JPH076332A - 薄膜磁気ヘッドを製造する方法及びそのような方法を用いて製造された薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドを製造する方法及びそのような方法を用いて製造された薄膜磁気ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 平坦さ及び構造に関して正確に定められた面
上に磁気抵抗素子を設けることができるような薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 本発明による薄膜磁気ヘッドを製造する方法
によれば、非磁性材料の第１の絶縁層（５）が支持面
（３a）上に形成され、この絶縁層上には軟磁性材料を
付着することにより上記絶縁層（５）から遠い側に上面
を持つ軟磁性層（１７）が形成される。この層の一部は
除去されて磁束ガイド素子（17A、17B）と、これらの間
の開口とが形成され、次いで非磁性材料がこれら素子上
及び上記開口内に付着されて第２の絶縁層（１８）が形
成される。この絶縁層の厚さは、支持面（３a）に垂直
に見た場合、該支持面と絶縁層（１８）の上面との間の
最小距離が同支持面と軟磁性層（１７）の上面との間の
最大距離よりも大きいような厚さである。次いで機械化
学的研磨が行われて主面（１９）が形成され、そこに磁
気抵抗材料を付着して磁気抵抗素子（２３）を形成す
る。
上に磁気抵抗素子を設けることができるような薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 本発明による薄膜磁気ヘッドを製造する方法
によれば、非磁性材料の第１の絶縁層（５）が支持面
（３a）上に形成され、この絶縁層上には軟磁性材料を
付着することにより上記絶縁層（５）から遠い側に上面
を持つ軟磁性層（１７）が形成される。この層の一部は
除去されて磁束ガイド素子（17A、17B）と、これらの間
の開口とが形成され、次いで非磁性材料がこれら素子上
及び上記開口内に付着されて第２の絶縁層（１８）が形
成される。この絶縁層の厚さは、支持面（３a）に垂直
に見た場合、該支持面と絶縁層（１８）の上面との間の
最小距離が同支持面と軟磁性層（１７）の上面との間の
最大距離よりも大きいような厚さである。次いで機械化
学的研磨が行われて主面（１９）が形成され、そこに磁
気抵抗材料を付着して磁気抵抗素子（２３）を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗素子と少なく
とも一つの磁束ガイド素子とを有し且つ支持部材から製
造が開始されるような薄膜磁気ヘッドの製造方法に関す
る。
とも一つの磁束ガイド素子とを有し且つ支持部材から製
造が開始されるような薄膜磁気ヘッドの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドを製造する方法は、例え
ばヨーロッパ特許出願公開第EP-A0516022から既知であ
る。このヨーロッパ特許出願公開第EP-A0516022に記載
された方法を用いて得られる磁気ヘッドは、接触面を有
すると共に誘導部と磁気抵抗部とを有するような集積化
磁気ヘッドである。
ばヨーロッパ特許出願公開第EP-A0516022から既知であ
る。このヨーロッパ特許出願公開第EP-A0516022に記載
された方法を用いて得られる磁気ヘッドは、接触面を有
すると共に誘導部と磁気抵抗部とを有するような集積化
磁気ヘッドである。
【０００３】上記ヨーロッパ特許出願公開第EP-A051602
2から既知の第１の方法によれば、フェライトの磁性基
板上にリソグラフィ法によりＳiＯ2の第１の構造化され
た絶縁層が形成され、該層には続いて書込コイルを形成
するためのＡuの層が設けられる。次いで、第２の構造
化絶縁層が設けられ、この層上にはＣoを基剤とするア
モルファス材料のコア層が付着される。このコア層は前
記各絶縁層中の開口を介して前記磁性基板と接触してい
る。前記第２絶縁層のうちの前記コア層により被覆され
ていない部分は、Ａl2Ｏ3の充填層により充填される。
上記充填層が形成された後、前記コア層及び充填層は研
摩（ラッピング）により平坦化される。このようにして
得られた面上にはＳiＯ2の第３の構造化絶縁層が付着さ
れ、この層上には次いでＡuのバイアス巻線が形成され
る。この巻線上にはＳiＯ2の第４の構造化絶縁層が設け
られる。次いで、この絶縁層上にはパーマロイの磁気抵
抗素子が形成される。次に、ＳiＯ2の第５の構造化絶縁
層が設けられ、続いてＣoを基剤とするアモルファス材
料からなり且つ上述した最後の３つの絶縁層の開口を介
して前記コア層と接触するアモルファス材料のヨークが
設けられる。
2から既知の第１の方法によれば、フェライトの磁性基
板上にリソグラフィ法によりＳiＯ2の第１の構造化され
た絶縁層が形成され、該層には続いて書込コイルを形成
するためのＡuの層が設けられる。次いで、第２の構造
化絶縁層が設けられ、この層上にはＣoを基剤とするア
モルファス材料のコア層が付着される。このコア層は前
記各絶縁層中の開口を介して前記磁性基板と接触してい
る。前記第２絶縁層のうちの前記コア層により被覆され
ていない部分は、Ａl2Ｏ3の充填層により充填される。
上記充填層が形成された後、前記コア層及び充填層は研
摩（ラッピング）により平坦化される。このようにして
得られた面上にはＳiＯ2の第３の構造化絶縁層が付着さ
れ、この層上には次いでＡuのバイアス巻線が形成され
る。この巻線上にはＳiＯ2の第４の構造化絶縁層が設け
られる。次いで、この絶縁層上にはパーマロイの磁気抵
抗素子が形成される。次に、ＳiＯ2の第５の構造化絶縁
層が設けられ、続いてＣoを基剤とするアモルファス材
料からなり且つ上述した最後の３つの絶縁層の開口を介
して前記コア層と接触するアモルファス材料のヨークが
設けられる。
【０００４】前記ヨーロッパ特許出願公開第EP-A051602
2から既知の第２の方法によれば、Ｃoを基剤とするアモ
ルファス材料の２個の磁束ガイドが非磁性基板上に設け
られる一方、これら２個の磁束ガイドの間の開口がＳi
Ｏ2の第１の絶縁層により充填される。上記各磁束ガイ
ド及び第１の絶縁層により形成される面には第２の構造
化絶縁層が設けられ、この層上には次いで磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）素子が形成される。次いで、このＭＲ素子は第３の
構造化絶縁層により被覆され、この絶縁層上には次いで
バイアス巻線が形成される。そして、このバイアス巻線
を被覆する目的で第４の構造化絶縁層が設けられる。次
いで、Ｃoを基剤とする材料の磁気コア層が形成され、
該層は最後に述べた３つの絶縁層中の開口を介して前記
磁束ガイドの一方に接触されるようになっている。そし
て、上記第１のコア層により被覆されていない領域はＡ
l2Ｏ3の充填層により充填され、その後誘導性ヘッド部
が形成される面がラッピングにより得られる。
2から既知の第２の方法によれば、Ｃoを基剤とするアモ
ルファス材料の２個の磁束ガイドが非磁性基板上に設け
られる一方、これら２個の磁束ガイドの間の開口がＳi
Ｏ2の第１の絶縁層により充填される。上記各磁束ガイ
ド及び第１の絶縁層により形成される面には第２の構造
化絶縁層が設けられ、この層上には次いで磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）素子が形成される。次いで、このＭＲ素子は第３の
構造化絶縁層により被覆され、この絶縁層上には次いで
バイアス巻線が形成される。そして、このバイアス巻線
を被覆する目的で第４の構造化絶縁層が設けられる。次
いで、Ｃoを基剤とする材料の磁気コア層が形成され、
該層は最後に述べた３つの絶縁層中の開口を介して前記
磁束ガイドの一方に接触されるようになっている。そし
て、上記第１のコア層により被覆されていない領域はＡ
l2Ｏ3の充填層により充填され、その後誘導性ヘッド部
が形成される面がラッピングにより得られる。
【０００５】前記ヨーロッパ特許出願公開第EP-A051602
2から既知の各方法においては、前記ＭＲ素子は、ラッ
ピング処理された面上に設けられた絶縁層上に形成され
る。しかしながら、異なる材料の２以上の隣接する層上
に延在する上記のような面には凹凸があることが分かっ
た。更に、ラッピングにより、上記のようにして得られ
た面に傷の形での損傷及び該面の下の材料の妨害が生じ
る。このような面は情報の転送には許容されず且つ不十
分であり、このような面上に設けられたＭＲ素子の不安
定さのリスクを増大させる。
2から既知の各方法においては、前記ＭＲ素子は、ラッ
ピング処理された面上に設けられた絶縁層上に形成され
る。しかしながら、異なる材料の２以上の隣接する層上
に延在する上記のような面には凹凸があることが分かっ
た。更に、ラッピングにより、上記のようにして得られ
た面に傷の形での損傷及び該面の下の材料の妨害が生じ
る。このような面は情報の転送には許容されず且つ不十
分であり、このような面上に設けられたＭＲ素子の不安
定さのリスクを増大させる。
【０００６】前記ヨーロッパ特許出願公開第EP-A051602
2から既知の各方法により得られる磁気ヘッドは、前記
ＭＲ素子に係わる面上の凹凸の存在により、当該ＭＲ素
子と導電性の磁束ガイドとの間の信頼性のある電気絶縁
を保証するためにこれらＭＲ素子と磁束ガイドとの間に
比較的厚い絶縁層が必要とされるという他の欠点を有し
ている。しかも、上記のような絶縁層は当該磁気ヘッド
の効率に対する更に悪い影響を有している。種々の理由
により、その上にＭＲ素子が存在する面の損傷及び該面
の下の材料の妨害は、このように好ましいものではな
い。
2から既知の各方法により得られる磁気ヘッドは、前記
ＭＲ素子に係わる面上の凹凸の存在により、当該ＭＲ素
子と導電性の磁束ガイドとの間の信頼性のある電気絶縁
を保証するためにこれらＭＲ素子と磁束ガイドとの間に
比較的厚い絶縁層が必要とされるという他の欠点を有し
ている。しかも、上記のような絶縁層は当該磁気ヘッド
の効率に対する更に悪い影響を有している。種々の理由
により、その上にＭＲ素子が存在する面の損傷及び該面
の下の材料の妨害は、このように好ましいものではな
い。
【０００７】
【発明の目的及び概要】従って、本発明の目的は本明細
書の冒頭でのべたような薄膜磁気ヘッドを製造する方法
において、前記磁気抵抗素子が平坦さ及び構造に関して
正確に規定された面上に設けられるような薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することにある。
書の冒頭でのべたような薄膜磁気ヘッドを製造する方法
において、前記磁気抵抗素子が平坦さ及び構造に関して
正確に規定された面上に設けられるような薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することにある。
【０００８】上記目的を達成するため、本発明による薄
膜磁気ヘッドを製造する方法は、非磁性材料の第１の絶
縁層が前記支持体の面上に形成され、この絶縁層上に軟
磁性材料を付着することにより前記第１の絶縁層から遠
い側に上面を持つような軟磁性層が形成され、その後該
軟磁性層の一部が除去されて前記磁束ガイド素子が形成
され、次いで非磁性材料が前記軟磁性層の残部上と前記
第１の絶縁層の自由部分上とに付着されて前記軟磁性層
から遠い側に上面を持つような第２の絶縁層が形成さ
れ、この第２の絶縁層は前記支持面を横切る方向に見た
場合に前記支持面と当該第２の絶縁層の上面との間の最
小距離が前記支持面と前記軟磁性層の上面との間の最大
距離よりも大きくなるような厚みを有し、その後前記第
２の絶縁層の上面から機械化学的研磨処理を行うことに
より主面を形成し、次いでこの主面に磁気抵抗材料が付
着されて前記磁気抵抗素子が形成されるようにしたこと
を特徴とする。
膜磁気ヘッドを製造する方法は、非磁性材料の第１の絶
縁層が前記支持体の面上に形成され、この絶縁層上に軟
磁性材料を付着することにより前記第１の絶縁層から遠
い側に上面を持つような軟磁性層が形成され、その後該
軟磁性層の一部が除去されて前記磁束ガイド素子が形成
され、次いで非磁性材料が前記軟磁性層の残部上と前記
第１の絶縁層の自由部分上とに付着されて前記軟磁性層
から遠い側に上面を持つような第２の絶縁層が形成さ
れ、この第２の絶縁層は前記支持面を横切る方向に見た
場合に前記支持面と当該第２の絶縁層の上面との間の最
小距離が前記支持面と前記軟磁性層の上面との間の最大
距離よりも大きくなるような厚みを有し、その後前記第
２の絶縁層の上面から機械化学的研磨処理を行うことに
より主面を形成し、次いでこの主面に磁気抵抗材料が付
着されて前記磁気抵抗素子が形成されるようにしたこと
を特徴とする。
【０００９】本発明による上記方法によれば、前記磁気
抵抗素子（ＭＲ素子）を電気的に絶縁された形で設ける
ために損傷のない非常に平坦且つ滑らかな主面を得るこ
とができ、この結果安定したＭＲ素子を有し且つ既知の
磁気ヘッドに較べて改善された効率を持つ磁気ヘッドを
得ることができる。
抵抗素子（ＭＲ素子）を電気的に絶縁された形で設ける
ために損傷のない非常に平坦且つ滑らかな主面を得るこ
とができ、この結果安定したＭＲ素子を有し且つ既知の
磁気ヘッドに較べて改善された効率を持つ磁気ヘッドを
得ることができる。
【００１０】磁壁の核形成、即ち好ましくない磁化方向
を持つ小領域の形成、及び読出処理中における磁化の突
然の変化は、欠陥のない面上に設けられた磁気抵抗素子
の場合は可能な限り除去される。
を持つ小領域の形成、及び読出処理中における磁化の突
然の変化は、欠陥のない面上に設けられた磁気抵抗素子
の場合は可能な限り除去される。
【００１１】ここで、前記機械化学的研磨は、研磨され
るべき面に向かって付勢されると共に該面を横切るよう
に移動される研磨工具の加工面の補助の下でなされると
いうことに注意されたい。上記加工面には液体の機械化
学的研磨剤が供給される。この研磨剤は化学的及び機械
的な研磨が同時に可能となるような研磨剤である。ま
た、損傷のない研磨は純化学的な研磨によっても実現す
ることができることにも注意されたい。しかしながら、
この方法には以下のような欠点がある。即ち、寸法的な
制御、言い換えると表面の平坦さは最適なものとはほど
遠く、また、多くの化学研磨剤は多かれ少なかれ毒性が
あると共に腐食性（aggressive）があるので、結果とし
て厳しく保護された環境で使用されねばならず、大量生
産においては欠点となる。研磨すべき面から機械的に除
去された成分が化学的に溶解されるような機械化学的な
研磨動作によれば、損傷のない非常に滑らか且つ平坦な
研磨面を得ることができる。
るべき面に向かって付勢されると共に該面を横切るよう
に移動される研磨工具の加工面の補助の下でなされると
いうことに注意されたい。上記加工面には液体の機械化
学的研磨剤が供給される。この研磨剤は化学的及び機械
的な研磨が同時に可能となるような研磨剤である。ま
た、損傷のない研磨は純化学的な研磨によっても実現す
ることができることにも注意されたい。しかしながら、
この方法には以下のような欠点がある。即ち、寸法的な
制御、言い換えると表面の平坦さは最適なものとはほど
遠く、また、多くの化学研磨剤は多かれ少なかれ毒性が
あると共に腐食性（aggressive）があるので、結果とし
て厳しく保護された環境で使用されねばならず、大量生
産においては欠点となる。研磨すべき面から機械的に除
去された成分が化学的に溶解されるような機械化学的な
研磨動作によれば、損傷のない非常に滑らか且つ平坦な
研磨面を得ることができる。
【００１２】本発明による方法の他の実施例は、前記機
械化学的研磨処理が前記軟磁性層まで行われることを特
徴としている。本発明によるこの方法においては、機械
化学的研磨処理が非磁性材料と同様に軟磁性材料上でも
行われることになる。驚くべきことに、結果として異な
る材料特性にも拘らず、機械化学的研磨はこれら材料自
体が何の構造的変化も受けることがなしに非常に平坦且
つ滑らかな面を生成することが分かった。また、研磨す
べき成分の一つが非常に硬い場合は機械化学的研磨の中
の機械的な面が、小量の硬く且つ充分な粒子を当該機械
化学型の研磨剤に加えることにより向上されることが分
かった。このように、異なる機械的硬度の材料の組み合
わせが用いられた場合でさえも、ヘッドの製造において
損傷のなり滑らか且つ平坦な面を実現することができ
る。
械化学的研磨処理が前記軟磁性層まで行われることを特
徴としている。本発明によるこの方法においては、機械
化学的研磨処理が非磁性材料と同様に軟磁性材料上でも
行われることになる。驚くべきことに、結果として異な
る材料特性にも拘らず、機械化学的研磨はこれら材料自
体が何の構造的変化も受けることがなしに非常に平坦且
つ滑らかな面を生成することが分かった。また、研磨す
べき成分の一つが非常に硬い場合は機械化学的研磨の中
の機械的な面が、小量の硬く且つ充分な粒子を当該機械
化学型の研磨剤に加えることにより向上されることが分
かった。このように、異なる機械的硬度の材料の組み合
わせが用いられた場合でさえも、ヘッドの製造において
損傷のなり滑らか且つ平坦な面を実現することができ
る。
【００１３】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記磁気抵抗材料が上に付着される非磁性電気絶縁材料の
スペーサ層が、前記機械化学的研磨により得られた前記
主面上に形成されることを特徴とする。上記スペーサ層
は例えば石英（quartz）叉は酸化ジルコニウム（zircon
ia）のような既知の材料から形成することもでき、これ
ら材料は既知の技術により良好に規定された形で設ける
ことが可能である。本発明による上記方法は前記磁束ガ
イド素子を形成するために導電性の軟磁性材料が使用さ
れる場合に特に重要である。その場合には磁束ガイドと
ＭＲ素子との間の電気的接触を防止するために絶縁スペ
ーサ層が必要となるからである。
記磁気抵抗材料が上に付着される非磁性電気絶縁材料の
スペーサ層が、前記機械化学的研磨により得られた前記
主面上に形成されることを特徴とする。上記スペーサ層
は例えば石英（quartz）叉は酸化ジルコニウム（zircon
ia）のような既知の材料から形成することもでき、これ
ら材料は既知の技術により良好に規定された形で設ける
ことが可能である。本発明による上記方法は前記磁束ガ
イド素子を形成するために導電性の軟磁性材料が使用さ
れる場合に特に重要である。その場合には磁束ガイドと
ＭＲ素子との間の電気的接触を防止するために絶縁スペ
ーサ層が必要となるからである。
【００１４】しかしながら、ＭＲ素子と磁束ガイドとの
間にスペーサ層を有する磁気ヘッドの欠点は、該層の厚
さによるＭＲ素子と磁束ガイドとの間の距離によって、
動作中に磁気記録媒体から発生する磁束の一部のみしか
ＭＲ素子を介して通過しないということにある。したが
って、効率の理由から、上記のような層は可能な限り薄
くすることができるということが本質的に重要である。
上記スペーサ層の厚さは前記主面の品質によりかなりの
程度決まるから、本発明による方法が使用された場合は
上記スペーサ層は完全に滑らかで且つ厚みの変化がない
ようにすることができる。更に、上記スペーサ層は既知
の磁気ヘッドで必要とされた少なくとも０．６μｍなる
層厚に対して、ＭＲ素子の短絡等のリスクを犯すことな
く非常に薄く、例えば０．２μｍ、にすることができ
る。
間にスペーサ層を有する磁気ヘッドの欠点は、該層の厚
さによるＭＲ素子と磁束ガイドとの間の距離によって、
動作中に磁気記録媒体から発生する磁束の一部のみしか
ＭＲ素子を介して通過しないということにある。したが
って、効率の理由から、上記のような層は可能な限り薄
くすることができるということが本質的に重要である。
上記スペーサ層の厚さは前記主面の品質によりかなりの
程度決まるから、本発明による方法が使用された場合は
上記スペーサ層は完全に滑らかで且つ厚みの変化がない
ようにすることができる。更に、上記スペーサ層は既知
の磁気ヘッドで必要とされた少なくとも０．６μｍなる
層厚に対して、ＭＲ素子の短絡等のリスクを犯すことな
く非常に薄く、例えば０．２μｍ、にすることができ
る。
【００１５】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記第２の絶縁層が前記軟磁性層の上面から所定距離のと
ころまで機械化学的に研磨され、これにより得られた前
記主面上にその後前記磁気抵抗材料が付着されることを
特徴とする。この実施例は単一の型の材料しか機械化学
的に研磨する必要がないという利点を有している。単一
の型の材料のみを用い、結果として単一の材料のみを機
械化学的に研磨するということの利点は、付着すべき上
記層の厚さと機械化学的研磨の際の除去速度との両方を
正確に決定することができるという非常に大きな利点を
有している。上記両要因は所望の層厚の信頼性のある寸
法的制御を保証する。
記第２の絶縁層が前記軟磁性層の上面から所定距離のと
ころまで機械化学的に研磨され、これにより得られた前
記主面上にその後前記磁気抵抗材料が付着されることを
特徴とする。この実施例は単一の型の材料しか機械化学
的に研磨する必要がないという利点を有している。単一
の型の材料のみを用い、結果として単一の材料のみを機
械化学的に研磨するということの利点は、付着すべき上
記層の厚さと機械化学的研磨の際の除去速度との両方を
正確に決定することができるという非常に大きな利点を
有している。上記両要因は所望の層厚の信頼性のある寸
法的制御を保証する。
【００１６】上記機械化学的研磨処理を満足のゆくよう
に進めるには、所定厚の前記第２の絶縁層が平坦化され
ねばならない。第２の絶縁層が平坦化されれば、研磨を
当該層の所定のレベルで停止することも、また前記軟磁
性層まで研磨を継続することも可能である。なお、機械
化学的研磨処理の開始時点から、前記非磁性材料と軟磁
性材料との間の硬度差を考慮に入れておくことが推奨さ
れる。
に進めるには、所定厚の前記第２の絶縁層が平坦化され
ねばならない。第２の絶縁層が平坦化されれば、研磨を
当該層の所定のレベルで停止することも、また前記軟磁
性層まで研磨を継続することも可能である。なお、機械
化学的研磨処理の開始時点から、前記非磁性材料と軟磁
性材料との間の硬度差を考慮に入れておくことが推奨さ
れる。
【００１７】本発明による方法の更に他の実施例は、板
状基板に機械的及び／叉は機械化学的な研磨により２つ
の平行した基板面を設け、これら基板面の一方を前記支
持面として使用することを特徴とする。他方の面は後の
処理工程において基準面として使用される。
状基板に機械的及び／叉は機械化学的な研磨により２つ
の平行した基板面を設け、これら基板面の一方を前記支
持面として使用することを特徴とする。他方の面は後の
処理工程において基準面として使用される。
【００１８】上記の平行な基板面は２つの基板面を持つ
基板から開始することにより得ることができる。この場
合、上記各基板面は先ず凸状、平坦叉は凹状の初期形状
を有するまで研磨により前処理され、その後除去サイク
ルが少なくとも１回実行され、この間に縁部がこれら縁
部により囲まれる中央部よりも厚い基板の基板面は、こ
れら縁部が中央部に対して略同一の厚さ、小さな厚さ、
再び略同一の厚さを順次持つような方法で研磨され、ま
たこの間に縁部がこれら縁部により囲まれる中央部より
も薄い基板の基板面は、これら縁部が中央部に対して略
同一の厚さ、大きな厚さ、再び略同一の厚さを順次持つ
ような方法で研磨される。上述したような平行な面を作
成する方法は、例えばヨーロッパ特許出願公開第922017
39.7号公報に詳細に記載されている。
基板から開始することにより得ることができる。この場
合、上記各基板面は先ず凸状、平坦叉は凹状の初期形状
を有するまで研磨により前処理され、その後除去サイク
ルが少なくとも１回実行され、この間に縁部がこれら縁
部により囲まれる中央部よりも厚い基板の基板面は、こ
れら縁部が中央部に対して略同一の厚さ、小さな厚さ、
再び略同一の厚さを順次持つような方法で研磨され、ま
たこの間に縁部がこれら縁部により囲まれる中央部より
も薄い基板の基板面は、これら縁部が中央部に対して略
同一の厚さ、大きな厚さ、再び略同一の厚さを順次持つ
ような方法で研磨される。上述したような平行な面を作
成する方法は、例えばヨーロッパ特許出願公開第922017
39.7号公報に詳細に記載されている。
【００１９】平行な基板面を持つ基板は、これらが大量
生産において当該方法の後の工程で使用することができ
るという大きな利点を有している。結果として、機械化
学的な研磨工程は、後の段階で単一叉は多重材料構造を
持つ層を滑らか叉は平坦にする目的で、及び多重の材料
構造を有する層であるが該層の１個叉は数個の材料のみ
が当該機械化学的研磨処理で研磨することができ他の材
料が研磨できないような層の研磨を停止するために実施
することができる。
生産において当該方法の後の工程で使用することができ
るという大きな利点を有している。結果として、機械化
学的な研磨工程は、後の段階で単一叉は多重材料構造を
持つ層を滑らか叉は平坦にする目的で、及び多重の材料
構造を有する層であるが該層の１個叉は数個の材料のみ
が当該機械化学的研磨処理で研磨することができ他の材
料が研磨できないような層の研磨を停止するために実施
することができる。
【００２０】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記基板が特にフェライト等の軟磁性材料から形成される
ことを特徴としている。
記基板が特にフェライト等の軟磁性材料から形成される
ことを特徴としている。
【００２１】ここで、フェライトとは例えばガーネッ
ト、スピネル及びペロブスカイト等の結晶群の中の一つ
の磁性材料であると理解されたい。フェライトの好まし
い特性は大きな耐摩耗性と妨害場に対する満足のゆく遮
蔽効果とにある。磁気抵抗ヘッドの安定性も、フェライ
トの薄膜磁束ガイド及び磁気抵抗素子に対する効果によ
り通常好ましく影響される。更に、フェライト基板は、
該基板が磁束ガイド層として使用することができるとい
う技術上の利点を有している。
ト、スピネル及びペロブスカイト等の結晶群の中の一つ
の磁性材料であると理解されたい。フェライトの好まし
い特性は大きな耐摩耗性と妨害場に対する満足のゆく遮
蔽効果とにある。磁気抵抗ヘッドの安定性も、フェライ
トの薄膜磁束ガイド及び磁気抵抗素子に対する効果によ
り通常好ましく影響される。更に、フェライト基板は、
該基板が磁束ガイド層として使用することができるとい
う技術上の利点を有している。
【００２２】本発明による方法の更に他の実施例は、誘
導変換素子と、非磁性材料のベース層と、磁束ガイド層
とが上に設けられたベース素子を設け、これに機械化学
的研磨処理を行うことにより前記支持面を形成するよう
にしたことを特徴とする。上記ベース層には当該層の前
記ベース素子から遠い側から好ましくはエッチングによ
り材料を除去することにより凹部を設け、該凹部を次い
で軟磁性材料で充填することにより前記磁束ガイド層を
形成するようにしてもよい。この方法によれば書込機能
と共に読出機能をも有する磁気ヘッドが得られる。この
方法の間には書込部が、続いて読出部が形成される。正
確に規定された主面を保証するために、この実施例にお
いては前記ベース層も機械化学的に研磨される。平坦な
書込部を作る上での磁気的な利点は達成されない。しか
しながら前述した利点を有する平らな読出部を得るには
最大限の平坦さが必要である。
導変換素子と、非磁性材料のベース層と、磁束ガイド層
とが上に設けられたベース素子を設け、これに機械化学
的研磨処理を行うことにより前記支持面を形成するよう
にしたことを特徴とする。上記ベース層には当該層の前
記ベース素子から遠い側から好ましくはエッチングによ
り材料を除去することにより凹部を設け、該凹部を次い
で軟磁性材料で充填することにより前記磁束ガイド層を
形成するようにしてもよい。この方法によれば書込機能
と共に読出機能をも有する磁気ヘッドが得られる。この
方法の間には書込部が、続いて読出部が形成される。正
確に規定された主面を保証するために、この実施例にお
いては前記ベース層も機械化学的に研磨される。平坦な
書込部を作る上での磁気的な利点は達成されない。しか
しながら前述した利点を有する平らな読出部を得るには
最大限の平坦さが必要である。
【００２３】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記ベース素子が板状であり、該ベース素子には機械的及
び／叉は機械化学的研磨により２つの平行なベース面が
形成され、その後これらベース面の一方に前記ベース層
が設けられることを特徴とする。このような平行なベー
ス面はヨーロッパ特許出願公開第92201739.7号公報に記
載された方法を用いて得ることができる。また、この場
合、平行な面を持つ素子は大量生産、単一材料の機械化
学的研磨及び分散された材料の機械化学的研磨に関する
限り利点を有している。
記ベース素子が板状であり、該ベース素子には機械的及
び／叉は機械化学的研磨により２つの平行なベース面が
形成され、その後これらベース面の一方に前記ベース層
が設けられることを特徴とする。このような平行なベー
ス面はヨーロッパ特許出願公開第92201739.7号公報に記
載された方法を用いて得ることができる。また、この場
合、平行な面を持つ素子は大量生産、単一材料の機械化
学的研磨及び分散された材料の機械化学的研磨に関する
限り利点を有している。
【００２４】本発明による方法の更に他の実施例は、上
記ベース素子が特にフェライト等の軟磁性材料から形成
されることを特徴としている。
記ベース素子が特にフェライト等の軟磁性材料から形成
されることを特徴としている。
【００２５】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記主層が石英から形成されることを特徴としている。石
英は例えばPE-CVDを用いて設けることができる。ここ
で、前記機械化学的研磨が前記軟磁性材料までなされる
場合、特に前記面が平坦で且つ損傷がないということに
関する限りは、前記磁束ガイド素子の軟磁性材料は前記
機械化学的研磨処理の良好な結果に対して殆ど何の影響
も与えないことが分かった。
記主層が石英から形成されることを特徴としている。石
英は例えばPE-CVDを用いて設けることができる。ここ
で、前記機械化学的研磨が前記軟磁性材料までなされる
場合、特に前記面が平坦で且つ損傷がないということに
関する限りは、前記磁束ガイド素子の軟磁性材料は前記
機械化学的研磨処理の良好な結果に対して殆ど何の影響
も与えないことが分かった。
【００２６】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記主層が酸化ジルコニウムから形成されることを特徴と
する。酸化ジルコニウムは立方形状の結晶材料である。
主成分は５〜１０原子％のＣaＯ叉はＹ2Ｏ3が添加され
たＺrＯ2である。例えばスパッタリングにより設けるこ
とができる酸化ジルコニウムは、機械的に硬く且つ耐摩
耗性のある材料である。酸化ジルコニウムは、後で詳述
する全ての軟磁性材料と共に、機械化学的研磨の後略完
全な主面を形成する。このことは、多分酸化ジルコニウ
ムの非常に高い硬度によると思われる。
記主層が酸化ジルコニウムから形成されることを特徴と
する。酸化ジルコニウムは立方形状の結晶材料である。
主成分は５〜１０原子％のＣaＯ叉はＹ2Ｏ3が添加され
たＺrＯ2である。例えばスパッタリングにより設けるこ
とができる酸化ジルコニウムは、機械的に硬く且つ耐摩
耗性のある材料である。酸化ジルコニウムは、後で詳述
する全ての軟磁性材料と共に、機械化学的研磨の後略完
全な主面を形成する。このことは、多分酸化ジルコニウ
ムの非常に高い硬度によると思われる。
【００２７】ここで、前記機械化学的研磨処理が最適化
されている場合は、酸化ジルコニウムと比較して柔らか
な石英にも同様の研磨処理を施すことができることに注
意されたい。石英は酸化ジルコニウムと比較すると容易
に且つ比較的高速でエッチングすることができるという
技術的な利点を有している。一方、石英に較べると酸化
ジルコニウムは一層耐摩耗性があるという利点を有して
いる。
されている場合は、酸化ジルコニウムと比較して柔らか
な石英にも同様の研磨処理を施すことができることに注
意されたい。石英は酸化ジルコニウムと比較すると容易
に且つ比較的高速でエッチングすることができるという
技術的な利点を有している。一方、石英に較べると酸化
ジルコニウムは一層耐摩耗性があるという利点を有して
いる。
【００２８】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記軟磁性材料としてCoZrNb合金、FeNbSi合金、FeSiAl合
金及びＮiＦe合金の合金群から選択された合金が使用さ
れることを特徴とする。これらの材料はスパッタリング
叉は蒸着等の既知の技術を用いて設けることができる。
本発明においては、上記軟磁性材料は前記磁束ガイドを
形成するためにエッチングされる。ＮiＦe合金及びFeNb
Si合金は比較的容易に湿式化学エッチングすることがで
きる。また、CoZrNb合金及びFeSiAl合金に関しては好ま
しくはスパッタエッチング叉は反応性イオンエッチング
が使用される。
記軟磁性材料としてCoZrNb合金、FeNbSi合金、FeSiAl合
金及びＮiＦe合金の合金群から選択された合金が使用さ
れることを特徴とする。これらの材料はスパッタリング
叉は蒸着等の既知の技術を用いて設けることができる。
本発明においては、上記軟磁性材料は前記磁束ガイドを
形成するためにエッチングされる。ＮiＦe合金及びFeNb
Si合金は比較的容易に湿式化学エッチングすることがで
きる。また、CoZrNb合金及びFeSiAl合金に関しては好ま
しくはスパッタエッチング叉は反応性イオンエッチング
が使用される。
【００２９】本発明による方法の更に他の実施例は、フ
ェライトが前記軟磁性材料として使用されることを特徴
としている。フェライトは通常高抵抗率を有しているか
ら前記ＭＲ素子をこのような材料から形成された磁束ガ
イド上に当該磁気ヘッドの感度の目立った損失を招来す
ることなしに直接設けることができる。言い換えると、
フェライト（ＭnＺnフェライト叉はＮiＺnフェライト等
が好ましい）が使用された場合は、本発明による方法に
おいては前記スペーサ層を省略することができ、従って
磁気抵抗材料の層を前記主面上に直接設けて前記ＭＲ素
子を形成することができる。結果として、ＭＲ素子と磁
束ガイドとの間の直の磁気結合が可能となる。このよう
な結合によれば、磁気ヘッドの高効率さが得られる。フ
ェライトはスパッタリング、MO-CVD叉はレーザ融蝕等の
既知の技術を用いて設けることができる。
ェライトが前記軟磁性材料として使用されることを特徴
としている。フェライトは通常高抵抗率を有しているか
ら前記ＭＲ素子をこのような材料から形成された磁束ガ
イド上に当該磁気ヘッドの感度の目立った損失を招来す
ることなしに直接設けることができる。言い換えると、
フェライト（ＭnＺnフェライト叉はＮiＺnフェライト等
が好ましい）が使用された場合は、本発明による方法に
おいては前記スペーサ層を省略することができ、従って
磁気抵抗材料の層を前記主面上に直接設けて前記ＭＲ素
子を形成することができる。結果として、ＭＲ素子と磁
束ガイドとの間の直の磁気結合が可能となる。このよう
な結合によれば、磁気ヘッドの高効率さが得られる。フ
ェライトはスパッタリング、MO-CVD叉はレーザ融蝕等の
既知の技術を用いて設けることができる。
【００３０】本発明による方法を用いて製造される磁気
ヘッドには、特に磁気テープ叉は磁気ディスク等の磁気
記録媒体と共働するヘッド面が設けられ、前記磁束ガイ
ド素子が該ヘッド面で終端する。これに関していうと、
フェライトの磁束ガイド素子はフェライトが当該ヘッド
の耐腐食性及び耐摩耗性に寄与するという利点を有して
いる。
ヘッドには、特に磁気テープ叉は磁気ディスク等の磁気
記録媒体と共働するヘッド面が設けられ、前記磁束ガイ
ド素子が該ヘッド面で終端する。これに関していうと、
フェライトの磁束ガイド素子はフェライトが当該ヘッド
の耐腐食性及び耐摩耗性に寄与するという利点を有して
いる。
【００３１】本発明の更に他の実施例は、前記磁気抵抗
材料としてＮiＦe合金が使用されることを特徴としてい
る。ＮiＦe合金はスパッタ付着叉は蒸着等の既知の技術
を用いて設けることができる。ＮiＦeから形成されるＭ
Ｒ素子には、読出装置との電気的な接続を実現するため
に接触面が設けられる。好ましくは、満足のゆく導電性
を持つ均電位条片が、形成されたＮiＦe層上に設けら
れ、これにより当該ＭＲ素子の動作を線形化する。この
対策は例えば米国特許第4,052,748号に記載されてい
る。
材料としてＮiＦe合金が使用されることを特徴としてい
る。ＮiＦe合金はスパッタ付着叉は蒸着等の既知の技術
を用いて設けることができる。ＮiＦeから形成されるＭ
Ｒ素子には、読出装置との電気的な接続を実現するため
に接触面が設けられる。好ましくは、満足のゆく導電性
を持つ均電位条片が、形成されたＮiＦe層上に設けら
れ、これにより当該ＭＲ素子の動作を線形化する。この
対策は例えば米国特許第4,052,748号に記載されてい
る。
【００３２】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記ベース層が石英から形成されることを特徴とする。
記ベース層が石英から形成されることを特徴とする。
【００３３】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記ベース層が酸化ジルコニウムから形成されることを特
徴とする。
記ベース層が酸化ジルコニウムから形成されることを特
徴とする。
【００３４】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記ベース層中の凹部がエッチングを用いて設けられるこ
とを特徴とする。
記ベース層中の凹部がエッチングを用いて設けられるこ
とを特徴とする。
【００３５】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記機械化学的研磨処理が、特にＫＯＨ叉はＮaＯＨ溶液
等のアルカリ溶液中のＳiＯ2粒子のコロイド懸濁を用い
てなされることを特徴とする。この目的のためには、例
えば３０ｎｍなる平均粒径を持つＳiＯ2ナノ粒子のコロ
イド懸濁を使用することができる。また、上記ＫＯＨ叉
はＮaＯＨ溶液は約１０なるｐＨを持つことができる。
記機械化学的研磨処理が、特にＫＯＨ叉はＮaＯＨ溶液
等のアルカリ溶液中のＳiＯ2粒子のコロイド懸濁を用い
てなされることを特徴とする。この目的のためには、例
えば３０ｎｍなる平均粒径を持つＳiＯ2ナノ粒子のコロ
イド懸濁を使用することができる。また、上記ＫＯＨ叉
はＮaＯＨ溶液は約１０なるｐＨを持つことができる。
【００３６】ここで、上記機械化学的研磨自体は１９８
５年１月の「ＩＢＭ技術公開ブレッティン」第２７巻第
８号から既知であることに注意されたい。この文献はガ
ラス構造体の機械化学的研磨について記載している。ま
た、機械化学的研磨処理用に「Syton」なる商品名で市
販されている研磨剤を使用することも既知である。
５年１月の「ＩＢＭ技術公開ブレッティン」第２７巻第
８号から既知であることに注意されたい。この文献はガ
ラス構造体の機械化学的研磨について記載している。ま
た、機械化学的研磨処理用に「Syton」なる商品名で市
販されている研磨剤を使用することも既知である。
【００３７】本発明の更に他の実施例は、前記機械化学
的研磨が、粒子が存在するコロイドＳiＯ2溶液を含む機
械化学的研磨剤を用いてなされ、前記粒子が１．０μｍ
未満の平均粒径とＳiＯ2の硬度より高い硬度とを持つこ
とを特徴とする。本発明によるこの方法によれば、機械
化学的に研磨された非常に滑らかな主面を得ることがで
きる。この場合、１ｎｍよりも小さな表面粗さＲ（rm
s）の研磨面を達成することができることが分かった。
測定結果は、機械化学的に研磨された面の材料構造には
何の損傷叉は欠陥もないことを示している。上記の事項
は基板及びベース層の機械化学的研磨にも当てはまる。
的研磨が、粒子が存在するコロイドＳiＯ2溶液を含む機
械化学的研磨剤を用いてなされ、前記粒子が１．０μｍ
未満の平均粒径とＳiＯ2の硬度より高い硬度とを持つこ
とを特徴とする。本発明によるこの方法によれば、機械
化学的に研磨された非常に滑らかな主面を得ることがで
きる。この場合、１ｎｍよりも小さな表面粗さＲ（rm
s）の研磨面を達成することができることが分かった。
測定結果は、機械化学的に研磨された面の材料構造には
何の損傷叉は欠陥もないことを示している。上記の事項
は基板及びベース層の機械化学的研磨にも当てはまる。
【００３８】上述した機械化学的研磨剤の正確な効果は
分かってはいない。溶液中では前記粒子が静電力により
ＳiＯ2ナノ粒子により包囲され、これらの包囲された粒
子が研磨すべき表面を化学的及び機械的に侵食し、一方
該研磨すべき表面の化学的に侵食された部分は機械的圧
力により比較的容易に除去されると考えられる。
分かってはいない。溶液中では前記粒子が静電力により
ＳiＯ2ナノ粒子により包囲され、これらの包囲された粒
子が研磨すべき表面を化学的及び機械的に侵食し、一方
該研磨すべき表面の化学的に侵食された部分は機械的圧
力により比較的容易に除去されると考えられる。
【００３９】実験によれば、１．０μｍ未満の平均粒径
の場合に最適な研磨結果が達成されることが分かった。
従って、平均粒径が１．０μｍ未満、例えば１００ｎｍ
の粒子を使用するのが好ましい。また、コロイド溶液に
おける上記粒子の濃度はリットル当たり１グラム未満で
あることが好ましい。この溶液は好ましくはアルカリ性
であり、例えばＫＯＨ叉はＮaＯＨ溶液とする。
の場合に最適な研磨結果が達成されることが分かった。
従って、平均粒径が１．０μｍ未満、例えば１００ｎｍ
の粒子を使用するのが好ましい。また、コロイド溶液に
おける上記粒子の濃度はリットル当たり１グラム未満で
あることが好ましい。この溶液は好ましくはアルカリ性
であり、例えばＫＯＨ叉はＮaＯＨ溶液とする。
【００４０】上記の粒子の材料としてはＡl2Ｏ3叉は酸
化ジルコニウムが好適であるが、これら材料も研磨すべ
きでるからダイヤモンドが好ましい。従って、１．０μ
ｍ未満の平均粒径を持つダイヤモンド粒子を含むコロイ
ドＳiＯ2溶液が研磨剤として好ましい。
化ジルコニウムが好適であるが、これら材料も研磨すべ
きでるからダイヤモンドが好ましい。従って、１．０μ
ｍ未満の平均粒径を持つダイヤモンド粒子を含むコロイ
ドＳiＯ2溶液が研磨剤として好ましい。
【００４１】本発明は、本発明による上述したような方
法により製造されると共に磁気記録媒体と共働するヘッ
ド面を有するような薄膜磁気ヘッドにも関する。この場
合、前記磁束ガイド素子は上記ヘッド面で終端する。本
発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、前記磁気抵抗素
子は非常に平坦で正確に規定された基礎を有しているの
で、当該磁気抵抗素子の磁気的安定性は保証される。本
発明による方法を適用することにより、ヘッド面で終端
する層に耐腐食性及び／叉は耐摩耗性の材料を使用する
ことができるので、ヘッド面の、従って磁気ヘッド全体
の長寿命が可能となる。
法により製造されると共に磁気記録媒体と共働するヘッ
ド面を有するような薄膜磁気ヘッドにも関する。この場
合、前記磁束ガイド素子は上記ヘッド面で終端する。本
発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、前記磁気抵抗素
子は非常に平坦で正確に規定された基礎を有しているの
で、当該磁気抵抗素子の磁気的安定性は保証される。本
発明による方法を適用することにより、ヘッド面で終端
する層に耐腐食性及び／叉は耐摩耗性の材料を使用する
ことができるので、ヘッド面の、従って磁気ヘッド全体
の長寿命が可能となる。
【００４２】本発明は、前述した本発明による方法を用
いて製造することができる薄膜磁気ヘッドであって、磁
束ガイド素子が終端するヘッド面を持つような薄膜磁気
ヘッドにも関する。この磁気ヘッドは、前記磁束ガイド
素子から離隔された他の磁束ガイド素子が設けられ、２
つの磁束ガイド素子の間の離隔部が機械化学的に研磨さ
れた第２の絶縁層に対向して位置される磁気抵抗素子に
よりブリッジされていることを特徴とする。上記の２つ
の磁束ガイド素子の存在は高効率を保証する。
いて製造することができる薄膜磁気ヘッドであって、磁
束ガイド素子が終端するヘッド面を持つような薄膜磁気
ヘッドにも関する。この磁気ヘッドは、前記磁束ガイド
素子から離隔された他の磁束ガイド素子が設けられ、２
つの磁束ガイド素子の間の離隔部が機械化学的に研磨さ
れた第２の絶縁層に対向して位置される磁気抵抗素子に
よりブリッジされていることを特徴とする。上記の２つ
の磁束ガイド素子の存在は高効率を保証する。
【００４３】
【実施例】本発明による薄膜磁気ヘッドを製造する方法
の第１の実施例を図１ないし図１７を参照して説明す
る。この方法はフェライト（本実施例ではＮiＺnフェラ
イト）の板状の基体１（図１参照）から開始され、この
基板１には研磨（polishing）により２つの平行な基板
面３ａ及び３ｂが設けられる。上記研磨は既知の研磨方
法を用いて実施することができるが、好ましくはヨーロ
ッパ特許出願公開第92201739.7号に記載されているよう
な方法を使用する。次いで、上記基板面の一方の（この
実施例では、支持体として作用する基板の基板面３ａ）
上には例えばPE-CVDにより石英（quartz）の絶縁層５ａ
が形成される（図２参照）。次いで、上記層５ａ上に例
えばスパッタリング（sputter-deposition）によりＭo
の接着層７ａ、Ａuの層７ｂ及びＭoの接着層７ｃが順次
付着され、これによりテスト及び／叉はバイアス用の巻
線７が形成される。上記合成層７ａ、７ｂ、７ｃ上に
は、例えばスピン・コーティングによりフォトレジスト
層が設けられる。この層は乾燥され、次いで適切なフォ
トマスクを用いて露光される。次いで、上記の露光され
たフォトレジストは現像され、続いて水中ですすぐこと
により除去される。続く加熱及び冷却の後、Ｍoの前記
層７ｃはエッチングされ、その後露光されなかったフォ
トレジストはアセトンを用いて除去され、Ａuの前記層
７ｂはＭoのパターンをマスクとして用いてスパッタ・
エッチングにより処理される。そして、前記Ｍo層７ｃ
を続いてエッチングすることにより巻線７が得られる
（図３参照）。
の第１の実施例を図１ないし図１７を参照して説明す
る。この方法はフェライト（本実施例ではＮiＺnフェラ
イト）の板状の基体１（図１参照）から開始され、この
基板１には研磨（polishing）により２つの平行な基板
面３ａ及び３ｂが設けられる。上記研磨は既知の研磨方
法を用いて実施することができるが、好ましくはヨーロ
ッパ特許出願公開第92201739.7号に記載されているよう
な方法を使用する。次いで、上記基板面の一方の（この
実施例では、支持体として作用する基板の基板面３ａ）
上には例えばPE-CVDにより石英（quartz）の絶縁層５ａ
が形成される（図２参照）。次いで、上記層５ａ上に例
えばスパッタリング（sputter-deposition）によりＭo
の接着層７ａ、Ａuの層７ｂ及びＭoの接着層７ｃが順次
付着され、これによりテスト及び／叉はバイアス用の巻
線７が形成される。上記合成層７ａ、７ｂ、７ｃ上に
は、例えばスピン・コーティングによりフォトレジスト
層が設けられる。この層は乾燥され、次いで適切なフォ
トマスクを用いて露光される。次いで、上記の露光され
たフォトレジストは現像され、続いて水中ですすぐこと
により除去される。続く加熱及び冷却の後、Ｍoの前記
層７ｃはエッチングされ、その後露光されなかったフォ
トレジストはアセトンを用いて除去され、Ａuの前記層
７ｂはＭoのパターンをマスクとして用いてスパッタ・
エッチングにより処理される。そして、前記Ｍo層７ｃ
を続いてエッチングすることにより巻線７が得られる
（図３参照）。
【００４４】次に、石英の絶縁層５ｂが、例えばPE-CVD
により前記層５ａ及び該層上の巻線７の上に設けられる
（図４参照）。層５ａ及び５ｂは、一緒になって、非磁
性材料の第１の絶縁層５を構成することになる。支持体
として機能する基板１上に設けられた第１の絶縁層５上
には、例えばFeNbSi合金のスパッタ付着により、第１の
絶縁層５から遠い側に上面１７ｃを持つ軟磁性層１７が
形成される。この場合、上記絶縁層は読出ギャップとし
て機能する。スパッタリング後に、このFeNbSiを磁界中
で加熱することにより、磁気的に軟らかく、機械的に堅
く且つ耐摩耗性のある層が得られる。FeNbSi合金の代わ
りに、CoZrNb合金、FeSiAl合金叉はＮiＦe合金を使用す
ることもできる。次に、Ｍoの層９が例えばスパッタ付
着により上記軟磁性層１７上に設けられ（図５参照）、
その後領域１１ａ及び１１ｂでＭoが除去されて該層９
が構造化される（図６参照）。次に、マスクとして作用
する上記の構造化層９を用いて軟磁性層１７をスパッタ
エッチングすることのより２つの層部分１７ａ及び１７
ｂが残存する（図７参照）。この場合、スパッタエッチ
ングの後、層９の多分残存しているであろう部分は例え
ば湿式化学エッチングにより除去される。次いで、上記
層部分１７ａ及び１７ｂから遠い側に上面１８ａを持つ
第２の絶縁層１８が、前記軟磁性層１７の残存部分１７
ａ及び１７ｂと、これらの間に位置する前記第１の絶縁
層５の露出部分との上に、例えばPE-CVDを用いて石英か
ら形成される。この場合、材料は、第２の絶縁層１８が
上面１８ａと支持体面３ａとの間の最小距離ｄsが上面
１７ｃと支持体面３ａとの間の最大距離ｄ1より大きく
なるような厚さを持つまで付着される（図８参照）。こ
のようにして形成された第２の絶縁層１８は、機械化学
的に研磨されて欠陥のない略完全に平坦で且つ滑らかな
主面１９が形成される（図１０）。
により前記層５ａ及び該層上の巻線７の上に設けられる
（図４参照）。層５ａ及び５ｂは、一緒になって、非磁
性材料の第１の絶縁層５を構成することになる。支持体
として機能する基板１上に設けられた第１の絶縁層５上
には、例えばFeNbSi合金のスパッタ付着により、第１の
絶縁層５から遠い側に上面１７ｃを持つ軟磁性層１７が
形成される。この場合、上記絶縁層は読出ギャップとし
て機能する。スパッタリング後に、このFeNbSiを磁界中
で加熱することにより、磁気的に軟らかく、機械的に堅
く且つ耐摩耗性のある層が得られる。FeNbSi合金の代わ
りに、CoZrNb合金、FeSiAl合金叉はＮiＦe合金を使用す
ることもできる。次に、Ｍoの層９が例えばスパッタ付
着により上記軟磁性層１７上に設けられ（図５参照）、
その後領域１１ａ及び１１ｂでＭoが除去されて該層９
が構造化される（図６参照）。次に、マスクとして作用
する上記の構造化層９を用いて軟磁性層１７をスパッタ
エッチングすることのより２つの層部分１７ａ及び１７
ｂが残存する（図７参照）。この場合、スパッタエッチ
ングの後、層９の多分残存しているであろう部分は例え
ば湿式化学エッチングにより除去される。次いで、上記
層部分１７ａ及び１７ｂから遠い側に上面１８ａを持つ
第２の絶縁層１８が、前記軟磁性層１７の残存部分１７
ａ及び１７ｂと、これらの間に位置する前記第１の絶縁
層５の露出部分との上に、例えばPE-CVDを用いて石英か
ら形成される。この場合、材料は、第２の絶縁層１８が
上面１８ａと支持体面３ａとの間の最小距離ｄsが上面
１７ｃと支持体面３ａとの間の最大距離ｄ1より大きく
なるような厚さを持つまで付着される（図８参照）。こ
のようにして形成された第２の絶縁層１８は、機械化学
的に研磨されて欠陥のない略完全に平坦で且つ滑らかな
主面１９が形成される（図１０）。
【００４５】上記において、第２の絶縁層１８の面１８
ａには凹凸があるから、機械化学的研磨は最初は狭い研
磨面から始める。ある程度の研磨の後、研磨面は増加す
る。第２の絶縁層１８の層厚の選択及び上記機械化学的
研磨の調整は、当該機械化学的研磨により前記１７ａ及
び１７ｂの軟磁性材料に到達する前に平坦且つ滑らかな
面ｐが形成されるようになされる（図９参照）。このよ
うにすれば、一部が第２の絶縁層１８により形成される
と共に他の一部が層部分１７ａ及び１７ｂの軟磁性材料
により形成された主面１９が、これら非磁性材料と軟磁
性材料の間の硬度の差にも拘らず平坦且つ滑らかでしか
も欠陥がないことが保証される。この主面１９に隣接す
る軟磁性層１７の残存部分１７ａ及び１７ｂは、図１１
〜図１７に符号１７Ａ及び１７Ｂで各々示された２つの
磁束ガイド素子を形成する。文献においては摩擦化学研
磨（tribo-chemical polishing）とも呼ばれる上記機械
化学的研磨は、本実施例においては例えばＮaＯＨ等の
アルカリ溶液中のＳiＯ2粒子のコロイド懸濁を用いて実
施されるが、上記溶液には１．０μｍ未満の平均粒径を
持つダイヤモンド粒子が加えられる。上記ダイヤモンド
粒子の上記溶液中の濃度はリットル当たり１グラム未満
である。
ａには凹凸があるから、機械化学的研磨は最初は狭い研
磨面から始める。ある程度の研磨の後、研磨面は増加す
る。第２の絶縁層１８の層厚の選択及び上記機械化学的
研磨の調整は、当該機械化学的研磨により前記１７ａ及
び１７ｂの軟磁性材料に到達する前に平坦且つ滑らかな
面ｐが形成されるようになされる（図９参照）。このよ
うにすれば、一部が第２の絶縁層１８により形成される
と共に他の一部が層部分１７ａ及び１７ｂの軟磁性材料
により形成された主面１９が、これら非磁性材料と軟磁
性材料の間の硬度の差にも拘らず平坦且つ滑らかでしか
も欠陥がないことが保証される。この主面１９に隣接す
る軟磁性層１７の残存部分１７ａ及び１７ｂは、図１１
〜図１７に符号１７Ａ及び１７Ｂで各々示された２つの
磁束ガイド素子を形成する。文献においては摩擦化学研
磨（tribo-chemical polishing）とも呼ばれる上記機械
化学的研磨は、本実施例においては例えばＮaＯＨ等の
アルカリ溶液中のＳiＯ2粒子のコロイド懸濁を用いて実
施されるが、上記溶液には１．０μｍ未満の平均粒径を
持つダイヤモンド粒子が加えられる。上記ダイヤモンド
粒子の上記溶液中の濃度はリットル当たり１グラム未満
である。
【００４６】次いで、上述したようにして得られた平坦
な欠陥の無い主面１９上には非磁性且つ電気的絶縁性の
ある材料の薄いスペーサ層２１が設けられる（図１１参
照）。この実施例においては、上記目的のため石英がPE
-CVDにより付着される。次いで、上記スペーサ層２１上
には磁気抵抗材料の層２３ａが設けられるが、この目的
のため本実施例ではＮiＦe合金がスパッタされる（図１
２参照）。この層２３ａは次いでフォトマスク及びエッ
チングにより構造化されて、ＭＲ素子２３が形成される
（図１３参照）。このＭＲ素子２３上には例えばＡu等
の導電材料の層２５ａが設けられる（図１４参照）。上
記層２５ａはフォトレジストマスクとエッチングとによ
り構造化されて、床屋ポールのような構造の均電位条片
２５が形成されると共に当該ＭＲ素子を測定装置（図示
略）に電気的に接続するための導電条片２５ｂとが形成
される（図１５参照）。次いで、例えば石英等の絶縁層
２７が例えばPE-CVD等を用いて設けられる（図１６参
照）。上記絶縁層には電気的接続部を設けるために導電
条片２５ｂまで延びる開口２９がエッチングにより設け
られ、その後、例えばBaTiO3叉はCaTiO3等の保護カウン
タブロック３１が例えば接着により固定される。上記層
２７は例えば機械的な研磨叉はラッピングにより前もっ
て所望の厚さに平坦化してもよい。このようにして得ら
れたユニットには、研削（grinding）及び／叉はラッピ
ング等の加工により、特に磁気記録媒体と共働するため
のヘッド面３３が設けられる。
な欠陥の無い主面１９上には非磁性且つ電気的絶縁性の
ある材料の薄いスペーサ層２１が設けられる（図１１参
照）。この実施例においては、上記目的のため石英がPE
-CVDにより付着される。次いで、上記スペーサ層２１上
には磁気抵抗材料の層２３ａが設けられるが、この目的
のため本実施例ではＮiＦe合金がスパッタされる（図１
２参照）。この層２３ａは次いでフォトマスク及びエッ
チングにより構造化されて、ＭＲ素子２３が形成される
（図１３参照）。このＭＲ素子２３上には例えばＡu等
の導電材料の層２５ａが設けられる（図１４参照）。上
記層２５ａはフォトレジストマスクとエッチングとによ
り構造化されて、床屋ポールのような構造の均電位条片
２５が形成されると共に当該ＭＲ素子を測定装置（図示
略）に電気的に接続するための導電条片２５ｂとが形成
される（図１５参照）。次いで、例えば石英等の絶縁層
２７が例えばPE-CVD等を用いて設けられる（図１６参
照）。上記絶縁層には電気的接続部を設けるために導電
条片２５ｂまで延びる開口２９がエッチングにより設け
られ、その後、例えばBaTiO3叉はCaTiO3等の保護カウン
タブロック３１が例えば接着により固定される。上記層
２７は例えば機械的な研磨叉はラッピングにより前もっ
て所望の厚さに平坦化してもよい。このようにして得ら
れたユニットには、研削（grinding）及び／叉はラッピ
ング等の加工により、特に磁気記録媒体と共働するため
のヘッド面３３が設けられる。
【００４７】前記磁束ガイド素子１７Ａ及び１７Ｂの、
従ってもともとあった軟磁性層１７の軟磁性材料を、特
にＭnＺnフェライト、ＮiＺnフェライト叉はＦe2Ｏ3フ
ェライト等の電気的に導通しないか叉は導電性が劣る軟
磁性材料と置き換える場合は、前記ＭＲ素子２３は主面
１９上に直に設けることもできる。結果として、絶縁層
２１は不要となり、ＭＲ素子２３は磁束ガイド素子１７
Ａ及び１７Ｂと直に接触するようにしてもよい。
従ってもともとあった軟磁性層１７の軟磁性材料を、特
にＭnＺnフェライト、ＮiＺnフェライト叉はＦe2Ｏ3フ
ェライト等の電気的に導通しないか叉は導電性が劣る軟
磁性材料と置き換える場合は、前記ＭＲ素子２３は主面
１９上に直に設けることもできる。結果として、絶縁層
２１は不要となり、ＭＲ素子２３は磁束ガイド素子１７
Ａ及び１７Ｂと直に接触するようにしてもよい。
【００４８】本発明の範囲内においては、図９に示した
研磨形成面ｐを主面として使用することも可能である。
その場合には、図１１に示したようなスペーサ層２１は
設ける必要がない。そして、所望の絶縁性は磁束ガイド
として使用される軟磁性部分１７ａ及び１７ｂと研磨面
ｐとの間に存在する非磁性で電気的絶縁性のある前記材
料により保証される。研磨面ｐから前記上面１７ｃまで
の所定の距離ｄは非常に正確に達成することができる。
また、前記機械化学的な研磨処理は、例えば「Syton」
なる商品名で市販されている通常の溶液等のアルカリ性
の溶液中のＳiＯ2粒子のコロイド懸濁を用いて実施する
ことができる。
研磨形成面ｐを主面として使用することも可能である。
その場合には、図１１に示したようなスペーサ層２１は
設ける必要がない。そして、所望の絶縁性は磁束ガイド
として使用される軟磁性部分１７ａ及び１７ｂと研磨面
ｐとの間に存在する非磁性で電気的絶縁性のある前記材
料により保証される。研磨面ｐから前記上面１７ｃまで
の所定の距離ｄは非常に正確に達成することができる。
また、前記機械化学的な研磨処理は、例えば「Syton」
なる商品名で市販されている通常の溶液等のアルカリ性
の溶液中のＳiＯ2粒子のコロイド懸濁を用いて実施する
ことができる。
【００４９】他の例として、石英の代わりに酸化ジルコ
ニウム（zirconia）を使用することができ、また前記絶
縁層は好ましくはスパッタリングにより形成される。
ニウム（zirconia）を使用することができ、また前記絶
縁層は好ましくはスパッタリングにより形成される。
【００５０】次に、本発明による方法の第２の実施例を
図１８ないし図２９を参照して説明する。この方法は好
ましくはフェライトからなる板状のベース素子101から
開始されるが（図１８参照）、このベース素子は両側が
研磨されて２つの平行なベース面102a及び102bが形成さ
れる（図１９参照）。上記ベース面の一方（本実施例で
は面102b）には例えばPE-CVDを用いて石英（quartz）の
絶縁層104aが設けられる。この層104a上には例えばＡu
等の導電層106aが設けられる。この層106aは既知の技術
で構造化されて、誘導変換素子即ち巻線106が形成され
る（図２０参照）。次いで、絶縁層104bを形成するため
に石英が付着され（図２１参照）、上記２つの絶縁層10
4a及び104bにエッチングにより開口108が形成される
（図２２参照）。次いで、石英の比較的厚い絶縁層104c
が設けられる（図２３参照）。この場合、層104a、104b
及び104cは一緒になって非磁性体材料のベース層104を
構成する。次いで、ベース素子101上に設けられたベー
ス層104上に例えばＭo等のマスク材料の層110が設けら
れ（図２４参照）、このマスク材料の層を用いてベース
層104に開口112が形成される（図２５参照）。上記目的
のため、先ず層110上にフォトレジストが付着されると
共に構造化され、その後エッチングにより層110に開口1
12を形成してマスクを作成する。次いで、ベース層104
を上記構造化層110をマスクとして用いてスパッタエッ
チングして開口102を形成する（図２６参照）。スパッ
タエッチングの後、上記層110の残存部分は湿式化学エ
ッチングにより除去される。上記のようにして構造化さ
れたベース層104上には、例えばCoZrNb等の軟磁性材料
の層114aが設けられ（図２７参照）、この間に前記開口
102は完全に充填される。この層114aは磁束ガイド素子1
14を形成するために使用される。充填された開口102を
備える上記ベース層104は、次いで、ダイヤモンド粒子
が添加されたアルカリ性コロイドＳiＯ2溶液を含む研磨
剤を用いて機械化学的に研磨され、これにより傷のない
平らな支持面（ベース面）116を作成する（図２８参
照）。このようにして得られたベース面116上には非磁
性材料の第１の絶縁層105が形成される（図２９参
照）。
図１８ないし図２９を参照して説明する。この方法は好
ましくはフェライトからなる板状のベース素子101から
開始されるが（図１８参照）、このベース素子は両側が
研磨されて２つの平行なベース面102a及び102bが形成さ
れる（図１９参照）。上記ベース面の一方（本実施例で
は面102b）には例えばPE-CVDを用いて石英（quartz）の
絶縁層104aが設けられる。この層104a上には例えばＡu
等の導電層106aが設けられる。この層106aは既知の技術
で構造化されて、誘導変換素子即ち巻線106が形成され
る（図２０参照）。次いで、絶縁層104bを形成するため
に石英が付着され（図２１参照）、上記２つの絶縁層10
4a及び104bにエッチングにより開口108が形成される
（図２２参照）。次いで、石英の比較的厚い絶縁層104c
が設けられる（図２３参照）。この場合、層104a、104b
及び104cは一緒になって非磁性体材料のベース層104を
構成する。次いで、ベース素子101上に設けられたベー
ス層104上に例えばＭo等のマスク材料の層110が設けら
れ（図２４参照）、このマスク材料の層を用いてベース
層104に開口112が形成される（図２５参照）。上記目的
のため、先ず層110上にフォトレジストが付着されると
共に構造化され、その後エッチングにより層110に開口1
12を形成してマスクを作成する。次いで、ベース層104
を上記構造化層110をマスクとして用いてスパッタエッ
チングして開口102を形成する（図２６参照）。スパッ
タエッチングの後、上記層110の残存部分は湿式化学エ
ッチングにより除去される。上記のようにして構造化さ
れたベース層104上には、例えばCoZrNb等の軟磁性材料
の層114aが設けられ（図２７参照）、この間に前記開口
102は完全に充填される。この層114aは磁束ガイド素子1
14を形成するために使用される。充填された開口102を
備える上記ベース層104は、次いで、ダイヤモンド粒子
が添加されたアルカリ性コロイドＳiＯ2溶液を含む研磨
剤を用いて機械化学的に研磨され、これにより傷のない
平らな支持面（ベース面）116を作成する（図２８参
照）。このようにして得られたベース面116上には非磁
性材料の第１の絶縁層105が形成される（図２９参
照）。
【００５１】主層105には本発明による方法の前記第１
の実施例で述べたのと同様の方法で磁束ガイド素子117A
及び117Bが設けられる。この方法においても、主面119
は機械化学的研磨により形成され、その後ＭＲ素子123
が設けられる。
の実施例で述べたのと同様の方法で磁束ガイド素子117A
及び117Bが設けられる。この方法においても、主面119
は機械化学的研磨により形成され、その後ＭＲ素子123
が設けられる。
【００５２】本発明による方法の上記第２の実施例によ
り製造された薄膜磁気ヘッドを図３０に示す。この磁気
ヘッドはヘッド面118を有すると共に、上に非磁性ベー
ス層104が設けられるベース素子101を有している。上記
ベース層104は誘導変換素子として作用する巻線106と、
ヘッド面118で終端する軟磁性材料の磁束ガイド114とを
収容している。第１及び第２の絶縁層からなり、且つ、
ヘッド面118で終端する前側磁束ガイド117Aと後側磁束
ガイド117Bとを収容する非磁性主層105が、機械化学的
に研磨された支持面116上に設けられる。両磁束ガイ
ド、即ち磁束ガイド素子は軟磁性材料から形成される。
もし望むならば、バイアス巻線107が層105中に延在する
ようにする。上記層105は機械化学的に研磨された主面1
19を有し、該面上に薄い電気的に絶縁なスペーサ層が介
挿された状態でＭＲ素子123が直に叉は非直に設けられ
る。また、カウンタブロック131が固着される保護層が
上記ＭＲ素子上に延在する。
り製造された薄膜磁気ヘッドを図３０に示す。この磁気
ヘッドはヘッド面118を有すると共に、上に非磁性ベー
ス層104が設けられるベース素子101を有している。上記
ベース層104は誘導変換素子として作用する巻線106と、
ヘッド面118で終端する軟磁性材料の磁束ガイド114とを
収容している。第１及び第２の絶縁層からなり、且つ、
ヘッド面118で終端する前側磁束ガイド117Aと後側磁束
ガイド117Bとを収容する非磁性主層105が、機械化学的
に研磨された支持面116上に設けられる。両磁束ガイ
ド、即ち磁束ガイド素子は軟磁性材料から形成される。
もし望むならば、バイアス巻線107が層105中に延在する
ようにする。上記層105は機械化学的に研磨された主面1
19を有し、該面上に薄い電気的に絶縁なスペーサ層が介
挿された状態でＭＲ素子123が直に叉は非直に設けられ
る。また、カウンタブロック131が固着される保護層が
上記ＭＲ素子上に延在する。
【００５３】尚、本発明は上述した各実施例のみに限定
されるものでないことは明かである。例えば、本発明の
範囲内において軟磁性層をエッチング処理により構造化
することにより磁束ガイド層114を形成することも可能
である。
されるものでないことは明かである。例えば、本発明の
範囲内において軟磁性層をエッチング処理により構造化
することにより磁束ガイド層114を形成することも可能
である。
【図１】 図１は本発明による薄膜磁気ヘッドを製造す
る方法の第１の実施例の最初の工程を説明するための基
板の断面図、
る方法の第１の実施例の最初の工程を説明するための基
板の断面図、
【図２】 図２は同実施例における図１に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図３】 図３は同実施例における図２に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図４】 図４は同実施例における図３に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図５】 図５は同実施例における図４に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図６】 図６は同実施例における図５に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図７】 図７は同実施例における図６に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図８】 図８は同実施例における図７に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図９】 図９は同実施例における図８に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図１０】 図１０は同実施例における図９に示す工程
の次の工程を示す断面図、
の次の工程を示す断面図、
【図１１】 図１１は同実施例における図１０に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図１２】 図１２は同実施例における図１１に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図１３】 図１３は同実施例における図１２に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図１４】 図１４は同実施例における図１３に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図１５】 図１５は同実施例における図１４に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図１６】 図１６は同実施例における図１５に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図１７】 図１７は同実施例により製造された薄膜磁
気ヘッドの断面図、
気ヘッドの断面図、
【図１８】 図１８は本発明による薄膜磁気ヘッドを製
造する方法の第２の実施例の最初の工程を説明するため
の基板の断面図、
造する方法の第２の実施例の最初の工程を説明するため
の基板の断面図、
【図１９】 図１９は同実施例における図１８に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２０】 図２０は同実施例における図１９に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２１】 図２１は同実施例における図２０に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２２】 図２２は同実施例における図２１に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２３】 図２３は同実施例における図２２に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２４】 図２４は同実施例における図２３に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２５】 図２５は同実施例における図２４に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２６】 図２６は同実施例における図２５に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２７】 図２７は同実施例における図２６に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２８】 図２８は同実施例における図２７に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２９】 図２９は同実施例における図２８に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図３０】 図３０は同実施例により製造された薄膜磁
気ヘッドの断面図である。
気ヘッドの断面図である。
１…基板、 ５…絶縁層、７…巻
線、 17a、17b…磁束ガイド、１９…主
面、 ２１…スペーサ層、２３…磁気
抵抗素子、 ２５…均電位条片。
線、 17a、17b…磁束ガイド、１９…主
面、 ２１…スペーサ層、２３…磁気
抵抗素子、 ２５…均電位条片。
フロントページの続き (72)発明者 ヤン ハイスマ オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ヤコブス ヨセフス マリア ルイグロッ ク オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ゲラルドゥス ヘンリカス ヨハヌス ソ マース オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １
Claims (26)
- 【請求項１】 磁気抵抗素子と少なくとも１個の磁束ガ
イド素子とを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であ
って、支持体から製造が開始するような方法において、
非磁性材料の第１の絶縁層が前記支持体の面上に形成さ
れ、この絶縁層上に軟磁性材料を付着することにより前
記第１の絶縁層から遠い側に上面を持つような軟磁性層
が形成され、その後該軟磁性層の一部が除去されて前記
磁束ガイド素子が形成され、次いで非磁性材料が前記軟
磁性層の残部上と前記第１の絶縁層の自由部分上とに付
着されて前記軟磁性層から遠い側に上面を持つような第
２の絶縁層が形成され、この第２の絶縁層は前記支持面
を横切る方向に見た場合に前記支持面と当該第２の絶縁
層の上面との間の最小距離が前記支持面と前記軟磁性層
の上面との間の最大距離よりも大きくなるような厚みを
有し、その後前記第２の絶縁層の上面から機械化学的研
磨処理を行うことにより主面を形成し、次いでこの主面
に磁気抵抗材料が付着されて前記磁気抵抗素子が形成さ
れるようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造
する方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、前記機
械化学的研磨処理が前記軟磁性層まで行われることを特
徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の方法において、前記磁
気抵抗材料が上に付着される非磁性電気絶縁材料のスペ
ーサ層が、前記機械化学的研磨により得られた前記主面
上に形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造
する方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の方法において、前記第
２の絶縁層が前記軟磁性層の上面から所定距離のところ
まで機械化学的に研磨され、これにより得られた前記主
面上にその後前記磁気抵抗材料が付着されることを特徴
とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項５】 請求項１、請求項２、請求項３叉は請求
項４に記載の方法において、板状基板に機械的及び／叉
は機械化学的な研磨により２つの平行した基板面を設
け、これら基板面の一方を前記支持面として使用するこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の方法において、前記基
板が軟磁性材料から形成されることを特徴とする薄膜磁
気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項７】 請求項１、請求項２、請求項３叉は請求
項４に記載の方法において、誘導変換素子と、非磁性材
料のベース層と、磁束ガイド層とが上に設けられたベー
ス素子を設け、これに機械化学的研磨処理を行うことに
より前記支持面を形成するようにしたことを特徴とする
薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載の方法において、前記ベ
ース素子が板状であり、該ベース素子には機械的及び／
叉は機械化学的研磨により２つの平行なベース面が設け
られ、その後これらベース面の一方上に前記ベース層が
設けられることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する
方法。 - 【請求項９】 請求項７叉は請求項８に記載の方法にお
いて、前記ベース素子が軟磁性材料から形成されること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項１０】 請求項１ないし請求項９の何れか一項
に記載の方法において、前記非磁性材料として石英が使
用されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方
法。 - 【請求項１１】 請求項１ないし請求項９の何れか一項
に記載の方法において、前記非磁性材料として酸化ジル
コニウムが使用されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド
を製造する方法。 - 【請求項１２】 請求項１ないし請求項１１の何れか一
項に記載の方法において、前記軟磁性層の層部分がエッ
チングにより除去されることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドを製造する方法。 - 【請求項１３】 請求項１ないし請求項１２の何れか一
項に記載の方法において、前記軟磁性材料としてCoZrNb
合金、FeNbSi合金、FeSiAl合金及びＮiＦe合金の合金群
から選択された合金が使用されることを特徴とする薄膜
磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項１４】 請求項１ないし請求項１２の何れか一
項に記載の方法において、前記軟磁性材料としてフェラ
イトが使用されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製
造する方法。 - 【請求項１５】 請求項１ないし請求項１４の何れか一
項に記載の方法において、前記磁気抵抗材料としてＮi
Ｆe合金が使用されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド
を製造する方法。 - 【請求項１６】 請求項７、請求項８叉は請求項９に記
載の方法において、前記ベース層が石英から形成される
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項１７】 請求項７、請求項８叉は請求項９に記
載の方法において、前記ベース層が酸化ジルコニウムか
ら形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造す
る方法。 - 【請求項１８】 請求項７、８、９、１６叉は１７に記
載の方法において、前記ベース層にエッチングにより凹
部が設けられ、該凹部に軟磁性材料を充填して前記磁束
ガイド層を形成するようにしたことを特徴とする薄膜磁
気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項１９】 請求項１ないし請求項１８の何れか一
項に記載の方法において、前記機械化学的研磨処理がア
ルカリ溶液中のＳiＯ2のコロイド懸濁を用いてなされる
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項２０】 請求項１ないし請求項１８の何れか一
項に記載の方法において、前記機械化学的研磨処理が粒
子が存在するコロイドＳiＯ2溶液を含む機械化学的研磨
剤を用いてなされることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを
製造する方法。 - 【請求項２１】 請求項２０に記載の方法において、前
記ＳiＯ2溶液としてアルカリ性溶液が使用されることを
特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項２２】 請求項２０叉は請求項２１に記載の方
法において、前記粒子が１．０μｍ未満の平均粒径とＳ
iＯ2の硬度より高い硬度とを有することを特徴とする薄
膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項２３】 請求項２０、請求項２１叉は請求項２
２に記載の方法において、前記前記粒子としてダイヤモ
ンド粒子が使用されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド
を製造する方法。 - 【請求項２４】 請求項２０、請求項２１、請求項２２
叉は請求項２３に記載の方法において、前記コロイド溶
液に使用される粒子の濃度がリットル当たり１グラム未
満であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方
法。 - 【請求項２５】 請求項１ないし請求項２４の何れか一
項に記載の方法により製造された薄膜磁気ヘッドであっ
て、磁気記録媒体と共働するヘッド面を有し、前記磁束
ガイド素子が前記ヘッド面で終端していることを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２６】 請求項１ないし請求項２４の何れか一
項に記載の方法により製造された薄膜磁気ヘッドであっ
て、前記磁束ガイド素子が終端するヘッド面を有し、前
記磁束ガイド素子から離隔された他の磁束ガイド素子が
設けられ、前記２つの磁束ガイドの間のスペースが前記
機械化学的に研磨された第２の絶縁層に対向配置された
磁気抵抗素子によりブリッジされていることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。
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