JPH076270U - 単結晶育成装置 - Google Patents

単結晶育成装置

Info

Publication number
JPH076270U
JPH076270U JP3463293U JP3463293U JPH076270U JP H076270 U JPH076270 U JP H076270U JP 3463293 U JP3463293 U JP 3463293U JP 3463293 U JP3463293 U JP 3463293U JP H076270 U JPH076270 U JP H076270U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stirring member
pulling shaft
single crystal
diameter
shaft insertion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3463293U
Other languages
English (en)
Inventor
雄二 小松
研 斉藤
典章 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Steel Works Ltd
Original Assignee
Japan Steel Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Steel Works Ltd filed Critical Japan Steel Works Ltd
Priority to JP3463293U priority Critical patent/JPH076270U/ja
Publication of JPH076270U publication Critical patent/JPH076270U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 引上軸挿入口の径を拡大することなく,原料
融液を十分均一に攪拌できるようにした単結晶育成装置
を提供する。 【構成】 引上軸5を回転させないで攪拌部材6を閉
じ、引上軸挿入口4から攪拌部材6を炉1中に垂下す
る。炉1中に挿入後、引上軸5を回転させて攪拌部材6
を開き、原料融液Gを攪拌する。 【効果】 引上軸挿入口の径が小さくても攪拌径を大き
く出来るので、引上軸挿入口の径を拡げずに原料融液を
十分均一に攪拌できるようになる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、単結晶育成装置に関し、さらに詳しくは、引上げ法を用いて金属 ,半導体,酸化物などの単結晶を成長する単結晶育成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図6は、従来の単結晶育成装置の一例を示す部分断面図である。 この単結晶育成装置600において、1は炉、2は坩堝、3は耐火物、4は引 上軸挿入口、5は引上軸、62は攪拌部材である。Gは原料融液である。
【0003】 原料融液Gの組成を均一にするために、引上軸挿入口4から攪拌部材62を炉 1中に垂下し、攪拌部材62で原料融液Gを攪拌する。次いで、攪拌部材62を 引上軸挿入口4から引き出す。 その後、引上軸5から攪拌部材62を外し、代りに種結晶を取り付け、その種 結晶を引上軸挿入口4から炉1中に垂下し、原料融液Gに浸し、回転させながら 引き上げることにより、種結晶下に結晶を育成する。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
上記従来の単結晶育成装置600では、引上軸挿入口4の径より攪拌部材62 の径が小さくなっている。 しかし、放熱を押えるために引上軸挿入口4の径は小さくなっているので、そ れよりも攪拌部材62の径を小さくすると、原料融液Gを十分均一に攪拌できな い問題点がある。攪拌部材62の径を大きくすれば原料融液Gを十分均一に攪拌 できるが、そうすると引上軸挿入口4の径も拡大する必要があり、耐火物3を組 み直さなくてはならず、また、放熱が大きくなる新たな問題点を生じる。 そこで、この考案の目的は、引上軸挿入口の径を拡大することなく,原料融液 を十分均一に攪拌できるようにした単結晶育成装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この考案の単結晶育成装置は、引上軸端に取り付けた種結晶を引上軸挿入口か ら炉中に垂下し、炉中の原料融液に浸し、回転させながら引き上げることにより 種結晶下に結晶を育成する単結晶育成装置において、閉じると小径となり開くと 大径となる攪拌部材を前記種結晶に代えて前記引上軸端に取り付けると共に、前 記引上軸挿入口を前記小径より大きく前記大径より小さい径とし、その引上軸挿 入口から前記攪拌部材を小径状態で炉中に垂下し、炉中で前記攪拌部材を大径状 態にして原料融液を攪拌し、次いで炉中で前記攪拌部材を小径状態にし前記引上 軸挿入口から引き出すことを構成上の特徴とするものである。
【0006】 上記構成の単結晶育成装置において、攪拌部材は、引上軸が回転していないと きは重力により閉じ,引上軸が回転しているときは遠心力により開く羽形,振り 子形または鎖形であるのが好ましい。
【0007】
【作用】
この考案の単結晶育成装置では、開閉する攪拌部材を採用し、攪拌部材の径を 大小変更できるようにした。そして、攪拌部材の径を小さくして引上軸挿入口を 通し、攪拌部材の径を大きくして原料融液を攪拌するようにした。このため、引 上軸挿入口の径を拡大する必要がなくなり、また、原料融液を十分均一に攪拌で きるようになる。 なお、回転していないときは重力により閉じ,引上軸が回転しているときは遠 心力により開く羽形,振り子形または鎖形の攪拌部材を用いれば、スプリングや ワイヤなどの開閉機構部品が要らず、構成を簡単化できる。
【0008】
【実施例】
以下、図に示す実施例によりこの考案をさらに詳細に説明する。なお、これに よりこの考案が限定されるものではない。
【0009】 図1は、この考案の一実施例の単結晶育成装置の部分断面図である。 この単結晶育成装置100において、1は炉、2は坩堝、3は耐火物、4は引 上軸挿入口、5は引上軸、6は攪拌部材である。Gは原料融液である。
【0010】 引上軸5の直径は、16mmである。引上軸挿入口4の直径は、20mmであ る。後述するように、攪拌部材6は開閉し、開いた状態での直径(回転直径)は 40mm,閉じた状態での直径(幅)は15mmである。
【0011】 図2は、攪拌部材6の構造を示す斜視図である。 この攪拌部材6は、2枚の羽状治具7をその一端で支持体8に回転自在に軸止 したものである。支持体8は、引上軸5にボルト17で取り付けられる。 前記羽状治具7は、長さ30mm,幅15mm,厚さ0.3mmの白金製であ る。
【0012】 図3の(a)に示すように、引上軸5を回転させないときは、2枚の羽状治具 7は、重力により閉じている。 図3の(b)に示すように、引上軸5を回転させると、2枚の羽状治具7は、 遠心力により開く。例えば100rpmで回転させると、羽状治具7は約90度 の角度に開き、その直径は40mmになる。
【0013】 図1に戻り、引上軸5を回転させないで、引上軸挿入口4から攪拌部材6を炉 1中に垂下する。羽状治具7は閉じているから、引上軸挿入口4より容易に挿入 できる。 羽状治具7が原料融液Gに浸かると、引上軸5を回転させ、攪拌部材6で原料 融液Gを攪拌する。羽状治具7が開くから、原料融液Gを十分に攪拌することが 出来る。 次いで、引上軸5の回転を止めて、引上軸挿入口4から攪拌部材6を引き出す 。羽状治具7は閉じるから、引上軸挿入口4より容易に引き出せる。 その後、引上軸5から攪拌部材6を外し、代りに種結晶を取り付け、その種結 晶を引上軸挿入口4から炉1中に垂下し、原料融液Gに浸し、回転させながら引 き上げることにより、種結晶下に結晶を育成する。
【0014】 以上の構成のため、この単結晶育成装置100によれば、引上軸挿入口4の径 が小さいままでよい。また、原料融液Gを十分均一に攪拌できる。
【0015】 図4に、他の実施例における攪拌部材6Aを示す。 この攪拌部材6Aは、羽状治具7を4枚使用したものである。
【0016】 図5に、さらに他の実施例における攪拌部材6Bを示す。 この攪拌部材6Bは、羽状治具7に代えて、鎖57を使用したものである。
【0017】
【考案の効果】
この考案の単結晶育成装置によれば、引上軸挿入口の径が小さくても攪拌径を 大きく出来るので、引上軸挿入口の径を拡げずに原料融液を十分均一に攪拌でき るようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の一実施例の単結晶育成装置の部分断
面図である。
【図2】図1の単結晶育成装置の攪拌部材を示す斜視図
である。
【図3】図2の攪拌部材の動きを示す説明図である。
【図4】他の実施例における攪拌部材の説明図である。
【図5】さらに他の実施例における攪拌部材の説明図で
ある。
【図6】従来の単結晶育成装置の一例を示す部分断面図
である。
【符号の説明】
100 単結晶育成装置 1 炉 2 坩堝 3 耐火物 4 引上軸挿入口 5 引上軸 6,6A,6B 攪拌部材 7 羽状治具 G 原料融液

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 引上軸端に取り付けた種結晶を引上軸挿
    入口から炉中に垂下し、炉中の原料融液に浸し、回転さ
    せながら引き上げることにより種結晶下に結晶を育成す
    る単結晶育成装置において、閉じると小径となり開くと
    大径となる攪拌部材を前記種結晶に代えて前記引上軸端
    に取り付けると共に、前記引上軸挿入口を前記小径より
    大きく前記大径より小さい径とし、その引上軸挿入口か
    ら前記攪拌部材を小径状態で炉中に垂下し、炉中で前記
    攪拌部材を大径状態にして原料融液を攪拌し、次いで炉
    中で前記攪拌部材を小径状態にし前記引上軸挿入口から
    引き出すことを特徴とする単結晶育成装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の単結晶育成装置におい
    て、前記攪拌部材は、前記引上軸が回転していないとき
    は重力により閉じ,前記引上軸が回転しているときは遠
    心力により開く羽根形または鎖形であることを特徴とす
    る単結晶育成装置。
JP3463293U 1993-06-25 1993-06-25 単結晶育成装置 Pending JPH076270U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3463293U JPH076270U (ja) 1993-06-25 1993-06-25 単結晶育成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3463293U JPH076270U (ja) 1993-06-25 1993-06-25 単結晶育成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH076270U true JPH076270U (ja) 1995-01-27

Family

ID=12419786

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3463293U Pending JPH076270U (ja) 1993-06-25 1993-06-25 単結晶育成装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH076270U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH076270U (ja) 単結晶育成装置
JP3402040B2 (ja) 単結晶保持装置
JP2946934B2 (ja) 単結晶引上装置
JPH02120294A (ja) リチャージ装置
EP0867533A3 (en) Single crystal growing apparatus ans single crystal growing method
JP4068709B2 (ja) 単結晶引上装置及び引上方法
JPS60238073A (ja) 遠心鋳造炉
JP3194354B2 (ja) 精密鋳造方法及び精密鋳造装置
CN208136382U (zh) 一种提拉装置及软轴单晶炉
JP4026694B2 (ja) 単結晶保持装置
JP3721450B2 (ja) 多結晶原料および多結晶原料支持治具
JP2721242B2 (ja) シリコン単結晶の引上方法
JPH11199374A (ja) 単結晶の引き上げ装置および落下防止装置
JPS598697A (ja) 半導体単結晶引上装置
JPS62130234A (ja) Al−Pb系合金の均質混合法
JPS6374991A (ja) 単結晶成長用試料容器
JPH033638B2 (ja)
KR20050047348A (ko) 실리콘 단결정 잉곳 제조방법
JPS63285194A (ja) シリコン単結晶引上装置
TW202033844A (zh) 一種晶體提拉機構及晶體生長裝置
JPH10324596A (ja) シリコン単結晶の製造方法
JP2000247783A (ja) 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法
JPH10273390A (ja) 半導体単結晶製造装置
JPH0580523B2 (ja)
JPH04321585A (ja) 単結晶育成方法