフトマスクブランクの光半透過膜２
ａ上に電子線レジスト膜４ａ（東ソー社製ＣＭＳ−Ｍ
８）を膜厚６０００オングストロームに形成し（図１
（ｂ）参照）、所定のパターンに電子線を照射した（電
子線描画）後、現像を行ってレジストパターン４を形成
する（図１（ｃ）参照）。ここで、この電子線描画の際
に、光半透過膜に電荷が蓄積することがないので、正確
な描画が可能であった。
ａ上に電子線レジスト膜４ａ（東ソー社製ＣＭＳ−Ｍ
８）を膜厚６０００オングストロームに形成し（図１
（ｂ）参照）、所定のパターンに電子線を照射した（電
子線描画）後、現像を行ってレジストパターン４を形成
する（図１（ｃ）参照）。ここで、この電子線描画の際
に、光半透過膜に電荷が蓄積することがないので、正確
な描画が可能であった。
【００２４】次に、硝酸セリウム第２アンモニウムによ
るウェットエッチングを行い（図１（ｄ）参照）、残存
レジストパターンを剥離することにより、光半透過部２
及び光透過部３からなるマスクパターンを有する位相シ
フトマスクを得る（図１（ｅ）参照）。
るウェットエッチングを行い（図１（ｄ）参照）、残存
レジストパターンを剥離することにより、光半透過部２
及び光透過部３からなるマスクパターンを有する位相シ
フトマスクを得る（図１（ｅ）参照）。
【００２５】この位相シフトマスクは、図２に示される
ように、露光光Ｌ0 が照射された場合、この露光光Ｌ0
は、光半透過部２を通過して図示しない被転写体に達す
る光Ｌ1 光透過部３を通過して被転写体に達する光Ｌ2
とに分かれる。この場合、光半透過部２を通過した光Ｌ
1 の強度は、実質的に露光に寄与しない程度の弱い光で
ある。一方、光透過部３を通過した光Ｌ2 は実質的に露
光に寄与する強い光である。したがって、これにより、
パターン露光が行われる。その際、回折現象によって光
半透過部２と光透過部３との境界を通過する光が互いに
相手の領域に回り込むが、両者の光の位相がほぼ反転し
た関係にあるので、互いに相殺される。これによって境
界領域での被転写体上における光強度はほぼ０になる。
したがって、境界が極めて明確になり、解像度が向上す
る。
ように、露光光Ｌ0 が照射された場合、この露光光Ｌ0
は、光半透過部２を通過して図示しない被転写体に達す
る光Ｌ1 光透過部３を通過して被転写体に達する光Ｌ2
とに分かれる。この場合、光半透過部２を通過した光Ｌ
1 の強度は、実質的に露光に寄与しない程度の弱い光で
ある。一方、光透過部３を通過した光Ｌ2 は実質的に露
光に寄与する強い光である。したがって、これにより、
パターン露光が行われる。その際、回折現象によって光
半透過部２と光透過部３との境界を通過する光が互いに
相手の領域に回り込むが、両者の光の位相がほぼ反転し
た関係にあるので、互いに相殺される。これによって境
界領域での被転写体上における光強度はほぼ０になる。
したがって、境界が極めて明確になり、解像度が向上す
る。
【００２６】上述の一実施例によれば、電子線描画時に
おける電荷蓄積や静電気の帯電がなく、また、光半透過
膜と別個に導電膜を設ける必要がないことなどにより、
ハーフトーン型の位相シフトマスクを比較的容易に製造
することができる。すなわち、光半透過膜を形成する工
程を、クロムと酸化クロムとの混合ターゲットを用い
て、実質的に酸素を含まない雰囲気でスパタッタリング
を行って形成することによって、光半透過膜自体に光半
透過膜として必要な機能の他に十分な導電性をもたせる
ことができるので、従来のように、光半透過膜の他に導
電膜を設ける必要がなく、膜構造が単純であり、単純な
工程で製造できるようになった。
おける電荷蓄積や静電気の帯電がなく、また、光半透過
膜と別個に導電膜を設ける必要がないことなどにより、
ハーフトーン型の位相シフトマスクを比較的容易に製造
することができる。すなわち、光半透過膜を形成する工
程を、クロムと酸化クロムとの混合ターゲットを用い
て、実質的に酸素を含まない雰囲気でスパタッタリング
を行って形成することによって、光半透過膜自体に光半
透過膜として必要な機能の他に十分な導電性をもたせる
ことができるので、従来のように、光半透過膜の他に導
電膜を設ける必要がなく、膜構造が単純であり、単純な
工程で製造できるようになった。
【００２７】ここで、光半透過膜の、光透過率、位相シ
フト特性及び導電性は、主としてクロムと酸素との組成
比、並びに、その結合構造によって定まる。結合構造
は、スパッタ時の雰囲気及び他のスパッタ条件等で定ま
る。この場合、スパッタを実質的に酸素を含まない雰囲
気下で行うので、形成される半透過膜のクロムと酸素と
の組成比は、実質的にターゲットの組成比で決まる。一
実施例では、このターゲットを金属クロムと酸化クロム
とを混合することによって得ている。このため、ターゲ
ットのクロムと酸素との組成比を変える場合、クロムと
酸化クロムとの混合比を変える方法と、これらの混合比
は一定にしておいて、酸化クロム自体の酸化度を変える
方法とがある。
フト特性及び導電性は、主としてクロムと酸素との組成
比、並びに、その結合構造によって定まる。結合構造
は、スパッタ時の雰囲気及び他のスパッタ条件等で定ま
る。この場合、スパッタを実質的に酸素を含まない雰囲
気下で行うので、形成される半透過膜のクロムと酸素と
の組成比は、実質的にターゲットの組成比で決まる。一
実施例では、このターゲットを金属クロムと酸化クロム
とを混合することによって得ている。このため、ターゲ
ットのクロムと酸素との組成比を変える場合、クロムと
酸化クロムとの混合比を変える方法と、これらの混合比
は一定にしておいて、酸化クロム自体の酸化度を変える
方法とがある。
【００２８】図３及び図４は一実施例の変形例を表にま
とめて示した図である。
とめて示した図である。
【００２９】図３における各変形例は、クロム５０ｗｔ
％、酸化クロム５０ｗｔ％のターゲットを用い、ターゲ
ット中の酸化クロムの酸化度を変化させることによりタ
ーゲット中のクロムと酸素との組成比を変え、光半透過
膜のクロムと酸素の原子比を変化させた場合の各例であ
る。
％、酸化クロム５０ｗｔ％のターゲットを用い、ターゲ
ット中の酸化クロムの酸化度を変化させることによりタ
ーゲット中のクロムと酸素との組成比を変え、光半透過
膜のクロムと酸素の原子比を変化させた場合の各例であ
る。
【００３０】図４における各変形例は、クロムと酸化ク
ロムとの混合比を変えることによって、ターゲット中の
クロムと酸素との組成比を変え、光半透過膜のクロムと
酸素の原子比を変化させた場合の各例である。
ロムとの混合比を変えることによって、ターゲット中の
クロムと酸素との組成比を変え、光半透過膜のクロムと
酸素の原子比を変化させた場合の各例である。
【００３１】以上の一実施例及び各変形例からも明らか
なように、光半透過膜のシート抵抗は主としてクロムと
酸素との原子比によって決まる。ここで、光半透過膜の
導電性たるシート抵抗は、実用的には、５×１０7 Ω以
下が望ましい。その理由は、５×１０7 Ωを越えると、
電子線照射により打ち込まれた電子を充分に伝導し難
く、電荷の蓄積（チャージアップ）が生ずるおそれがあ
るからである。このような、シート抵抗が得るために、
光半透過膜のクロムと酸素の原子比は０．３以上である
ことが好ましい。
なように、光半透過膜のシート抵抗は主としてクロムと
酸素との原子比によって決まる。ここで、光半透過膜の
導電性たるシート抵抗は、実用的には、５×１０7 Ω以
下が望ましい。その理由は、５×１０7 Ωを越えると、
電子線照射により打ち込まれた電子を充分に伝導し難
く、電荷の蓄積（チャージアップ）が生ずるおそれがあ
るからである。このような、シート抵抗が得るために、
光半透過膜のクロムと酸素の原子比は０．３以上である
ことが好ましい。
【００３２】また、光半透過膜の露光光に対する光透過
率は、パターン形成の際に用いるレジストの感度にもよ
るが、一般的には４〜２０％程度であればよいが、５〜
１５％とすることが望ましい。透過率が４％未満の場合
は光透過部を通過する光との十分なコントラストが得ら
れない場合があり、また２０％を越える場合は、光半透
過膜を通過した光によってもレジストを感光してしまう
おそれがある。この光半透過膜の光透過率は、ターゲッ
ト中の酸化クロムの酸化度、又はスパッタリングの雰囲
気ガス中の窒素、炭化フッ素等の含有率を選定し光半透
過膜中の窒素の含有量を選定することによって選ぶこと
ができる。この光透過率の点から、光半透過膜のクロム
と酸素の原子比は、１．４よりも小さいことが好まし
い。これより大きいと、窒素分圧を上げても光透過率を
向上させることが難しい。また、さらに好ましくは１．
０よりも小さいことが望ましい。
率は、パターン形成の際に用いるレジストの感度にもよ
るが、一般的には４〜２０％程度であればよいが、５〜
１５％とすることが望ましい。透過率が４％未満の場合
は光透過部を通過する光との十分なコントラストが得ら
れない場合があり、また２０％を越える場合は、光半透
過膜を通過した光によってもレジストを感光してしまう
おそれがある。この光半透過膜の光透過率は、ターゲッ
ト中の酸化クロムの酸化度、又はスパッタリングの雰囲
気ガス中の窒素、炭化フッ素等の含有率を選定し光半透
過膜中の窒素の含有量を選定することによって選ぶこと
ができる。この光透過率の点から、光半透過膜のクロム
と酸素の原子比は、１．４よりも小さいことが好まし
い。これより大きいと、窒素分圧を上げても光透過率を
向上させることが難しい。また、さらに好ましくは１．
０よりも小さいことが望ましい。
【００３３】また、光半透過膜の形成に用いるターゲッ
トとしては、クロムと酸化クロムを混合した混合ターゲ
ットを用いることが好ましく、ターゲット中のクロムの
含有率は、３５〜８０重量％であることが好ましい。３
５重量％未満の場合は所望の導電性が得難くなり、ま
た、８０重量％を越えると所望の透過率が得難くなるか
らである。
トとしては、クロムと酸化クロムを混合した混合ターゲ
ットを用いることが好ましく、ターゲット中のクロムの
含有率は、３５〜８０重量％であることが好ましい。３
５重量％未満の場合は所望の導電性が得難くなり、ま
た、８０重量％を越えると所望の透過率が得難くなるか
らである。
【００３４】次に、従来の製造方法によって透明基板上
に光半透過膜を形成してハーフトーン型位相シフトマス
クブランクを製造した例を比較例として掲げる。
に光半透過膜を形成してハーフトーン型位相シフトマス
クブランクを製造した例を比較例として掲げる。
【００３５】なお、上述の各実施例では、露光光とし
て、ｉ線（波長；３６５ｎｍ）を用いた場合の例を掲げ
たが、他の波長の露光光、例えば、ＫｒＦエキシマレー
ザ光（波長；２４８ｎｍ）を用いた場合にも適用できる
ことは勿論である。
て、ｉ線（波長；３６５ｎｍ）を用いた場合の例を掲げ
たが、他の波長の露光光、例えば、ＫｒＦエキシマレー
ザ光（波長；２４８ｎｍ）を用いた場合にも適用できる
ことは勿論である。
【００３６】（比較例１）透明基板上にクロムターゲッ
ト（密度９９．９％）を用い、酸素／アルゴン混合ガス
雰囲気中でスパッタリングし、光半透過膜の形成を行っ
た。
ト（密度９９．９％）を用い、酸素／アルゴン混合ガス
雰囲気中でスパッタリングし、光半透過膜の形成を行っ
た。
【００３７】このとき、酸素分圧をパラメータとして光
半透過膜のシート抵抗、光半透過膜の光透過率（波長３
６５ｎｍにおける値）の評価を行った。図５に評価結果
を示す。
半透過膜のシート抵抗、光半透過膜の光透過率（波長３
６５ｎｍにおける値）の評価を行った。図５に評価結果
を示す。
【００３８】なお、この場合の膜厚は各条件下での屈折
率から算出し、ｉ線（波長３６５ｎｍ）において位相差
が１８０°になるように設定した。
率から算出し、ｉ線（波長３６５ｎｍ）において位相差
が１８０°になるように設定した。
【００３９】図５から明らかなように、位相差を１８０
°に設定した場合、光透過率４％以上では電子線描画時
におけるチャージアップ防止のための導電性を得ること
はできなかった。
°に設定した場合、光透過率４％以上では電子線描画時
におけるチャージアップ防止のための導電性を得ること
はできなかった。
【００４０】（比較例２）クロムターゲットを用いて、
酸素、窒素アルゴン混合ガスによる反応性スパッタリン
グにより膜形成した。
酸素、窒素アルゴン混合ガスによる反応性スパッタリン
グにより膜形成した。
【００４１】この場合、反応を高めることによりｉ線に
おいて７〜８％の透過率を得ることはできるが、酸化反
応が優先的に進むため比較例１と同様に透過率４％以上
の膜においては、導電性を得ることは不可能であった。
おいて７〜８％の透過率を得ることはできるが、酸化反
応が優先的に進むため比較例１と同様に透過率４％以上
の膜においては、導電性を得ることは不可能であった。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明にかかるハ
ーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法及び
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法は、透明基
板上に光半透過膜を形成する工程を、酸素を含むクロム
からなるターゲットを用い、実質的に酸素を含まない雰
囲気でのスパッタリングによって行うことを特徴とした
もので、これによって、単純な膜構成でしかも適度な導
電性を有し、電子線照射の際に打ち込まれた電子、ある
いは静電気による帯電を防止することができるため、正
確なパターンを形成することができ、かつゴミが付着し
て欠陥を発生することを防止できる光半透過膜を比較的
簡単に形成できるハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクの製造方法及びハーフトーン型位相シフトマスクの
製造方法を得ているものである。また、本発明にかかる
スパッタターゲットは、クロムと酸化クロムとを所定に
割合で混合してクロムと酸素との組成比を所定の組成比
にして形成したことにより、クロムと酸素との組成比を
所望の値に設定したターゲットを容易に得られるととも
に、このターゲット自体を容易に導電性を備えたものと
することができるので、ＤＣスパッタ法に用いることを
可能にし、さらに、このターゲットを用いたスパッタ法
によって形成した膜に導電性をもたせることも容易とな
る。
ーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法及び
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法は、透明基
板上に光半透過膜を形成する工程を、酸素を含むクロム
からなるターゲットを用い、実質的に酸素を含まない雰
囲気でのスパッタリングによって行うことを特徴とした
もので、これによって、単純な膜構成でしかも適度な導
電性を有し、電子線照射の際に打ち込まれた電子、ある
いは静電気による帯電を防止することができるため、正
確なパターンを形成することができ、かつゴミが付着し
て欠陥を発生することを防止できる光半透過膜を比較的
簡単に形成できるハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクの製造方法及びハーフトーン型位相シフトマスクの
製造方法を得ているものである。また、本発明にかかる
スパッタターゲットは、クロムと酸化クロムとを所定に
割合で混合してクロムと酸素との組成比を所定の組成比
にして形成したことにより、クロムと酸素との組成比を
所望の値に設定したターゲットを容易に得られるととも
に、このターゲット自体を容易に導電性を備えたものと
することができるので、ＤＣスパッタ法に用いることを
可能にし、さらに、このターゲットを用いたスパッタ法
によって形成した膜に導電性をもたせることも容易とな
る。
【図１】 本発明の一実施例にかかるハーフトーン型位
相シフトマスクの製造方法の工程説明図である。
相シフトマスクの製造方法の工程説明図である。
【図２】 一実施例のハーフトーン型位相シフトマスク
の作用説明図である。
の作用説明図である。
【図３】 一実施例の各変形例を表に現した図である。
【図４】 一実施例の各変形例を表に現した図である。
【図５】 比較例の方法におけるスパッタ雰囲気の酸素
分圧と形成された光半透過膜のシート抵抗及び光透過率
との関係を示すグラフ。
分圧と形成された光半透過膜のシート抵抗及び光透過率
との関係を示すグラフ。
１…透明基板、２…光半透過部、２ａ…光半透過膜、３
…光透過部、４…レジストパターン、４ａ…レジスト
膜。
…光透過部、４…レジストパターン、４ａ…レジスト
膜。
Claims (8)
- 【請求項１】 微細パターン露光を施すためのマスクで
あって、透明基板の表面上に形成するマスクパターン
を、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透
過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる
光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過し
た光の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異な
らしめることにより、前記光透過部と光半透過部との境
界部近傍を通過した光が互いに打ち消し合うようにして
境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハ
ーフトーン型位相シフトマスクを製造する際の素材とし
て用いるものであり、 透明基板上に光半透過膜が形成されており、この光半透
過膜が、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過する
性質と、露光光の位相を所定量シフトさせる性質と、電
子線描画の際に電荷が帯電しない程度以上の導電性とを
兼ね備えたものであるハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクを製造するハーフトーン型位相シフトマスクブ
ランクの製造方法において、 前記透明基板上に前記光半透過膜を形成する工程を、酸
素を含むクロムからなるターゲットを用い、実質的に酸
素を含まない雰囲気でのスパッタリングによって行うこ
とを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブラン
クの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のハーフトーン型位相シ
フトマスクブランクの製造方法において、 前記酸素を含むクロムからなるターゲットは、クロムと
酸化クロムとを所定の割合で混合して形成した混合ター
ゲットであることを特徴とするハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載のハーフトーン型位相シ
フトマスクブランクの製造方法において、 前記混合ターゲット中のクロムの含有量が３５〜８０重
量％であることを特徴とするハーフトーン型位相シフト
マスクブランクの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載のハ
ーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法にお
いて、 前記光半透過膜の露光光に対する透過率を、４〜２０％
とすることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマス
クブランクの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載のハ
ーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法にお
いて、 前記光半透過膜の膜表面の１ｃｍ2 の呈する面抵抗であ
るシート抵抗を５×１０7 Ω以下とすることを特徴とす
るハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方
法。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載のハ
ーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法にお
いて、 前記光半透過膜のクロムと酸素との原子比（Ｃｒ／Ｏ）
を０．３以上とすることを特徴とするハーフトーン型位
相シフトマスクブランクの製造方法。 - 【請求項７】 微細パターン露光を施すためのマスクで
あって、透明基板の表面上に形成するマスクパターン
を、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透
過部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる
光半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過し
た光の位相と前記光透過部を通過した光の位相とを異な
らしめることにより、前記光透過部と光半透過部との境
界部近傍を通過した光が互いにに打ち消し合うようにし
て境界部のコントラストを良好に保持できるようにした
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法であって、 請求項１ないし６のいずれかに記載の方法を用いて製造
した位相シフトマスクブランクの光半透過膜に、所定の
パターンにしたがって一部除去するパターニング処理を
施すことにより、光透過部と光半透過部とからなるマス
クパターンを形成してハーフトーン型位相シフトマスク
を得ることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマス
クの製造方法。 - 【請求項８】 スパッタ法に用いるターゲットであっ
て、クロムと酸素とを含むスパッタターゲットにおい
て、 クロムと酸化クロムとを所定に割合で混合してクロムと
酸素との組成比を所定の組成比にして形成したことを特
徴とするスパッタターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21647893A JP3037038B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法並びにハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法並びにスパッタターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21647893A JP3037038B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法並びにハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法並びにスパッタターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0764272A true JPH0764272A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3037038B2 JP3037038B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=16689074
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21647893A Expired - Fee Related JP3037038B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びその製造方法並びにハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法並びにスパッタターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3037038B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009128558A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Hoya Corp | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 |
| KR101703654B1 (ko) * | 2016-10-19 | 2017-02-09 | (주)네프코 | 정전기 방전에 의한 패턴 손상 방지용 포토마스크 및 그 제조 방법 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP21647893A patent/JP3037038B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009128558A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Hoya Corp | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 |
| KR101703654B1 (ko) * | 2016-10-19 | 2017-02-09 | (주)네프코 | 정전기 방전에 의한 패턴 손상 방지용 포토마스크 및 그 제조 방법 |
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|---|---|
| JP3037038B2 (ja) | 2000-04-24 |
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